CN114622277A - 一种用于反应腔的气浮系统及方法 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 110
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000005188 flotation Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 250
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 10
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/16—Controlling or regulating
Landscapes
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
本申请涉及外延生长技术领域,具体提供了一种用于反应腔的气浮系统及方法,其包括:托盘,用于放置晶圆;供气装置,用于供应气浮气体;悬浮气路,与所述供气装置连接,用于朝所述托盘底面释放所述气浮气体以驱动所述托盘浮起;旋转气路,与所述供气装置连接,用于朝所述托盘侧面释放所述气浮气体以驱动所述托盘旋转;控制器,用于在外延生长开始前,控制所述悬浮气路驱动所述托盘悬浮,并在经过第一预设时间后,控制所述旋转气路驱动所述托盘旋转;只有在托盘悬浮后,控制器才会控制旋转气路释放气浮气体以驱动托盘旋转,从而实现先使托盘悬浮再使托盘旋转,避免出现由于托盘未浮起就开始旋转而造成托盘与底座磨损的情况。
Description
技术领域
本申请涉及外延生长技术领域,具体而言,涉及一种用于反应腔的气浮系统及方法。
背景技术
在外延生长工艺中,为了使反应腔内的晶圆受热均匀,需要旋转晶圆。现有技术的反应腔内设置有底座和托盘,晶圆放置在托盘上,底座内设置有进气气路和倾斜于进气气路的出气口,当需要对晶圆进行旋转时,进气气路通入的惰性气体从倾斜设置的出气口流出,托盘受到一个斜向上的力,从而实现托盘的浮起和旋转。由于现有技术使用同一气路对托盘进行吹气,因此托盘的浮起和旋转是同时进行的,即可能会出现由于托盘未浮起就开始旋转而造成托盘与底座磨损的情况。
针对上述问题,目前尚未有有效的技术解决方案。
发明内容
本申请的目的在于提供一种用于反应腔的气浮系统及方法,能够避免出现托盘未浮起就开始旋转而造成托盘与底座磨损的情况。
第一方面,本申请提供了一种用于反应腔的气浮系统,用于驱动晶圆旋转,其包括:
托盘,用于放置晶圆;
供气装置,用于供应气浮气体;
悬浮气路,与上述供气装置连接,用于朝上述托盘底面释放上述气浮气体以驱动上述托盘悬浮;
旋转气路,与上述供气装置连接,用于朝上述托盘侧面释放上述气浮气体以驱动上述托盘旋转;
控制器,用于在外延生长开始前,控制上述悬浮气路驱动上述托盘悬浮,并在经过第一预设时间后,控制上述旋转气路驱动上述托盘旋转。
本申请提供的一种用于反应腔的气浮系统,在外延生长开始前,控制器控制悬浮气路释放气浮气体以驱动托盘悬浮,只有在托盘悬浮后,控制器才会控制旋转气路释放气浮气体以驱动托盘旋转,从而实现先使托盘悬浮再使托盘旋转,避免出现由于托盘未浮起就开始旋转而造成托盘与底座磨损的情况。
可选地,上述控制器还用于在外延生长结束后,控制上述旋转气路停止释放上述气浮气体,并在上述托盘停止旋转后,控制上述悬浮气路停止释放上述气浮气体。
本申请提供的一种用于反应腔的气浮系统,在外延生长结束后,控制器控制旋转气路停止释放气浮气体以使托盘停止旋转,只有在托盘停止旋转后,控制器才会控制悬浮气路停止释放气浮气体以使托盘下降,从而实现先使托盘停止旋转再使托盘下降,避免出现由于托盘未停止旋转就开始下降而造成托盘与底座磨损的情况。
可选地,上述悬浮气路上设置有第一开关阀,上述旋转气路上设置有第二开关阀,上述控制器通过控制上述第一开关阀打开以使上述悬浮气路释放上述气浮气体,上述控制器通过控制上述第二开关阀打开以使上述旋转气路释放上述气浮气体。
可选地,上述用于反应腔的气浮系统还包括进气气路,上述供气装置通过上述进气气路与上述悬浮气路和上述旋转气路连接。
可选地,上述进气气路设置有第三质量流量控制器,上述控制器还用于在控制上述第二开关阀打开时,控制上述第三质量流量控制器增大上述进气气路释放的上述气浮气体的气体流量。
本申请提供的一种用于反应腔的气浮系统,在进气气路设置有第三质量流量控制器,该第三质量流量控制器能够调节进气气路释放的气浮气体的流量,在控制器控制第二开关阀打开时,第三质量流量控制器增大进气气路释放的气浮气体的流量,从而避免由于第二开关阀打开而造成悬浮气浮释放的气浮气体的流量下降的情况,提高托盘悬浮的稳定性。
可选地,上述第二开关阀为第二质量流量控制器,上述控制器还用于在经过上述第一预设时间后,通过上述第三质量流量控制器和第二质量流量控制器分别控制上述进气气路释放的上述气浮气体的流量与上述旋转气路释放的上述气浮气体的流量同步增大。
本申请提供的一种用于反应腔的气浮系统,将第二质量流量控制器作为第二开关阀,第二质量流量控制器能够调节旋转气路释放的气浮气体的流量,在托盘悬浮后,控制器通过第二质量流量控制器控制旋转气路释放的气浮气体的流量和通过第三质量流量控制器控制进气气路释放的气浮气体的流量同步增大,从而保证悬浮气路释放的气浮气体的流量不发生改变,进一步地提高托盘悬浮的稳定性。
可选地,上述第一开关阀为第一质量流量控制器,上述控制器还用于在上述托盘停止旋转后,通过上述第一质量流量控制器控制上述悬浮气路释放的上述气浮气体的流量匀速下降至零。
本申请提供的一种用于反应腔的气浮系统,将第一质量流量控制器作为第一开关阀,第一质量流量控制器能够调节悬浮气路释放的气浮气体的流量,在托盘停止旋转后,控制器通过第一质量流量控制器控制悬浮气路释放的吹扫气体的流量匀速下降至零,从而实现托盘在停止旋转后匀速下降,避免由于托盘下降速度过快而造成托盘损坏的情况。
可选地,上述托盘侧壁设有多个升力叶片或多个导向块。
第二方面,本申请还提供了一种用于反应腔的气浮方法,用于驱动晶圆旋转,应用在用于反应腔的气浮系统中,上述用于反应腔的气浮系统包括:托盘、供气装置、悬浮气路和旋转气路,上述托盘用于放置晶圆,上述供气装置用于供应气浮气体,上述悬浮气路和上述旋转气路均与上述供气装置连接,上述悬浮气路用于朝上述托盘底面释放上述气浮气体以驱动上述托盘悬浮,上述旋转气路用于朝上述托盘侧面释放上述气浮气体以驱动上述托盘旋转,上述用于反应腔的气浮方法包括以下步骤:
在开始外延生长前,控制上述悬浮气路释放上述气浮气体以驱动上述托盘悬浮;
在经过第一预设时间后,控制上述旋转气路释放上述气浮气体以驱动上述托盘旋转。
本申请提供的一种用于反应腔的气浮方法,应用在用于反应腔的气浮系统中,在外延生长开始前,控制悬浮气路释放气浮气体以驱动托盘悬浮,只有在托盘悬浮后,才会控制旋转气路释放气浮气体以驱动托盘旋转,从而实现先使托盘悬浮再使托盘旋转,避免出现由于托盘未浮起就开始旋转而造成托盘与底座磨损的情况。
可选地,上述用于反应腔的气浮方法还包括步骤:
在外延生长结束后,控制上述旋转气路停止释放上述气浮气体;
在上述托盘停止旋转后,控制上述悬浮气路停止释放上述气浮气体。
本申请提供的一种用于反应腔的气浮方法,在外延生长结束后,控制旋转气路停止释放气浮气体以使托盘停止旋转,只有在托盘停止旋转后,才会控制悬浮气路停止释放气浮气体以使托盘下降,从而实现先使托盘停止旋转再使托盘下降,避免出现由于托盘未停止旋转就开始下降而造成托盘与底座磨损的情况。
由上可知,本申请提供的一种用于反应腔的气浮系统及方法,在外延生长开始前,控制器控制悬浮气路释放气浮气体以驱动托盘悬浮,只有在托盘悬浮后,控制器才会控制旋转气路释放气浮气体以驱动托盘旋转,从而实现先使托盘悬浮再使托盘旋转,避免出现由于托盘未浮起就开始旋转而造成托盘与底座磨损的情况。
本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
图1为本申请一种实施例提供的一种用于反应腔的气浮系统的结构示意图。
图2为本申请一种实施例提供的底座和托盘的俯视结构示意图。
图3为本申请一种实施例提供的托盘的俯视结构示意图。
图4为本申请另一种实施例提供的托盘的俯视结构示意图。
图5为本申请一种实施例提供的一种用于反应腔的气浮方法的流程图。
附图标记:1、托盘;2、供气装置;3、第一质量流量控制器;4、第二质量流量控制器;5、第三质量流量控制器;6、底座;7、升力叶片;8、导向块;81、受力面;82、导流面;9、凸柱。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时,在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在外延生长工艺中,为了使反应腔内的晶圆受热均匀,需要对晶圆进行旋转。现有技术的反应腔内设置有底座和托盘,晶圆放置在托盘上,底座内设置有进气气路和倾斜于进气气路的出气口,当需要对晶圆进行旋转时,进气气路通入的惰性气体从倾斜设置的出气口流出,托盘受到一个斜向上的力,从而实现托盘的浮起和旋转。由于现有技术使用同一气路对托盘进行吹气,因此托盘的浮起和旋转是同时进行的,即可能会出现由于托盘未浮起就开始旋转而造成托盘与底座磨损的情况。
如图1-图4所示,第一方面,本申请提供了一种用于反应腔的气浮系统,用于驱动晶圆旋转,其包括:
托盘1,用于放置晶圆;
供气装置2,用于供应气浮气体;
悬浮气路,与上述供气装置2连接,用于朝上述托盘1底面释放上述气浮气体以驱动上述托盘1悬浮;
旋转气路,与上述供气装置2连接,用于朝上述托盘1侧面释放上述气浮气体以驱动上述托盘1旋转;
控制器,用于在外延生长开始前,控制上述悬浮气路驱动上述托盘1悬浮,并在经过第一预设时间后,控制上述旋转气路驱动上述托盘1旋转。
其中,反应腔(图中未示出)用于对晶圆进行外延生长工艺,反应腔包括用于承载托盘1的底座6,托盘1上设置有用于放置晶圆的凹槽。供气装置2与悬浮气路和旋转气路连接,当供气装置2处于开启状态时,供气装置2为悬浮气路和旋转气路供应气浮气体;当供气装置2处于关闭状态时,供气装置2停止为悬浮气路和旋转气路供应气浮气体。悬浮气路设置在底座6内,悬浮气路的出气口位于托盘1下方且悬浮气路的出气口的延伸方向与托盘1底面垂直,悬浮气路能够朝托盘1的底面释放气浮气体,当悬浮气路释放气浮气体时,托盘1受到竖直向上的力,从而实现悬浮气路驱动托盘1悬浮。旋转气路的出气方向与托盘1的径向存在夹角,该夹角大于0°且小于等于90°,旋转气路能够朝托盘1的侧面释放气浮气体,当旋转气路释放气浮气体时,托盘1受到水平方向的力,从而实现旋转气路驱动托盘1旋转。悬浮气路、旋转气路和供气装置2均与控制器电性连接,控制器能够控制悬浮气路或旋转气路是否释放气浮气体,控制器还能控制供气装置2的开启或关闭。
本申请实施例的工作原理为:在外延生长开始前,控制器控制供气装置2开启,供气装置2为悬浮气路和旋转气路供应气浮气体,控制器控制悬浮气路释放气浮气体以驱动托盘1悬浮,在经过第一预设时间后,控制器控制旋转气路释放气浮气体以驱动托盘1旋转,在外延生长工艺结束后,控制器控制供气装置2关闭,供气装置2停止为悬浮气路和旋转气路供应气浮气体。由于只有在托盘1与底座6分离后,控制器才会控制旋转气路释放气浮气体以驱动托盘1旋转,因此本申请实施例的技术方案能够避免出现由于托盘1未浮起就开始旋转而造成托盘1与底座6磨损的情况。
在一些实施例中,上述第一预设时间为申请人通过大量实验得到的悬浮气路驱动托盘1与底座6的接触面分离的时间,在悬浮气路朝托盘1的底面释放气浮气体且经过第一预设时间后,托盘1与底座6的接触面分离,控制器控制旋转气路朝托盘1的侧面释放气浮气体以驱动托盘1旋转,从而避免出现由于托盘1未浮起就开始旋转而造成托盘1与底座6磨损的情况。在一些优选实施例中,上述第一预设时间为申请人通过大量实验得到的悬浮气路驱动托盘1悬浮且托盘1的悬浮高度不再发生改变所需要的时间,在悬浮气路朝托盘1的底面释放气浮气体且经过第一预设时间后,托盘1处于稳定悬浮状态,控制器控制旋转气路朝托盘1的侧面释放气浮气体以驱动托盘1旋转。该实施例的技术方案不仅避免出现由于托盘1未浮起就开始旋转而造成托盘1与底座6磨损的情况,还能够避免托盘1的悬浮高度改变时,由于旋转气路释放气浮气体而造成托盘1悬浮的稳定性被破坏,托盘1跌落,衬底损坏的情况。
在一些实施例中,底座6上设置有凹槽,托盘1放置在底座6的凹槽中。该实施例中,旋转气路的出气口位于底座6的凹槽的侧壁上,若旋转气路的出气口的延伸方向平行于托盘1,当旋转气路释放气浮气体时,托盘1仅受到水平方向上的力,该水平方向上的力会驱动托盘1旋转;若旋转气路的出气口的延伸方向倾斜于托盘1,当旋转气路释放气浮气体时,托盘1受到斜向上的力,斜向上的力在水平方向的分力会驱动托盘1旋转。应当理解的是,若旋转气路的出气口的延伸方向倾斜于托盘1,斜向上的力会使托盘1的悬浮高度发生改变,为了提高托盘1悬浮的稳定性,本申请将旋转气路的出气口的延伸方向平行于托盘1作为优选实施例。在另一些实施例中,底座6为没有凹槽的结构,托盘1放置在底座6的上端面上,旋转气路的出气口位于底座6的上方。
在一些实施例中,底座6的中央设置有凸柱9,托盘1的底面上设置有与凸柱9对应的凹槽。在托盘1悬浮时,凸柱9和托盘1的底面上的凹槽对托盘1起到限位作用,从而进一步地提高托盘1悬浮和旋转的稳定性。
在一些实施例中,托盘的形状为圆柱状,悬浮气路包括若干个出气口,当悬浮气路的出气口的数量为多个时,多个悬浮气路的出气口以托盘1的轴心为对称中心对称设置。本申请实施例中,悬浮气路包括两个出气口。
在一些实施例中,旋转气路包括若干个出气口。如图2所示,在一些优选实施例中,当旋转气路的出气口的数量为多个时,多个旋转气路的出气口以托盘1的轴心为对称中心对称设置。
在一些实施例中,在外延生长结束后,控制器控制旋转气路停止释放气浮气体,在托盘1停止旋转后,控制悬浮气路停止释放气浮气体以使托盘1下降。其中,判断托盘1停止旋转的方法有:1.在控制器控制旋转气路停止释放气浮气体且经过第二预设时间,该第二预设时间为申请人通过大量实验得到的旋转气路停止释放气浮气体后,托盘1停止旋转所需要的时间;2.托盘1上设置有反光条,反应腔上设置有通孔,反应腔外设置有光电检测器,光电检测器通过通孔向托盘发射光线,当光电检测装置持续检测到反光条反射的光线或光电检测装置在第三预设时间内也没有检测到反光条反射的光线时,即可认为托盘1已停止旋转。本申请将方法1作为判断托盘1停止旋转的优选实施例。该实施例中,在外延生长结束后,先使托盘1停止旋转再使托盘1下降,从而避免出现由于托盘1未停止旋转就开始下降而造成托盘1与底座6磨损的情况。
在一些实施例中,上述用于反应腔的气浮系统还包括进气气路,供气装置2通过进气气路与悬浮气路和旋转气路连接。由于悬浮气路和旋转气路共用同一个进气气路和同一个供气装置2,该实施例的技术方案具有结构简单,降低生产成本的优点。该实施例中,悬浮气路设置有第一开关阀,旋转气路设置有第二开关阀,第一开关阀和第二开关阀均与控制器电性连接,控制器不仅能够通过控制第一开关阀打开或关闭以控制悬浮气路是否释放上述气浮气体,控制器还能够通过控制第二开关阀打开或关闭以控制旋转气路是否释放上述气浮气体。在外延生长开始前,控制器控制第一开关阀打开,悬浮气路释放气浮气体以驱动托盘1悬浮,在托盘1悬浮后,控制器控制第二开关阀打开,旋转气路释放气浮气体以驱动托盘1旋转,从而避免出现由于托盘1未浮起就开始旋转而造成托盘1与底座6磨损的情况。在一些优选实施例中,在外延生长结束后,控制器控制第二开关阀关闭,旋转气路停止释放气浮气体,在托盘1停止旋转后,控制器控制第一开关阀关闭,悬浮气路停止释放气浮气体,从而避免出现由于托盘1未停止旋转就开始下降而造成托盘1与底座6磨损的情况。
在另一些实施例中,供气装置2包括悬浮气路供气装置和旋转气路供气装置。悬浮气路供气装置与悬浮气路连接,当悬浮气路供气装置处于开启状态时,悬浮气路供气装置为悬浮气路供应气浮气体;当悬浮气路供气装置处于关闭状态时,悬浮气路供气装置停止为悬浮气路供应气浮气体。旋转气路供气装置与旋转气路连接,当旋转气路供气装置处于开启状态时,旋转气路供气装置为旋转气路供应气浮气体;当旋转气路供气装置处于关闭状态时,旋转气路供气装置停止为旋转气路供应气浮气体。悬浮气路供气装置和旋转气路供气装置均与控制器电性连接,在外延生长开始前,控制器控制悬浮气路供气装置开启,悬浮气路供气装置为悬浮气路供应气浮气体以驱动托盘1悬浮,在托盘1悬浮后,控制器控制旋转气路供气装置为旋转气路供应气浮气体以驱动托盘1旋转,从而避免出现由于托盘1未浮起就开始旋转而造成托盘1与底座6磨损的情况。在一些优选实施例中,在外延生长结束后,控制器控制旋转气路供气装置停止为旋转气路供应气浮气体,在托盘1停止旋转后,控制器控制悬浮气路供气装置停止为悬浮气路供应气浮气体,从而避免出现由于托盘1未停止旋转就开始下降而造成托盘1与底座6磨损的情况。
上述实施例中,当第二开关阀打开时,由于进气气路中的部分气浮气体被旋转气路释放,悬浮气路释放的气浮气体的流量会突然减小,因此可能会造成托盘1的稳定性被破坏,托盘1跌落,衬底损坏的情况。为了解决上述问题,在一些实施例中,进气气路设置有第三质量流量控制器5,第三质量流量控制器5能够改变进气气路中的气浮气体的流量,控制器与第三质量流量控制器5电性连接。在控制器控制上述第二开关阀打开时,控制器控制第三质量流量控制器5增大上述进气气路释放的上述气浮气体的气体流量以确保悬浮气路释放足够的气浮气体驱动托盘1悬浮,从而避免由于第二开关阀打开而造成悬浮气浮释放的气浮气体的流量下降的情况,提高了托盘1悬浮的稳定性。
在一些实施例中,第二开关阀为第二质量流量控制器4,第二质量流量控制器4能够改变旋转气路中的气浮气体的流量,第二质量流量控制器4与控制器电性连接。在托盘1悬浮后,控制器通过第二质量流量控制器4和第三质量流量控制器5控制进气气路释放的气浮气体的流量与旋转气路释放的气浮气体的流量同步增大。该实施例的技术方案通过使旋转气路释放的气浮气体的流量和进气气路释放的气浮气体的流量同步增大,从而保证悬浮气路释放的气浮气体的流量不发生改变,进一步地提高托盘1悬浮的稳定性。
在一些实施例中,第一开关阀为第一质量流量控制器3,第一质量流量控制器3能够改变旋转气路中的气浮气体的流量,第一质量流量控制器3与控制器电性连接。在外延生长结束且托盘1停止旋转后,控制器通过第一质量流量控制器3控制上述悬浮气路释放的上述气浮气体的流量匀速下降至零,从而实现托盘1在停止旋转后匀速下降,避免由于托盘1下降速度过快而造成托盘1损坏,晶圆损坏的情况。
如图3所示,在一些实施例中,托盘1侧壁设有多个升力叶片7,升力叶片7可以为收缩结构、翼型结构等可以使气体流速增加的结构,当悬浮气路释放的气浮气体经过升力叶片7时,由于悬浮气路释放的气浮气体的流速增加,升力叶片7上方的气体压力低于升力叶片7下方的气体压力,因此升力叶片7受到竖直向上的作用力,从而提高了悬浮气路驱动托盘1悬浮的速度。如图4所示,在另一些实施例中,托盘1侧壁设有多个导向块8,导向块8具有左右设置的受力面81和导流面82,如导向块8包括作为受力面81的径向平面和作为导流面82的曲面,当旋转气路释放的气浮气体经过导向块8时,由于气浮气体经过径向平面时的流速低于气浮气体经过曲面时的流速,导向块8受到方向为由径向平面指向曲面的作用力,该作用力用于驱动托盘1旋转,从而提高了旋转气路驱动托盘1旋转的速度。该实施例中,旋转气路的出气方向与托盘1的径向的夹角角度可以为0°。在另一些实施例中,托盘1侧壁设有多个升力叶片7和多个导向块8。在一些优选实施例中,托盘1的侧壁上以托盘1的轴心为中心圆周阵列有多个升力叶片7和/或多个导向块8。优选地,升力叶片7或导向块8的数量为4个。
由上可知,本申请提供的一种用于反应腔的气浮系统,在外延生长开始前,控制器控制悬浮气路释放气浮气体以驱动托盘1悬浮,只有在托盘1悬浮后,控制器才会控制旋转气路释放气浮气体以驱动托盘1旋转,从而实现先使托盘1悬浮再使托盘1旋转,避免出现由于托盘1未浮起就开始旋转而造成托盘1与底座6磨损的情况。
如图5所示,第二方面,本申请还提供了一种用于反应腔的气浮方法,用于驱动晶圆旋转,应用在用于反应腔的气浮系统中,上述用于反应腔的气浮系统包括:托盘1、供气装置2、悬浮气路和旋转气路,上述托盘1用于放置晶圆,上述供气装置2用于供应气浮气体,上述悬浮气路和上述旋转气路均与上述供气装置2连接,上述悬浮气路用于朝托盘1的底面释放上述气浮气体以驱动上述托盘1悬浮,上述旋转气路用于朝托盘1的侧面释放上述气浮气体以驱动上述托盘1旋转,上述用于反应腔的气浮方法包括以下步骤:
S1、在开始外延生长前,控制上述悬浮气路释放上述气浮气体以驱动上述托盘1悬浮;
S2、在经过第一预设时间后,控制上述旋转气路释放上述气浮气体以驱动上述托盘1旋转。
其中,本申请实施例提供的用于反应腔的气浮方法驱动托盘1悬浮和驱动托盘1旋转的工作原理与上述第一方面提供的用于反应腔的气浮系统驱动托盘1悬浮和驱动托盘1旋转的工作原理相同,此处不再进行详细论述。本申请实施例提供的一种用于反应腔的气浮方法,用于驱动晶圆旋转,应用在用于反应腔的气浮系统中,在外延生长开始前,控制悬浮气路释放气浮气体以驱动托盘1悬浮,只有在托盘1悬浮后,才会控制旋转气路释放气浮气体以驱动托盘1旋转,从而实现先使托盘1悬浮再使托盘1旋转,避免出现由于托盘1未浮起就开始旋转而造成托盘1与底座6磨损的情况。
在一些实施例中,上述气浮方法还包括步骤:
S3、在外延生长结束后,控制上述旋转气路停止释放上述气浮气体;
S4、在上述托盘1停止旋转后,控制上述悬浮气路停止释放上述气浮气体。
其中,本申请实施例提供的用于反应腔的气浮方法停止托盘1悬浮和停止托盘1旋转的工作原理与上述第一方面提供的用于反应腔的气浮系统停止托盘1悬浮和停止托盘1旋转的工作原理相同,此处不再进行详细论述。本申请实施例提供的一种用于反应腔的气浮方法,在外延生长结束后,控制旋转气路停止释放气浮气体以使托盘1停止旋转,只有在托盘1停止旋转后,才会控制悬浮气路停止释放气浮气体以使托盘1下降,从而实现先使托盘1停止旋转再使托盘1下降,避免出现由于托盘1未停止旋转就开始下降而造成托盘1与底座6磨损的情况。
由上可知,本申请提供的一种用于反应腔的气浮方法,在外延生长开始前,控制器控制悬浮气路释放气浮气体以驱动托盘1悬浮,只有在托盘1悬浮后,控制器才会控制旋转气路释放气浮气体以驱动托盘1旋转,从而实现先使托盘1悬浮再使托盘1旋转,避免出现由于托盘1未浮起就开始旋转而造成托盘1与底座6磨损的情况。
由上可知,本申请提供的一种用于反应腔的气浮系统及方法,在外延生长开始前,控制器控制悬浮气路释放气浮气体以驱动托盘1悬浮,只有在托盘1悬浮后,控制器才会控制旋转气路释放气浮气体以驱动托盘1旋转,从而实现先使托盘1悬浮再使托盘1旋转,避免出现由于托盘1未浮起就开始旋转而造成托盘1与底座6磨损的情况。
在本申请所提供的实施例中,应该理解到,所揭露装置和方法,可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,又例如,多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
另外,作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者,在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分,也可以是各个模块单独存在,也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已,并不用于限制本申请的保护范围,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种用于反应腔的气浮系统,用于驱动晶圆旋转,包括用于放置所述晶圆的托盘(1),其特征在于,所述用于反应腔的气浮系统还包括:
供气装置(2),用于供应气浮气体;
悬浮气路,与所述供气装置(2)连接,用于朝所述托盘(1)底面释放所述气浮气体以驱动所述托盘(1)悬浮;
旋转气路,与所述供气装置(2)连接,用于朝所述托盘(1)侧面释放所述气浮气体以驱动所述托盘(1)旋转;
控制器,用于在外延生长开始前,控制所述悬浮气路驱动所述托盘(1)悬浮,并在经过第一预设时间后,控制所述旋转气路驱动所述托盘(1)旋转。
2.根据权利要求1所述的用于反应腔的气浮系统,其特征在于,所述控制器还用于在外延生长结束后,控制所述旋转气路停止释放所述气浮气体,并在所述托盘(1)停止旋转后,控制所述悬浮气路停止释放所述气浮气体。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的用于反应腔的气浮系统,其特征在于,所述悬浮气路上设置有第一开关阀,所述旋转气路上设置有第二开关阀,所述控制器通过控制所述第一开关阀打开以使所述悬浮气路释放所述气浮气体,所述控制器通过控制所述第二开关阀打开以使所述旋转气路释放所述气浮气体。
4.根据权利要求3所述的用于反应腔的气浮系统,其特征在于,所述用于反应腔的气浮系统还包括进气气路,所述供气装置(2)通过所述进气气路与所述悬浮气路和所述旋转气路连接。
5.根据权利要求4所述的用于反应腔的气浮系统,其特征在于,所述进气气路设置有第三质量流量控制器(5),所述控制器还用于在控制所述第二开关阀打开时,控制所述第三质量流量控制器(5)增大所述进气气路释放的所述气浮气体的流量。
6.根据权利要求5所述的用于反应腔的气浮系统,其特征在于,所述第二开关阀为第二质量流量控制器(4),所述控制器还用于在经过所述第一预设时间后,通过所述第三质量流量控制器(5)和所述第二质量流量控制器(4)分别控制所述进气气路释放的所述气浮气体的流量与所述旋转气路释放的所述气浮气体的流量同步增大。
7.根据权利要求3所述的用于反应腔的气浮系统,其特征在于,所述第一开关阀为第一质量流量控制器(3),所述控制器还用于在所述托盘(1)停止旋转后,通过所述第一质量流量控制器(3)控制所述悬浮气路释放的所述气浮气体的流量匀速下降至零。
8.根据权利要求1所述的用于反应腔的气浮系统,其特征在于,所述托盘(1)侧壁设有多个升力叶片(7)和/或多个导向块(8)。
9.一种用于反应腔的气浮方法,用于驱动晶圆旋转,其特征在于,应用在用于反应腔的气浮系统中,所述用于反应腔的气浮系统包括:托盘(1)、供气装置(2)、悬浮气路和旋转气路,所述托盘(1)用于放置晶圆,所述供气装置(2)用于供应气浮气体,所述悬浮气路和所述旋转气路均与所述供气装置(2)连接,所述悬浮气路用于朝所述托盘(1)底面释放所述气浮气体以驱动所述托盘(1)悬浮,所述旋转气路用于朝所述托盘(1)侧面释放所述气浮气体以驱动所述托盘(1)旋转,所述用于反应腔的气浮方法包括以下步骤:
在开始外延生长前,控制所述悬浮气路释放所述气浮气体以驱动所述托盘(1)悬浮;
在经过第一预设时间后,控制所述旋转气路释放所述气浮气体以驱动所述托盘(1)旋转。
10.根据权利要求9所述的用于反应腔的气浮方法,其特征在于,所述气浮方法还包括步骤:
在外延生长结束后,控制所述旋转气路停止释放所述气浮气体;
在所述托盘(1)停止旋转后,控制所述悬浮气路停止释放所述气浮气体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210173699.6A CN114622277A (zh) | 2022-02-24 | 2022-02-24 | 一种用于反应腔的气浮系统及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210173699.6A CN114622277A (zh) | 2022-02-24 | 2022-02-24 | 一种用于反应腔的气浮系统及方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114622277A true CN114622277A (zh) | 2022-06-14 |
Family
ID=81900420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210173699.6A Pending CN114622277A (zh) | 2022-02-24 | 2022-02-24 | 一种用于反应腔的气浮系统及方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114622277A (zh) |
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