CN113130374A - 用于提升基板的方法和用于处理基板的设备 - Google Patents

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Abstract

一种用于提升基板的方法包括:通过使用提升销将所述基板升高离开其上放置所述基板的支撑板,其中所述提升销在降低位置与升高位置之间竖直地移动时将所述基板升高离开所述支撑板,所述降低位置从所述支撑板向下间隔开第一距离,所述升高位置从所述支撑板向上间隔开第二距离,并且在所述提升销减速或以恒定速度移动时使所述提升销与所述基板接触。

Description

用于提升基板的方法和用于处理基板的设备
技术领域
本文所述的本发明构思的实施方式涉及一种用于将基板升高离开支撑板的基板提升方法,以及一种基板处理设备。
背景技术
一般来说,为了制造半导体元件,在基板上相继地或重复地执行单元过程,诸如沉积、涂覆、显影、蚀刻、清洁等。这些过程在不同的设备中执行,并且设置在基板处理设备中的机器人在设备之间传送基板。此外,每一个设备都配备销组件以用于从机器人接收基板或将基板传送到机器人。销组件包括提升销以用于从机器人接收基板或将基板传送到机器人。
用于支撑基板的支撑板通常具有竖直地穿过支撑板形成的销孔。提升销分别设置在销孔中,并且上下移动以使基板坐落在支撑板上。
然而,当提升销将基板升高离开支撑板时,可能会出现挤压效应现象,其中基板因为在基板与支撑板之间瞬间形成的负压而被弹起或被破坏。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了一种基板提升方法,以及一种用于在提升销的操作期间最小化挤压效应的发生的基板处理设备。
待由本发明构思解决的技术问题不限于上文所提及的问题,并且本发明构思所属的本领域技术人员根据以下描述将清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据示例性实施方式,一种用于提升基板的方法包括:通过使用提升销将所述基板升高离开其上放置所述基板的支撑板,其中所述提升销在降低位置与升高位置之间竖直地移动时将所述基板升高离开所述支撑板,所述降低位置从所述支撑板向下间隔开第一距离,所述升高位置从所述支撑板向上间隔开第二距离,并且在所述提升销减速或以恒定速度移动的间隔中使所述提升销与所述基板接触。
根据实施方式,所述将所述基板升高可以包括:使所述提升销以第一加速度从第一速度加速到高于所述第一速度的第二速度的第一加速步骤;以及使所述提升销以第一减速度从所述第二速度减速到低于所述第二速度的第三速度的第一减速步骤,并且可以在所述第一减速步骤中使所述提升销与所述基板接触。
根据实施方式,将所述基板升高可以包括:使所述提升销以第一加速度从第一速度加速到高于所述第一速度的第二速度的第一加速步骤;以及使所述提升销以所述第二速度匀速地移动的第一恒定速度步骤,并且可以在所述第一恒定速度步骤中使所述提升销与所述基板接触。
根据实施方式,所述升高所述基板还可以包括在所述第一加速步骤之后使所述提升销以所述第二速度匀速地移动的第一恒定速度步骤。
根据实施方式,所述升高所述基板还可以包括:在所述第一减速步骤之后使所述提升销以第二加速度从所述第三速度加速到高于所述第三速度的第四速度的第二加速步骤;以及使所述提升销以第二减速度从所述第四速度减速到低于所述第四速度的第五速度的第二减速步骤。
根据实施方式,所述升高所述基板还可以包括使所述提升销以所述第四速度匀速地移动的第二恒定速度步骤。
根据实施方式,所述第二加速度可以大于所述第一加速度。
根据实施方式,所述第一速度可以为0。
根据实施方式,所述第三速度可以为0。
根据实施方式,所述第五速度可以为0。
根据示例性实施方式,一种用于处理基板的设备包括:支撑板,所述基板放置在所述支撑板上;提升销,所述提升销将所述基板装载到所述支撑板上或从所述支撑板卸载所述基板;驱动构件,所述驱动构件升高或降低所述提升销;以及控制器,所述控制器控制所述驱动构件的操作。所述控制器控制所述驱动构件以:使所述提升销在降低位置与升高位置之间竖直地移动时将所述基板升高离开所述支撑板,所述降低位置从所述支撑板向下间隔开第一距离,所述升高位置从所述支撑板向上间隔开第二距离;并且在所述提升销减速或以恒定速度移动的间隔中使所述提升销与所述基板接触。
根据实施方式,所述控制器可以控制所述驱动构件以:使所述提升销以第一加速度从第一速度加速到高于所述第一速度的第二速度;以所述第二速度匀速地移动所述提升销;使所述提升销以第一减速度从所述第二速度减速到低于所述第二速度的第三速度,所述第三速度;以及在所述提升销减速时使所述提升销与所述基板接触。
根据实施方式,所述控制器可以控制所述驱动构件以:在使所述提升销以所述第一减速度减速之后使所述提升销以第二加速度从所述第三速度加速到高于所述第三速度的第四速度;以所述第四速度匀速地移动所述提升销;以及使所述提升销以第二减速度从所述第四速度减速到低于所述第四速度的第五速度。
根据实施方式,所述第二加速度可以大于所述第一加速度。
根据实施方式,所述第一速度可以为0。
根据实施方式,所述第三速度可以为0。
根据实施方式,所述第五速度可以为0。
根据实施方式,所述驱动构件可以是马达。
附图说明
根据以下参考附图的描述,上述和其他目的和特征将变得显而易见,其中除非另有说明,否则相同附图标记在各个附图中是指相同部分,并且在附图中:
图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理设备的示意性透视图;
图2是示出图1的基板处理设备的涂覆块体和显影块体的截面图;
图3是图1的基板处理设备的平面图;
图4是示出图3的传送机器人的手的一个示例的视图;
图5是图2的热处理室的平面图;
图6是图3的热处理室的前视图;
图7是根据本发明构思的实施方式的加热单元的截面图;
图8是示出根据本发明构思的实施方式的基板提升方法的流程图;
图9是描绘根据本发明构思的实施方式的提升销的移动速度的图;
图10至图13是按顺序示出根据本发明构思的实施方式的基板提升方法的视图;以及
图14至图18是按顺序示出根据本发明构思的另一实施方式的基板提升方法的视图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图更详细地描述本发明构思的实施方式。然而,本发明构思可能以不同的形式实施,并且不应当被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式以使得本公开将彻底且完整的,并且将本发明构思的范围完全传达给本领域技术人员。在附图中,为了清楚说明而夸大部件的尺寸。
图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理设备的示意性透视图。图2是示出图1的基板处理设备的涂覆块体和显影块体的截面图。图3是图1的基板处理设备的平面图。
参考图1至图3,基板处理装备1包括索引模块20、处理模块30和接口模块40。根据实施方式,索引模块20、处理模块30和接口模块40按顺序设置成一行。在下文中,索引模块20、处理模块30和接口模块40的布置方向称为第一方向12,当从上方观察时垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14,并且垂直于第一方向12和第二方向14两者的方向被称为第三方向16。
索引模块20将基板W从接收有基板W的载体10传送到处理模块30,并且将完全处理的基板W放置在载体10中。索引模块20的长度方向平行于第二方向14。索引模块20具有装载端口22和索引框架24。装载端口22相对于索引框架24位于处理模块30的相对侧。载体10放置在装载端口22上,所述载体中的每一个中都接收有基板W。装载端口22可以沿着第二方向14设置。
可以使用气密载体10(诸如前开式统一吊舱(front open unified pod,FOUP))作为载体10。载体10可以通过传送单元(未示出)(诸如高处传送器、高处输送器或自动引导载具)或由操作员放置在装载端口22上。
索引机器人2200设置在索引框架24中。导轨2300(其长度方向平行于第二方向14)设置在索引框架24中,并且索引机器人2200可在导轨2300上移动。索引机器人2200包括手2220,基板W放置在所述手上。手2220可前后移动、可围绕面向第三方向16的轴线旋转,并且可沿着第三方向16移动。
处理模块30在基板W上执行涂覆过程和显影过程。处理模块30具有涂覆块体30a和显影块体30b。涂覆块体30a在基板W上执行涂覆过程,并且显影块体30b在基板W上执行显影过程。涂覆块体30a彼此堆叠。显影块体30b彼此堆叠。
根据图1的实施方式,提供了两个涂覆块体30a和两个显影块体30b。涂覆块体30a可以设置在显影块体30b下方。根据实施方式,两个涂覆块体30a可以执行相同的过程,并且可以具有相同的结构。此外,两个显影块体30b可以执行相同的过程,并且可以具有相同的结构。
参考图3,涂覆块体30a中的每一个具有热处理室3200、传送室3400、液体处理室3600和缓冲室3800。热处理室3200中的每一个在基板W上执行热处理过程。热处理过程可以包括冷却过程和加热过程。液体处理室3600中的每一个通过将液体分配到基板W上而在基板W上形成液膜。液膜可以是光致抗蚀剂膜或防反射膜。传送室3400在涂覆块体30a的热处理室3200与液体处理室3600之间传送基板W。
传送室3400被设置成使得其长度方向平行于第一方向12。传送机器人3422设置在传送室3400中。传送机器人3422在热处理室3200、液体处理室3600与缓冲室3800之间传送基板W。根据实施方式,传送机器人3422具有在其上放置基板W的手3420,并且手3420可前后移动、可围绕面向第三方向16的轴线旋转,并且可沿着第三方向16移动。导轨3300(其长度方向平行于第一方向12)设置在传送室3400中,并且传送机器人3422可在导轨3300上移动。
液体处理室3600中的一些可以彼此堆叠。液体处理室3600设置在传送室3400的一侧上。液体处理室3600沿着第一方向12并排布置。液体处理室3600中的一些与索引模块20相邻地定位。在下文中,这些液体处理室被称为前液体处理室3602。其他液体处理室3600与接口模块40相邻地定位。在下文中,这些液体处理室被称为后液体处理室3604。
前液体处理室3602中的每一个将第一液体施加到基板W,并且后液体处理室3604中的每一个将第二液体施加到基板W。第一液体和第二液体可以是不同类型的液体。根据实施方式,第一液体是防反射膜,并且第二液体是光致抗蚀剂。光致抗蚀剂可以施加到涂有防反射膜的基板W。选择性地,第一液体可以是光致抗蚀剂,并且第二液体可以是防反射膜。在这种情况下,防反射膜可以施加到涂有光致抗蚀剂的基板W。选择性地,第一液体和第二液体可以属于相同类型。第一液体和第二液体两者都可以是光致抗蚀剂。
缓冲室3800中的一些设置在索引模块20与传送室3400之间。在下文中,这些缓冲室被称为前缓冲器3802。前缓冲器3802沿着上/下方向彼此堆叠。其他缓冲室3800设置在传送室3400与接口模块40之间。这些缓冲室被称为后缓冲器3804。后缓冲器3804沿着上/下方向彼此堆叠。前缓冲器3802和后缓冲器3804中的每一个临时地储存多个基板W。储存在前缓冲器3802中的基板W由索引机器人2200和传送机器人3422装载或卸载。储存在后缓冲器3804中的基板W由传送机器人3422和第一机器人4602装载或卸载。
显影块体30b中的每一个具有热处理室3200、传送室3400和液体处理室3600。显影块体30b的热处理室3200、传送室3400和液体处理室3600设置在与涂覆块体30a的热处理室3200、传送室3400和液体处理室3600所在的结构和布置基本上相似的结构和布置中。然而,显影块体30b中的液体处理室3600被设置作为显影室3600,它们全部通过将显影溶液分配到基板W上而在基板W上相同地执行显影过程。
接口模块40将处理模块30与外部曝光设备50相连接。接口模块40具有接口框架4100、附加过程室4200、接口缓冲器4400和传送构件4600。
接口框架4100可以在其顶部处具有风扇过滤器单元,所述风扇过滤器单元在接口框架4100中形成向下气流。附加过程室4200、接口缓冲器4400和传送构件4600设置在接口框架4100中。在涂覆块体30a中完全处理的基板W被传送到曝光设备50之前,附加过程室4200可以在基板W上执行预定的附加过程。选择性地,在曝光设备50中完全处理的基板W被传送到显影块体30b之前,附加过程室4200可以在基板W上执行预定的附加过程。根据实施方式,附加过程可以是将基板W的边缘区域暴露于光的边缘曝光过程、清洁基板W的顶侧的顶侧清洁过程、或者清洁基板W的背侧的背侧清洁过程。可以提供多个附加过程室4200。附加过程室4200可以一个堆叠在另一个之上。附加过程室4200可以全部执行相同的过程。选择性地,附加过程室4200中的一些可以执行不同的过程。
接口缓冲器4400提供供在涂覆块体30a、附加过程室4200、曝光设备50以及显影块体30b之间传送的基板W临时地停留的空间。可以提供多个接口缓冲器4400。接口缓冲器4400可以一个堆叠在另一个之上。
根据实施方式,附加过程室4200可以设置在面向传送室3400的长度方向的延伸线的一侧上,并且接口缓冲器4400可以设置在延伸线的相对侧上。
传送构件4600可以在涂覆块体30a、附加过程室4200、曝光设备50以及显影块体30b之间传送基板W。传送构件4600可以用一个或多个机器人来实施。根据实施方式,传送构件4600具有第一机器人4602和第二机器人4606。第一机器人4602可以在涂覆块体30a、附加过程室4200与接口缓冲器4400之间传送基板W。接口机器人4604可以在接口缓冲器4400与曝光设备50之间传送基板W。第二机器人4606可以在接口缓冲器4400与显影块体30b之间传送基板W。
第一机器人4602和第二机器人4606各自包括在其上放置基板W的手,并且手可前后移动、可围绕平行于第三方向16的轴线旋转,并且可沿着第三方向16移动。
索引机器人2200、第一机器人4602和第二机器人4606的手可以全部具有与传送机器人3422的手3420相同的形状。选择性地,与每个热处理室3200的传送板3240直接地交换基板W的机器人的手可以具有与传送机器人3422的手3420相同的形状,并且剩余机器人的手可以具有与传送机器人3422的手3420不同的形状。
根据实施方式,索引机器人2200可以与设在涂覆块体30a中的前热处理室3200的加热单元3230直接地交换基板W。
此外,设在涂覆块体30a和显影块体30b中的传送机器人3422可以与位于热处理室3200中的传送板3420直接地交换基板W。
图4是示出图3的传送机器人的手的一个示例的视图。参考图4,手3420具有底座3428和支撑突起3429。底座3428可以具有环形形状,所述环形形状的圆周是部分弯曲的。底座3428具有比基板W的直径大的内径。支撑突起3429从底座3428向内延伸。支撑突起3429支撑基板W的边缘区域。根据实施方式,四个支撑突起3429可以以等间隔设置。
热处理室3200沿着第一方向12布置。热处理室3200位于传送室3400的一侧上。
图5是示出图3的热处理室的一个示例的示意性平面图,并且图6是图3的热处理室的前视图。参考图5和图6,热处理室3200具有壳体3210、冷却单元3220、加热单元3230和传送板3240。
壳体3210具有大致矩形的平行六面体形状。壳体3210在其侧壁中具有入口/出口开口(未示出),基板W通过所述入口/出口开口进入和离开壳体3210。入口/出口开口可以保持打开。选择性地,可以设置门(未示出)以打开和关闭入口/出口开口。冷却单元3220、加热单元3230和传送板3240设置在壳体3210中。冷却单元3220和加热单元3230沿着第二方向14并排地设置。根据实施方式,冷却单元3220可以在比加热单元3230更靠近传送室3400处定位。
冷却单元3220具有冷却板3222。当从上方观察时,冷却板3222可以具有大致圆形形状。冷却构件3224设在冷却板3222的内部。根据实施方式,冷却构件3224可以在冷却板3222的内部形成并且可以充当供冷却流体流过的流体通道。
将加热单元3230设置成将基板W加热至高于室温的设备1000。加热单元3230在大气氛围中或在低于大气压力的压力降低氛围中加热基板W。
传送板3240具有大致圆形形状,并且具有与基板W相对应的直径。传送板3240具有在其边缘处形成的凹口3244。凹口3244可以具有与在上述传送机器人3422的手3420上形成的突起3429相对应的形状。此外,在与突起3429相对应的位置形成与在手3420上形成的突起3429一样多的凹口3244。当在上/下方向上彼此对准的手3420和传送板3240的竖直位置发生改变时,在手3420与传送板3240之间传送基板W。传送板3240可以安装在导轨3249上,并且可以通过致动器3246而在第一区域3212与第二区域3214之间沿着导轨3249移动。狭缝形状的多个引导凹槽3242在传送板3240中形成。引导凹槽3242从传送板3240的边缘向内延伸。引导凹槽3242的长度方向平行于第二方向14,并且引导凹槽3242定位成沿着第一方向12彼此间隔开。当在传送板3240与加热单元3230之间传送基板W时,引导凹槽3242防止传送板3240和提升销1340彼此干扰。
基板W在直接放置于传送板3240上的状态下被加热。基板W在其上放置有基板W的传送板3240与冷却板3222接触的状态下被冷却。传送板3240由具有用于在冷却板3222与基板W之间进行有效的热传递的高热传递速率的材料形成。根据实施方式,传送板3240可以由金属材料形成。
设置在热处理室3200中的一些中的加热单元3230可以通过在加热基板W的同时供应气体来提高光致抗蚀剂与基板W的粘附。根据实施方式,气体可以是六甲基二硅烷气体。
图7是示出图6的加热单元的截面图。参考图7,加热单元3230包括室1120、支撑单元1300、提升销1340、驱动构件1346、加热器单元1420和控制器1500。
室1120包括处理空间1110,其中在基板W上执行热处理。处理空间1110与外部密封地隔离。
支撑单元1300将基板W支撑在处理空间1110中。支撑单元1300包括支撑板1320、提升销1340和接近销(proximity pin)1600。支撑板1320向基板W传送从加热器单元1420生成的热量。在实施方式中,支撑板1320具有圆形板形状。支撑板1320的上表面具有大于基板W的直径。支撑板1320的上表面起到安置表面的作用,基板W放置于所述安置表面上。多个提升孔在安置表面中形成。
提升销1340在支撑板1320上方升高或降低基板W。提升销1340具有面向竖直方向的销形状。提升销1340可以安装在单个板1342上。提升销1340分别位于提升孔中。
驱动构件1346使提升销1340在升高位置与降低位置之间移动。在此,升高位置被定义为其中提升销1340的上端处于比安置表面高的位置的位置,并且降低位置被定义为其中提升销1340的上端处于与安置表面相同的高度或在更低位置的位置。驱动构件1346可以位于室1120的外部。在实施方式中,驱动构件1346可以是马达。
接近销1600防止基板W与支撑板1320直接接触。接近销1600具有销形状,所述销形状的长度方向与提升销1340平行。接近销1600牢固地安装在支撑板1320的安置表面上。接近销1600定位成从安置表面向上突出。接近销1600的上端被设置作为与基板W的底部进行直接接触的接触表面,并且所述接触表面具有向上凸出的形状。因此,接近销1600与基板W之间的接触面积可以被最小化。
加热器单元1420对放置在支撑板1320上的基板W进行加热。加热器单元1420位于放置在支撑板1320上的基板W下方。在实施方式中,加热器单元1420包括多个加热器。加热器位于支撑板1320的内部。选择性地,加热器可以位于支撑板1320的底部上。加热器位于同一平面上。
在下文中,将参考图8至图13详细地描述本发明构思的基板提升方法。控制器1500控制驱动构件1346来执行本发明构思的基板提升方法。图8是示出本发明构思的基板提升方法的流程图。图9是描绘根据本发明构思的基板提升方法的提升销1340的移动速度的图。图10至图13是按顺序示出本发明构思的基板提升方法的视图。图9所示的提升销1340的移动速度是指控制器1500输入的致使驱动构件1346移动提升销1340的速度。
参考图8和图9,本发明构思的基板提升方法包括第一加速步骤S10、第一恒定速度步骤S20、第一减速步骤S30、第二加速步骤S40、第二恒定速度步骤S50和第二减速步骤S60。通过第一加速步骤S10至第二减速步骤S60,提升销1340在从降低位置竖直地移动到升高位置的同时将基板W升高离开支撑板1320。
首先,提升销1340位于提升孔中。在第一加速步骤S10中,提升销1340朝向支撑在接近销1600上的基板W竖直地移动。在第一加速步骤S10中,提升销1340以第一加速度从第一速度V1加速到第二速度V2,所述第二速度V2高于第一速度V1。
在实施方式中,第一速度V1为0。也就是说,当第一加速步骤S10开始时,提升销1340静止。参考图10,在第一加速步骤S10中,使在提升孔中静止的提升销1340加速到提升销1340不与基板W接触的位置。
在第一加速步骤S10之后,在第一恒定速度步骤S20中,提升销1340以第二速度V2匀速地移动。在提升销1340以第二速度V2匀速地移动之后的第一减速步骤S30中,提升销1340以第一减速度从第二速度V2减速到第三速度V3,所述第三速度V3低于第二速度V2。选择性地,在第一加速步骤S10之后,可以在没有第一恒定速度步骤S20的情况下执行第一减速步骤S30。在实施方式中,如图11所示,在第一减速步骤S30中,使提升销1340与基板W接触。由于当提升销1340与基板W接触时使提升销1340减速,因此存在减少挤压效应的优点。
在接近销1600支撑基板W的位置使提升销1340和基板W彼此接触。在实施方式中,在距支撑板1320的距离h1处使提升销1340和基板W彼此接触。此时,第三速度V3(即,提升销1340的速度)为0。在提升销1340与基板W接触之后,按顺序执行第二加速步骤S40、第二恒定速度步骤S50和第二减速步骤S60。
如图12所示,在第二加速步骤S40中,提升销1340在与基板W的底部接触的状态下使基板W竖直地升高。在第二加速步骤S40中,提升销1340以第二加速度从第三速度V3加速到第四速度V4,所述第四速度V4高于第三速度V3。在实施方式中,第二加速度可以大于第一加速度。之后,在第二恒定速度步骤S50中,提升销1340以第四速度V4匀速地移动。在提升销1340以第四速度V4匀速地移动之后的第二减速步骤S60中,提升销1340以第二减速度从第四速度V4减速到第五速度V5,所述第五速度V5低于第四速度V4。选择性地,在第二加速步骤S40之后,可以在没有第二恒定速度步骤S50的情况下执行第二减速步骤S60。第五速度V5为0,并且当第二减速步骤S60完成时,提升销1340停止。
如图13所示,通过第二加速步骤S40至第二减速步骤S60,提升销1340将基板W升高到距支撑板1320h2的距离。
在上述实施方式中,已经描述了提升销1340在第一减速步骤S30中与基板W接触。然而,在另一实施方式中,提升销1340可以在第一恒定速度步骤S20中与基板W接触。
在上述实施方式中,已经描述了支持单元1300包括接近销1600,并且接近销1600将基板W支撑在距支撑板1320h1的距离处。然而,在另一实施方式中,支撑单元1300可以不包括接近销1600。如图14所示,提升销1340可以将基板W支撑在距支撑板1320d1的距离处。例如,d1可以等于图11的h1。
之后,可以执行上文已经描述的第一加速步骤S10、第一恒定速度步骤S20、第一减速步骤S30、第二加速步骤S40、第二恒定速度步骤S50和第二减速步骤S60。
如图15和图16所示,提升销1340向上移动到距支撑板1320d2的距离。在实施方式中,在基板W从与支撑板1320间隔开d1的位置移动到与支撑板1320间隔开d2的位置时,可以执行第一加速步骤S10、第一恒定速度步骤S20和第一减速步骤S30。例如,d1与d2之间的差值可以是与图9所示的区域“A”相对应的距离。在实施方式中,d2可以被设置为当基板W与支撑板1320间隔开时不会发生挤压效应的距离。
之后,如图17和图18所示,提升销1340向上移动到距支撑板1320d3的距离。在实施方式中,在基板W从与支撑板1320间隔开d2的位置移动到与支撑板1320间隔开d3的位置时,可以执行第二加速步骤S40、第二恒定速度步骤S50和第二减速步骤S60。例如,d2与d3之间的差值可以是与图9所示的区域“B”相对应的距离。
根据本发明构思,驱动提升销1340的驱动构件1346用马达来实施。因此,提升销1340的冲程(stroke)可以被设置为各种距离。此外,可以容易调整提升销1340的驱动速度,并且可以提高驱动提升销1340的准确性。另外,存在通过移除接近销1600来降低成本的优点,如图14所示。
根据本发明构思,第二加速度大于第一加速度,并且因此使提升销1340从降低位置移动到升高位置所花的时间可以减少。
根据本发明构思,提升销1340在第一加速步骤S10中加速,并且因此使提升销1340从降低位置移动到升高位置所花的时间可以减少。
根据本发明构思,在第一减速步骤S30中,第三速度V3为0,并且因此可以在提升销1340的实际移动中确保减速间隔。
根据本发明构思的实施方式,存在在提升销的操作期间最小化挤压效应的发生的优点。
本发明构思的效果不限于上述效果,并且本发明构思所属领域的技术人员可以从本说明书和附图中清楚地理解本文未提及的任何其他效果。
以上描述例示本发明构思。此外,以上提及的内容描述本发明构思的示例性实施方式,并且本发明构思可以用于各种其他组合、改变以及环境。也就是说,可以在不脱离说明书中所公开的本发明构思的范围、书面公开的等效范围和/或本领域的技术人员的技术或知识范围的情况下对本发明构思进行变化或修改。书面实施方式描述用于实施本发明构思的技术精神的最佳状态,并且可以作出本发明构思的具体应用和目的所需的各种改变。因此,本发明构思的详细描述并不意图限制所公开的实施方式状态中的本发明构思。另外,应理解,所附权利要求书包括其他实施方式。
虽然已经参考示例性实施方式描述了本发明构思,但是对于本领域技术人员将显而易见的是,在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下,可以进行各种改变和修改。因此,应当理解,上述实施方式不是限制性的而是说明性的。

Claims (20)

1.一种用于提升基板的方法,所述方法包括:
通过使用提升销将所述基板升高离开其上放置所述基板的支撑板,
其中所述提升销在降低位置与升高位置之间竖直地移动时将所述基板升高离开所述支撑板,所述降低位置从所述支撑板向下间隔开第一距离,所述升高位置从所述支撑板向上间隔开第二距离,并且
其中在所述提升销减速或以恒定速度移动时使所述提升销与所述基板接触。
2.如权利要求1所述的方法,其中将所述基板升高包括:
使所述提升销以第一加速度从第一速度加速到高于所述第一速度的第二速度的第一加速步骤;和
使所述提升销以第一减速度从所述第二速度减速到低于所述第二速度的第三速度的第一减速步骤,并且
其中在所述第一减速步骤中使所述提升销与所述基板接触。
3.如权利要求1所述的方法,其中将所述基板升高包括:
使所述提升销以第一加速度从第一速度加速到高于所述第一速度的第二速度的第一加速步骤;和
使所述提升销以所述第二速度匀速地移动的第一恒定速度步骤,并且
其中在所述第一恒定速度步骤中使所述提升销与所述基板接触。
4.如权利要求2所述的方法,其中将所述基板升高还包括:
在所述第一加速步骤之后使所述提升销以所述第二速度匀速地移动的第一恒定速度步骤。
5.如权利要求2所述的方法,其中将所述基板升高还包括:
在所述第一减速步骤之后使所述提升销以第二加速度从所述第三速度加速到高于所述第三速度的第四速度的第二加速步骤;和
使所述提升销以第二减速度从所述第四速度减速到低于所述第四速度的第五速度的第二减速步骤。
6.如权利要求5所述的方法,其中将所述基板升高还包括:
使所述提升销以所述第四速度匀速地移动的第二恒定速度步骤。
7.如权利要求5所述的方法,其中所述第二加速度大于所述第一加速度。
8.如权利要求2所述的方法,其中所述第一速度为0。
9.如权利要求2所述的方法,其中所述第三速度为0。
10.如权利要求5所述的方法,其中所述第五速度为0。
11.一种用于处理基板的设备,所述设备包括:
支撑板,所述基板放置在所述支撑板上;
提升销,所述提升销被构造为将所述基板装载到所述支撑板上或从所述支撑板卸载所述基板;
驱动构件,所述驱动构件被构造为升高或降低所述提升销;以及
控制器,所述控制器被构造为控制所述驱动构件的操作,
其中所述控制器控制所述驱动构件以:
使所述提升销在降低位置与升高位置之间竖直地移动时将所述基板升高离开所述支撑板,所述降低位置从所述支撑板向下间隔开第一距离,所述升高位置从所述支撑板向上间隔开第二距离;并且
在所述提升销减速或以恒定速度移动时使所述提升销与所述基板接触。
12.如权利要求11所述的设备,其中所述控制器控制所述驱动构件以:
使所述提升销以第一加速度从第一速度加速到高于所述第一速度的第二速度;
使所述提升销以第一减速度从所述第二速度减速到低于所述第二速度的第三速度;以及
在所述提升销减速时使所述提升销与所述基板接触。
13.如权利要求11所述的设备,其中所述控制器控制所述驱动构件以:
使所述提升销以第一加速度从第一速度加速到高于所述第一速度的第二速度;
以所述第二速度匀速地移动所述提升销;
使所述提升销以第一减速度从所述第二速度减速到低于所述第二速度的第三速度;以及
在所述提升销减速时使所述提升销与所述基板接触。
14.如权利要求13所述的设备,其中所述控制器控制所述驱动构件以:
在使所述提升销以所述第一减速度减速之后,使所述提升销以第二加速度从所述第三速度加速到高于所述第三速度的第四速度;以及
使所述提升销以第二减速度从所述第四速度减速到低于所述第四速度的第五速度。
15.如权利要求13所述的设备,其中所述控制器控制所述驱动构件以:
在使所述提升销以所述第一减速度减速之后,使所述提升销以第二加速度从所述第三速度加速到高于所述第三速度的第四速度;
以所述第四速度匀速地移动所述提升销;
使所述提升销以第二减速度从所述第四速度减速到低于所述第四速度的第五速度。
16.如权利要求14所述的设备,其中所述第二加速度大于所述第一加速度。
17.如权利要求12所述的设备,其中所述第一速度为0。
18.如权利要求12所述的设备,其中所述第三速度为0。
19.如权利要求14所述的设备,其中所述第五速度为0。
20.如权利要求11所述的设备,其中所述驱动构件是马达。
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