CN102300902B - 发uv光芴基共聚物 - Google Patents

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Abstract

式I的芴基共聚物，其包括单体单元，该单体单元包括芴基团和至少一个空间位阻化学基团来提供足够的空间相互作用，以使得该芴基共聚物的空间构象基本上是非平面的。该芴基共聚物表现出UV光发射。

Description

发UV光芴基共聚物
交叉引用的相关申请
不适用
关于联邦资助研究或开发的声明
不适用
发明背景
1. 技术领域
本发明涉及芴基共聚物和它们的制备以及作为发光聚合物的用途。
2. 现有技术说明
有机小分子发光二极管(OLED)和聚合物发光二极管(PLED)最近已经朝着在全色平板显示器中的应用取得了重大的进步。分子设计和合成工艺的进步已经作出了重大贡献。在无机和有机杂化LED中，该有机材料提供了发射能量，该能量转移到无机半导电纳米晶体材料，用于光发射。芴基聚合物最近已经作为吸引人的发光材料而出现。但是，这些芴基聚合物缺乏足够的稳定性，这影响了它们的发射性能。
发明内容
本发明的一种实施方案是式I的芴基共聚物：
Figure 223886DEST_PATH_IMAGE001
其中：
R1各自独立的是空间位阻基团，
Q是键或者一个或多个未稠合的或者稠合的芳族环，
D是这样的基团，其包含二价、三价和四价之一的原子，其中该原子的一个价是用连接到Q上的芳族部分来满足的，和其中该芳族部分具有连接到其上的空间位阻基团，和其中该原子的其余价是用芳族取代基满足的，和
n是选自2-10000的整数，
其中该R1和D的空间位阻基团提供了足够的空间相互作用，以使得式I的空间构象基本上是非平面的，和
其中该共聚物表现出UV光发射。
本发明的另外一种实施方案是一种发光装置，其包含第一电极，第二电极和布置在第一电极和第二电极之间的聚合物层。该聚合物层包含式I的芴基共聚物：
Figure 867356DEST_PATH_IMAGE002
其中
R1各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物(carboxylate)和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
Q是键或者一个或多个未稠合的或者稠合的芳族环，
D是这样的基团，其包含二价、三价和四价之一的原子，其中该原子的一个价是用连接到Q上的芳族部分来满足的，和其中该芳族部分具有连接到其上的空间位阻基团，和其中该原子的其余价是用芳族取代基满足的，和
n是选自2-10000的整数。
本发明的另外一种实施方案是一种用于形成芴基共聚物的方法，该共聚物表现出比具有基本上平面的空间构象的芴基聚合物更高的发射性能和稳定性，该方法包括由单体单元形成该芴基共聚物。该单体单元包含芴基团和至少一个具有空间位阻结构的化学基团。该化学基团赋予了该芴基共聚物非平面的空间构象。
附图说明
此处提供的附图用于便于理解本发明的某些实施方案的目的，并且是作为示例提供的，而并非对附加的权利要求的范围进行限制。
图1是使用本发明的芴基共聚物的发光装置的一种实施方案的示意图。
图2是使用本发明的芴基共聚物的发光装置的另外一种实施方案的示意图。
图3是使用本发明的芴基共聚物的发光装置的另外一种实施方案的示意图。
图4是使用本发明的芴基共聚物的发光装置的另外一种实施方案的示意图。
具体实施方式
一般讨论
本发明方法和组合物的实施方案涉及表现出UV发射的芴基共聚物的设计和合成，该共聚物具有提高的光学性能例如发光寿命和增强的发射和具有提高的稳定性和光学透明度。已知的芴基聚合物具有基本上平面的空间构象。已知的芴-基聚合物作为紫光和UV发射物的性能受到它们的稳定性的阻碍，例如形成π-聚集体/激态原子的倾向，易于受到酮缺陷影响等等。
术语“空间构象”涉及聚合物的组成部分在空间中的排列。术语“基本平面的”表示芴基聚合物的环的原子处于这样的平面上，该平面通过环的每个原子的中心，或者其中通过一个环的每个原子中心的平面与通过另外一个环的每个原子中心的平面的差异小于大约10%，或者小于大约9%，或者小于大约8%，或者小于大约7%，或者小于大约6%，或者小于大约5%，或者小于大约4%，或者小于大约3%，或者小于大约2%，或者小于大约1%。术语“π-聚集体/激态原子”表示由聚合物链的自聚集而形成的产物；更明确的，该术语指的是芴基聚合物中的交互链相互作用，包括激态相互作用(激态原子)和/或基态相互作用(聚集体)，其将强烈的影响这样的聚合物的吸收和/或发射。术语“酮缺陷”表示聚合物的光致氧化，其指的是这样的情形，在这里未受保护的芴环的质子被氧化来形成酮，因此明显影响或者破坏了芴环的发光。
本发明人发现可以实现提高上述性能(即具有提高的光学性能例如发光寿命和放大的发射和具有提高的稳定性的UV发射)，并且该芴基聚合物的性能可通过赋予该芴基聚合物的空间构象为基本上非平面来提高。在本发明的实施方案中，芴基聚合物有效的共轭长度是通过形成芴基共聚物来控制的，该共聚物包含聚合物主链，并且该主链通过引入某些结构到该聚合物链中而间断。本发明方法和组合物的实施方案涉及提高芴基聚合物的发射性能和稳定性的方法，该共聚物具有基本上平面的空间构象。本发明的方法包括由单体单元来形成芴基共聚物，该单体单元包含芴基团和至少一个具有空间位阻结构的化学基团，其是由一个或多个空间位阻基团的存在而形成的。空间位阻结构是这样的结构，其使得该化学基团能够赋予该芴基共聚物基本上非平面的空间构象。
术语“空间位阻基团”表示这样的基团，它在共聚物链中的存在干涉了该共聚物链处于基本上平面的构型的能力，这通常归因于空间位阻基团的尺寸。该空间位阻基团是这样的尺寸或者这样的结构或者二者，该空间位阻基团的相互作用赋予了该芴基共聚物基本上非平面的。空间位阻基团的存在使得该共聚物链中的某些键旋转，来适应空间位阻基团的存在。这种旋转导致了非平面的构型，这是因为聚合物主链的扭曲和产生了三维(3-D)位阻结构。电子的移位(delocalization)仍然存在，并且该共聚物表现出UV或者深蓝色光发射和提高的稳定性。
术语“基本上非平面的”表示该芴基聚合物的环原子不处于通过该环的每个原子的中心的平面。在这样的情形中，通过一个环的每个原子中心的平面与通过另外一个环的每个原子中心的平面的差异大于大约10%，或者大于大约11%，或者大于大约12%，或者大于大约13%，或者大于大约14%，或者大于大约15%，或者大于大约16%，或者大于大约17%，或者大于大约18%，或者大于大约19%，或者大于大约20%。在一些实施方案中，至少两个环的平面差异是大约10-大约25%，或者大约11-大约25%，或者大约12-大约25%，或者大约13-大约25%，或者大约14-大约25%，或者大约15-大约25%，或者大约10-大约20%，或者大约11-大约20%，或者大约12-大约20%，或者大约13-大约20%，或者大约14-大约20%，或者大约15-大约20%，或者更多。
在单体单元的引入中所涉及的考虑包括(a)延长的π-共轭的正确控制来实现纯UV或者深蓝发射；(b)扭曲聚合物主链和三维(3-D)位阻结构，用于缓和聚合物链的自聚集来实现提高的发射；(c)扭曲的聚合物主链和3-D位阻结构来充当该芴单元的保护基团，来基本上降低或者防止聚合物经历光致氧化或者所述的酮效应。
术语“纯UV或者深蓝发射”表示该聚合物具有大的能带间隙和发射UV区域的光或者具有深蓝颜色。术语“扭曲的聚合物主链”表示该聚合物是以这样的方式设计的，即两个相连的芳族环不处于一个平面中，这归因于在至少一个环上的空间大体积取代，这样两个芳族环具有彼此相差下面度数的平面：大约10度或者更多，或者大约11度或者更多，或者大约12度或者更多，或者大约13度或者更多，或者大约14度或者更多，或者大约15度或者更多，或者大约16度或者更多，或者大约17度或者更多，或者大约18度或者更多，或者大约19度或者更多，或者大约20度或者更多，并且是“扭曲”的含义。
在一些实施方案中，用于形成芴基共聚物的单体单元包含二价、三价或者四价原子。在一些实施方案中，引入到该聚合物主链中的结构是化学结构，其包含这样的原子，这里该原子是氧，碳，氮，硅等等，和这里该原子处于这样的位置，即，苯环与它相邻的原子或者结构的连接点的δ位置。这样的结构可以称作包含δ-氧，δ-碳，δ-氮，δ-硅等等。在一些实施方案中，该单体单元包含多核芳族化合物，其可以是碳环的或者杂环的。
在一些实施方案中，引入到该芴基共聚物中的化学结构包含二价、三价或者四价原子，其中该化学结构是通过单个共价键或者一个或多个未稠合的或者稠合的芳族环连接到芴基团上的。该二价、三价或者四价原子中的一个价是用连接到该芴部分或者未稠合的或者稠合的芳族环基团上的芳族部分来满足的。该芳族部分包含一个或多个空间位阻基团。该原子其余的价是用芳族取代基来满足的。
在一些实施方案中，该芴基共聚物具有式I：
Figure 202523DEST_PATH_IMAGE003
其中：
R1各自独立的是空间位阻基团，
Q是键或者一个或多个未稠合的或者稠合的芳族环，其包含至少一个空间位阻基团；在一些实施方案中，Q是单核或者多核芳族部分，
D是这样的基团，其包含二价、三价和四价原子，其中该原子的一个价是用连接到Q上的芳族部分来满足的，和其中该芳族部分具有连接到其上的空间位阻基团，和其中该原子的其余价是用芳族取代基满足的，和
n是选自2-10000的整数，
其中该R1、Q和D的空间位阻基团提供了足够的空间相互作用，以使得式I的空间构象基本上是非平面的，和其中该共聚物表现出UV光发射。
芴基共聚物的具体实施方案
在一些实施方案中，该芴基共聚物包含重复单体单元，并且是式I：
Figure 541231DEST_PATH_IMAGE004
其中：
R1各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
Q是键或者一个或多个未稠合的或者稠合的芳族环，
D是这样的基团，其包含二价、三价和四价原子，其中该原子的一个价是用连接到Q上的芳族部分来满足的，和其中该芳族部分具有连接到其上的空间位阻基团，和其中该原子的其余价是用芳族取代基满足的，和
n是选自2-10000的整数。
在一些实施方案中，Q选自单键或者一个或多个未稠合的或者稠合的芳族环。在一些实施方案中，Q是单核芳族部分，即，由单个芳族环组成的芳族部分，其中环原子是碳或者其中一个或多个环原子是杂原子。在一些实施方案中，该单核芳族部分每个环的原子数可以是3或者4或者5或者6或者7或者8个，并且可以是3-8，或者4-8，或者4-7，或者4-6，或者5-8，或者5-7，或者5-6个等等。
在一些实施方案中，Q是单芳族环，其包含碳原子或者碳原子和一个或多个杂原子。这样的单芳族环部分的例子，作为示例而非限制，包括苯基，取代的苯基，吡啶，取代的吡啶，嘧啶，取代的嘧啶等等。
在一些实施方案中，Q是多核芳族部分，即，包含大于一个芳族环的芳族部分，其中环原子是碳或者其中一个或多个环原子是杂原子。多核芳族部分是多环的芳族部分，即，包含大于一个环，或者大于两个环，或者大于三个环，或者大于四个环，或者大于五个环，或者大于六个环等等。在一些实施方案中，多核芳族部分的至少两个环是稠合的，即，这两个环共同具有两个原子和一个键，并且包括例如螺稠合的环。在一些实施方案中，该多核芳族部分的环是未稠合的，即，该芳族部分的环不具有共用的两个原子和一个键。当Q是非单键时，Q所具有的至少一个空间取代基或者空间位阻基团处于Q的芳族环中这样的位置上，即，该位置是Q到芴部分连接位置的邻位。该空间取代基可以是选自包含 R1的那些基团的基团。
芳族部分或者芳族取代基是这样，其包含芳族环系统，其中该环系统中的原子的电子是通过例如如下来离开原位的：通过碳电子的π-共轭或者通过碳电子与一个或多个杂原子的电子一起的π-共轭。在一些情形中，在至少一部分的环中满足Hϋckel法则。该多核芳族部分的环可以包括碳环的环和/或杂环的环。术语“碳环的环”表示这样的环，在其中每个环原子是碳。术语“杂环的环”表示这样的环，在其中至少一个环原子不是碳，并且包含1-4，或者1-3，或者1-2，或者2-4，或者2-3，或者3-4个杂原子。含有至少两个环，其之一是杂环的环的芳族部分可以称作包含一个或多个杂原子的多核芳族部分。该多核芳族部分的每个环中的原子数可以是3或者4或者5或者6或者7或者8个，并且可以是3-8，或者4-8，或者4-7，或者4-6，或者5-8，或者5-7，或者5-6个等等。
在一些实施方案中，该多核芳族部分或者芳族取代基可以是碳环和包含稠合的六元环(例如苯环)，包括例如萘，蒽，菲，芘，屈，苯并蒽，二苯并蒽，胆蒽，苯并芘，六苯并苯等等。在一些实施方案中，该多核芳族部分或者芳族取代基可以是杂环，并且包含一个或多个稠合的六元环，其中一个环的一个或多个碳原子被杂原子取代(相应碳环化合物的杂环配对物)。这样的多核芳族部分或者芳族取代基的例子包括例如向萘，蒽，菲，芘，屈，苯并蒽，二苯并蒽，胆蒽，苯并芘，六苯并苯等上的杂环配对物，并且包括例如香豆素，喹啉，异喹啉，苯并喹啉，二氮杂菲，蝶啶等。在一些实施方案中，该多核芳族部分或者芳族取代基可以是杂环的，并且包含稠合环的组合，其中一个或多个的环是六元环和一个或多个的环是五元环，其中一个环的一个或多个碳原子被杂原子取代(杂环配对物(counterpart))。这样的多核芳族部分或者芳族取代基的例子包括例如咔唑，嘌呤，苯并噻吩，苯并呋喃，吲哚等等。
在一些实施方案中，D是包含二价、三价或者四价原子的基团。二价原子包括例如氧，硫，硒，碲等等。三价原子包括例如氮，磷等等。四价原子包括例如碳，硅，锗等等。
如上所述，该二价、三价或者四价原子的一个价是通过连接到Q或者连接到芴部分(如果Q是键)上的芳族部分来满足的。在一些实施方案中，所述原子连接到Q上这样的位置，即，该位置处于该原子连接点的对位。在一些实施方案中，该芳族部分具有处于这样位置上的空间位阻基团，即，处于该芳族基团与Q连接位置的邻位，并且所述原子的其余价是用芳族取代基来满足的。在此处的式子中提供星号来表示在所述分子中聚合物开始重复的点。
在本发明共聚物的一些实施方案中，D选自：
Figure 620046DEST_PATH_IMAGE005
其中箭头表示向Q的连接点，和星号表示在分子中聚合物开始重复的点，并且其中：
X是O，S，Te或者Se，
Y是N或者P，
Z是C或者Si，
R2选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3各自独立的选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数。
在本发明共聚物的一些实施方案中，D选自：
Figure 258969DEST_PATH_IMAGE006
其中箭头表示向Q的连接点，和
其中：
X是O，S，Te或者Se，
Y是N或者P，
Z是C或者Si，
R2选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3各自独立的选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数。
在一些实施方案中，本发明的芴基共聚物具有式：
Figure 30616DEST_PATH_IMAGE007
其中
X是O，S，Te或者Se，
R1和R2各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；或者具有式：
Figure 981254DEST_PATH_IMAGE008
其中
Y是N或者P，
R1和R2各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；或者具有式：
Figure 739126DEST_PATH_IMAGE009
其中
Z是C或者Si，
R1和R2各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；或者具有式：
Figure 91610DEST_PATH_IMAGE010
其中
X是O，S，Te或者Se，
R1，R2和R6各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；或者具有式：
其中
Y是N或者P，
R1，R2和R6各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；或者具有式：
Figure 347459DEST_PATH_IMAGE012
其中
Z是C或者Si，
R1，R2和R6各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；或者具有式：
Figure 768076DEST_PATH_IMAGE013
其中
X是O，S，Te或者Se，
R1，R2，R7，R8和R9各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；
或者具有式：
Figure 116012DEST_PATH_IMAGE014
其中
Y是N或者P，
R1，R2，R7，R8和R9各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；
或者具有式：
其中
Z是C或者Si，
R1，R2，R7，R8和R9各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；
或者具有式：
Figure 30058DEST_PATH_IMAGE016
其中
X是O，S，Te或者Se，
R1，R2，R10和R11各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；
或者具有式：
Figure 254366DEST_PATH_IMAGE017
其中
Y是N或者P，
R1，R2，R10和R11各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；
或者具有式：
Figure 191229DEST_PATH_IMAGE018
其中
Z是C或者Si，
R1，R2，R10和R11各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数。
在一些实施方案中，任何一个上式中的n是下面的整数：2-大约10000，或者2-大约8000，或者2-大约6000，或者2-大约4000，或者2-大约2000，或者10-大约10000，或者10-大约8000，或者10-大约6000，或者10-大约4000，或者10-大约2000，或者50-大约10，000，或者50-大约8000，或者50-大约6000，或者50-大约4000，或者50-大约2000，或者100-大约10000，或者100-大约8000，或者100-大约6000，或者100-大约4000，或者100-大约2000，或者200-大约10000，或者200-大约8000，或者200-大约6000，或者200-大约4000，或者200-大约2000，或者500-大约10000，或者500-大约8000，或者500-大约6000，或者500-大约4000，或者500-大约2000，或者1000-大约10000，或者1000-大约8000，或者1000-大约6000，或者1000-大约4000，或者1000-大约2000，或者2000-大约10000，或者2000-大约8000，或者2000-大约6000，或者2000-大约4000，或者2000-大约3000，或者5000-大约10000，或者5000-大约8000，或者5000-大约6000等等。
在一些实施方案中，在任何一个上式中，上述的R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R9，R10和R11，或者下面的R12，R13，R14，R15，R16，R17，R18，R19和R20任何一个中的碳原子数可以独立的是C1-C30，C1-C25，C1-C20，C1-C15，C1-C10，C1-C5，C2-C30，C2-C25，C2-C20，C2-C15，C2-C10，C2-C5，C3-C30，C3-C25，C3-C20，C3-C15，C3-C10，C4-C30，C4-C25，C4-C20，C4-C15，C4-C10，C5-C30，C5-C25，C5-C20，C5-C15，C5-C10，C10-C30，C10-C25，C10-C20，C10-C15，C15-C30，C15-C25，C15-C20，C20-C30，C20-C25等等。
制备根据本发明实施方案的芴基共聚物
该芴基共聚物是根据常规聚合物化学，使用适当的单体单元来生产上述共聚物而合成的。聚合技术包括例如过渡金属催化偶合或者缩合(逐步反应)聚合等等。
在一些实施方案中，为了形成本发明实施方案的共聚物，使用缩聚。在两个或者更多个多官能分子之间进行缩合，来生产更大官能度的分子和最终的共聚物。该反应持续直到一种反应物完全消耗。建立了平衡，该平衡可以通过控制下面的因素来移动：反应物和产物的量以及温度，单体比例，溶剂类型，不同的过渡金属催化剂的性质等等。
聚合条件例如温度，反应介质，pH，持续时间，反应物加入次序等等取决于所用的聚合类型，单体反应物(包括所用的任何官能团)的性质，所用的任何催化剂的性质等等。这样的条件通常是已知的，因为能够使用的聚合技术的类型是本领域已知的。
作为示例而非限制，下面的是用于制备本发明实施方案的共聚物的官能化单体的列表；所示单体在用于单体连接来形成聚合物链的位置上具有官能团，作为示例而非限制：
Figure 475580DEST_PATH_IMAGE019
其中：
R12，R13，R15和R18各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R14，R16，R17，R19和R20各自独立的选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基(例如诸如苯氧基)，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
R22独立的选自氢，C1-C30烷基；在一些实施方案中，R22独立的选自低级烷基。
在一个例子中，作为示例而非限制，根据聚合物IV类型的聚合物(其中X =O)可以由下面的单体单元形成，其中XVI中的R22每个是甲基：
Figure 888107DEST_PATH_IMAGE020
在另外一个例子中，作为示例而非限制，根据聚合物类型V的聚合物(其中Y = N)可以由下面的单体单元形成，其中XVI中的R22每个是甲基：
Figure 791472DEST_PATH_IMAGE021
在另外一个例子中，作为示例而非限制，根据聚合物类型VI的聚合物(其中Z = C和R16每个是苯基)可以由下面的单体单元形成，其中XVI中的R22每个是甲基：
Figure 973054DEST_PATH_IMAGE022
在另外一个例子中，作为示例而非限制，根据聚合物类型VII的聚合物(X = S)可以由下面的单体单元形成，其中XVI中的R22每个是甲基：
Figure 608452DEST_PATH_IMAGE023
在另外一个例子中，作为示例而非限制，根据聚合物类型VIII的聚合物(其中Y = N)可以由下面的单体单元形成，其中XVI中的R22每个是甲基：
Figure 508275DEST_PATH_IMAGE024
在另外一个例子中，作为示例而非限制，根据聚合物类型IX的聚合物(其中Z = Si和R17每个是苯基)可以由下面的单体单元形成，其中XVI中的R22每个是甲基：
Figure 74385DEST_PATH_IMAGE025
在另外一个例子中，作为示例而非限制，根据聚合物类型X的聚合物(其中X = O)可以由下面的单体单元形成，其中XVI中的R22每个是甲基：
Figure 516999DEST_PATH_IMAGE026
在另外一个例子中，作为示例而非限制，根据聚合物类型XI的聚合物(其中Y = N)可以由下面的单体单元形成，其中XVI中R22每个是甲基：
Figure 877573DEST_PATH_IMAGE027
在另外一个例子中，作为示例而非限制，根据聚合物类型XII的聚合物(其中Z = Si和R17每个是苯基)可以由下面的单体单元形成，其中XVI中的R22每个是甲基：
Figure 140058DEST_PATH_IMAGE028
在另外一个例子中，作为示例而非限制，根据聚合物类型XIII的聚合物(其中X = S)可以由下面的单体单元形成，其中XVI中的R22每个是甲基：
Figure 509860DEST_PATH_IMAGE029
在另外一个例子中，作为示例而非限制，根据聚合物类型XIV的聚合物(其中Y = N)可以由下面的单体单元形成，其中XVI中的R22每个是甲基：
Figure 400455DEST_PATH_IMAGE030
在另外一个例子中，作为示例而非限制，根据聚合物类型XV的聚合物(其中Z = Si和R17每个是苯基)可以由下面的单体单元形成，其中XVI中的R22每个是甲基：
Figure 72876DEST_PATH_IMAGE031
使用该芴基共聚物的具体实施方案
本发明的芴基共聚物可以用来提供局部和均匀的UV能量，用于基于从该共聚物转移到量子点的能量的发射显示器应用。本发明的材料具有大的能带间隙，并且是稳定的UV发射化学品。术语“大的能带间隙”表示这样的共聚物的最高被占用分子轨道(HOMO)和最低被占用分子轨道(LUMO)之间的能量差异是足够大的，以使得它们仅仅发射UV或者深蓝光。本发明芴基共聚物实施方案作为纳米尺寸UV能量源用于发光装置中，并且可以用作例如发光二极管例如OLED、PLED和混合LED中的发射材料或者层，其可以用于显示器装置中。
碱性有机发光二极管的结构包含至少三层，即，两个电极层和位于这两个电极层之间的有机光发射层。这两个电极连接到电源上。在这种实施方案中，与电源负极相连的电极(阴极)充当了电子注射层(EIL)，其在施加电压时将电子注射到光发射层中。与电源正极相连的电极(阳极)充当了空穴注射层(HIL)，其在施加电压时将空穴注射到光发射层中。当该电子和空穴在有机发光层(EML)中相遇时，它们沿着能量间隙(EML聚合物的LUMO和HOMO水平之间的能量差异)重新结合。由该电子和空穴重新结合而释放出的能量是光的形式，并且颜色取决于能量间隙的值。在一些实施方案中，该装置是多层装置，其具有外聚合物层例如诸如聚噻吩化学，例如聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)或者PEDOT等，Dupont缓冲剂等等，该层还充当了HIL。
除了上述的碱性结构之外，电子传输层(ETL)可以加入到EIL和EML之间，空穴传输层(HTL)可以加入到HIL和EML之间。在其中使用它们的实施方案中，ETL和HTL提供了分别在EIL、HIL和EML之间更好的能带排列，这将提高电子和空穴分别从EIL和HIL到EML中的传输。此外，在一些实施方案中，电子阻挡层(EBL)可以加入到HIL和EML之间。在一些实施方案中，空穴阻挡层(HBL)可以加入到EIL和EML之间。EBL和HBL的作用是分别阻挡逸出的电子和空穴(它们没有彼此重新结合)。如果存在EBL和HBL二者，则逸出的电子和空穴会被限制到EML中，而没有泄漏通过和被各自的电极收集(这将产生浪费的功率消耗和降低发光效率)。当逸出的电子和空穴由于EBL和HBL的存在而被限制到EML中时，对于该电子和空穴来说这里有进一步重新结合和发光的机会，并且因此提高了发射效率。类似的，如果使用HTL和ETL，EBL和HBL可以分别插入到HTL、ETL和EML之间。可选择的，通过正确的选择材料和/或合成，HTL和ETL还分别能够充当EBL和HBL。
作为此处使用的，术语“位于…之间”和“布置在…之间”表示有机光发射层直接处于两个电极层之间或者间接处于两个电极层之间，这里一个或多个上述的插入层处于有机光发射层与一个或者两个电极层之间。
本发明实施方案的芴基共聚物可以用作位于上述装置的两个电极层之间的有机光发射层。本发明的共聚物可以通过本领域已知的技术来位于或者布置于两个电极层之间。作为示例而非限制，这样的技术包括(a)在一个电极内表面上的气相沉积方法，包括例如真空气相沉积等等；和(b)在一个电极内表面等上的施涂方法，其包括例如旋涂，狭缝涂覆，印刷，喷墨沉积，分配，喷涂等。另外，本发明的装置可以如下来制作：将第一电极、本发明的芴基共聚物膜和第二电极依次层合到载体上。其他层可以合适的包括在该层合方法中。
该有机光发射层的厚度是大约1-大约500nm，或者大约1-大约400nm，或者大约5-大约500nm，或者大约5-大约400nm，或者大约5-大约300nm，或者大约5-大约200nm，或者大约5-大约100nm，或者大约10-大约500nm，或者大约10-大约400nm，或者大约10-大约300nm，或者大约10-大约200nm，或者大约10-大约100nm，或者大约20-大约500nm，或者大约20-大约400nm，或者大约20-大约300nm，或者大约20-大约200nm，或者大约20-大约100nm，或者大约30-大约500nm，或者大约30-大约400nm，或者大约30-大约300nm，或者大约30-大约200nm，或者大约30-大约100nm，或者大约25-大约250nm等等。
电极的厚度独立的为大约0.1-大约1000nm，或者大约0.1-大约500nm，或者大约0.1-大约400nm，或者大约0.1-大约300nm，或者大约0.1-大约200nm，或者大约0.1-大约100nm，或者大约0.1-大约50nm，或者大约1-大约1000nm，或者大约1-大约500nm，或者大约1-大约400nm，或者大约1-大约300nm，或者大约1-大约200nm，或者大约1-大约100nm，或者大约1-大约50nm，或者大约5-大约750nm，或者大约5-大约500nm，或者大约5-大约400nm，或者大约5-大约300nm，或者大约5-大约200nm，或者大约5-大约100nm，或者大约5-大约50nm，或者大约10-大约500nm，或者大约10-大约400nm，或者大约10-大约300nm，或者大约10-大约200nm，或者大约10-大约100nm，或者大约10-大约50nm，或者大约50-大约500nm，或者大约50-大约400nm，或者大约50-大约300nm，或者大约50-大约200nm，或者大约50-大约100nm等等。
如上所述，该发光装置可以另外的包括一个或多个空穴注射层，电子注射层；空穴传输层，电子传输层，电子阻挡层和/或空穴阻挡层等等，这是本领域已知的。该装置还可以包括保护层或者密封层，用于降低该装置曝露于环境元素的目的。此外，该装置可以覆盖有和/或包装在适当的材料中。
作为示例而非限制，图1表示了使用本发明实施方案的芴基共聚物的装置的一个例子。参考图1，发光装置10包含第一电极12和第二电极14。布置在12和14之间的是层16，其包含此处公开的实施方案的芴基共聚物。每个电极12和14分别依靠线20和22连接到电源18上。电源18被设计来分别激活电极12和电极14。
作为示例而非限制，图2表示了使用本发明实施方案的芴基共聚物的装置的另外一个例子。参考图2，发光装置10包含第一电极12和第二电极14。布置在12和14之间的是层16，其包含此处公开的实施方案的芴基共聚物。每个电极12和14分别依靠线20和22连接到电源18上。电源18被设计来分别激活电极12和电极14。电极14布置在载体24上。
作为示例而非限制，图3表示了使用本发明实施方案的芴基共聚物的装置的另外一个例子。参见图3，发光装置30包含第一电极32和第二电极34，空穴注射层46，和电子注射层48。布置在46和48之间的是层36，其包含此处公开的实施方案的芴基共聚物。每个电极32和34分别依靠线40和42连接到电源38上。电源38被设计来分别激活电极32和电极34。电极34布置在载体44上。
作为示例而非限制，图4表示了使用本发明实施方案的芴基共聚物的装置的另外一个例子。参见图4，发光装置40包含第一电极52和第二电极54，空穴注射层66，空穴传输层68，电子传输层70和电子注射层72。布置在68和70之间的是层56，其包含此处公开的实施方案的芴基共聚物。每个电极52和54分别依靠线60和62连接到电源58上。电源58被设计来分别激活电极52和电极54。电极54布置在载体64上。
阳极可以由具有相对高的功函的任何材料形成，包括金属例如但不限于金，铂，银，铜，镍，钯，钴，硒，钒，钨，铬等等及其组合，合金，氧化物，硫化物和卤化物，并且包括金属氧化物例如但不限于氧化锡，氧化锌，氧化铟，氧化铟锡，和氧化铟锌。该阳极还可以由导电聚合物形成，其例如是但不限于聚苯胺，聚吡咯，聚噻吩，聚亚苯基硫化物等等。每种上述材料可以单独使用或者组合使用，并且阳极可以形成单层构造或者多层构造。
阴极可以由具有相对低的功函的材料形成(即，最高的被占电子能量水平非常接近于真空水平)，包括金属例如但不限于锂，钠，钾，钙，镁，铝，铟，钌，钛，锰，钇，银，铅，锡，铬等等及其合金和氧化物。该阴极可以由上述金属的合金形成，例如诸如锂-铟，钠-钾，镁-银，铝-锂，铝-镁，镁-铟等等，或者由金属氧化物形成例如诸如氧化铟锡。每种上述材料可以单独使用或者组合使用。该阴极可以形成单层构造或者多层构造。
该载体可以由任何合适的材料制成，该材料为所述装置提供了稳定性和用于所述装置的层的合适的平台。这样的材料包括例如玻璃，金属，合金，陶瓷，半导体材料，塑料和/或两种或者多种上述材料的组合。用于该载体的材料可以是透明的，半透明的或者不透明的，这取决于其中该装置被观察的方式等。
空穴注射层可以由任何具有空穴注射性能的材料形成；这样的材料是本领域公知的，并且包括例如聚合物基空穴注射材料。
用于形成电子注射层的材料也是本领域已知的。这样的材料包括例如具有电子注射性能的有机化合物，和无机化合物例如诸如碱金属和碱土金属的某些盐例如诸如氟化物，碳酸盐，氧化物等等。作为示例而非限制，具体的例子包括LiF，CSCO3，CaO等等。
电子阻挡层可以由这样的材料形成，该材料具有比EML更高的LUMO水平，并因此形成了防止电子到达阳极的阻挡。这种材料可以是聚合物基化学品，具有或高或低的分子量。这种材电子料还可以是包含硅的化学化合物，其可以是但不限于由SiO2，SiN等制成的无机绝缘层，或者有机硅基聚合物例如硅氧烷等等。
空穴阻挡层可以由这样的材料形成，该材料具有比EML更低的HOMO水平，并因此形成了防止空穴到达阴极的阻挡。这种材料可以是例如具有或高或低的分子量的聚合物基化学品，小有机分子等等。
当用于装置中时，每个上述另外层的厚度可以独立的是大约0.1-大约500nm，或者大约1-大约500nm，或者大约1-大约300nm，或者大约1-大约250nm，或者大约5-大约200nm，或者大约10-大约150nm等等。
如上所述，本发明的装置还可以包含保护层或者密封层，用于降低该装置曝露于环境元素例如诸如湿气，氧等的目的。能够用于制作保护层的材料的例子包括无机膜例如诸如金刚石薄膜，含有金属氧化物或者金属氮化物的膜；聚合物膜例如诸如含有氟树脂，聚对二甲苯，聚乙烯，有机硅树脂，聚苯乙烯树脂等的膜；和可光固化树脂。另外，该装置本身可以覆盖有例如玻璃，气密膜，金属等等，和该装置可以包装有适当的密封树脂。
本发明芴基共聚物另外的应用包括用于无机-有机混合LED装置的给能材料。无机-有机混合LED提供了比OLED或者PLED装置更长的发射寿命、更好的颜色纯度和在精确调色中的灵活性。
术语讨论：
下面提供定义来用于上面所用的术语和短语，其在前面没有定义过。
作为此处使用的，术语“至少”表示规定项目的数目可以等于或者大于所述的数字。作为此处使用的，术语“大约”表示所述的数字可以通过加减10%而不同；例如“大约5”表示4.5-5.5。命名“第一”和“第二”仅仅用于区分两种项目例如“第一电极”和“第二电极”的目的，并且并非表示暗含着一个项目相对于另一项目的任何次序或者顺序或者重要性。
术语“取代的”表示化合物或者部分上的氢原子被另外一种原子例如碳原子或者杂原子所取代。取代基包括例如烷基，烷氧基，芳基，芳氧基，烯基，链烯氧基，炔基，炔氧基，硫烷基，硫烯基，硫炔基，硫芳基等等。
作为此处使用的，术语“杂原子”表示氮，氧，磷或者硫。术语“卤代”和“卤素”表示氟，氯，溴或者碘取代基。术语“成环”表示具有脂环族或者芳族环结构，其可以取代或者不取代，和可以包括或者不包括一个或多个杂原子。成环结构包括单环结构，双环结构和多环结构。术语“脂环族”用来指脂肪族成环部分，与芳族成环部分相对。
作为此处使用的，术语“芳族环系统”或者“芳烃”包括单环环，双环环系统和多环环系统，在其中单环环，或者至少一部分的双环环系统或者多环环系统是芳族的(表现出例如π共轭)。该芳族环系统的单环环，双环环系统和多环环系统可以包括碳环环和/或杂环环。术语“碳环环”表示其中每个环原子是碳的环。术语“杂环环”表示其中至少一个环原子不是碳的环，并且包含1-4个杂原子。
作为此处使用的，术语“烷基”表示支化的，未支化的，或者成环的饱和的烃基团，虽然并非必需，但是其典型的包含1-大约30个碳原子或者更多。烷基包括但不限于甲基，乙基，正丙基，异丙基，正丁基，异丁基，叔丁基，辛基，癸基等等，以及环烷基例如环戊基，环己基等等。术语“低级烷基”表示具有1-6个碳原子的烷基。术语“高级烷基”表示具有大于6个碳原子，例如7-大约30个碳原子或者更多的烷基。作为此处使用的，术语“取代的烷基”表示用一个或多个取代基取代的烷基。术语“杂烷基”表示其中至少一个碳原子被杂原子取代的烷基。如果没有另外的指示，则术语“烷基”包括未取代的烷基，取代的烷基，低级烷基和杂烷基。
作为此处使用的，术语“烯基”表示线性的，支化的或者成环的具有2-大约30个碳原子或者更多的烃基，其含有至少一个双键，例如乙烯基，正丙烯基，异丙烯基，正丁烯基，异丁烯基，辛烯基，癸烯基，十四烯基，十六烯基，二十烯基，二十四烯基等等。术语“低级烯基”表示具有2-6个碳原子的烯基。术语“高级烯基”表示具有大于6个碳原子，例如7- 30个碳原子或者更多的烯基。术语“取代的烯基”表示用一个或多个取代基取代的烯基或者环烯基。术语“杂烯基”表示其中至少一个碳原子被杂原子取代的烯基或者环烯基。如果没有另外的指示，则术语“烯基”包括未取代的烯基，取代的烯基，低级烯基和杂烯基。
作为此处使用的，术语“炔基”表示线性的，支化的或者成环的具有2-大约30个碳原子或者更多的烃基，其含有至少一个叁键，例如乙炔基，正丙炔基，异丙炔基，正丁炔基，异丁炔基，辛炔基，癸炔基，十四炔基，十六炔基，二十炔基，二十四炔基等等。术语“低级炔基”表示具有2-6个碳原子的炔基。术语“高级炔基”表示具有大于6个碳原子，例如7-30个碳原子或者更多的炔基。术语“取代的炔基”表示用一个或多个取代基取代的炔基或者环炔基。术语“杂炔基”表示其中至少一个碳原子被杂原子取代的炔基或者环炔基。如果没有其他的指示，则术语“炔基”包括未取代的炔基，取代的炔基，低级炔基和杂炔基。
作为此处使用的，术语“亚烷基(alkylene)”表示线性的，支化的或者成环的烷基，在其中烷基位置中的两个氢原子被取代。亚烷基连接基因此包括-CH2CH2-和-CH2CH2CH2-等等，以及其取代的样式，其中一个或多个氢原子被非氢取代基取代。术语“低级亚烷基”指的是含有2-6个碳原子的亚烷基。术语“高级亚烷基”表示具有大于6个碳原子，例如7-30个碳原子或者更多的亚烷基。作为此处使用的，术语“取代的亚烷基”表示用一个或多个取代基取代的亚烷基。作为此处使用的，术语“杂亚烷基”表示其中一个或多个亚甲基单元被杂原子取代的亚烷基。如果没有其他的指示，则术语“亚烷基”包括杂亚烷基。
作为此处使用的，术语“亚烯基(alkenylene)”表示含有至少一个双键的亚烷基，例如亚乙烯基(乙烯撑)，正亚丙烯基，正亚丁烯基，正亚己烯基等等以及其取代的样式，其中一个或多个氢原子被非氢取代基取代。术语“低级亚烯基”指的是含有2-6个碳原子的亚烯基。术语“高级亚烯基”表示具有大于6个碳原子，例如7-30个碳原子或者更多的亚烯基。作为此处使用的，术语“取代的亚烯基”表示用一个或多个取代基取代的亚烯基。作为此处使用的，术语“杂亚烯基”表示其中一个或多个亚烯基单元被杂原子取代的亚烯基。如果没有其他的指示，则术语“亚烯基”包括杂亚烯基。
作为此处使用的，术语“亚炔基(alkynylene)”表示含有至少一个叁键的亚烷基，例如亚乙炔基，正亚丙炔基，正亚丁炔基，正亚己炔基等等。术语“低级亚炔基”指的是含有2-6个碳原子的亚炔基。术语“高级亚炔基”表示具有大于6个碳原子的亚炔基，例如7-30个碳原子。作为此处使用的，术语“取代的亚炔基”表示用一个或多个取代基取代的亚炔基。作为此处使用的，术语“杂亚炔基”表示其中一个或多个亚炔基单元被杂原子取代的亚炔基。如果没有其他的指示，则术语“亚炔基”包括杂亚炔基。
作为此处使用的，术语“烷氧基”表示通过单个的端醚连接基键合到另外一种化学结构的烷基。作为此处使用的，术语“低级烷氧基”表示这样的烷氧基，其中该烷基包含1-6个碳原子，和包括例如甲氧基，乙氧基，正丙氧基，异丙氧基，叔丁氧基等等。术语“高级烷氧基”表示烷氧基，其中该烷基具有大于6个碳原子，例如7-30个碳原子或者更多。作为此处使用的，术语“取代的烷氧基”表示用一个或多个取代基取代的烷氧基。术语“杂烷氧基”表示在其中至少一个碳原子被杂原子取代的烷氧基。如果没有其他的指示，则术语“烷氧基”包括未取代的烷氧基，取代的烷氧基，低级烷氧基和杂烷氧基。
作为此处使用的，术语“链烯氧基”表示通过单个的端醚连接基键合到另外一种化学结构的烯基。作为此处使用的，术语“低级链烯氧基”表示链烯氧基，其中该烯基包含2-6个碳原子，和包括例如乙烯氧基，正丙烯氧基，异丙烯氧基，叔丁烯氧基等等。术语“高级链烯氧基”表示链烯氧基，其中该烯基具有大于6个碳原子，例如7-30个碳原子或者更多。作为此处使用的，术语“取代的链烯氧基”表示用一个或多个取代基取代的链烯氧基。术语“杂链烯氧基”表示在其中至少一个碳原子被杂原子取代的链烯氧基。如果没有其他的指示，则术语“链烯氧基”包括未取代的链烯氧基，取代的链烯氧基，低级链烯氧基，高级链烯氧基和杂链烯氧基。
作为此处使用的，术语“炔氧基”表示通过单个的端醚连接基键合到另外一种化学结构的炔基。作为此处使用的，术语“低级炔氧基”表示炔氧基，其中该炔基包含2-6个碳原子，和包括例如乙炔氧基，正丙炔氧基，异丙炔氧基，叔丁炔氧基等等。术语“高级炔氧基”表示炔氧基，其中该炔基具有大于6个碳原子，例如7-30个碳原子或者更多。作为此处使用的，术语“取代的炔氧基”表示用一个或多个取代基取代的炔氧基。术语“杂炔氧基”表示在其中至少一个碳原子被杂原子取代的炔氧基。如果没有其他的指示，则术语“炔氧基”包括未取代的炔氧基，取代的炔氧基，低级炔氧基，高级炔氧基和杂炔氧基。
作为此处使用的，术语“硫烷基”表示通过单个的端硫代(硫)连接基键合到另外一种化学结构的烷基。作为此处使用的，术语“低级硫烷基”表示硫烷基，其中该烷基包含1-6个碳原子，和包括例如硫甲基，硫乙基，硫丙基等等。术语“高级硫烷基”表示硫烷基，其中该烷基具有大于6个碳原子，例如7-30个碳原子或者更多。作为此处使用的，术语“取代的硫烷基”表示用一个或多个取代基取代的硫烷基。术语“杂硫烷基”表示在其中至少一个碳原子被杂原子取代的硫烷基。如果没有其他的指示，则术语“硫烷基”包括未取代的硫烷基，取代的硫烷基，低级硫烷基和杂硫烷基。
作为此处使用的，术语“硫烯基”表示通过单个的端硫代(硫)连接基键合到另外一种化学结构的烯基。作为此处使用的，术语“低级硫烯基”表示硫烯基，其中该烯基包含2-6个碳原子，和包括例如硫乙烯基，硫丙烯基等等。术语“高级硫烯基”表示硫烯基，其中该烯基具有大于6个碳原子，例如7-30个碳原子或者更多。作为此处使用的，术语“取代的硫烯基”表示用一个或多个取代基取代的硫烯基。术语“杂硫烯基”表示在其中至少一个碳原子被杂原子取代的硫烯基。如果没有其他的指示，则术语“硫烯基”包括未取代的硫烯基，取代的硫烯基，低级硫烯基和杂硫烯基。
作为此处使用的，术语“硫炔基”表示通过单个的端硫代(硫)连接基键合到另外一种化学结构的炔基。作为此处使用的，术语“低级硫炔基”表示硫炔基，其中该烷基包含2-6个碳原子，和包括例如硫乙炔基，硫丙炔基等等。术语“高级硫炔基”表示硫炔基，其中该炔基具有大于6个碳原子，例如7-30个碳原子。作为此处使用的，术语“取代的硫炔基”表示用一个或多个取代基取代的硫炔基。术语“杂硫炔基”表示在其中至少一个碳原子被杂原子取代的硫炔基。如果没有其他的指示，则术语“硫炔基”包括未取代的硫炔基，取代的硫炔基，低级硫炔基和杂硫炔基。
术语“芳基”表示这样的基团，其含有单个芳环或者多个芳环，该芳环是稠合到一起的，直接连接的或者间接连接的(这样不同的芳族环键合到共同的基团例如亚甲基或者亚乙基部分上)。此处所述的芳基可以包含但不限于5-30个碳原子。芳基包括例如苯基，萘基，蒽基，菲基，联苯基，二苯基醚，二苯基胺，苯甲酮等等。术语“取代的芳基”指的是包含一个或多个取代基的芳基。术语“杂芳基”表示在其中至少一个碳原子被杂原子取代的芳基。如果没有其他的指示，则术语“芳基”包括未取代的芳基，取代的芳基和杂芳基。
作为此处使用的，术语“芳氧基”表示通过单个的端醚(氧)连接基键合到另外一种化学结构的芳基。作为此处使用的，术语“苯氧基”是其中芳基是苯基的芳氧基。
作为此处使用的，术语“硫芳基”表示通过单个的端硫代(硫)连接基键合到另外一种化学结构的芳基。作为此处使用的，术语“硫苯基”是其中芳基是苯基的硫芳基。
实施例
XVI 的制备，其中 R12 每个是正己基， R22 每个是甲基：
将2，7-二溴-9，9-二己基-9H-芴(15g，30.5mmol)，KOAc(乙酸钾)(18g，183mmol)，双(频哪醇根合)乙硼烷(16.4g，64mmol)，Pd(dppf)Cl2(1.8g，0.22mmol)在150mL的1，4-二氧杂环乙烷中的混合物在80℃搅拌12 h。在将该混合物冷却到室温后，将水和氯仿加入该混合物中，将分离的有机层用盐水和水清洗，并且在无水Na2SO4上干燥。真空下除去溶剂，将残留物在硅胶色谱柱上，用石油作为洗提液进行提纯，来产生2-(9，9-二己基-2-(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷-2-基)-9H-芴-7-基)-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼烷(XVI，其中R12每个是正己基，R22每个是甲基)。
聚合物 VIII 的制备，其中 Y = N ， R1 每个是正己基， R2 是正戊基， R3 是氢， R6 是正戊基：
将上面的XVI(其中R12每个是正己基，R22每个是甲基)(2mmol其中mmol =毫摩尔)，(4-溴苯基)-(4-溴苯基-正戊基苯基)-苯基胺(XXI，其中R13是正戊基和R24是氢)(1.0mmol)和3-正戊基-2，7-二溴芘(XX，其中R13是正戊基)(1.0mmol)和钯催化剂在四氢呋喃(THF)中的混合物回流24小时。然后，将该反应混合物用水猝灭，和用氯仿萃取。蒸发溶剂，随后闪蒸色谱法来产生下面的期望的UV聚合物：聚合物VIII类型(其中Y = N)，聚合物VIII类型(其中Y = N和R1每个是正己基，R2是正戊基，R3是氢和R6是正戊基)。
聚合物 IV 的制备，其中 X = O 和 R1 每个是正己基和 R2 是苯基：
将上面的XVI(其中R12每个是正己基，R22每个是甲基)(1.0mmol)和(4-溴苯基)(3-苯基-4-溴苯基)醚(XIX，其中R13是苯基)(1.0mmol)和钯催化剂在甲苯中的混合物回流24小时。然后，将该反应混合物用水猝灭，和用氯仿萃取。蒸发溶剂，随后闪蒸色谱法来产生下面的期望的UV聚合物：聚合物IV类型，其中X = O，R1每个是正己基和R2是苯基。
聚合物 X 的制备，其中 X = S ， R 1 每个是正己基， R 7 是甲基， R 8 是甲基， R 9 是甲基和 R 2 是甲基：
将上面的XVI(其中R12每个是正己基和R22每个是甲基)(2mmol)，XXII(其中R13，R15和R20每个是甲基)(1.0mmol)，和(4-溴苯基)(3-甲基-4-溴苯基)醚(XVII，其中R13是甲基)(1.0mmol)和钯催化剂在THF中的混合物回流24小时。然后，将该反应混合物用水猝灭，和用氯仿萃取。蒸发溶剂，随后闪蒸色谱法来产生下面的期望的UV聚合物：聚合物X类型，其中X = S，R1每个是正己基，R7是甲基，R8是甲基，R9是甲基和R2是甲基。
聚合物 XV 的制备，其中 Z = Si ， R1 每个是正己基， R10 是 C20H40CH3 ， R11 是甲基， R2 是甲基， R3 是正己基， R3 是甲基：
将上面的XVI(其中R12每个是正己基和R22每个是甲基)(2mmol)，XXVI(其中R13是C20H40CH3，R19是甲基，R18是氢)(1.0mmol)和XXIV(其中R13是正己基和R17是4-甲基苯基)(1.0mmol)和钯催化剂在THF中的混合物回流24小时。然后，将该反应混合物用水猝灭，和用氯仿萃取。蒸发溶剂，随后闪蒸色谱法来产生下面的期望的UV聚合物：聚合物XV类型，其中Z = Si，R1每个是正己基，R10是C20H40CH3，R11是甲基，R2是甲基，R3是正己基，R3是甲基。
将上述芴基聚合物每个混入到这样的装置中，该装置包含两个电极层和布置在两个电极层之间的有机光发射层。将每个该芴基聚合物用作有机光发射层。在通过电压源的电极的激活时，每个装置表现出UV或者深蓝色发射。
虽然为了清楚理解的目的而通过说明和示例以某些细节来描述了前述的本发明，但是对本领域技术人员来说很显然按照本发明的教导，可以对其进行某些改变和改进，而不脱离附加的权利要求的主旨或范围。此外，前述说明，出于解释的目的，使用了具体的命名来提供对于本发明通彻的理解。但是，对本领域技术人员来说很显然不需要特定的细节来实施本发明。因此，提出了本发明具体实施方案的前述说明来用于示例和说明的目的；它们并非打算是穷举的或者并非打算将本发明限制到所公开的精确的形式.考虑到上述的教导，可以进行许多的改进和变化。选择和描述所述的实施方案来解释本发明的原理和它的实际应用，以及由此使得本领域技术人员能够使用本发明。

Claims (14)

1.一种式I的芴基共聚物：
Figure 2009801558741100001DEST_PATH_IMAGE001
其中：
R1各自独立的是空间位阻基团，
Q是一个或多个未稠合的或者稠合的芳族环，其包含至少一个空间位阻基团，
D是这样的基团，其包含二价、三价和四价之一的原子，其中该原子的一个价是用连接到Q上的芳族部分来满足的，和其中该芳族部分具有连接到其上的空间位阻基团，并且其中该原子的其余价是用芳族取代基满足的，和
n是选自2-10000的整数，
其中该R1和D的空间位阻基团提供了足够的空间相互作用，以使得式I的空间构象基本上是非平面的，和
其中该共聚物表现出UV光发射。
2.权利要求1的芴基共聚物，其中R1各自独立的选自C1-C30烷基、C2-C30烯基、C2-C30炔基、C1-C30芳基、C1-C30烷氧基、C2-C30链烯氧基、C2-C30炔氧基、C1-C30芳氧基、C1-C30硫烷基、C2-C30硫烯基、C2-C30硫炔基、C1-C30硫芳基、C(O)OR4、N(R4)(R5)、C(O)N(R4)(R5)、F、Cl、Br、NO2、CN、酰基、羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢、C1-C30烷基和C1-C30芳基。
3.权利要求1的芴基共聚物，其中D选自：
Figure 2009801558741100001DEST_PATH_IMAGE002
其中箭头表示向Q的连接点，和其中
X是O、S、Te或者Se，
Y是N或者P，
Z是C或者Si，
R2选自C1-C30烷基、C2-C30烯基、C2-C30炔基、C1-C30芳基、C1-C30烷氧基、C2-C30链烯氧基、C2-C30炔氧基、C1-C30芳氧基、C1-C30硫烷基、C2-C30硫烯基、C2-C30硫炔基、C1-C30硫芳基、C(O)OR4、N(R4)(R5)、C(O)N(R4)(R5)、F、Cl、Br、NO2、CN、酰基、羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢、C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
R3各自独立的选自氢、C1-C30烷基、C2-C30烯基、C2-C30炔基、C1-C30芳基、C1-C30烷氧基、C2-C30链烯氧基、C2-C30炔氧基、C1-C30芳氧基、C1-C30硫烷基、C2-C30硫烯基、C2-C30硫炔基、C1-C30硫芳基、C(O)OR4、N(R4)(R5)、C(O)N(R4)(R5)、F、Cl、Br、NO2、CN、酰基、羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢、C1-C30烷基和C1-C30芳基。
4.权利要求1的芴基共聚物，其具有式：
Figure 2009801558741100001DEST_PATH_IMAGE003
其中
X是O，S，Te或者Se，
R1，R2和R6各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；
或者具有式：
其中
Y是N或者P，
R1，R2和R6各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5))，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；
或者具有式：
Figure 2009801558741100001DEST_PATH_IMAGE005
其中
Z是C或者Si，
R1，R2和R6各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；
或者具有式：
Figure 2009801558741100001DEST_PATH_IMAGE006
其中
X是O，S，Te或者Se，
R1，R2，R7，R8和R9各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；
或者具有式：
Figure 2009801558741100001DEST_PATH_IMAGE007
其中
Y是N或者P，
R1，R2，R7，R8和R9各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；
或者具有式：
Figure 2009801558741100001DEST_PATH_IMAGE008
其中
Z是C或者Si，
R1，R2，R7，R8和R9各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；
或者具有式：
Figure 2009801558741100001DEST_PATH_IMAGE009
其中
X是O，S，Te或者Se，
R1，R2，R10和R11各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；
或者具有式：
Figure 2009801558741100001DEST_PATH_IMAGE010
其中
Y是N或者P，
R1，R2，R10和R11各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数；
或者具有式：
其中
Z是C或者Si，
R1，R2，R10和R11各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数。
5.一种发光装置，其包含权利要求1的芴基共聚物。
6.权利要求5的装置，其中该芴基共聚物处于布置在两个电极之间的层的形式。
7.一种发光装置，其包含：
(a)第一电极；
(b)第二电极；和
(c)布置在第一电极和第二电极之间的聚合物层，其中该聚合物层包含式I的芴基共聚物：
Figure 2009801558741100001DEST_PATH_IMAGE012
其中
R1各自独立的选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
Q是一个或多个未稠合的或者稠合的芳族环，其包含至少一个空间位阻基团，
D是这样的基团，其包含二价、三价和四价之一的原子，其中该原子的一个价是用连接到Q上的芳族部分来满足的，和其中该芳族部分具有连接到其上的空间位阻基团，和其中该原子的其余价是用芳族取代基满足的，和
n是选自2-10000的整数。
8.权利要求7的装置，其中Q选自单核芳族部分和多核芳族部分。
9.权利要求7的装置，其中该芳族基团和该芳族取代基是苯基。
10.权利要求7的装置，其中D是这样的基团，其包含二价、三价和四价之一的原子，其中该原子的一个价是用连接到Q上的芳族部分来满足的，其在Q上的连接位置处于所述原子连接位置的对位，和其中该芳族部分具有空间位阻基团，该空间位阻基团处于该芳族部分与Q连接的位置的邻位，和其中该原子的其余价是用芳族取代基满足的。
11.权利要求7的装置，其中D选自：
Figure 924420DEST_PATH_IMAGE002
其中箭头表示连接到Q的点，和其中
X是O，S，Te或者Se，
Y是N或者P，
Z是C或者Si，
R2选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3各自独立的选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数。
12.权利要求7的装置，其中D选自：
Figure 2009801558741100001DEST_PATH_IMAGE013
其中箭头表示在该芴基共聚物中的连接点，和
其中
X是O，S，Te或者Se，
Y是N或者P，
Z是C或者Si，
R2选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3各自独立的选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数。
13.一种用于形成权利要求1的芴基共聚物的方法，该共聚物表现出比具有基本上平面的空间构象的芴基聚合物更高的发射性能和稳定性，该方法包括由单体单元形成该芴基共聚物，该单体单元包含芴基团和至少一个具有空间位阻结构的化学基团，其中该化学基团赋予了该芴基共聚物基本上非平面的空间构象。
14.根据权利要求13的方法，其中该化学基团包含下面的(a)和(b)之一或者两者：(a)一个或多个未稠合的或者稠合的芳族环，和(b)选自下面的部分：
Figure 2009801558741100001DEST_PATH_IMAGE014
其中箭头表示该芴基共聚物中的连接点，和其中
X是O，S，Te或者Se，
Y是N或者P，
Z是C或者Si，
R2选自C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，
R3各自独立的选自氢，C1-C30烷基，C2-C30烯基，C2-C30炔基，C1-C30芳基，C1-C30烷氧基，C2-C30链烯氧基，C2-C30炔氧基，C1-C30芳氧基，C1-C30硫烷基，C2-C30硫烯基，C2-C30硫炔基，C1-C30硫芳基，C(O)OR4，N(R4)(R5)，C(O)N(R4)(R5)，F，Cl，Br，NO2，CN，酰基，羧化物和羟基，其中R4和R5各自独立的选自氢，C1-C30烷基和C1-C30芳基，和
n是选自2-10000的整数。
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