CN107056737A - 一种含有二甲基蒽结构的光电材料及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种含有二甲基蒽的光电材料及其应用,该化合物具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性,合适的HOMO和LUMO能级,较高Eg,通过器件结构优化,可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。
Description
技术领域
本发明涉及有机光电材料技术领域,尤其是涉及一种含有二甲基蒽结构为中心骨架的化合物材料及其在OLED领域的应用。
背景技术
有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品,也可以用于制作新型照明产品,有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明,应用前景十分广泛。
OLED发光器件犹如三明治的结构,包括电极材料膜层,以及夹在不同电极膜层之间的有机功能材料,各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。作为电流器件,当对OLED发光器件的两端电极施加电压,并通过电场作用有机层功能材料膜层中的正负电荷,正负电荷进一步在发光层中复合,即产生OLED电致发光。
当前,OLED显示技术已经在智能手机,平板电脑等领域获得应用,进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展,但是,和实际的产品应用要求相比,OLED器件的发光效率,使用寿命等性能还需要进一步提升。
对于OLED发光器件提高性能的研究包括:降低器件的驱动电压,提高器件的发光效率,提高器件的使用寿命等。为了实现OLED器件的性能的不断提升,不但需要从OLED器件结构和制作工艺的创新,更需要OLED光电功能材料不断研究和创新,创制出更高性能OLED的功能材料。
应用于OLED器件的OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类,即电荷注入传输材料和发光材料,进一步,还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料,还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。
为了制作高性能的OLED发光器件,要求各种有机功能材料具备良好的光电特性,譬如,作为电荷传输材料,要求具有良好的载流子迁移率,高玻璃化转化温度等,作为发光层的主体材料要求材料具有良好双极性,适当的HOMO/LUMO能阶等。
构成OLED器件的OLED光电功能材料膜层至少包括两层以上结构,产业上应用的OLED器件结构,则包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多种膜层,也就是说应用于OLED器件的光电功能材料至少包含空穴注入材料,空穴传输材料,发光材料,电子注入材料等,材料类型和搭配形式具有丰富性和多样性的特点。另外,对于不同结构的OLED器件搭配而言,所使用的光电功能材料具有较强的选择性,相同的材料在不同结构器件中的性能表现,也可能完全迥异。
因此,针对当前OLED器件的产业应用要求,以及OLED器件的不同功能膜层,器件的光电特性需求,必须选择更适合,具有高性能的OLED功能材料或材料组合,才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。就当前OLED显示照明产业的实际需求而言,目前OLED材料的发展还远远不够,落后于面板制造企业的要求,作为材料企业开发更高性能的有机功能材料显得尤为重要。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题,本申请人提供了一种含有二甲基蒽结构的光电材料及其应用。本发明化合物含有二甲基蒽结构,具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性,合适的HOMO和LUMO能级,较高Eg,通过器件结构优化,可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。
本发明的技术方案如下:
一种含有二甲基蒽的光电材料,所述材料的结构式通式如通式(1)所示:
其中,R1、R2分别独立表示为C6-C40的取代或未取代的芳香基团;
R1还可以表示为苯基、联苯基或萘基。
所述通式(1)中,R1、R2分别独立地采用通式(2)、通式(3)或通式(4)表示:
通式(2)中,X表示为氧原子、硫原子、硒原子、C1-10直链或支链烷基取代的亚烷基、烷基或芳基取代的芳胺基中的一种;R3、R4分别独立的表示为氢基或苯基;
通式(3)中,R5、R6分别独立的表示苯基、萘基、联苯基、9,9-二甲基芴基、二苯并呋喃基中的一种;
通式(4)中,Y表示为CnHn,n=0或2;R3、R4分别独立的表示为氢基或苯基;
R1还可以表示为苯基、联苯基或萘基。
所述通式(2)、通式(4)中的R3、R4基团与中间苯环通过C-C键相连或通过苯并环形式相连。
所述通式(1)中,R1、R2分别独立的表示为:
中的任一种;
R1还可以选择如下基团:
中的任一种。
所述含有二甲基蒽的光电材料的具体结构式为:
中的任一种。
一种所述光电材料的制备方法,该方法的合成路线为:
其中,R1、R2分别独立表示为C6-C40的取代或未取代的芳香基团;
R1还可以表示为苯基、联苯基或萘基;
所述制备方法以R2-Br为原料,通过格氏反应,制得格氏试剂,然后和二甲基蒽酮反应,生成叔醇,叔醇和R1-H通过付-克反应,制得所述有机化合物。
一种包含所述光电材料的有机电致发光器件,所述光电材料作为空穴注入材料、空穴传输材料或电子阻挡材料,用于有机电致发光二极管。
本发明有益的技术效果在于:
本发明化合物以蒽基团为母核,为强电子性基团,支链引入空穴类基团后,材料便成了双性结构,在恰当的HOMO能级下,提升了空穴注入/传输性能;在合适的LUMO能级下,又起到了电子阻挡的作用,提升激子在发光层中的复合效率。
另外,侧链引入不同基团破坏了分子对称性,从而破坏分子的结晶性,避免了分子间的聚集作用,具有好的成膜性;分子中多为刚性基团,提高材料的热稳定性;具有良好的光电特性,合适的HOMO和LUMO能级,使得电子和空穴在发光层的分布更加平衡,可有效降低器件电压,提高器件的电流效率和寿命。
附图说明
图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图;
其中,1为透明基板层,2为ITO阳极层,3为空穴注入层,4为空穴传输/电子阻挡层,5为发光层,6为空穴阻挡/电子传输层,7为电子注入层,8为阴极反射电极层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明进行具体描述。
实施例1化合物2的合成:
合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入16.2g 4-(4-溴-苯基)二苯并呋喃(0.05mol)和1.44gMg粉(0.06mol),60ml四氢呋喃,加热回流4小时,反应完全,生成格式试剂;
11.1g10,10-二甲基蒽酮(0.05mol)溶于50ml四氢呋喃中,滴加上述格式试剂,60℃反应24小时,生成大量白色沉淀,最后加入饱和NHCl4将格式盐转化为醇;反应完毕后,乙醚萃取,干燥旋蒸,石油醚:二氯甲烷混合溶剂(3:2)硅胶柱纯化,得到略带黄色的固体叔醇(收率为85%);使用DEI-MS来识别该化合物,分子式C34H26O2,检测值[M+1]+=466.93,计算值466.19;
按1:1.5当量取18.7g上述叔醇(0.04mol)和4.7g苯基(0.06mol)溶于100ml二氯甲烷中,在室温条件下滴加8ml三氟化硼·乙醚络合物,反应30分钟,加入20ml乙醇和20ml水淬灭反应,用二氯甲烷(20ml*3)萃取,干燥旋蒸,石油醚硅胶柱纯化,用乙醇:二氯甲烷重结晶(收率为68%);
使用DEI-MS来识别该化合物,分子式C40H30O,检测值[M+1]+=527.05,计算值526.23。
实施例2化合物4的合成:
合成路线:
按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于用6-(4-溴-苯基)萘并苯并呋喃代替4-(4-溴-苯基)二苯并呋喃,用联苯代替苯;
使用DEI-MS来识别该化合物,分子式C50H36O,检测值[M+1]+=653.13,计算值652.28。
实施例3化合物28的合成:
合成路线:
按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于用1-(4-溴-苯基)-9,9-二甲基芴代替4-(4-溴-苯基)二苯并呋喃,用联苯代替苯;
使用DEI-MS来识别该化合物,分子式C49H40,检测值[M+1]+=629.15,计算值628.31。
实施例4化合物38的合成:
合成路线:
按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于用4-溴-N,N-二苯基苯胺代替4-(4-溴-苯基)二苯并呋喃,用三苯胺代替苯;
使用DEI-MS来识别该化合物,分子式C52H42N2,检测值[M+1]+=695.25,计算值694.33。
实施例5化合物40的合成:
合成路线:
按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于用N-([1,1’-联苯基]-2-基)-N-(4-溴苯基)-9,9-二甲基芴-3-胺代替4-(4-溴-苯基)二苯并呋喃;
使用DEI-MS来识别该化合物,分子式C55H45N,检测值[M+1]+=720.15,计算值719.36。
实施例6化合物50的合成:
合成路线:
按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于用3-溴-9-苯基-9H-咔唑代替4-(4-溴-苯基)二苯并呋喃;
使用DEI-MS来识别该化合物,分子式C40H31N,检测值[M+1]+=525.99,计算值525.25。
实施例7化合物53的合成:
合成路线:
按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于用3-溴-9-苯基-9H-咔唑代替4-(4-溴-苯基)二苯并呋喃;用9-苯基-9H-咔唑代替苯;
使用DEI-MS来识别该化合物,分子式C52H38N2,检测值[M+1]+=691.38,计算值690.30。
实施例8化合物63的合成:
合成路线:
按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于用9-(4-溴苯基)-9H-咔唑代替4-(4-溴-苯基)二苯并呋喃;用9-苯基-9H-咔唑代替苯;
使用DEI-MS来识别该化合物,分子式C52H38N2,检测值[M+1]+=691.35,计算值690.30。
实施例9化合物65的合成:
合成路线:
按实施例1中化合物1的合成方法制备,不同点在于用5-(4-溴苯基)-5H-二苯并[b,f]氮杂卓代替4-(4-溴-苯基)二苯并呋喃;
使用DEI-MS来识别该化合物,分子式C42H33N,检测值[M+1]+=552.08,计算值551.26。
本发明化合物在发光器件中使用,可以作为空穴传输层材料,也可以作为电子阻挡层材料。对本发明化合物38、化合物40、现有材料NPB进行了热性能及作为空穴材料所必须满足的HOMO、LUMO能级的测试,检测结果如表1所示。
表1
化合物 | Tg(℃) | Td(℃) | HOMO能级(ev) | LUMO能级(ev) |
化合物38 | 138 | 421 | -5.6 | -2.1 |
化合物40 | 135 | 395 | -5.5 | -2.2 |
材料NPB | 98 | 342 | -5.4 | -2.3 |
注:玻璃化温度Tg由示差扫描量热法(DSC,德国耐驰公司DSC204F1示差扫描量热仪)测定,升温速率10℃/min;热失重温度Td是在氮气气氛中失重1%的温度,在日本岛津公司的TGA-50H热重分析仪上进行测定,氮气流量为20mL/min;最高占据分子轨道HOMO能级及最低占据分子轨道LUMO能级是由光电子发射谱仪(AC-2型PESA)、以及紫外分光光度计(UV)测试计算所得,测试为大气环境。
由上表数据可知,本发明空穴传输/电子阻挡材料具有合适的HOMO、LUMO能级,可起到空穴传输及电子阻挡作用,本发明二甲基蒽化合物具有较高的热稳定性,使得所制作的含有本发明化合物的OLED器件寿命提升。以下,通过器件实施例1~9详细说明本发明所提供的化合物作为空穴传输/电子阻挡层材料,应用在电致发光器件上,并以比较例1证明其有益效果。各实施例所得器件的性能测试结果见表2所示。
器件实施例1
一种电致发光器件,其制备步骤包括:
a)清洗透明基板层1上的ITO阳极层2,分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗各15分钟,然后在等离子体清洗器中处理2分钟;
b)在ITO阳极层2上,通过真空蒸镀方式蒸镀空穴传输层材料HAT-CN,厚度为10nm,这层作为空穴注入层3;
c)在空穴注入层3上,使用本发明化合物2作为空穴传输层/电子阻挡层材料,厚度为80nm,该层为空穴传输层/电子阻挡层4;
d)在空穴传输/电子阻挡层4之上蒸镀发光层5,CBP作为主体材料,Ir(ppy)3作为磷光掺杂材料,磷光材料掺杂质量比为10%,厚度为30nm;
e)在掺杂型发光层化合物之上,通过真空蒸镀方式蒸镀电子传输材料TPBI,厚度为40nm,这层有机材料作为空穴阻挡/电子传输层6使用;
f)在空穴阻挡/电子传输6之上,真空蒸镀电子注入层LiF,厚度为1nm,该层为电子注入层7;
g)在电子注入层7之上,真空蒸镀阴极Mg:Ag/Ag层,Mg:Ag掺杂比例为9:1,厚度15nm,Ag厚度3nm,该层为阴极反射电极层8;
按照上述步骤完成电致发光器件的制作后,测量器件的电流效率和寿命,其结果见表2所示。
器件实施例2
本实施例与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的空穴传输/电子阻挡层材料变为本发明化合物4。所得电致发光器件的检测数据见表2所示。
器件实施例3
本实施例与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的空穴传输/电子阻挡层材料变为本发明化合物28。所得电致发光器件的检测数据见表2所示。
器件实施例4
本实施例与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的空穴传输/电子阻挡层材料变为本发明化合物38。所得电致发光器件的检测数据见表2所示。
器件实施例5
本实施例与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的空穴传输/电子阻挡层材料变为本发明化合物40。所得电致发光器件的检测数据见表2所示。
器件实施例6
本实施例与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的空穴传输/电子阻挡层材料变为本发明化合物50。所得电致发光器件的检测数据见表2所示。
器件实施例7
本实施例与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的空穴传输/电子阻挡层材料变为本发明化合物53。所得电致发光器件的检测数据见表2所示。
器件实施例8
本实施例与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的空穴传输/电子阻挡层材料变为本发明化合物63。所得电致发光器件的检测数据见表2所示。
器件实施例9
本实施例与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的空穴注入层材料变为本发明化合物39,空穴传输/电子阻挡层材料变为NPB。所得电致发光器件的检测数据见表2所示。
器件比较例1
本比较例与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的空穴传输/电子阻挡层材料变为NPB。所得电致发光器件的检测数据见表2所示。
表2
编号 | 电流效率 | 色彩 | LT95寿命 |
器件实施例1 | 1.4 | 绿光 | 3.5 |
器件实施例2 | 1.3 | 绿光 | 2.9 |
器件实施例3 | 1.5 | 绿光 | 3.4 |
器件实施例4 | 1.7 | 绿光 | 3.1 |
器件实施例5 | 1.5 | 绿光 | 3.3 |
器件实施例6 | 1.5 | 绿光 | 4.5 |
器件实施例7 | 1.7 | 绿光 | 4.8 |
器件实施例8 | 1.6 | 绿光 | 4.3 |
器件实施例9 | 1.5 | 绿光 | 5.8 |
器件比较例1 | 1.0 | 绿光 | 1.0 |
注:器件测试性能以器件比较例1作为参照,比较例1器件各项性能指标设为1.0。比较例1的电流效率为28cd/A(@10mA/cm2);CIE色坐标为(0.33,0.63);5000亮度下LT95寿命衰减为2.5Hr。
由表2的结果可以看出本发明所述含有二甲基蒽结构的机化合物可应用于OLED发光器件制作,并且与对比例相比,无论是效率还是寿命均比已知OLED材料获得较大改观,特别是器件的寿命获得较大的提升。
综上,以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种含有二甲基蒽的光电材料,其特征在于所述材料的结构式通式如通式(1)所示:
其中,R1、R2分别独立的表示为C6-C40取代或未取代的芳香基团;
R1还可以表示为苯基、联苯基或萘基。
2.根据权利要求1所述的光电材料,其特征在于所述通式(1)中,R1、R2分别独立地采用通式(2)、通式(3)或通式(4)表示:
通式(2)中,X表示为氧原子、硫原子、硒原子、C1-10直链或支链烷基取代的亚烷基、烷基或芳基取代的芳胺基中的一种;R3、R4分别独立的表示为氢基或苯基;
通式(3)中,R5、R6分别独立的表示苯基、萘基、联苯基、三联苯基、9,9-二甲基芴基、二苯并呋喃基中的一种;
通式(4)中,Y表示为CnHn,n=0或2;R3、R4分别独立的表示为氢基或苯基;
R1还可以表示为苯基、联苯基或萘基。
3.根据权利要求2所述的光电材料,其特征在于所述通式(2)、通式(4)中的R3、R4基团与中间苯环通过C-C键相连或通过苯并环形式相连。
4.根据权利要求1所述的光电材料,其特征在于所述通式(1)中,R1、R2分别独立的表示为:
中的任一种;
R1还可以选择如下基团:
中的任一种。
5.根据权利要求1所述的光电材料,其特征在于所述含有二甲基蒽的光电材料的具体结构式为:
中的任一种。
6.一种权利要求1所述光电材料的制备方法,其特征在于该方法的合成路线为:
其中,R1、R2分别独立表示为C6-C40的取代或未取代的芳香基团;
R1还可以表示为苯基、联苯基或萘基;
所述制备方法以R2-Br为原料,通过格氏反应,制得格氏试剂,然后和二甲基蒽酮反应,生成叔醇,叔醇和R1-H通过付-克反应,制得所述有机化合物。
7.一种包含权利要求1~5任一项所述光电材料的有机电致发光器件,其特征在于所述光电材料作为空穴注入材料、空穴传输材料或电子阻挡材料,用于有机电致发光二极管。
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