CN102231359A - 制造软性元件的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种制造软性元件的方法，其特征为包含：提供硬性载板；形成具有预定图案的密着层于该硬性载板上；形成软性基材层于该硬性载板上，其中该软性基材层的一部分接触于该硬性载板，形成第一接触界面，剩余部分接触于该密着层，形成第二接触界面；形成至少一个元件于该软性基材层的与该第一接触界面相反的表面上；及自第一接触界面将软性基材与硬性载板分离。

Description

制造软性元件的方法
技术领域
本发明涉及制造软性元件的方法，特别涉及容易将具有软性基材的元件从硬性载板分离的方法。
背景技术
目前平面显示器(Flat Panel Display；FPD)已取代传统阴极射线管(CRT)成为市场的主流。已知的平面显示器包括：液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)及有机发光显示器(OLED)等。大多数的平面显示器是在硬性基板(例如玻璃)上加工后制得。这种硬性显示器由于缺乏可挠性，使其用途受到限制。因此，以软性基材取代传统玻璃基板的软性显示器成为目前的研究重点之一。
软性基材可分为三大类，分别为薄玻璃基板、金属箔基板及塑料基板。上述各种软性基材各有其优、缺点。使用薄玻璃基板的软性显示器制造工艺与目前已量产的硬性平面显示器近似；然而，为使基板可弯曲，其厚度必须相当薄且易碎，安全性不佳，此外，其可挠度无法与其它软性基材竞争。金属箔基板的优点为耐高温、高阻水阻气特性及耐化学性，缺点为其本身不透明，因此仅能搭配特定显示元件，例如反射式显示器。塑料基板适合各种显示元件且可使用卷对卷(roll-to-roll)方式生产。但是大多数塑料基板不耐高温，使得制造工艺的温度受到限制，此外，其热膨胀系数大，易使基板产生形变。
再者，由于软性基材过于轻、薄，易有平整性问题，元件无法直接于软性基材上制作，因此，如何成功地在软性基材上配置元件为目前主要的技术重点之一。目前业界的作法之一是先将软性基材附着在一硬性载板上，待元件制作完成后，再将软性基材自硬性载板上剥离。因此，如何在不影响元件质量的情况下，成功地将软性基材自硬性载板上剥离为此类技术的瓶颈。
图1为在软性基材上制造元件的常规方法的示意图。如图1(a)所示，软性基材104经由粘着层102附着在硬性载板100上，接着在该软性基材上形成一元件结构，例如有机薄膜晶体管。其制造工艺例如包括形成栅极108、介电层106、漏/源极110及112、及通道114。如图1(b)所示，在制备目标元件之后，将软性基材与硬性载板分离；然而，由于粘着层102之粘着力，使得软性基材不易被分离，且分离后易留有残胶，影响元件质量。此外，粘着层通常不耐高温，因此，此方法无法用于需在高温下的元件制造工艺。
美国专利第7,466,390号另揭示一种制造软性显示器装置的方法，其包含提供一基板装置，该基板装置包括一硬性玻璃基板及位于其上的塑料基板；在该塑料基板上形成元件；在元件形成后，使用激光将自该塑料基板上释放该硬性玻璃基板。然而，此一技术不但制造工艺较为繁琐、费时，且设备昂贵，费用太高，还有激光必须精准，硬性玻璃基板无法再回收利用等缺点。
另一种制备软性电子元件的方法为日商精工爱普生公司(SeikoEpson)及索尼公司(Sony)所开发的间接转贴技术，其为先在硬性载板上制造元件，再将其转贴至软性基材上。然而，精工爱普生公司的SUFTLA技术必需精准控制激光，将薄膜晶体管阵列与玻璃基板完整剥离。索尼公司使用氢氟酸去除玻璃基板，并使用对氢氟酸具有高蚀刻选择比的材料作为蚀刻阻挡层，当玻璃基板被氢氟酸蚀刻至蚀刻阻挡层时，便不会再继续蚀刻，随后再去除蚀刻阻挡层并将元件转贴至塑料基板上；此技术必须使用高毒性的氢氟酸，且必须在蚀刻时保护元件不受蚀刻液侵蚀。上述转贴技术虽可适用于高温制造工艺，但是除上述缺点外，尚有制造工艺繁琐不利于大量生产等缺失。
为解决上述问题，美国专利第7,575,983号揭示一种在软性基材上制作元件的方法。该方法使用聚合物材料作出无粘着力的『离型层』，作为软性基材层与硬性载板间的界面层，然后将其泡入水中，利用此界面层将软性基材取下。但是一般元件都怕水，因此需要另外制作保护层。另外，台湾专利申请案第98126043揭示一种应用在软性元件的基板结构的制造方法，该基板结构包含一软性基板、一离型层、一粘合剂与一支撑载体，其利用离型材料与软性基板密着度不佳，而粘合剂与软性基板密着度甚佳的特性，使转贴于支撑载体上的软性基板在制造工艺中不致脱落，并在完成所有制造工艺后，可轻易分离。但是使用离型层和粘合剂，制造工艺较复杂，也增加制造成本，而且所使用的离型层或粘合剂耐热性不佳，一般元件制造工艺往往需要在超过200℃的高温操作，因此容易造成质量不稳定。
发明内容
为解决上述问题，本发明主要目的在于提供一种制造软性元件的方法，其包含：提供硬性载板；形成具有预定图案的密着层于该硬性载板上；形成软性基材层于该硬性载板上；其中该软性基材层的一部分接触于该硬性载板，形成第一接触界面，剩余部分接触于该密着层，形成第二接触界面；形成一个或多个元件于该软性基材层的与该第一接触界面相反的表面上；及自第一接触界面将软性基材与硬性载板分离。
本发明另提供一种软性基材分离方法，特别是一种将软性基材自硬性载板上分离的方法，其包含：提供硬性载板；形成具有预定图案的密着层于该硬性载板上；形成软性基材层于该硬性载板上，其中该软性基材层的一部分接触于该硬性载板，形成第一接触界面，剩余部分接触于该密着层，形成第二接触界面；及自第一接触界面将软性基材与硬性载板分离。
本发明的有益效果是本发明的方法可使用目前制造商的现有设备进行操作，降低其成本；在元件制造过程中，可将软性基材有效固定于硬性载板上，减少元件制作过程中因软性基材移动而产生的对准(registration)偏差；且在元件制造完成后，可轻易将软性基材自硬性载板上分离，不会在元件下方留下残胶；同时具有耐高温、对准精准和软性基材容易取下的三种优点。
附图说明
图1为在软性基材上制造元件的常规方法的示意图。
图2至4为本发明的具有预定图案的密着层的示意图。
图5为本发明制备具有预定图案的密着层的方法的一个实施方式示意图。
图6为本发明制造软性元件的方法的一个实施方式示意图。
图7为密着促进剂与硬性载板产生化学键合的示意图。
图8为密着促进剂与软性基材产生化学键合的示意图。
【主要元件符号说明】
21、31及41密着层
50        玻璃载板
51        光刻胶组合物
51′      突起物
52        具有预定图案的密着层
58        涂层
60        硬性载板
62        密着层
63        软性基材层
64        元件
65        软性元件
100       硬性载板
102       粘着层104    软性基材
106       介电层
108       栅极
110及112  漏/源极
114       通道
201、202、203及204  离型区域
301、302、303及304  离型区域
401、402、403及404  离型区域
610                 第一接触界面
620                 第二接触界面
A                   密着区域
R                   离型区域
具体实施方式
本文中所用「离型区域」一词是指在本发明方法中欲将软性基材与硬性载板分离的区域。
本文中所用「密着区域」一词是指在本发明方法中欲将软性基材与硬性载板透过密着促进层接触的区域。
在本文中所用「软性基材层的一部分」一词是指约50％至约99.9％的软性基材层，优选约80％至约99.5％的软性基材层。
本发明所用的硬性载板可为任何本领域普通技术人员所已知的硬性载板，其包括但不限于：玻璃、石英、晶圆、陶瓷、金属或金属氧化物。
本发明方法的重点在于：在形成软性基材层之前，先在硬性载板上形成具有预定图案的密着层，使得软性基材层的一部分接触于该硬性载板，形成第一接触界面，剩余部分接触于该密着层，形成第二接触界面。由于密着层包含密着促进剂，可分别与软性基材和硬性载板产生化学键合，因此，即使不使用粘合剂(binder)，仍可将软性基材层与该硬性载板有效固定。再者，第二接触界面因存在密着促进剂，具有强的密着性(adherence)；第一接触界面的软性基材及硬性载板之间并无密着促进剂，不会产生化学键，密着性不佳，所以第一接触界面的密着性小于第二接触界面的密着性，在元件制造完成后，只要沿着元件边缘或在其外围进行简单裁切的步骤，即可轻易将第一接触界面的软性基板与硬性载板剥离，使在硬性载板上的制造工艺技术轻易转移至软性基材上。此外，由于第一接触界面的软性基材及硬性载板之间并无不耐高温的离型层或粘合剂存在，因此本发明的方法可用于需在高温操作的元件制造工艺。
上述具有预定图案(pattern)的密着层的图案形状并无特定图形化形式，其分布于离型区域的外围，例如，以类似框架的形式存在。上述离型区域的形状并无特殊限制，例如可为正方形、长方形、菱形(rhombus)、圆形、椭圆形(elliptical)等，考虑裁切，优选正方形或长方形。图2、图3及图4分别为该密着层的实施方式之一。在图2中，离型区域形状为矩形(201、202、203、及204)，密着层21分布于离型区域的外围，以包含这些矩形的框架形式存在。在图3中，离型区域形状为椭圆形(301、302、303、及304)，密着层31分布于离型区域的外围，以包含这些椭圆形的框架形式存在。在图4中，离型区域形状为矩形(401、402、403及404)，密着促进层41以多个点状分布在矩形401、402、403及404的对角线位置。
该密着层上的预定图案根据目标离型区域的需求而设计。举例说明，最终产品为呈矩形的软性元件时，此时欲限定的离型区域形状也为矩形，硬性载板上的密着层的图案可呈包含一个或多个矩形的框架形式。图案的宽度并无特殊限制，依其裁切的刀具而调整，只要能便于操作并能有效将软性基材层固定在硬性载板上即可，一般介于约5至约1000微米之间，根据本发明的一个实施方式，例如可为约5、约10、约30、约50、约100、约300、约500或约700微米。
本发明的密着层以包含溶剂及密着促进剂的组合物所制得。上述溶剂的种类，包括但不限于：丙二醇单甲醚(propylene glycolmonomethyl ether，PGME)、二丙二醇甲醚(dipropylene glycol methylether，DPM)、丙二醇单甲醚醋酸酯(propylene glycol monomethyl etheracetate，PGMEA)或其组合，优选为丙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚醋酸酯或其组合。上述密着促进剂可为本领域普通技术人员所熟知的任何密着促进剂，包括但不限于：硅烷偶联剂；芳香环或杂环化合物；磷酸酯类化合物；多价金属盐或酯类，例如钛酸酯或锆酸酯；有机聚合物树脂，例如环氧树酯或聚酯树酯；或氯化聚烯烃等。
本发明所用的密着促进剂可分别与软性基材和硬性载板产生化学键合，优选考虑硬性载板及软性基材的种类而确定，选择与该硬性载板及该软性基材的附着力好的密着促进剂。举例言之，当硬性载板为金属基板，例如金、银或铜，且软性基材为聚酰亚胺时，可选用具有氨基的芳香环或杂环化合物，例如氨基苯硫酚、氨基四唑或2-(二苯基膦基)乙胺(2-(Diphenylphosphino)ethylamine)。当软性基材为聚酰亚胺且硬性载板为玻璃时，可选用同时具有氨基及低级烷氧基的单体或聚合物，例如具有氨基的硅氧烷单体、具有氨基的聚硅氧烷或其组合，优选具有氨基的硅氧烷单体，如3-氨基丙基三乙氧基硅烷(3-Aminopropyltriethoxy silane，APrTEOS)、3-氨基丙基三甲氧基硅烷(3-Aminopropyltrimethoxy silane，APrTMOS)或其组合。
可用于本发明的市售具有氨基的硅氧烷单体例子包括：VM-651及VM-652(日立杜邦微系统公司(Hitachi DuPont Microsystem))；AP-3000(陶氏化学公司(Dow Chemical))；KBM-903及KBE-903(信越化学公司(Shin Etsu))；与AP-8000(长兴公司(Eternal Chemical))。
可通过本领域普通技术人员所熟知的任何方法，将包含溶剂及密着促进剂的组合物施加至该硬性载板上以制备本发明的具有预定图案的密着层。上述方法包括但不限于：丝网印刷(Screen Printing)法、涂布(Coating)法、点胶(Dispensing)法、光刻(Photolithography)法或上述方法的组合。
根据本发明的一个实施方式，该具有预定图案的密着层通过光刻法形成于该硬性载板上，例如负性光刻胶工艺或正性光刻胶工艺。图5为使用光刻制造工艺制备本发明具有预定图案的密着层的一个实施方式的示意图。如图5(a)所示，先将至少一层光刻胶组合物51涂布于玻璃载板50上并进行软烤(soft baking)。适用于本发明的光刻胶组合物并无特殊限制，例如，可包含：a)至少一种可光固化的单体或低聚物或其混合物；b)聚合物粘合剂；c)光引发剂；及d)可选的热固化剂。已有多个文献揭露各种光刻胶组合物及其制备方式，例如美国专利申请案第11/341,878号、第11/477,984号、第11/728,500号、第10/391,051号、第09/040,973号、第09/376,539号、第09/364,495号及第08/936305号，上述文献系全文并入本文中作为参考。随后使用光掩模限定出离型区域的形状，并进行包含曝光及显影的光刻制造工艺，在硬性载板留下具有离型区域的形状的突起物51′(图5(b))，相关制造工艺参数为本领域普通技术人员可轻易得知的工艺参数。再使用如旋转涂布(Spin Coating)、狭缝涂布(Slot Coating)或气相蒸镀法(Vapor Prime)等方式，将包含溶剂及密着促进剂的组合物涂布于玻璃载板50上形成涂层58(图5(c))，随后进行加热(包括但不限于：在约120℃至约150℃的温度下进行软烤，历时约5分钟至约30分钟)，使得密着促进剂与硬性载板产生化学键合并由此去除溶剂，根据需要，可再进行加热步骤以除去剩余溶剂。再使用极性有机溶剂，例如N-甲基吡咯烷酮(N-methyl-pyrrolidone，NMP)、二甲亚砜(dimethyl sulfoxide，DMSO)、丙二醇单甲醚(propylene glycolmonomethyl ether，PGME)、丙烯腈(acrylonitrile，AN)、丙酮或丙二醇单甲醚醋酸酯(propylene glycol monomethylether acetate，PGMEA)，除去该突起物51′及其外围的密着促进剂，留下具有预定图案的密着层52(图5(d))。
根据本发明的另一实施方式，该具有预定图案的密着层的形成方法，为通过涂布法例如辊涂(roller coating)法形成于该硬性载板上。根据本发明的一个具体实施方式，为将包含溶剂及密着促进剂的组合物，以辊涂(roller coating)法涂布于玻璃载板上，产生具有该预定图案的涂层，随后进行加热(包括但不限于：在约120℃至约150℃的温度下进行软烤，历时约5分钟至约30分钟)，使得密着促进剂与硬性载板产生化学键合并除去溶剂，即可制得该具有预定图案的密着层。
本发明的密着层在去除溶剂后所得厚度介于约0.5纳米至约5微米之间，优选介于约0.7纳米至约5纳米之间。密着层的厚度并无特殊限制，只要能发挥其效用即可。然而为了节省材料或其它考虑热膨胀系数(coefficient of thermal expansion)，应越薄越好。根据本发明的一个实施方式，在软烤后，可制得厚度小于1纳米的密着层。
本发明的软性基材层可使用本领域普通技术人员所知的任何方法形成于已配置密着层的硬性载板上，例如将软性基材层压(lamination)于硬性载板上，或者利用涂布法形成于硬性载板上，或者利用蒸镀(Vapor Deposition)法形成于硬性载板上。
根据本发明的一个实施方式，使用涂布方法形成该软性基材层。上述涂布方法为本领域普通技术人员所熟知的，例如狭缝式涂布法(slotdie coating)、微凹版印刷涂布法(micro gravure coating)、辊涂法(rollercoating)、浸涂法(dip coating)、喷涂法(spray coating)、旋涂法(spincoating)或帘涂法(curtain coating)或上述方法的组合。若为了获得较薄软性基材的目的，优选使用狭缝式涂布法、微凹版印刷涂布法或辊涂法。
上述软性基材层的厚度并无特殊限制。一般而言，软性基材层介于约5至约50微米之间，较佳为优选介于约10至约25微米之间，根据本发明的一个实施方式，例如可为约10、约15、约20或约25微米。
适用于本发明的软性基材并无特殊限制，例如为薄玻璃基材、金属薄基材或塑料基材。上述金属薄基材的种类，包括但不限于不锈钢薄金属基材。根据本发明的一个实施方式，该软性基材选用塑料基材，其种类可为本领域普通技术人员所熟知的任何聚合物材料，例如：聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚苯醚砜(polyethersulfone；PES)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，PA)、聚硅氧烷(polysiloxane)、聚降冰片烯(polynorbornene，PNB)、聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)、聚醚酰亚胺(polyetherimide，PEI)、聚酰亚胺(polyimide；PI)或其组合。根据本发明的一个优选实施方式，该聚合物材料为聚酰亚胺，可适用于耐350℃以上的高温制造工艺。
下文以聚酰亚胺为例，举例说明本发明的软性基材层的制备方式。将聚酰亚胺前驱物，即，聚酰胺酸(polyamic acid)涂布在已配置密着层的硬性载板上，随后将其聚合及环化成聚酰亚胺。例如，可以下列流程制备聚酰亚胺：
Figure BSA00000503782500101
其中G为四价有机基团，P为二价有机基团且m为0至100的整数。或者，可使用其它聚酰亚胺前驱物或前驱物组合物以制备聚酰亚胺，包括但不限于使用下式的聚酰亚胺前驱物：
使用包含下述组分的聚酰亚胺前驱物或前驱物组合物
Figure BSA00000503782500112
及H2N-P-NH2。
其中G、P、m如上述之定义，Rx各自独立为H或可感光基团，R为有机基团。
本领域中已开发出各种不同聚酰亚胺前驱物的聚合及环化方法以及由其所制得的聚酰亚胺，例如美国专利申请案第11/785,827号、第11/119,555号、第12/846,871号及第12/572,398号与中国专利申请案第200610162485.X号、第200710138063.3号。上述文献的全文并入本文中作为参考。
根据本发明的方法，在形成软性基材层之后，可于该软性基材层的与该第一接触界面相反的表面上形成元件。上述元件的种类并无特殊限制，可为半导体元件、电子元件、显示元件或太阳能元件等，优选用于制造电子元件或显示元件。上述电子元件包括但不限于：有机薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管；或电路元件。上述显示元件包括但不限于液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED)、聚合物发光显示器(PLED)、或电泳显示器等。元件的制备方法为本领域技术人员所熟知。
本发明的方法中使用具有预定图案的密着层，使得软性基材层的一部分接触于该硬性载板，形成第一接触界面，剩余部分接触于该密着层，形成第二接触界面。本发明的方法因第一接触界面的软性基材及硬性载板之间并无密着促进剂，不会产生化学键合，故其密着性小于第二接触界面的密着性。根据本发明的一个实施方式，第一接触界面的密着性为约0B～约1B(百格刀密着性测试；下同)，第二接触界面的密着性为约2B～约5B，优选约4B～约5B。
一般而言，虽然软性基材的化学结构上存在许多电负性强的氧原子或氮原子等，会与硬性载板(例如：玻璃)上的羟基产生氢键而贴合。但是氢键的密着性不强，在元件制作过程中易产生对准偏差，且当进行裁切时，软性基材容易因密着性不足而产生卷曲现象，因而降低生产良率。本发明的方法，可经由密着层将软性基材层固定在硬性载板上，减少元件制作过程产生的对准偏差，降低不合格率；且由于元件是在软性基材层的与该第一接触界面相反的表面上形成，所以，在元件制备完成后，可轻易将承载有目标元件的软性基材自硬性载板上分离，不会在元件下方留下残胶。上述分离方法包括但不限于：沿着元件边缘或在其外围进行简单裁切，随后将承载有目标元件的软性基材与硬性载板剥离。
以下配合图6及7，以本发明的一个实施方式具体说明本发明的制造软性元件的方法，但是，该实施方式仅为示例，无论如何不用以限制本发明的范围。
首先，如图6(a)所示，提供硬性载板60，该硬性载板为玻璃。
接者，如图6(b)所示，使用丝网印刷(Screen Printing)或辊涂(RollerCoating)等方式，将包含溶剂及密着促进剂的组合物，涂布于玻璃载板60上，形成具有预定图案的密着层62，同时限定出离型区域R及密着区域A，随后进行软烤(包括但不限于：在约120℃至约150℃的温度下，历时约5分钟至约30分钟)，再根据需要，加热挥发密着层中的溶剂。如图7所示，在涂布后，密着促进剂中的烷氧基会与空气中的水反应生成羟基，由此与玻璃载板60上的羟基(-OH)产生氢键键合；在进行软烤后，进一步与玻璃载板60上的羟基(-OH)发生缩合反应产生化学键合。该预定图案可如图2、图3、或图4所示或为其它图案，且分布于离型区域的外围。上述溶剂可为丙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚醋酸酯或其组合，优选丙二醇单甲醚。上述密着促进剂可为3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷或其组合。
接者，如图6(c)所示，形成软性基材层63于该硬性载板60上。在此实例中，使用聚酰亚胺作为软性基材，以狭缝式涂布法将聚酰亚胺前体涂布在已配置密着层62的硬性载板60上。接着进行软烤(包括但不限于：在约80℃至约120℃的温度下，历时约10分钟至20分钟)，使得密着促进剂中的氨基(-NH2)与聚酰亚胺前体产生化学键合(如图8所示)，随后将聚酰亚胺前驱物聚合及环化成聚酰亚胺以制得该软性基材层。在图6(c)中，该软性基材层的一部分接触于该硬性载板60，形成第一接触界面610，剩余部分接触于该密着层，形成第二接触界面620。由于第二接触界面的密着促进剂分别与软性基材和硬性载板产生化学键合，但第一接触界面并无密着促进剂存在，不会产生化学键合，所以第一接触界面的密着性小于第二接触界面。
在完成图6(c)所述将软性基材层63形成于该硬性载板60上的步骤后，接着如图6(d)所示，将元件64形成于该软性基材层63的与该第一接触界面相反的表面上。上述元件64的种类并无特殊限制，可为半导体元件、电子元件、显示元件或太阳能元件等，在此实例中，为电子元件或显示元件。
随后，如图6(e)所示，在将承载有目标元件的软性基材层63沿着元件边缘进行裁切。再如图6(f)所示，自第一接触界面610将软性基材63与硬性载板60分离，即可得到软性元件65。上述裁切的切割线可落于密着区域A与离型区域R相接处(如图6(f))、密着区域A内或离型区域R内，优选落于密着区域A与离型区域R相接处。当切割线落于密着区域A内时，优选使其落于密着区域A与离型区域R相接处附近，以利于将软性基材与硬性载板分离。此外，当切割线落于离型区域R内时，优选使其落于密着区域A与离型区域R相接处附近，以利于降低软性基材因裁切发生的卷曲现象。
本发明的方法使用具有预定图案的密着层将软性基材有效密着于硬性载板上，因此可减少元件制作过程产生的对准偏差；且由于元件在软性基材层的未经由密着层密着至硬性载板的部分上制造，所以，在元件制造完成后，可轻易将软性基材自硬性载板上分离。基于上述技术特征，本发明的方法，可根据元件尺寸及形状来决定密着促进层的预定图案，因此可适用于制备各种尺寸的软性元件。
本发明的优选实施方式已揭露如上，但其用于对本发明进行具体说明，而非用以限制本发明的范围。对于本领域普通技术人员显而易见的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明进行各种变更和修改，这些变更和修改后的技术方案包含在本发明的范围内。

Claims (14)

1.一种制造软性元件的方法，其特征在于包含：
提供硬性载板；
形成具有预定图案的密着层于该硬性载板上；
形成软性基材层于该硬性载板上，其中该软性基材层的一部分接触于该硬性载板，形成第一接触界面，剩余部分接触于该密着层，形成第二接触界面；
形成至少一个元件于该软性基材层的与该第一接触界面相反的表面上；及
自第一接触界面将软性基材与硬性载板分离。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于其中该硬性载板包含玻璃、石英、晶圆、陶瓷、金属或金属氧化物。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于其中该具有预定图案的密着层由包含溶剂及密着促进剂的组合物制得。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于其中该密着促进剂为选自由硅烷偶联剂、芳香环或杂环化合物、磷酸酯类化合物、多价金属盐或酯类、有机聚合物树脂、氯化聚烯烃及其混合物所组成的组。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于其中该溶剂选自由丙二醇单甲醚、二丙二醇甲醚、丙二醇单甲醚醋酸酯及其混合物所组成的组。
6.如权利要求3所述的方法，其特征在于其中该具有预定图案的密着层通过丝网印刷法、涂布法、点胶法、光刻法或上述方法的组合形成于该硬性载板上。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于其中该软性基材为薄玻璃基材、金属薄基材或塑料基材。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于其中该软性基材为塑料基材，其选自由聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯醚砜、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚硅氧烷、聚降冰片烯、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺及聚酰亚胺及其混合物所组成的组。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于其中软性基材为聚酰亚胺，硬性载板为金属基板，且密着层包含具有氨基的芳香环或杂环化合物作为密着促进剂。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于其中该密着促进剂选自氨基苯硫酚、氨基四唑、2-(二苯基膦基)乙胺及其组合。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于其中软性基材为聚酰亚胺，硬性载板为玻璃，且密着层包含选自具有氨基的硅氧烷单体、具有氨基的聚硅氧烷及其组合的密着促进剂。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于其中该密着促进剂选自3-氨基丙基三乙氧基硅烷单体、3-氨基丙基三甲氧基硅烷单体及其组合。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于其中该元件为半导体元件、电子元件、显示元件或太阳能元件。
14.一种将软性基材自硬性载板上分离的方法，其特征在于包含：
提供硬性载板；
形成具有预定图案的密着层于该硬性载板上；
形成软性基材层于该硬性载板上，其中该软性基材层的一部分接触于该硬性载板，形成第一接触界面，剩余部分接触于该密着层，形成第二接触界面；及
自第一接触界面将软性基材与硬性载板分离。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102664163A (zh) * 2012-04-12 2012-09-12 华映视讯（吴江）有限公司 软性显示面板的制造方法
CN103681484A (zh) * 2012-08-31 2014-03-26 三星显示有限公司 柔性显示装置的制造方法及用于制造该装置的载体基板
KR20140054678A (ko) * 2012-10-29 2014-05-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN103956363A (zh) * 2014-03-03 2014-07-30 上海天马有机发光显示技术有限公司 复合基板及其制造方法、柔性显示装置及其制造方法
CN103985824A (zh) * 2014-04-10 2014-08-13 四川虹视显示技术有限公司 柔性屏制成方法及玻璃基板剥离方法
CN104854722A (zh) * 2012-11-30 2015-08-19 株式会社Lg化学 包括柔性基板的有机发光器件及其制备方法
CN105024018A (zh) * 2014-04-29 2015-11-04 Tcl集团股份有限公司 一种柔性显示器及其制作方法
CN105098088A (zh) * 2014-05-05 2015-11-25 Tcl集团股份有限公司 一种柔性显示器及其薄膜封装方法
CN105103329A (zh) * 2013-09-30 2015-11-25 株式会社Lg化学 制备有机电子器件的方法
CN105280840A (zh) * 2014-07-09 2016-01-27 Tcl集团股份有限公司 一种柔性透明电极及其制备方法
CN105280841A (zh) * 2014-07-18 2016-01-27 Tcl集团股份有限公司 一种柔性amoled显示器件及其制备方法
CN107873110A (zh) * 2015-04-13 2018-04-03 柔宇科技有限公司 柔性基板及其支撑和分离方法
CN111341715A (zh) * 2018-12-19 2020-06-26 瀚宇彩晶股份有限公司 电子装置及其制作方法
CN111801721A (zh) * 2018-03-08 2020-10-20 夏普株式会社 可弯曲性显示装置的制造方法以及非可弯曲性基板
WO2021159737A1 (zh) * 2020-02-11 2021-08-19 信利半导体有限公司 一种可挠曲的透明薄膜太阳能电池制作方法

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9991311B2 (en) 2008-12-02 2018-06-05 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5524794B2 (ja) * 2010-09-29 2014-06-18 富士フイルム株式会社 レジストパターンの形成方法およびそれを利用した基板の加工方法
JP5899220B2 (ja) * 2010-09-29 2016-04-06 ポスコ ロール状の母基板を利用したフレキシブル電子素子の製造方法、フレキシブル電子素子及びフレキシブル基板
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
KR102034043B1 (ko) * 2012-11-30 2019-10-18 엘지디스플레이 주식회사 연성 표시소자 부착용 점착제 및 이를 이용한 연성 표시소자 제조방법
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US10014177B2 (en) * 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
US9340443B2 (en) 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
TWI617437B (zh) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
US9753317B2 (en) 2012-12-21 2017-09-05 Apple Inc. Methods for trimming polarizers in displays using edge protection structures
KR101992905B1 (ko) * 2012-12-24 2019-09-30 엘지디스플레이 주식회사 기판 표면 처리 장치 및 처리방법
EP2941347B1 (en) 2013-01-07 2021-06-02 Corning Incorporated Strengthened laminated glass structures
CN103151306B (zh) * 2013-03-08 2015-06-17 上海和辉光电有限公司 一种柔性电子器件的制备方法
KR20140142026A (ko) * 2013-06-03 2014-12-11 삼성디스플레이 주식회사 기판 합착용 하부 필름, 기판 밀봉체 및 이들을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP6363077B2 (ja) * 2013-07-24 2018-07-25 ユニチカ株式会社 積層体およびその処理法ならびにフレキシブルデバイスの製造方法
US9599852B1 (en) 2013-08-05 2017-03-21 Lensvector, Inc. Manufacturing of liquid crystal lenses using carrier substrate
KR20150035262A (ko) * 2013-09-27 2015-04-06 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
KR102151247B1 (ko) 2013-11-11 2020-09-03 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 패널의 제조 방법 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
KR20150056316A (ko) 2013-11-15 2015-05-26 삼성디스플레이 주식회사 소자 기판 제조 방법 및 상기 방법을 이용하여 제조한 표시 장치
TW201526718A (zh) 2013-12-17 2015-07-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 可撓性元件基板以及其製作方法
KR102195254B1 (ko) * 2013-12-30 2020-12-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 제조 방법
US10381224B2 (en) 2014-01-23 2019-08-13 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an electronic device and electronic device thereof
WO2017034645A2 (en) 2015-06-09 2017-03-02 ARIZONA BOARD OF REGENTS, a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY Method of providing an electronic device and electronic device thereof
WO2015175353A1 (en) * 2014-05-13 2015-11-19 Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing an electronic device and electronic device thereof
CN106132688B (zh) 2014-01-27 2020-07-14 康宁股份有限公司 用于薄片与载体的受控粘结的制品和方法
JP6234391B2 (ja) * 2014-02-28 2017-11-22 新日鉄住金化学株式会社 表示装置の製造方法及び表示装置用樹脂溶液
EP3129221A1 (en) 2014-04-09 2017-02-15 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
KR102253474B1 (ko) * 2014-11-21 2021-05-18 삼성전기주식회사 디태치 코어기판, 그 제조 방법 및 회로기판 제조방법
US9741742B2 (en) 2014-12-22 2017-08-22 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device
US10446582B2 (en) 2014-12-22 2019-10-15 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an imaging system and imaging system thereof
KR102342869B1 (ko) 2015-02-26 2021-12-23 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 이의 제조방법
CN104821294B (zh) * 2015-04-23 2017-02-22 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示装置及其制作方法
CN107635769B (zh) 2015-05-19 2020-09-15 康宁股份有限公司 使片材与载体粘结的制品和方法
CN117534339A (zh) 2015-06-26 2024-02-09 康宁股份有限公司 包含板材和载体的方法和制品
WO2017045202A1 (en) * 2015-09-18 2017-03-23 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of manufacturing flexible display device
CN105552225B (zh) * 2016-01-20 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 用于制造柔性基板的方法、柔性基板和显示装置
TW202216444A (zh) 2016-08-30 2022-05-01 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI810161B (zh) 2016-08-31 2023-08-01 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
TWI650346B (zh) * 2016-11-30 2019-02-11 長興材料工業股份有限公司 聚醯亞胺前驅物組合物及其應用
TWI621642B (zh) * 2016-11-30 2018-04-21 長興材料工業股份有限公司 聚醯亞胺前驅物及其應用
DK3602616T3 (en) 2017-03-24 2022-02-14 Cardlab Aps Method of assembling a plurality of electrical circuits to a carrier and subsequent removal of said electrical circuits
JP7260523B2 (ja) 2017-08-18 2023-04-18 コーニング インコーポレイテッド ポリカチオン性高分子を使用した一時的結合
CN111615567B (zh) 2017-12-15 2023-04-14 康宁股份有限公司 用于处理基板的方法和用于制备包括粘合片材的制品的方法
GB201801457D0 (en) * 2018-01-30 2018-03-14 Pragmatic Printing Ltd Integrated circuit manufacturing process and apparatus
CN110473475B (zh) 2019-08-30 2022-01-25 京东方科技集团股份有限公司 光学胶层、拉伸显示装置及光学胶层的制备方法
CN110767730A (zh) * 2019-10-31 2020-02-07 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1395118A (zh) * 2001-06-25 2003-02-05 旭硝子株式会社 光学膜
CN1645990A (zh) * 2004-01-19 2005-07-27 新光电气工业株式会社 电路基板制造方法
CN1690820A (zh) * 2004-04-15 2005-11-02 日本电气株式会社 器件制造方法
US20070062639A1 (en) * 2005-09-20 2007-03-22 Ku-Hsien Chang Method for manufacturing a flexible display
KR20090036427A (ko) * 2007-10-09 2009-04-14 엘지디스플레이 주식회사 화상표시소자 전구체 및 화상표시소자

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4001870A (en) * 1972-08-18 1977-01-04 Hitachi, Ltd. Isolating protective film for semiconductor devices and method for making the same
US5283208A (en) * 1992-12-04 1994-02-01 International Business Machines Corporation Method of making a submicrometer local structure using an organic mandrel
JPH07256832A (ja) * 1994-03-17 1995-10-09 Mitsubishi Rayon Co Ltd 架橋硬化型樹脂組成物積層体
JP3425311B2 (ja) * 1996-03-04 2003-07-14 株式会社東芝 ネガ型感光性ポリマー樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品
JPH09293951A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd フレキシブル配線板の製造方法
JP2000243943A (ja) * 1999-02-23 2000-09-08 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JP2001210998A (ja) * 2000-01-21 2001-08-03 Denso Corp フレキシブル基板の実装方法とそれに使用する補強板
US6455443B1 (en) * 2001-02-21 2002-09-24 International Business Machines Corporation Method of fabricating low-dielectric constant interlevel dielectric films for BEOL interconnects with enhanced adhesion and low-defect density
JP2003273493A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Toray Ind Inc 回路基板の製造方法及び回路基板用部材
US6818469B2 (en) * 2002-05-27 2004-11-16 Nec Corporation Thin film capacitor, method for manufacturing the same and printed circuit board incorporating the same
JP2004346106A (ja) * 2003-05-20 2004-12-09 Soken Chem & Eng Co Ltd 回路基板部材用粘着剤および回路基板部材
GB0327093D0 (en) 2003-11-21 2003-12-24 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates
JP2006041135A (ja) * 2004-07-26 2006-02-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 電子デバイスおよびその製造方法
US7259106B2 (en) * 2004-09-10 2007-08-21 Versatilis Llc Method of making a microelectronic and/or optoelectronic circuitry sheet
JP2006093544A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Optrex Corp フレキシブル回路基板
US7579134B2 (en) * 2005-03-15 2009-08-25 E. I. Dupont De Nemours And Company Polyimide composite coverlays and methods and compositions relating thereto
TWI288493B (en) 2005-09-13 2007-10-11 Ind Tech Res Inst Method for fabricating a device with flexible substrate and method for stripping flexible-substrate
EP1801870A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-27 Princo Corp. Partial adherent temporary substrate and method of using the same
CN101127343B (zh) * 2006-08-18 2010-12-15 巨擘科技股份有限公司 结合ic整合基板与载板的结构及其制造方法与电子装置的制造方法
CN101190969B (zh) 2006-11-17 2010-05-19 长兴化学工业股份有限公司 聚酰亚胺的前驱物组合物及其应用
CN101117384B (zh) 2007-08-08 2011-04-13 长兴化学工业股份有限公司 聚酰亚胺的前驱物和其应用
TWI370940B (en) * 2008-03-14 2012-08-21 E Ink Holdings Inc Carrier and method for manufacturing a flexible display panel
KR101009415B1 (ko) * 2008-11-18 2011-01-19 삼성모바일디스플레이주식회사 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치
TWI377646B (en) * 2009-08-03 2012-11-21 Substrate structures applied in flexible electrical devices and fabrication method thereof
WO2011024690A1 (ja) * 2009-08-27 2011-03-03 旭硝子株式会社 フレキシブル基材－支持体の積層構造体、支持体付き電子デバイス用パネル、および電子デバイス用パネルの製造方法
JP5257314B2 (ja) * 2009-09-29 2013-08-07 大日本印刷株式会社 積層体、準備用支持体、積層体の製造方法、及びデバイスの製造方法
CN104157694A (zh) * 2009-09-30 2014-11-19 大日本印刷株式会社 薄膜元件用基板、薄膜元件、薄膜晶体管及其制造方法
KR101617280B1 (ko) * 2009-10-21 2016-05-03 엘지디스플레이 주식회사 플라스틱 기판을 이용한 표시장치 제조 방법
US20130115426A1 (en) * 2011-11-09 2013-05-09 Au Optronics Corporation Method of manufacturing flexible electronic device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1395118A (zh) * 2001-06-25 2003-02-05 旭硝子株式会社 光学膜
CN1645990A (zh) * 2004-01-19 2005-07-27 新光电气工业株式会社 电路基板制造方法
CN1690820A (zh) * 2004-04-15 2005-11-02 日本电气株式会社 器件制造方法
US20070062639A1 (en) * 2005-09-20 2007-03-22 Ku-Hsien Chang Method for manufacturing a flexible display
KR20090036427A (ko) * 2007-10-09 2009-04-14 엘지디스플레이 주식회사 화상표시소자 전구체 및 화상표시소자

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102664163A (zh) * 2012-04-12 2012-09-12 华映视讯（吴江）有限公司 软性显示面板的制造方法
CN103681484A (zh) * 2012-08-31 2014-03-26 三星显示有限公司 柔性显示装置的制造方法及用于制造该装置的载体基板
CN103681484B (zh) * 2012-08-31 2019-08-09 三星显示有限公司 柔性显示装置的制造方法及用于制造该装置的载体基板
KR20140054678A (ko) * 2012-10-29 2014-05-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN103794738A (zh) * 2012-10-29 2014-05-14 三星显示有限公司 制造有机发光二极管显示器的方法
KR101978371B1 (ko) * 2012-10-29 2019-05-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN103794738B (zh) * 2012-10-29 2018-01-26 三星显示有限公司 制造有机发光二极管显示器的方法
CN104854722A (zh) * 2012-11-30 2015-08-19 株式会社Lg化学 包括柔性基板的有机发光器件及其制备方法
US10950808B2 (en) 2013-09-30 2021-03-16 Lg Display Co., Ltd. Method of preparing organic electronic device
CN105103329A (zh) * 2013-09-30 2015-11-25 株式会社Lg化学 制备有机电子器件的方法
US10079351B2 (en) 2013-09-30 2018-09-18 Lg Display Co., Ltd. Method of preparing organic electronic device
CN103956363A (zh) * 2014-03-03 2014-07-30 上海天马有机发光显示技术有限公司 复合基板及其制造方法、柔性显示装置及其制造方法
CN103956363B (zh) * 2014-03-03 2016-09-21 上海天马有机发光显示技术有限公司 复合基板及其制造方法、柔性显示装置及其制造方法
CN103985824A (zh) * 2014-04-10 2014-08-13 四川虹视显示技术有限公司 柔性屏制成方法及玻璃基板剥离方法
CN103985824B (zh) * 2014-04-10 2016-08-24 四川虹视显示技术有限公司 柔性屏制成方法及玻璃基板剥离方法
CN105024018A (zh) * 2014-04-29 2015-11-04 Tcl集团股份有限公司 一种柔性显示器及其制作方法
CN105024018B (zh) * 2014-04-29 2018-05-08 Tcl集团股份有限公司 一种柔性显示器及其制作方法
CN105098088A (zh) * 2014-05-05 2015-11-25 Tcl集团股份有限公司 一种柔性显示器及其薄膜封装方法
CN105280840B (zh) * 2014-07-09 2018-05-08 Tcl集团股份有限公司 一种柔性透明电极及其制备方法
CN105280840A (zh) * 2014-07-09 2016-01-27 Tcl集团股份有限公司 一种柔性透明电极及其制备方法
CN105280841B (zh) * 2014-07-18 2017-06-06 Tcl集团股份有限公司 一种柔性amoled显示器件及其制备方法
CN105280841A (zh) * 2014-07-18 2016-01-27 Tcl集团股份有限公司 一种柔性amoled显示器件及其制备方法
CN107873110A (zh) * 2015-04-13 2018-04-03 柔宇科技有限公司 柔性基板及其支撑和分离方法
CN111801721A (zh) * 2018-03-08 2020-10-20 夏普株式会社 可弯曲性显示装置的制造方法以及非可弯曲性基板
CN111801721B (zh) * 2018-03-08 2022-03-22 夏普株式会社 可弯曲性显示装置的制造方法以及非可弯曲性基板
CN111341715A (zh) * 2018-12-19 2020-06-26 瀚宇彩晶股份有限公司 电子装置及其制作方法
CN111341715B (zh) * 2018-12-19 2022-11-08 瀚宇彩晶股份有限公司 电子装置及其制作方法
WO2021159737A1 (zh) * 2020-02-11 2021-08-19 信利半导体有限公司 一种可挠曲的透明薄膜太阳能电池制作方法

Also Published As

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