CN102208374A - 半导体封装及其制造方法 - Google Patents

半导体封装及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102208374A
CN102208374A CN2010102654416A CN201010265441A CN102208374A CN 102208374 A CN102208374 A CN 102208374A CN 2010102654416 A CN2010102654416 A CN 2010102654416A CN 201010265441 A CN201010265441 A CN 201010265441A CN 102208374 A CN102208374 A CN 102208374A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor chip
substrate
work
semiconductor
open
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010102654416A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102208374B (zh
Inventor
林志荣
卢明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI
Original Assignee
Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI filed Critical Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI
Publication of CN102208374A publication Critical patent/CN102208374A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102208374B publication Critical patent/CN102208374B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及一种半导体封装及其制造方法。本发明的半导体封装包含：衬底，其具有穿透其的透孔；半导体芯片，其定位于所述衬底上，覆盖所述透孔；以及热传导装置，其填充所述透孔且接触所述半导体芯片。根据本发明，显著减少了所述半导体封装的结构中的热阻，且因此实现热量扩散或耗散的合意性能。另外，还减小了所述半导体封装的生产成本和大小。

Description

半导体封装及其制造方法
技术领域
本发明大体上涉及一种半导体封装，且更明确地说，涉及一种具有热量扩散结构的光电子半导体封装。
背景技术
在典型的光电子组件或模块中，关于热扩散的问题显著影响所述组件或模块的效率和可靠性。如此项技术中已知，所述组件或模块的结构中的高热阻导致不良的热性能。通常，关于高热阻的问题是由形成于所述组件或模块的结构中的材料或界面造成的。
图1是说明常规光电子半导体封装100的结构的侧视横截面图，所述光电子半导体封装100包含衬底110、光电子半导体芯片111、接合层112、结合金属113和隔离层114。常规半导体封装100通过如下工艺来制造：提供衬底110；将隔离层114沉积于所述衬底110的上表面上方；在隔离层114上形成结合金属113；在结合金属113上方形成接合层112；以及将光电子半导体芯片111定位于所述接合层112上，以便将光电子半导体芯片111安装到衬底100上。Ag-环氧树脂或焊料通常用作接合层112的材料，且当焊料相关的材料用作接合材料时，Ag(银)、Cu(铜)或Al(铝)通常用作结合金属113的材料。衬底110可为MCPCB(金属核心PCB)衬底，其由Al或Cu制成。或者，衬底110可由硅、陶瓷或聚合物制成。隔离层114由环氧树脂或聚合物或二氧化硅制成以当使用基于半导体的衬底(例如，硅衬底)或基于金属的衬底(例如，Al或Cu衬底)时使金属电路与衬底110隔离。半导体封装100的结构通过半导体制造工艺技术领域中众所周知的常规沉积工艺来制造，因此此处出于简明起见而省略了详细的制造工艺。
如图1所示，可注意到，在光电子装置的传统封装结构中存在许多热量扩散屏障(接合层112、隔离层114和由硅、陶瓷或聚合物制成的衬底110)，使得热量无法快速且有效率地扩散并耗散。因此，需要新的半导体封装结构以便解决上述缺陷。
在标题为“LED阵列的塑料封装(Plastic Packaging of LED Arrays)”的已颁发专利US 6,730,533中，提供一种形成柔性电路模块的方法。所述方法包含形成传导互连图案，其具有位于柔性模块基底的第二侧上方的第一部分以及朝向至少一个刚性载体延伸穿过柔性模块基底的多个第二部分。然而，令人满意的热量扩散性能无法仅仅通过此专利中所揭示的传导互连图案LED和柔性衬底来实现。
在标题为“LED功率封装(LED Power Package)”的另一已颁发专利US 6,964,877中，提供一种用于将热量从倒装芯片式结合的LED裸片热传导到电绝缘的子安装晶片的可焊接背侧的热传导路径。如此现有技术的图9中所示，被视为热量扩散屏障的焊料相关的材料安置于所述热传导路径中，因而仍需要改进所述结构中的热传导的性能。
标题为“背光模块及其热量耗散结构(Backlight Module and Heat dissipation Structure thereof)”的US 6,966,674也描述了一种用于背光模块的热量耗散结构，其包含具有透孔的电路板，其中对应于所述透孔的发光二极管(LED)安置于所述电路板的一侧上。所述结构包含热传导元件，其安置于热量传导部分与LED之间，所述热传导元件由对LED不具破坏性的软材料制成。由于在LED与热传导元件之间仍存在热量扩散屏障(软热传导垫或膏)，所以未实现令人满意的热量扩散性能。
在标题为“发光二极管封装及其制造方法(Light Emitting Diode Package and Fabrication Method thereof)”的另一已颁发专利US 7,262,440中，提议一种发光二极管封装。所述封装包含：下部金属层；第一硅层；第一绝缘层；第二硅层；第二绝缘层和封装电极图案；间隔物；LED；以及光学元件。显然，在LED与热传导元件之间堆叠了过多层，使得在所述结构中产生了过多热量屏障。
此外，标题为“阵列型模块化发光二极管结构和用于封装所述结构的方法(Array-type Modularized Light-emitting Diode Structure and a Method for Packaging the Structure)”的US 7,329,942提供一种用于封装阵列型模块化发光二极管结构的方法，其中上部衬底由材料制成为具有多个阵列式凹痕和穿过每一凹痕的底部的至少两个透孔，将传导材料植入于每一透孔中。然而，如附图中所展示且说明书中所说明，热元件仅仅接触电极，使得用于扩散或耗散热量的接触区域受到限制。因此，无法获得所期望的热量扩散性能。
鉴于以上内容，在所有这些现有技术当中，揭示了在LED与热传导元件之间的至少一个热屏障。另外，离散热量柱/热通孔设计仅将来自热量源的热量引导到特定方向，这不足以进行热量扩散。此外，光电子元件与衬底之间的所有结合材料(环氧树脂、银环氧树脂、焊料等)将形成弱热接触且增加热阻。
因此，为了减少半导体芯片(例如光电子装置)的封装中的热阻且确保合意的性能连同高可靠性，需要模块或封装中的有效率的热量扩散结构，其可容易地通过成熟的晶片级或面板级半导体制造工艺来在任何种类的衬底上实现。
发明内容
在一个方面中，提供一种具有热量扩散结构的半导体封装。所述半导体封装包含：衬底，其具有穿透其的透孔；半导体芯片，其定位于所述衬底上，覆盖所述透孔；以及热传导装置，其填充所述透孔且接触所述半导体芯片。
在另一方面中，提供一种形成半导体封装的方法。所述方法包含：提供衬底，其具有穿透其的透孔；将半导体芯片安装在所述衬底上，其中所述半导体芯片覆盖所述透孔；以及将热传导装置填充在所述透孔中，其中所述热传导装置接触所述半导体芯片。
下文在标题为“具体实施方式”的部分中描述这些和其它特征、方面和实施例。
附图说明
结合附图来描述特征、方面和实施例，在附图中：
图1是说明用于光电子装置的常规封装的结构的侧视横截面图。
图2是说明根据本发明实施例的半导体封装的结构的侧视横截面图。
图3展示根据本发明实施例的制造半导体封装的流程图。
图4A和图4B是分别展示常规封装中和根据本发明的半导体封装中的在光电子装置附近的温度分布的图。
图5是展示分别在常规封装中和根据本发明的半导体封装中的半导体芯片的温度与距中心线的距离之间的关系的折线图。
具体实施方式
图2是说明根据本发明的具有热量扩散结构的半导体封装的侧视横截面图。
参看图2，在本发明的优选实施例中，半导体封装200包含：衬底210，其具有穿透其的透孔218；半导体芯片211，其定位于衬底210上，覆盖所述透孔218；以及热传导装置217，其填充在所述透孔218中。
在另一优选实施例中，透孔218可具有任何形状，例如圆形、V形等，且通过例如化学蚀刻、机械钻孔或激光钻孔等技术而形成于衬底210中。一般来说，衬底210可由半导体、基于有机物的材料、基于陶瓷的材料或此技术领域中适用于所述衬底的其它材料制成。半导体芯片211可为基于Si的IC、发光二极管、基于化合物的太阳能电池、无源组件、无源装置或者其它半导体装置或电子装置。在将半导体芯片211安装于衬底210上之后，通过例如溅射、蒸发、有电镀敷、无电镀敷工艺或任何其它沉积工艺来将热传导装置217填充在所述透孔218中，使得热传导装置217接触所述半导体芯片211。通过热传导装置217，可有效率地扩散和耗散半导体芯片211所产生的热量。
在本发明的另一优选实施例中，热传导装置217包括晶种层215和热扩散元件216，且半导体封装200进一步包含形成于衬底200和透孔218上的隔离层214、形成于隔离层214上的结合材料213、形成于结合材料213上的接合层212，其中所述接合层212和结合材料213堆叠在半导体芯片211与衬底210之间。
在所述实施例中，隔离层214可由二氧化硅或环氧树脂或聚合物制成，使得当基于半导体的衬底(例如，硅衬底)或基于金属的衬底(例如，Al或Cu衬底)用作衬底210时衬底210与半导体封装200中的其它元件电绝缘。隔离层214对于基于有机物或陶瓷的衬底是不必要的。隔离层214可通过溅射或蒸发或其它沉积工艺来沉积。如图2所示，结合材料213通过例如溅射、蒸发或镀敷或其它沉积工艺等一般沉积工艺而形成于衬底210上在透孔218的开口周围。当基于焊料的材料用作接合层212时需要此结合材料213。接合层212通过印刷或分配(dispensing)工艺而形成于结合材料213上以用于将半导体芯片211与结合材料213接合在一起。优选地，接合层212可由Ag-环氧树脂或焊料制成，且结合材料可由Ag、Cu或Al制成。
为了促进用于扩散并耗散半导体芯片211所产生的热量的热扩散元件216的后续沉积，优选地将晶种层215沉积于透孔218中的隔离层214上方以及半导体芯片211的底部表面上方。在优选实施例中，晶种层215为厚度例如仅为1000埃的超薄晶种层。晶种层215可通过此项技术中已知的例如溅射、蒸发、印刷或无电镀敷等普通沉积工艺来形成。晶种层215将在使用有电镀敷工艺来形成热扩散元件216时使用。随后，接着通过经由例如有电镀敷、无电镀敷和印刷等普通沉积工艺来在晶种层215上方沉积热扩散元件216的材料来将热扩散元件216填充到透孔218中，其中有电镀敷或无电镀敷是优选的。归因于晶种层215的存在，热扩散元件216的初始生长可具有较佳质量，这意味着将形成较少缺陷。为了实现扩散半导体芯片211所产生的热量的合意性能，热扩散元件216优选地由具有高热传导性的材料(例如Cu、TiW和Ag)制成。其它高传导材料(例如，Ag和Al)也可用作热扩散元件216的材料。经沉积以用于促进热扩散元件216的后续生长的晶种层215可由与热扩散元件216的材料同质或异质的材料制成。在根据本发明的实施例中，由于热传导装置217直接接触半导体芯片211而没有任何高热阻材料介于半导体芯片211与热传导装置217之间的热扩散路径中，所以封装中的热阻降低且热量可更直接且有效率地传导到热传导装置217。最后，如果需要的话，可通过常规物理或化学抛光工艺来对填充在透孔218中的热扩散元件216的底部表面进行抛光，使得热扩散元件216的过量部分可被移除且热扩散元件216的底部表面为平坦的。
虽然图2中未展示，但应了解，归因于用作根据本发明的半导体封装200的结构中的接合层212的材料的湿润焊料的物理性质，当通过利用接合层212将半导体芯片211安装在衬底上时，位于透孔218的隅角处(即，位于接合层212的在透孔218附近的边缘处)的表面将为平滑的，使得将在后续沉积工艺中不会在所述隅角处形成空隙。同时，用作沉积工艺的无电工艺可解决晶种层215的不连续沉积的问题。
图3是展示根据本发明实施例的半导体封装的制造工艺的流程图。所述制造工艺包含以下步骤：提供衬底，其具有穿透其的透孔(步骤301)；通过如上文所提及的普通沉积工艺来形成隔离层，其覆盖衬底和透孔的表面(步骤302)；通过如上文所提及的普通沉积工艺来在衬底上在透孔的开口周围形成结合材料(步骤303)；通过印刷或分配工艺在结合材料上在透孔的开口周围形成接合层(步骤304)；将半导体芯片安装在接合层上(步骤305)；通过例如如上文所提及的溅射、蒸发或无电镀敷工艺来在透孔中的隔离层上方以及在半导体芯片的表面上方形成晶种层(步骤306)；以及通过如上文所提及的例如有电镀敷和无电镀敷工艺等沉积工艺来将热扩散元件填充到透孔中(步骤307)。
图4A和图4B为通过计算机辅助模拟来展示LED装置附近的温度分布的图。图4A为海米特(Hymite)公司的HyLEDTM的温度分布图，且图4B为根据本发明的封装的温度分布图。在图4A和图4B中，不同颜色表示不同温度，如两个图下方的颜色条所指示。通过比较，如图4A和图4B所示，可注意到，根据本发明的封装中的LED装置附近的温度低于已知海米特(Hymite)公司的HyLEDTM中的LED装置附近的温度。
图5是展示图4A和图4B中的LED装置中的每一者的温度与距中心线的距离之间的关系的折线图，其中温度是以摄氏度(℃)为单位来测量的且距离是以微米(μm)为单位来测量的。在图5中，菱形所标记的线展示如图4A所示的常规HyLEDTM的在距中心线的不同距离处的温度，且正方形所标记的线展示如图4B所示的根据本发明的LED封装的在距中心线的不同距离处的温度；另外，Rθjs表示以℃/W为单位来测量的热阻(从接点到焊料)。参看图5，应注意，在装置的中心线附近的热阻在根据本发明的封装中显著降低。更具体地说，如图5所指示，热阻降低到2.56℃/W。与具有热阻值3.60℃/W的HyLEDTM相比，可发现根据本发明的封装实际上具有约28％的热阻值降低。
根据本发明的实施例提供许多优点。首先，显著降低了半导体封装的结构中的热阻，且实现热扩散或耗散的合意性能。此外，由于所述结构可容易地通过成熟的晶片级或面板级工艺在不同种类的衬底上实现，所以还可降低封装的生产成本。此外，在本发明中引入基于晶片的微影(lithography)技术；因此，同样可减小LED模块的大小。
尽管上文已描述了某些实施例，但将理解，所描述的实施例仅以实例方式来描述。因此，本文中所描述的装置和方法不应限于所描述的实施例。而是，本文中所描述的装置和方法应仅按照结合以上描述和附图所作的所附权利要求书来限制。

Claims (18)

1.一种半导体封装，其包含：
衬底，其具有穿透其的透孔；
半导体芯片，其定位于所述衬底上，覆盖所述透孔；以及
热传导装置，其填充所述透孔且接触所述半导体芯片。
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述衬底由半导体、基于有机物的材料、基于金属的材料和基于陶瓷的材料中的至少一者制成。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述衬底进一步包含覆盖所述透孔的隔离层。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体芯片包含基于Si的IC、发光二极管、基于化合物的太阳能电池和无源组件及装置中的至少一者。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其进一步包含定位于所述半导体芯片与所述衬底之间的结合材料，其中所述结合材料包含Ag、Cu和Al中的至少一者。
6.根据权利要求5所述的半导体封装，其进一步包含定位于所述半导体芯片与所述结合材料之间的接合层，其中所述接合层由有机材料、金属-聚合物混合物和合金膏中的至少一者制成。
7.根据权利要求3所述的半导体封装，其中所述热传导装置包含热扩散元件和晶种层，其中所述晶种层定位于所述隔离层与所述热扩散元件之间和所述半导体芯片与所述热扩散元件之间。
8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述晶种层由与所述热扩散元件异质或同质的材料制成，且所述材料包含Cu、TiW、Ag和其它高传导材料中的至少一者。
9.一种形成半导体封装的方法，其包含：
提供衬底，其具有穿透其的透孔；
将半导体芯片安装在所述衬底上，其中所述半导体芯片覆盖所述透孔；以及
将热传导装置填充在所述透孔中，其中所述热传导装置接触所述半导体芯片。
10.根据权利要求9所述的方法，其中通过化学蚀刻、机械钻孔、干式蚀刻和激光钻孔中的至少一者来形成所述透孔。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述衬底由半导体、基于有机物的材料、基于金属的材料和基于陶瓷的材料中的至少一者制成。
12.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含通过溅射、蒸发和其它沉积工艺中的至少一者来形成隔离层，所述隔离层覆盖所述透孔。
13.根据权利要求9所述的方法，其中所述半导体芯片包含基于Si的IC、发光二极管、基于化合物的太阳能电池和无源组件及装置中的至少一者。
14.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含在将所述半导体芯片安装在所述衬底上之前通过溅射、蒸发、镀敷工艺和其它沉积工艺中的至少一者来在所述半导体芯片与所述衬底之间形成结合材料，其中所述结合材料包含Ag、Cu和Al中的至少一者。
15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包含在将所述半导体芯片安装在所述衬底上之前通过印刷和分配中的至少一者来在所述半导体芯片与所述结合金属之间形成接合层，且所述接合层由有机材料、金属-聚合物混合物和合金膏中的至少一者制成。
16.根据权利要求12所述的方法，其中填充所述热传导装置包含在所述隔离层上方形成晶种层且在所述晶种层上方填充热扩散元件。
17.根据权利要求16所述的方法，其中通过溅射、蒸发、印刷、无电镀敷和其它沉积工艺中的至少一者来形成所述晶种层，且所述晶种层由与所述热扩散元件异质或同质的材料制成，所述材料包含Cu、TiW、Ag和其它高传导材料中的至少一者。
18.根据权利要求16所述的方法，其中通过有电镀敷、无电镀敷和其它沉积工艺中的至少一者来形成所述热扩散元件，且所述热扩散元件由Cu、Ag和其它高热传导材料中的至少一者制成。
CN201010265441.6A 2010-03-31 2010-08-26 半导体封装及其制造方法 Active CN102208374B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/751,741 US8248803B2 (en) 2010-03-31 2010-03-31 Semiconductor package and method of manufacturing the same
US12/751,741 2010-03-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102208374A true CN102208374A (zh) 2011-10-05
CN102208374B CN102208374B (zh) 2014-11-12

Family

ID=44697138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010265441.6A Active CN102208374B (zh) 2010-03-31 2010-08-26 半导体封装及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8248803B2 (zh)
CN (1) CN102208374B (zh)
WO (1) WO2011120389A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113228312A (zh) * 2018-12-27 2021-08-06 安相贞 半导体发光器件
CN113784590A (zh) * 2021-09-06 2021-12-10 无锡华测电子系统有限公司 瓦片式tr组件装置、外部散热结构及返工结构

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5498864B2 (ja) * 2010-06-07 2014-05-21 新光電気工業株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法
US20150001570A1 (en) * 2011-09-02 2015-01-01 King Dragon International Inc. LED Package and Method of the Same
US9117941B2 (en) * 2011-09-02 2015-08-25 King Dragon International Inc. LED package and method of the same
DE102012102847A1 (de) * 2012-04-02 2013-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements
US9706668B2 (en) * 2014-10-24 2017-07-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Printed circuit board, electronic module and method of manufacturing the same
KR102411999B1 (ko) * 2015-04-08 2022-06-22 삼성전기주식회사 회로기판
KR102411998B1 (ko) * 2015-06-25 2022-06-22 삼성전기주식회사 회로 기판 및 그 제조방법
CN105355610B (zh) 2015-08-27 2019-01-18 华为技术有限公司 一种电路装置及制造方法
US10529641B2 (en) 2016-11-26 2020-01-07 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit nanoparticle thermal routing structure over interconnect region
US10256188B2 (en) 2016-11-26 2019-04-09 Texas Instruments Incorporated Interconnect via with grown graphitic material
US10811334B2 (en) 2016-11-26 2020-10-20 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit nanoparticle thermal routing structure in interconnect region
US11676880B2 (en) 2016-11-26 2023-06-13 Texas Instruments Incorporated High thermal conductivity vias by additive processing
US11004680B2 (en) 2016-11-26 2021-05-11 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device package thermal conduit
US10861763B2 (en) 2016-11-26 2020-12-08 Texas Instruments Incorporated Thermal routing trench by additive processing
EP3780081A4 (en) * 2018-04-03 2021-06-09 Sony Semiconductor Solutions Corporation ELECTRONIC MODULE AND ITS MANUFACTURING PROCESS

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6459585B1 (en) * 1999-03-09 2002-10-01 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson Method of producing printed circuit boards and a heat sink arrangement produced in accordance with the method
CN1853262A (zh) * 2003-09-23 2006-10-25 微米技术股份有限公司 制造导电部件、通道和包括穿过晶片的导电通道的半导体部件方法和集成方案
US20070018312A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Sang-Gui Jo Wiring substrate and semiconductor package implementing the same
CN101392896A (zh) * 2007-09-21 2009-03-25 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管
CN101449373A (zh) * 2006-05-26 2009-06-03 株式会社村田制作所 半导体装置、电子器件模块及半导体装置的制造方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5626467A (en) * 1979-08-10 1981-03-14 Toshiba Corp Semiconductor device and the manufacturing process
US4628407A (en) * 1983-04-22 1986-12-09 Cray Research, Inc. Circuit module with enhanced heat transfer and distribution
FR2625038B1 (fr) * 1987-12-22 1990-08-17 Cit Alcatel Procede et dispositif de refroidissement d'un boitier de circuit integre
US5189261A (en) * 1990-10-09 1993-02-23 Ibm Corporation Electrical and/or thermal interconnections and methods for obtaining such
EP0602298B1 (en) * 1992-12-15 1998-06-10 STMicroelectronics S.r.l. Support for a semiconductor package
US5340947A (en) * 1992-06-22 1994-08-23 Cirqon Technologies Corporation Ceramic substrates with highly conductive metal vias
US5307237A (en) * 1992-08-31 1994-04-26 Hewlett-Packard Company Integrated circuit packaging with improved heat transfer and reduced signal degradation
US5642261A (en) * 1993-12-20 1997-06-24 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Ball-grid-array integrated circuit package with solder-connected thermal conductor
US5769989A (en) * 1995-09-19 1998-06-23 International Business Machines Corporation Method and system for reworkable direct chip attach (DCA) structure with thermal enhancement
US5986883A (en) * 1997-11-05 1999-11-16 Micron Electronics, Inc. Apparatus for cooling central processing units in personal computers
US5933324A (en) * 1997-12-16 1999-08-03 Intel Corporation Apparatus for dissipating heat from a conductive layer in a circuit board
US6194782B1 (en) * 1998-06-24 2001-02-27 Nortel Networks Limited Mechanically-stabilized area-array device package
DE19842590A1 (de) * 1998-09-17 2000-04-13 Daimler Chrysler Ag Verfahren zur Herstellung von Schaltungsanordnungen
US7183640B2 (en) * 1999-12-13 2007-02-27 Lamina Ceramics, Inc. Method and structures for enhanced temperature control of high power components on multilayer LTCC and LTCC-M boards
JP3639505B2 (ja) * 2000-06-30 2005-04-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション プリント配線基板及び半導体装置
US6614103B1 (en) 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
TW462121B (en) * 2000-09-19 2001-11-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Heat sink type ball grid array package
TW490820B (en) * 2000-10-04 2002-06-11 Advanced Semiconductor Eng Heat dissipation enhanced ball grid array package
JP2002162626A (ja) * 2000-11-22 2002-06-07 Sony Corp 液晶表示用光源の放熱装置及びその製造方法
US6629367B2 (en) * 2000-12-06 2003-10-07 Motorola, Inc. Electrically isolated via in a multilayer ceramic package
DE10101359A1 (de) * 2001-01-13 2002-07-25 Conti Temic Microelectronic Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe
SG104279A1 (en) * 2001-11-02 2004-06-21 Inst Of Microelectronics Enhanced chip scale package for flip chips
US7222419B2 (en) * 2001-12-19 2007-05-29 Chung-Shan Institute Of Science And Technology Method of fabricating a ceramic substrate with a thermal conductive plug of a multi-chip package
JP2003282778A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Fujikura Ltd 半導体装置及びプリント配線基板
US20040119158A1 (en) * 2002-12-19 2004-06-24 Tatt Koay Hean Thermally enhanced package for an integrated circuit
US6753600B1 (en) * 2003-01-28 2004-06-22 Thin Film Module, Inc. Structure of a substrate for a high density semiconductor package
US20040188696A1 (en) 2003-03-28 2004-09-30 Gelcore, Llc LED power package
FR2861216B1 (fr) * 2003-10-21 2006-02-10 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur a puce sur plaque-support
US6966674B2 (en) 2004-02-17 2005-11-22 Au Optronics Corp. Backlight module and heat dissipation structure thereof
JP4993848B2 (ja) * 2004-05-28 2012-08-08 三洋電機株式会社 配線基材
JP2005340684A (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Calsonic Kansei Corp 基板への電子素子の取付構造
US7285802B2 (en) * 2004-12-21 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
KR100593935B1 (ko) 2005-03-24 2006-06-30 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
US7329942B2 (en) 2005-05-18 2008-02-12 Ching-Fu Tsou Array-type modularized light-emitting diode structure and a method for packaging the structure
US7274105B2 (en) * 2005-11-28 2007-09-25 Delphi Technologies, Inc. Thermal conductive electronics substrate and assembly
JP4654942B2 (ja) * 2006-02-28 2011-03-23 ミネベア株式会社 面状照明装置
TWI322915B (en) * 2006-03-31 2010-04-01 Au Optronics Corp Heat dissipation structure of backliht module
JP4962228B2 (ja) * 2006-12-26 2012-06-27 株式会社ジェイテクト 多層回路基板およびモータ駆動回路基板
KR100810242B1 (ko) * 2007-02-13 2008-03-06 삼성전자주식회사 반도체 다이 패키지와 그를 이용한 내장형 인쇄회로 기판
US7898811B2 (en) * 2007-04-10 2011-03-01 Raled, Inc. Thermal management of LEDs on a printed circuit board and associated methods
US8410371B2 (en) * 2009-09-08 2013-04-02 Cree, Inc. Electronic device submounts with thermally conductive vias and light emitting devices including the same
US8174044B2 (en) * 2010-01-14 2012-05-08 Shang-Yi Wu Light emitting diode package and method for forming the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6459585B1 (en) * 1999-03-09 2002-10-01 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson Method of producing printed circuit boards and a heat sink arrangement produced in accordance with the method
CN1853262A (zh) * 2003-09-23 2006-10-25 微米技术股份有限公司 制造导电部件、通道和包括穿过晶片的导电通道的半导体部件方法和集成方案
US20070018312A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Sang-Gui Jo Wiring substrate and semiconductor package implementing the same
CN101449373A (zh) * 2006-05-26 2009-06-03 株式会社村田制作所 半导体装置、电子器件模块及半导体装置的制造方法
CN101392896A (zh) * 2007-09-21 2009-03-25 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113228312A (zh) * 2018-12-27 2021-08-06 安相贞 半导体发光器件
CN113784590A (zh) * 2021-09-06 2021-12-10 无锡华测电子系统有限公司 瓦片式tr组件装置、外部散热结构及返工结构

Also Published As

Publication number Publication date
US20110242765A1 (en) 2011-10-06
CN102208374B (zh) 2014-11-12
WO2011120389A1 (en) 2011-10-06
US8248803B2 (en) 2012-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102208374B (zh) 半导体封装及其制造方法
CN210200700U (zh) 芯片结构
US20080006936A1 (en) Superfine-circuit semiconductor package structure
US8772817B2 (en) Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
US7622805B2 (en) Semiconductor module including circuit component and dielectric film, manufacturing method thereof, and application thereof
EP2139051B1 (en) Power surface mount light emitting die package
US8227910B2 (en) Apparatus for thermally enhanced semiconductor package
JP5572684B2 (ja) パッケージキャリア及びその製造方法
US7335987B2 (en) Semiconductor package and method for manufacturing the same
US20130026650A1 (en) Semiconductor device, semiconductor module structure configured by vertically stacking semiconductor devices, and manufacturing method thereof
US9230901B2 (en) Semiconductor device having chip embedded in heat spreader and electrically connected to interposer and method of manufacturing the same
CN102214617A (zh) 半导体封装基板
CN102244012A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN102629561A (zh) 叠层式半导体组件制备方法
JPH06314890A (ja) 高性能コンピュータ用の３次元パッケージおよび構造
CN100358133C (zh) 晶背上具有整合散热座的晶圆级封装以及晶片的散热方法
CN102693972A (zh) 发光二极管封装及其导线架的制作方法
US20130062656A1 (en) Thermally enhanced optical package
CN105895623A (zh) 用于半导体封装件的衬底设计及其形成方法
CN1767178A (zh) 半导体载板及其制造方法与半导体封装组件
CN102790140A (zh) 封装结构及其制作方法
CN1329988C (zh) 带有防静电二极管的金属化硅芯片及其制造工艺
CN103219317A (zh) 集成电路封装以及用于制造集成电路封装的方法
CN113257685B (zh) 一种半导体封装装置及其制造方法
CN115312406A (zh) 芯片封装结构及制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant