CN102105555A

CN102105555A - 组合物以及使用该组合物制成的发光元件

Info

Publication number: CN102105555A
Application number: CN2009801291853A
Authority: CN
Inventors: 秋野喜彦
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd; Sumation Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2008-06-23
Filing date: 2009-06-23
Publication date: 2011-06-22
Also published as: EP2305770A4; JP2010031248A; EP2305770A1; TW201008931A; US20110108768A1; KR20110018375A; WO2009157427A1

Abstract

本发明提供一种组合物，其中包含具有由下述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)(式中，R表示氢原子或者取代基；存在多个的R可以相同或不同)表示的含氮化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基的化合物以及磷光发光性化合物。

Description

组合物以及使用该组合物制成的发光元件

技术领域

本发明涉及组合物以及使用该组合物制成的发光元件。

背景技术

作为发光元件的发光层中使用的发光材料，将显示出通过三重态激发状态而发光的化合物(以下有时称为“磷光发光性化合物”)用于发光层的元件，其发光效率高，这是已知的。在将磷光发光性化合物用于发光层的情况下，通常使用通过将该化合物添加到基质中而形成的组合物作为发光材料。当使用聚乙烯基咔唑作为基质时，可以通过涂布来形成薄膜(专利文献1)。

然而，由于该化合物的最低未占分子轨道(以下称为“LUMO”)的能级高，因此，难以注入电子。另一方面，聚芴等共轭系高分子化合物由于LUMO低，如果将其用作基质，则可以比较容易地实现低驱动电压。可是，这种共轭系高分子化合物的最低三重态激发能量(以下称为“T₁能量”)的值小，可以认为不特别适合作为发出比绿色还要短波长的光的基质使用(专利文献2)。例如，含有属于共轭系高分子化合物的聚芴和三重态发光化合物的发光材料，由于从三重态发光化合物发出的光弱，因此发光效率低(非专利文献1)。

在先技术文献

【专利文献】

【专利文献1】特开2002-50483号公报

【专利文献2】特开2002-241455号公报

【非专利文献】

【非专利文献1】APPLIED PHYSICS LETTERS，80，13，2308(2002)

发明内容

发明所要解决的课题

因此，本发明的目的在于，提供在用于发光元件等时的发光效率优良的发光材料。

解决课题的手段

本发明的第一个目的在于，提供包含具有从下述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)：

【化1】

(式中，R表示氢原子或者取代基；存在多个的R可以相同或不同。)表示的含氮化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基的化合物以及磷光发光性化合物的组合物。

本发明的第二个目的在于，提供含有从上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)表示的含氮化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基以及磷光发光性化合物的残基的高分子化合物。

本发明的第三个目的在于，提供使用上述组合物或者上述高分子化合物制成的薄膜以及发光元件。

本发明的第四个目的在于，提供具备上述发光元件的面状光源、显示装置和照明装置。

发明效果

本发明的组合物和高分子化合物(以下称为“本发明的组合物等”)，其发光效率高。因此，本发明的组合物等在用于制作发光元件等时，可获得发光效率优良的发光元件。另外，本发明的组合物等对于较短波段的发光，通常具有比较优良的发光性。这是因为，本发明的组合物中所含的含氮化合物、本发明的高分子化合物的T₁能量大的缘故。而且，LUMO的能级也比较低，容易注入电子。

具体实施方式

以下详细地说明本发明。

<组合物>

本发明的组合物是包含具有从上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)(以下称为“式(1-1)～(1-4)”)表示的含氮化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基的化合物(以下有时称为“具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物”)以及磷光发光性化合物的组合物。本发明中，例如，上述式(1-1)～(1-4)表示的化合物的残基是指除去上述式(1-1)～(1-4)表示的化合物中的R的一部分或者全部(特别是1～3个)而形成的基团。另外，“高分子化合物”是指其中至少存在2个相同结构(重复单元)的化合物。

具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物，更优选具有从上述式(1-2)、(1-3)和(1-4)表示的化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基的化合物，特别优选具有从上述式(1-2)、(1-3)和(1-4)表示的化合物中选出的至少3种含氮化合物的残基的化合物。

具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物可以是高分子化合物，该情况下，优选为在主链和/或侧链上含有该含氮化合物的残基的高分子化合物，特别优选具有含上述式(1-1)～(1-4)表示的含氮化合物的残基的重复单元的高分子化合物、或者除了具有含上述式(1-1)～(1-4)表示的含氮化合物的残基的重复单元以外还具有如下重复单元的高分子化合物，所述重复单元是含有选自芳香环、含杂原子的5元环以上的杂环、芳香胺以及下述式(4)表示的结构中的任一种结构的重复单元。

上述式(1-1)～(1-4)中，R表示氢原子或者取代基，优选为存在的多个R中的至少1个为取代基，更优选为存在的多个R中的至少2个为取代基，进一步优选为存在的多个R中的全部为取代基。当R存在多个时，它们可以相同或不同。

作为上述取代基，可举出卤原子、烷基、烷氧基、烷硫基、可以具有取代基的芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、亚氨残基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷基氨基、可以具有取代基的1价杂环基、可以具有取代基的杂芳基、杂芳氧基、杂芳硫基、芳基烯基、芳基乙炔基、取代羧基、氰基等，优选为烷基、烷氧基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的杂芳基。予以说明，N价杂环基(N为1或2)是指从杂环式化合物中除去N个氢原子而残留的原子基团。予以说明，作为1价杂环基，优选1价芳香族杂环基。

上述R中的至少1个优选为烷基、烷氧基、可以具有取代基的芳基、或者可以具有取代基的杂芳基。上述R中的至少1个更优选为碳数3～10的烷基、或者碳数3～10的烷氧基。

上述R中的至少1个优选为除氢原子以外的原子总数为3以上的取代基，更优选为除氢原子以外的原子总数为5以上的取代基，特别优选为除氢原子以外的原子总数为7以上的取代基。当存在2个R时，优选至少1个R为取代基，更优选2个R均为取代基。存在多个的R可以相同或不同。

作为具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物，还可举出例如，由下述式(A-1)或者(A-2)：

【化2】

(式中，Z¹和Z²各自独立地表示由上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)或者(1-4)表示的含氮化合物的残基；Y¹表示-C(R^a)(R^b)-、-N(R^c)-、-O-、-Si(R^d)(R^e)-、-P(R^f)-或者-S-；R^a～R^f各自独立地表示氢原子或者取代基；m为0～8的整数，优选为0～5的整数；当存在多个Y¹时，它们可以相同或不同；Y²表示可以具有取代基的亚芳基；n为1～5的整数；当存在多个Y²时，它们可以相同或不同。)

表示的化合物、具有其残基的化合物。

作为R^a～R^f表示的取代基，可举出烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅氧基、取代甲硅氧基、1价杂环基、卤原子。

作为R^a～R^f表示的芳基，可举出苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基(“C₁～C₁₂烷氧基”是指烷氧基部分的碳数为1～12者。下同)、C₁～C₁₂烷基苯基(“C₁～C₁₂烷基”是指烷基部分的碳数为1～12者。下同)、1-萘基、2-萘基、五氟苯基等，优选苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基、C₁～C₁₂烷基苯基。

作为R^a～R^f表示的1价杂环基，其含义是从杂环式化合物中除去1个氢原子而残留下来的原子基团。此处，杂环式化合物是指在具有环式结构的有机化合物中，构成环的元素不仅包括碳原子，而且在环内还含有氧原子、硫原子、氮原子、磷原子等杂原子的化合物。

具有上述式(A-1)表示的化合物的残基的化合物，从T₁能量的观点考虑，优选为由下述式(A-1-1)：

【化3】

(式中，R的含义与上述相同。)

表示的化合物。

具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物，当为高分子化合物时，从T₁能量的观点考虑，优选为具有含有上述式(A-1)或者(A-2)表示的化合物的残基的重复单元的高分子化合物。

具有含有上述式(A-1)表示的化合物的残基的重复单元的高分子化合物，从T₁能量的观点考虑，优选为具有由下述式(A-1-2)：

【化4】

(式中，R的含义与上述相同。)

表示的重复单元的高分子化合物。

另外，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物，从T₁能量的观点考虑，还优选具有由下述式(A-3)：

【化5】

(式中，RING是指具有从上述式(1-1)～(1-4)表示的含氮化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基的化合物的残基。Z环为含有碳原子、X¹和X²的环状结构。X¹和X²各自独立地表示-C(R)＝。R的含义与上述相同。)

表示的化合物的残基。

上述式(A-3)中，作为上述环状结构，可举出可以具有取代基的芳香环、可以具有取代基的非芳香环，优选苯环、杂环、脂环式烃环、由多个这些环稠合而成的环、这些环的氢原子的一部分被取代而成的环。

上述式(A-1)～(A-3)表示的化合物的残基是指除去该化合物中的氢原子、R的一部分或者全部而成的基团。

具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物，可以通过使用不同的HOMO/LUMO的含氮化合物的残基来调节能级，使其电荷注入输送性变得优良。另外，从对称性的观点考虑，也可以提高非晶质性，从而提高成膜性。

具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物可以含有其他的部分结构。根据其他种类的部分结构是否存在于末端上，优选的其他部分结构的种类有所不同。

当其他的部分结构不存在于末端上的情况下，从LUMO的能级的观点考虑，优选共轭性质的多价基团。作为这种基团，可举出2价芳香族基团、3价芳香族基团。此处，芳香族基团是指由显示芳香性的有机化合物衍生而来的基团。作为这种芳香族基团，可举出将苯、萘、蒽、吡啶、喹啉、异喹啉等芳香环中的n’个(n’为2或者3)氢原子取代为化学键而成的基团。

作为具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物中可以含有的优选的其他的部分结构的一例，可举出由下述式(4)：

【化6】

表示的结构。

上述式(4)中，P环和Q环可以具有从烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基和氰基中选出的取代基。

上述式(4)中，P环和Q环各自独立地表示芳香环，P环可以存在或不存在。当存在P环时，2个化学键分别存在于P环或者Q环上，当不存在P环时，2个化学键分别存在于含有Y的5元环或者6元环上或者Q环上。另外，在上述P环、Q环、含有Y的5元环或者6元环上，可以具有从烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、烯基、炔基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基和氰基中选出的取代基。作为该取代基，优选从烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基和氰基中选出的取代基。Y表示-O-、-S-、-Se-、-B(R⁰)-、-Si(R²)(R³)-、-P(R⁴)-、-P(R⁵)(＝O)-、-C(R⁶)(R⁷)-、-N(R⁸)-、-C(R⁹)(R¹⁰)-C(R¹¹)(R¹²)-、-O-C(R¹³)(R¹⁴)-、-S-C(R¹⁵)(R¹⁶)-、-N-C(R¹⁷)(R¹⁸)-、-Si(R¹⁹)(R²⁰)-C(R²¹)(R²²)-、-Si(R²³)(R²⁴)-Si(R²⁵)(R²⁶)-、-C(R²⁷)＝C(R²⁸)-、-N＝C(R²⁹)-、或者-Si(R³⁰)＝C(R³¹)-。此处，R⁰和R²～R³¹各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅氧基、取代甲硅氧基、1价杂环基或者卤原子。其中，优选氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、甲硅氧基(silyloxy group)、取代甲硅氧基、1价杂环基或卤原子，进一步优选烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、1价杂环基，更优选烷基、烷氧基、芳基、1价杂环基，特别优选烷基、芳基。

作为上述式(4)表示的结构，可举出由下述式(4-1)、(4-2)或者(4-3)：

【化7】

(式中，A环、B环和C环各自独立地表示芳香环；式(4-1)、(4-2)和(4-3)可以各自具有从烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基和氰基中选出的取代基；Y的含义与上述相同。)

表示的结构、以及由下述式(4-4)或者(4-5)：

【化8】

(式中，D环、E环、F环和G环各自独立地表示可以具有从烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基和氰基中选出的取代基的芳香环；Y的含义与上述相同。)

表示的结构。

上述式(4-1)、(4-2)、(4-3)、(4-4)和(4-5)中，作为A环、B环、C环、D环、E环、F环和G环表示的芳香环，如果要示出非取代芳香环作为一例，可举出苯环、萘环、蒽环、并四苯环、并五苯环、芘环、菲环等芳香烃环；吡啶环、联吡啶环、菲咯啉环、喹啉环、异喹啉环、噻吩环、呋喃环、吡咯环等杂芳香环。这些芳香环可以具有上述取代基。

另外，作为具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物中可以含有的优选的其他的部分结构，可举出由以下的式：

【化9】

(式中，Ar⁶、Ar⁷、Ar⁸和Ar⁹各自独立地表示亚芳基或者2价杂环基；Ar¹⁰、Ar¹¹和Ar¹²各自独立地表示芳基或者1价杂环基；Ar₆～Ar₁₂可以具有取代基；x和y各自独立地表示0或者1，为0≤x+y≤1。)

表示的结构的芳香胺结构。

Ar⁶、Ar⁷、Ar⁸、Ar⁹表示的亚芳基是指从芳香烃中除去2个氢原子而残留下来的原子基团。作为芳香烃，包括具有稠环的化合物、独立的苯环或者2个以上稠环直接键合或者借助1，2-亚乙烯基等键合而成的化合物。

Ar⁶、Ar⁷、Ar⁸、Ar⁹表示的2价杂环基是指从杂环式化合物中除去2个氢原子而残留下来的原子基团。2价杂环基的碳数通常为4～60左右。杂环式化合物是指在具有环式结构的有机化合物中，构成环的元素不仅包括碳原子，而且在环内还含有氧、硫、氮、磷、硼等杂原子的化合物。作为2价杂环基，优选2价芳香族杂环基。

Ar¹⁰、Ar¹¹、Ar¹²表示的芳基是指从芳香烃中除去1个氢原子而残留下来的原子基团。芳香烃如上所述。

Ar¹⁰、Ar¹¹、Ar¹²表示的1价杂环基是指从杂环式化合物中除去1个氢原子而残留下来的原子基团。1价杂环基的碳数通常为4～60左右。杂环式化合物如上所述。作为1价杂环基，优选1价芳香族杂环基。

当具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物为高分子化合物时，从成膜性的观点考虑，该化合物按聚苯乙烯换算的重均分子量，优选为3×10²以上，更优选为3×10²～1×10⁷，进一步优选为1×10³～1×10⁷，特别优选为1×10⁴～1×10⁷。

具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物，可以在宽的发光波段中使用，因此，该化合物的T₁能量值优选为3.0eV以上，更优选为3.2eV以上，进一步优选为3.4eV以上，特别优选为3.5eV以上。另外，上限通常为5.0eV。

具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物的最高占有分子轨道(以下称为“HOMO”)的能级的绝对值，没有特殊限定。

具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物的LUMO的能级的绝对值，优选为1.5eV以上，更优选为1.7eV以上，进一步优选为1.9eV以上，尤其优选为2.0eV以上，特别优选为2.2eV以上。另外，上限通常为4.0eV。

在本说明书中，各化合物的T₁能量值、LUMO的能级值，均为按照计算科学的方法计算出的值。在本说明书中，作为计算科学的方法，使用量子化学计算程序高斯(Gaussian)03，采用HF(Hartree-Fock)法进行基态的结构最佳化，在该最佳化的结构中，使用B3P86能级的时间依存密度泛函数法，计算出T₁能量值和LUMO的能级值。此时，作为基函数，使用6-31g＊。当不能使用上述6-31g＊作为基函数时，使用LANL2DZ。本发明中，该“LUMO的能级值”的绝对值(即，LUMO的能级值为负时，绝对值意味着去掉该负号后的值。)是重要的。

当构成具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物的重复单元为1种时，如果将该单元作为A，则具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物由下述式表示：

【化10】

(式中，n表示聚合数。)

。此处，对于n＝1、2和3的结构，计算出T₁能量值、LUMO的能级值，将算出的T₁能量值、LUMO的能级值作为(1/n)的函数，将近似线形时的n＝∞的值定义为该高分子化合物的T₁能量值、LUMO的能级值。

当构成具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物的重复单元存在多个时，对于所有的情况，均按照与上述同样的方法计算出n＝∞(此处，n为重复单元的聚合数)时的T₁能量值，其中，将最低的T₁能量值定义为该化合物的T₁能量值。关于LUMO的能级值，将赋予最低的T₁能量值的重复单元中n＝∞的值定义为该高分子化合物的LUMO的能级值。

具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物优选存在构成该含氮化合物的杂环结构以及与该杂环结构相邻的部分结构(此处，该部分结构具有至少2个π共轭电子)。该杂环结构与和该杂环结构相邻的该部分结构之间的2面角优选为40°以上，更优选为55°以上，进一步优选为70°以上，特别优选为80°以上。

进而，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物中，含有该杂环结构的所有芳香环和杂芳香环之间的2面角，优选均为40°以上，更优选为55°以上，进一步优选为70°以上，特别优选为80°以上。另外，为了获得这种2面角，优选具有由上述式(A-3)表示的部分结构。

另外，在本说明书中，2面角是指根据基态的最佳化结构计算出的角度。2面角被定义为，例如，在构成具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物的杂环结构中，由处于键合位置的碳原子(a₁)和与a₁相邻的碳原子或者氮原子(a₂)形成的角度，以及在与该杂环结构键合的结构中，由处于键合位置的原子(a₃)和与a₃相邻的原子(a₄)形成的角度。此处，当原子(a₂)或者原子(a4)可选择多个时，对于所有的情况，均计算出2面角，然后将其中最低的数值(为90°以下)作为2面角。原子(a₃)和(a₄)为具有π共轭电子的原子，更优选为碳原子、氮原子、硅原子、磷原子。本说明书中，2面角根据采用计算科学方法求出的n＝3(n为聚合数)的结构的基态的最佳化结构(即，该结构的生成能量为最小的结构)计算出。具有上述杂环结构的化合物中，该2面角也存在多个。该情况下，优选该化合物中的所有该2面角均满足上述条件。

作为具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物，可举出由以下的式(2-1)～(2-36)、(3-1)～(3-18)表示的化合物。下式中，R^*表示氢原子或者取代基。作为R^*表示的取代基，可举出卤原子、烷基、烷氧基、烷硫基、可以具有取代基的芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、亚氨残基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅氧基、取代甲硅烷硫基、取代甲硅烷基氨基、可以具有取代基的1价杂环基、可以具有取代基的杂芳基、杂芳氧基、杂芳硫基、芳基烯基、芳基乙炔基、取代羧基、氰基。多个R^*可以相同或不同。作为R^*，更优选烷基、烷氧基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的杂芳基。存在多个的R^*可以相同或不同。

【化11】

【化12】

【化13】

【化14】

【化15】

【化16】

(式中，n表示聚合数。)

另外，作为具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物，还可举出以下的化合物。

【化17】

【化18】

【化19】

作为上述磷光发光性化合物，可举出三重态发光络合物等、以及能够用作低分子系EL发光性材料的化合物。这些化合物公开在例如，Nature，(1998)，395，151、Appl.Phys.Lett.(1999)，75(1)，4、Proc.SPIE-Int.Soc.Opt.Eng.(2001)，4105(Organic Light-Emitting Materials and Devices I V)，119、J.Am.Chem.Soc.，(2001)，123，4304、Appl.Phys.Lett.，(1997)，71(18)，2596、Syn.Met.，(1998)，94(1)，103、Syn.Met.，(1999)，99(2)，1361、Adv.Mater.，(1999)，11(10)，852、Inorg.Chem.，(2003)，42，8609、Inorg.Chem.，(2004)，43，6513、Journal of the SID 11/1、161(2003)、WO2002/066552、WO2004/020504、WO2004/020448等中。其中，从获得高发光效率的观点考虑，优选在金属络合物的HOMO中、中心金属的最外层d轨道的轨道系数的2次方之和在全原子轨道系数的2次方之和中所占的比例为1/3以上，例如可举出，中心金属为属于第6周期的过渡金属的、原位金属化的络合物等。

作为上述三重态发光络合物的中心金属，通常为原子序号50以上的原子，该络合物中具有旋转-轨道相互作用，为能够引起一重态与三重态之间的态间交差的金属，其中优选为金、铂、铱、锇、铼、钨、铕、铽、铥、镝、钐、镨、钆、镱的原子，更优选为金、铂、铱、锇、铼、钨的原子，进一步优选为金、铂、铱、铼的原子，特别优选为铂和铱的原子。

作为上述三重态发光络合物的配基，可举出8-羟基喹啉及其衍生物、苯并羟基喹啉及其衍生物、2-苯基-吡啶及其衍生物等。

关于上述磷光发光性化合物，从溶解性的观点考虑，优选为具有烷基、烷氧基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的杂芳基等取代基的化合物。进而，该取代基除氢原子以外的原子总数优选为3以上，更优选为5以上，进一步优选为7以上，特别优选为10以上。另外，该取代基优选在各配基中至少存在1个，该取代基的种类，对于每个配基，可以相同或不同。

作为上述磷光发光性化合物，可举出以下的化合物。

【化20】

在本发明的组合物中，上述磷光发光性化合物的含量，根据组合的有机化合物的种类以及所希望最佳化的特性而不同，当将具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物的量作为100重量份时，通常为0.01～80重量份，优选为0.1～30重量份，更优选为0.1～15重量份，特别优选为0.1～10重量份。予以说明，本发明的组合物中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物、上述磷光发光性化合物各自可以单独使用一种，也可以将两种以上合并使用。

本发明的组合物可以在不损害本发明目的的范围内含有除了具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物、上述磷光发光性化合物以外的任意成分。作为该任意成分，可举出例如，空穴输送材料、电子输送材料、抗氧化剂等。

作为上述空穴输送材料，可举出作为有机EL元件的空穴输送材料公知的芳香胺、咔唑衍生物、聚对苯撑衍生物等。

作为上述电子输送材料，可举出作为有机EL元件的电子输送材料公知的二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、联对苯醌衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物。

本发明的组合物中，从高效率发光的观点考虑，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物的T₁能量值(ETH)与上述磷光发光性化合物的T₁能量值(ETG)优选满足下述式：

ETH＞ETG (eV)

，更优选满足：

ETH＞ETG+0.1 (eV)

，进一步优选满足：

ETH＞ETG+0.2 (eV)

。

本发明的薄膜可以使用本发明的组合物等来制作。薄膜的制作可以采用溶液的涂布、蒸镀、转印等方法。溶液的涂布，可以采用旋转涂布法、流延法、微型凹版涂布法、凹槽辊涂布法、刮条涂布法、辊涂法、线式刮条涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等。

作为溶剂，优选能够使组合物溶解或者均匀分散的溶剂。作为该溶剂，可举出氯系溶剂(氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等)、醚类溶剂(四氢呋喃、二

烷等)、芳香烃类溶剂(甲苯、二甲苯等)、脂肪烃类溶剂(环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等)、酮类溶剂(丙酮、丁酮、环己酮等)、酯类溶剂(乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等)、多元醇及其衍生物(乙二醇、乙二醇单丁醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇单乙醚、甘油、1，2-己二醇等)、醇类溶剂(甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等)、亚砜类溶剂(二甲亚砜等)、酰胺类溶剂(N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等)，可以从其中选择使用。另外，这些有机溶剂可以单独使用一种，也可以将二种以上合并使用。

当采用喷墨印刷法时，为了改善喷墨头的喷出性、偏移等，作为溶液中溶剂的选择、添加剂，可以采用公知的方法。该情况下，溶液的粘度优选为25℃下1～100mPa·s。另外，如果蒸发现象过于显著，则有难以重复从喷墨头喷出的倾向。从上述观点考虑，作为优选的溶剂，可举出利用含有苯甲醚、二环己基、二甲苯、萘满、十二烷基苯等的单独或者混合的溶剂。一般来说，采用将多种溶剂混合的方法、调整组合物在溶液中的浓度的方法等，可以获得适合于所用组合物的喷墨印刷用的溶液。

<高分子化合物>

本发明的高分子化合物为含有从上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)表示的含氮化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基以及磷光发光性化合物的残基的高分子化合物。上述磷光发光性化合物和上述含氮化合物与在上述组合物的项目中说明所示例的那些相同。作为本发明的高分子化合物，可举出(1)在主链上具有磷光发光性化合物的残基的高分子化合物、(2)在末端上具有磷光发光性化合物的残基的高分子化合物、(3)在侧链上具有磷光发光性化合物的残基的高分子化合物等。

<发光元件>

下面说明本发明的发光元件。

本发明的发光元件是使用本发明的组合物等制成的，通常在设置于由阳极和阴极构成的电极之间的层的至少一部分中含有本发明的组合物等，它们优选以上述发光性薄膜的形态作为发光层而含有。另外，从提高发光效率、耐久性等性能的观点考虑，也可以包含具有其他功能的公知的层。作为这种层，可举出例如，电荷输送层(即，空穴输送层、电子输送层)、电荷阻止层(即，空穴阻止层、电子阻止层)、电荷注入层(即，空穴注入层、电子注入层)、缓冲层等。予以说明，对于本发明的发光元件，发光层、电荷输送层、电荷阻止层、电荷注入层、缓冲层等可以分别由一层构成，也可以由二层以上构成。

发光层为具有发光功能的层。空穴输送层为具有输送空穴的功能的层。电子输送层为具有输送电子的功能的层。将这些电子输送层和空穴输送层统称为电荷输送层。另外，电荷阻止层为具有将空穴或者电子封闭在发光层中的功能的层，将输送电子、且封闭空穴的层称为空穴阻止层，将输送空穴、且封闭电子的层称为电子阻止层。

作为缓冲层，可举出与阳极相邻接且含有导电性高分子化合物的层。

作为本发明的发光元件的具体例，可举出以下a)～q)的结构。

a)阳极/发光层/阴极

b)阳极/空穴输送层/发光层/阴极

c)阳极/发光层/电子输送层/阴极

d)阳极/发光层/空穴阻止层/阴极

e)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

f)阳极/电荷注入层/发光层/阴极

g)阳极/发光层/电荷注入层/阴极

h)阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极

i)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/阴极

j)阳极/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极

k)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极

l)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/阴极

m)阳极/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

n)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

o)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

p)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

q)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极(此处，“/”表示各层相邻地积层。下同。予以说明，发光层、空穴输送层、电子输送层可以各自独立地使用2层以上。)

当本发明的发光元件具有空穴输送层时(通常情况下，空穴输送层含有空穴输送材料)，作为空穴输送材料，可举出公知的材料，例如，聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或者主链上具有芳香胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚(对亚苯基1，2-亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基1，2-亚乙烯基)及其衍生物等高分子空穴输送材料，进而，还可举出在特开昭63-70257号公报、特开昭63-175860号公报、特开平2-135359号公报、特开平2-135361号公报、特开平2-209988号公报、特开平3-37992号公报、特开平3-152184号公报中记载的化合物。

当本发明的发光元件具有电子输送层时(通常情况下，电子输送层含有电子输送材料)，作为电子输送材料，可举出公知的材料，例如，二

唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、联对苯醌衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。

作为空穴输送层和电子输送层的膜厚，其最佳值根据所用的材料而不同，只要按照能使驱动电压和发光效率达到适度的值的条件来选择即可，但必须是至少不会导致发生针孔的厚度，如果过厚，则元件的驱动电压提高，是不理想的。因此，该空穴输送层和电子输送层的膜厚例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。

另外，在与电极相邻地设置的电荷输送层中，有时把具有改善从电极注入电荷的效率的功能、具有降低元件的驱动电压的效果的层特别地称之为电荷注入层(即，空穴注入层、电子注入层的总称。下同)。

进而，为了提高与电极的密合性、改善从电极的电荷注入，可以与电极相邻地设置上述的电荷注入层或者绝缘层(通常情况下，其平均膜厚为0.5nm～4nm)，另外，为了提高界面的密合性、防止混合等，可以在电荷输送层或发光层的界面处插入薄的缓冲层。

关于积层的层的顺序和层数、以及各层的厚度，可以考虑发光效率和元件寿命来适宜选择。

作为电荷注入层，可举出含有导电性高分子化合物的层、在阳极与空穴输送层之间设置的、含有具有阳极材料与空穴输送层所含的空穴输送材料二者之间值的离子化电势的材料的层、在阴极与电子输送层之间设置的、含有具有阴极材料与电子输送层所含的电子输送材料二者之间值的电子亲合力的材料的层等。

作为适用于电荷注入层的材料，只要根据电极和相邻的层的材料之间的关系适宜选择即可，可举出聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚亚苯基1，2-亚乙烯基及其衍生物、聚亚噻吩基1，2-亚乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主链或者侧链上含有芳香胺结构的聚合物等导电性高分子化合物、金属酞菁(铜酞菁等)、碳等。

绝缘层是具有使电荷的注入变得容易的功能的层。作为上述绝缘层的材料，可举出例如，金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。作为设置了上述绝缘层的发光元件，可举出与阴极相邻地设置了绝缘层的发光元件、与阳极相邻地设置了绝缘层的发光元件。

本发明的发光元件通常在基板上形成。上述基板只要在形成电极、形成有机物的层时不发生变化即可，可举出例如，玻璃、塑料、高分子薄膜、硅等的基板。当基板不透明时，与其相对的电极优选为透明或者半透明的。

本发明的发光元件所具有的阳极和阴极中的至少一方通常为透明或者半透明的。其中，优选在阳极侧为透明或者半透明的。

作为阳极材料，通常使用导电性的金属氧化物膜、半透明的金属薄膜等。具体地可举出，使用含有氧化铟、氧化锌、氧化锡、以及作为它们的复合体的铟·锡·氧化物(ITO)、铟·锌·氧化物等导电性无机化合物制成的膜(NESA等)或使用金、铂、银、铜等，优选ITO、铟·锌·氧化物、氧化锡制成的膜。作为其制作方法，可举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀敷法等。另外，作为该阳极，可以使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有机的透明导电膜。予以说明，可以将阳极形成2层以上的积层结构。

作为阴极材料，通常优选功函数小的材料。可以使用例如，锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属、以及它们中的2种以上形成的合金、或者它们中的1种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的1种以上形成的合金、石墨或者石墨层间化合物等。作为合金，可举出镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。予以说明，可以将阴极形成2层以上的积层结构。

本发明的发光元件可以用作面状光源、显示装置(例如，节段显示装置、点矩阵显示装置、液晶显示装置等)、其背光光源(例如，具备上述发光元件作为背光的液晶显示装置)等。

为了使用本发明的发光元件获得面状的发光，只要按照使面状的阳极与阴极重合的方式进行配置即可。另外，为了获得图案状的发光，可以采用在上述面状的发光元件的表面上设置设有图案状窗口的掩模的方法、形成极厚的非发光部的有机物层并作为实际上非发光部分的方法、按照图案状形成阳极或者阴极中的任一方或双方电极的方法。采用其中任一种方法形成图案，通过按照可使一些电极独立地实现开/关的条件进行配置，获得能够显示数字、文字、简单的符号等的节段式的显示元件。进而，为了形成点矩阵元件，可以使阳极与阴极一起形成条纹状并垂直交叉地进行配置。通过采用分别涂布发光色不同的多种材料的方法、使用滤色片或者荧光转换滤光器的方法，可以进行部分颜色显示、多彩色显示。点矩阵元件可以进行无源驱动，也可以与TFT等组合起来进行有源驱动。这些显示元件可以用作计算机、电视、移动终端、移动电话、车载导航装置、摄像机的取景器等的显示装置。

进而，上述面状的发光元件通常为自发光薄型的，可用作液晶显示装置的背光用的面状光源、照明(例如，面状的照明、该照明用的光源)等。另外，如果使用挠性的基板，则也可以用作曲面状的光源、照明、显示装置等。

本发明的组合物等也可以用作有机半导体材料等半导体材料、发光材料、光学材料、导电性材料(例如，通过掺杂来适用)。进而，使用本发明的组合物等，可以制作发光性薄膜、导电性薄膜、有机半导体薄膜等薄膜。

本发明的组合物等可以采用与上述发光元件的发光层中使用的发光性薄膜的制作方法同样的方法，制作导电性薄膜和半导体薄膜并实现元件化。关于半导体薄膜，电子迁移率或者空穴迁移率任一个较大的一方，优选为10^-5cm²/V/秒以上。另外，有机半导体薄膜可以用于有机太阳能电池、有机晶体管等。

【实施例】

下面，示出实施例来更详细地说明本发明，但本发明不限定于这些实施例。

<实施例1>

由下述式：

【化21】

(式中，n为聚合数。)

表示的高分子化合物(P-1)，其n＝∞的外推值的T₁能量值为3.1eV，LUMO的能级绝对值E_LUMO为2.4eV，最小的2面角为50°。

参数的计算采用发明的详细说明中记载的计算科学的方法来进行。具体来说，对于使用高分子化合物(P-1)中的由下述式：

【化22】

表示的重复单元(M-1)、n＝1、2和3的情况，采用HF法进行结构最佳化。

此时，使用6-31G＊作为基函数。然后，使用同一个基函数，采用B3P86能级的时间依存密度泛函数法，计算出LUMO的能级值、以及T₁能量值。将按照各n算出的LUMO的能级值、以及T₁能量值作为n的倒数(1/n)的函数，将n＝∞的外推值作为该函数的1/n＝0时的值。

另外，2面角根据n＝3(n为聚合数)的结构最佳化的结构计算出。由于存在多个环结构，因此也存在多个2面角。此处，在存在多个的2面角中，只记载最小的值(以下，实施例2、3和比较例1也同样)。

然后，使用含有高分子化合物(P-1)和磷光发光性化合物的组合物制作发光元件，可以确认，发光效率优良。

<实施例2>

由下述式：

【化23】

(式中，n为聚合数。)

表示的高分子化合物(P-2)，其n＝∞的外推值的T₁能量值为3.0eV，LUMO的能级绝对值E_LUMO为3.1eV，最小的2面角为45°。

参数的计算采用上述的计算科学的方法来进行。具体来说，将高分子化合物(P-2)的由下述式(M-2)表示的重复单元(M-2)按照下述式(M-2a)简化那样进行，然后进行计算。关于将化学结构简化的妥当性，已按照特开2005-126686号公报中记载的方法，通过减小烷基侧链长度相对于T₁能量值和LUMO的能级值的依存性来确认。使用简化的重复单元(M-2a)，对于n＝1、2和3的情况，采用HF法进行结构最佳化。

【化24】

另外，2面角根据n＝3(n为聚合数)的结构最佳化的结构计算出，在存在多个的2面角中，只记载最小的值。

然后，使用含有高分子化合物(P-2)和磷光发光性化合物的组合物制作发光元件，可以确认，发光效率优良。

<实施例3>

由下述式：

【化25】

(式中，n为聚合数。)

表示的高分子化合物(P-3)，其n＝∞的外推值的T₁能量值为3.2eV，LUMO的能级绝对值E_LUMO为2.3eV，最小的2面角为51°。

参数的计算采用上述的计算科学的方法来进行。具体来说，将高分子化合物(P-3)的由下述式(M-3)表示的重复单元(M-3)按照下述式(M-3a)那样进行简化，与实施例2同样地计算出。

【化26】

然后，使用含有高分子化合物(P-3)和磷光发光性化合物的组合物制作发光元件，可以确认，发光效率优良。

<实施例4>

由下述式：

【化27】

表示的化合物(C-1)的T₁能量值为3.2eV，LUMO的能级绝对值E_LUMO为2.1eV。

参数的计算采用上述的计算科学的方法来进行。具体来说，对于化合物(C-1)，采用HF法进行结构最佳化。此时，作为基函数，与实施例1同样，使用6-31G＊。然后，使用同一个基函数，采用B3P86能级的时间依存密度泛函数法，计算出LUMO的能级值和T₁能量值。

然后，使用含有化合物(C-1)和磷光发光性化合物的组合物制作发光元件，可以确认，发光效率优良。

<实施例5>

由下述式：

【化28】

表示的化合物(C-2)的T₁能量值为3.1eV，LUMO的能级绝对值E_LUMO为2.6eV。参数的计算与实施例4同样地进行。

然后，使用含有化合物(C-2)和磷光发光性化合物的组合物制作发光元件，可以确认，发光效率优良。

<实施例6>

由下述式：

【化29】

表示的化合物(C-3)的T₁能量值为3.2eV，LUMO的能级绝对值E_LUMO为1.9eV。予以说明，T₁能量值和LUMO的能级值的计算，与实施例4同样，采用计算科学的方法来进行。

使用含有化合物(C-3)和磷光发光性化合物的组合物制作发光元件，可以确认，发光效率优良。

<实施例7>

由下述式：

【化30】

表示的化合物(C-4)的T₁能量值为3.2eV，LUMO的能级绝对值E_LUMO为1.9eV。予以说明，T₁能量值和LUMO的能级值的计算，与实施例4同样，采用计算科学的方法来进行。

使用含有化合物(C-4)和磷光发光性化合物的组合物制作发光元件，可以确认，发光效率优良。

<实施例8>

由下述式：

【化31】

表示的化合物(C-5)的T₁能量值为3.0eV，LUMO的能级绝对值E_LUMO为1.5eV。予以说明，T₁能量值和LUMO的能级值的计算，与实施例4同样，采用计算科学的方法来进行。

使用含有化合物(C-5)和磷光发光性化合物的组合物制作发光元件，可以确认，发光效率优良。

<实施例9>

由下述式：

【化32】

表示的化合物(C-6)的T₁能量值为3.0eV，LUMO的能级绝对值E_LUMO为2.1eV。予以说明，T₁能量值和LUMO的能级值的计算，与实施例4同样，采用计算科学的方法来进行。

使用含有化合物(C-6)和磷光发光性化合物的组合物制作发光元件，可以确认，发光效率优良。

<实施例10>

由下述式：

【化33】

表示的化合物(C-7)的T₁能量值为2.9eV，LUMO的能级绝对值E_LUMO为1.9eV。予以说明，T₁能量值和LUMO的能级值的计算，与实施例4同样，采用计算科学的方法来进行。

使用含有化合物(C-7)和磷光发光性化合物的组合物制作发光元件，可以确认，发光效率优良。

<实施例11>

由下述式：

【化34】

表示的化合物(C-8)的T₁能量值为2.9eV，LUMO的能级绝对值E_LUMO为1.8eV。予以说明，T₁能量值和LUMO的能级值的计算，与实施例4同样，采用计算科学的方法来进行。

使用含有化合物(C-8)和磷光发光性化合物的组合物制作发光元件，可以确认，发光效率优良。

<实施例12>

向采用WO02/066552中记载的方法合成的由下述式：

【化35】

表示的磷光发光性化合物(MC-1)的THF溶液(0.05重量％)中，混合入约5倍重量的由下述式：

【化36】

表示的化合物(C-9)的THF溶液(约1重量％)，配制混合物(溶液)。将该混合物10μl滴到载玻片上，使其风干，由此获得固体膜。当向该固体膜照射365nm的紫外线时，获得由磷光发光性化合物(MC-1)发出的强的绿色光，由此确认上述混合物的发光效率高。

化合物(C-9)的T₁能量值为2.9eV，LUMO的能级绝对值E_LUMO为2.4eV。予以说明，T₁能量值和LUMO的能级值的计算，与实施例4同样，采用计算科学的方法来进行。

另外，采用计算科学的方法算出的磷光发光性化合物(MC-1)的T₁能量值为2.7eV。

<比较例1>

由下述式：

【化37】

(式中，n为聚合数。)

表示的高分子化合物(CP-1)，其n＝∞的外推值的T₁能量值为2.6eV，LUMO的能级绝对值E_LUMO(1/n＝0)为2.1eV，最小的2面角为45°。参数的计算，将高分子化合物(CP-1)中的下述重复单元(CM-1)简化为(CM-1a)，与实施例1同样地进行计算。

【化38】

接着，配制含有高分子化合物(CP-1)和磷光发光性化合物(MC-1)的混合溶液10μl，将其滴到载玻片上，使其风干，由此获得固体膜。当向该固体膜照射365nm的紫外线时，由磷光发光性化合物(MC-1)发出的光很弱，由此确认上述混合物的发光效率低。

产业上的可利用性

本发明的组合物等可以用来制作发光效率优良的发光元件。

Claims

1.一种组合物，其中包含具有从下述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)表示的含氮化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基的化合物以及磷光发光性化合物，

【化1】

式中，R表示氢原子或者取代基；存在多个的R可以相同或不同。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物为具有从上述式(1-2)、(1-3)、(1-4)表示的含氮化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基的化合物。

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，上述R中的至少1个为烷基、烷氧基、可以具有取代基的芳基或者可以具有取代基的杂芳基。

4.根据权利要求3所述的组合物，其中，上述R中的至少1个为除了氢原子以外的原子总数在3以上的取代基。

5.根据权利要求4所述的组合物，其中，上述R中的至少1个为碳数3～10的烷基或者碳数3～10的烷氧基。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物为由下述式(A-1)或者(A-2)表示的化合物、或者具有其残基的化合物，

【化2】

式中，Z¹和Z²各自独立地表示由上述式(1-1)、(1-2)、(1-3)或者(1-4)表示的含氮化合物的残基；Y¹表示-C(R^a)(R^b)-、-N(R^c)-、-O-、-Si(R^d)(R^e)-、-P(R^f)-或者-S-；R^a～R^f各自独立地表示氢原子或者取代基；m为0～8的整数；当存在多个Y¹时，它们可以相同或不同；Y²表示可以具有取代基的亚芳基；n为1～5的整数；当存在多个Y²时，它们可以相同或不同。

7.根据权利要求6所述的组合物，具有上述式(A-1)表示的化合物的残基的化合物为由下述式(A-1-1)表示的化合物，

【化3】

式中，R的含义与上述相同。

8.根据权利要求1～6中的任一项所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物为高分子化合物。

9.根据权利要求8所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物为具有含有上述式(A-1)或者(A-2)表示的化合物的残基的重复单元的高分子化合物。

10.根据权利要求9所述的组合物，其中，具有含有上述式(A-1)表示的化合物的残基的重复单元的高分子化合物为具有由下述式(A-1-2)表示的重复单元的高分子化合物，

【化4】

式中，R的含义与上述相同。

11.根据权利要求1～10中的任一项所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物，其的采用计算科学的方法算出的最低三重态激发能量值为3.0eV以上。

12.根据权利要求1～10中的任一项所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物，其的采用计算科学的方法算出的最低未占分子轨道的能级绝对值为1.5eV以上。

13.根据权利要求1～10中的任一项所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物的最低三重态激发能量值ETH和上述磷光发光性化合物的最低三重态激发能量值ETG满足下述式：

ETH＞ETG (eV)。

14.根据权利要求8～13中的任一项所述的组合物，其中，具有上述至少2种含氮化合物的残基的化合物为具有构成该含氮化合物的杂环结构以及与该杂环结构相邻的部分结构的化合物，所述部分结构具有至少2个π共轭电子，并且在该化合物中，该杂环结构与该部分结构之间的2面角为40°以上。

15.根据权利要求1～14中的任一项所述的组合物，其中，上述磷光发光性化合物为铱络合物或者铂络合物。

16.根据权利要求15所述的组合物，其中，上述磷光发光性化合物为以铱或者铂作为中心金属，并以8-羟基喹啉或其衍生物、苯并羟基喹啉或其衍生物、或者2-苯基-吡啶或其衍生物作为配基的金属络合物。

17.一种高分子化合物，其中，该化合物含有从下述式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)表示的含氮化合物中选出的至少2种含氮化合物的残基以及磷光发光性化合物的残基，

【化5】

18.一种薄膜，其中，该薄膜使用权利要求1～16中的任一项所述的组合物或者权利要求17所述的高分子化合物制成。

19.一种发光元件，其中，该元件使用权利要求1～16中的任一项所述的组合物或者权利要求17所述的高分子化合物制成。

20.一种面状光源，其中，该光源具备权利要求19所述的发光元件。

21.一种显示装置，其中，该装置具备权利要求19所述的发光元件。

22.一种照明装置，其中，该装置具备权利要求19所述的发光元件。