CN102104072B - 晶体管、制造晶体管的方法和包括晶体管的电子装置 - Google Patents
晶体管、制造晶体管的方法和包括晶体管的电子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102104072B CN102104072B CN201010227417.3A CN201010227417A CN102104072B CN 102104072 B CN102104072 B CN 102104072B CN 201010227417 A CN201010227417 A CN 201010227417A CN 102104072 B CN102104072 B CN 102104072B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transistor
- insulating barrier
- channel layer
- grid insulating
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000009434 installation Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 43
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 131
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 15
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 15
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 14
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 47
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 12
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 12
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 7
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 6
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 6
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 6
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 6
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明提供一种晶体管、制造晶体管的方法及包括晶体管的电子装置。晶体管可包括栅极绝缘体，其中，用等离子体处理栅极绝缘体的至少一个表面。栅极绝缘体的表面可以是接触沟道层的界面。可使用含氟(F)气体对所述界面进行等离子体处理，因而，所述界面可包含氟(F)。用等离子体处理的界面可抑制晶体管由于光而产生的特性改变。
Description
技术领域
示例实施例涉及晶体管、制造晶体管的方法和包括晶体管的电子装置。
背景技术
晶体管在电子装置中被广泛地用作开关装置或驱动装置。具体地，因为薄膜晶体管可形成在玻璃基底或塑料基底上，所以它们通常用在诸如液晶显示(LCD)装置和有机发光显示(OLED)装置的平板显示装置领域。
已试图使用将具有较高的载流子迁移率的氧化物层用作沟道层的方法来提高晶体管的操作特性。所述方法主要应用在用于平板显示装置的薄膜晶体管。然而，由于氧化物层对光敏感，因此具有作为沟道层的氧化物层的晶体管的特性不能恒久保持。
发明内容
示例实施例提供抑制了由于光产生的特性改变的晶体管、制造晶体管的方法及包括晶体管的电子装置。其它方面将部分地在下面的描述中阐述，部分地，从说明书来看将是清楚的，或者可以从示例实施例的实践而获知。
根据示例实施例，晶体管可包括：沟道层，包含氧化物半导体；源极和漏极，分别独立地接触沟道层的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，在沟道层和栅极之间，其中含氟(F)区域在栅极绝缘层和沟道层之间的界面处。
含(F)区域可以是用含F的等离子体处理的区域。含氟区域可具有大约至大约的厚度。氧化物半导体可包括ZnO基氧化物。ZnO基氧化物可包括从由铟(In)、镓(Ga)、铝(Al)、钛(Ti)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)、钇(Y)、钽(Ta)和铬(Cr)组成的组中选择的至少一种。
栅极绝缘层可具有单层结构或包括由硅氧化物层和硅氮化物层中的至少一种的多层结构。栅极可设置在沟道层之上或之下。
根据示例实施例，平板显示装置可包括晶体管。
根据示例实施例，一种制造晶体管的方法可包括如下步骤：形成栅极；形成栅极绝缘层以覆盖栅极；对栅极绝缘层的表面进行等离子体处理；在栅极绝缘层上形成包括氧化物半导体的沟道层；形成与沟道层的两端分别独立接触的源极和漏极。
可以用含氟(F)气体执行上述工艺。可以用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备或活性离子蚀刻(RIE)设备执行所述工艺。
使用PECVD设备的等离子体处理可以在大约20℃至500℃的温度和大约1mTorr至大约1000mTorr的压强执行大约1秒至大约300秒。使用RIE设备的等离子体处理可以在大约20℃至200℃的温度和大约1mTorr至大约500mTorr的压强执行大约1秒至大约300秒。
栅极绝缘层可具有单层结构或包括硅氧化物层和硅氮化物层中的至少一种的多层结构。氧化物半导体可包括ZnO基氧化物。ZnO基氧化物可包括从由铟(In)、镓(Ga)、铝(Al)、钛(Ti)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)、钇(Y)、钽(Ta)和铬(Cr)组成的组中选择的至少一种。
根据示例实施例，一种制造晶体管的方法可包括如下步骤：形成包括氧化物半导体的沟道层；形成分别独立接触沟道层的两端的源极和漏极；覆盖沟道层、源极和漏极形成第一栅极绝缘层；等离子体处理第一栅极绝缘层；在等离子体处理的第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；在第二栅极绝缘层上形成栅极。
可用含氟(F)气体执行等离子体处理。可用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备或活性离子蚀刻(RIE)设备进行等离子体处理。第一栅极绝缘层可具有大约至大约的厚度。
第一栅极绝缘层可包含硅氧化物。第二栅极绝缘层可具有单层结构或包括硅氧化物层和硅氮化物层中的至少一种的多层结构。氧化物半导体可包括ZnO基氧化物。
ZnO基氧化物可包括从由铟(In)、镓(Ga)、铝(Al)、钛(Ti)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)、钇(Y)、钽(Ta)和铬(Cr)组成的组中选择的至少一种。
附图说明
从下面结合附图对示例实施例进行的描述，上述和/或其他方面将会变得清楚并更容易理解，附图中：
图1是根据示例实施例的晶体管的剖视图；
图2A至图2E是根据示例实施例的解释制造晶体管的方法的剖视图；
图3是根据示例实施例的晶体管的剖视图；
图4A至图4E是根据示例实施例的解释制造晶体管的方法的剖视图；
图5和图6是评价根据示例实施例的晶体管的光电可靠性的曲线图；
图7是评价根据对比示例的晶体管的光电可靠性的曲线图。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述各种示例实施例，在附图中示出了示例实施例。然而，示例实施例可以以许多不同的形式来实施，且不应该解释为局限于在这里所提出的示例实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的，并将示例实施例的构思充分地传达给本领域技术人员。
应该理解的是，当元件被称作“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接连接或结合到另一元件，或者可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时，不存在中间元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。
应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称作第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于描述，在这里可使用空间相对术语，如“在...之下”、“在...下方”、“下面的”、“在...上方”、“上面的”等，来描述如在图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应该理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因而，术语“在...下方”可包括“在...上方”和“在...下方”两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或者在其它方位)，并对在这里使用的空间相对描述符做出相应的解释。
这里使用的术语仅为了描述特定实施例的目的，而不意图限制示例实施例。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还应理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在此参照作为示例实施例的理想实施例(和中间结构)的示意图的剖视图来描述示例实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，示例实施例不应该被解释为局限于在此示出的区域的具体形状，而将包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出为矩形的注入区域将通常在其边缘具有倒圆或弯曲的特征和/或具有注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的埋区会导致在埋区和通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，在图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状，也不意图限制示例实施例的范围。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例实施例所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的环境中它们的意思一致的意思，而将不以理想的或者过于正式的含义来解释它们。
在附图中，为清晰起见，夸大了层和区域的厚度。附图中相同的标号表示相同的元件。
图1是根据示例实施例的晶体管的剖视图。根据示例实施例的晶体管可以是栅极G1形成在沟道层C1下面的底栅薄膜晶体管。
参照图1，栅极G1可形成在基底SUB1上。基底SUB1可以是在通常的半导体装置工艺中应用的玻璃基底或其它基底，例如，塑料基底或硅(Si)基底。栅极G1可由诸如Cu、Ti、Mo、Al、Ni、W、Pt和Cr的金属或者诸如氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡(ITO)的导电氧化物形成。栅极G1可构造为包括多个由不同材料形成的材料层的多层结构，或者可由包括两种或更多种金属的合金形成。
覆盖栅极G1的栅极绝缘层GI1可形成在基底SUB1上。栅极绝缘层GI1可包括Si氧化物层、Si氮化物层或另一材料层，例如，具有比Si氮化物层的介电常数高的介电常数的高介电材料层。另外，栅极绝缘层GI1可包括含有多个材料层的多层结构。例如，栅极绝缘层GI1可包括Si氮化物层和Si氧化物层顺序堆叠的多层结构。
含氟区域(含F区域)10可形成在栅极绝缘层GI1的上表面上。含F区域10可认为是栅极绝缘层GI1的一部分。含F区域10接触沟道层C1，这将在随后描述。因而，含F区域10可设置在栅极绝缘层GI1和沟道层C1之间的界面处。含F区域10可以是包含F的用等离子体处理的区域。即，可通过用等离子体处理栅极绝缘层GI1的表面部分来形成含F区域10。含F区域10可具有大约至大约的范围内的厚度。
沟道层C1可设置在含F区域10上。沟道层C1可设置在栅极G1之上以与栅极G1对应。沟道层C1的宽度可比栅极G1的宽度宽，其中，所述宽度是在X轴方向测量的。沟道层C1可由诸如ZnO基氧化物半导体的氧化物半导体形成。在示例实施例中，ZnO基氧化物半导体可以是包括从由诸如铟(In)、镓(Ga)和铝(Al)的III族元素、诸如钛(Ti)、锡(Sn)、锆(Zr)和铪(Hf)的四族元素及诸如钇(Y)、钽(Ta)和铬(Cr)的其它元素组成的组中选择的至少一种元素的络合化合物。氧化物半导体可以是非晶结构、晶体结构或非晶结构和晶体结构的组合结构。
当光照射到沟道层C1上时，可从沟道层C1产生过剩电荷(excesscharge)，因而，晶体管的特性会改变。沟道层C1和栅极绝缘层GI1之间的含F区域10(例如，包含F的用等离子体处理过的区域)通过防止或减少阱位(trap site)的形成来抑制或阻止晶体管特性改变，在阱位中，可捕获诸如载流子(例如电子或空穴)的过剩电荷。氟(F)具有较高的电负性，从而展现阳离子结合性能。
因而，氟(F)原子与沟道层C1的下部分中的悬空键(dangling bond)反应以减少沟道层C1存在缺陷的可能性。悬空键指原子(金属或氧)的未成对的键，悬空键不参加化学键，并可作为缺陷。由于悬空键的数量减少，形成较少的过剩电荷的阱位。因而，根据示例实施例，可实施抑制了由于光而使特性变化的氧化物晶体管。
单独接触沟道层C1的两端的源极S1和漏极D1可设置在包括含F区域10的栅极绝缘层GI1上。源极S1和漏极D1均可形成为单金属层或多金属层。源极S1和漏极D1可由诸如铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、镍(Ni)、钨(W)、铂(Pt)和铬(Cr)的金属或者诸如IZO和ITO的导电氧化物形成。源极S1和漏极D1可构造为包括多个由不同材料形成的材料层的多层结构，或者可由包括两种或更多种金属的合金形成。
源极S1和漏极D1均可为由与栅极G1的材料相同的材料或与栅极G1的材料不同的材料形成的材料层。可形成钝化层P1来覆盖沟道层C1、源极S1和漏极D1。钝化层P1可形成为具有单层结构或包括由Si氧化物层、Si氮化物层和有机层组成的组中的至少一种的多层结构，栅极G1、栅极绝缘层GI1、源极S1和漏极D1可分别具有大约50nm至大约300nm、大约50nm至大约400nm、大约10nm至大约200nm和大约10nm至大约200nm的厚度。
图2A至图2E是根据示例实施例的解释制造晶体管的方法的剖视图。在图1和图2A至图2E中相同的标号表示相同的元件。参照图2A，栅极G1可通过形成栅极G1的电极材料并图案化所述电极材料而形成在基底SUB1上。可形成栅极绝缘层GI1以覆盖栅极G1。
栅极绝缘层GI1可包括Si氧化物层、Si氮化物层或另一材料层，例如，具有比Si氮化物层的介电常数高的介电常数的高介电材料层。另外，栅极绝缘层GI1可包括含有多个材料层的多层结构。例如，栅极绝缘层GI1可包括Si氮化物层和Si氧化物层顺序堆叠的多层结构。
参照图2B，可用等离子体处理栅极绝缘层GI1的表面部分。在示例实施例中，可利用含F气体来执行等离子体处理。例如，所述气体可包括四氟甲烷(CF4)和六氟化硫(SF6)中的一种。可使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备或活性离子蚀刻(RIE)设备来执行所述等离子体处理。通过执行等离子体处理，可在栅极绝缘层GI1的表面部分上形成含F区域10。含F区域10可以为用F元素掺杂的区域。F元素可掺杂至大约至大约的范围内的深度。即，含F区域10具有大约至大约的范围内的深度。当利用PECVD设备执行等离子体处理时，可在大约20℃至大约500℃的温度和大约1mTorr至大约1000mTorr的压强执行等离子体处理大约1秒至大约300秒。当利用RIE设备执行等离子体处理时，可在大约20℃至大约200℃的温度和大约1mTorr至大约500mTorr的压强执行等离子体处理大约1秒至大约300秒。
参照图2C，可在栅极绝缘层GI1上形成用于沟道的氧化物层C10。可用诸如溅射方法和沉积方法的物理气相沉积方法或化学气相沉积方法来形成氧化物层C10。氧化物层C10可包括例如ZnO基氧化物半导体。在示例实施例中，ZnO基氧化物半导体可以是包括从由诸如铟(In)、镓(Ga)和铝(Al)的III族元素、诸如钛(Ti)、锡(Sn)、锆(Zr)和铪(Hf)的四族元素及诸如钇(Y)、钽(Ta)和铬(Cr)的其它元素组成的组中选择的至少一种元素的络合化合物。
参照图2D，可通过图案化氧化物层C10来形成沟道层C1。沟道层C1可设置在栅极G1之上以与栅极G1对应。
参照图2E，源极S1和漏极D1可设置在包括含F区域10的栅极绝缘层GI1上，以分别单独接触沟道层C1的两端。可以暴露在位于源极S1和漏极D1之间的沟道层C1的上表面的一部分。可通过在沟道层C1上形成电极材料层并图案化所述电极材料层来形成源极S1和漏极D1。源极S1和漏极D1均可形成为单金属层或多金属层。
可在基底SUB1上形成钝化层P1来覆盖沟道层C1的暴露部分、源极S1和漏极D1。钝化层P1可形成为具有单层结构或包括由Si氧化物层、Si氮化物层和有机层组成的组中的至少一种的多层结构。如上所述形成的晶体管可在大约200℃至大约400℃的温度退火。通过退火，可控制沟道层C1中的载流子的浓度，并可去除沟道层C1中的缺陷。
以下，将描述实验示例。在如下的条件下制造了底栅晶体管。
-栅极G1：Mo 2000′
-栅极绝缘层GI1：SiNx2000′/SiOx500′(PECVD)
-沟道层C1：HfInZnO 500′
-源极S1和漏极D1：Mo 1000′
-钝化层P1：SiOx2000′
为形成栅极绝缘层GI1，顺序形成SiNx层和SiOx层，用等离子体处理SiOx层的表面部分。利用PECVD设备和RIE设备独立地执行等离子体处理。当使用PECVD设备时，利用CF4气体在大约300℃大约550mTorr的压强下执行等离子体处理大约10秒。当使用RIE设备时，利用SF6气体在室温、大约150mTorr的压强下执行等离子体处理大约30秒。通过在栅极绝缘层GI1上形成沟道层C1、源极S1和漏极D1及钝化层P1来制造晶体管，其中，栅极绝缘层GI1具有通过上述两种方法利用等离子体处理的表面部分。
图5和图6是评价根据示例实施例的在实验示例中制造的晶体管的光电可靠性的曲线图。图5是涉及通过利用PECVD设备执行等离子体处理制造的晶体管的曲线图。图6是涉及通过利用RIE设备执行等离子体处理制造的晶体管的曲线图。光电可靠性是通过测量由于光照和电压应力(stress)产生的栅电压VGS-漏电流IDS特性的变化来评价的。更详细地，通过将大约20,000nit的光照射到晶体管，同时分别向栅极、漏极和源极施加大约-20V、10V和0V的电压，并测量每个晶体管的栅电压VGS-漏电流IDS特性的变化。从而测量光电可靠性。在图5和图6中，时间(秒)指施加光-电压应力的时间。当时间为0时，没有光-电压应力施加到晶体管。晶体管的光电可靠性评价是在室温下执行的。
图7是评价在对比示例中不进行等离子体处理而制造的晶体管的光电可靠性的曲线图。在对比实施例中制造的晶体管是以与实验示例相同的方式制造的，除了不进行等离子体处理之外。评价光电可靠性的条件与实验示例相同。
参照图5至图7，在图7中的没有进行等离子体处理而制造的晶体管的情况下，随着光-电压应力进一步增大，曲线图从没有施加光-电压应力的晶体管的曲线图大幅向左移动(阈值电压减小大约4.5V)。然而，在图5和图6中的经等离子体处理而制造的晶体管的情况下，与图7中的情况相比，曲线图从没有施加光-电压应力的晶体管的曲线图略微移动。结果表明，通过执行等离子体处理，可通过在栅极绝缘层和沟道层之间的界面处形成含F区域来抑制或阻止由于光产生的晶体管特性的变化。因而，根据示例实施例，可实施具有提高的光电可靠性的氧化物晶体管。
图3是根据示例实施例的晶体管的剖视图。根据示例实施例的晶体管可以是栅极G2形成在沟道层C2之上的顶栅薄膜晶体管。
参照图3，沟道层C2可形成在基底SUB2上。源极S2和漏极D2可设置在基底SUB2上以分别独立接触沟道层C2的两端。可设置含F区域20以覆盖沟道层C2、源极S2和漏极D2。栅极绝缘层GI2可设置在含F区域20上。含F区域20可认为是栅极绝缘层GI2的一部分。因而，含F区域20可设置在栅极绝缘层GI2和沟道层C2之间的界面处。
栅极G2可设置在栅极绝缘层GI2上。栅极G2可设置在沟道层C2上方以与沟道层C2对应。可在栅极绝缘层GI2上设置钝化层P2以覆盖栅极G2。图3中的基底SUB2、沟道层C2、源极S2、漏极D2、含F区域20、栅极绝缘层GI2、栅极G2和钝化层P2可分别与图1中的基底SUB1、沟道层C1、源极S1、漏极D1、含F区域10、栅极绝缘层GI1、栅极G1和钝化层P1具有相同(或相似)的材料和厚度。
含F区域20和栅极绝缘层GI2的组合结构可与图1中的含F区域10和栅极绝缘层GI1的组合结构的反向结构相似。根据示例实施例，可用含有F的等离子体处理含F区域20，可以提高晶体管的光电可靠性。
图4A至图4E是根据示例实施例的解释制造晶体管的方法的剖视图。在图3和图4A至图4C中相同的标号表示相同的元件。参照图4A，沟道层C2可形成在基底SUB2上。沟道层C2可由与图2D中的沟道层C1的材料相同的材料形成，并可用与图2D中的沟道层C1的形成工艺相同的工艺形成。源极S2和漏极D2可形成在基底SUB2上，以分别单独接触沟道层C2的两端。
参照图4B，第一栅极绝缘层1可形成在基底SUB2上，以覆盖沟道层C2的暴露部分、源极S2和漏极D2。第一栅极绝缘层1可包括Si氧化物层、Si氮化物层或其它材料层，例如，具有比Si氮化物层的介电常数高的介电常数的高介电材料层。第一栅极绝缘层1可具有大约至大约的范围内的厚度。
参照图4C，可以用等离子体处理第一栅极绝缘层1。用标号1′来表示用等离子体处理第一栅极绝缘层之后的第一栅极绝缘层1。在示例实施例中，可用含F气体来执行等离子体处理。例如，所述气体可包括CF4和SF6中的至少一种。可使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备或活性离子蚀刻(RIE)设备来执行等离子体处理。
根据示例实施例的等离子体处理的条件可与参照图2B描述的条件相似。在等离子体处理过程中，由于第一栅极绝缘层1′相对薄，例如大约至大约F元素可到达第一栅极绝缘层1′和沟道层C2之间的界面处。第一栅极绝缘层1′可与图3中的含F区域20对应。以下，将把第一栅极绝缘层1′称为含F区域1′。
参照图4D，第二栅极绝缘层2可形成在含F区域1′上。第二栅极绝缘层2可包括Si氧化物层、Si氮化物层或其它材料层，例如，具有比Si氮化物层的介电常数高的介电常数的高介电材料层。此外，第二栅极绝缘层2可包括含有多个材料层的多层结构。第二栅极绝缘层2可与图3中的栅极绝缘层GI2对应。以下，第二栅极绝缘层2将被称为“栅极绝缘层2”。
参照图4E，栅极G2可形成在栅极绝缘层2上。栅极G2可形成在沟道层C2上面。钝化层P2可形成在栅极绝缘层2上以覆盖栅极G2。钝化层P2可由与图2E中的钝化层P1的材料相同的材料形成。如上所示形成的晶体管可在给定或预定的温度退火。退火温度可与参照图2E描述的条件相同。
根据示例实施例的晶体管可在诸如液晶显示(LCD)装置和有机发光显示(OLED)装置的平板显示装置中用作开关装置或驱动装置。如上所述，根据示例实施例的晶体管可具有由于光而产生的相对小的特性变化，因此，可提高包括所述晶体管的平板显示装置的可靠性。LCD装置和OLED装置的结构是公知的，因此，将省略对它们的详细描述。除了平板显示装置之外，根据示例实施例的晶体管可在诸如存储器装置和逻辑装置的其它电子装置中用于各种目的。
应该理解的是，这里描述的示例实施例应理解为仅是描述性的，而不是出于限制的目的。例如，本领域普通技术人员应该理解，图1和图3中示出的晶体管的组件和结构可以修改和改变。根据示例实施例的晶体管可具有双栅极结构，沟道层可具有多层结构。此外，源/漏极可接触沟道层的下表面，而不是沟道层的上表面。此外，本领域普通技术人员应该理解，图2A至2E和图4A至4E中示出的方法也可以进行各种改变。此外，在每个示例实施例中的特征或方面的描述应通常地理解为对其它示例实施例中的其它相似特征或方面也是存在的。
Claims (14)
1.一种晶体管，包括：
沟道层，包含氧化物半导体；
源极和漏极，构造为独立地接触沟道层的两端；
第一栅极绝缘层，形成在沟道层、源极和漏极上并且覆盖沟道层、源极和漏极；
第二栅极绝缘层，形成在第一栅极绝缘层上；以及
栅极，与沟道层对应并形成在第二栅极绝缘层上；
其中，第一栅极绝缘层为含氟区域。
2.如权利要求1所述的晶体管，其中，含氟区域是用含有氟的等离子体处理的区域。
3.如权利要求1所述的晶体管，其中，含氟区域具有至的厚度。
4.如权利要求1所述的晶体管，其中，氧化物半导体包括氧化锌基氧化物。
5.如权利要求4所述的晶体管，其中，氧化锌基氧化物包括从由铟、镓、铝、钛、锡、锆、铪、钇、钽和铬组成的组中选择的至少一种。
6.如权利要求1所述的晶体管，其中，第二栅极绝缘层具有单层结构或包括硅氧化物层和硅氮化物层中的至少一种的多层结构。
7.一种平板显示装置，包括如权利要求1所述的晶体管。
8.一种制造晶体管的方法，所述方法包括如下步骤：
形成包括氧化物半导体的沟道层；
形成独立接触沟道层的两端的源极和漏极；
在沟道层、源极和漏极上形成第一栅极绝缘层，以覆盖沟道层、源极和漏极；
利用含氟气体对第一栅极绝缘层进行等离子体处理，使得第一栅极绝缘层变为含氟区域，其中，含氟区域覆盖源极、漏极以及位于源极与漏极之间的沟道层；
在等离子体处理的第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；
在第二栅极绝缘层上形成栅极。
9.如权利要求8所述的方法，其中，用等离子体增强化学气相沉积设备或活性离子蚀刻设备进行等离子体处理。
10.如权利要求8所述的方法，其中，第一栅极绝缘层具有至的厚度。
11.如权利要求8所述的方法，其中，第一栅极绝缘层包含硅氧化物。
12.如权利要求8所述的方法，其中，第二栅极绝缘层具有单层结构或包括硅氧化物层和硅氮化物层中的至少一种的多层结构。
13.如权利要求8所述的方法，其中，氧化物半导体包括氧化锌基氧化物。
14.如权利要求13所述的方法，其中，氧化锌基氧化物包括从由铟、镓、铝、钛、锡、锆、铪、钇、钽和铬组成的组中选择的至少一种。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090129127A KR101603768B1 (ko) | 2009-12-22 | 2009-12-22 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 평판표시장치 |
| KR10-2009-0129127 | 2009-12-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102104072A CN102104072A (zh) | 2011-06-22 |
| CN102104072B true CN102104072B (zh) | 2015-09-30 |
Family
ID=42670615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201010227417.3A Active CN102104072B (zh) | 2009-12-22 | 2010-07-12 | 晶体管、制造晶体管的方法和包括晶体管的电子装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8354670B2 (zh) |
| EP (1) | EP2339633B1 (zh) |
| KR (1) | KR101603768B1 (zh) |
| CN (1) | CN102104072B (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101932576B1 (ko) | 2010-09-13 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| JP5984354B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2016-09-06 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子 |
| US8940647B2 (en) | 2011-12-28 | 2015-01-27 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method for surface treatment on a metal oxide and method for preparing a thin film transistor |
| CN102651317B (zh) * | 2011-12-28 | 2015-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 金属氧化物半导体表面处理方法和薄膜晶体管的制备方法 |
| KR102537022B1 (ko) | 2013-05-20 | 2023-05-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP6400336B2 (ja) | 2013-06-05 | 2018-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR102136992B1 (ko) * | 2013-07-12 | 2020-07-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터와 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR20150012874A (ko) * | 2013-07-26 | 2015-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 및 평판 표시 장치용 백플레인의 제조 방법. |
| JP6412322B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2018-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体デバイス、その製造方法、及びその製造装置 |
| KR102263827B1 (ko) * | 2014-03-21 | 2021-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 반도체 증착장치 및 이를 이용한 산화물 반도체의 제조 방법 |
| KR102614533B1 (ko) | 2016-08-23 | 2023-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
| KR102661549B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2024-04-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US10224432B2 (en) * | 2017-03-10 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment process performed on devices for TFT applications |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1825651A (zh) * | 2005-01-07 | 2006-08-30 | 三星电子株式会社 | 包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN1870316A (zh) * | 2005-05-24 | 2006-11-29 | 三星Sdi株式会社 | 有机薄膜晶体管、其制造方法、和包括其的平板显示器 |
| CN101123265A (zh) * | 2006-08-11 | 2008-02-13 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
| CN101202328A (zh) * | 2006-12-13 | 2008-06-18 | 三星Sdi株式会社 | 电子器件及其制造方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69125886T2 (de) | 1990-05-29 | 1997-11-20 | Semiconductor Energy Lab | Dünnfilmtransistoren |
| JP3145373B2 (ja) | 1991-03-25 | 2001-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JPH09307116A (ja) | 1996-05-20 | 1997-11-28 | Sharp Corp | 絶縁ゲート型電界効果半導体装置及びその製造方法 |
| KR19980065168A (ko) | 1997-01-03 | 1998-10-15 | 장진 | 불소가 함유된 산화막을 게이트 절연막으로 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| JP2000196099A (ja) | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Matsushita Electronics Industry Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP2002252353A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタおよびアクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP2002299614A (ja) | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | Ｍｉｓ型電界効果トランジスタ及びその製造方法及び半導体記憶装置及びその製造方法 |
| KR100997964B1 (ko) * | 2003-06-16 | 2010-12-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
| JP2006019609A (ja) | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
| KR20080095538A (ko) | 2007-04-25 | 2008-10-29 | 엘지전자 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법, 이를 포함하는평판표시장치 |
| KR101345378B1 (ko) | 2007-05-17 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| KR101412761B1 (ko) * | 2008-01-18 | 2014-07-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| KR101468591B1 (ko) | 2008-05-29 | 2014-12-04 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
| JP2010205987A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法並びに表示装置 |
| KR101623956B1 (ko) * | 2010-01-15 | 2016-05-24 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
| US9053937B2 (en) * | 2010-04-15 | 2015-06-09 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| KR101713994B1 (ko) * | 2010-12-29 | 2017-03-09 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
-
2009
- 2009-12-22 KR KR1020090129127A patent/KR101603768B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-06-14 US US12/801,531 patent/US8354670B2/en active Active
- 2010-06-29 EP EP10167614.6A patent/EP2339633B1/en active Active
- 2010-07-12 CN CN201010227417.3A patent/CN102104072B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1825651A (zh) * | 2005-01-07 | 2006-08-30 | 三星电子株式会社 | 包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN1870316A (zh) * | 2005-05-24 | 2006-11-29 | 三星Sdi株式会社 | 有机薄膜晶体管、其制造方法、和包括其的平板显示器 |
| CN101123265A (zh) * | 2006-08-11 | 2008-02-13 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
| CN101202328A (zh) * | 2006-12-13 | 2008-06-18 | 三星Sdi株式会社 | 电子器件及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110147734A1 (en) | 2011-06-23 |
| KR20110072270A (ko) | 2011-06-29 |
| EP2339633A1 (en) | 2011-06-29 |
| KR101603768B1 (ko) | 2016-03-15 |
| EP2339633B1 (en) | 2016-08-10 |
| US8354670B2 (en) | 2013-01-15 |
| CN102104072A (zh) | 2011-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102104072B (zh) | 晶体管、制造晶体管的方法和包括晶体管的电子装置 | |
| CN102130177B (zh) | 晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置 | |
| US9793377B2 (en) | Thin film transistor, thin film transistor array panel including the same, and manufacturing method thereof | |
| US10615266B2 (en) | Thin-film transistor, manufacturing method thereof, and array substrate | |
| JP5137146B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| EP2741335B1 (en) | Transistors, methods of manufacturing transistors, and electronic devices including transistors | |
| CN103140920B (zh) | 薄膜晶体管、其制造方法以及装备有该薄膜晶体管的图像显示装置 | |
| CN101794819B (zh) | 薄膜晶体管、其制备方法和包括它的平板显示装置 | |
| US9184181B2 (en) | Display substrate including a thin film transistor and method of manufacturing the same | |
| US8785243B2 (en) | Method for manufacturing a thin film transistor array panel | |
| US8643006B2 (en) | Thin film transistor having a patterned passivation layer | |
| US20110168993A1 (en) | Transistors and methods of manufacturing the same | |
| US20150034942A1 (en) | Thin film transistor and method of manufacturing the same | |
| CN103403873A (zh) | 偏移电极tft结构 | |
| US9076721B2 (en) | Oxynitride channel layer, transistor including the same and method of manufacturing the same | |
| CN102347368A (zh) | 晶体管、制造晶体管的方法及包括晶体管的平板显示器 | |
| KR20150038352A (ko) | 박막 트랜지스터 및 표시 장치 | |
| US9123588B2 (en) | Thin-film transistor circuit substrate and method of manufacturing the same | |
| KR20120010537A (ko) | 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
| KR20170041433A (ko) | 듀얼 게이트 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
| US20150221496A1 (en) | Method of manufacturing metal oxide semiconductor thin film transistor | |
| CN118039702A (zh) | 一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管及制备方法 | |
| US9722089B2 (en) | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
| KR101993383B1 (ko) | 절연막 형성 방법 및 이를 적용한 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR20110024617A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |