CN102102176A - 蒸发源和具有该蒸发源的沉积设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种蒸发源。在一个实施例中，蒸发源包括：i)熔罐，在其一侧是敞开的并被构造为储存沉积材料；ii)喷嘴部分，位于熔罐的敞开侧上并包括多个喷嘴，其中，每个喷嘴具有被构造为喷射穿过喷嘴的沉积材料的侧壁，侧壁具有倾斜部分。蒸发源还包括：i)加热器，被构造为加热熔罐；ii)外壳，被构造为容纳熔罐、喷嘴部分和加热器，其中，喷嘴部分具有小于大约60°的最大喷射角。

Description

蒸发源和具有该蒸发源的沉积设备

技术领域

所描述的技术总体上涉及用于制造平板显示器的蒸发源和具有该蒸发源的沉积设备。

背景技术

由于平板显示器的轻的重量和薄的轮廓，它们已经替代了阴极射线管显示器。这样的显示器的典型示例包括液晶显示器(LCD)和有机发光二极管显示器(OLED)。OLED通常具有较好的亮度和视角的特性，并且不需要背光，从而可以将它们实现为超薄显示器。

这些OLED利用通过阴极和阳极注入到有机薄膜中的电子和空穴复合而形成激子的现象来显示图像，因此通过激子的去激作用而释放的能量来发射具有特定波长的光。

通常，通过光刻方法或沉积方法在由例如玻璃、不锈钢或合成树脂形成的基板上选择性地形成阴极、阳极和有机薄膜来制造OLED显示器。在沉积方法中，沉积材料蒸发或升华、在真空下沉积并被选择性地蚀刻。可选择地，使用按预定的图案具有多个缝隙的掩模组件来选择性地沉积沉积材料。

光刻方法通常需要将光致抗蚀剂施加到预定区域，然后对施加的光致抗蚀剂执行湿蚀刻或者干蚀刻。在去除或蚀刻光致抗蚀剂的过程中，湿气会渗透。对于在湿气存在时发生降解的材料(例如，有机薄膜)而言，沉积是用来形成薄膜的主要方法。

发明内容

一个发明方面在于一种用于制造平板显示器的沉积喷嘴具有使阴影效应最小化的结构的蒸发源和的具有该蒸发源的沉积设备，实现了平板显示器的层的基本均匀的沉积。

另一方面在于一种蒸发源，该蒸发源包括：熔罐，在其一侧是敞开的并储存沉积材料；喷嘴部分，位于熔罐的敞开侧上并具有多个喷嘴，每个喷嘴在喷嘴的内壁的预定区域上倾斜；加热器，加热熔罐；外壳，容纳熔罐、喷嘴部分和加热器。喷嘴部分具有小于60°的最大喷射角。

另一方面在于一种沉积设备，该沉积设备包括：处理室；蒸发源，位于处理室的一侧上并包括在喷嘴的内壁的预定区域上倾斜的至少一个喷嘴；基板固定器，设置成与蒸发源相对；掩模组件，设置在基板固定器和蒸发源之间并具有多个缝隙，每个缝隙具有以第一倾斜角向掩模组件的表面倾斜的侧壁。

另一方面在于一种用于制造平板显示器的蒸发源，该蒸发源包括：熔罐，在其一侧是敞开的并被构造为储存沉积材料；喷嘴部分，位于熔罐的敞开侧上并包括多个喷嘴，其中，每个喷嘴具有被构造为喷射穿过喷嘴的沉积材料的侧壁，所述侧壁具有倾斜部分；加热器，被构造为加热熔罐；外壳，被构造为容纳熔罐、喷嘴部分和加热器，其中，喷嘴部分具有小于大约60°的最大喷射角。

在上述源中，熔罐沿一个方向延伸并包括划分熔罐的内部空间的至少一个分隔件。在上述源中，至少一个分隔件包括形成在分隔件的上部的槽。

在上述源中，侧壁具有比倾斜部分更靠近熔罐的非倾斜部分，其中，倾斜部分具有满足下式的高度(h)：

$h=\frac{\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})\tan \mathrm{\θ}}{\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})-\tan \mathrm{\θ}}R$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，R是喷嘴的宽度。

在上述源中，侧壁具有比倾斜部分更靠近熔罐的非倾斜部分，其中，倾斜部分具有顶部和比顶部更靠近熔罐的底部，倾斜部分基本逐渐地倾斜使得顶部的内部宽度大于底部的内部宽度，倾斜部分的底部的厚度(t)满足下式：

$t=\frac{\tan \mathrm{\θ}}{\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})-\tan \mathrm{\θ}}R$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，R是喷嘴的宽度，厚度(t)与侧壁的非倾斜部分的厚度基本相同。

在上述源中，侧壁具有比倾斜部分更靠近熔罐的非倾斜部分，其中，倾斜部分具有满足下式的高度(h)和厚度(t)：

$\frac{h}{t}=\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，倾斜部分具有顶部和比顶部更靠近熔罐的底部，倾斜部分基本逐渐地倾斜使得顶部的内部宽度大于底部的内部宽度，t是倾斜部分的底部的厚度，该厚度与侧壁的非倾斜部分的厚度基本相同。

在上述源中，储存在熔罐中的沉积材料包括有机材料。在上述源中，所述熔罐的数量大于1。在上述源中，侧壁具有比倾斜部分更靠近熔罐的非倾斜部分，非倾斜部分的高度高于倾斜部分的高度。

另一方面在于一种用于制造平板显示器的沉积设备，该沉积设备包括：蒸发源，被构造为容纳和喷射沉积材料；掩模组件，具有多个缝隙并被构造为通过缝隙将沉积材料沉积到基板上，其中，每个缝隙具有以第一倾斜角向掩模组件的表面倾斜的侧壁；基板固定器，被构造为固定基板并定位成相对于掩模组件与蒸发源相对；处理室，被构造为容纳蒸发源、基板固定器和掩模组件，其中，蒸发源具有小于第一倾斜角的最大喷射角。

在上述设备中，蒸发源的最大喷射角小于大约60°。在上述设备中，蒸发源包括：熔罐，在其一侧是敞开的并被构造为储存沉积材料；喷嘴部分，位于熔罐的敞开侧上并具有多个喷嘴，其中，每个喷嘴具有被构造为喷射穿过喷嘴的沉积材料的侧壁，侧壁具有i)倾斜部分和ii)非倾斜部分，非倾斜部分比倾斜部分更靠近熔罐；加热器，被构造为加热熔罐；外壳，被构造为容纳熔罐、喷嘴部分和加热器。

在上述设备中，倾斜部分具有满足下式的高度(h)：

$h=\frac{\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})\tan \mathrm{\θ}}{\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})-\tan \mathrm{\θ}}R$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，R是喷嘴的宽度。

在上述设备中，倾斜部分具有顶部和比顶部更靠近熔罐的底部，其中，倾斜部分基本逐渐地倾斜使得顶部的内部宽度大于底部的内部宽度，倾斜部分的底部的厚度(t)满足下式：

$t=\frac{\tan \mathrm{\θ}}{\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})-\tan \mathrm{\θ}}R$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，R是喷嘴的宽度，厚度(t)与侧壁的非倾斜部分的厚度基本相同。

在上述设备中，倾斜部分具有满足下式的高度(h)和厚度(t)：

$\frac{h}{t}=\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，倾斜部分具有顶部和比顶部更靠近熔罐的底部，倾斜部分基本逐渐地倾斜使得顶部的内部宽度大于底部的内部宽度，t是倾斜部分的底部的厚度，厚度(t)与侧壁的非倾斜部分的厚度基本相同。上述设备还包括被构造为按预定的方向互换蒸发源的传送单元。

另一方面在于一种制造平板显示器的蒸发源，该蒸发源包括：容器，被构造为储存沉积材料；喷嘴，与容器流体连通，其中，喷嘴具有被构造为将沉积材料喷射到要被沉积的基板上的侧壁，侧壁具有倾斜部分，倾斜部分具有顶部和比顶部更靠近容器的底部，倾斜部分的顶部相对于底部形成倾斜角，使得顶部的内部宽度大于底部的内部宽度，所述倾斜角大于大约60°且小于90°；外壳，被构造为容纳容器和喷嘴。

在上述源中，喷嘴具有小于大约60°的最大喷射角。在上述源中，侧壁包括比倾斜部分更靠近容器的非倾斜部分，其中，倾斜部分的底部的厚度(t)满足下式：

$t=\frac{\tan \mathrm{\θ}}{\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})-\tan \mathrm{\θ}}R$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，R是喷嘴的宽度，厚度(t)与喷嘴的侧壁的非倾斜部分的厚度基本相同。

在上述源中，侧壁包括比倾斜部分更靠近容器的非倾斜部分，其中，倾斜部分具有满足下式的高度(h)和厚度(t)：

$\frac{h}{t}=\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，倾斜部分的底部的厚度t与侧壁的非倾斜部分的厚度基本相同。

附图说明

图1是示出根据实施例的沉积设备的示意图。

图2A是示出根据实施例的用于沉积设备的蒸发源的透视图。

图2B是示出根据实施例的用于沉积设备的蒸发源的剖视图。

图3是图2B的区域A的放大视图。

图4是示出相对于蒸发源的最大喷射角的喷嘴的预定区域的厚度和高度与喷嘴的开口宽度之间的关系的曲线图。

具体实施方式

沉积设备典型地包括蒸发源。蒸发源通常包括：i)在一侧敞开的用于储存沉积材料的熔罐(crucible)；ii)加热熔罐的加热器；iii)位于熔罐的敞开的一侧上的喷嘴部分；iv)用于容纳熔罐、加热器和喷嘴部分的外壳。为了提高沉积效率，可将线性蒸发源用作蒸发源。在这种设计中，熔罐沿一个线性方向延伸，或者多个熔罐和喷嘴部分沿一条线安装在外壳中。

使用上述掩模组件的沉积设备被设计为减少沉积材料在基板上非均匀地沉积的“阴影效应”。这通过按预定的图案在掩模组件中形成缝隙的侧壁来实现，从而具有相对于掩模组件的表面的第一倾斜角。然而，由于从所述蒸发源蒸发的沉积材料按各种喷射角分布，所以消除阴影效应是存在问题的。

现在将详细地参照公开的实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，相同的标号始终表示相同的元件。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的长度和厚度。

图1是示出根据实施例的沉积设备的示意图。图2A是示出根据实施例的用于沉积设备的蒸发源的透视图。图2B是示出根据实施例的用于沉积设备的蒸发源的剖视图。

参照图1、图2A和图2B，沉积设备100包括：i)处理室110；ii)蒸发源130，位于处理室110的一侧上，并包括在处理室内壁的预定区域上朝向喷嘴的外壁倾斜的至少一个喷嘴；iii)基板固定器120，设置成与蒸发源130相对。沉积设备100还包括设置在基板固定器120和蒸发源130之间并具有多个缝隙141的掩模组件140，每个缝隙141具有以第一倾斜角θ₁向掩模组件140的表面倾斜的侧壁。在一个实施例中，蒸发源130具有小于第一倾斜角θ₁的最大喷射角。

处理室110被构造为提供用于沉积工艺的空间。处理室110可包括通过其使基板S被装载或卸载的装载/卸载门(未示出)以及与真空泵(未示出)连接的排出口(未示出)，以控制处理室110的内部压力并排出未沉积在基板S上的沉积材料。

基板固定器120被构造为固定装载到处理室110中的基板S，并且可包括在执行沉积工艺时夹持基板S的单独的夹持构件(未示出)。

在一个实施例中，蒸发源130位于处理室110的下侧上，基板固定器120位于处理室110的上侧上，基板S被夹持到基板固定器120从而与水平面基本上平行。可选择地，基板固定器120和蒸发源130可位于不同侧上，使得被夹持到基板固定器120的基板S相对于水平面成大约70°至大约110°的角度。从而，能够防止基板由于重力而下垂。

参照图2A，蒸发源130包括具有敞开的上部并储存沉积材料的熔罐或沉积材料容器132，以及位于熔罐132的敞开的上部上并具有多个喷嘴的喷嘴部分134，每个喷嘴与沉积材料容器132流体连通并在喷嘴部分的内壁的预定区域上倾斜。蒸发源130还包括位于熔罐132的相对侧上并加热熔罐132的加热器135以及容纳熔罐132、喷嘴部分134和加热器135的外壳131。

在一个实施例中，蒸发源130位于处理室110的下侧上，由此熔罐132的上部是敞开的。可选择地，熔罐132可以根据蒸发源130的位置而向侧部或下部敞开。

熔罐132被构造为储存诸如有机材料的沉积材料。如图2A和图2B所示，熔罐132被构造为沿一个方向延伸，并可包括用来划分熔罐132的内部空间的多个分隔件133，使得沉积材料不偏向一个方向而储存。

在此，每个分隔件133在其上部设置有阶梯的凹进或槽133a，使得被加热器135蒸发的沉积材料可以通过熔罐132的上部自由地移动。因此，由于蒸发的沉积材料的压差，所以可以通过喷嘴部分134的每个喷嘴134a基本上均匀地喷射蒸发的沉积材料。

在一个实施例中，蒸发源130是具有被构造为沿一个方向延伸的熔罐132的线性蒸发源。可选择地，蒸发源130可包括在一个方向容纳在外壳131中的多个熔罐的线性蒸发源或者单点蒸发源。

此外，当蒸发源130是在一个方向具有预定的长度的线性蒸发源时，沉积设备100还可包括传送单元150(见图1)，传送单元150沿基本水平的方向和基本垂直的方向互换蒸发源130，以使沉积材料能够容易地被喷射在基板S的前表面上。传送单元150包括滚珠螺杆151、使滚珠螺杆151旋转的电机153和控制蒸发源130的移动方向的引导器152。

喷嘴部分134被构造为通过喷嘴134a向基板S喷射由加热器135蒸发的沉积材料。每个喷嘴134a的内壁在喷嘴134a的预定区域上朝向喷嘴134a的外壁倾斜。在一个实施例中，所述内壁的倾斜的预定区域的高度和厚度被控制为使得蒸发源的最大喷射角(θ₂，将在之后讨论)设置得小于掩模组件的第一倾斜角θ₁。由于沉积材料基本上均匀地形成在平板显示器的层上，所以可以使(引起不均匀的沉积层的)阴影效应最小化或基本上防止阴影效应。

加热器135被构造为加热熔罐132以蒸发储存在熔罐132中的沉积材料。加热器135可以位于与熔罐132的敞开侧相对的熔罐132的一侧上。在该实施例中，可能需要更多的时间直到沉积材料被加热器135加热和蒸发。如此，为了将大部分热量传递到位于与熔罐132的敞开侧相邻的沉积材料而使沉积材料可被容易地蒸发，可使加热器135位于熔罐132的侧面上。作为一个示例，当熔罐132的上侧如图2A和2B所示是敞开的时，加热器135可以位于熔罐132的相对的侧面上。作为另一示例，可以将加热器135定位为围绕熔罐132的侧面。在另一实施例中，加热器135仅位于外壳131的短边上。在又一实施例中，加热器135仅位于外壳131的长边上。

掩模组件140设置在基板固定器120和线性蒸发源130之间，并被构造为按预定的图案将从线性蒸发源130喷射的沉积材料沉积在基板S上。掩模组件140包括按预定的图案形成的多个缝隙141，其中，每个缝隙141的侧壁以第一倾斜角θ₁(见图1)向掩模组件的表面倾斜。

图3是图2B的区域A的放大视图，其中，蒸发源的喷嘴在根据实施例的沉积设备中被放大了。

将参照图3来描述一种控制蒸发源130的最大喷射角的方法。当每个喷嘴134a的预定区域B(或上倾斜部分)是倾斜的时，沉积材料从喷嘴134a喷射。侧壁具有比倾斜部分更靠近熔罐的非倾斜部分，非倾斜部分的高度高于倾斜部分的高度。每个喷嘴134a的侧壁还具有下非倾斜部分。可按以下三种方式喷射沉积材料。第一种方式，在沉积材料不与喷嘴134a的预定区域B发生碰撞的情况下喷射沉积材料。第二种方式，在沉积材料与喷嘴134a的一个内壁的预定区域B发生碰撞之后喷射沉积材料。第三种方式，沉积材料首先与喷嘴134a的一个内壁的预定区域B发生碰撞然后再与喷嘴134a的另一相对内壁的预定区域B发生碰撞之后喷射沉积材料。

在此，考虑到喷嘴134a的预定区域B是倾斜的，所以采用第二种方式从喷嘴134a喷射的沉积材料具有最大喷射角。在第二种方式中，当喷射时，沉积材料在喷嘴134a的一个内壁的开始倾斜的点(即，倾斜起始点P1)发生碰撞，然后在喷嘴134a的另一相对侧壁的上端上方直接穿过。蒸发源130的最大喷射角变成连接喷嘴134a的一个内壁的倾斜起始点P1与喷嘴134a的另一相对内壁的上端N1的一条线和穿过倾斜起始点P1的水平线之间的角度θ₂。

因此，如果预定区域B是直角三角形，具有长度为h和t的直角边，并且如果喷嘴134a具有宽度R，则蒸发源130的最大喷射角θ₂满足下式(1)。

$\tan {\mathrm{\θ}}_2=\frac{h}{(t+R)}...\left(1\right)$

此外，如果预定区域B具有倾斜角Φ，则预定区域B的倾斜角Φ满足下式(2)。

$\tan \mathrm{\Φ}=\frac{h}{t}...\left(2\right)$

根据式(1)和式(2)，对于蒸发源130的最大喷射角θ₂的预定区域B的高度h和厚度t与喷嘴134a的宽度R之间的相互关系满足下式(3)和式(4)。

$t=\frac{\tan {\mathrm{\θ}}_2}{\tan \mathrm{\Φ}-\tan {\mathrm{\θ}}_2}R...\left(3\right)$

$h=\frac{\tan \mathrm{\Φ}\·\tan {\mathrm{\θ}}_2}{\tan \mathrm{\Φ}-\tan {\mathrm{\θ}}_2}R...\left(4\right)$

在此，在预定区域B的倾斜起始点P1发生碰撞的沉积材料必须满足的条件是：相对于预定区域B的倾斜表面的法线的入射角必须是最小的，以基于惠更斯-费马原理(Huygens-Fermat principle)获得最大喷射角。因此，由于蒸发源130的最大喷射角θ₂是沿穿过倾斜起始点P1的水平线移动以在倾斜起始点P1发生碰撞的沉积材料的喷射角(即，入射角和反射角之和)，所以以蒸发源130的最大喷射角θ₂喷射的沉积材料的入射角和反射角均变成最大喷射角θ₂的一半，即，θ₂/2。

因此，蒸发源130的最大喷射角θ₂和预定区域的倾斜角Φ满足下式(5)。当将下式(5)代入前式(3)和(4)时，可以获得下式(6)和(7)。

$\tan \mathrm{\Φ}=\tan (90-\frac{{\mathrm{\θ}}_2}{2})...\left(5\right)$

$t=\frac{\tan {\mathrm{\θ}}_2}{\tan (90-\frac{{\mathrm{\θ}}_2}{2})-\tan {\mathrm{\θ}}_2}R...\left(6\right)$

$h=\frac{\tan (90-\frac{{\mathrm{\θ}}_2}{2})\tan {\mathrm{\θ}}_2}{\tan (90-\frac{{\mathrm{\θ}}_2}{2})-\tan {\mathrm{\θ}}_2}R...\left(7\right)$

图4是示出根据式(6)和(7)相对于蒸发源130的最大喷射角θ₂的喷嘴134a的预定区域B的厚度t和高度h与喷嘴134a的开口宽度R的比值的曲线图。

在一个实施例中，将蒸发源130的最大喷射角θ₂设置为小于掩模组件140的缝隙141的侧壁的第一倾斜角θ₁。在该实施例中，喷嘴134a的预定区域B的厚度t和高度h与喷嘴134a的开口宽度R的比值根据参照图4设置的蒸发源130的最大喷射角θ₂来确定。因此，沉积设备100使阴影效应最小化或者基本上防止了阴影效应。

在此，由于喷嘴134a的预定区域B的厚度t和高度h是实际值，由此不可能具有负值或者无限值，所以蒸发源130的最大喷射角θ₂必须满足下式(8)。

$\tan (90-\frac{{\mathrm{\θ}}_2}{2})-\tan {\mathrm{\θ}}_2\≥0...\left(8\right)$

使用众所周知的三角函数的值，满足式(8)的蒸发源130的最大喷射角θ₂小于大约60°。在该实施例中，预定区域B的倾斜角Φ大于大约60°且小于90°(见式(5))。最大喷射角θ₂的范围是小于大约60°。

根据公开的至少一个实施例，使用具有多个缝隙的掩模组件选择性地将蒸发源喷射的沉积材料沉积在基板上，每个缝隙具有以第一倾斜角向掩模组件的表面倾斜的侧壁并按预定的图案形成。此外，将蒸发源的最大喷射角设置为小于掩模组件的每个缝隙的侧壁的第一倾斜角，并且将蒸发源的最大喷射角设置为小于大约60°，从而使阴影效应最小化或基本上防止了阴影效应。

公开的实施例不被认为是限制性的并可覆盖包括在权利要求的精神和范围之内的各种修改和等同布置。

Claims (20)

1.一种蒸发源，用于制造平板显示器，所述蒸发源包括：

熔罐，在其一侧是敞开的并被构造为储存沉积材料；

喷嘴部分，位于熔罐的敞开侧上并包括多个喷嘴，其中，每个喷嘴具有被构造为喷射穿过喷嘴的沉积材料的侧壁，侧壁具有倾斜部分；

加热器，被构造为加热熔罐；

外壳，被构造为容纳熔罐、喷嘴部分和加热器，

其中，喷嘴部分具有小于60°的最大喷射角。

2.如权利要求1所述的蒸发源，其中，所述熔罐沿一个方向延伸并包括划分熔罐的内部空间的至少一个分隔件。

3.如权利要求2所述的蒸发源，其中，所述至少一个分隔件包括形成在分隔件的上部的槽。

4.如权利要求1所述的蒸发源，其中，侧壁具有比所述倾斜部分更靠近熔罐的非倾斜部分，其中，倾斜部分具有满足下式的高度h：

$h=\frac{\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})\tan \mathrm{\θ}}{\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})-\tan \mathrm{\θ}}R$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，R是喷嘴的宽度。

5.如权利要求1所述的蒸发源，其中，侧壁具有比倾斜部分更靠近熔罐的非倾斜部分，其中，倾斜部分具有顶部和比顶部更靠近熔罐的底部，倾斜部分逐渐地倾斜，使得顶部的内部宽度大于底部的内部宽度，倾斜部分的底部的厚度t满足下式：

$t=\frac{\tan \mathrm{\θ}}{\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})-\tan \mathrm{\θ}}R$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，R是喷嘴的宽度，厚度t与侧壁的非倾斜部分的厚度相同。

6.如权利要求1所述的蒸发源，其中，侧壁具有比倾斜部分更靠近熔罐的非倾斜部分，其中，倾斜部分具有满足下式的高度h和厚度t：

$\frac{h}{t}=\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，倾斜部分具有顶部和比顶部更靠近熔罐的底部，倾斜部分逐渐地倾斜使得顶部的内部宽度大于底部的内部宽度，t是倾斜部分的底部的厚度，该厚度与侧壁的非倾斜部分的厚度相同。

7.如权利要求1所述的蒸发源，其中，储存在所述熔罐中的沉积材料包括有机材料。

8.如权利要求1所述的蒸发源，其中，所述熔罐的数量大于1。

9.如权利要求1所述的蒸发源，其中，所述侧壁具有比倾斜部分更靠近熔罐的非倾斜部分，非倾斜部分的高度高于倾斜部分的高度。

10.一种沉积设备，用于制造平板显示器，所述沉积设备包括：

蒸发源，被构造为容纳和喷射沉积材料；

掩模组件，具有多个缝隙并被构造为通过缝隙将沉积材料沉积到基板上，其中，每个缝隙具有以第一倾斜角向掩模组件的表面倾斜的侧壁；

基板固定器，被构造为固定基板并定位成相对于掩模组件与蒸发源相对；

处理室，被构造为容纳蒸发源、基板固定器和掩模组件，

其中，蒸发源具有小于第一倾斜角的最大喷射角。

11.如权利要求10所述的沉积设备，其中，蒸发源的最大喷射角小于60°。

12.如权利要求10所述的沉积设备，其中，所述蒸发源包括：

熔罐，在其一侧是敞开的并被构造为储存沉积材料；

喷嘴部分，位于熔罐的敞开侧上并具有多个喷嘴，其中，每个喷嘴具有被构造为通过喷射穿过喷嘴的沉积材料的侧壁，所述侧壁具有i)倾斜部分和ii)非倾斜部分，非倾斜部分比倾斜部分更靠近熔罐；

加热器，被构造为加热熔罐；

外壳，被构造为容纳熔罐、喷嘴部分和加热器。

13.如权利要求12所述的沉积设备，其中，倾斜部分具有满足下式的高度h：

$h=\frac{\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})\tan \mathrm{\θ}}{\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})-\tan \mathrm{\θ}}R$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，R是喷嘴的宽度。

14.如权利要求12所述的沉积设备，其中，倾斜部分具有顶部和比顶部更靠近熔罐的底部，其中，倾斜部分逐渐地倾斜，使得顶部的内部宽度大于底部的内部宽度，倾斜部分的底部的厚度t满足下式：

$t=\frac{\tan \mathrm{\θ}}{\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})-\tan \mathrm{\θ}}R$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，R是喷嘴的宽度，厚度t与侧壁的非倾斜部分的厚度相同。

15.如权利要求12所述的沉积设备，其中，倾斜部分具有满足下式的高度h和厚度t：

$\frac{h}{t}=\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，倾斜部分具有顶部和比顶部更靠近熔罐的底部，倾斜部分逐渐地倾斜使得顶部的内部宽度大于底部的内部宽度，t是倾斜部分的底部的厚度，该厚度与侧壁的非倾斜部分的厚度相同。

16.如权利要求10所述的沉积设备，其中，所述沉积设备还包括被构造为按预定的方向互换蒸发源的传送单元。

17.一种蒸发源，用于制造平板显示器，所述蒸发源包括：

容器，被构造为储存沉积材料；

喷嘴，与容器流体连通，其中，喷嘴具有被构造为将沉积材料喷射到要被沉积的基板上的侧壁，侧壁具有倾斜部分，倾斜部分具有顶部和比顶部更靠近容器的底部，倾斜部分的顶部相对于底部形成倾斜角，使得顶部的内部宽度大于底部的内部宽度，所述倾斜角大于60°且小于90°；

外壳，被构造为容纳容器和喷嘴。

18.如权利要求17所述的蒸发源，其中，喷嘴具有小于60°的最大喷射角。

19.如权利要求17所述的蒸发源，其中，侧壁包括比倾斜部分更靠近容器的非倾斜部分，其中，倾斜部分的底部的厚度t满足下式：

$t=\frac{\tan \mathrm{\θ}}{\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})-\tan \mathrm{\θ}}R$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，R是喷嘴的宽度，厚度t与喷嘴的侧壁的非倾斜部分的厚度相同。

20.如权利要求17所述的蒸发源，其中，侧壁包括比倾斜部分更靠近容器的非倾斜部分，其中，倾斜部分具有满足下式的高度h和厚度t：

$\frac{h}{t}=\tan (90-\frac{\mathrm{\θ}}{2})$

其中，θ是喷嘴部分的最大喷射角，倾斜部分的底部的厚度t与侧壁的非倾斜部分的厚度相同。

Images