CN102096223B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种显示装置及其制造方法。在一个实施例中，所述显示装置包括：i)形成在第一基板上的第一绝缘层；ii)形成在所述第一绝缘层上的下电极；iii)形成为围绕所述下电极的所述顶部和所述侧部的介电层，其中所述介电层并不覆盖所述显示装置的像素区；以及iv)形成在所述介电层上的上电极。

Description

显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2009年12月9日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2009-0121773的优先权和权益，该专利申请的全部内容通过引用合并于此。本申请涉及题目为“Flat panel display device and method ofmanufacturing the same(平板显示装置及其制造方法)”(代理人案号：SMDSHN.157AUS)和“Flat panel display device and method of manufacturingthe same(平板显示装置及其制造方法)”(代理人案号：SMDSHN.162AUS)的美国专利申请，这两个专利申请与本申请同时递交，并通过引用全部合并于此。
技术领域
所公开的技术涉及显示装置及其制造方法。
背景技术
平板显示装置的类型包括，例如使用液晶的电光特性的液晶显示装置和使用有机发光二极管的自发射特性的有机发光显示装置。基于显示器是使用无源矩阵技术还是有源矩阵技术，进一步可对平板显示装置进行分类。由于使用薄膜晶体管的有源矩阵类型具有极佳的分辨率和显示视频内容的能力，因此有源矩阵类型比无源矩阵类型更常用。
发明内容
本发明一方面在于一种能够防止由于绝缘层的使用而导致的光学透射率劣化的显示装置。
另一方面在于制造所述显示装置的方法。
另一方面在于一种显示装置，该显示装置包括：位于第一基板上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的下电极；形成为围绕所述下电极的顶部和侧部的介电层；以及位于所述介电层上的上电极。
另一方面在于一种制造显示装置的方法。首先，在基板上形成第一绝缘层。接着，在所述第一绝缘层上形成下电极。在所述第一绝缘层上形成涂覆于所述下电极的第二绝缘层。在所述第二绝缘层上形成导电层。之后，在所述导电层上形成具有比所述下电极的外侧还靠外的外侧的蚀刻掩模。通过使用所述蚀刻掩模对所述导电层和所述第二绝缘层执行蚀刻工艺，直至所述第一绝缘层被暴露，所述导电层和所述第二绝缘层被分别变换为上电极和介电层。
另一方面在于一种制造显示装置的方法。首先，在基板上形成第一绝缘层。在所述第一绝缘层上形成下电极。在所述第一绝缘层上形成涂覆于所述下电极的第二绝缘层。在所述第二绝缘层上形成与所述下电极重叠的上电极。在所述第二绝缘层上形成蚀刻掩模，所述蚀刻掩模覆盖所述上电极的侧部和顶部，并且具有比所述下电极的外侧还靠外的外侧。通过使用所述蚀刻掩模对所述第二绝缘层执行蚀刻工艺，直至所述第一绝缘层被暴露，所述第二绝缘层被变换为介电层。另一方面在于一种显示装置，包括：形成在第一基板上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上的下电极；形成为围绕所述下电极的顶部和侧部的介电层，其中所述介电层并不覆盖所述显示装置的像素区；以及形成在所述介电层上的上电极。
在上述装置中，所述介电层仅覆盖所述下电极的所述顶部和所述侧部。在上述装置中，所述第一绝缘层由氧化硅形成，并且其中所述介电层由氮化硅形成。在上述装置中，所述介电层的侧部基本上垂直于所述第一基板。在上述装置中，所述介电层和所述上电极基本上沿基本垂直于所述第一基板的方向排列，其中所述介电层的长度大于所述上电极的长度，并且此处所述介电层的所述长度和所述上电极的所述长度沿基本平行于所述第一基板的方向限定。
上述装置进一步包括：介入所述第一基板和所述第一绝缘层之间的半导体层，其中所述半导体层具有沟道区、源区和漏区；形成在所述第一绝缘层上以与所述沟道区重叠的栅电极；以及分别电连接至所述源区和所述漏区的源电极和漏电极。
在上述装置中，所述源电极或漏电极电连接至所述上电极，其中所述显示装置进一步包括：形成在i)所述第一绝缘层、ii)所述栅电极、iii)所述上电极和iv)所述介电层一部分上的第二绝缘层；形成在所述第二绝缘层上的第三绝缘层；通过在所述第三绝缘层中形成的通孔电连接至所述源电极或漏电极的像素电极；布置为面向所述第一基板的第二基板；形成在所述第二基板上的共用电极；以及介入所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层。
上述装置进一步包括：形成在i)所述第一绝缘层、ii)所述栅电极、iii)所述上电极和iv)所述介电层一部分上的第二绝缘层；形成在所述第二绝缘层上的第三绝缘层；形成在所述第三绝缘层上并且通过在所述第三绝缘层中形成的通孔电连接至所述源电极或所述漏电极的像素电极；形成在所述第三绝缘层上和所述像素电极的第一部分上的像素限定膜；形成在所述像素电极的第二部分和所述像素限定膜一部分上的有机发光层，其中所述像素电极的所述第一部分和所述第二部分彼此并不重叠；以及形成在所述有机发光层和所述像素限定膜上的阴极，其中所述像素电极用作阳极。
另一方面在于一种制造显示装置的方法，包括：在基板上方形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成下电极；在所述下电极和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成导电层；在所述导电层上形成蚀刻掩模层，其中所述蚀刻掩模层基本上直接位于所述下电极上方，其中所述蚀刻掩模层的长度大于所述下电极的长度，并且此处所述蚀刻掩模层的所述长度和所述下电极的所述长度沿基本平行于所述基板的方向限定；以及蚀刻所述导电层和所述第二绝缘层直至所述第一绝缘层被暴露，使得所述导电层和所述第二绝缘层分别转换为上电极和介电层。
在上述方法中，所述第一绝缘层相对于所述第二绝缘层具有蚀刻选择性，并且其中所述蚀刻选择性表示相对于预定蚀刻的蚀刻速率的差。在上述方法中，所述第一绝缘层由氧化硅形成，并且其中所述第二绝缘层由氮化硅形成。
在上述方法中，所述蚀刻由回蚀工艺和各向异性蚀刻工艺之一执行。在上述方法中，所述蚀刻被执行，使得所述介电层仅覆盖所述下电极。在上述方法中，所述蚀刻掩模层由光敏材料形成。在上述方法中，所述蚀刻被执行，使得所述介电层不形成在所述显示装置的像素区中。
另一方面在于一种制造显示装置的方法，包括：在基板上方形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成下电极；在所述下电极和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成上电极以与所述下电极重叠；在所述第二绝缘层上形成蚀刻掩模层以覆盖所述上电极的侧部和顶部，其中所述蚀刻掩模层具有比所述下电极的外侧还靠外的外侧；以及蚀刻所述第二绝缘层直至所述第一绝缘层被暴露，使得所述第二绝缘层转换为介电层。
在上述方法中，所述蚀刻被执行，使得所述介电层并不形成在所述显示装置的像素区中。在上述方法中，所述第一绝缘层由氧化硅形成，并且其中所述第二绝缘层由氮化硅形成。上述方法进一步包括在所述蚀刻之前，在所述基板上方形成薄膜晶体管(TFT)，其中所述TFT包括栅电极，并且其中所述蚀刻被执行，使得所述介电层不接触所述栅电极。在上述方法中，所述上电极基本上直接位于所述下电极上方，其中所述上电极的长度大于所述下电极的长度，并且所述上电极的所述长度和所述下电极的所述长度沿基本平行于所述基板的方向限定。
附图说明
图1是用于描述根据本发明一个实施例的显示装置的一个实施例的透视图。
图2是用于具体描述图1中基板的横截面图。
图3A是用于描述根据本发明一个实施例的显示装置的平面图。
图3B是用于描述根据本发明一个实施例的显示装置的横截面图。
图4是用于具体描述图3A中基板的横截面图。
图5A至图5G是用于描述制造根据本发明一个实施例的显示装置的方法的横截面图。
图6A和图6B是用于描述制造根据本发明一个实施例的显示装置的方法的横截面图。
图7A是示出氧化硅膜的光学透射率的图。
图7B是示出根据本发明一个实施例的显示装置的光学透射率的图。
图8A是示出氮化硅膜的光学透射率的图。
图8B是示出比较用显示装置的光学透射率的图。
具体实施方式
有源矩阵类型的液晶显示装置(TFT-LCD)通常包括：i)在两个基板之间注入有液晶的显示面板，ii)位于该显示面板的背面并用作光源的背光单元，以及iii)用于驱动该显示面板的驱动单元(驱动IC)。由背光单元提供的光被输入显示面板中，并且该光由根据驱动单元提供的信号而定向的液晶进行调制，以发射到外部来显示字符或运动画面。
进一步，有源矩阵类型的有机发光显示装置(AMOLED)包括形成有有机发光二极管的显示面板和用于驱动该显示面板的驱动单元。根据由驱动单元提供的信号从有机发光二极管中发射的光，被用于显示字符或运动画面。在所述液晶显示装置和有机发光显示装置中，显示面板的光学透射率对亮度具有很大影响。
有源矩阵类型的显示装置包括薄膜晶体管。在制造显示装置的持续过程中，由于诸如氧化硅膜、氮化硅膜等绝缘层以层压结构形成在光传输通过的像素区的基板上，因此，光的光学透射率和色散度被绝缘层劣化。例如，由于氮化硅膜具有高的介电常数，因此，用作绝缘层的氮化硅膜通常形成得很厚。在这种情况下，由于氮化硅膜的低透射率而导致光的光学透射率及色散度劣化，从而使亮度减小。
近来，根据用户的喜好已经形成一种减小显示面板的尺寸并且增大分辨率的趋势。在显示面板的尺寸减小时，光传输通过的像素区的尺寸(开口率)减小。结果，不得不减小电容器的尺寸以保证预定级别的或更高的亮度。期望减小介电层的厚度，以减小电容器的尺寸，同时保证至少预定级别的电容量。在这种情况下，产出降低，并且薄膜晶体管的电特性和可靠性可能会降低。
在下列详细描述中，仅简单地以图示说明的方式示出和描述本发明的某些示例性实施例。本领域普通技术人员应当认识到，所描述的实施例可以以不背离本发明的精神或范围的多种不同的方式进行修改。相应地，附图和说明书应被看作本质上是示例性的而不是限制性的。另外，当一元件被提及位于另一元件“上”时，该元件可以直接位于另一元件上，也可以利用在两个元件之间插入的一个或多个中间元件间接位于另一元件上。同样，当一元件被提及“连接至”另一元件时，该元件可以直接连接至另一元件，也可以利用在两个元件之间插入的一个或多个中间元件间接连接至另一元件。下文中，相同的附图标记表示相同的元件。
以下将参照附图描述显示装置及其制造方法的实施例。这里，附图中示出的形状、尺寸、比例、角度、数目、操作等是示意性的并可以被部分地修改。由于附图是通过观测者的眼睛图示的，因此用于示出附图的方向或位置可能依据观测者的位置而会有各种改变。尽管附图标记不同，但是类似的元件涉及类似的附图标记。当使用“包括”、“具有”、“由...构成”等时，只要没有使用“仅...”就可以加入另外的部分。当一元件被描述为单数时，该元件也可以解释为复数。尽管数值、尺寸和形状的比较、位置关系等未由“近似”、“基本上”等进行描述，但它们应当被解释为包括典型的误差范围。尽管使用了诸如“...之后”、“...之前”、“连续”、“另外”、“这里”、“接着”等术语，但这些术语并不用作限定时间位置的意图。诸如“第一”、“第二”等术语是用来便于简单分类的选择性的、可替换性的或是可重复性的术语，而不应解释为限制性的意图。当两个部件之间的位置关系由“在...上”、“在...上方”、“在...下面”，“在...旁边”等进行描述时，只要没有使用“刚好”，就可以在两个部件之间插入一个或多个其它部件。当多个部件由“或者...”彼此连接时，这些部件应解释为单数，或者解释为甚至包括其组合，但当这些部件由“或者...以及...之一”彼此连接时，这些部件仅应解释为单数。“比较例”仅用于比较，而不一定意指现有技术。
图1是用于描述根据本发明实施例的显示装置的透视图，并且示意性地和主要地描述了显示画面图像的显示面板1000。
参见图1，显示面板1000包括彼此相对的两个基板110和210以及在两个基板110和210之间插入的液晶层300。
像素P1由以矩阵方式布置在基板110上的多条栅极线140和数据线150限定。控制供给各个像素P1的信号的薄膜晶体管T1和连接至薄膜晶体管T1的像素电极130，形成在基板110的栅极线140和数据线150彼此相交的区域上。用于保持信号的电容器(未示出)连接至薄膜晶体管T1。
彩色滤光片220和共用电极230形成在基板210上。另外，偏振片160和240分别形成在基板110和210的背面，并且背光单元(未示出)布置在偏振片160下面作为光源。
进一步，用于驱动像素P1的驱动单元(LCD驱动IC)(未示出)安装在显示面板1000上。驱动单元将外部提供的电信号转换为扫描信号和数据信号，并将该扫描信号和数据信号提供给栅极线140和数据线150。
图2是用于更具体地描述图1中基板110的横截面图，并且示出与薄膜晶体管T1连接在一起的电容器C1。
参见图1和图2，薄膜晶体管T1和电容器C1形成在基板110上，并且缓冲层112可以形成在基板110上。
薄膜晶体管T1形成在基板110上并且包括半导体层114、第一绝缘层116、栅电极118a、第三绝缘层124以及源电极和漏电极126a。半导体层114包括沟道区、源区和漏区。第一绝缘层116形成在基板110和半导体层114上。栅电极118a形成在第一绝缘层116的沟道区上。第三绝缘层124形成在第一绝缘层116、栅电极118a以及电容器C1的上电极122a上。源电极和漏电极126a通过在第一绝缘层116和第三绝缘层124上形成的接触孔电连接至半导体层114的源区和漏区。
电容器C1形成在第一绝缘层116上以与薄膜晶体管T1隔开。电容器C1包括i)形成在第一绝缘层116上的下电极118b，ii)形成在下电极118b上的介电层120a，以及iii)形成在介电层120a上的上电极122a。在一个实施例中，介电层120a包括氮化硅并且形成为围绕下电极118b的顶部和侧部。
第四绝缘层128形成在i)第三绝缘层124以及ii)源电极和漏电极126a上。像素电极130通过通孔电连接至源电极或漏电极126a，并且形成在第四绝缘层128上。
形成有彩色滤光片220和共用电极230的基板210布置在具有上述结构的基板110的顶部，以与像素电极130相对。液晶层300通过将液晶注入到基板110和基板210之间的密封空间中形成。
在一个实施例中，电容器C1的介电层120a由氮化硅制成。由于与具有大约3.9的介电常数的氧化硅相比，氮化硅具有较高的近似为7.4的介电常数，因此氮化硅即使厚度较小也能够保证期望级别的电容率(capacitivity)。进一步，由于第一绝缘层116和第三绝缘层124由例如氧化硅制成，并且由于第四绝缘层128由例如有机材料制成，因此由氮化硅膜形成的介电层120a不形成在光传输通过的像素区P1中(见图2)。相应地，可以通过减小电容器C1的尺寸来确保预定尺寸的开口率，并且由于光传输通过的像素区不包含氮化硅，因此可以防止光的透射率和色散度劣化。
图3A和图3B是用于描述本发明另一实施例的平面图和横截面图，并且示意性地和主要地描述了显示画面图像的显示面板2000。
参见图3A，基板410由像素区440和在像素区440附近的非像素区450限定。连接在矩阵形式的扫描线442和数据线444之间的多个像素P2形成在基板410的像素区440上。用于操作像素P2的电源线(未示出)以及扫描驱动单元460和数据驱动单元470，形成在基板410的非像素区450上。扫描驱动单元460和数据驱动单元470对从外部通过焊盘446提供的信号进行处理，并将处理后的信号提供给扫描线442和数据线444。扫描线442和数据线444的分别连接至扫描驱动单元460和数据驱动单元470的部分，形成在基板410的非像素区450上(见图3A)。
像素P2包括有机发光二极管、用于控制有机发光二极管的操作的薄膜晶体管以及用于存储信号的电容器。
参见图3B，用于密封像素区440的密封基板600布置在具有上述结构的基板410的顶部，并且密封基板600通过密封剂700附接到基板410上，以使显示面板2000完整。
图4是用于更具体地描述图3A的基板410的横截面图，并且示出构成像素P2的有机发光二极管D、薄膜晶体管T2和电容器C2。
在一个实施例中，如图3A和图4所示，有机发光二极管D、薄膜晶体管T2和电容器C2形成在基板410上，并且缓冲层412形成在基板410上。
首先，薄膜晶体管T2形成在基板410上，并且包括i)具有沟道区、源区和漏区的半导体层414，ii)形成在基板410之上并且形成在半导体层414上的第一绝缘层416，以及iii)形成在第一绝缘层416上并且基本上直接在半导体层414的沟道区上方的栅电极418a。薄膜晶体管T2还包括1)形成在i)第一绝缘层416、ii)栅电极418a、iii)上电极422a和iv)介电层420a上的第二绝缘层424；2)源电极和漏电极426。源电极和漏电极426通过接触孔电连接至半导体层414的源区和漏区，并且形成在第一绝缘层416和第二绝缘层424上。
电容器C2包括形成在第一绝缘层416上的下电极418b、由例如氮化硅制成以围绕下电极418b的介电层420a，以及形成在介电层420a上的上电极422a。
第三绝缘层428形成在第二绝缘层424以及源电极和漏电极426上。通过通孔电连接至源电极或漏电极426的像素电极430形成在第三绝缘层428上。
有机发光二极管D包括i)像素电极430，ii)形成在像素电极430上并且形成有暴露像素电极430的开口的像素限定膜432，iii)形成在发光区的像素电极430上的有机发光层434，以及iv)形成在有机发光层434上的阴极436。
在一个实施例中，电容器C2的介电层420a由氮化硅制成。由于与具有大约3.9的介电常数的氧化硅相比，氮化硅具有较高的近似为7.4的介电常数，因此氮化硅即使厚度较小也能够保证期望等级的电容率。进一步，由于第一绝缘层416和第二绝缘层424由氧化硅制成，并且由于第三绝缘层428由有机材料制成，因此由氮化硅膜形成的介电层420a不需要也不形成在光传输通过的像素区中。相应地，可以通过减小电容器C2的尺寸来确保预定尺寸的开口率，并且由于光传输通过的像素区不包含氮化硅，因此可以防止光的透射率和色散度劣化。
随后，将通过制造具有上述结构的显示装置的方法来更详细地描述本发明的实施例。
图5A至图5G是用于描述制造根据本发明实施例的显示装置的方法的横截面图，并且描述图2的显示装置作为示例。
参见图5A，准备诸如玻璃或塑料之类的透明基板110。首先，在基板110上形成缓冲层112以防止杂质扩散，并且在缓冲层112上形成提供薄膜晶体管T1的源区、漏区和沟道区的半导体层114。
参见图5B，在缓冲层112和半导体层114上形成第一绝缘层116。通过在第一绝缘层116上形成导电层并对导电层进行图案化，在沟道区的顶部上的第一绝缘层116上形成栅电极118a。在栅电极118a的一侧部分处的第一绝缘层116上形成电容器C1的下电极118b。
参见图5C，第二绝缘层120和由诸如金属等导电材料形成的导电层122，依次形成在第一绝缘层116、栅电极118a和下电极118b上。在一个实施例中，第二绝缘层120相对于第一绝缘层116包括具有蚀刻选择性的材料。蚀刻选择性表示相对于预定蚀刻的蚀刻速率的差。
例如，当第一绝缘层116包括氧化硅时，第二绝缘层120可以包括氮化硅。作为另一示例，当第一绝缘层116包括氮化硅时，第二绝缘层120可以包括氧化硅。
在导电层122上形成蚀刻掩模(或蚀刻掩模层)123。这里，蚀刻掩模123的外侧12比下电极118b的外侧11更靠外。例如，蚀刻掩模123和下电极118b基本上沿与基板110垂直的方向排列。进一步，蚀刻掩模123的长度大于下电极118b的长度，此处蚀刻掩模123的长度和下电极118b的长度沿基本平行于基板的方向测量。这里，蚀刻掩模123可以包括光敏材料。
参见图5D，通过使用蚀刻掩模123执行蚀刻工艺来依次蚀刻导电层122和第二绝缘层120，导电层122和第二绝缘层120被分别转换为上电极122a和介电层120a。
由此形成了包括下电极118b、介电层120a和上电极122a的电容器C1。之后，通过例如抛光或脱膜工艺去除蚀刻掩模123。
如上所述，由于蚀刻掩模123的外侧12比下电极118b的外侧11更靠外，因此介电层120a被形成为围绕下电极118b的侧部和顶部。
这里，蚀刻工艺可以是回蚀工艺。如上所述，第一绝缘层116相对于第二绝缘层120具有蚀刻选择性。回蚀工艺可以执行直至第二绝缘层120被充分蚀刻。这是因为当第一绝缘层116在蚀刻工艺中被暴露时，第一绝缘层用作蚀刻阻挡层。进一步，蚀刻工艺可以是各向异性蚀刻工艺。结果，下电极118b的侧部可以具有垂直轮廓。
根据本发明的一个实施例，如图5E所示，在第二绝缘层120上形成与下电极118b重叠的上电极122a。接着，在第二绝缘层120上形成覆盖下电极122a的侧壁和顶部并且具有比下电极的外侧更靠外的外侧的蚀刻掩模223。另外，通过使用蚀刻掩模223对第二绝缘层120执行蚀刻工艺直至第一绝缘层116被暴露，可以将第二绝缘层120转换为介电层120a。
同样，即使在这种情况下，第一绝缘层116相对于第二绝缘层120可以具有蚀刻选择性。例如，第一绝缘层116和第二绝缘层120可以分别包括氧化硅和氮化硅。
另外，蚀刻工艺可以是回蚀工艺。进一步，蚀刻工艺可以是各向异性蚀刻工艺。此外，蚀刻掩模223可以包括光敏材料。进一步，在某些情况下，上电极122a的外侧可以比下电极118b的外侧更靠外。
参见图5F，在整个顶部上形成第三绝缘层124。通过对第三绝缘层124和第一绝缘层116进行图案化来形成接触孔，以暴露i)半导体层114的源区和漏区以及ii)上电极122a。源电极和漏电极126a通过接触孔电连接至半导体层114的源区和漏区。在第三绝缘层124上形成电连接至上电极122a的源电极和漏电极126a。
参见图5G，通过在整个顶部上形成第四绝缘层128并对第四绝缘层128进行图案化来形成通孔，以暴露源电极或漏电极126a。在第四绝缘层128上形成通过通孔电连接至源电极或漏电极126a的像素电极130。像素电极130由例如诸如ITO和IZO之类的透明电极材料形成。
在一个实施例中，如图1所示，在基板110和基板210利用隔离物(未示出)彼此隔开预定间隙的情况下，基板110和基板210通过使用密封剂(未示出)彼此附接。另外，通过在基板110和基板210之间插入液晶层300而使显示面板完整。
在具有显示面板1000的显示装置中，光从安装在基板110背面上的背光单元提供至像素区的液晶层300。此光受到根据从驱动单元施加至像素电极130和共用电极230的电压而定向的液晶调制，并通过基板210发射到外部，从而显示字符或画面图像。
图6A至图6B是用于描述制造根据本发明一个实施例的显示装置的方法的横截面图，并且描述图4的结构作为示例。
参见图6A，薄膜晶体管T2和电容器C2通过与图5A至图5E相同的制造工艺来形成。另外，通过在薄膜晶体管T2和电容器C2上形成第三绝缘层428并对第三绝缘层428进行图案化来形成通孔，以暴露源电极或漏电极426。在第三绝缘层428上形成通过通孔电连接至源电极或漏电极426的像素电极430。在一个实施例中，像素电极430由诸如ITO和IZO之类的透明电极材料形成。
参见图6B，像素限定膜(或层)432形成在第三绝缘层428和像素电极430上。通过对像素限定膜432进行图案化而暴露发光区的像素电极。在暴露的像素电极430上形成有机发光层434，并且在像素限定膜432和有机发光层434上形成阴极436。
参见图3B，密封基板600布置在具有上述结构的基板410的顶部，并且基板410和密封基板600通过密封剂700被密封以彼此附接，从而使显示面板2000完整。
当预定电压被施加于像素电极430和阴极436时，通过像素电极430注入的空穴和通过阴极436注入的电子在有机发光层434中彼此复合。利用复合过程中产生的能量差，从有机发光层434中发射的光通过基板410被发射到外部，从而显示字符或画面图像。
根据本发明的至少一个实施例，像素区的绝缘层仅由具有比较高的光学透射率的氧化硅和有机材料形成，而不包括具有低光学透射率的氮化硅。
图7A是示出氧化硅膜的光学透射率的图，并且图7B是示出根据本发明一个实施例的显示装置的光学透射率的图。光学透射率几乎没有劣化。
图8A是示出氮化硅膜的光学透射率的图，并且图8B是示出比较用显示装置的光学透射率的图。与图7A相比，并且在绝缘层以氧化硅膜和氮化硅膜被层压的结构形成的情况下，图8A示出光学透射率劣化了近似8.6％。包括氮化硅膜的比较用显示装置的光学透射率及色散度减小(见图8B)。色散度的减小可以通过光的振荡来确定。
根据本发明的实施例，可以通过使用具有高介电常数的氮化硅膜作为电容器的电介质来减小电容器的尺寸，同时保证至少预定级别的电容量。进一步，由于氮化硅膜并不形成在光传输通过的像素区中，因此可以防止由于氮化硅膜导致的光学透射率的降低。相应地，通过减小电容器的尺寸可以保证开口率，并且可以提高显示装置的亮度和图像质量。
相应地，与已知的显示装置相比，根据本发明至少一个实施例实现的显示装置，通过减小电容器的尺寸而具有的光学透射率提高近似7％，并且能够将开口率增加近似45％。
虽然已经结合某些示例性实施例对本发明进行了描述，但应当理解，本发明不限于所公开的实施例，相反，本发明意在涵盖包括在所附权利要求及其等同物的精神和范围内的各种修改和等同配置。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
形成在第一基板上的第一绝缘层；
形成在所述第一绝缘层上的下电极；
形成为围绕所述下电极的顶部和侧部的介电层，其中所述介电层不覆盖所述显示装置的像素区；以及
形成在所述介电层上的上电极，
其中所述介电层的长度大于或等于所述上电极的长度，并且此处所述介电层的所述长度和所述上电极的所述长度沿平行于所述第一基板的方向限定。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述介电层仅覆盖所述下电极的所述顶部和所述侧部。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述第一绝缘层由氧化硅形成，并且其中所述介电层由氮化硅形成。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述介电层的侧部垂直于所述第一基板。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述介电层和所述上电极沿垂直于所述第一基板的方向排列。
6.根据权利要求1至5中的任一个所述的显示装置，进一步包括：
介入所述第一基板和所述第一绝缘层之间的半导体层，其中所述半导体层具有沟道区、源区和漏区；
形成在所述第一绝缘层上以与所述沟道区重叠的栅电极；以及
分别电连接至所述源区和所述漏区的源电极和漏电极。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述源电极或漏电极电连接至所述上电极，
其中所述显示装置进一步包括：
形成在i)所述第一绝缘层、ii)所述栅电极、iii)所述上电极和iv)所述介电层一部分上的第二绝缘层；
形成在所述第二绝缘层上的第三绝缘层；
通过在所述第三绝缘层中形成的通孔电连接至所述源电极或漏电极的像素电极；
布置为面向所述第一基板的第二基板；
形成在所述第二基板上的共用电极；以及
介入所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层。
8.根据权利要求6所述的显示装置，进一步包括：
形成在i)所述第一绝缘层、ii)所述栅电极、iii)所述上电极和iv)所述介电层一部分上的第二绝缘层；
形成在所述第二绝缘层上的第三绝缘层；
形成在所述第三绝缘层上并且通过在所述第三绝缘层中形成的通孔电连接至所述源电极或漏电极的像素电极；
形成在所述第三绝缘层上和所述像素电极的第一部分上的像素限定膜；
形成在所述像素电极的第二部分和所述像素限定膜一部分上的有机发光层，其中所述像素电极的所述第一部分和所述第二部分彼此并不重叠；以及
形成在所述有机发光层和所述像素限定膜上的阴极，
其中所述像素电极用作阳极。
9.一种制造显示装置的方法，包括：
在基板上方形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成下电极；
在所述下电极和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成导电层；
在所述导电层上形成蚀刻掩模层，其中所述蚀刻掩模层直接位于所述下电极上方，其中所述蚀刻掩模层的长度大于所述下电极的长度，并且此处所述蚀刻掩模层的所述长度和所述下电极的所述长度沿平行于所述基板的方向限定；以及
蚀刻所述导电层和所述第二绝缘层直至所述第一绝缘层被暴露，使得所述导电层和所述第二绝缘层分别转换为上电极和介电层。
10.根据权利要求9所述的制造显示装置的方法，其中所述第一绝缘层相对于所述第二绝缘层具有蚀刻选择性，并且其中所述蚀刻选择性表示相对于预定蚀刻的蚀刻速率的差。
11.根据权利要求10所述的制造显示装置的方法，其中所述第一绝缘层由氧化硅形成，并且其中所述第二绝缘层由氮化硅形成。
12.根据权利要求9至11中的任一个所述的制造显示装置的方法，其中所述蚀刻由回蚀工艺和各向异性蚀刻工艺之一执行。
13.根据权利要求9至11中的任一个所述的制造显示装置的方法，其中所述蚀刻被执行，使得所述介电层仅覆盖所述下电极。
14.根据权利要求9至11中的任一个所述的制造显示装置的方法，其中所述蚀刻掩模层由光敏材料形成。
15.根据权利要求9至11中的任一个所述的制造显示装置的方法，其中所述蚀刻被执行，使得所述介电层并不形成在所述显示装置的像素区中。
16.一种制造显示装置的方法，包括：
在基板上方形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成下电极；
在所述下电极和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成上电极以与所述下电极重叠；
在所述第二绝缘层上形成蚀刻掩模层以覆盖所述上电极的侧部和顶部，其中所述蚀刻掩模层具有比所述下电极的外侧还靠外的外侧；以及
蚀刻所述第二绝缘层直至所述第一绝缘层被暴露，使得所述第二绝缘层转换为介电层。
17.根据权利要求16所述的制造显示装置的方法，其中所述蚀刻被执行，使得所述介电层并不形成在所述显示装置的像素区中。
18.根据权利要求16所述的制造显示装置的方法，其中所述第一绝缘层由氧化硅形成，并且所述第二绝缘层由氮化硅形成。
19.根据权利要求16至18中的任一个所述的制造显示装置的方法，进一步包括在所述蚀刻之前，在所述基板上方形成薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括栅电极，并且其中所述蚀刻被执行，使得所述介电层并不接触所述栅电极。
20.根据权利要求16至18中的任一个所述的制造显示装置的方法，其中所述上电极直接位于所述下电极上方，其中所述上电极的长度大于所述下电极的长度，并且其中所述上电极的所述长度和所述下电极的所述长度沿平行于所述基板的方向限定。
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