CN102007002B - 驻极体及静电感应型转换元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供表面电位高的驻极体及具备该驻极体的静电感应型转换元件。该驻极体的特征在于,具有含树脂(a)的层(A)和含所述树脂(a)以外的树脂(b)或无机物(c)的层(B)直接层叠而得的层叠体,所述树脂(a)为含氟树脂(a1)或具有脂肪族环结构的不含氟原子的树脂(a2),所述层(B)配置在向所述层叠体注入电荷而形成驻极体时的注入电荷一侧的相反侧的最外层表面。

Description

驻极体及静电感应型转换元件
技术领域
本发明涉及驻极体及具备该驻极体的静电感应型转换元件。
背景技术
一直以来,提出了使用将电荷注入绝缘材料而得的驻极体(Electret)的发电装置、传声器等静电感应型转换元件。
目前,作为该驻极体的材料,主要采用聚碳酸酯、聚丙烯、聚四氟乙烯等链状树脂。此外,最近作为该驻极体的材料,提出了采用在主链中具有含氟脂肪族环结构的聚合物(参照例如专利文献1)或环烯烃聚合物(参照例如专利文献2、3)的技术方案。
专利文献1:日本专利特开2006-180450号公报
专利文献2:日本专利特表2002-505034号公报
专利文献3:日本专利特开平8-41260号公报
发明的揭示
对于驻极体,为了使采用该驻极体的静电感应型转换元件的电能和动能的转换效率提高,需要将该驻极体的表面电位保持在较高水平。因此,作为该驻极体使用的材料必须形成为一定程度以上的厚膜。但是,为了形成厚膜,例如以湿式工艺制膜时必须提高溶液浓度,这就会导致膜厚不均。另外,以干式工艺制膜时必须反复实施成膜工序,存在工程耗时长的问题。
本发明是鉴于上述课题而完成的发明,其目的在于提供表面电位高的驻极体及具备该驻极体的静电感应型转换元件。
用于解决所述课题的本发明的第一种形态是一种驻极体,其特征在于,具有含树脂(a)的层(A)和含所述树脂(a)以外的树脂(b)或无机物(c)的层(B)直接层叠而得的层叠体,所述树脂(a)为含氟树脂(a1)或具有脂肪族环结构的不含氟原子的树脂(a2),所述层(B)配置在向所述层叠体注入电荷而形成驻极体时的注入电荷一侧的相反侧的最外层表面。
本发明的第二种形态为具备所述第一种形态的驻极体的静电感应型转换元件。
如果采用本发明,则可以提供表面电位高的驻极体及其制造方法,以及具备该驻极体的电能和动能的转换效率得到提高的静电感应型转换元件。
附图的简单说明
图1为用于注入电荷的电晕充电装置的简略结构图。
图2为表示表面电位的测定点的设定位置的图。
实施发明的最佳方式
以下,对实施本发明的最佳方式进行说明。
以下的说明书中,有时将构成聚合物的“重复单元”略作“单元”。
此外,以式(1)表示的单体也记作“单体(1)”。以其它式表示的单元、化合物等也同样表示,例如以式(z1)表示的单元也记作“单元(z1)”。
本发明的驻极体的特征在于,具有以下的层(A)和层(B)直接层叠而得的层叠体。该层叠体中,层(B)配置在向该层叠体注入电荷而形成驻极体时的注入电荷一侧的相反侧的最外层表面。
层(A):含树脂(a)的层。
层(B):含树脂(a)以外的树脂(b)或无机物(c)的层。
层(A)是负责作为驻极体的电荷保持的部分,层(B)通过与层(A)直接相接而有助于表面电荷密度的提高。
<层(A)>
层(A)由作为树脂(a)的含氟树脂(a1)或具有脂肪族环结构的不含氟原子的树脂(a2)构成。含氟树脂(a1)及树脂(a2)的作为驻极体的电荷保持性能都很好。
“脂肪族环结构”是指不具备芳香族特性的环结构。作为脂肪族环结构,可例举例如可含取代基的饱和或不饱和的烃环结构、该烃环结构中的碳原子的一部分被氧原子、氮原子等杂原子取代的杂环结构等。
因为层(A)是负责作为驻极体的电荷保持的部分,所以作为树脂(a),优选使用体积电阻率高、绝缘破坏电压大的树脂。
树脂(a)的体积电阻率较好是1010~1020Ωcm,更好是1016~1019Ωcm。该体积电阻率按照基于ASTM D257的方法测定。
此外,树脂(a)的绝缘破坏电压较好是10~25kV/mm,更好是15~22kV/mm。该绝缘破坏电压按照基于ASTM D149的方法测定。
作为含氟树脂(a1),无特别限定,例如可从用于现有的驻极体的含氟树脂中适当选择。该含氟树脂的电绝缘特性优良、作为驻极体的电荷保持性能优良。
作为含氟树脂(a1)的具体例,可例举聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、四氟乙烯-全氟(烷基乙烯基醚)共聚物(PFA)、氟代烯烃-烷基乙烯基醚共聚物、聚偏氟乙烯、含氟环状聚合物等。其中,从电绝缘特性的角度来看,较好是选自PTFE、FEP、PFA和具备脂肪族环结构的含氟树脂的至少1种。
作为含氟树脂(a1),更好是具备脂肪族环结构的含氟树脂(例如后述的含氟环状聚合物)。这里,具备脂肪族环结构的含氟树脂是指具备所述“脂肪族环结构”中烃环结构或杂环结构中的氢原子被氟原子取代的结构的含氟树脂。
“含氟环状聚合物”是指在主链中具有含氟脂肪族环结构的含氟聚合物,且构成含氟脂肪族环结构的碳原子中的至少1个为构成该含氟聚合物的主链的碳原子。
构成含氟脂肪族环结构的碳原子中的构成主链的碳原子来源于构成该含氟聚合物的单元所基于的单体所包含的聚合性双键。
例如,含氟聚合物为如后所述的使环状单体聚合而得的含氟聚合物时,构成该双键的2个碳原子成为构成主链的碳原子。
此外,含氟聚合物为使具有2个聚合性双键的单体环化聚合而得的含氟聚合物时,构成2个聚合性双键的4个碳原子中的至少2个成为构成主链的碳原子。
作为含氟脂肪族环结构,可以是环骨架仅由碳原子构成的结构,也可以是除碳原子以外还包含氧原子、氮原子等杂原子的杂环结构。作为含氟脂肪族环,较好是在环骨架中具有1~2个醚性氧原子的含氟脂肪族环。
构成含氟脂肪族环结构的环骨架的原子的数量较好是4~7个,更好是5~6个。即,含氟脂肪族环结构较好是四~七元环,更好是五~六元环。
作为优选的含氟环状聚合物,可以例举下述含氟环状聚合物(I’)、含氟环状聚合物(II’)。
含氟环状聚合物(I’):具有基于环状含氟单体的单元的聚合物。
含氟环状聚合物(II’):具有通过二烯类含氟单体的环化聚合而形成的单元的聚合物。
“环状含氟单体”是指在构成含氟脂肪族环的碳原子间具有聚合性双键的单体或者在构成含氟脂肪族环的碳原子与含氟脂肪族环外的碳原子之间具有聚合性双键的单体。
作为环状含氟单体,较好是化合物(1)或化合物(2)。
Figure BPA00001242874600041
式中,X11、X12、X13、X14、Y11和Y12分别独立地为氟原子、全氟烷基或全氟烷氧基。
作为X11、X12、X13、X14、Y11和Y12中的全氟烷基,较好是碳数为1~7,更好是碳数1~4。该全氟烷基较好是直链状或分支链状,更好是直链状。具体来说,可以例举三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基等,特别好是三氟甲基。
作为X11、X12、X13、X14、Y11和Y12中的全氟烷氧基,可以例举所述全氟烷基上结合氧原子(-O-)而得的基团。
作为X11,较好是氟原子。
作为X12,较好是氟原子、三氟甲基或碳数为1~4的全氟烷氧基,更好是氟原子或三氟甲氧基。
作为X13和X14,分别独立地优选氟原子或碳数为1~4的全氟烷基,更好是氟原子或三氟甲基。
作为Y11和Y12,分别独立地优选氟原子、碳数为1~4的全氟烷基或碳数为1~4的全氟烷基,更好是氟原子或三氟甲基。
化合物(1)中,X13和X14可相互结合而与X13和X14所结合的碳原子一起形成含氟脂肪族环。
作为该含氟脂肪族环,较好是四~六元环。
该含氟脂肪族环较好是饱和脂肪族环。
该含氟脂肪族环可以在其环骨架中具有醚性氧原子(-O-)。这时,含氟脂肪族环中的醚性氧原子的数量较好是1个或2个。
化合物(2)中,Y11和Y12可相互结合而与Y11和Y12所结合的碳原子一起形成含氟脂肪族环。
作为该含氟脂肪族环,较好是四~六元环。
该含氟脂肪族环较好是饱和脂肪族环。
该含氟脂肪族环可以在其环骨架中具有醚性氧原子(-O-)。这时,含氟脂肪族环中的醚性氧原子的数量较好是1个或2个。
作为化合物(1)的优选的具体例,可以例举化合物(1-1)~(1-5)。
作为化合物(2)的优选的具体例,可以例举化合物(2-1)~(2-2)。
Figure BPA00001242874600061
含氟环状聚合物(I’)可以是上述环状含氟单体的均聚物,也可以是该环状含氟单体与除其以外的其它单体的共聚物。
其中,该含氟环状聚合物(I’)中,相对于构成该含氟环状聚合物(I’)的所有重复单元的总和,基于环状含氟单体的单元的比例较好是在20摩尔%以上,更好是在40摩尔%以上,可以是100摩尔%。
作为该其它单体,只要是可与上述环状含氟单体共聚的单体即可,没有特别限定。具体来说,可以例举后述的二烯类含氟单体、四氟乙烯、三氟氯乙烯、全氟(甲基乙烯基醚)等。
“二烯类含氟单体”是指具有2个聚合性双键和氟原子的单体。作为该聚合性双键,没有特别限定,较好是乙烯基、烯丙基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基。
作为二烯类含氟单体,较好是化合物(3)。
CF2=CF-Q-CF=CF2…(3)
式中,Q是可以具有醚性氧原子且氟原子的一部分可被除氟原子以外的卤素原子取代的碳数为1~3的全氟亚烷基。作为该除氟原子以外的卤素原子,可以例举氯原子、溴原子等。
Q为具有醚性氧原子的全氟亚烷基时,该全氟亚烷基中的醚性氧原子可以存在于该基团的一侧末端、该基团的两末端或者该基团的碳原子之间。从环化聚合性的角度来看,较好是存在于该基团的一侧末端。
作为通过化合物(3)的环化聚合而形成的单元,可以例举下式(3-1)~(3-4)的重复单元。
Figure BPA00001242874600071
作为化合物(3)的具体例,可以例举下述化合物。
CF2=CFOCF2CF=CF2
CF2=CFOCF(CF3)CF=CF2
CF2=CFOCF2CF2CF=CF2
CF2=CFOCF2CF(CF3)CF=CF2
CF2=CFOCF(CF3)CF2CF=CF2
CF2=CFOCFClCF2CF=CF2
CF2=CFOCCl2CF2CF=CF2
CF2=CFOCF2OCF=CF2
CF2=CFOC(CF3)2OCF=CF2
CF2=CFOCF2CF(OCF3)CF=CF2
CF2=CFCF2CF=CF2
CF2=CFCF2CF2CF=CF2
CF2=CFCF2OCF2CF=CF2等。
含氟环状聚合物(II’)可以仅由通过上述二烯类含氟单体的环化聚合而形成的单元构成,也可以是具有该单元与除其以外的其它单元的共聚物。
其中,该含氟环状聚合物(II’)中,相对于构成该含氟环状聚合物(II’)的所有重复单元的总和,通过二烯类含氟单体的环化聚合而形成的单元的比例较好是在50摩尔%以上,更好是在80摩尔%以上,最好是100摩尔%。
作为该其它单体,只要是可与上述二烯类含氟单体共聚的单体即可,没有特别限定。具体来说,可以例举上述的化合物(1)、化合物(2)等环状含氟单体,四氟乙烯、三氟氯乙烯、全氟(甲基乙烯基醚)等。
作为含氟树脂(a1),可以从市售品中适当选择使用,也可以通过常规方法合成。
例如,含氟环状聚合物可以通过采用日本专利特开平4-189880号公报等中所揭示的目前公知的方法进行衍生各单元的单体的环化聚合、均聚、共聚等来制造。
此外,作为含氟环状聚合物的市售品,可以例举CYTOP(注册商标)(旭硝子株式会社(旭硝子社)制)、Teflon(注册商标)AF(杜邦公司(デユポン社)制)、HYFLON(注册商标)AD(苏威苏莱克斯公司(ソルベ一ソレクシス社)制)等。
本发明中,作为具有脂肪族环结构且不含氟原子的树脂(a2),可例举例如环烯烃聚合物。
“环烯烃聚合物”是指该聚合物的主链中具有脂肪族烃环结构的聚合物,构成该脂肪族烃环结构的碳原子中的至少2个编入该聚合物的主链中。
环烯烃聚合物包含具有脂肪族烃环结构的单元(以下称为单元(z1)),该单元(z1)中,构成该脂肪族烃环结构的碳原子中的至少2个编入该聚合物的主链中。
作为优选的环烯烃聚合物,可以例举包含单元(z1-1)的聚合物。
Figure BPA00001242874600091
式中,R为可具有取代基的2价烃基,m为0~10的整数,r为0或1的整数,s为0或1的整数。
式(z1-1)中,R的烃基“可具有取代基”是指该烃基的氢原子可部分或全部被取代基取代。
作为该取代基,可以例举烷基、环烷基、烷氧基、苯基等芳基、金刚烷基等多环式的脂肪族烃基等。
作为取代基的烷基可以是直链状或分支链状,碳数较好是1~10,更好是1~3。作为该烷基,较好是甲基、乙基、丙基、异丙基,特别好是甲基、乙基。
作为取代基的环烷基的碳数较好是3~10,更好是5~8。作为该环烷基,特别好是环戊基或环己基。
作为取代基的烷氧基,可以例举所述烷基中结合有氧原子(-O-)的基团。
R的烃基可以是链状,也可以是环状。此外,该烃基可以是饱和基团,也可以是不饱和基团,较好是饱和基团。
作为链状的烃基,较好是可具有取代基的直链状的亚烷基,其碳数较好是1~4,更好是2~3,最好是2。具体来说,可以例举二亚甲基。
作为环状的烃基,较好是可具有取代基的从单环式或多环式的环烷除去2个氢原子而得的基团。作为单环式的环烷,可以例举环戊烷、环己烷等。作为多环式的环烷,可以例举降冰片烷、金刚烷等。其中,较好是环戊烷或降冰片烷。
式(z1-1)中,m为0~10的整数。
m为1以上的整数时,像后述的单元(z1-11)那样,聚合物主链不结合于脂肪族烃环结构的邻位,而是空开1个以上亚甲基链的间隔结合,从而将该脂肪族烃环结构编入聚合物主链中。该情况下,作为m,较好是1~3的整数,最好是1。
m为0时,像后述的单元(z1-21)那样,聚合物主链结合于脂肪族烃环结构的邻位,从而将该脂肪族烃环结构编入聚合物主链中。
r和s分别可以是0或1。
特别是m为0时,r和s较好是0。此外,m为1时,r和s较好是1。
作为优选的单元(z1-1),可以例举以下所示的单元(z1-11)、单元(z1-21)等。
Figure BPA00001242874600101
式中,R1和R2分别独立地为氢原子、烷基或环烷基,R1和R2可以相互结合而形成环。
Figure BPA00001242874600111
式中,R3和R4分别独立地为氢原子、烷基或环烷基,R3和R4可以相互结合而形成环。
式(z1-11)中,作为R1和R2中的烷基及环烷基,可例举分别与以上作为取代基所例举的烷基及环烷基同样的基团。
R1和R2可相互结合而与R1和R2所分别结合的碳原子一起形成环。作为此时形成的环,优选单环式或多环式的环烷。作为单环式的环烷,可以例举环戊烷、环己烷等。作为多环式的环烷,可以例举降冰片烷、金刚烷等。其中,较好是环戊烷或降冰片烷。
该环可具有取代基。作为该取代基,可例举与所述R的烃基可具备的取代基同样的基团。
作为R1和R2成环时的单元(z1-11)的具体例,可例举下述单元(z1-11-1)、单元(z1-12-1)等。
Figure BPA00001242874600112
式中,R11为氢原子或烷基。
作为R11的烷基,可例举与作为所述R的烃基可具有的取代基例举的烷基同样的基团,特好为甲基。
本发明中,作为单元(z1-11),优选R1和R2成环的单元或R1和R2的至少一方为环烷基的单元。
式(z1-21)中,R3和R4分别与所述R1和R2相同。
作为R3和R4成环时的单元(z1-21)的具体例,可例举下述单元(z1-21-1)、单元(z1-21-2)等。
Figure BPA00001242874600121
式中,R13为氢原子或烷基。
作为R13的烷基,可例举与作为所述R的烃基可具有的取代基例举的烷基同样的基团,特好为甲基。
环烯烃聚合物中,作为单元(z1)可含有以上单元中的任意1种也可含有2种以上。
环烯烃聚合物中,相对于构成该环烯烃聚合物的所有重复单元的总和,单元(z1)的比例较好为30摩尔%以上,更好为40摩尔%以上,可以是100摩尔%。
环烯烃聚合物中可含有单元(z1)以外的其它单元(以下称为单元(z2))。
作为单元(z2),可采用以往用于环烯烃聚合物的任意的单元,无特别限定。
作为该单元(z2),优选基于可具有取代基的烯烃的单元,作为该单元,可例举例如下述单元(z2-1)。
Figure BPA00001242874600131
式中,R5为氢原子或烷基。
式中,作为R5的烷基,可例举与作为所述R的烃基可具有的取代基例举的烷基同样的基团。
作为用于本发明的环烯烃聚合物,特好的是下述环烯烃聚合物(I)、环烯烃聚合物(II)。
环烯烃聚合物(I):包含所述单元(z1-11)的环烯烃聚合物。
环烯烃聚合物(II):包含所述单元(z1-21)及单元(z2)的环烯烃聚合物。
环烯烃聚合物(I)中,作为单元(z1-11)可含有1种也可含有2种以上。
此外,在不影响本发明的效果的范围内,环烯烃聚合物(I)中可含有单元(z1-11)以外的单元。
环烯烃聚合物(I)中,相对于构成该环烯烃聚合物(I)的所有重复单元的总和,单元(z1-11)的比例较好为80摩尔%以上,更好为90摩尔%以上,特好为100摩尔%。即,作为环烯烃聚合物(I),特好是仅由单元(z1-11)构成的聚合物。
环烯烃聚合物(II)中,作为单元(z1-21)及单元(z2),分别可含有1种也可含有2种以上。
此外,在不影响本发明的效果的范围内,环烯烃聚合物(II)中可含有单元(z1-21)及单元(z2)以外的单元。
环烯烃聚合物(II)中,相对于构成该环烯烃聚合物(II)的所有重复单元的总和,单元(z1-21)的比例较好为20~70摩尔%,更好为30~50摩尔%。此外,相对于构成该环烯烃聚合物(II)的所有重复单元的总和,单元(z2)的比例较好为30~80摩尔%,更好为50~70摩尔%。
此外,环烯烃聚合物(II)中的单元(z1-21)及单元(z2)的含量之比(摩尔比)较好为单元(z1-21)∶单元(z2)=20∶80~70∶30,更好为30∶70~50∶50。
作为环烯烃聚合物(II)的优选具体例,可例举包含下式(II-1)、(II-2)所示的2种不同单元的共聚物。
Figure BPA00001242874600141
式中,R13、R5分别与前述基团相同。
环烯烃聚合物可以分别在主链末端和/或侧链部分具有作为末端基团的官能团。
作为官能团,可以例举烷氧基羰基(也称酯基)、羧基、羧酰卤基、酰胺基、羟基、氨基、磺酸基、磺酸酯基、磺酰胺基、巯基、氰基等。其中,较好是具有烷氧基羰基、羧基。
包含羧基作为末端基团时,该羧基上可结合有硅烷化合物。
例如,可以通过使具有羧基作为末端基团的环烯烃聚合物与如后所述的硅烷偶联剂反应,从而使硅烷化合物与该羧基结合。
具有烷氧基羰基或羧基等官能团作为末端基团的环烯烃聚合物可以例举例如使由不饱和羧酸及其衍生物形成的改性单体与环烯烃聚合物接枝共聚而成的改性树脂。
作为所述不饱和羧酸,可以例举丙烯酸、甲基丙烯酸、α-乙基丙烯酸、马来酸、富马酸、衣康酸、柠康酸、内亚甲基四氢化邻苯二甲酸、甲基内亚甲基四氢化邻苯二甲酸等。作为不饱和羧酸的衍生物,可以例举所述不饱和羧酸的酰卤、酰胺、酰亚胺、酸酐、酯等,作为具体例,可以例举马来酰氯、马来酸酐、柠康酸酐、马来酸单甲酯、马来酸二甲酯等。
作为环烯烃聚合物,只要满足相对介电常数等所需的特性即可,没有特别限定,可以使用市售品,也可以合成。
作为环烯烃聚合物的合成方法,已知下述(1)~(7)等。
还有,各反应式的最终生成物中示出的单元表示所得的环烯烃聚合物中包含的单元。
(1)使降冰片烯类与烯烃加成共聚的方法(例如下述反应式(1’)所示的方法)。
(2)对降冰片烯类的开环易位聚合物进行氢化的方法(例如下述反应式(2’)所示的方法)。
(3)将亚烷基降冰片烯进行跨环聚合的方法(例如下述反应式(3’)所示的方法)。
(4)使降冰片烯进行加成聚合的方法(例如下述反应式(4’)所示的方法)。
(5)对环戊二烯的1,2-和1,4-加成聚合物进行氢化的方法(例如下述反应式(5’)所示的方法)。
(6)对环己二烯的1,2-和1,4-加成聚合物进行氢化的方法(例如下述反应式(6’)所示的方法)。
(7)使共轭二烯进行环化聚合的方法(例如下述反应式(7’)所示的方法)。
Figure BPA00001242874600161
各反应式中,R1~R5分别与前述相同。
R6~R7分别独立地为烷基,作为该烷基,可以例举与作为所述R的烃基可具有的取代基例举的烷基同样的基团。
其中,因为成膜性良好、合成容易,所以优选通过(1)的方法得到的环烯烃聚合物(降冰片烯类与烯烃的加成聚合物)和通过(2)的方法得到的环烯烃聚合物(降冰片烯类的开环易位聚合物的氢化聚合物)。
作为降冰片烯类的加成共聚物,可以例举例如以APEL(注册商标)(三井化学株式会社(三井化学社)制)、TOPAS(注册商标)(泰科纳公司(Ticona社)制)的商品名销售的产品。
此外,作为降冰片烯类的开环易位聚合物的氢化聚合物,有各种产品,从具有透明性、低吸湿性、耐热性的角度来看,较好是以ZEONEX(注册商标)(日本瑞翁株式会社(日本ゼオン社)制)、ZEONOR(注册商标)(日本瑞翁株式会社制)、ARTON(注册商标)(JSR株式会社(JSR社)制)的商品名销售的聚合物。
树脂(a)的重均分子量较好是3000~100万,更好是1万~30万。
此外,树脂(a)的玻璃化温度或熔点较好是在80℃以上,更好是在100℃以上。如果该玻璃化温度或熔点在80℃以上、特别是在100℃以上,则驻极体的耐热性、保持电荷的稳定性等良好。此外,如果考虑到将树脂(a)进行制膜时的成膜性、树脂(a)在溶剂中的溶解性等,该玻璃化温度或熔点较好是在350℃以下,更好是在250℃以下,最好是在200℃以下。
树脂(a)的玻璃化温度或熔点可以通过调节构成该树脂(a)的重复单元的种类和比例来进行调节。例如,为所述含氟环状聚合物或环烯烃聚合物这样的非晶态树脂的情况下,基于所述化合物(1)或化合物(2)的重复单元有助于该聚合物的玻璃化温度的提高,这些单元的比例越高,则玻璃化温度越高。此外,作为树脂(a)的所述含氟树脂中的结晶性树脂,例如PTFE、FEP、ETFE、PFA等树脂存在熔点,通过使破坏结晶性的单元(例如全氟(烷基乙烯基醚)等)与四氟乙烯或乙烯等结晶性高的单元共聚可调节树脂(a)的熔点。
作为层(A)的形成方法,没有特别限定,作为优选的形成方法,可以例举将树脂(a)溶解于溶剂制成涂覆用组合物、使用该组合物制成涂膜的方法。
涂膜的制膜例如可以通过将该涂覆用组合物涂覆于层(B)的表面并通过烘烤等使其干燥来实施。
作为涂覆方法,可以采用由溶液形成膜的目前公知的方法,没有特别限定。作为所述方法的具体例,可以例举辊涂法、流延法、浸渍法、旋涂法、水上流延法、朗缪尔-布洛杰特法、模涂法、喷墨法、喷涂法等。此外,还可以使用凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、丝网印刷法、胶版印刷法等印刷技术。
作为涂覆用组合物的溶剂,只要是可溶解树脂(a)且能够通过所需的涂覆方法形成具有所需的膜厚、均一性的涂膜的溶剂即可,没有特别限定,可以例举例如质子性溶剂、非质子性溶剂等。
作为质子性溶剂,可以例举甲醇、乙醇、1-丙醇、异丙醇、1-丁醇、2-丁醇、叔丁醇、戊醇、己醇、1-辛醇、2-辛醇、乙二醇、乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单丁醚、丙二醇、乳酸甲酯、后述的质子性含氟溶剂等。
作为非质子性溶剂,可以例举例如己烷、环己烷、庚烷、辛烷、癸烷、十二烷、萘烷、丙酮、环己酮、2-丁酮、二甲氧基乙烷、单甲醚、乙酸乙酯、乙酸丁酯、二甘醇、三甘醇、丙二醇单甲醚单乙酸酯(PGMEA)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、N,N-二甲基乙酰胺(DMA)、N-甲基吡咯烷酮、四氢呋喃、苯甲醚、二氯甲烷、二氯乙烷、氯仿、四氯化碳、氯苯、二氯苯、苯、甲苯、二甲苯、乙苯、均三甲苯、四氢化萘、甲基萘、后述的非质子性含氟溶剂等。
这些溶剂可以单独使用任意1种,也可以2种以上混合使用。此外,除了这些溶剂之外,还可以使用范围广泛的化合物。
其中,使用含氟树脂(a1)作为树脂(a)的情况下,作为溶剂,优选非质子性溶剂,更好为非质子性含氟溶剂。
此外,作为树脂(a)使用环烯烃聚合物等树脂(a2)时,作为溶剂,较好为非质子性溶剂,更好为烃类,进一步更好是苯、甲苯、二甲苯、乙苯、均三甲苯、四氢化萘、甲基萘等芳香烃类,特别好是甲苯、二甲苯。
作为所述非质子性含氟溶剂,可以例示以下的含氟化合物。
六氟间二甲苯、氟苯、二氟苯、全氟苯、五氟苯、1,3-双(三氟甲基)苯、1,4-双(三氟甲基)苯等含氟芳香族化合物,全氟三丁胺、全氟三丙胺等全氟三烷基胺化合物,全氟萘烷、全氟环己烷、全氟(1,3,5-三甲基环己烷)等全氟环烷化合物,全氟(2-丁基四氢呋喃)等全氟环状醚化合物,低分子量全氟聚醚,全氟己烷、全氟辛烷、全氟癸烷、全氟十二烷、全氟(2,7-二甲基辛烷)、全氟(1,2-二甲基己烷)、全氟(1,3-二甲基己烷)等全氟烷,1,1,2-三氯-1,2,2-三氟乙烷、1,1,1-三氯-2,2,2-三氟乙烷、1,3-二氯-1,1,2,2,3-五氟丙烷、1,1,1,3-四氯-2,2,3,3-四氟丙烷、1,1,3,4-四氯-1,2,2,3,4,4-六氟丁烷等氯氟烃,1,1,1,2,2,3,3,5,5,5-十氟戊烷、1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十三氟己烷、1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8-十七氟辛烷、1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-二十一氟癸烷、1,1,1,2,2,3,3,4,4-九氟己烷、1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十三氟辛烷、1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8-十七氟癸烷、1,1,1,2,3,4,5,5,5-九氟-4-(三氟甲基)戊烷、1,1,1,2,2,3,5,5,5-九氟-4-(三氟甲基)戊烷等氢氟烃,3,3-二氯-1,1,1,2,2-五氟丙烷、1,3-二氯-1,1,2,2,3-五氟丙烷等氢氯氟烃。
这些含氟化合物可以单独使用任意1种,也可以2种以上并用。
此外,除上述化合物以外,还可以使用范围广泛的非质子性含氟溶剂。
例如,优选氢氟醚(HFE)等含氟溶剂。这样的含氟溶剂是以通式R31-O-R32(R31为可含醚性氧原子的碳数5~12的直链状或分支状的多氟烷基,R32为碳数为1~5的直链状或分支状的烷基或多氟烷基)表示的含氟溶剂(以下也称含氟溶剂(2))。
R31中的多氟烷基是指烷基的2个以上的氢原子被氟原子取代而得的基团,包括烷基的氢原子全部被氟原子取代而得的全氟烷基和烷基的2个以上的氢原子被氟原子取代且烷基的1个以上的氢原子被除氟原子以外的卤素原子取代而得的基团。作为除氟原子以外的卤素原子,较好是氯原子。
作为多氟烷基,以对应的烷基的氢原子数计,较好是60%以上被氟原子取代而得的基团,更好是80%以上。更优选的多氟烷基为全氟烷基。
R31具有醚性氧原子时,若醚性氧原子的数量过多,则会阻碍溶解性,因此R31中的醚性氧原子的数量较好是1~3个,更好是1~2个。
如果R31的碳原子数在5个以上,则含氟树脂(a1)的溶解性良好,如果R31的碳原子数在12个以下,则容易以工业方法获得,因此R31的碳数选自5~12的范围。R31的碳原子数较好是6~10,更好是6~7和9~10。
R32的碳原子数为1~5,如果碳原子数在5以下,则含氟树脂(a1)的溶解性良好。R32的优选例子为甲基或乙基。
含氟溶剂(2)的分子量如果过大,则不仅使涂敷用组合物的粘度上升,而且含氟树脂(a1)的溶解性也下降,因此较好是在1000以下。
此外,因为含氟树脂(a1)的溶解性良好,所以含氟溶剂(2)的含氟量较好是60~80质量%。
作为优选的含氟溶剂(2),可以例示下述化合物。
F(CF2)4OCH3、CF3CH2OCF2CF2H、F(CF2)5OCH3、F(CF2)6OCH3、F(CF2)7OCH3、F(CF2)8OCH3、F(CF2)9OCH3、F(CF2)10OCH3、H(CF2)6OCH3、(CF3)2CFCF(OCH3)CF2CF3、F(CF2)3OCF(CF3)CF2OCH3、F(CF2)3OCF(CF3)CF2OCF(CF3)CF2OCH3、F(CF2)8OCH2CH2CH3、(CF3)2CFCF2CF2OCH3、F(CF2)2O(CF2)4OCH2CH3
这些含氟溶剂中,特别好是(CF3)2CFCF(OCH3)CF2CF3
上述涂覆用组合物中可以掺入硅烷偶联剂。藉此,使用该涂覆用组合物而形成的涂膜与基板的密合性良好。
作为硅烷偶联剂,没有特别限定,包括目前公知的硅烷偶联剂在内,可采用的范围广。具体可例示以下的硅烷偶联剂。
三甲基甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、二甲基乙烯基甲氧基硅烷、二甲基乙烯基乙氧基硅烷等单烷氧基硅烷类。
γ-氯丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-氯丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基乙烯基二甲氧基硅烷、甲基乙烯基二乙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、3,3,3-三氟丙基甲基二甲氧基硅烷、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十三氟辛基甲基二甲氧基硅烷、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-十七氟癸基甲基二甲氧基硅烷等二烷氧基硅烷类。
γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十三氟辛基三甲氧基硅烷、3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-十七氟癸基三甲氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷等三或四烷氧基硅烷类。
此外,作为优选的硅烷偶联剂,可以例举作为具有芳香族胺结构的硅烷偶联剂的芳香族胺类硅烷偶联剂。
作为芳香族胺类硅烷偶联剂,可以例举以下式(s1)~(s3)表示的化合物。
ArSi(OR21)(OR22)(OR23)…(s1)
ArSiR24(OR21)(OR22)…(s2)
ArSiR24R25(OR21)…(s3)
式中,R21~R25分别独立地表示氢原子、碳数为1~20的烷基或芳基,Ar表示对氨基苯基、间氨基苯基或邻氨基苯基。
作为以式(s1)~(s3)表示的化合物的具体例,可以例举下述化合物。
氨基苯基三甲氧基硅烷、氨基苯基三乙氧基硅烷、氨基苯基三丙氧基硅烷、氨基苯基三异丙氧基硅烷、氨基苯基甲基二甲氧基硅烷、氨基苯基甲基二乙氧基硅烷、氨基苯基甲基二丙氧基硅烷、氨基苯基甲基二异丙氧基硅烷、氨基苯基苯基二甲氧基硅烷、氨基苯基苯基二乙氧基硅烷、氨基苯基苯基二丙氧基硅烷、氨基苯基苯基二异丙氧基硅烷等。
这些化合物中的氨基的氢原子可以被烷基或芳基取代。例如,可以例举N,N-二甲基氨基苯基三烷氧基硅烷或N,N-二甲基氨基苯基甲基二烷氧基硅烷等。除此之外,还可以使用例如美国专利第3481815号中记载的芳香族胺类硅烷偶联剂等。
上述硅烷偶联剂可以单独使用任意1种,也可以2种以上组合。
此外,也优选使用上述硅烷偶联剂的部分水解产物。
另外,还优选使用上述硅烷偶联剂与四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷等四烷氧基硅烷的共同部分水解产物。其中,作为不破坏树脂(a)的电绝缘性且使树脂(a)的粘接性提高的化合物,可例示特别优选的γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(β-氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、氨基苯基三乙氧基硅烷、氨基苯基甲基二甲氧基硅烷、氨基苯基甲基二乙氧基硅烷等具有氨基的硅烷偶联剂,以及γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等具有环氧基的硅烷偶联剂。
树脂(a)采用预先在主链末端或侧链中引入了羧基的化合物的情况下,作为硅烷偶联剂,具有氨基或环氧基的烷氧基硅烷类特别有效。
树脂(a)采用预先在主链末端或侧链中引入了烷氧基羰基的含氟聚合物的情况下,作为硅烷偶联剂,具有氨基或氨基苯基的烷氧基硅烷类特别有效。
涂覆用组合物采用含氟树脂(a1)的非质子性含氟溶剂溶液的情况下,该涂覆用组合物中可以掺入质子性含氟溶剂。如果涂覆用组合物中掺入质子性含氟溶剂,则可以增加硅烷偶联剂在涂覆用组合物中的溶解性。此外,还可以抑制被认为由硅烷偶联剂之间的反应引起的粘度上升和凝胶化。
即,非质子性含氟溶剂中,上述的具有氨基或环氧基的三烷氧基硅烷类与具有同样基团的二烷氧基硅烷类相比,更容易产生经时粘度上升或凝胶化。此外,三烷氧基硅烷类与二烷氧基硅烷类相比,涂覆用组合物在非质子性含氟溶剂溶液中的溶解性也更小。因此,涂覆用组合物采用含氟树脂(a1)的非质子性含氟溶剂溶液并向其中掺入三烷氧基硅烷类的情况下,较好是进一步添加质子性含氟溶剂,特别好是添加含氟醇。
此外,掺入二烷氧基硅烷类作为硅烷偶联剂的情况下,虽然溶解性没有三烷氧基硅烷类那么小,但同样也可以通过添加质子性含氟溶剂、特别是含氟醇来提高溶解性。采用二烷氧基硅烷类的情况下,由于涂覆用组合物的经时粘度上升没有三烷氧基硅烷类那么显著,因此可以不添加含氟醇等质子性含氟溶剂,但因为添加时能够更可靠地抑制粘度上升,所以优选添加。
作为该质子性含氟溶剂,可以例示以下的化合物。
三氟乙醇、2,2,3,3,3-五氟-1-丙醇、2-(全氟丁基)乙醇、2-(全氟己基)乙醇、2-(全氟辛基)乙醇、2-(全氟癸基)乙醇、2-(全氟-3-甲基丁基)乙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇、2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1-戊醇、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十二氟-1-庚醇、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-十六氟-1-壬醇、1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇,2,2,3,3,4,4-六氟-1-丁醇等含氟醇。
三氟乙酸、全氟丙酸、全氟丁酸、全氟戊酸、全氟己酸、全氟庚酸、全氟辛酸、全氟壬酸、全氟癸酸、1,1,2,2-四氟丙酸、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟戊酸、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-十二氟庚酸、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十六氟壬酸等含氟羧酸及这些含氟羧酸的酰胺,三氟甲磺酸、十七氟辛磺酸等含氟磺酸等。
这些质子性含氟溶剂可以单独使用任意1种,也可以2种以上组合。
并用非质子性含氟溶剂和质子性含氟溶剂的情况下,质子性含氟溶剂相对于非质子性含氟溶剂和质子性含氟溶剂的总和的比例较好是0.01~50质量%,更好是0.1~30质量%。
涂覆用组合物中的树脂(a)的浓度根据要形成的层(A)的膜厚适当设定即可。通常为0.1~30质量%,较好是0.5~20质量%。
此外,在涂覆用组合物中掺入硅烷偶联剂的情况下,其掺入量相对于每100质量份树脂(a)较好是0.01~50质量份,更好是0.1~30质量份。
<层(B)>
层(B)是由除树脂(a)以外的树脂(b)或无机物(c)构成的层,构成该层(B)的材料(树脂(b)或无机物(c))与构成层(A)的材料(树脂(a))不同。
树脂(b)优选与所述树脂(a)相比形成为驻极体时的电荷保持性能低的树脂。
这里,作为“电荷保持性能”,分为可保持的电荷量的多少(电荷保持容量)及注入的电荷能以何种稳定程度被保持(电荷稳定性)2种,树脂(b)可以仅电荷保持量和电荷稳定性中的任一方低于树脂(a),优选2种性能均低于树脂(a)。
树脂(b)、树脂(a)各自的电荷保持性能可如下评价:在基板上分别以同样的膜厚形成树脂(b)的单一膜、树脂(a)的单一膜后在同样的条件下注入电荷形成驻极体,测定电荷刚注入后的表面电位(初期表面电位)及电荷注入后在同样的条件下保存一定时间(例如200小时)后的表面电位(保存后表面电位),藉此进行评价。即,可从初期表面电位的高度来评价电荷保持容量,可从初期表面电位和保存后表面电位之差来评价电荷稳定性。
作为树脂(b)的具体例,优选为选自聚酰亚胺、聚对苯二亚甲基树脂、聚碳酸酯、聚亚芳基、聚亚芳基醚、聚醚、聚醚砜、聚醚酮、聚醚腈、聚醚酰亚胺、聚亚芳基硫醚、聚硫醚砜、聚砜、尼龙、聚酯、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚酮、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯及芳族聚酰胺树脂的至少1种。
作为树脂(b),从制膜工艺的难易的角度考虑,更好为选自聚酰亚胺、聚对苯二亚甲基树脂、聚碳酸酯、聚亚芳基、聚亚芳基醚、聚砜及聚醚砜的至少1种。
此外,从提高玻璃化温度或熔点的角度考虑,可使用热固性树脂及/或紫外线固化性树脂作为树脂(b)。作为该热固性树脂及该紫外线固化性树脂,可例示所述例子中的聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸树脂等,从制膜工艺的难易的角度考虑,优选使用聚酰亚胺。
树脂(b)采用聚酰亚胺的情况下,通过涂覆对有机溶剂等的溶解性良好的聚酰亚胺前体并进行热处理,将聚酰亚胺前体转化为聚酰亚胺,从而形成层(B)。作为聚酰亚胺前体,一般可以使用聚酰胺酸及其酯。如果使聚酰胺酸等聚酰亚胺前体达到200~350℃的高温,则发生酰亚胺闭环反应,可以转化为热学、化学、电学上稳定的聚酰亚胺。本发明中可以采用通常市售的聚酰亚胺。
作为本发明中使用的聚酰亚胺前体,较好是通过使四羧酸二酐与二胺化合物反应而得到的聚酰胺酸或其酯。
对于四羧酸二酐没有特别限定,可以使用通常的聚酰亚胺合成中所用的芳香族四羧酸二酐。具体可以例举3,3’,4,4’-二苯酮四羧酸二酐(BTDA)、3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐、2,3,3’,4’-联苯四羧酸二酐、均苯四酸二酐、1,3-双(2,3-二羧基苯氧基)苯二酐、1,4-双(2,3-二羧基苯氧基)苯二酐、2,3,3’,4’-二苯酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’-二苯酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’-联苯四羧酸二酐、2,2’,6,6’-联苯四羧酸二酐等。
作为二胺化合物,较好是芳香族二胺化合物。对芳香族二胺化合物没有特别限定,可以使用通常的聚酰亚胺合成中所用的芳香族二胺化合物。作为具体例子,可以例举4,4’-二氨基二苯基甲烷(DDM)、4,4’-二氨基二苯基醚(DPE)、4,4’-双(4-氨基苯氧基)联苯(BAPB)、1,4’-双(4-氨基苯氧基)苯(TPE-Q)、1,3’-双(4-氨基苯氧基)苯(TPE-R)、邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺、3,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯基砜、3,4-二氨基二苯基砜、3,3’-二氨基二苯基砜、4,4’-亚甲基-双(2-氯苯胺)、3,3’-二甲基-4,4’-二氨基联苯、2,6’-二氨基甲苯、2,4-二氨基氯苯、3,3’-二氨基二苯酮、3,4-二氨基二苯酮、4,4’-二氨基二苯酮等。
作为树脂(b)使用的聚对苯二亚甲基树脂是可在常温的气相中聚合的特殊的聚合物。例如,聚对苯二亚甲基树脂如下合成:使以下所示的二聚体在160左右升华后,在690℃热分解成单体,导入常温的真空容器(绝对压力4Pa左右)并使其在固体表面聚合。
Figure BPA00001242874600251
聚对苯二亚甲基树脂有若干种,其中,具有苯环上结合有氯的分子结构的树脂(商品名Parylene-C)具有1MHz的频率下的相对介电常数为2.95且绝缘破坏强度和耐化学品性高的特性,适合作为树脂(b)。包括上述Parylene-C在内,可用作树脂(b)的聚对苯二亚甲基类的例子如下所示。还有,各结构式下方示出了商品名。
Figure BPA00001242874600261
树脂(b)的玻璃化温度或熔点较好是在80℃以上,更好是在110℃以上。如果该玻璃化温度或熔点在80℃以上,则驻极体的耐热性、电荷保持稳定性良好。
树脂(b)的重均分子量较好是3000~1000万,更好是1万~100万。
作为无机物(c),从目前公知的无机物中适当选择即可。
具体来说,较好是选自金属氧化物、金属硫化物和金属卤化物的至少1种,特别是从相对介电常数的角度来看,优选使用金属氧化物。
作为金属氧化物,可以例举氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化铝、氧化铈、氧化钙、氧化镁、氧化锡、二氧化锰、氧化镍、氧化铬、氧化钴、氧化银、氧化铜、氧化锌、氧化铁、氧化钼、钛酸钡、钛酸锶、铌酸钾等。
作为金属硫化物,可以例举硫化锌、硫化铝、硫化镓、硫化银、硫化硅、硫化锡、硫化铈、硫化镁、硫化铜、硫化铁、硫化钼等。
作为金属卤化物,可以例举氟化银、氟化钙、氟化铈、氟化铜、氟化钡、氟化镁、氟化锂、氯化铜、氯化银、氯化钙、氯化锆、氯化锡、氯化铈、溴化银、溴化钴、溴化铈、溴化铜等。
其中,优选金属氧化物,从驻极体特性的角度来看,较好是选自氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化铝、氧化铈、氧化锡、二氧化锰、氧化镍、氧化铁及钛酸钡的至少1种,特别好是氧化硅。
层(B)可以是包含树脂(b)的层,也可以是包含无机物(c)的层。
层(B)的制膜方法没有特别限定,根据所用的材料采用目前公知的制膜方法即可。
例如,层(B)采用树脂(b)的情况下,可以通过湿式涂覆法制膜,也可以通过对膜进行加压成形来制膜。此外,还可以通过蒸镀、CVD、溅射等干法工艺来制膜。特别是从制膜工艺的角度来看,较好是通过湿式涂覆法制膜。
通过湿式涂覆法形成层(B)的情况下,作为树脂(b),采用可溶于溶剂的树脂,较好是采用在25℃对所用的溶剂具有以5质量%以上的浓度溶解的溶解度的树脂。如果该溶解度低于5质量%,则难以获得良好的涂膜。该溶解度较好是在10质量%以上,更好是在15质量%以上。作为该溶解度的上限,若考虑到过滤性和成膜性因溶液粘度的上升而劣化,则较好是50质量%,更好是30质量%。
采用涂覆法的层(B)的形成可以通过与作为层(A)的形成方法举出的形成涂膜的方法同样的方法来完成。即,可以如下实施:将树脂(b)溶解于溶剂制成涂覆用组合物,将该涂覆用组合物涂覆于基板或层(A)的表面,通过烘烤等使其干燥。
该涂覆用组合物中可以掺入硅烷偶联剂。藉此,使用该涂覆用组合物而形成的涂膜(层(B))与基板或层(A)的密合性良好。作为该硅烷偶联剂,可以使用与前述同样的试剂。
此外,作为涂覆用组合物,可以将树脂(b)的单体或预聚物溶解于溶剂而制成组合物,将该涂覆用组合物涂覆于基板或层(A)的表面后,给予热量、光、电子射线等外部能量而使其固化,作为固化膜获得层(B)。
层(B)采用无机物(c)的情况下,层(B)可以通过如涂布法、溶胶-凝胶法等湿式方法成膜,也可以通过溅射法、蒸镀法、CVD法等干法工艺制膜。
以下,例举通过湿式法形成氧化硅膜时的例子。例如,可优选采用下述方法:将四烷氧基硅烷或烷基三烷氧基硅烷等水解性硅烷化合物、水解性硅烷化合物的部分水解缩合物、聚硅氮烷等溶解于所述质子性溶剂或非质子性溶剂并进行涂布,在大气中烧成,从而形成氧化硅膜。使用湿式法的情况下,从驻极体特性的角度来看,较好是在非水体系中进行。作为非水体系中的制膜方法,以形成氧化硅膜的情况为例,可优选采用通过涂布聚硅氮烷的二甲苯溶液并在大气中烧成来形成氧化硅膜的方法。这时的烧成温度较好是150℃~600℃,从防止由与层(A)的线膨胀系数的差异引起的破裂的角度来看,更好是180~450℃。
作为本发明中的聚硅氮烷,可以使用例如日本专利特开平9-31333号公报或该公报记载的引用文献中记载的聚硅氮烷和改性聚硅氮烷。
<层叠体>
本发明的层叠体包括直接层叠的层(A)和层(B)作为必需的构成单位。此外,本发明中,层(B)配置在向该层叠体注入电荷而形成驻极体时的注入电荷一侧的相反侧的最外层表面。此外,该层叠体可以具有配置于该最外层表面以外的位置的层(B)。
该层叠体可以仅由层(A)和层(B)构成,也可以包括其它层。作为该其它层,可以例举金属层、由所述硅烷偶联剂等形成的有机单分子膜层等。这些层可以通过目前公知的方法形成。
作为层叠体,从制膜工艺的角度来看,较好是由nA层的层(A)和nB层的层(B)交替层叠而成的(nA+nB)层的层叠体。在这里,nA为1~5的整数,nB为1~5的整数,nA-nB的值为0或1。特好的是nA为1或2,nB也为1或2,nA-nB的值为0。
作为该层叠体的优选的具体例,可以例举自与电荷注入侧相反的一侧起以层(B)、层(A)的顺序层叠(以下记作层(B)/层(A),对于其它层叠体也同样地记载)的2层层叠体,层(B)/层(A)/层(B)的3层层叠体,层(B)/层(A)/层(B)/层(A)的4层层叠体等。
层叠体的形状、尺寸根据所需的驻极体的形状、尺寸适当设定即可。驻极体通常制成厚1~200μm的膜使用,所以作为该层叠体,较好是厚1~200μm的膜。因为在作为驻极体的特性和加工方面有利,所以该层叠体的厚度较好是3~50μm,特别好是5~20μm。
此外,因为上述效果良好,所述层叠体中的层(B)的厚度(平均1层的厚度)较好为0.1μm以上,更好为0.3μm以上,最好为2μm以上。从表面电荷密度的提高和制膜工艺的角度来看,该厚度上限较好是20μm,更好是10μm。
层(A)的厚度(平均1层的厚度)没有特别限定,考虑该层叠体整体的厚度、层(A)的数量等适当设定即可。若考虑到驻极体的电荷保持性能、耐热性等,层(A)的厚度(平均1层的厚度)较好是3~50μm,更好是5~20μm。
层(A)和层(B)的各层的厚度以及该层叠体整体的厚度可通过光干涉式膜厚测定装置来测定。
本发明的驻极体可通过包括以下2个工序的方法制得,即,在基板上以层(B)与该基板直接相接的方式形成所述层叠体的工序(层叠体形成工序),以及从与所述基板侧相反的一侧向该层叠体注入电荷而形成驻极体的工序(电荷注入工序)。
层叠体形成工序中,上述层叠体可以通过在基板上以层(B)与该基板直接相接的方式依次层叠层(B)和层(A)来形成。例如,在基板上先形成层(B),在该层(B)上层叠层(A),从而可以形成2层层叠体。此外,3层以上的层叠体的情况下,通过自基板侧根据所需的叠层数依次交替层叠层(B)和层(A),可以形成规定的叠层数的层叠体。此外,这时可以任意地层叠其它层,但层叠体至少包括层(A)和层(B)直接层叠而得的层叠体。并且,层(B)配置在注入电荷一侧的相反侧的最外层表面。
作为基板,只要是向所得的层叠体注入电荷时可接地的基板即可,可以采用任意材质。作为优选的材质,可以例举例如金、铂、铜、铝、铬、镍等导电性金属。此外,材质除了导电性金属以外,即使是例如玻璃等无机材料或聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、丙烯酸树脂等绝缘性材料,只要在其表面通过溅射、蒸镀、湿法涂覆等方法被覆了金属膜,也可以用作基板。此外,只要进行同样的表面处理或者半导体材料本身的电阻值低,还可以使用硅等半导体材料作为基板。作为基板材料的电阻值,以体积电阻率值计较好是在0.1Ωcm以下,特好是在0.01Ωcm以下。
该基板可以是表面平滑的平板,也可以是形成有凹凸的板。此外,表面可以经图案形成而呈现各种形状。特别是使用上述绝缘性基板的情况下,可以是绝缘性基板本身形成凹凸或图案,也可以是被覆于表面的金属膜形成凹凸或图案。
作为使该基板形成凹凸或图案的方法,可以采用目前公知的方法,没有特别限定。作为形成凹凸或图案的方法,可以采用真空工艺、湿法工艺中的任一种。作为所述方法的具体例,真空工艺可以例举介以掩模的溅射法、介以掩模的蒸镀法,湿法工艺可以例举辊涂法、流延法、浸渍法、旋涂法、水上流延法、朗缪尔-布洛杰特法、模涂法、喷墨法、喷涂法等。此外,还可以使用凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、丝网印刷法、胶版印刷法等印刷技术。另外,作为形成微细的凹凸或图案的方法,还可以使用纳米压印法、光刻法等。
作为层叠层(A)和层(B)以及其它层的方法,可以单纯地重复采用所述的涂覆法等的制膜,也可以在重复制膜的过程中对基底实施表面处理。
作为该表面处理,可以采用涂覆所述的硅烷偶联剂的方法、通过等离子体处理使表面亲水化或粗糙化的方法等。
涂覆硅烷偶联剂的情况下,可以通过将所述的硅烷偶联剂溶解于所述的质子性溶剂、非质子性溶剂或质子性含氟溶剂并以与前述同样的涂覆方法涂布来进行该表面处理。
此外,通过等离子体处理使表面亲水化或粗糙化的情况下,可以采用使用氧、氮、氩、甲烷、CHF3、CF4等气体的等离子体处理。这些气体可以分别单独使用,也可以适当地混合使用。该等离子体处理中,为了使基底的膜厚减少程度达到最低限度,更好是采用氧、氮、氩、甲烷气体或它们的混合气体。
作为基板采用铜基板、低电阻值的硅基板等低电阻值的基板时,如后所述,可以在不将形成于该基板上的层叠体从基板剥离的状态下直接向该层叠体注入电荷来形成驻极体。
如上所述,在基板上依次层叠层(B)和层(A)而制成的层叠体中,层(B)与基板相接。因此,如上所述,层(B)配置在向基板上的层叠体注入电荷而形成驻极体时的该层叠体的注入电荷一侧的相反侧的最外层表面。通过这样配置层(B),可充分获得本发明的效果。
此外,配置于该层叠体的电荷注入侧的最外层表面的可以是层(A),也可以是层(B)。因为本发明的效果良好,所以较好是层(A)配置于该层叠体的电荷注入侧的最外层表面。
电荷注入工序中,作为向层叠体注入电荷的方法,通常只要是使绝缘体带电的方法即可,可以采用任意的方法。例如,可以采用G.M.Sessler,《驻极体》(第三版),第20页,第2.2章“充电和极化方法”(G.M.Sessler,Electrets Third Edition,p20,Chapter2.2“Charging and PolarizingMethods”)(拉普拉斯出版社(Laplacian Press,1998))中记载的电晕放电法、电子束撞击法、离子束撞击法、放射线照射法、光照射法、接触带电法、液体接触带电法等。本发明的驻极体特别好是采用电晕放电法、电子束撞击法。
此外,作为注入电荷时的温度条件,从注入后所保持的电荷的稳定性的角度来看,较好是在树脂(a)的玻璃化温度以上的温度下进行,特别好是在(该玻璃化温度+10)~(该玻璃化温度+20)℃左右的温度条件下进行。另外,作为注入电荷时的施加电压,只要在层叠体的绝缘破坏电压以下即可,较好是施加高压。本发明的层叠体的施加电压,正电荷时为6~30kV,较好是8~15kV,负电荷时为-6~-30kV,较好是-8~-15kV。树脂(a)中,负电荷可以比正电荷更稳定地保持,所以较好是施加-8~-15kV的电压。
注入电荷后,驻极体可以直接与基板一起用作静电感应型转换元件,也可以从基板剥离后用作静电感应型转换元件。
本发明的驻极体适合用作为转换电能和动能的静电感应型转换元件。
作为静电感应型转换元件,可以例举振动型发电机、促动器、传感器等。这些静电感应型转换元件的结构,除了驻极体采用本发明的驻极体以外,可以与目前公知的元件相同。
本发明的驻极体与以往的驻极体相比,即使负责作为驻极体的电荷保持的部分(所述层(A))的膜厚较薄,也可以提高表面电位。此外,层(A)和层(B)各自的膜厚可以较薄,因此能够减少或消除通过涂敷等成膜时的膜厚不均。藉此,可消除该驻极体的表面电位的不均,能够获得电荷不均程度低且表面电位高的驻极体膜。
因此,使用该驻极体的静电感应型转换元件的电能和动能的转换效率提高,具有优良的性能。
获得所述效果的原因并不确定,但可如下所述进行说明。即,本发明的驻极体中,层(B)包含与作为驻极体的电荷保持性高的树脂(a)不同的材料(树脂(b)或无机物(c)),电荷保持性较低。该电荷保持性低的层(所述层(B))被插入电荷保持性高、负责作为驻极体的电荷保持的层(所述层(A))和电阻值低(导电性高)的基板之间。其结果是,由于所述层(A)未与基板直接相接,因此可防止通过基板的电荷的衰减,即使层(A)的膜厚较薄,也能够充分保持电荷。
实施例
以下,将上述实施方式的具体例作为实施例进行说明。还有,本发明不应限定于以下的实施例进行解释。
此外,以下的各例中采用低电阻的硅基板(体积电阻率值0.003~0.007Ωcm,以下的例子中,将该基板记作“硅基板”)及铜基板作为形成驻极体的基板
此外,以下的各例中,各层的膜厚测定使用滨松光子学株式会社(浜松ホトニクス社)制光干涉式膜厚测定装置C10178进行。
[制造例1:聚合物组合物溶液M1的制备]
(1)聚合物溶液的制备
将45g全氟丁烯基乙烯基醚(CF2=CFOCF2CF2CF=CF2)、240g离子交换水、16g甲醇和作为聚合引发剂的0.2g过氧化二碳酸二异丙酯(((CH3)2CHOCOO)2)加入内容积1L的耐压玻璃制高压釜中。将体系内用氮气置换3次后,在40℃进行23小时的悬浮聚合。其结果是,获得40g聚合物A1。对该聚合物的红外线吸收光谱进行了测定,结果未能确认到由存在于单体中的双键引起的1660cm-1、1840cm-1附近的吸收。
将聚合物A1在空气中于250℃进行8小时的热处理后浸渍于水中,获得具有-COOH基作为末端基团的聚合物A2。对该聚合物的压缩成形膜的红外线吸收光谱进行了测定,结果确认到源于-COOH基的1775、1810cm-1的特征吸收。此外,该聚合物的固有粘度[η](30℃)为0.24dl/g。
聚合物A2的体积电阻率值大于1017Ωcm,绝缘破坏电压为19kV/mm,相对介电常数为2.1。
对聚合物A2进行了差示扫描热分析(DSC),聚合物A2的玻璃化温度(Tg)为108℃。
使上述聚合物A2以15质量%的浓度溶解于全氟三丁胺,获得聚合物溶液P1。
(2)硅烷偶联剂的掺入
混合向84.6g上述聚合物溶液P1中加入10.6g全氟三丁胺而得的溶液和将0.4g的γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷溶解于4.7g的2-(全氟己基)乙醇而得的硅烷偶联剂溶液,获得均一的聚合物组合物溶液M1。
[实施例1:驻极体A的制造]
通过旋涂法在3cm见方、厚350μm的硅基板上涂布聚酰胺酸(东丽株式会社(東レ社)制Semicofine SP483,聚酰亚胺化后的玻璃化温度350℃以上)的12质量%N-甲基吡咯烷酮(NMP)溶液。然后,在200℃进行5小时的热处理而使其聚酰亚胺化,从而形成膜厚5μm的涂膜(以下称为聚酰亚胺膜)。接着,在该聚酰亚胺膜上通过旋涂法涂布聚合物组合物溶液M1。然后,在200℃进行烘烤使其干燥,从而获得总膜厚10μm的表面平滑的层叠膜A[自基板侧以层(B):5μm/层(A):5μm的顺序层叠的2层层叠体]。
通过电晕放电向所得的层叠膜A注入电荷,从而形成驻极体A。电荷的注入使用简略结构图示于图1的电晕充电装置,在120℃以充电电压-8kV、充电时间3分钟的条件通过以下的步骤进行。即,以基板(本实施例中为硅基板)(10)为电极,通过直流高压电源装置(12)(HAR-20R5,松定精密仪器株式会社(松定プレシジヨン)制)在电晕针(14)与基板(10)之间施加-8kV的高电压,从而向形成于基板(10)上的层叠膜A(11)注入电荷。该电晕充电装置中,由电晕针(14)释放的负离子被栅极(16)均一化后,落到层叠膜A(11)上而注入电荷。还有,栅极(16)自栅极用电源(18)施加有-600V的电压。
[实施例2:驻极体B的制造]
与实施例1同样地进行操作,在3cm见方、厚350μm的铜基板上形成膜厚5μm的聚酰亚胺膜。然后,按照与实施例1同样的方法在该聚酰亚胺膜的表面通过旋涂法涂布聚合物组合物溶液M1使膜厚达到10μm,获得总膜厚15μm的表面平滑的层叠膜B[自基板侧以层(B):5μm/层(A):10μm的顺序层叠的2层层叠体]。
通过与实施例1相同的步骤,向所得的层叠膜B注入电荷,形成驻极体B。
[实施例3:驻极体C的制造]
与实施例1同样地进行操作,在3cm见方、厚350μm的硅基板上形成膜厚0.3μm的聚酰亚胺膜。然后,按照与实施例1同样的方法在该聚酰亚胺膜的表面通过旋涂法涂布聚合物组合物溶液M1使膜厚达到14.7μm,获得总膜厚15μm的层叠膜C[自基板侧以层(B):0.3μm/层(A):14.7μm的顺序层叠的2层层叠体]。关于层叠膜C的表面平滑性,可见略微不均一的部分。
通过与实施例1相同的步骤,向所得的层叠膜C注入电荷,形成驻极体C。
[实施例4:驻极体D的制造]
在3cm见方、厚350μm的硅基板上通过旋涂法涂布聚硅氮烷的20质量%二甲苯溶液(日本科莱恩株式会社(クラリアントジヤパン社)制DEN-3)。然后,在200℃进行12小时的烧成,从而在基板上形成膜厚2.2μm的氧化硅膜。接着,按照与实施例1同样的方法,通过旋涂法涂布聚合物组合物溶液M1使膜厚达到12.8μm,获得总膜厚15μm的表面基本平滑的层叠膜D[自基板侧以层(B):2.2μm/层(A):12.8μm的顺序层叠的2层层叠体]。
通过与实施例1相同的步骤,向该层叠膜D注入电荷,形成驻极体D。
[实施例5:驻极体E的制造]
在3cm见方、厚350μm的硅基板上通过旋涂法涂布聚碳酸酯(日本瑞奈拉鲁电气(zeneraru electric)株式会社制,LEXAN,玻璃化温度146℃)的10质量%间二甲苯溶液。然后,在160℃进行1小时的烘烤使其干燥,从而在基板上形成膜厚5μm的聚碳酸酯膜。接着,按照与实施例1同样的方法,通过旋涂法涂布聚合物组合物溶液M1使膜厚达到10μm,获得总膜厚15μm的表面基本平滑的层叠膜E[自基板侧以层(B):5μm/层(A):10μm的顺序层叠的2层层叠体]。
通过与实施例1相同的步骤,向该层叠膜E注入电荷,形成驻极体E。
[比较例1:驻极体F的制造]
(层(B)使用了环烯烃聚合物的情况)
在3cm见方、厚350μm的硅基板上通过旋涂法涂布环烯烃聚合物(日本瑞翁株式会社制,ZEONEX480,相对介电常数2.3,玻璃化温度138℃)的15质量%间二甲苯溶液。然后,在160℃进行1小时的烘烤使其干燥,形成膜厚5μm的涂膜。接着,按照与实施例1同样的方法,通过旋涂法涂布聚合物组合物溶液M1使膜厚达到5μm,获得总膜厚10μm的表面平滑的层叠膜F[自基板侧以层(B):5μm/层(A):5μm的顺序层叠的2层层叠体]。
通过与实施例1相同的步骤,向该层叠膜F注入电荷,形成驻极体F。
[比较例2:驻极体G的制造]
使制造例1的聚合物A2以25质量%的浓度溶于全氟三丁胺,获得聚合物溶液P2。混合在27.6g所述聚合物溶液P2中加入了1.1g全氟三丁胺而得的溶液和将0.2g的γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷溶于1.2g的2-(全氟己基)乙醇而得的硅烷偶联剂溶液,获得均一的聚合物组合物溶液M2。
在3cm见方、厚350μm的硅基板上通过旋涂法涂布聚合物组合物溶液M2。然后,于200℃进行烘烤使其干燥,形成膜厚15μm的涂膜G。该涂膜G与所述层叠膜A~E相比,不均一的部分较多,是表面平滑性低的膜。
通过与实施例1相同的步骤,向该涂膜G注入电荷,形成驻极体G。
[比较例3:驻极体H的制造]
在3cm见方、厚350μm的硅基板上通过旋涂法涂布实施例1中使用的聚合物组合物溶液M1。然后,于200℃进行烘烤使其干燥,形成膜厚10μm的涂膜H。涂膜H的表面基本平滑。
通过与实施例1相同的步骤,向该涂膜H注入电荷,形成驻极体H。
[比较例4:驻极体I的制造]
在3cm见方、厚350μm的硅基板上通过旋涂法涂布实施例1中使用的聚合物组合物溶液M1。然后,于200℃进行烘烤使其干燥,形成膜厚5μm的涂膜I。涂膜I的表面平滑。
通过与实施例1相同的步骤,向该涂膜I注入电荷,形成驻极体I。
[比较例5:驻极体J的制造]
在3cm见方、厚350μm的硅基板上通过旋涂法涂布实施例1中使用的聚合物组合物溶液M1。然后,于200℃进行烘烤使其干燥,形成膜厚3μm的涂膜J。涂膜J的表面平滑。
通过与实施例1相同的步骤,向该涂膜J注入电荷,形成驻极体J。
[比较例6:驻极体K的制造]
与实施例1同样操作,在3cm见方、厚350μm的硅基板上形成膜厚15μm的聚酰亚胺膜(涂膜K)。该涂膜K的不均一部分较多,是表面平滑性低的膜。
通过与实施例1相同的步骤,向该涂膜K注入电荷,形成驻极体K。
[比较例7:驻极体L的制造]
与实施例4同样操作,在3cm见方、厚350μm的硅基板上形成膜厚3μm的氧化硅膜(涂膜L)。涂膜L的表面平滑。
通过与实施例1相同的步骤,向该涂膜L注入电荷,形成驻极体L。
[比较例8:驻极体M的制造]
与实施例5同样操作,在3cm见方、厚350μm的硅基板上形成膜厚5μm的聚碳酸酯膜(涂膜M)。涂膜M的表面平滑。
通过与实施例1相同的步骤,向该涂膜M注入电荷,形成驻极体M。
[比较例9:驻极体N的制造]
与比较例1同样操作,在3cm见方、厚350μm的硅基板上形成膜厚15μm的环烯烃聚合物膜(涂膜N)。该涂膜N的不均一部分较多,是表面平滑性低的膜。
通过与实施例1相同的步骤,向该涂膜N注入电荷,形成驻极体N。
[试验例1:充电试验]
对于以上得到的驻极体A~N,通过以下的步骤进行了充电试验。
对于刚通过充电电压-8kV、充电时间3分钟的条件下的电晕充电注入电荷后的驻极体A~N,分别使其恢复至常温(25℃)后测定了其表面电位值(初期表面电位值)。此外,将各驻极体以20℃、60%RH的条件保存200小时后,使其恢复至常温,测定了其表面电位(200小时后表面电位值)。其结果示于表1。
表面电位(V)如下求得:使用表面电位计(型号279,门罗电子公司(モンロ一エレクトロニクス社)制),测定各驻极体的9个测定点(自膜的中心以3mm的间隔呈格子状设定,参照图2)的表面电位,求出它们的平均值作为表面电位。
[表1]
Figure BPA00001242874600371
从表1的结果可确认,根据初期和200小时后的表面电位值来判断,驻极体A与驻极体F及H相比,总膜厚虽然相同,但表面电位值及表面电荷密度值有所提高。
此外,确认到驻极体B~E与驻极体G、K及N相比,总膜厚虽然相同,但表面电位值有所提高。关于涂膜的表面平滑性,驻极体B~E与驻极体G、K及N相比,是表面平滑性良好的膜。
另外,驻极体K、L及M分别与相同膜厚的驻极体G、J及I相比,是电荷保持量和电荷稳定性均较低的驻极体。
驻极体N与驻极体G相比,其是电荷保持量低但电荷稳定性同等的驻极体。
产业上利用的可能性
本发明的驻极体可以提高表面电位,表面电荷密度高,使用该驻极体的静电感应型转换元件的电能和动能的转换效率提高,可用作具有优良性能的振动型发电机、促动器、传感器等。
这里引用2008年4月17日提出申请的日本专利申请2008-107717号的说明书、权利要求书、附图和摘要的所有内容作为本发明的说明书的揭示。
符号说明:10…基板,11…涂膜,12…直流高压电源装置,14…电晕针,16…栅极,17…电流计,18…栅极用电源,19…加热板。

Claims (6)

1.一种驻极体,其特征在于,具有含树脂a的层A和含所述树脂a以外的树脂b或无机物c的层B直接层叠而得的层叠体,
所述树脂a为具有脂肪族环结构的含氟树脂a1或具有脂肪族环结构的不含氟原子的树脂a2,
所述树脂b为选自聚酰亚胺、聚对苯二亚甲基树脂、聚碳酸酯、聚亚芳基、聚亚芳基醚、聚醚、聚醚砜、聚醚酮、聚醚腈、聚醚酰亚胺、聚亚芳基硫醚、聚硫醚砜、聚砜、尼龙、聚酯、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚酮、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯及芳族聚酰胺树脂的至少1种,
所述层叠体是以基板/层B/层A、基板/层B/层A/层B、基板/层B/层A/层B/层A的顺序层叠的层叠体,
所述层B配置在向所述层叠体注入电荷而形成驻极体时的注入电荷一侧的相反侧的最外层表面。
2.如权利要求1所述的驻极体,其特征在于,所述树脂b的玻璃化温度或熔点在80℃以上。
3.如权利要求2所述的驻极体,其特征在于,所述树脂b为聚酰亚胺。
4.如权利要求1~3中的任一项所述的驻极体,其特征在于,所述无机物c为选自金属氧化物、金属硫化物和金属卤化物的至少1种。
5.如权利要求4所述的驻极体,其特征在于,所述金属氧化物为选自氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化铝、氧化铈、氧化锡、二氧化锰、氧化镍、氧化铁和钛酸钡的至少1种。
6.一种静电感应型转换元件,其特征在于,具备权利要求1~5中的任一项所述的驻极体。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101946295B (zh) * 2008-02-22 2012-11-28 旭硝子株式会社 驻极体及静电感应型转换元件
CN101977763A (zh) * 2008-03-27 2011-02-16 旭硝子株式会社 驻极体及静电感应型转换元件
JP5541155B2 (ja) * 2008-03-31 2014-07-09 旭硝子株式会社 加速度センサ装置、無線センサネットワーク及び広域異常振動記録システム
JP5705454B2 (ja) * 2009-04-27 2015-04-22 日東電工株式会社 エレクトレット材および静電型音響変換器
JP5152298B2 (ja) * 2010-06-24 2013-02-27 株式会社村田製作所 送電装置、受電装置及びワイヤレス電力伝送システム
US20120287556A1 (en) 2011-05-12 2012-11-15 Norberto Silvi Amorphous polycarbonate films for capacitors, methods of manufacture, and articles manufactured therefrom
JP2013042484A (ja) * 2011-07-15 2013-02-28 Mitsubishi Plastics Inc 耐熱エレクトレット材及びコンデンサー型マイクロホン
US9659711B2 (en) 2013-05-31 2017-05-23 Sabic Global Technologies B.V. Capacitor films, methods of manufacture, and articles manufactured therefrom
US10077345B2 (en) 2013-05-31 2018-09-18 Sabic Global Technologies B.V. Capacitor films, methods of manufacture, and articles manufactured therefrom
JP2015085232A (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 東洋紡株式会社 耐油性エレクトレットろ材
CN107205447A (zh) * 2014-09-16 2017-09-26 奥驰亚客户服务有限责任公司 饮料前体和制备饮料的方法
JP7221582B2 (ja) * 2016-02-04 2023-02-14 積水化学工業株式会社 エレクトレットシート
CN105932899B (zh) * 2016-06-07 2018-12-11 清华大学 无基底电极驻极体静电发电机和制造该驻极体的方法
CN105978395B (zh) * 2016-06-07 2018-11-23 清华大学 无基底电极驻极体静电直线发电机和制造该驻极体的方法
DE112019003806T5 (de) * 2018-09-28 2021-05-12 Ngk Insulators, Ltd. Sensorelement
CN112194880A (zh) * 2020-09-03 2021-01-08 四川安费尔高分子材料科技有限公司 一种驻极材料及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1900154A (zh) * 2005-07-01 2007-01-24 株式会社西铁城电子 生产耐热带电氟树脂材料的方法和使用该材料生产驻极体电容麦克风的方法

Family Cites Families (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3702493A (en) * 1967-05-15 1972-11-14 Thermo Electron Corp Method of making an electret
US3481815A (en) 1967-06-20 1969-12-02 Dow Corning Silane coupling agents for aryl-containing,thermally stable polymers ii
US3967027A (en) * 1969-12-19 1976-06-29 Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Stable electret retaining a high surface potential and method of making the same
JPS4861126A (zh) * 1971-12-02 1973-08-27
FR2397120A1 (fr) * 1977-07-04 1979-02-02 Lewiner Jacques Perfectionnements aux transducteurs electromecaniques
US4291245A (en) * 1979-09-04 1981-09-22 Union Carbide Corporation Electrets
US4441038A (en) * 1980-06-30 1984-04-03 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Electret device
GB2079056B (en) 1980-06-30 1985-04-17 Tokyo Shibaura Electric Co Electret device
US4443711A (en) * 1980-06-30 1984-04-17 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Electret device
US4442324A (en) * 1982-06-24 1984-04-10 Tibbetts Industries, Inc. Encapsulated backplate for electret transducers
US4513049A (en) * 1983-04-26 1985-04-23 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Electret article
JPH0820463B2 (ja) 1987-08-08 1996-03-04 富士通株式会社 加速度センサユニット
US5161233A (en) * 1988-05-17 1992-11-03 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium
US5731116A (en) * 1989-05-17 1998-03-24 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method
US5439768A (en) * 1988-05-17 1995-08-08 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method
JPH06104952B2 (ja) 1988-05-24 1994-12-21 東レ株式会社 エレクトレット繊維及びその製造方法
FR2632737B1 (fr) * 1988-06-10 1992-12-24 Thomson Csf Procede d'obtention d'une structure generatrice d'effets electrooptiques non lineaires, structure obtenue et applications
JP2732413B2 (ja) 1989-11-15 1998-03-30 松下電器産業株式会社 加速度センサ
CA2037942A1 (en) * 1990-03-12 1991-09-13 Satoshi Matsuura Process for producing an electret, a film electret, and an electret filter
EP0460523B1 (en) 1990-06-01 1995-08-02 Asahi Glass Company Ltd. Fluoropolymer composition for coating and article coated with the same
JP3005040B2 (ja) 1990-11-22 2000-01-31 旭硝子株式会社 コーティング用樹脂組成物
JP3053657B2 (ja) 1991-02-06 2000-06-19 旭硝子株式会社 パーフルオロ共重合体、その製造法、その組成物およびその膜
US5284692A (en) * 1991-10-24 1994-02-08 Bell Dennis J Electrostatic evacuated insulating sheet
DE69404736T2 (de) * 1993-03-09 1998-01-08 Hoechst Celanese Corp Polymer-Elektrete mit verbesserter Ladungsstabilität
US5759205A (en) * 1994-01-21 1998-06-02 Brown University Research Foundation Negatively charged polymeric electret implant
JPH0841260A (ja) 1994-05-25 1996-02-13 Mitsui Petrochem Ind Ltd エレクトレット
JPH0815302A (ja) 1994-06-27 1996-01-19 Taiyo Yuden Co Ltd 加速度センサー
JPH08155230A (ja) 1994-12-06 1996-06-18 Nitto Denko Corp エレクトレットフィルターおよびその製法
US5610455A (en) * 1995-06-29 1997-03-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electret containing syndiotactic vinyl aromatic polymer
JPH0971003A (ja) * 1995-06-30 1997-03-18 Minolta Co Ltd 画像形成装置用の帯電装置
JP4070828B2 (ja) 1995-07-13 2008-04-02 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 シリカ質セラミックス形成用組成物、同セラミックスの形成方法及び同セラミックス膜
AU2923397A (en) * 1996-04-18 1997-11-07 California Institute Of Technology Thin film electret microphone
US6489033B1 (en) * 1997-06-13 2002-12-03 Ticona Gmbh Electrets
US6221987B1 (en) 1998-04-17 2001-04-24 Asahi Glass Company Ltd. Method for producing a fluorine-containing polymer
US6559238B1 (en) 1998-06-29 2003-05-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thermally cross-linked fluoropolymer
US6573205B1 (en) * 1999-01-30 2003-06-03 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Stable electret polymeric articles
AU2002243224A1 (en) * 2000-11-16 2002-06-24 The Trustees Of The Stevens Institute Of Technology Large aperture vibration and acoustic sensor
DE60221066T2 (de) * 2001-05-07 2008-03-13 Solvay Solexis S.P.A. Amorphe perfluorierte Polymere
JP2003013359A (ja) 2001-06-29 2003-01-15 Toray Ind Inc エレクトレット加工品の製造方法
US6870939B2 (en) * 2001-11-28 2005-03-22 Industrial Technology Research Institute SMT-type structure of the silicon-based electret condenser microphone
JP2004059763A (ja) 2002-07-30 2004-02-26 Asahi Glass Co Ltd 含フッ素重合体の製造方法
JP2004128361A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Daikin Ind Ltd 帯電性部材、帯電性部材製造方法及びエレクトレットマイクロホン・アセンブリーの製造方法
US6833687B2 (en) * 2003-04-18 2004-12-21 Agilent Technologies, Inc. Electromechanical power converter
TWI257402B (en) * 2003-11-14 2006-07-01 Ind Tech Res Inst Electret material and composite thereof
JP4670050B2 (ja) * 2004-11-26 2011-04-13 国立大学法人 東京大学 エレクトレット及び静電誘導型変換素子
US7449811B2 (en) * 2004-11-26 2008-11-11 The University Of Tokyo Electrostatic induction conversion device
JP2006253847A (ja) 2005-03-09 2006-09-21 Fujitsu Ten Ltd 状況記録装置
JP4934801B2 (ja) 2005-05-26 2012-05-23 国立大学法人山口大学 振動発電機による無電源型加速度計測器
WO2007044921A1 (en) 2005-10-14 2007-04-19 Continental Automotive Systems Us, Inc. Blending of sensors to produce alternate sensor characteristics
JP4669491B2 (ja) 2006-03-28 2011-04-13 日本航空電子工業株式会社 音叉型振動ジャイロ
JP4871642B2 (ja) 2006-05-19 2012-02-08 国立大学法人 東京大学 静電誘導型変換素子
JP2007333618A (ja) 2006-06-16 2007-12-27 Univ Kansai 加速度センサ
JP5086570B2 (ja) 2006-06-27 2012-11-28 株式会社日立製作所 燃料電池発電システムにおける異常診断システムと異常診断方法、燃料電池発電システムとその運転方法
JP2008016919A (ja) 2006-07-03 2008-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 音響感応装置
JP2008028499A (ja) 2006-07-19 2008-02-07 Hitachi Ltd 遠隔監視通信システム
JP2008044332A (ja) * 2006-08-16 2008-02-28 Yasuo Namita シート材料及び該シートを使用した製品
US8164231B2 (en) * 2006-11-10 2012-04-24 Sanyo Electric Co., Ltd. Electret device comprising electret film formed on main surface of substrate and electrostatic operating apparatus
US8212450B2 (en) * 2006-11-28 2012-07-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Generator including an electret member
JP2008167231A (ja) 2006-12-28 2008-07-17 Sanyo Electric Co Ltd 静電誘導型発電装置
JP4921325B2 (ja) 2007-03-22 2012-04-25 国立大学法人 東京大学 エレクトレット、これを備える静電誘導型変換素子及びエレクトレットの製造方法
KR20100014816A (ko) 2007-04-20 2010-02-11 아사히 가라스 가부시키가이샤 함불소 폴리머 박막과 그 제조 방법
JP5597822B2 (ja) 2007-07-06 2014-10-01 国立大学法人東北大学 振動発電装置
US7879446B2 (en) * 2007-07-12 2011-02-01 Industrial Technology Research Institute Fluorinated cyclic olefin electret film
US8776367B2 (en) * 2008-03-10 2014-07-15 National Taiwan University Method of manufacturing an electret film
CN101977763A (zh) * 2008-03-27 2011-02-16 旭硝子株式会社 驻极体及静电感应型转换元件
EP2330159B1 (en) * 2008-09-19 2013-04-24 Asahi Glass Company, Limited Electret and electrostatic induction conversion device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1900154A (zh) * 2005-07-01 2007-01-24 株式会社西铁城电子 生产耐热带电氟树脂材料的方法和使用该材料生产驻极体电容麦克风的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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