CN101965682A - 多模式功率放大器 - Google Patents

多模式功率放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN101965682A
CN101965682A CN2009801080392A CN200980108039A CN101965682A CN 101965682 A CN101965682 A CN 101965682A CN 2009801080392 A CN2009801080392 A CN 2009801080392A CN 200980108039 A CN200980108039 A CN 200980108039A CN 101965682 A CN101965682 A CN 101965682A
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal
power amplifier
output
input signal
chain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2009801080392A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101965682B (zh
Inventor
普威·H·西伊
理查德·席尔贝克二世
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qualcomm Inc
Original Assignee
Qualcomm Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qualcomm Inc filed Critical Qualcomm Inc
Publication of CN101965682A publication Critical patent/CN101965682A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101965682B publication Critical patent/CN101965682B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H03F1/0244—Stepped control
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0277—Selecting one or more amplifiers from a plurality of amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
    • H03F1/3282—Acting on the phase and the amplitude of the input signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20—Automatic control
    • H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
    • H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/429—Two or more amplifiers or one amplifier with filters for different frequency bands are coupled in parallel at the input or output
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/432—Two or more amplifiers of different type are coupled in parallel at the input or output, e.g. a class D and a linear amplifier, a class B and a class A amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7206—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch in the bias circuit of the amplifier controlling a bias voltage in the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7227—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch in the supply circuit of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7236—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by (a ) switch(es)
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7239—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers and shunting lines by one or more switch(es)

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Abstract

本发明描述可支持多种无线电技术和/或多个频带的多模式功率放大器。在一个示范性设计中，支持多种无线电技术的第一线性功率放大器可用以放大第一RF输入信号(例如，针对低频带)且提供第一RF输出信号。也支持所述多种无线电技术的第二线性功率放大器可用以放大第二RF输入信号(例如，针对高频带)且提供第二RF输出信号。每一线性功率放大器可包括并联耦合的多个(例如，三个)链。每一链可为可选择的，以放大RF输入信号且针对输出功率电平的相应范围而提供RF输出信号。RF输入信号可为经相位调制信号或经正交调制信号，且可经预失真以解决所述功率放大器的非线性。

Description

多模式功率放大器
根据35U.S.C.§119主张优先权
本专利申请案主张2008年2月8日申请的标题为“多模式功率放大器(MULTI-MODE POWER AMPLIFIERS)”的第61/027,351号美国临时申请案的优先权，所述申请案已转让给本案受让人，且以引用的方式明确地并入本文中。
技术领域
本发明大体上涉及电子器件，且更具体来说，涉及功率放大器(PA)。
背景技术
功率放大器广泛用于各种无线通信系统中以在空中发射之前为射频(RF)信号提供放大和输出驱动。举例来说，功率放大器用于全球移动通信系统(GSM)系统、宽带码分多址(WCDMA)系统等中。功率放大器还用于基站中以及终端中。
功率放大器通常需要满足对于频谱屏蔽、发射时间屏蔽、谐波失真、输出噪声、输出功率电平等的各种系统规格。GSM和WCDMA系统还需要终端能够调整其在较广范围上(例如，对于GSM为30dB或更多，且对于WCDMA为70dB以上)的输出功率。为了满足在最大输出功率电平处的各种系统规格，功率放大器通常使用大尺寸晶体管来设计并使用高电流和/或电压来偏置。对于较普通操作情形，高偏置电流和/或电压导致在较低输出功率电平处的功率放大器的低效率。
许多终端为便携式的且由内部电池供电。对于便携式终端，功率放大器可消耗大量电池功率，大量电池功率的消耗可因此缩短电池再充电之间的待机时间和操作期间的通话时间两者。因此，高度需要具有较低功率消耗的有效的功率放大器。
发明内容
在本文中描述可支持多种无线电技术和/或多个频带的有效的多模式功率放大器。在一方面中，线性功率放大器可用以支持多种无线电技术。线性功率放大器为可满足一种或一种以上无线电技术对于总输出功率范围的全部或一部分上的频谱屏蔽要求的功率放大器。在一个示范性设计中，支持多种无线电技术的第一线性功率放大器可用以放大第一RF输入信号且提供第一RF输出信号。也支持多种无线电技术的第二线性功率放大器可用以放大第二RF输入信号且提供第二RF输出信号。第一线性功率放大器可支持低频带(例如，小于一千兆赫(GHz))，且第二线性功率放大器可支持高频带(例如，大于一GHz)，或反之还然。每一线性功率放大器可包括并联耦合的多个(例如，三个)链。每一链可为可选择的，以放大RF输入信号且针对输出功率电平的相应范围而提供RF输出信号。多个链可使用不同的电流量来偏置和/或使用不同尺寸的晶体管来实施。可选择所有链以用于至少一种无线电技术(例如，GSM)，且可选择链的一子集以用于至少一种其它无线电技术(例如，WCDMA)。多种无线电技术可包括具有恒定包络调制信号的无线电技术(例如，GSM)和具有可变包络调制信号的另一无线电技术(例如，WCDMA)。可结合极性调制和/或正交调制来使用线性功率放大器。RF输入信号可因此包含来自极性调制的经相位调制信号或来自正交调制的经正交调制信号。
在另一方面中，线性功率放大器可用以放大具有恒定包络(例如，对于GSM)的RF输入信号，且提供RF输出信号。线性功率放大器可包括并联耦合的多个链。可选择一个链以使用固定增益来放大RF输入信号。RF输入信号可具有可变信号电平，且RF输出信号的信号电平可追踪RF输入信号的可变信号电平。
在又一方面中，功率放大器可用以放大RF输入信号且提供RF输出信号，其中RF输入信号经预失真以补偿功率放大器的非线性。可将预失真施加到由极性调制产生的包络信号。可接着基于经预失真的包络信号而产生RF输入信号。
在下文中更详细地描述本发明的各个方面和特征。
附图说明
图1展示能够与多个无线系统进行通信的终端。
图2展示针对GSM的发射屏蔽。
图3展示具有线性和非线性PA的发射器的框图。
图4A和图4B展示具有线性PA的两个发射器的框图。
图5A、图5B、图6和图7展示用于多种无线电技术的具有共享线性PA的四个发射器的框图。
图8展示不同PA的总电流对输出功率的曲线图。
图9展示支持极性调制的发射器的框图。
图10展示支持正交调制的发射器的框图。
图11展示在有预失真或无预失真的情况下支持极性调制和正交调制两者的发射器的框图。
图12展示用于产生RF输出信号的过程。
具体实施方式
词“示范性”在本文中用以指“充当实例、例子或说明”。不必将本文中描述为“示范性”的任何设计解释为比其它设计优选或有优势。
图1展示能够与不同无线电技术的多个无线通信系统进行通信的终端110。还可将终端110称作移动台、用户装备、接入终端、订户单元、站等。终端110可为蜂窝式电话、个人数字助理(PDA)、无线通信装置、无线调制解调器、手持式装置、膝上型计算机、无绳电话、无线本地环路(WLL)站等。
一般来说，终端110可能够与CDMA系统、时分多址(TDMA)系统、频分多址(FDMA)系统、正交频分多址(OFDMA)系统、单载波FDMA(SC-FDMA)系统等进行通信。通常可互换地使用术语“系统”和“网络”。CDMA系统利用码分多路复用(CDM)，OFDMA系统利用正交频分多路复用(OFDM)，且SC-FDMA系统利用单载波频分多路复用(SC-FDM)。CDMA系统可实施例如WCDMA、cdma2000等的无线电技术。cdma2000涵盖IS-95、IS-2000和IS-856标准。通常将IS-95和IS-2000称作CDMA20001X(或简单称作1X)，且通常将IS-856称作CDMA20001xEV-DO(或简单称作1xEV-DO)。TDMA系统可实施例如GSM、增强型GSM演进数据(EDGE)等的无线电技术。OFDMA系统可实施例如超移动宽带(UMB)、演进型通用陆地无线电接入(E-UTRA)等的无线电技术。GSM、WCDMA和E-UTRA描述于来自名为“第三代合作伙伴计划”(3GPP)的组织的文献中。cdma2000和UMB描述于来自名为“第三代合作伙伴计划2”(3GPP2)的组织的文献中。3GPP和3GPP2文献是可公开获得的。
在图1中所展示的实例中，终端110可与GSM系统中的基站120、GSM/EDGE系统中的基站122或WCDMA系统中的节点B 124进行通信。通常还将WCDMA系统称作全球移动电信系统(UMTS)网络。终端110还可能够与更少或更多的无线系统进行通信。为清楚起见，以下描述的大部分假设终端110支持GSM、EDGE和WCDMA。通常可互换地使用术语“WCDMA”和“UMTS”。
GSM使用高斯最小移位键控(GMSK)，其为产生具有恒定包络的经调制信号的调制方案。EDGE使用8元相移键控(8-PSK)，其为使用在一单位圆上具有8个均匀间隔点的信号星座的调制方案。WCDMA和cdma2000使用正交相移键控(QPSK)和正交调幅(QAM)。
用于每一无线电技术的标准通常指定发射屏蔽，发射屏蔽指示在不同频率处所允许的输出功率的量。发射要求对于不同无线电技术可不同。
图2展示针对低频带的GSM的发射屏蔽。由终端110发射的GSM信号具有100千赫兹(KHz)的单边信号带宽。GSM信号需要具有低于由曲线210在200KHz和200KHz以上处所给出的电平的输出功率。GSM和GSM/EDGE的发射要求描述于标题为“无线电发射和接收(Radio transmission and reception)”版本1999的3GPP TS 05.03中，其是可公开获得的。
在标题为“用户装备(UE)无线电发射和接收(FDD)(User Equipment(UE)radio transmission and reception(FDD))”的3GPP TS 25.101中给出WCDMA的发射要求。在标题为“cdma2000扩频移动台的推荐最低性能标准(Recommended Minimum Performance Standards for cdma2000Spread Spectrum Mobile Stations)”的3GPP2C.S0011-B中给出cdma2000的发射要求。这些文献是可公开获得的。
对于终端110，在不同频率处的带外发射的量可视各种因素而定，例如用以产生RF输出信号的功率放大器的线性、用于经调制信号的调制方案等。一般来说，线性较高的功率放大器可产生较少带外发射，而线性较低的功率放大器可产生较多带外发射。此外，例如GMSK的恒定调幅方案可比例如8-PSK、QPSK和QAM的调制方案产生更少带外发射。
终端110可支持与不同无线系统的通信，如图1中所展示。终端110还可支持针对每一无线系统在一个或一个以上频带上的通信。举例来说，终端110可支持表1中所给出的频带中的任一者。一般来说，众多频带可用于无线通信。终端110可因此支持不同于表1中所列出的频带的频带。
表1
Figure BPA00001214541800041
终端110可支持正交调制、极性调制和/或其它类型的调制。对于正交调制，同相(I)本机振荡器(LO)信号和正交(Q)本机振荡器(LO)信号可用I调制信号和Q调制信号进行调制且经组合以获得经正交调制信号，如下：
S(t)＝MI(t)·cos(ωt)+MQ(t)·sin(ωt)，             等式(1)
其中MI(t)为I调制信号，且MQ(t)为Q调制信号，
cos(ωt)为I LO信号，且sin(ωt)为Q LO信号，
S(t)为经正交调制信号，且
ω为LO信号的频率(单位为弧度/秒)，且t为时间。
I LO信号与Q LO信号为90°异相。经调制分量MI(t)·cos(ωt)与MQ(t)·sin(ωt)为正交的，且在组合时，产生振幅和相位两者均经调制的经调制信号S(t)。
对于极性调制，可以明确展示振幅和相位调制的形式来表达经调制信号S(t)，如下：
S(t)＝E(t)·cos(ωt+φ(t))，              等式(2)
其中 E ( t ) = M I 2 ( t ) + M Q 2 ( t ) , 且                    等式(3)
φ ( t ) = arctan ( M Q ( t ) M I ( t ) ) 等式(4)
如等式(2)到等式(4)中所示，对于极性调制，I调制信号MI(t)和Q调制信号MQ(t)可经转换成包络信号E(t)和相位信号φ(t)。相位信号可用以调制LO信号cos(ωt)的相位以获得经相位调制信号cos(ωt+φ(t))。包络信号可用以调制经相位调制信号的振幅以获得等式(2)中所展示的经极性调制信号S(t)。
在本文中的描述中，经调制信号为振幅和相位两者均经调制的信号。经相位调制信号为相位经调制但振幅未经调制的信号。经正交调制信号为使用正交调制所获得的经调制信号，例如，如等式(1)中所展示。经极性调制信号为使用极性调制所获得的经调制信号，例如，如等式(2)中所展示。经极性调制信号包含经相位调制信号和包络信号。
在一个示范性设计中，极性调制可用于GSM和EDGE，且正交调制可用于WCDMA。极性调制可比正交调制提供更好的信噪比(SNR)和更好的线性。然而，来自极性调制的经相位调制信号可比I调制信号和Q调制信号宽得多。因此，实施用于WCDMA的极性调制可较为困难。一般来说，极性调制可用于GSM、EDGE、WCDMA、cdma2000和/或其它无线电技术。
图3展示终端110的发射器300的示范性设计的框图。发射器300支持针对GSM/EDGE的四个频带和针对WCDMA的两个频带。在发射器300内，四个驱动器放大器(DA)310a到310d分别接收并放大四个信号Sout1到Sout4。Sout1信号可为针对低频带的GSM或EDGE的经相位调制信号，Sout2信号可为针对高频带的GSM或EDGE的经相位调制信号，Sout3信号可为针对低频带的WCDMA的经调制信号，且Sout4信号可为针对高频带的WCDMA的经调制信号。放大器(Amp)312可接收并放大针对GSM或EDGE的包络信号Env。
GSM/EDGE功率放大器模块320接收来自驱动器放大器310a和310b和放大器312的输出信号。模块320包括偏置电路330、低频带非线性功率放大器340a和高频带非线性功率放大器340b。在偏置电路330内，放大器332在其非反相输入处接收经放大包络信号且在其反相输入处接收反馈电路336的输出，且使放大器332的输出耦合到P沟道金属氧化物半导体漏极应晶体管(MOSFET)334的栅极。MOSFET 334使其源极耦合到电池供应电压VBATT，且使其汲极为功率放大器340a和340b提供供应电压VPA。反馈电路336接收VPA供应电压，且为VPA供应电压提供固定增益和(例如，若干MHz的)低通滤波。
功率放大器340a接收并放大来自驱动器放大器310a的第一RF输入信号RFin1，且提供第一RF输出信号RFout1。功率放大器340a包括三个放大器级342a、344a和346a，其接收RFin1信号且产生RFout1信号，所述RFout1信号具有基于VPA供应电压而确定的可变信号电平。类似地，功率放大器340b接收并放大来自驱动器放大器310b的第二RF输入信号RFin2，且提供第二RF输出信号RFout2。功率放大器340b包括三个放大器级342b、344b和346b，其产生具有基于VPA供应电压而确定的可变信号电平的RFout2信号。偏置电路320和功率放大器340a和340b支持大信号极性调制，大信号极性调制包含通过改变功率放大器的增益的经相位调制信号与包络信号的调幅。
对于WCDMA，表面声波(SAW)滤波器318c和318d分别对来自驱动器放大器310c和310d的输出信号进行接收并滤波。低频带线性功率放大器340c接收并放大来自SAW滤波器318c的第三RF输入信号RFin3，且提供第三RF输出信号RFout3。功率放大器340c包括两个并联链1和2。链1包括串联耦合的放大器级342c和开关348c。链2包括串联耦合的放大器级342c、344c和346c。可选择两个链中的一者以放大RFin3信号并提供RFout3信号。可在需要低输出功率时选择链1。在此情况下，可闭合开关348c，且可停用放大器级344c和346c。可在需要高输出功率时选择链2。在此情况下，可启用放大器级344c和346c，且可断开开关348c。
类似地，高频带线性功率放大器340d接收并放大来自SAW滤波器318d的第四RF输入信号RFin4，且提供第四RF输出信号RFout4。功率放大器340d包括两个并联链1和2，其包含放大器级342d、344d和346d和开关348d。可在需要低输出功率时选择链1，且可在需要高输出功率时选择链2。选定链放大RFin4信号并提供RFout4信号。
由于GSM使用GMSK，因此来自驱动器放大器310a和310b的经相位调制信号具有恒定包络，即，恒定信号振幅。归因于恒定包络，所以非线性功率放大器340a和340b可用以放大针对GSM的经相位调制信号。非线性功率放大器可比线性功率放大器具有更好的效率，且可为在饱和区域中操作的等级C功率放大器。经相位调制信号可固定于特定功率电平处(例如，3dBm)。可随后通过调整VPA供应电压而改变RFout1信号和RFout2信号的输出功率电平(例如，从0dBm到35dBm)。可因此通过改变VPA供应电压而改变功率放大器340a和340b的增益。
WCDMA产生具有随时间而变化的振幅的经调制信号。归因于可变包络，线性功率放大器340c和340d可用以放大针对WCDMA的经调制信号。线性功率放大器可为在线性区域中操作的等级AB功率放大器。线性操作允许功率放大器在不修剪这些信号或使其失真的情况下追踪经调制信号中的振幅变化，修剪和失真中的任一者可造成RF输出信号的频谱中的不当的假影。线性功率放大器340c和340d可使用固定增益来操作，且可通过调整RF输入功率电平来改变RFout3和RFout4信号的输出功率电平(例如，从-50dBm到+28dBm)。
EDGE还产生具有随时间而变化的振幅的经调制信号。然而，非线性功率放大器340a和340b可用以放大针对EDGE的经相位调制信号，且可使包络信号和经相位调制信号预失真以补偿功率放大器340a和340b的非线性，如以下所描述。
在一个示范性设计中，可如下对功率放大器进行分类：
·线性功率放大器-满足WCDMA频谱屏蔽要求，但不满足EDGE频谱屏蔽要求，或
·非线性功率放大器-不满足除了具有恒定包络信号的GSM以外的任何无线电技术的频谱屏蔽要求。
GSM频谱屏蔽要求归因于恒定包络信号而最不难以满足，且可使用线性或非线性功率放大器来满足。WCDMA频谱屏蔽要求可比GSM频谱屏蔽要求更难以满足，且可使用线性功率放大器来满足。EDGE频谱屏蔽要求在三种无线电技术中可能最难以满足，且可使用线性功率放大器和预失真的组合来满足。理想功率放大器可能够在无预失真的情况下满足所有无线电技术的频谱屏蔽要求，但可难以设计和/或可消耗过多功率。
GSM和EDGE使用时分双工(TDD)，且WCDMA使用频分双工(FDD)。对于TDD，终端110可在不同时隙中的同一频道上发射和接收。开关可用以在任何给定时刻将发射器或接收器耦合到天线。对于FDD，终端110可同时在不同频道上发射和接收。双工器可用以将来自发射器的RF输出信号路由到天线，且将来自天线的所接收RF信号路由到接收器。
滤波器360a和360b对来自功率放大器340a和340b的RFout1信号和RFout2信号进行接收和滤波，且分别将经滤波信号提供到开关370的第一端口和第二端口。双工器362c和362d分别将来自功率放大器340c和340d的RFout3和RFout4信号耦合到开关370的第三端口和第四端口。双工器362c和362d还将来自开关370的第三端口和第四端口的所接收RF信号耦合到低频带接收器和高频带接收器(图3中未展示)。开关370视选择GSM/EDGE低频带、GSM/EDGE高频带、WCDMA低频带还是WCDMA高频带而将天线380耦合到四个端口中的一者。开关370还可将天线380耦合到用于GSM/EDGE的低频带接收器和高频带接收器(图3中未展示)。
图4A展示终端110的发射器400的示范性设计的框图。发射器400支持针对GSM/EDGE的四个频带和针对WCDMA的两个频带。发射器400包括四个驱动器放大器310a到310d、功率放大器340c和340d、滤波器360a和360b、双工器362c和362d，和开关370，其如以上关于图3所描述而耦合。在图4A中所展示的示范性设计中，省略SAW滤波器318c和318d，且来自驱动器放大器310c和310d的输出信号分别直接耦合到功率放大器340c和340d。SAW滤波器318c和318d用以移除接收频带中的噪声。此噪声将由功率放大器340c和340d放大且经由双工器362c和362d而路由到接收器。如果接收频带中的噪声足够低，则可省略SAW滤波器318c和318d。
发射器400进一步包括GSM/EDGE功率放大器模块420，其替代图3中的模块320。模块420包括低频带线性功率放大器440a和高频带线性功率放大器440b，其分别接收并放大来自驱动器放大器310a和310b的RFin1信号和RFin2信号，且分别提供RFout1信号和RFout2信号。功率放大器440a包括两个并联链1、2和3。链1包括串联耦合的放大器级442a和开关448a。链2包括串联耦合的放大器级442a、444a和446a。链3包括串联耦合的放大器级442a、454a和456a。开关458a将放大器级446a或456a的输出耦合到功率放大器440a的输出。功率放大器440b类似地包括三个并联链1、2和3，其包含放大器级442b、444b、446b、454b和456b，和开关448b和458b。开关458a和458b可实施于模块420内，如图4A中所展示，或实施于模块420外。
可如下操作功率放大器440a和440b中的每一者中的三个链：
·链1-用于低输出功率，
·链2-用于中等输出功率，和
·链3-用于高输出功率。
链1可使用低偏置电流来操作和/或使用较小尺寸的晶体管来实施。链2可使用适中的偏置电流来操作和/或使用中等尺寸的晶体管来实施。链3可使用高偏置电流来操作和/或使用较大尺寸的晶体管来实施。在一个示范性设计中，第一放大器级442具有用于所有三个链的固定偏置电流。在另一示范性设计中，第一放大器级442具有基于选择链1、2还是3而调整的可变偏置电流。一般来说，每一放大器级可具有固定偏置电流或可基于输出功率电平和/或其它因素而调整的可变偏置电流。链1、2和3可经选择以用于不同输出功率范围，且可因此用于粗略的输出功率调整。可通过调整RF输入功率电平而实现精细的输出功率调整。
针对GSM/EDGE使用具有多个并联链的线性功率放大器440a和440b可提供特定优势。对于GSM，恒定包络调制信号允许功率放大器440a和440b满足GSM频谱屏蔽要求。对于EDGE，预失真可用于高输出功率处的链3以便满足EDGE频谱屏蔽要求。链1和2可为足够线性的且可能够在不使用预失真的情况下满足EDGE频谱屏蔽要求。
线性功率放大器440a和440b与图3中的非线性功率放大器340a和340b相比可能够实现类似或更高的效率。每一链与非线性功率放大器340相比可能够实现在其输出功率电平的范围内的类似或更高的效率。链3可以高输出功率来操作，且与非线性功率放大器340相比可能够实现类似或更高的效率。通过改变输入功率电平而调整输出功率电平可进一步用极性调制来改进非线性功率放大器340上的效率。
图4B展示终端110的发射器402的示范性设计的框图。发射器402包括图4A中的发射器400的所有电路块，且进一步包括替代图4A中的模块420的GSM/EDGE功率放大器模块421。模块421包括功率放大器441a和441b，其分别包括功率放大器440a和440b中除了开关458a和458b以外的所有电路块。在模块421中，放大器级446a和456a的输出耦合在一起，且进一步耦合到功率放大器441a的输出。放大器级446b和456b的输出耦合在一起，且进一步耦合到功率放大器441b的输出。
在图4A和图4B中，可在未选择链2时停用放大器级444和446，且可在未选择链3时停用放大器级454和456。或者，可启用链2和3两者，且放大器级446和456的输出可经组合以在高功率操作中获得较高输出功率。图4A中的开关458通常具有一些插入损耗。可通过将每一功率放大器441中的放大器级446和456的输出耦合在一起而避免此插入损耗，如图4B中所展示。可在需要时执行预失真(例如，针对高输出功率下的EDGE)以便满足频谱屏蔽要求。
图5A展示终端110的发射器500的示范性设计的框图。发射器500支持针对GSM/EDGE的四个频带和针对WCDMA的两个频带。发射器500包括驱动器放大器510a和510b、功率放大器模块520、滤波器560a和560b、双工器562a和562b，和开关570。驱动器放大器510a接收并放大Sout1信号，且提供RFin1信号。Sout1信号可为：(i)针对低频带的GSM或EDGE的经相位调制信号、(ii)针对低频带的WCDMA的经调制信号，或(iii)针对低频带的某一其它信号。驱动器放大器510b接收并放大Sout2信号，且提供RFin2信号。Sout2信号可为：(i)针对高频带的GSM或EDGE的经相位调制信号、(ii)针对高频带的WCDMA的经调制信号，或(iii)针对高频带的某一其它信号。
功率放大器模块520包括低频带线性功率放大器540a和高频带线性功率放大器540b，其分别接收并放大RFin1信号和RFin2信号，且提供RFout1信号和RFout2信号。功率放大器540a包括三个并联链1、2和3，其包含如以上关于图4A所描述而耦合的放大器级542a、544a、546a、554a和556a，和开关548a。输出开关558a使其共同端口耦合到放大器级546a的输出，且使其第一和第二投掷开关(throw)分别耦合到功率放大器540a的第一和第二输出。放大器级556a的输出耦合到功率放大器540a的第一输出。功率放大器540b包括三个并联链1、2和3，其包含放大器级542b、544b、546b、554b和556b和开关548b，且功率放大器540b进一步包括输出开关558b，所述元件以与功率放大器540a相同的方式耦合。开关558a和558b可实施于模块520内，如图5A中所展示，或实施于模块520外部。
滤波器560a和560b使其输入分别耦合到功率放大器540a和540b的第一输出，且使其输出耦合到开关570的第一端口和第三端口。双工器562a和562b使其发射器端口分别耦合到功率放大器540a和540b的第二输出，且使其共同端口耦合到开关570的第二和第四端口。开关570使其共同端口耦合到天线580。开关570还可包括可耦合到低频带和高频带的GSM/EDGE接收器(图5A中未展示)的更多端口。
对于低频带GSM/EDGE，开关558a将放大器级546a耦合到功率放大器540a的第一输出，且开关570将其第一端口耦合到天线580。针对低频带WCDMA，开关558a将放大器级546a耦合到功率放大器540a的第二输出，且开关570将其第二端口耦合到天线580。对于高频带GSM/EDGE，开关558b将放大器级546b耦合到功率放大器540b的第一输出，且开关570将其第三端口耦合到天线580。针对高频带WCDMA，开关558b将放大器级546b耦合到功率放大器540b的第二输出，且开关570将其第四端口耦合到天线580。
在图5A中所展示的示范性设计中，仅两个线性功率放大器540a和540b用以支持GSM、EDGE和WCDMA。对于GSM/EDGE，链1可用于低输出功率，链2可用于中等输出功率，且链3可用于高输出功率。链2和链3还可经组合以在高功率操作中提供较高输出功率。对于WCDMA，链1可用于低到中等输出功率，且链2可用于中等到高输出功率。对于GSM、EDGE和WCDMA，预失真可用以解决功率放大器540a和540b的非线性以便满足频谱屏蔽要求。
图5B展示终端110的发射器502的示范性设计的框图。虽然具有以下修改，但发射器502包括图5A中的发射器500中的所有电路块。功率放大器模块521包括线性功率放大器541a和541b。在功率放大器541a内，放大器级546a和556a的输出耦合在一起。输出开关558a使其共同端口耦合到放大器级546a和556a的输出，使其第一投掷开关耦合到滤波器560a，且使其第二投掷开关耦合到双工器562a。功率放大器541b内的放大器级546b和556b和开关558b以与放大器级546a和556a和开关558a类似的方式耦合。开关558a和558b可实施于模块521外部(如图5B中所展示)，或实施于模块521内。
图6展示终端110的发射器600的示范性设计的框图。发射器600支持针对GSM/EDGE的四个频带和针对WCDMA的四个频带。发射器600包括驱动器放大器610a和610b、功率放大器模块620、滤波器660a和660b、四个双工器662a到662d，和开关670。驱动器放大器610a和610b接收并放大Sout1信号和Sout2信号且提供RFin1信号和RFin2信号，如以上针对图5A所描述。
功率放大器模块620包括低频带线性功率放大器640a和高频带线性功率放大器640b，其分别接收并放大RFin1信号和RFin2信号。功率放大器640a包括三个并联链1、2和3，其包含如以上针对图4A所描述而耦合的放大器级642a、644a、646a、654a和656a以及开关648a。输出开关658a使其共同端口耦合到放大器级646a的输出，且使其第一、第二和第三投掷开关分别耦合到功率放大器640a的第一、第二和第三输出。放大器级656a的输出耦合到功率放大器640a的第一输出。功率放大器640b包括三个并联链1、2和3，其包含放大器级642b、644b、646b、654b和656b和开关648b，且功率放大器640b进一步包括输出开关658b，所述元件以与功率放大器640a相同的方式耦合。开关658a和658b可实施于模块620内(如图6中所展示)，或实施于模块620外部。
滤波器660a和660b使其输入分别耦合到功率放大器640a和640b的第一输出，且使其输出耦合到开关670的第一和第四端口。双工器662a和662b使其发射器端口耦合到功率放大器640a的第二和第三输出，且使其共同端口耦合到开关670的第二和第三端口。双工器662c和662d使其发射器端口耦合到功率放大器640b的第二和第三输出，且使其共同端口耦合到开关670的第五和第六端口。开关670使其共同端口耦合到天线680。开关670还可包括可耦合到用于低频带和高频带的GSM/EDGE接收器(图6中未展示)的更多端口。
双工器662a和662b可用于低频带中的两个频带(例如，蜂窝式频带和900MHz频带)。双工器662c和662d可用于高频带中的两个频带(例如，PCS频带和IMT-2000频带)。
对于低频带GSM/EDGE，开关658a将放大器级646a耦合到功率放大器640a的第一输出，且开关670将其第一端口耦合到天线680。对于WCDMA的第一低频带，开关658a将放大器级646a耦合到功率放大器640a的第二输出，且开关670将其第二端口耦合到天线680。对于WCDMA的第二低频带，开关658a将放大器级646a耦合到功率放大器640a的第三输出，且开关670将其第三端口耦合到天线680。对于高频带GSM/EDGE，开关658b将放大器级646b耦合到功率放大器640b的第一输出，且开关670将其第四端口耦合到天线680。对于WCDMA的第一高频带，开关658b将放大器级646b耦合到功率放大器640b的第二输出，且开关670将其第五端口耦合到天线680。对于WCDMA的第二高频带，开关658b将放大器级646b耦合到功率放大器640b的第三输出，且开关670将其第六端口耦合到天线680。
图7展示终端110的发射器602的示范性设计的框图。发射器602支持针对GSM/EDGE的四个频带和针对WCDMA的四个频带。发射器602包括图6中的发射器600中的所有电路块。发射器602进一步包括电压调节器630，电压调节器630可为例如增压式或降压式直流(DC)-DC切换器的DC-DC切换器。电压调节器630接收电源电压(例如，电池电压VBATT)且产生功率放大器640a和640b的供应电压VAMP。可基于输出功率电平(例如，与其成比例)而设定VAMP电压以便降低功率消耗。电压调节器630还可用以支持低电压电池。
电压调节器630还可用以支持大信号极性调制。在此情况下，可将包络信号施加于可产生含有包络信息的VAMP的电压调节器630。可接着将VAMP施加于功率放大器640a和640b的至少一个输出级。来自功率放大器640a和640b的RF输出信号可接着具有基于包络信号而确定的可变振幅。对于大信号极性调制，可通过操作电压调节器630和功率放大器640而获得较高效率。
图4A到图7展示使用用于GSM/EDGE的线性功率放大器并共享用于GSM、EDGE和WCDMA的线性功率放大器的若干示范性设计。一般来说，发射器可包括任何数目的线性功率放大器，其可用以支持任何数目的无线电技术以及用于每一受支持无线电技术的任何数目的频带。
图8展示用于GSM/EDGE的不同功率放大器的总电流对输出功率的曲线图。曲线810展示图3中的非线性功率放大器340a或340b的总电流对输出功率。曲线820展示线性功率放大器(其可为图4A中的功率放大器440a或440b、图4B中的功率放大器441a或441b、图5A中的功率放大器540a或540b、图5B中的功率放大器541a或541b、或图6中的功率放大器640a或640b)的总电流对输出功率。在此实例中，针对高达16dBm的输出功率而选择链1，针对16dBm与30dBm之间的输出功率而选择链2，且针对高于30dBm的输出功率而选择链3。链1、2和3的切换点还可在其它输出功率电平处。在此实例中，在8dBm处改变链1的偏置电流，在低于8dBm时使用较低偏置电流，且在高于8dBm时使用较高偏置电流。一般来说，每一链可具有任何数目的偏置电流设定，且每一偏置电流设定可用于输出功率电平的任何范围。曲线810和820指示用于GSM/EDGE的线性功率放大器可比非线性功率放大器消耗更少的总电流。
在一个示范性设计中，对于图5A中的功率放大器540a和540b、图5B中的功率放大器541a和541b以及图6和图7中的功率放大器640a和640b，同一切换点集合可用于GSM/EDGE和WCDMA。此设计可简化发射器的设计和操作。在另一示范性设计中，一个切换点集合可用于GSM/EDGE，且另一切换点集合可用于WCDMA。可选择针对每一无线电技术的切换点以满足频谱屏蔽要求且降低功率消耗。
本文中所描述的功率放大器可与各种发射器一起使用。以下描述一些示范性发射器中的功率放大器的使用。
图9展示支持极性调制的发射器900的示范性设计的框图。数字信号处理器(DSP)914处理(例如，编码和交错)待发射的数据且提供经编码数据。波形(WF)映射器916基于GMSK、8-PSK、QPSK、QAM等而将经编码数据映射到复合值符号。波形映射器916可执行其它处理，例如，扩展、加扰、OFDM调制、SC-FDM调制等。波形映射器916提供I数据信号Iin上的每一复值符号的实部，且提供Q数据信号Qin上的每一复值符号的虚部。正交到极性转换器918接收I和Q数据信号，将这些数据信号中的复值符号从笛卡尔坐标转换到极坐标，且提供包络信号Ein和相位信号φin。转换器918可对每一复值符号实施等式(3)和(4)以获得那个符号的量值和相位。
预失真单元920在启用时使包络信号和相位信号失真，且以其它方式传递包络信号和相位信号。在单元920内的包络路径中，乘法器922使包络信号乘以增益G1，且提供经缩放的包络信号。包络失真单元924使经缩放的包络信号失真以补偿功率放大器的非线性，且将预失真的包络信号Epd提供到多路复用器928的第一(“p”)输入。在本文中的描述中，多路复用器的输入在预失真的情况下被标记为“p”，且在无预失真的情况下被标记为“n”。延迟单元926使来自乘法器922的经缩放的包络信号延迟以匹配单元924的延迟，且将经延迟的包络信号提供到多路复用器928的第二(“n)输入。多路复用器928在启用预失真时提供来自单元924的经预失真的包络信号，且在不启用预失真时提供来自单元926的经延迟的包络信号。
在单元920内的相位路径中，相位失真单元934接收来自单元924的经预失真的包络信号，且提供相位校正信号以补偿归因于功率放大器的非线性的相位误差。求和器932对来自转换器918的相位信号和相位校正信号求和，且将经预失真的相位信号φpd提供到多路复用器938的第一(“p”)输入。延迟单元936使来自转换器918的相位信号延迟，且将经延迟的相位信号提供到多路复用器938的第二(“n”)输入。多路复用器938在启用预失真时提供来自单元934的经预失真的相位信号，且在不启用预失真时提供来自单元936的经延迟的相位信号。
乘法器930使来自多路复用器928的包络信号乘以增益G2，且提供经放大的包络信号Eout。乘法器922和930可用于功率控制以获得所要输出功率电平。数/模转换器(DAC)958a和958b将经放大的包络信号转换成模拟信号，且提供输出包络信号。锁相环(PLL)940接收来自多路复用器938的相位信号，且将控制信号提供到压控振荡器(VCO)942。VCO 942产生I LO信号ILO和Q LO信号QLO，I LO信号ILO和Q LO信号QLO使其相位由来自PLL 940的控制信号改变以实现相位调制。
调制器960a和960b分别针对低频带和高频带执行调幅。在调制器960a内，混频器962a使用来自DAC 958a的输出包络信号来调制I LO信号，且混频器964a使用来自DAC958b的输出包络信号来调制Q LO信号。求和器966a对混频器962a和964a的输出求和，且提供振幅和相位两者均经调制的Sout1信号。在调制器960b内，混频器962b和964b分别使用来自DAC 958a和958b的输出包络信号而分别调制I LO信号和Q LO信号。求和器966b对混频器962b和964b的输出求和，且提供振幅和相位两者均经调制的Sout2信号。
驱动器放大器970a和970b分别放大来自调制器960a和960b的Sout1信号和Sout2信号。线性功率放大器980a和980b进一步分别放大来自驱动器放大器970a和970b的RFin1信号和RFin2信号，且分别提供RFout1信号和RFout2信号。可使用图4A中的功率放大器440a和440b、图4B中的功率放大器441a和441b、图5A中的功率放大器540a和540b、图5B中的功率放大器541a和541b、或图6中的功率放大器640a和640b来实施功率放大器980a和980b。
控制器/处理器910控制发射器900内的DSP 914和其它电路块的操作。存储器912存储控制器/处理器910和/或其它电路块的数据和程序代码。存储器912可实施于控制器/处理器910外部(如图9中所展示)或控制器/处理器内部。
图9展示小信号极性调制，其包含在功率放大器之前使用包络信号对经相位调制信号的调幅。在图9中，调制器960使用两个混频器和一求和器来执行调幅。也可在单一混频器和没有求和器的情况下执行调幅。还可通过(i)将DAC 958a或958b的输出提供到电压调节器以产生含有包络信息的VAMP和(ii)将VAMP提供到线性功率放大器980a和980b的至少一个输出级来支持大信号极性调制。
图10展示发射器902的示范性设计的框图，发射器902支持正交调制且可选择性地应用预失真以补偿功率放大器的非线性。为简单起见，单元910到914未展示于图10中。波形映射器916处理待发射的数据，且提供I数据信号Iin和Q数据信号Qin。正交到极性转换器918、乘法器922、包络失真单元924、求和器932和相位失真单元934对I和Q数据信号进行操作，如以上针对图9所描述，且提供经预失真的包络信号Epd和经预失真的相位信号φpd。
多路复用器950a和950b在第一(“n”)输入处接收I和Q数据信号，且在未启用预失真时将这些信号提供到数字旋转器952的I和Q输入。多路复用器950a和950b还在第二(“p”)输入处接收经预失真的包络信号Epd和零信号，且在启用预失真时将这些信号提供到旋转器952的I和Q输入。旋转器952基于相位校正信号θ而旋转其I和Q输入处的信号，且提供I旋转信号Irot和Q旋转信号Qrot。在未启用预失真时，旋转器952可旋转I和Q信号以校正来自VCO 942的LO信号中的频率误差和相位偏移。在启用预失真时，旋转器952可旋转经预失真的包络信号以校正归因于功率放大器的相位失真以及LO信号中的频率误差和相位偏移。
乘法器954a和954b使来自旋转器952的I和Q旋转信号乘以增益G3，且分别提供经缩放的I和Q信号。DAC 958a和958b将经缩放的I和Q信号转换成模拟信号，且分别提供I和Q调制信号。调制器960a和960b分别对低频带和高频带执行正交调制。每一调制器960使用来自DAC 958a和958b的I和Q调制信号而对来自VCO 942的I和QLO信号执行正交调制。驱动器放大器970a和功率放大器980a放大来自调制器960a的Sout1信号，且提供RFout1信号。驱动器放大器970b和功率放大器980b放大来自调制器960b的Sout2信号且提供RFout2信号。
发射(TX)频率估计器944估计LO信号中的频率误差，将粗略的频率误差提供到PLL 940，且将精细的频率误差提供到相位累加器(Acc)946。PLL 940产生VCO 942的控制信号，以使得粗略的频率误差受到校正。累加器946累加精细的频率误差且提供相位误差。多路复用器950c在启用预失真时接收并提供经预失真的相位信号φpd，且在未启用预失真时提供零信号。求和器948对来自累加器946的相位误差、多路复用器950c的输出和相位偏移求和，且将相位校正信号θ提供到旋转器952。
图11展示发射器904的示范性设计的框图，发射器904有效地支持极性调制(模式1)和正交调制(模式2)两者，且还使用共享电路块而支持针对每一模式的预失真或无预失真。在图11中，多路复用器输入在预失真的情况下被标记为“p”、在无预失真的情况下被标记为“n”、在模式1的情况下被标记为“1”，和/或在模式2的情况下被标记为“2”。
发射器904包括图10中的发射器902中的所有电路块，其中具有若干修改。多路复用器939在第一(“1p”)输入处接收来自求和器932的经预失真的相位信号φpd，在第二(“1n”)输入处接收来自单元936的经延迟的相位信号，且在第三(“2”)输入处接收零信号。多路复用器939在选择具有预失真的极性调制时提供经预失真的相位信号，在选择无预失真的极性调制时提供经延迟的相位信号，且在选择正交调制时提供零信号。PLL 940对来自多路复用器939的输出信号进行操作，且提供VCO 942的控制信号。多路复用器956a和956b在其第一(“1”)输入处接收来自乘法器930的数字包络信号Eout，且在选择极性调制时将此信号分别提供到DAC 958a和958b。多路复用器956a和956b还在其第二(“2”)输入处分别接收来自乘法器954a和954b的经缩放的I和Q信号，且在选择正交调制时将这些信号分别提供到DAC 958a和958b。可经由用于大极性调制的电压调节器将DAC 958的输出施加到功率放大器980，如上文所描述。
在选择极性调制时，DAC 958a和958b提供输出包络信号，且VCO 942提供具有相位调制的I LO信号和Q LO信号。调制器960a和960b使用输出包络信号对来自VCO 942的I LO信号和Q LO信号执行调幅。在选择正交调制时，DAC 958a和958b提供I和Q调制信号，且VCO 942提供无相位调制的I LO信号和Q LO信号。调制器960a和960b使用I和Q调制信号对I和Q LO信号执行正交调制。驱动器放大器970a和970b以及功率放大器980a和980b放大来自调制器960a和960b的Sout1信号和Sout2信号，且提供RFout1信号和RFout2信号。
在图9、图10和图11中所展示的示范性设计中，可基于RF输出信号的输出功率电平和/或其它因素来选择预失真或无预失真。输出功率电平可与输入功率电平、放大器增益等相关。在一个示范性设计中，如果输出功率电平超过阈值，则可执行预失真，且如果输出功率电平低于阈值，则可跳过预失真。阈值可经选择，以使得可满足频谱屏蔽和/或其它要求。
图9、图10和图11展示可与本文中所描述的多模式功率放大器一起使用的发射器的若干示范性设计。还可与其它发射器设计一起使用这些多模式功率放大器。一般来说，可使用与图9、图10和图11中所描述的电路块相比更少的、额外的和/或不同的电路块来实施发射器。还可以与图9、图10和图11中所描述的方式不同的方式来配置电路块。图9、图10和图11还展示实施直接转换架构的发射器，所述直接转换架构直接在RF处执行调制以产生在所要RF频率处的经调制信号。发射器还可实施超外差发射器，超外差发射器在中频(IF)处执行调制且接着将经调制信号上变频转换到RF。
图12展示用于产生RF输出信号的过程1200的示范性设计。可针对多种无线电技术中的一者(例如，如图9中所展示)而产生经相位调制信号(方框1212)。可针对多种无线电技术中的另一者(例如，如图10中所展示)而产生经正交调制信号(方框1214)。可在任何给定时刻依据用于通信的无线电技术而产生经相位调制信号或经正交调制信号。可(例如)通过将经相位调制信号或经正交调制信号传递穿过驱动器放大器而基于经相位调制信号或经正交调制信号来产生RF输入信号(方框1216)。可使RF输入信号预失真以补偿线性功率放大器的非线性，如图9或图10中所展示。
可选择支持多种无线电技术的线性功率放大器的多个链中的一者，其中每一链支持输出功率电平的一相应范围，例如，如图8中所展示(方框1218)。可基于输出功率电平来调整选定链中的至少一个放大器级的偏置电流。可使用线性功率放大器的选定链来放大用于多种无线电技术中的一者的RF输入信号以获得RF输出信号(方框1220)。
可在集成电路(IC)、模拟IC、RF IC(RFIC)、混合信号IC、专用集成电路(ASIC)、印刷电路板(PCB)、电子装置等上实施本文中所描述的发射器和功率放大器。还可使用例如互补金属氧化物半导体(CMOS)、N沟道MOS(N-MOS)、P沟道MOS(P-MOS)、双极结晶体管(BJT)、双极CMOS(BiCMOS)、硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)等各种IC工艺技术来制造所述发射器和功率放大器。
实施本文中所描述的发射器和功率放大器的设备可为独立装置或可为较大装置的部分。装置可为(i)独立IC、(ii)可包括用于存储数据和/或指令的存储器IC的一个或一个以上IC的集合、(iii)例如RF接收器(RFR)或RF发射器/接收器(RTR)的RFIC、(iv)功率放大器(PA)模块、(v)例如移动台调制解调器(MSM)的ASIC、(vi)可嵌入其它装置内的模块、(vii)接收器、蜂窝式电话、无线装置、手持机或移动单元、(viii)等。
在一个或一个以上示范性设计中，可以硬件、软件、固件或其任何组合来实施所描述的功能。如果以软件实施，则所述功能可作为一个或一个以上指令或代码而存储于计算机可读媒体上或在计算机可读媒体上传输。计算机可读媒体包括计算机存储媒体和通信媒体两者(包括促进将计算机程序从一处转移到另一处的任何媒体)。存储媒体可为可由计算机存取的任何可用媒体。以实例而非限制的方式，所述计算机可读媒体可包含RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于以指令或数据结构的形式载运或存储所要程序代码且可由计算机存取的任何其它媒体。而且，可适当地将任何连接称为计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)，或例如红外线、无线电和微波等无线技术从网站、服务器或其它远程源发射软件，则同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL，或例如红外线、无线电和微波等无线技术包括在媒体的定义中。如本文中所使用的磁盘和光盘包括压缩光盘(CD)、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘使用激光以光学方式再现数据。以上各物的组合也应包括在计算机可读媒体的范围内。
提供本发明的先前描述以使得所属领域的任何技术人员能够制作或使用本发明。所属领域的技术人员将容易明白对本发明的各种修改，且在不脱离本发明的范围的情况下，本文中所界定的一般原理可应用于其它变化。因此，不希望将本发明限于本文中所描述的实例和设计，而将赋予本发明与本文中所揭示的原理和新颖特征一致的最广范围。

Claims (44)

1.一种设备，其包含：
第一线性功率放大器，其支持多种无线电技术，且操作以放大第一射频(RF)输入信号并提供第一RF输出信号，所述第一线性功率放大器包含并联耦合的多个链，每一链是可选择的，以放大所述第一RF输入信号并针对输出功率电平的相应范围而提供所述第一RF输出信号。
2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包含：
第二线性功率放大器，其支持所述多种无线电技术，且操作以放大第二RF输入信号并提供第二RF输出信号，所述第一线性功率放大器支持低频带和高频带中的一者，且所述第二线性功率放大器支持所述低频带和高频带中的另一者。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述低频带小于一千兆赫(GHz)且所述高频带大于一GHz。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个链包含：
第一链，可选择所述第一链以放大所述第一RF输入信号并针对输出功率电平的第一范围而提供所述第一RF输出信号，和
第二链，可选择所述第二链以放大所述第一RF输入信号并针对输出功率电平的高于所述第一范围的第二范围而提供所述第一RF输出信号。
5.根据权利要求4所述的设备，其中所述多个链进一步包含：
第三链，可选择所述第三链以放大所述第一RF输入信号并针对输出功率电平的等于或高于所述第二范围的第三范围而提供所述第一RF输出信号。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第二链和第三链是可同时选择的，以提供较高输出功率。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个链包含：
第一链，其包含第一放大器级，和
第二链，其包含所述第一放大器级和至少一个额外放大器级。
8.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个链包含：
第一链，其包含第一放大器级，
第二链，其包含所述第一放大器级和至少一个中等功率放大器级，和
第三链，其包含所述第一放大器级和至少一个高功率放大器级。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个链被不同量的电流偏置。
10.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个链中的至少一个链针对输出功率电平的不同范围而被不同量的电流偏置。
11.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个链是使用不同大小的晶体管来实施。
12.根据权利要求1所述的设备，其中所有所述多个链是可选择的，以用于所述多种无线电技术中的至少一者，且其中所述多个链的一子集是可选择的，以用于所述多种无线电技术中的至少一种其它技术。
13.根据权利要求1所述的设备，其进一步包含：
开关，其耦合到所述多个链中的至少两者且操作以将所述第一RF输出信号提供到用于所述多种无线电技术中的一者的第一输出且将所述第一RF输出信号提供到用于所述多种无线电技术中的另一者的第二输出。
14.根据权利要求1所述的设备，其进一步包含：
调制器，其操作以针对所述多种无线电技术中的至少一者而执行正交调制，针对所述多种无线电技术中的至少另一者而执行极性调制，并提供经调制信号；以及
驱动器放大器，其操作以放大所述经调制信号并提供所述第一RF输入信号。
15.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一RF输入信号包含用于所述多种无线电技术中的一者的经相位调制信号且包含用于所述多种无线电技术中的另一者的经正交调制信号。
16.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一RF输入信号经预失真以补偿所述第一线性功率放大器的非线性。
17.根据权利要求1所述的设备，其进一步包含：
直流(DC)-DC切换器，其操作以接收电源电压且产生用于所述第一线性功率放大器的供应电压。
18.根据权利要求1所述的设备，其进一步包含：
电压调节器，其操作以接收包络信号和电源电压且产生用于所述第一线性功率放大器的供应电压，所述供应电压包含来自所述包络信号的包络信息。
19.根据权利要求18所述的设备，所述包络信号经预失真以补偿所述第一线性功率放大器的非线性。
20.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一线性功率放大器提供用于不同无线电技术的多个RF输出。
21.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一线性功率放大器提供用于不同频带的多个RF输出。
22.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一线性功率放大器提供用于不同输出功率范围的多个RF输出。
23.根据权利要求1所述的设备，其中所述多种无线电技术包含具有恒定包络调制信号的第一无线电技术和具有可变包络调制信号的第二无线电技术。
24.一种设备，其包含：
线性功率放大器，其操作以放大具有恒定包络的射频(RF)输入信号且提供RF输出信号，所述线性功率放大器包含并联耦合的多个链，每一链是可选择的，以放大所述RF输入信号且针对输出功率电平的相应范围而提供所述RF输出信号。
25.根据权利要求24所述的设备，其进一步包含：
调制器，其操作以执行极性调制且提供经相位调制信号；以及
驱动器放大器，其操作以放大所述经相位调制信号且提供使所述线性功率放大器的输出饱和的所述RF输入信号。
26.根据权利要求25所述的设备，其进一步包含：
电压调节器，其操作以接收包络信号和电源电压且产生用于所述线性功率放大器的供应电压，所述供应电压包含来自所述包络信号的包络信息。
27.根据权利要求24所述的设备，其进一步包含：
直流(DC)-DC切换器，其操作以接收包络信号或电源电压且产生用于所述线性功率放大器的供应电压。
28.根据权利要求24所述的设备，其中所述线性功率放大器操作以用固定增益来放大所述RF输入信号，其中所述RF输入信号具有可变信号电平，且其中所述RF输出信号的信号电平追踪所述RF输入信号的所述可变信号电平。
29.一种设备，其包含：
功率放大器，其操作以放大射频(RF)输入信号且提供RF输出信号，所述RF输入信号经预失真以补偿所述功率放大器的非线性，所述功率放大器包含并联耦合的多个链，每一链是可选择的，以放大所述RF输入信号且针对输出功率电平的相应范围而提供所述RF输出信号。
30.根据权利要求29所述的设备，其进一步包含：
预失真单元，其操作以基于所述RF输出信号的输出功率电平而使所述RF输入信号预失真或不预失真。
31.根据权利要求30所述的设备，其中所述预失真单元在所述输出功率电平超过阈值的情况下使所述RF输入信号预失真，且在所述输出功率电平低于所述阈值的情况下使所述RF输入信号不预失真。
32.根据权利要求29所述的设备，其进一步包含：
调制器，其操作以执行极性调制且提供经相位调制信号；以及
驱动器放大器，其操作以放大所述经相位调制信号且提供所述RF输入信号。
33.根据权利要求29所述的设备，其进一步包含：
直流(DC)-DC切换器，其操作以接收包络信号或电源电压且产生用于所述功率放大器的供应电压。
34.一种无线装置，其包含：
第一调制器，其操作以接收第一本机振荡器(LO)信号并使用第一调制信号对其进行调制，且提供第一经调制信号；
第一驱动器放大器，其耦合到所述第一调制器，且操作以放大所述第一经调制信号并提供第一射频(RF)输入信号；
第一线性功率放大器，其耦合到所述第一调制器且支持多种无线电技术，所述第一线性功率放大器操作以放大所述第一RF输入信号并提供第一RF输出信号，所述第一线性功率放大器包含并联耦合的多个链，每一链是可选择的，以放大所述第一RF输入信号并针对输出功率电平的相应范围而提供所述第一RF输出信号；以及
天线，其耦合到所述第一线性功率放大器。
35.根据权利要求34所述的无线装置，其进一步包含：
第二调制器，其操作以接收第二LO信号并使用第二调制信号对其进行调制，且提供第二经调制信号；
第二驱动器放大器，其耦合到所述第二调制器，且操作以放大所述第二经调制信号并提供第二RF输入信号；以及
第二线性功率放大器，其支持所述多种无线电技术，且操作以放大所述第二RF输入信号并提供第二RF输出信号，所述第一线性功率放大器支持低频带和高频带中的一者，且所述第二线性功率放大器支持所述低频带和高频带中的另一者。
36.根据权利要求34所述的无线装置，其进一步包含：
预失真单元，其操作以基于所述第一RF输出信号的输出功率电平而使所述第一RF输入信号预失真或不预失真。
37.一种执行放大的方法，其包含：
选择支持多种无线电技术的线性功率放大器的多个链中的一者，每一链是可操作的，以提供输出功率电平的相应范围；以及
使用所述线性功率放大器的所述选定链来放大用于所述多种无线电技术中的一者的射频(RF)输入信号以获得RF输出信号。
38.根据权利要求37所述的方法，其进一步包含：
基于输出功率电平来调整所述选定链中的至少一个放大器级的偏置电流。
39.根据权利要求37所述的方法，其进一步包含：
针对所述多种无线电技术中的第一无线电技术而产生经相位调制信号；
针对所述多种无线电技术中的第二无线电技术而产生经正交调制信号；以及
基于所述经相位调制信号或所述经正交调制信号而产生所述RF输入信号。
40.根据权利要求37所述的方法，其进一步包含：
使所述RF输入信号预失真以补偿所述线性功率放大器的非线性。
41.一种设备，其包含：
用于选择支持多种无线电技术的线性功率放大器的多个链中的一者的装置，每一链是可操作的，以提供相应范围的输出功率电平；以及
用于使用所述线性功率放大器的所述选定链来放大用于所述多种无线电技术中的一者的射频(RF)输入信号以获得RF输出信号的装置。
42.根据权利要求41所述的设备，其进一步包含：
用于基于输出功率电平来调整所述选定链中的至少一个放大器级的偏置电流的装置。
43.根据权利要求41所述的设备，其进一步包含：
用于针对所述多种无线电技术中的第一无线电技术而产生经相位调制信号的装置；
用于针对所述多种无线电技术中的第二无线电技术而产生经正交调制信号的装置；以及
用于基于所述经相位调制信号或所述经正交调制信号而产生所述RF输入信号的装置。
44.根据权利要求41所述的设备，其进一步包含：
用于使所述RF输入信号预失真以补偿所述线性功率放大器的非线性的装置。
CN200980108039.2A 2008-02-08 2009-02-06 多模式功率放大器 Active CN101965682B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US2735108P 2008-02-08 2008-02-08
US61/027,351 2008-02-08
US12/365,853 2009-02-04
US12/365,853 US8718582B2 (en) 2008-02-08 2009-02-04 Multi-mode power amplifiers
PCT/US2009/033466 WO2009100381A1 (en) 2008-02-08 2009-02-06 Multi-mode power amplifiers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101965682A true CN101965682A (zh) 2011-02-02
CN101965682B CN101965682B (zh) 2016-03-16

Family

ID=40938398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980108039.2A Active CN101965682B (zh) 2008-02-08 2009-02-06 多模式功率放大器

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8718582B2 (zh)
EP (1) EP2253064B1 (zh)
JP (2) JP2011512098A (zh)
KR (1) KR101126994B1 (zh)
CN (1) CN101965682B (zh)
TW (1) TW201004129A (zh)
WO (1) WO2009100381A1 (zh)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102122922A (zh) * 2011-02-22 2011-07-13 雷良军 多模功率放大器及相应的移动通信设备
CN102404021A (zh) * 2011-11-04 2012-04-04 中兴通讯股份有限公司 双工放大模块、射频前端模块和多模终端
CN102404022A (zh) * 2011-11-04 2012-04-04 中兴通讯股份有限公司 功率放大模块、射频前端模块和多模终端
CN102510297A (zh) * 2011-11-04 2012-06-20 中兴通讯股份有限公司 功率放大模块、多模射频收发器、双工器和多模终端
CN103078652A (zh) * 2011-10-25 2013-05-01 联发科技股份有限公司 电子装置
CN103178790A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 射频小型装置公司 多模射频放大装置
CN104144527A (zh) * 2013-05-10 2014-11-12 深圳富泰宏精密工业有限公司 无线通信装置
WO2015117433A1 (zh) * 2014-07-16 2015-08-13 中兴通讯股份有限公司 一种射频装置
CN105099371A (zh) * 2014-05-06 2015-11-25 天工方案公司 与功率放大器中低功率效率改善相关的系统、电路和方法
CN105450238A (zh) * 2014-09-24 2016-03-30 三星电子株式会社 处理发送信号的发送器和方法
CN105811893A (zh) * 2016-04-20 2016-07-27 广东工业大学 一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构
CN108494372A (zh) * 2018-02-07 2018-09-04 南京中感微电子有限公司 非线性补偿功率放大电路和极坐标发射机
WO2018184127A1 (zh) * 2017-04-07 2018-10-11 庄晴光 电磁信号侦测电路与侦测方法
WO2019242679A1 (en) * 2018-06-20 2019-12-26 Mediatek Inc. Ul transmission utilizing full tx power at ue
CN111446929A (zh) * 2020-04-01 2020-07-24 锐石创芯（深圳）科技有限公司 一种射频功率放大器及控制方法
CN113050907A (zh) * 2019-12-26 2021-06-29 精工爱普生株式会社 图像显示装置、馈电系统和图像显示装置的馈电方法
CN113676191A (zh) * 2021-08-12 2021-11-19 Oppo广东移动通信有限公司 发射模组、射频系统及通信设备

Families Citing this family (139)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7327803B2 (en) 2004-10-22 2008-02-05 Parkervision, Inc. Systems and methods for vector power amplification
US7355470B2 (en) 2006-04-24 2008-04-08 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including embodiments for amplifier class transitioning
US8334722B2 (en) 2007-06-28 2012-12-18 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation and amplification
US8013675B2 (en) 2007-06-19 2011-09-06 Parkervision, Inc. Combiner-less multiple input single output (MISO) amplification with blended control
US7911272B2 (en) 2007-06-19 2011-03-22 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including blended control embodiments
US7937106B2 (en) 2006-04-24 2011-05-03 ParkerVision, Inc, Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including architectural embodiments of same
US8031804B2 (en) 2006-04-24 2011-10-04 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF tower transmission, modulation, and amplification, including embodiments for compensating for waveform distortion
US8315336B2 (en) 2007-05-18 2012-11-20 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including a switching stage embodiment
FI20085158A0 (fi) * 2008-02-21 2008-02-21 Nokia Corp Laite ja menetelmä
WO2009145887A1 (en) 2008-05-27 2009-12-03 Parkervision, Inc. Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification
US8798564B2 (en) * 2009-03-17 2014-08-05 Provigent Ltd. Transmitter with replaceable power amplifier
US9112452B1 (en) 2009-07-14 2015-08-18 Rf Micro Devices, Inc. High-efficiency power supply for a modulated load
US9059332B2 (en) * 2009-10-02 2015-06-16 Skyworks Solutions, Inc. Continuous tunable LC resonator using a FET as a varactor
US8185066B2 (en) * 2009-10-23 2012-05-22 Sony Mobile Communications Ab Multimode power amplifier with predistortion
JP5563668B2 (ja) * 2009-12-03 2014-07-30 エプコス アクチエンゲゼルシャフト フロントエンド回路
CN102971962B (zh) 2010-04-19 2016-05-25 射频小型装置公司 伪包络跟随功率管理系统
US9431974B2 (en) 2010-04-19 2016-08-30 Qorvo Us, Inc. Pseudo-envelope following feedback delay compensation
US9099961B2 (en) 2010-04-19 2015-08-04 Rf Micro Devices, Inc. Output impedance compensation of a pseudo-envelope follower power management system
US8981848B2 (en) 2010-04-19 2015-03-17 Rf Micro Devices, Inc. Programmable delay circuitry
KR101713930B1 (ko) * 2010-04-22 2017-03-09 삼성전자주식회사 휴대 단말기의 송신 장치 및 그의 운용 방법
US8406706B2 (en) * 2010-05-20 2013-03-26 Lg Electronics Inc. Mobile terminal and method of controlling a driving voltage of a power amplifier therein
EP2418769B1 (en) * 2010-07-20 2013-09-04 Alcatel Lucent Power amplifier for mobile telecommunications
WO2012047738A1 (en) 2010-09-29 2012-04-12 Rf Micro Devices, Inc. SINGLE μC-BUCKBOOST CONVERTER WITH MULTIPLE REGULATED SUPPLY OUTPUTS
US9075673B2 (en) 2010-11-16 2015-07-07 Rf Micro Devices, Inc. Digital fast dB to gain multiplier for envelope tracking systems
EP2673880B1 (en) 2011-02-07 2017-09-06 Qorvo US, Inc. Group delay calibration method for power amplifier envelope tracking
KR20140026458A (ko) 2011-04-08 2014-03-05 파커비전, 인크. Ｒｆ 전력 송신, 변조 및 증폭 시스템들 및 방법들
US9220067B2 (en) 2011-05-02 2015-12-22 Rf Micro Devices, Inc. Front end radio architecture (FERA) with power management
US9379667B2 (en) 2011-05-05 2016-06-28 Rf Micro Devices, Inc. Multiple power supply input parallel amplifier based envelope tracking
US9246460B2 (en) 2011-05-05 2016-01-26 Rf Micro Devices, Inc. Power management architecture for modulated and constant supply operation
US9247496B2 (en) 2011-05-05 2016-01-26 Rf Micro Devices, Inc. Power loop control based envelope tracking
CN103748794B (zh) 2011-05-31 2015-09-16 射频小型装置公司 一种用于测量发射路径的复数增益的方法和设备
US9019011B2 (en) 2011-06-01 2015-04-28 Rf Micro Devices, Inc. Method of power amplifier calibration for an envelope tracking system
KR20140034895A (ko) 2011-06-02 2014-03-20 파커비전, 인크. 안테나 제어
US8952710B2 (en) 2011-07-15 2015-02-10 Rf Micro Devices, Inc. Pulsed behavior modeling with steady state average conditions
US9263996B2 (en) 2011-07-20 2016-02-16 Rf Micro Devices, Inc. Quasi iso-gain supply voltage function for envelope tracking systems
WO2013033700A1 (en) 2011-09-02 2013-03-07 Rf Micro Devices, Inc. Split vcc and common vcc power management architecture for envelope tracking
US9048805B2 (en) 2011-10-04 2015-06-02 Rf Micro Devices, Inc. Tunable duplexer architecture
US8957728B2 (en) 2011-10-06 2015-02-17 Rf Micro Devices, Inc. Combined filter and transconductance amplifier
WO2013063364A1 (en) 2011-10-26 2013-05-02 Rf Micro Devices, Inc. Average frequency control of switcher for envelope tracking
US9484797B2 (en) 2011-10-26 2016-11-01 Qorvo Us, Inc. RF switching converter with ripple correction
US9024688B2 (en) 2011-10-26 2015-05-05 Rf Micro Devices, Inc. Dual parallel amplifier based DC-DC converter
WO2013063387A2 (en) 2011-10-26 2013-05-02 Rf Micro Devices, Inc. Inductance based parallel amplifier phase compensation
US8975959B2 (en) 2011-11-30 2015-03-10 Rf Micro Devices, Inc. Monotonic conversion of RF power amplifier calibration data
US9515621B2 (en) * 2011-11-30 2016-12-06 Qorvo Us, Inc. Multimode RF amplifier system
US9250643B2 (en) 2011-11-30 2016-02-02 Rf Micro Devices, Inc. Using a switching signal delay to reduce noise from a switching power supply
US9256234B2 (en) 2011-12-01 2016-02-09 Rf Micro Devices, Inc. Voltage offset loop for a switching controller
US8947161B2 (en) 2011-12-01 2015-02-03 Rf Micro Devices, Inc. Linear amplifier power supply modulation for envelope tracking
US9280163B2 (en) 2011-12-01 2016-03-08 Rf Micro Devices, Inc. Average power tracking controller
US9041365B2 (en) 2011-12-01 2015-05-26 Rf Micro Devices, Inc. Multiple mode RF power converter
US9494962B2 (en) 2011-12-02 2016-11-15 Rf Micro Devices, Inc. Phase reconfigurable switching power supply
US9813036B2 (en) 2011-12-16 2017-11-07 Qorvo Us, Inc. Dynamic loadline power amplifier with baseband linearization
US8742843B2 (en) * 2011-12-19 2014-06-03 Intel Corporation Power management in transceivers
US9298198B2 (en) 2011-12-28 2016-03-29 Rf Micro Devices, Inc. Noise reduction for envelope tracking
US9083518B2 (en) 2012-02-07 2015-07-14 Rf Micro Devices, Inc. Tunable hybrid coupler
US9190979B2 (en) 2012-02-07 2015-11-17 Rf Micro Devices, Inc. Hybrid coupler
WO2013136860A1 (ja) 2012-03-12 2013-09-19 日本電気株式会社 送信装置および送信方法
WO2013150564A1 (ja) * 2012-04-04 2013-10-10 三菱電機株式会社 マルチモード・マルチバンド増幅器
US8981839B2 (en) 2012-06-11 2015-03-17 Rf Micro Devices, Inc. Power source multiplexer
US9219594B2 (en) 2012-06-18 2015-12-22 Rf Micro Devices, Inc. Dual antenna integrated carrier aggregation front end solution
US10009058B2 (en) 2012-06-18 2018-06-26 Qorvo Us, Inc. RF front-end circuitry for receive MIMO signals
US20140015731A1 (en) 2012-07-11 2014-01-16 Rf Micro Devices, Inc. Contact mems architecture for improved cycle count and hot-switching and esd
US9143208B2 (en) 2012-07-18 2015-09-22 Rf Micro Devices, Inc. Radio front end having reduced diversity switch linearity requirement
WO2014018861A1 (en) 2012-07-26 2014-01-30 Rf Micro Devices, Inc. Programmable rf notch filter for envelope tracking
US20140029683A1 (en) * 2012-07-26 2014-01-30 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Multi-Band Observation Receiver
US9225231B2 (en) 2012-09-14 2015-12-29 Rf Micro Devices, Inc. Open loop ripple cancellation circuit in a DC-DC converter
KR101235639B1 (ko) * 2012-09-25 2013-02-21 주식회사 디제이피 광대역 주파수 검출기
US9419775B2 (en) 2012-10-02 2016-08-16 Qorvo Us, Inc. Tunable diplexer
US9203596B2 (en) 2012-10-02 2015-12-01 Rf Micro Devices, Inc. Tunable diplexer for carrier aggregation applications
US9240757B2 (en) 2012-10-05 2016-01-19 Nec Corporation Transmission apparatus and transmission method
US9197256B2 (en) 2012-10-08 2015-11-24 Rf Micro Devices, Inc. Reducing effects of RF mixer-based artifact using pre-distortion of an envelope power supply signal
US9078211B2 (en) * 2012-10-11 2015-07-07 Rf Micro Devices, Inc. Power management configuration for TX MIMO and UL carrier aggregation
WO2014062902A1 (en) 2012-10-18 2014-04-24 Rf Micro Devices, Inc Transitioning from envelope tracking to average power tracking
US9627975B2 (en) 2012-11-16 2017-04-18 Qorvo Us, Inc. Modulated power supply system and method with automatic transition between buck and boost modes
US9311803B2 (en) * 2012-12-12 2016-04-12 At&T Mobility Ii Llc System and method for managing sensor network uplink and downlink communications
KR101308083B1 (ko) 2012-12-17 2013-09-13 주식회사 디제이피 광대역 주파수 검출기기
WO2014116933A2 (en) 2013-01-24 2014-07-31 Rf Micro Devices, Inc Communications based adjustments of an envelope tracking power supply
DE102013201653A1 (de) * 2013-01-31 2014-07-31 Intel Mobile Communications GmbH Schaltung und mobilkommunikationsgerät
US9178472B2 (en) 2013-02-08 2015-11-03 Rf Micro Devices, Inc. Bi-directional power supply signal based linear amplifier
US9172441B2 (en) 2013-02-08 2015-10-27 Rf Micro Devices, Inc. Front end circuitry for carrier aggregation configurations
US9178555B2 (en) * 2013-02-20 2015-11-03 Micro Mobio Corporation World band radio frequency front end module, system and method thereof
WO2014152876A1 (en) 2013-03-14 2014-09-25 Rf Micro Devices, Inc Noise conversion gain limited rf power amplifier
WO2014152903A2 (en) 2013-03-14 2014-09-25 Rf Micro Devices, Inc Envelope tracking power supply voltage dynamic range reduction
US9935760B2 (en) * 2013-04-16 2018-04-03 Qorvo Us, Inc. Tunable filter for LTE bands
US9479118B2 (en) 2013-04-16 2016-10-25 Rf Micro Devices, Inc. Dual instantaneous envelope tracking
KR101738730B1 (ko) 2013-04-23 2017-05-22 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 전력 증폭기 시스템에서의 엔벨로프 정형화 장치 및 방법
CA2814303A1 (en) 2013-04-26 2014-10-26 Cellphone-Mate, Inc. Apparatus and methods for radio frequency signal boosters
GB2516979A (en) * 2013-08-09 2015-02-11 Univ Surrey Predistortion in satellite signal transmission systems
US9374005B2 (en) 2013-08-13 2016-06-21 Rf Micro Devices, Inc. Expanded range DC-DC converter
KR20160058855A (ko) 2013-09-17 2016-05-25 파커비전, 인크. 정보를 포함하는 시간의 함수를 렌더링하기 위한 방법, 장치 및 시스템
EP2882099A1 (en) * 2013-12-03 2015-06-10 Freescale Semiconductor, Inc. Multiple-state, switch-mode power amplifier systems and methods of their operation
US9768745B2 (en) * 2013-12-24 2017-09-19 Ooo Siemens Arrangement and method for radio-frequency (RF) high power generation
US9473084B2 (en) * 2014-01-03 2016-10-18 Htc Corporation Power amplifying apparatus
JP6325337B2 (ja) * 2014-05-16 2018-05-16 Ｎｅｃプラットフォームズ株式会社 送信機および送信方法
US9614476B2 (en) 2014-07-01 2017-04-04 Qorvo Us, Inc. Group delay calibration of RF envelope tracking
US9467095B2 (en) * 2014-10-13 2016-10-11 Intel Corporation Switchable dual core power amplifier
US10211868B2 (en) * 2014-10-21 2019-02-19 Maxlinear, Inc. Phase noise suppression
US10312995B2 (en) 2014-12-11 2019-06-04 Space Systems/Loral, Llc Digital payload with variable high power amplifiers
KR102340344B1 (ko) 2015-02-05 2021-12-21 한국전자통신연구원 광대역 주파수 선택이 가능한 재구성 전력 증폭 장치 및 그 방법
JP2016149743A (ja) * 2015-02-15 2016-08-18 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 整合ネットワークの排除によりサイズが低減された電力増幅器
US9893684B2 (en) 2015-02-15 2018-02-13 Skyworks Solutions, Inc. Radio-frequency power amplifiers driven by boost converter
US9866182B2 (en) 2015-05-15 2018-01-09 Crocus Technology Inc. MRAM-based pre-distortion linearization and amplification circuits
US9685907B2 (en) 2015-06-30 2017-06-20 Texas Instruments Incorporated Variable gain power amplifiers
US9912297B2 (en) 2015-07-01 2018-03-06 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking power converter circuitry
US9941844B2 (en) 2015-07-01 2018-04-10 Qorvo Us, Inc. Dual-mode envelope tracking power converter circuitry
FR3043513B1 (fr) * 2015-11-10 2017-12-22 Thales Sa Procede de caracterisation des performances d'une charge utile d'un satellite en orbite et systeme de test iot associe
US9590668B1 (en) 2015-11-30 2017-03-07 NanoSemi Technologies Digital compensator
EP4293900A3 (en) * 2015-12-01 2024-03-27 Vanchip (Tianjin) Technology Co. Ltd Multimode power amplifier module, chip and communication terminal
JP2017103655A (ja) 2015-12-02 2017-06-08 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
CN105846785B (zh) * 2016-03-22 2019-01-15 无锡中感微电子股份有限公司 功率放大器的非线性预失真补偿电路、补偿系统及方法
US9973147B2 (en) 2016-05-10 2018-05-15 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking power management circuit
US10298187B2 (en) * 2016-08-12 2019-05-21 Qualcomm Incorporated Selective high and low power amplifier switch architecture
EP3523856A4 (en) 2016-10-07 2020-06-24 NanoSemi, Inc. DIGITAL BEAM ORIENTATION PREDISTORSION
JP6849398B2 (ja) * 2016-11-07 2021-03-24 ラピスセミコンダクタ株式会社 増幅回路、送信回路及び駆動電流生成方法
JP2018085560A (ja) * 2016-11-21 2018-05-31 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
JP2018098766A (ja) 2016-12-09 2018-06-21 株式会社村田製作所 バイアス回路
US10148226B2 (en) 2016-12-09 2018-12-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Bias circuit
KR20190121825A (ko) * 2017-02-25 2019-10-28 나노세미, 인크. 멀티밴드 디지털 전치왜곡기
US10141961B1 (en) 2017-05-18 2018-11-27 Nanosemi, Inc. Passive intermodulation cancellation
US10931318B2 (en) * 2017-06-09 2021-02-23 Nanosemi, Inc. Subsampled linearization system
US11115067B2 (en) 2017-06-09 2021-09-07 Nanosemi, Inc. Multi-band linearization system
US10581470B2 (en) 2017-06-09 2020-03-03 Nanosemi, Inc. Linearization system
US11323188B2 (en) 2017-07-12 2022-05-03 Nanosemi, Inc. Monitoring systems and methods for radios implemented with digital predistortion
WO2019070573A1 (en) 2017-10-02 2019-04-11 Nanosemi, Inc. DIGITAL PREDISTORSION ADJUSTMENT BASED ON DETERMINATION OF CHARGE CHARACTERISTICS
KR102370926B1 (ko) * 2017-11-02 2022-03-08 삼성전자주식회사 안테나를 포함하는 전자 장치
FR3077942A1 (fr) * 2018-02-15 2019-08-16 Stmicroelectronics (Rousset) Sas Controleur nfc
US10476437B2 (en) 2018-03-15 2019-11-12 Qorvo Us, Inc. Multimode voltage tracker circuit
US10735045B2 (en) 2018-04-23 2020-08-04 Qorvo Us, Inc. Diplexer circuit
US10644657B1 (en) 2018-05-11 2020-05-05 Nanosemi, Inc. Multi-band digital compensator for a non-linear system
WO2019217811A1 (en) 2018-05-11 2019-11-14 Nanosemi, Inc. Digital compensator for a non-linear system
US10931238B2 (en) 2018-05-25 2021-02-23 Nanosemi, Inc. Linearization with envelope tracking or average power tracking
CN112640299A (zh) 2018-05-25 2021-04-09 纳诺塞米有限公司 变化操作条件下的数字预失真
US11863210B2 (en) 2018-05-25 2024-01-02 Nanosemi, Inc. Linearization with level tracking
US10915157B2 (en) * 2019-02-14 2021-02-09 Qualcomm Incorporated Dynamic power switch control scheme
JP2021106361A (ja) 2019-12-27 2021-07-26 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
CN113132279A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 中兴通讯股份有限公司 一种预失真处理方法、装置、设备和存储介质
US10992326B1 (en) 2020-05-19 2021-04-27 Nanosemi, Inc. Buffer management for adaptive digital predistortion
WO2022118763A1 (ja) * 2020-12-02 2022-06-09 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US11729040B2 (en) * 2021-09-24 2023-08-15 Cypress Semiconductor Corporation Coarse and fine compensation for frequency error
WO2024185384A1 (ja) * 2023-03-06 2024-09-12 株式会社村田製作所 電力増幅システム、電力増幅回路及び電力増幅方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US60000A (en) * 1866-11-27 Philandek haklow
JPH03104408A (ja) 1989-09-19 1991-05-01 Fujitsu Ltd 電力増幅器
US5276912A (en) * 1990-02-06 1994-01-04 Motorola, Inc. Radio frequency power amplifier having variable output power
JPH06507775A (ja) * 1992-03-13 1994-09-01 モトローラ・インコーポレイテッド 電力増幅器結合回路
US5530923A (en) * 1994-03-30 1996-06-25 Nokia Mobile Phones Ltd. Dual mode transmission system with switched linear amplifier
JP3444653B2 (ja) * 1994-06-09 2003-09-08 三菱電機株式会社 電力増幅器
US5661434A (en) * 1995-05-12 1997-08-26 Fujitsu Compound Semiconductor, Inc. High efficiency multiple power level amplifier circuit
EP0795956B1 (en) * 1995-09-29 2003-10-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Power amplifier and communication device
US5774017A (en) * 1996-06-03 1998-06-30 Anadigics, Inc. Multiple-band amplifier
JPH10190378A (ja) 1996-12-27 1998-07-21 Nec Corp 超高効率線形増幅器
US5834975A (en) * 1997-03-12 1998-11-10 Rockwell Science Center, Llc Integrated variable gain power amplifier and method
JP2000244264A (ja) 1999-02-24 2000-09-08 Hitachi Ltd 高周波電力増幅装置
JP2000278109A (ja) 1999-03-19 2000-10-06 Fujitsu Ltd 高周波スイッチ、切替型高周波スイッチ、および切替型高周波電力増幅器
JP3790086B2 (ja) 2000-03-23 2006-06-28 日本電信電話株式会社 高周波電力増幅器
JP3895532B2 (ja) * 2000-09-11 2007-03-22 株式会社ルネサステクノロジ 高周波電力増幅装置及び無線通信機
JP2002135060A (ja) 2000-10-19 2002-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電力増幅装置及び方法
FR2816132B1 (fr) * 2000-10-31 2003-02-07 Agence Spatiale Europeenne Dispositif reconfigurable pour amplifier des signaux rf
JP2002330030A (ja) 2001-05-01 2002-11-15 Mitsubishi Electric Corp 高周波集積回路
US6400227B1 (en) * 2001-05-31 2002-06-04 Analog Devices, Inc. Stepped gain controlled RF driver amplifier in CMOS
JP3965284B2 (ja) 2001-09-11 2007-08-29 株式会社ルネサステクノロジ 高周波増幅装置及び送受信装置
JP3877558B2 (ja) * 2001-09-11 2007-02-07 株式会社ルネサステクノロジ 高周波電力増幅器、高周波電力増幅器モジュール及び携帯電話機
JP3932259B2 (ja) * 2001-12-12 2007-06-20 株式会社ルネサステクノロジ 高周波電力増幅回路および無線通信用電子部品
JP2005110327A (ja) 2001-12-12 2005-04-21 Renesas Technology Corp 高周波電力増幅用電子部品および高周波電力増幅システム
JP2003309436A (ja) 2002-04-15 2003-10-31 Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc 増幅回路及び電力制御方法
US6794935B2 (en) * 2002-10-17 2004-09-21 Motorola Inc. Power amplification circuit and method for supplying power at a plurality of desired power output levels
WO2004038910A2 (en) * 2002-10-22 2004-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Predistortion linearizing
JP2005020476A (ja) 2003-06-27 2005-01-20 Renesas Technology Corp 高周波電力増幅回路および無線通信システム
US7170341B2 (en) * 2003-08-05 2007-01-30 Motorola, Inc. Low power consumption adaptive power amplifier
US20050111574A1 (en) * 2003-09-30 2005-05-26 Jan-Erik Muller Transmission device with digital predistortion, and method for regulating predistortion in a transmission device
JP4175545B2 (ja) 2004-09-03 2008-11-05 ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 無線通信端末
JP4029086B2 (ja) 2004-09-16 2008-01-09 松下電器産業株式会社 送信装置および携帯通信端末装置
JP2006186956A (ja) * 2004-12-03 2006-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd マルチモード送信回路、マルチモード送受信回路及びそれを用いた無線通信装置
JP5184754B2 (ja) 2005-05-12 2013-04-17 ソニーモバイルコミュニケーションズ株式会社 歪み補償装置及び無線通信装置
US7711070B2 (en) 2005-08-25 2010-05-04 Qualcomm, Incorporated Method and apparatus for control of transmitter power consumption
US8116704B2 (en) * 2006-11-09 2012-02-14 Parkervision, Inc. Switching power supply
EP2005602A1 (en) * 2006-03-30 2008-12-24 Nxp B.V. Multi-mode radio transmitters and a method of their operation
JP2007329642A (ja) 2006-06-07 2007-12-20 Renesas Technology Corp Ｒｆ電力増幅装置
US7817962B2 (en) * 2006-06-29 2010-10-19 Broadcom Corporation Polar transmitter amplifier with variable output power
JP4614238B2 (ja) * 2006-07-14 2011-01-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Ｒｆ電力増幅装置
US7853290B2 (en) * 2007-10-29 2010-12-14 Infineon Technologies Ag Transmitter arrangement
US8160520B2 (en) * 2008-05-09 2012-04-17 Javelin Semiconductor, Inc. Supply control for multiple power modes of a power amplifier
US8232857B1 (en) * 2009-04-15 2012-07-31 Triquint Semiconductor, Inc. Flux-coupled transformer for power amplifier output matching

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102122922A (zh) * 2011-02-22 2011-07-13 雷良军 多模功率放大器及相应的移动通信设备
US9184772B2 (en) 2011-10-25 2015-11-10 Mediatek Inc. Electronic devices for RF front end signal processing
CN103078652A (zh) * 2011-10-25 2013-05-01 联发科技股份有限公司 电子装置
CN103078652B (zh) * 2011-10-25 2015-06-10 联发科技股份有限公司 电子装置
CN102404021A (zh) * 2011-11-04 2012-04-04 中兴通讯股份有限公司 双工放大模块、射频前端模块和多模终端
CN102404022A (zh) * 2011-11-04 2012-04-04 中兴通讯股份有限公司 功率放大模块、射频前端模块和多模终端
CN102510297A (zh) * 2011-11-04 2012-06-20 中兴通讯股份有限公司 功率放大模块、多模射频收发器、双工器和多模终端
WO2013063924A1 (zh) * 2011-11-04 2013-05-10 中兴通讯股份有限公司 功率放大模块、射频前端模块和多模终端
WO2013063931A1 (zh) * 2011-11-04 2013-05-10 中兴通讯股份有限公司 双工放大模块、射频前端模块和多模终端
CN103178790A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 射频小型装置公司 多模射频放大装置
CN103178790B (zh) * 2011-12-26 2018-02-06 Qorvo美国公司 多模射频放大装置
CN104144527A (zh) * 2013-05-10 2014-11-12 深圳富泰宏精密工业有限公司 无线通信装置
CN104144527B (zh) * 2013-05-10 2019-02-26 深圳富泰宏精密工业有限公司 无线通信装置
CN105099371A (zh) * 2014-05-06 2015-11-25 天工方案公司 与功率放大器中低功率效率改善相关的系统、电路和方法
WO2015117433A1 (zh) * 2014-07-16 2015-08-13 中兴通讯股份有限公司 一种射频装置
CN105450238A (zh) * 2014-09-24 2016-03-30 三星电子株式会社 处理发送信号的发送器和方法
CN105450238B (zh) * 2014-09-24 2018-11-06 三星电子株式会社 处理发送信号的发送器和方法
CN105811893A (zh) * 2016-04-20 2016-07-27 广东工业大学 一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构
CN105811893B (zh) * 2016-04-20 2019-05-21 广东工业大学 一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构
CN108696286A (zh) * 2017-04-07 2018-10-23 庄晴光 电磁信号侦测电路与侦测方法
WO2018184127A1 (zh) * 2017-04-07 2018-10-11 庄晴光 电磁信号侦测电路与侦测方法
CN108494372A (zh) * 2018-02-07 2018-09-04 南京中感微电子有限公司 非线性补偿功率放大电路和极坐标发射机
CN108494372B (zh) * 2018-02-07 2021-10-26 南京中感微电子有限公司 非线性补偿功率放大电路和极坐标发射机
CN111543015A (zh) * 2018-06-20 2020-08-14 联发科技股份有限公司 在ue处利用全tx功率进行ul传送
WO2019242679A1 (en) * 2018-06-20 2019-12-26 Mediatek Inc. Ul transmission utilizing full tx power at ue
CN111543015B (zh) * 2018-06-20 2023-12-19 联发科技股份有限公司 用户设备及其无线通信方法
CN113050907A (zh) * 2019-12-26 2021-06-29 精工爱普生株式会社 图像显示装置、馈电系统和图像显示装置的馈电方法
CN113050907B (zh) * 2019-12-26 2024-06-14 精工爱普生株式会社 图像显示装置、馈电系统和图像显示装置的馈电方法
CN111446929A (zh) * 2020-04-01 2020-07-24 锐石创芯（深圳）科技有限公司 一种射频功率放大器及控制方法
CN113676191A (zh) * 2021-08-12 2021-11-19 Oppo广东移动通信有限公司 发射模组、射频系统及通信设备
CN113676191B (zh) * 2021-08-12 2022-12-27 Oppo广东移动通信有限公司 发射模组、射频系统及通信设备

Also Published As

Publication number Publication date
US8718582B2 (en) 2014-05-06
JP2011512098A (ja) 2011-04-14
JP6046091B2 (ja) 2016-12-14
KR101126994B1 (ko) 2012-03-27
JP2015046883A (ja) 2015-03-12
TW201004129A (en) 2010-01-16
EP2253064A1 (en) 2010-11-24
EP2253064B1 (en) 2016-03-30
US20090201084A1 (en) 2009-08-13
KR20100116656A (ko) 2010-11-01
CN101965682B (zh) 2016-03-16
WO2009100381A1 (en) 2009-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101965682B (zh) 多模式功率放大器
JP2011512098A5 (zh)
US9813029B2 (en) Differential amplifier linearization in a radio frequency system
US6404823B1 (en) Envelope feedforward technique with power control for efficient linear RF power amplification
US11082008B2 (en) Multi-mode stacked amplifier
CA2234335C (en) High efficiency power amplifier
CN101702618B (zh) 射频线性功率放大器的增益控制
US8548400B2 (en) System and method for polar modulation using power amplifier bias control
US20070139105A1 (en) Doherty amplifier configuration for a collector controlled power amplifier
US7260368B1 (en) Linear amplification with non-linear components (LINC) modulator and method for generating out-phased signals for a LINC transmitter
WO2005036739A1 (ja) 送信装置、送信出力制御方法、および無線通信装置
Huang et al. An ultra-compact, linearly-controlled variable phase shifter designed with a novel RC poly-phase filter
Li et al. A highly efficient SiGe differential power amplifier using an envelope-tracking technique for 3GPP LTE applications
US11949390B2 (en) Load modulated balanced power amplifier integrated circuits including transformer-based hybrid splitter/combiner circuits
US20170063316A1 (en) High Efficiency Ultra-Wideband Amplifier
US10218326B2 (en) Source follower based envelope tracking for power amplifier biasing
CN1856940A (zh) 中频/射频反馈回路中的包络错误提取
US7224222B2 (en) High efficiency linear RF amplifier
WO2010075645A1 (zh) 一种改善射频功率放大器线性度的方法与装置
Yang et al. Millimeter-Wave Quadrature Mixed-Mode Transmitter With Distributed Parasitic Canceling and LO Leakage Self-Suppression
Yum et al. High-efficiency linear RF Amplifier-a unified circuit approach to achieving compactness and low distortion
Lee et al. A CMOS power amplifier for multi-mode LINC architecture
US7164319B2 (en) Power amplifier with multi mode gain circuit
EP4293897A2 (en) Doherty power amplifier system
Ghannouchi Software-defined radio transmitters for advanced wireless and satellite communications systems

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant