CN105811893A - 一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构 - Google Patents

一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构 Download PDF

Info

Publication number
CN105811893A
CN105811893A CN201610248036.0A CN201610248036A CN105811893A CN 105811893 A CN105811893 A CN 105811893A CN 201610248036 A CN201610248036 A CN 201610248036A CN 105811893 A CN105811893 A CN 105811893A
Authority
CN
China
Prior art keywords
envelope
frequency
power amplifier
amplifier
circuit structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610248036.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105811893B (zh
Inventor
林俊明
章国豪
张志浩
余凯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhenzhi microchip (Guangzhou) Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Guangdong University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong University of Technology filed Critical Guangdong University of Technology
Priority to CN201610248036.0A priority Critical patent/CN105811893B/zh
Publication of CN105811893A publication Critical patent/CN105811893A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105811893B publication Critical patent/CN105811893B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3241Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构,电路结构包括电源调制器,低频段放大器模块和高频段放大器模块,电源调制器连接低频段放大器模块,高频段和低频段放大器模块均由低功率和高功率放大器并联组成,所有功率放大器共连共用一个可重构式输出匹配网络。该结构实现了一种高效率且适用于多模多频的射频功率放大器,本发明结合数字信号处理技术、开关切换技术和可重构技术,提高了功率放大器的整体效率、线性度和集成度。本发明采用数字预失真校准的信号处理技术和差分堆叠式功率放大器结构来提高线性度,从而实现满足3G/4G的高线性度要求而效率也保持在较高水平。

Description

一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构
技术领域
本发明涉及一种放大器电路,尤其涉及一种射频功率放大器的电路。
背景技术
射频功率放大器是各种无线通信设备不可缺少的重要组成部分,能将微弱的信号通过无失真地放大,并通过天线辐射出去。随着无线通信技术的发展,智能移动手机得到迅猛的发展,且需要满足广大用户高速数据流的用户体验。因此,现代移动通信系统大多采用高频谱效率的调制方式,如QPSK和OFDM等,典型的代表为3G和4G移动通信技术,而此类信号具有较高的均峰比,因此,当射频功率放大器工作于功率回退区时,效率较低。随着全球化的不断演进,为满足不同地区的用户的需求,智能手机必须满足多模多频的要求,例如,一台手机能同时在两个不同网络制式的工作环境下使用,这对射频功率放大器的设计提高了严峻的挑战。在中国专利201510219484.3中,提出了一种自动对齐的包络跟踪功率放大器结构,该结构采用单级的包络调制器、检波器和延时电路,因此该电路结构较为复杂,且体积庞大。另外,该结构并不能较好地实现对反馈信号进行实现补偿和校准。
发明内容
在中国专利201510219484.3中,提出了一种自动对齐的包络跟踪功率放大器结构,该结构采用单级的包络调制器、检波器和延时电路,因此该电路结构较为复杂,且体积庞大。另外,该结构并不能较好地实现对反馈信号进行实现补偿和校准。本发明以第四代无线通信LTE-FDD-A/TD-LTE-A为主,同时向后兼容LTE-FDD/TD-LTE(3.9G)、WCDMA/TD-SCDMA(3G)、GSM/EDGE(2G),结合数模混合式的独特的电路架构,提供一种面向智能手机等移动智能终端的高性能、高集成度的多模多频射频功率放大器的电路结构,其通过以下技术方案实现:
一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构,所述电路结构包括电源调制器,低频段放大器模块和高频段放大器模块,所述电源调制器连接所述低频段放大器模块,所述高频段和低频段放大器模块均由低功率和高功率放大器并联组成,所有所述功率放大器共连共用一个可重构式输出匹配网络,该输出匹配网络可自动调节负载的阻抗变换比,从而实现每个频率段的最佳输出阻抗。
进一步地,所述电路结构还包括内设DSP处理器的与所述电源调制器相连的数字基带,DSP处理器通过精确估计时延,产生慢转换速率的信号包络和射频信号(同相和正交信号),减缓包络放大器对转换速率的要求。
进一步地,所述数字基带还包括数字预失真和慢包络控制信号产生电路,来进一步提高功率放大器的整体的线性度。
进一步地,所述电源调制器包括由开关控制的并联的线性包络放大器和开关式包络放大器;在需要高转换速率时,线性包络放大器工作,而开关式包络放大器关断,提高电源调制器的线性度;反之,在所需的转换速率较低时,开关式包络放大器工作,提高电源调制器的效率,从而提高整体效率。
进一步地,所述所有功率放大器均为通过输出端口延迟180度的混合型功率分配器实现信号反相分配与合并的伪差分结构,减小输入输出电压驻波比。
进一步地,所述所有功率放大器均包括采用数字控制的非线性补偿偏置电路,来提高线性度。
本发明还提供一种包含所述包络跟踪射频功率放大器电路结构的多频多模的包络跟踪射频功率放大器电路结构,所述数字基带通过两路D/A转换器、滤波器连接正交调制器并进而通过频率开关分别连接所述低频段放大器模块和高频段放大器模块,所述数字基带通过一路D/A转换器、滤波器连接所述电源调制器;所述数字基带通过一路A/D转换器、滤波器连接下变频调制器并进而连接天线;所述天线与所述包络跟踪射频功率放大器电路的输出匹配网络相连。
多频多模的包络跟踪射频功率放大器电路结构的工作状态分为发射和接收两种;当模组处于发射状态时,数字基带部分一方面根据用户数据自动生成I、Q信号的数字信号,经过D/A转换和低通滤波后,生成I、Q模拟信号,然后经过正交调制器转换成适合传输的高频调制信号,最后,数字基带根据信号频率的高低和调制方式自动切换高/低频率开关和功率开关。另一方面,数据基带部分还根据信号的调制方式,自动生成所需要包络信号的数字信号和切换包络放大器的开关,并通过D/A和低通滤波器转换成模拟包络信号,该包络信号可以控制功率放大器的工作电压。当模组处于接收状态时,接收的信号经天线耦合到下变频调制器,转换后的信号经过带通滤波器和D/A转换到达数字基带部分。
进一步地,所述电源调制器设有带有负温度系数补偿功能的双电阻负反馈纹波消除电路。纹波是电源调制器的一个重要参数,纹波越小,则电路的线性度越高,而DCToDC的转换速度会越小。为了效率和纹波的折中考虑,采用带有负温度系数的双电阻负反馈电路来平滑纹波,而电源调制器的效率设计为80%。
本发明的有益效果:本发明提供一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构,该结构实现了一种高效率且适用于多模多频的射频功率放大器,本发明结合数字信号处理技术、开关切换技术和可重构技术,提高了功率放大器的整体效率、线性度和集成度。本发明采用数字预失真校准的信号处理技术和差分堆叠式功率放大器结构来提高线性度,从而实现满足3G/4G的高线性度要求而效率也保持在较高水平。
附图说明
图1是实施例的电路结构图。
图2是实施例的线性包络放大器的电路结构图。
图3是实施例的开关式包络放大器的电路结构图。
图4是实施例的伪差分功率放大器电路结构图。
附图标记说明:图中HP为高功率放大器;LP为低功率放大器。
具体实施方式
本发明的一个较佳实施例,一种包含所述包络跟踪射频功率放大器电路结构的多频多模的包络跟踪射频功率放大器电路结构,包括电源调制器,低频段放大器模块和高频段放大器模块,内设DSP处理器的与所述电源调制器相连的数字基带,所述电源调制器连接所述低频段放大器模块,所述高频段和低频段放大器模块均由低功率和高功率放大器并联组成,所有所述功率放大器共连共用一个可重构式输出匹配网络,所述数字基带还包括数字预失真和慢包络控制信号产生电路。所述电源调制器包括由开关控制的并联的线性包络放大器和开关式包络放大器;在需要高转换速率时,线性包络放大器工作,而开关式包络放大器关断;在所需的转换速率较低时,开关式包络放大器工作。所述所有功率放大器均为通过输出端口延迟180度的混合型功率分配器实现信号反相分配与合并的伪差分结构。所述所有功率放大器均包括设有数字控制的非线性补偿偏置电路。所述数字基带通过两路D/A转换器、滤波器连接正交调制器并进而通过频率开关分别连接所述低频段放大器模块和高频段放大器模块,所述数字基带通过一路D/A转换器、滤波器连接所述电源调制器;所述数字基带通过一路A/D转换器、滤波器连接下变频调制器并进而连接天线;所述天线与所述包络跟踪射频功率放大器电路的输出匹配网络相连。所述射频功率放大器电路结构的工作状态分为发射和接收两种;当模组处于发射状态时,数字基带部分一方面根据用户数据自动生成I、Q信号的数字信号,经过D/A转换和低通滤波后,生成I、Q模拟信号,然后经过正交调制器转换成适合传输的高频调制信号,最后,数字基带根据信号频率的高低和调制方式自动切换高/低频率开关和功率开关。另一方面,数据基带部分还根据信号的调制方式,自动生成所需要包络信号的数字信号和切换包络放大器的开关,并通过D/A和低通滤波器转换成模拟包络信号,该包络信号可以控制功率放大器的工作电压。当模组处于接收状态时,接收的信号经天线耦合到下变频调制器,转换后的信号经过带通滤波器和D/A转换到达数字基带部分。所述电源调制器设有带有负温度系数补偿功能的双电阻负反馈纹波消除电路,而电源调制器的效率设计为80%。
本实施例的电路结构结合数模混合式的独特的电路架构,结合收发机的基带处理器,双路并联的电源调制器,低频双功率射频功率放大器,高频双功率射频功率放大器和可重构式匹配网络,实现了一种高效率且适用于多模多频的射频功率放大器。该电路该射频功率放大器工作于高均峰比调制信号的场合,并能提高射频功率放大器的整体效率。

Claims (8)

1.一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构,其特征在于:所述电路结构包括电源调制器,低频段放大器模块和高频段放大器模块,所述电源调制器连接所述低频段放大器模块,所述高频段和低频段放大器模块均由低功率和高功率放大器并联组成,所有所述功率放大器共连共用一个可重构式输出匹配网络。
2.根据权利要求1所述的包络跟踪射频功率放大器的电路结构,其特征在于:所述电路结构还包括内设DSP处理器的与所述电源调制器相连的数字基带。
3.根据权利要求2所述的包络跟踪射频功率放大器的电路结构,其特征在于:所述数字基带还包括数字预失真和慢包络控制信号产生电路。
4.根据权利要求3所述的包络跟踪射频功率放大器的电路结构,其特征在于:所述电源调制器包括由开关控制的并联的线性包络放大器和开关式包络放大器;在需要高转换速率时,线性包络放大器工作,而开关式包络放大器关断,在所需的转换速率较低时,开关式包络放大器工作。
5.根据权利要求4所述的包络跟踪射频功率放大器的电路结构,其特征在于:所述所有功率放大器均为通过输出端口延迟180度的混合型功率分配器实现信号反相分配与合并的伪差分结构。
6.根据权利要求5所述的包络跟踪射频功率放大器的电路结构,其特征在于:所述所有功率放大器均包括设有数字控制的非线性补偿偏置电路。
7.一种包含权利要求5所述的包络跟踪射频功率放大器电路结构的多频多模的包络跟踪射频功率放大器电路结构,其特征在于:所述数字基带通过两路D/A转换器、滤波器连接正交调制器并进而通过频率开关分别连接所述低频段放大器模块和高频段放大器模块,所述数字基带通过一路D/A转换器、滤波器连接所述电源调制器;所述数字基带通过一路A/D转换器、滤波器连接下变频调制器并进而连接天线;所述天线与所述包络跟踪射频功率放大器电路的输出匹配网络相连。
8.根据权利要求7所述的多频多模的包络跟踪射频功率放大器电路结构,其特征在于:所述电源调制器设有带有负温度系数补偿功能的双电阻负反馈纹波消除电路。
CN201610248036.0A 2016-04-20 2016-04-20 一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构 Active CN105811893B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610248036.0A CN105811893B (zh) 2016-04-20 2016-04-20 一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610248036.0A CN105811893B (zh) 2016-04-20 2016-04-20 一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105811893A true CN105811893A (zh) 2016-07-27
CN105811893B CN105811893B (zh) 2019-05-21

Family

ID=56457464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610248036.0A Active CN105811893B (zh) 2016-04-20 2016-04-20 一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105811893B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018023215A1 (zh) * 2016-07-30 2018-02-08 华为技术有限公司 包络调制器、包络跟踪功率放大器及通信设备
CN108199692A (zh) * 2017-12-14 2018-06-22 中国电子科技集团公司第十三研究所 半导体微波集成电路及其功率放大装置
CN108206703A (zh) * 2016-12-20 2018-06-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 射频发射电路、发射机及用户终端
CN112311415A (zh) * 2019-07-24 2021-02-02 三星电子株式会社 电子装置及其无线通信系统
WO2021129781A1 (zh) * 2019-12-26 2021-07-01 华为技术有限公司 无线通信系统、供电系统及终端设备
WO2023001175A1 (zh) * 2021-07-20 2023-01-26 华为技术有限公司 信号处理方法和信号处理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101965682A (zh) * 2008-02-08 2011-02-02 高通股份有限公司 多模式功率放大器
CN101997496A (zh) * 2010-09-15 2011-03-30 爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司 可重构功率放大器集成电路
CN102299689A (zh) * 2011-06-29 2011-12-28 清华大学 基于包络跟踪技术的高效率双频功率放大器的设计方法
CN104185953A (zh) * 2012-02-09 2014-12-03 天工方案公司 用于包络跟踪的装置和方法
CN206099910U (zh) * 2016-04-20 2017-04-12 广东工业大学 包络跟踪射频功率放大器的电路结构

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101965682A (zh) * 2008-02-08 2011-02-02 高通股份有限公司 多模式功率放大器
CN101997496A (zh) * 2010-09-15 2011-03-30 爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司 可重构功率放大器集成电路
CN102299689A (zh) * 2011-06-29 2011-12-28 清华大学 基于包络跟踪技术的高效率双频功率放大器的设计方法
CN104185953A (zh) * 2012-02-09 2014-12-03 天工方案公司 用于包络跟踪的装置和方法
CN206099910U (zh) * 2016-04-20 2017-04-12 广东工业大学 包络跟踪射频功率放大器的电路结构

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
B. LEITE: "60 GHz 28 nm CMOS transformer-coupled power amplifier for WiGig applications", 《ELECTRONIC LETTERS》 *
ZHANCANG WANG: "《Envelope Tracking Power Amplifiers for Wireless Communications》", 31 December 2014, ARTECH HOUSE *
郑瑞青等: "应用于2G/3G移动通讯的多频多模高次谐波抑制功率放大器", 《射频与微波》 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018023215A1 (zh) * 2016-07-30 2018-02-08 华为技术有限公司 包络调制器、包络跟踪功率放大器及通信设备
CN109417394A (zh) * 2016-07-30 2019-03-01 华为技术有限公司 包络调制器、包络跟踪功率放大器及通信设备
CN109417394B (zh) * 2016-07-30 2020-03-10 华为技术有限公司 包络调制器、包络跟踪功率放大器及通信设备
CN108206703A (zh) * 2016-12-20 2018-06-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 射频发射电路、发射机及用户终端
CN108206703B (zh) * 2016-12-20 2020-05-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 射频发射电路、发射机及用户终端
CN108199692A (zh) * 2017-12-14 2018-06-22 中国电子科技集团公司第十三研究所 半导体微波集成电路及其功率放大装置
CN112311415A (zh) * 2019-07-24 2021-02-02 三星电子株式会社 电子装置及其无线通信系统
US11502760B2 (en) 2019-07-24 2022-11-15 Samsung Electronics Co., Ltd Electronic device and wireless communication system thereof
US11943001B2 (en) 2019-07-24 2024-03-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device and wireless communication system thereof
WO2021129781A1 (zh) * 2019-12-26 2021-07-01 华为技术有限公司 无线通信系统、供电系统及终端设备
WO2023001175A1 (zh) * 2021-07-20 2023-01-26 华为技术有限公司 信号处理方法和信号处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105811893B (zh) 2019-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11469714B2 (en) Automated envelope tracking system
CN105811893A (zh) 一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构
US12051999B2 (en) Envelope tracking system with modeling of a power amplifier supply voltage filter
US20220085765A1 (en) Multi-level envelope tracking systems with adjusted voltage steps
CN104124929B (zh) 用于在功率放大器系统中包络整形的装置和方法
EP3771093A1 (en) Balanced radio frequency power amplifier, chip and communication terminal
US9107167B2 (en) Envelope tracking signal bandwidth control
JP4554593B2 (ja) ソフトウェアによって規定される多数の送信アーキテクチャ
EP3018874B1 (en) Wireless transceiver
US20220085764A1 (en) Multi-level envelope tracking systems with separate dc and ac paths
US20140327483A1 (en) Complementary metal oxide semiconductor power amplifier
CN101621304B (zh) 一种收发信机
CN102694566A (zh) 用于调谐无线通信设备中的天线的系统和方法
CN102664653A (zh) 移动终端及其具有射频数模转换式线性发射机的射频前端
US20220255508A1 (en) Load modulated doherty power amplifiers
CN202551096U (zh) 一种信号发射机
CN110504986B (zh) 收发隔离电路、tdd无线收发电路和基站
CN202818280U (zh) 移动终端及其具有射频数模转换式线性发射机的射频前端
CN206099910U (zh) 包络跟踪射频功率放大器的电路结构
CN103944603A (zh) 半导体模块
US20220385237A1 (en) Load modulated power amplifiers
CN103067041B (zh) 终端及其通信方法
CN101938292B (zh) 多模式多标准手机射频收发机
WO2010075645A1 (zh) 一种改善射频功率放大器线性度的方法与装置
CN108574497B (zh) 带有线性化技术的宽带发射方法、装置和系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220303

Address after: 510700 Room 305, No. 11, caipin Road, Huangpu District, Guangzhou, Guangdong

Patentee after: Zhenzhi microchip (Guangzhou) Technology Co.,Ltd.

Address before: 510090 Dongfeng East Road 729, Yuexiu District, Guangzhou City, Guangdong Province

Patentee before: GUANGDONG University OF TECHNOLOGY