JP2015046883A - 複数モード電力増幅器 - Google Patents
複数モード電力増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015046883A JP2015046883A JP2014192553A JP2014192553A JP2015046883A JP 2015046883 A JP2015046883 A JP 2015046883A JP 2014192553 A JP2014192553 A JP 2014192553A JP 2014192553 A JP2014192553 A JP 2014192553A JP 2015046883 A JP2015046883 A JP 2015046883A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- power amplifier
- output
- input signal
- operable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 11
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 7
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
- H03F1/0244—Stepped control
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0277—Selecting one or more amplifiers from a plurality of amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
- H03F1/3282—Acting on the phase and the amplitude of the input signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
- H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/429—Two or more amplifiers or one amplifier with filters for different frequency bands are coupled in parallel at the input or output
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/432—Two or more amplifiers of different type are coupled in parallel at the input or output, e.g. a class D and a linear amplifier, a class B and a class A amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7206—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch in the bias circuit of the amplifier controlling a bias voltage in the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7227—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch in the supply circuit of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7236—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by (a ) switch(es)
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7239—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers and shunting lines by one or more switch(es)
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Abstract
【解決手段】複数の無線技術をサポートする第1の線形電力増幅器を使用して、(例えば、低帯域に対する)第1のRF入力信号を増幅し、第1のRF出力信号を提供し、さらに、複数の無線技術をサポートする第2の線形電力増幅器を使用して、(例えば、高帯域に対する)第2のRF入力信号を増幅し、第2のRF出力信号を提供する。各線形電力増幅器は、並列に結合されている複数(例えば、3つ)のチェーンを含んでいて、各チェーンは、RF入力信号を増幅して、出力電力レベルのそれぞれの範囲に対してRF出力信号を提供するように選択可能である。RF入力信号は、位相変調された信号または直角変調された信号であって、電力増幅器の非線形性に対処するために事前歪処理がなされる。
【選択図】図5A
Description
・線形電力増幅器―WCDMAスペクトルマスク要求を満たすが、EDGEスペクトルマスク要求を満たさない、または、
・非線形電力増幅器―定包絡線信号を有するGSMを除いて、いずれの無線技術に対するスペクトルマスク要求も満たさない。
・チェーン1―低出力電力に対して使用される
・チェーン2―中間出力電力に対して使用される
・チェーン3―高出力電力に対して使用される
チェーン1は、低バイアス電流により動作してもよく、および/または、より小さいサイズのトランジスタにより実現してもよい。チェーン2は、中程度のバイアス電流により動作してもよく、および/または、中間サイズのトランジスタにより実現してもよい。チェーン3は、高バイアス電流により動作してもよく、および/または、より大きなサイズのトランジスタにより実現してもよい。1つの例示的な設計において、最初の増幅器ステージ442は、3つのすべてのチェーンに対して、固定されたバイアス電流を有する。別の例示的な設計において、最初の電力増幅器ステージ442は、チェーン1、2または3が選択されるかどうかに基づいて調整される可変バイアス電流を有する。一般に、各増幅器ステージは、固定されたバイアス電流か、あるいは、出力電力レベルおよび/または他のファクターに基づいて調整してもよい可変バイアス電流を有してもよい。チェーン1、2および3は、異なる出力電力範囲に対して選択されてもよく、したがって、粗い出力電力調整に対して使用されてもよい。RF入力電力レベルを調整することにより、細かい出力電力調整を達成してもよい。
LO信号に直角変調を実行する。ドライバ増幅器970aおよび電力増幅器980aは、変調器960aからのSout1信号を増幅して、RFout1信号を提供する。ドライバ増幅器970bおよび電力増幅器980bは、変調器960bからのSout2信号を増幅して、RFout2信号を提供する。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
装置において、
複数の無線技術をサポートし、第1の無線周波数(RF)入力信号を増幅して第1のRF出力信号を提供するように動作可能な、第1の線形電力増幅器を具備し、
前記第1の線形電力増幅器は、並列に結合されている複数のチェーンを備え、各チェーンは、前記第1のRF入力信号を増幅して、出力電力レベルのそれぞれの範囲に対して、前記第1のRF出力信号を提供するために選択可能である装置。
[C2]
前記複数の無線技術をサポートし、第2のRF入力信号を増幅して第2のRF出力信号を提供するように動作可能な、第2の線形電力増幅器をさらに具備し、
前記第1の線形電力増幅器は、低周波数帯域と高周波数帯域とのうちの一方をサポートし、前記第2の線形電力増幅器は、前記低周波数帯域と高周波数帯域とのうちの他方をサポートしているC1記載の装置。
[C3]
前記低周波数帯域は、1ギガヘルツ(GHz)よりも小さく、前記高周波数帯域は、1GHzよりも大きいC2記載の装置。
[C4]
前記複数のチェーンは、
前記第1のRF入力信号を増幅して、出力電力レベルの第1の範囲に対して前記第1のRF出力信号を提供するために選択可能な第1のチェーンと、
前記第1のRF入力信号を増幅して、前記第1の範囲よりも高い、出力電力レベルの第2の範囲に対して前記第1のRF出力信号を提供するために選択可能な第2のチェーンとを備えるC1記載の装置。
[C5]
前記複数のチェーンは、前記第1のRF入力信号を増幅して、前記第2の範囲に等しいか、または前記第2の範囲よりも高い、出力電力レベルの第3の範囲に対して前記第1のRF出力を提供するために選択可能な第3のチェーンをさらに備えるC4記載の装置。
[C6]
前記第2および第3のチェーンは、より高い出力電力を提供するために同時に選択可能であるC5記載の装置。
[C7]
前記複数のチェーンは、
第1の増幅器ステージを含む第1のチェーンと、
前記第1の増幅器ステージと、少なくとも1つの追加の増幅器ステージとを含む第2のチェーンとを備えるC1記載の装置。
[C8]
前記複数のチェーンは、
第1の増幅器ステージを含む第1のチェーンと、
前記第1の増幅器ステージと、少なくとも1つの中間電力増幅器ステージとを含む第2のチェーンと、
前記第1の増幅器ステージと、少なくとも1つの高電力増幅器ステージとを含む第3のチェーンとを備えるC1記載の装置。
[C9]
前記複数のチェーンは、異なる量の電流によりバイアスがかけられるC1記載の装置。
[C10]
前記複数のチェーンのうちの少なくとも1つのチェーンは、出力電力レベルの異なる範囲に対して、異なる量の電流によりバイアスがかけられるC1記載の装置。
[C11]
前記複数のチェーンは、異なるサイズのトランジスタにより実現されるC1記載の装置。
[C12]
前記複数のチェーンのすべてが、前記複数の無線技術のうちの少なくとも1つの無線技術に対して選択可能であり、前記複数のチェーンの部分集合が、前記複数の無線技術のうちの少なくとも1つの他の無線技術に対して選択可能であるC1記載の装置。
[C13]
前記複数のチェーンのうちの少なくとも2つのチェーンに結合され、前記複数の無線技術のうちの1つの無線技術用に、前記第1のRF出力信号を第1の出力に提供し、前記複数の無線技術のうちの別の1つの無線技術用に、前記第1のRF出力信号を第2の出力に提供するように動作可能なスイッチをさらに具備するC1記載の装置。
[C14]
前記複数の無線技術のうちの少なくとも1つの無線技術用に直角変調を実行し、前記複数の無線技術のうちの少なくとも1つの他の無線技術用にポーラ変調を実行して、変調された信号を提供するように動作可能な変調器と、
前記変調された信号を増幅して、前記第1のRF入力信号を提供するように動作可能なドライバ増幅器とをさらに具備するC1記載の装置。
[C15]
前記第1のRF入力信号は、前記複数の無線技術のうちの1つの無線技術用の、位相変調された信号を含み、前記複数の無線技術のうちの別の1つの無線技術用の、直角変調された信号を含むC1記載の装置。
[C16]
前記第1のRF入力信号は、前記第1の線形電力増幅器の非線形性を補償するために事前に歪まされるC1記載の装置。
[C17]
電源電圧を受け取り、前記第1の線形電力増幅器に対して供給電圧を発生させるように動作可能な、直流(DC)−DC切換え器をさらに具備するC1記載の装置。
[C18]
包絡線信号と電源電圧とを受け取り、前記第1の線形電力増幅器に対して供給電圧を発生させるように動作可能な電圧調整器をさらに具備し、前記供給電圧は、前記包絡線信号からの包絡線情報を含んでいるC1記載の装置。
[C19]
前記包絡線信号は、前記第1の線形電力増幅器の非線形性を補償するために事前に歪まされているC18記載の装置。
[C20]
前記第1の線形電力増幅器は、異なる無線技術用に複数のRF出力を提供するC1記載の装置。
[C21]
前記第1の線形電力増幅器は、異なる周波数帯域に対して複数のRF出力を提供するC1記載の装置。
[C22]
前記第1の線形電力増幅器は、異なる出力電力範囲に対して複数のRF出力を提供するC1記載の装置。
[C23]
前記複数の無線技術は、定包絡線の変調された信号を有する第1の無線技術と、可変包絡線の変調された信号を有する第2の無線技術とを含むC1記載の装置。
[C24]
装置において、
定包絡線を有する無線周波数(RF)入力信号を増幅して、RF出力信号を提供するように動作可能な線形電力増幅器を具備し、
前記線形電力増幅器は、並列に結合されている複数のチェーンを備え、各チェーンは、前記RF入力信号を増幅して、出力電力レベルのそれぞれの範囲に対して前記RF出力信号を提供するために選択可能である装置。
[C25]
ポーラ変調を実行して、位相変調された信号を提供するように動作可能な変調器と、
前記位相変調された信号を増幅して、前記線形電力増幅器の出力を飽和させる前記RF入力信号を提供するように動作可能なドライバ増幅器とをさらに具備するC24記載の装置。
[C26]
包絡線信号と電源電圧とを受け取って、前記線形電力増幅器に対して供給電圧を発生させるように動作可能な電圧調整器をさらに具備し、前記供給電圧は、前記包絡線信号からの包絡線情報を含んでいるC25記載の装置。
[C27]
包絡線信号または電源電圧を受け取って、前記線形電力増幅器に対して供給電圧発生させるように動作可能な、直流(DC)−DC切換え器をさらに具備するC24記載の装置。
[C28]
前記線形電力増幅器は、固定ゲインにより前記RF入力信号を増幅するように動作可能であり、前記RF入力信号は、可変信号レベルを有し、前記RF出力信号の信号レベルは、前記RF入力信号の可変信号レベルを追跡するC24記載の装置。
[C29]
装置において、
無線周波数(RF)入力信号を増幅して、RF出力信号を提供するように動作可能な電力増幅器を具備し、前記RF入力信号は、前記電力増幅器の非線形性を補償するために事前に歪まされており、前記電力増幅器は、並列に結合されている複数のチェーンを備え、各チェーンは、前記RF入力信号を増幅して、出力電力レベルのそれぞれの範囲に対して前記RF出力信号を提供するために選択可能である装置。
[C30]
前記RF出力信号の出力電力レベルに基づいて、前記RF入力信号を、事前に歪ませるか、または、事前に歪ませないように動作可能である事前歪みユニットをさらに具備するC29記載の装置。
[C31]
前記事前歪みユニットは、前記出力電力レベルがしきい値を上回る場合に、前記RF入力信号を事前に歪ませ、前記出力電力レベルが前記しきい値を下回る場合に、前記RF入力信号を事前に歪ませないC30記載の装置。
[C32]
ポーラ変調を実行して、位相変調された信号を提供するように動作可能な変調器と、
前記位相変調された信号を増幅して、前記RF入力信号を提供するように動作可能なドライバ増幅器とをさらに具備するC29記載の装置。
[C33]
包絡線信号または電源電圧を受け取って、前記電力増幅器に対して供給電圧を発生させるように動作可能な、直流(DC)−DC切換え器をさらに具備するC29記載の装置。
[C34]
ワイヤレスデバイスにおいて、
第1の局部発振器(LO)信号を受け取って、第1の変調信号により前記第1のLO信号を変調して、第1の変調された信号を提供するように動作可能な第1の変調器と、
前記第1の変調器に結合され、前記第1の変調された信号を増幅して第1の無線周波数(RF)入力信号を提供するように動作可能な、第1のドライバ増幅器と、
前記第1の変調器に結合され、複数の無線技術をサポートする第1の線形電力増幅器と、
前記第1の線形電力増幅器に結合されているアンテナとを具備し、
前記第1の線形電力増幅器は、前記第1のRF入力信号を増幅して、第1のRF出力信号を提供するように動作可能であり、前記第1の線形電力増幅器は、並列に結合されている複数のチェーンを備え、各チェーンは、前記第1のRF入力信号を増幅して、出力電力レベルのそれぞれの範囲に対して前記第1のRF出力信号を提供するために選択可能であるワイヤレスデバイス。
[C35]
第2のLO信号を受け取って、第2の変調信号により前記第2のLO信号を変調して、第2の変調された信号を提供するように動作可能な第2の変調器と、
前記第2の変調器に結合され、前記第2の変調された信号を増幅して、第2のRF入力信号を提供するように動作可能な、第2のドライバ増幅器と、
前記複数の無線技術をサポートし、前記第2のRF入力信号を増幅して、第2のRF出力信号を提供するように動作可能な、第2の線形電力増幅器とをさらに具備し、
前記第1の線形電力増幅器は、低周波数帯域と高周波数帯域とのうちの一方をサポートし、前記第2の線形電力増幅器は、前記低周波数帯域および高周波数帯域のうちの他方をサポートしているC34記載のワイヤレスデバイス。
[C36]
前記第1のRF出力信号の出力電力レベルに基づいて、前記第1のRF入力信号を、事前に歪ませるか、または事前に歪ませないように動作可能な事前歪みユニットをさらに具備するC34記載のワイヤレスデバイス。
[C37]
増幅を実行する方法において、
複数の無線技術をサポートする線形電力増幅器の複数のチェーンのうちの1つのチェーンを選択し、各チェーンは、出力電力レベルのそれぞれの範囲を提供するように動作可能であることと、
前記線形電力増幅器の選択されたチェーンにより、前記複数の無線技術のうちの1つの無線技術用の無線周波数(RF)入力信号を増幅して、RF出力信号を取得することとを含む方法。
[C38]
出力電力レベルに基づいて、前記選択されたチェーン中の少なくとも1つの増幅器ステージのバイアス電流を調整することをさらに含むC37記載の方法。
[C39]
前記複数の無線技術のうちの第1の無線技術用の、位相変調された信号を発生させることと、
前記複数の無線技術のうちの第2の無線技術用の、直角変調された信号を発生させることと、
前記位相変調された信号または前記直角変調された信号に基づいて、前記RF入力信号を発生させることとをさらに含むC37記載の方法。
[C40]
前記RF入力信号を事前に歪ませて、前記線形電力増幅器の非線形性を補償することをさらに含むC37記載の方法。
[C41]
装置において、
複数の無線技術をサポートする線形電力増幅器の複数のチェーンのうちの1つのチェーンを選択する手段であって、各チェーンは、出力電力レベルのそれぞれの範囲を提供するように動作可能である手段と、
前記線形電力増幅器の選択されたチェーンにより、前記複数の無線技術のうちの1つの無線技術用の無線周波数(RF)入力信号を増幅して、RF出力信号を取得する手段とを具備する装置。
[C42]
出力電力レベルに基づいて、前記選択されたチェーン中の少なくとも1つの増幅器ステージのバイアス電流を調整する手段をさらに具備するC41記載の装置。
[C43]
前記複数の無線技術のうちの第1の無線技術用の、位相変調された信号を発生させる手段と、
前記複数の無線技術のうちの第2の無線技術用の、直角変調された信号を発生させる手段と、
前記位相変調された信号または前記直角変調された信号に基づいて、前記RF入力信号を発生させる手段とをさらに具備するC41記載の装置。
[C44]
前記RF入力信号を事前に歪ませて、前記線形電力増幅器の非線形性を補償する手段をさらに具備するC41記載の装置。
Claims (44)
- 装置において、
複数の無線技術をサポートし、第1の無線周波数(RF)入力信号を増幅して第1のRF出力信号を提供するように動作可能な、第1の線形電力増幅器を具備し、
前記第1の線形電力増幅器は、並列に結合されている複数のチェーンを備え、各チェーンは、前記第1のRF入力信号を増幅して、出力電力レベルのそれぞれの範囲に対して、前記第1のRF出力信号を提供するために選択可能である装置。 - 前記複数の無線技術をサポートし、第2のRF入力信号を増幅して第2のRF出力信号を提供するように動作可能な、第2の線形電力増幅器をさらに具備し、
前記第1の線形電力増幅器は、低周波数帯域と高周波数帯域とのうちの一方をサポートし、前記第2の線形電力増幅器は、前記低周波数帯域と高周波数帯域とのうちの他方をサポートしている請求項1記載の装置。 - 前記低周波数帯域は、1ギガヘルツ(GHz)よりも小さく、前記高周波数帯域は、1GHzよりも大きい請求項2記載の装置。
- 前記複数のチェーンは、
前記第1のRF入力信号を増幅して、出力電力レベルの第1の範囲に対して前記第1のRF出力信号を提供するために選択可能な第1のチェーンと、
前記第1のRF入力信号を増幅して、前記第1の範囲よりも高い、出力電力レベルの第2の範囲に対して前記第1のRF出力信号を提供するために選択可能な第2のチェーンとを備える請求項1記載の装置。 - 前記複数のチェーンは、前記第1のRF入力信号を増幅して、前記第2の範囲に等しいか、または前記第2の範囲よりも高い、出力電力レベルの第3の範囲に対して前記第1のRF出力を提供するために選択可能な第3のチェーンをさらに備える請求項4記載の装置。
- 前記第2および第3のチェーンは、より高い出力電力を提供するために同時に選択可能である請求項5記載の装置。
- 前記複数のチェーンは、
第1の増幅器ステージを含む第1のチェーンと、
前記第1の増幅器ステージと、少なくとも1つの追加の増幅器ステージとを含む第2のチェーンとを備える請求項1記載の装置。 - 前記複数のチェーンは、
第1の増幅器ステージを含む第1のチェーンと、
前記第1の増幅器ステージと、少なくとも1つの中間電力増幅器ステージとを含む第2のチェーンと、
前記第1の増幅器ステージと、少なくとも1つの高電力増幅器ステージとを含む第3のチェーンとを備える請求項1記載の装置。 - 前記複数のチェーンは、異なる量の電流によりバイアスがかけられる請求項1記載の装置。
- 前記複数のチェーンのうちの少なくとも1つのチェーンは、出力電力レベルの異なる範囲に対して、異なる量の電流によりバイアスがかけられる請求項1記載の装置。
- 前記複数のチェーンは、異なるサイズのトランジスタにより実現される請求項1記載の装置。
- 前記複数のチェーンのすべてが、前記複数の無線技術のうちの少なくとも1つの無線技術に対して選択可能であり、前記複数のチェーンの部分集合が、前記複数の無線技術のうちの少なくとも1つの他の無線技術に対して選択可能である請求項1記載の装置。
- 前記複数のチェーンのうちの少なくとも2つのチェーンに結合され、前記複数の無線技術のうちの1つの無線技術用に、前記第1のRF出力信号を第1の出力に提供し、前記複数の無線技術のうちの別の1つの無線技術用に、前記第1のRF出力信号を第2の出力に提供するように動作可能なスイッチをさらに具備する請求項1記載の装置。
- 前記複数の無線技術のうちの少なくとも1つの無線技術用に直角変調を実行し、前記複数の無線技術のうちの少なくとも1つの他の無線技術用にポーラ変調を実行して、変調された信号を提供するように動作可能な変調器と、
前記変調された信号を増幅して、前記第1のRF入力信号を提供するように動作可能なドライバ増幅器とをさらに具備する請求項1記載の装置。 - 前記第1のRF入力信号は、前記複数の無線技術のうちの1つの無線技術用の、位相変調された信号を含み、前記複数の無線技術のうちの別の1つの無線技術用の、直角変調された信号を含む請求項1記載の装置。
- 前記第1のRF入力信号は、前記第1の線形電力増幅器の非線形性を補償するために事前に歪まされる請求項1記載の装置。
- 電源電圧を受け取り、前記第1の線形電力増幅器に対して供給電圧を発生させるように動作可能な、直流(DC)−DC切換え器をさらに具備する請求項1記載の装置。
- 包絡線信号と電源電圧とを受け取り、前記第1の線形電力増幅器に対して供給電圧を発生させるように動作可能な電圧調整器をさらに具備し、前記供給電圧は、前記包絡線信号からの包絡線情報を含んでいる請求項1記載の装置。
- 前記包絡線信号は、前記第1の線形電力増幅器の非線形性を補償するために事前に歪まされている請求項18記載の装置。
- 前記第1の線形電力増幅器は、異なる無線技術用に複数のRF出力を提供する請求項1記載の装置。
- 前記第1の線形電力増幅器は、異なる周波数帯域に対して複数のRF出力を提供する請求項1記載の装置。
- 前記第1の線形電力増幅器は、異なる出力電力範囲に対して複数のRF出力を提供する請求項1記載の装置。
- 前記複数の無線技術は、定包絡線の変調された信号を有する第1の無線技術と、可変包絡線の変調された信号を有する第2の無線技術とを含む請求項1記載の装置。
- 装置において、
定包絡線を有する無線周波数(RF)入力信号を増幅して、RF出力信号を提供するように動作可能な線形電力増幅器を具備し、
前記線形電力増幅器は、並列に結合されている複数のチェーンを備え、各チェーンは、前記RF入力信号を増幅して、出力電力レベルのそれぞれの範囲に対して前記RF出力信号を提供するために選択可能である装置。 - ポーラ変調を実行して、位相変調された信号を提供するように動作可能な変調器と、
前記位相変調された信号を増幅して、前記線形電力増幅器の出力を飽和させる前記RF入力信号を提供するように動作可能なドライバ増幅器とをさらに具備する請求項24記載の装置。 - 包絡線信号と電源電圧とを受け取って、前記線形電力増幅器に対して供給電圧を発生させるように動作可能な電圧調整器をさらに具備し、前記供給電圧は、前記包絡線信号からの包絡線情報を含んでいる請求項25記載の装置。
- 包絡線信号または電源電圧を受け取って、前記線形電力増幅器に対して供給電圧発生させるように動作可能な、直流(DC)−DC切換え器をさらに具備する請求項24記載の装置。
- 前記線形電力増幅器は、固定ゲインにより前記RF入力信号を増幅するように動作可能であり、前記RF入力信号は、可変信号レベルを有し、前記RF出力信号の信号レベルは、前記RF入力信号の可変信号レベルを追跡する請求項24記載の装置。
- 装置において、
無線周波数(RF)入力信号を増幅して、RF出力信号を提供するように動作可能な電力増幅器を具備し、前記RF入力信号は、前記電力増幅器の非線形性を補償するために事前に歪まされており、前記電力増幅器は、並列に結合されている複数のチェーンを備え、各チェーンは、前記RF入力信号を増幅して、出力電力レベルのそれぞれの範囲に対して前記RF出力信号を提供するために選択可能である装置。 - 前記RF出力信号の出力電力レベルに基づいて、前記RF入力信号を、事前に歪ませるか、または、事前に歪ませないように動作可能である事前歪みユニットをさらに具備する請求項29記載の装置。
- 前記事前歪みユニットは、前記出力電力レベルがしきい値を上回る場合に、前記RF入力信号を事前に歪ませ、前記出力電力レベルが前記しきい値を下回る場合に、前記RF入力信号を事前に歪ませない請求項30記載の装置。
- ポーラ変調を実行して、位相変調された信号を提供するように動作可能な変調器と、
前記位相変調された信号を増幅して、前記RF入力信号を提供するように動作可能なドライバ増幅器とをさらに具備する請求項29記載の装置。 - 包絡線信号または電源電圧を受け取って、前記電力増幅器に対して供給電圧を発生させるように動作可能な、直流(DC)−DC切換え器をさらに具備する請求項29記載の装置。
- ワイヤレスデバイスにおいて、
第1の局部発振器(LO)信号を受け取って、第1の変調信号により前記第1のLO信号を変調して、第1の変調された信号を提供するように動作可能な第1の変調器と、
前記第1の変調器に結合され、前記第1の変調された信号を増幅して第1の無線周波数(RF)入力信号を提供するように動作可能な、第1のドライバ増幅器と、
前記第1の変調器に結合され、複数の無線技術をサポートする第1の線形電力増幅器と、
前記第1の線形電力増幅器に結合されているアンテナとを具備し、
前記第1の線形電力増幅器は、前記第1のRF入力信号を増幅して、第1のRF出力信号を提供するように動作可能であり、前記第1の線形電力増幅器は、並列に結合されている複数のチェーンを備え、各チェーンは、前記第1のRF入力信号を増幅して、出力電力レベルのそれぞれの範囲に対して前記第1のRF出力信号を提供するために選択可能であるワイヤレスデバイス。 - 第2のLO信号を受け取って、第2の変調信号により前記第2のLO信号を変調して、第2の変調された信号を提供するように動作可能な第2の変調器と、
前記第2の変調器に結合され、前記第2の変調された信号を増幅して、第2のRF入力信号を提供するように動作可能な、第2のドライバ増幅器と、
前記複数の無線技術をサポートし、前記第2のRF入力信号を増幅して、第2のRF出力信号を提供するように動作可能な、第2の線形電力増幅器とをさらに具備し、
前記第1の線形電力増幅器は、低周波数帯域と高周波数帯域とのうちの一方をサポートし、前記第2の線形電力増幅器は、前記低周波数帯域および高周波数帯域のうちの他方をサポートしている請求項34記載のワイヤレスデバイス。 - 前記第1のRF出力信号の出力電力レベルに基づいて、前記第1のRF入力信号を、事前に歪ませるか、または事前に歪ませないように動作可能な事前歪みユニットをさらに具備する請求項34記載のワイヤレスデバイス。
- 増幅を実行する方法において、
複数の無線技術をサポートする線形電力増幅器の複数のチェーンのうちの1つのチェーンを選択し、各チェーンは、出力電力レベルのそれぞれの範囲を提供するように動作可能であることと、
前記線形電力増幅器の選択されたチェーンにより、前記複数の無線技術のうちの1つの無線技術用の無線周波数(RF)入力信号を増幅して、RF出力信号を取得することとを含む方法。 - 出力電力レベルに基づいて、前記選択されたチェーン中の少なくとも1つの増幅器ステージのバイアス電流を調整することをさらに含む請求項37記載の方法。
- 前記複数の無線技術のうちの第1の無線技術用の、位相変調された信号を発生させることと、
前記複数の無線技術のうちの第2の無線技術用の、直角変調された信号を発生させることと、
前記位相変調された信号または前記直角変調された信号に基づいて、前記RF入力信号を発生させることとをさらに含む請求項37記載の方法。 - 前記RF入力信号を事前に歪ませて、前記線形電力増幅器の非線形性を補償することをさらに含む請求項37記載の方法。
- 装置において、
複数の無線技術をサポートする線形電力増幅器の複数のチェーンのうちの1つのチェーンを選択する手段であって、各チェーンは、出力電力レベルのそれぞれの範囲を提供するように動作可能である手段と、
前記線形電力増幅器の選択されたチェーンにより、前記複数の無線技術のうちの1つの無線技術用の無線周波数(RF)入力信号を増幅して、RF出力信号を取得する手段とを具備する装置。 - 出力電力レベルに基づいて、前記選択されたチェーン中の少なくとも1つの増幅器ステージのバイアス電流を調整する手段をさらに具備する請求項41記載の装置。
- 前記複数の無線技術のうちの第1の無線技術用の、位相変調された信号を発生させる手段と、
前記複数の無線技術のうちの第2の無線技術用の、直角変調された信号を発生させる手段と、
前記位相変調された信号または前記直角変調された信号に基づいて、前記RF入力信号を発生させる手段とをさらに具備する請求項41記載の装置。 - 前記RF入力信号を事前に歪ませて、前記線形電力増幅器の非線形性を補償する手段をさらに具備する請求項41記載の装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US2735108P | 2008-02-08 | 2008-02-08 | |
US61/027,351 | 2008-02-08 | ||
US12/365,853 US8718582B2 (en) | 2008-02-08 | 2009-02-04 | Multi-mode power amplifiers |
US12/365,853 | 2009-02-04 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010546072A Division JP2011512098A (ja) | 2008-02-08 | 2009-02-06 | 複数モード電力増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015046883A true JP2015046883A (ja) | 2015-03-12 |
JP6046091B2 JP6046091B2 (ja) | 2016-12-14 |
Family
ID=40938398
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010546072A Withdrawn JP2011512098A (ja) | 2008-02-08 | 2009-02-06 | 複数モード電力増幅器 |
JP2014192553A Active JP6046091B2 (ja) | 2008-02-08 | 2014-09-22 | 複数モード電力増幅器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010546072A Withdrawn JP2011512098A (ja) | 2008-02-08 | 2009-02-06 | 複数モード電力増幅器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8718582B2 (ja) |
EP (1) | EP2253064B1 (ja) |
JP (2) | JP2011512098A (ja) |
KR (1) | KR101126994B1 (ja) |
CN (1) | CN101965682B (ja) |
TW (1) | TW201004129A (ja) |
WO (1) | WO2009100381A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018078362A (ja) * | 2016-11-07 | 2018-05-17 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 増幅回路、送信回路及び駆動電流生成方法 |
Families Citing this family (154)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7355470B2 (en) | 2006-04-24 | 2008-04-08 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including embodiments for amplifier class transitioning |
US7327803B2 (en) | 2004-10-22 | 2008-02-05 | Parkervision, Inc. | Systems and methods for vector power amplification |
US7911272B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-03-22 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including blended control embodiments |
US8334722B2 (en) | 2007-06-28 | 2012-12-18 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF power transmission, modulation and amplification |
US8031804B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-10-04 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF tower transmission, modulation, and amplification, including embodiments for compensating for waveform distortion |
US7937106B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-05-03 | ParkerVision, Inc, | Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including architectural embodiments of same |
US8315336B2 (en) | 2007-05-18 | 2012-11-20 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including a switching stage embodiment |
WO2008156800A1 (en) | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Parkervision, Inc. | Combiner-less multiple input single output (miso) amplification with blended control |
FI20085158A0 (fi) * | 2008-02-21 | 2008-02-21 | Nokia Corp | Laite ja menetelmä |
WO2009145887A1 (en) | 2008-05-27 | 2009-12-03 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification |
US8798564B2 (en) * | 2009-03-17 | 2014-08-05 | Provigent Ltd. | Transmitter with replaceable power amplifier |
US9112452B1 (en) | 2009-07-14 | 2015-08-18 | Rf Micro Devices, Inc. | High-efficiency power supply for a modulated load |
US9059332B2 (en) * | 2009-10-02 | 2015-06-16 | Skyworks Solutions, Inc. | Continuous tunable LC resonator using a FET as a varactor |
US8185066B2 (en) * | 2009-10-23 | 2012-05-22 | Sony Mobile Communications Ab | Multimode power amplifier with predistortion |
WO2011066861A1 (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | Epcos Ag | Power amplifier circuit and front end circuit |
US9099961B2 (en) | 2010-04-19 | 2015-08-04 | Rf Micro Devices, Inc. | Output impedance compensation of a pseudo-envelope follower power management system |
EP3376667B1 (en) | 2010-04-19 | 2021-07-28 | Qorvo US, Inc. | Pseudo-envelope following power management system |
US8981848B2 (en) | 2010-04-19 | 2015-03-17 | Rf Micro Devices, Inc. | Programmable delay circuitry |
US9431974B2 (en) | 2010-04-19 | 2016-08-30 | Qorvo Us, Inc. | Pseudo-envelope following feedback delay compensation |
KR101713930B1 (ko) * | 2010-04-22 | 2017-03-09 | 삼성전자주식회사 | 휴대 단말기의 송신 장치 및 그의 운용 방법 |
US8406706B2 (en) * | 2010-05-20 | 2013-03-26 | Lg Electronics Inc. | Mobile terminal and method of controlling a driving voltage of a power amplifier therein |
EP2418769B1 (en) * | 2010-07-20 | 2013-09-04 | Alcatel Lucent | Power amplifier for mobile telecommunications |
WO2012047738A1 (en) | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Rf Micro Devices, Inc. | SINGLE μC-BUCKBOOST CONVERTER WITH MULTIPLE REGULATED SUPPLY OUTPUTS |
US9075673B2 (en) | 2010-11-16 | 2015-07-07 | Rf Micro Devices, Inc. | Digital fast dB to gain multiplier for envelope tracking systems |
US8942313B2 (en) | 2011-02-07 | 2015-01-27 | Rf Micro Devices, Inc. | Group delay calibration method for power amplifier envelope tracking |
CN102122922B (zh) * | 2011-02-22 | 2014-05-21 | 雷良军 | 多模功率放大器及相应的移动通信设备 |
KR20140026458A (ko) | 2011-04-08 | 2014-03-05 | 파커비전, 인크. | Rf 전력 송신, 변조 및 증폭 시스템들 및 방법들 |
US9220067B2 (en) | 2011-05-02 | 2015-12-22 | Rf Micro Devices, Inc. | Front end radio architecture (FERA) with power management |
US9246460B2 (en) | 2011-05-05 | 2016-01-26 | Rf Micro Devices, Inc. | Power management architecture for modulated and constant supply operation |
US9247496B2 (en) | 2011-05-05 | 2016-01-26 | Rf Micro Devices, Inc. | Power loop control based envelope tracking |
US9379667B2 (en) | 2011-05-05 | 2016-06-28 | Rf Micro Devices, Inc. | Multiple power supply input parallel amplifier based envelope tracking |
WO2012166992A1 (en) | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Rf Micro Devices, Inc. | Rugged iq receiver based rf gain measurements |
US9019011B2 (en) | 2011-06-01 | 2015-04-28 | Rf Micro Devices, Inc. | Method of power amplifier calibration for an envelope tracking system |
JP6174574B2 (ja) | 2011-06-02 | 2017-08-02 | パーカーヴィジョン インコーポレイテッド | アンテナ制御 |
US8952710B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-02-10 | Rf Micro Devices, Inc. | Pulsed behavior modeling with steady state average conditions |
US9263996B2 (en) | 2011-07-20 | 2016-02-16 | Rf Micro Devices, Inc. | Quasi iso-gain supply voltage function for envelope tracking systems |
CN103858338B (zh) | 2011-09-02 | 2016-09-07 | 射频小型装置公司 | 用于包络跟踪的分离vcc和共同vcc功率管理架构 |
US9048805B2 (en) | 2011-10-04 | 2015-06-02 | Rf Micro Devices, Inc. | Tunable duplexer architecture |
US8957728B2 (en) | 2011-10-06 | 2015-02-17 | Rf Micro Devices, Inc. | Combined filter and transconductance amplifier |
US9184772B2 (en) | 2011-10-25 | 2015-11-10 | Mediatek Inc. | Electronic devices for RF front end signal processing |
US9024688B2 (en) | 2011-10-26 | 2015-05-05 | Rf Micro Devices, Inc. | Dual parallel amplifier based DC-DC converter |
US9484797B2 (en) | 2011-10-26 | 2016-11-01 | Qorvo Us, Inc. | RF switching converter with ripple correction |
WO2013063387A2 (en) | 2011-10-26 | 2013-05-02 | Rf Micro Devices, Inc. | Inductance based parallel amplifier phase compensation |
CN103988406B (zh) | 2011-10-26 | 2017-03-01 | Qorvo美国公司 | 射频(rf)开关转换器以及使用rf开关转换器的rf放大装置 |
CN102404022A (zh) * | 2011-11-04 | 2012-04-04 | 中兴通讯股份有限公司 | 功率放大模块、射频前端模块和多模终端 |
CN102510297A (zh) * | 2011-11-04 | 2012-06-20 | 中兴通讯股份有限公司 | 功率放大模块、多模射频收发器、双工器和多模终端 |
CN102404021A (zh) * | 2011-11-04 | 2012-04-04 | 中兴通讯股份有限公司 | 双工放大模块、射频前端模块和多模终端 |
US9250643B2 (en) | 2011-11-30 | 2016-02-02 | Rf Micro Devices, Inc. | Using a switching signal delay to reduce noise from a switching power supply |
US8975959B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-03-10 | Rf Micro Devices, Inc. | Monotonic conversion of RF power amplifier calibration data |
US9515621B2 (en) * | 2011-11-30 | 2016-12-06 | Qorvo Us, Inc. | Multimode RF amplifier system |
US8947161B2 (en) | 2011-12-01 | 2015-02-03 | Rf Micro Devices, Inc. | Linear amplifier power supply modulation for envelope tracking |
US9256234B2 (en) | 2011-12-01 | 2016-02-09 | Rf Micro Devices, Inc. | Voltage offset loop for a switching controller |
US9280163B2 (en) | 2011-12-01 | 2016-03-08 | Rf Micro Devices, Inc. | Average power tracking controller |
US9041365B2 (en) | 2011-12-01 | 2015-05-26 | Rf Micro Devices, Inc. | Multiple mode RF power converter |
US9494962B2 (en) | 2011-12-02 | 2016-11-15 | Rf Micro Devices, Inc. | Phase reconfigurable switching power supply |
US9813036B2 (en) | 2011-12-16 | 2017-11-07 | Qorvo Us, Inc. | Dynamic loadline power amplifier with baseband linearization |
US8742843B2 (en) * | 2011-12-19 | 2014-06-03 | Intel Corporation | Power management in transceivers |
CN103178790B (zh) * | 2011-12-26 | 2018-02-06 | Qorvo美国公司 | 多模射频放大装置 |
US9298198B2 (en) | 2011-12-28 | 2016-03-29 | Rf Micro Devices, Inc. | Noise reduction for envelope tracking |
US9190979B2 (en) | 2012-02-07 | 2015-11-17 | Rf Micro Devices, Inc. | Hybrid coupler |
US9083518B2 (en) | 2012-02-07 | 2015-07-14 | Rf Micro Devices, Inc. | Tunable hybrid coupler |
US9432946B2 (en) | 2012-03-12 | 2016-08-30 | Nec Corporation | Transmission apparatus and transmission method |
WO2013150564A1 (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-10 | 三菱電機株式会社 | マルチモード・マルチバンド増幅器 |
US8981839B2 (en) | 2012-06-11 | 2015-03-17 | Rf Micro Devices, Inc. | Power source multiplexer |
US10009058B2 (en) | 2012-06-18 | 2018-06-26 | Qorvo Us, Inc. | RF front-end circuitry for receive MIMO signals |
US9219594B2 (en) | 2012-06-18 | 2015-12-22 | Rf Micro Devices, Inc. | Dual antenna integrated carrier aggregation front end solution |
US20140015731A1 (en) | 2012-07-11 | 2014-01-16 | Rf Micro Devices, Inc. | Contact mems architecture for improved cycle count and hot-switching and esd |
US9143208B2 (en) | 2012-07-18 | 2015-09-22 | Rf Micro Devices, Inc. | Radio front end having reduced diversity switch linearity requirement |
US20140029683A1 (en) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Multi-Band Observation Receiver |
CN104662792B (zh) | 2012-07-26 | 2017-08-08 | Qorvo美国公司 | 用于包络跟踪的可编程rf陷波滤波器 |
US9225231B2 (en) | 2012-09-14 | 2015-12-29 | Rf Micro Devices, Inc. | Open loop ripple cancellation circuit in a DC-DC converter |
KR101235639B1 (ko) * | 2012-09-25 | 2013-02-21 | 주식회사 디제이피 | 광대역 주파수 검출기 |
US9419775B2 (en) | 2012-10-02 | 2016-08-16 | Qorvo Us, Inc. | Tunable diplexer |
US9203596B2 (en) | 2012-10-02 | 2015-12-01 | Rf Micro Devices, Inc. | Tunable diplexer for carrier aggregation applications |
JP6237634B2 (ja) | 2012-10-05 | 2017-11-29 | 日本電気株式会社 | 送信装置、及び送信方法 |
US9197256B2 (en) | 2012-10-08 | 2015-11-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Reducing effects of RF mixer-based artifact using pre-distortion of an envelope power supply signal |
US9078211B2 (en) * | 2012-10-11 | 2015-07-07 | Rf Micro Devices, Inc. | Power management configuration for TX MIMO and UL carrier aggregation |
WO2014062902A1 (en) | 2012-10-18 | 2014-04-24 | Rf Micro Devices, Inc | Transitioning from envelope tracking to average power tracking |
US9627975B2 (en) | 2012-11-16 | 2017-04-18 | Qorvo Us, Inc. | Modulated power supply system and method with automatic transition between buck and boost modes |
US9311803B2 (en) * | 2012-12-12 | 2016-04-12 | At&T Mobility Ii Llc | System and method for managing sensor network uplink and downlink communications |
KR101308083B1 (ko) | 2012-12-17 | 2013-09-13 | 주식회사 디제이피 | 광대역 주파수 검출기기 |
WO2014116933A2 (en) | 2013-01-24 | 2014-07-31 | Rf Micro Devices, Inc | Communications based adjustments of an envelope tracking power supply |
DE102013201653A1 (de) * | 2013-01-31 | 2014-07-31 | Intel Mobile Communications GmbH | Schaltung und mobilkommunikationsgerät |
US9178472B2 (en) | 2013-02-08 | 2015-11-03 | Rf Micro Devices, Inc. | Bi-directional power supply signal based linear amplifier |
US9172441B2 (en) | 2013-02-08 | 2015-10-27 | Rf Micro Devices, Inc. | Front end circuitry for carrier aggregation configurations |
US9178555B2 (en) * | 2013-02-20 | 2015-11-03 | Micro Mobio Corporation | World band radio frequency front end module, system and method thereof |
WO2014152903A2 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Rf Micro Devices, Inc | Envelope tracking power supply voltage dynamic range reduction |
WO2014152876A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Rf Micro Devices, Inc | Noise conversion gain limited rf power amplifier |
US9479118B2 (en) | 2013-04-16 | 2016-10-25 | Rf Micro Devices, Inc. | Dual instantaneous envelope tracking |
US9935760B2 (en) * | 2013-04-16 | 2018-04-03 | Qorvo Us, Inc. | Tunable filter for LTE bands |
KR101738730B1 (ko) | 2013-04-23 | 2017-05-22 | 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 | 전력 증폭기 시스템에서의 엔벨로프 정형화 장치 및 방법 |
CA2814303A1 (en) | 2013-04-26 | 2014-10-26 | Cellphone-Mate, Inc. | Apparatus and methods for radio frequency signal boosters |
CN104144527B (zh) * | 2013-05-10 | 2019-02-26 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 无线通信装置 |
GB2516979A (en) * | 2013-08-09 | 2015-02-11 | Univ Surrey | Predistortion in satellite signal transmission systems |
US9374005B2 (en) | 2013-08-13 | 2016-06-21 | Rf Micro Devices, Inc. | Expanded range DC-DC converter |
KR20160058855A (ko) | 2013-09-17 | 2016-05-25 | 파커비전, 인크. | 정보를 포함하는 시간의 함수를 렌더링하기 위한 방법, 장치 및 시스템 |
EP2882099A1 (en) * | 2013-12-03 | 2015-06-10 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multiple-state, switch-mode power amplifier systems and methods of their operation |
RU2652458C2 (ru) * | 2013-12-24 | 2018-04-26 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Сименс" | Устройство и метод генерации высокой радиочастотной мощности |
US9473084B2 (en) * | 2014-01-03 | 2016-10-18 | Htc Corporation | Power amplifying apparatus |
US9590569B2 (en) * | 2014-05-06 | 2017-03-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Systems, circuits and methods related to low power efficiency improvement in multi-mode multi-band power amplifiers |
JP6325337B2 (ja) * | 2014-05-16 | 2018-05-16 | Necプラットフォームズ株式会社 | 送信機および送信方法 |
US9614476B2 (en) | 2014-07-01 | 2017-04-04 | Qorvo Us, Inc. | Group delay calibration of RF envelope tracking |
CN204013525U (zh) * | 2014-07-16 | 2014-12-10 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种射频装置 |
KR102215081B1 (ko) | 2014-09-24 | 2021-02-10 | 삼성전자주식회사 | 송신 신호 처리 방법 및 그 송신기 |
US9467095B2 (en) * | 2014-10-13 | 2016-10-11 | Intel Corporation | Switchable dual core power amplifier |
US10211868B2 (en) * | 2014-10-21 | 2019-02-19 | Maxlinear, Inc. | Phase noise suppression |
US10312995B2 (en) | 2014-12-11 | 2019-06-04 | Space Systems/Loral, Llc | Digital payload with variable high power amplifiers |
KR102340344B1 (ko) | 2015-02-05 | 2021-12-21 | 한국전자통신연구원 | 광대역 주파수 선택이 가능한 재구성 전력 증폭 장치 및 그 방법 |
US9893684B2 (en) | 2015-02-15 | 2018-02-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio-frequency power amplifiers driven by boost converter |
JP2016149743A (ja) * | 2015-02-15 | 2016-08-18 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 整合ネットワークの排除によりサイズが低減された電力増幅器 |
US9866182B2 (en) | 2015-05-15 | 2018-01-09 | Crocus Technology Inc. | MRAM-based pre-distortion linearization and amplification circuits |
US9685907B2 (en) | 2015-06-30 | 2017-06-20 | Texas Instruments Incorporated | Variable gain power amplifiers |
US9912297B2 (en) | 2015-07-01 | 2018-03-06 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking power converter circuitry |
US9843294B2 (en) | 2015-07-01 | 2017-12-12 | Qorvo Us, Inc. | Dual-mode envelope tracking power converter circuitry |
FR3043513B1 (fr) * | 2015-11-10 | 2017-12-22 | Thales Sa | Procede de caracterisation des performances d'une charge utile d'un satellite en orbite et systeme de test iot associe |
US9590668B1 (en) | 2015-11-30 | 2017-03-07 | NanoSemi Technologies | Digital compensator |
EP3386101A4 (en) * | 2015-12-01 | 2019-07-03 | Vanchip (Tianjin) Technology Co. Ltd | MULTIMODAL POWER AMPLIFIER MODULE, CHIP AND COMMUNICATION TERMINAL |
JP2017103655A (ja) | 2015-12-02 | 2017-06-08 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅モジュール |
CN105846785B (zh) * | 2016-03-22 | 2019-01-15 | 无锡中感微电子股份有限公司 | 功率放大器的非线性预失真补偿电路、补偿系统及方法 |
CN105811893B (zh) * | 2016-04-20 | 2019-05-21 | 广东工业大学 | 一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构 |
US9973147B2 (en) | 2016-05-10 | 2018-05-15 | Qorvo Us, Inc. | Envelope tracking power management circuit |
US10298187B2 (en) * | 2016-08-12 | 2019-05-21 | Qualcomm Incorporated | Selective high and low power amplifier switch architecture |
EP3523856A4 (en) | 2016-10-07 | 2020-06-24 | NanoSemi, Inc. | DIGITAL BEAM ORIENTATION PREDISTORSION |
JP2018085560A (ja) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅モジュール |
JP2018098766A (ja) | 2016-12-09 | 2018-06-21 | 株式会社村田製作所 | バイアス回路 |
US10148226B2 (en) | 2016-12-09 | 2018-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Bias circuit |
US11057004B2 (en) * | 2017-02-25 | 2021-07-06 | Nanosemi, Inc. | Multiband digital predistorter |
CN108696286A (zh) * | 2017-04-07 | 2018-10-23 | 庄晴光 | 电磁信号侦测电路与侦测方法 |
US10141961B1 (en) | 2017-05-18 | 2018-11-27 | Nanosemi, Inc. | Passive intermodulation cancellation |
US10581470B2 (en) | 2017-06-09 | 2020-03-03 | Nanosemi, Inc. | Linearization system |
US11115067B2 (en) | 2017-06-09 | 2021-09-07 | Nanosemi, Inc. | Multi-band linearization system |
US10931318B2 (en) * | 2017-06-09 | 2021-02-23 | Nanosemi, Inc. | Subsampled linearization system |
US11323188B2 (en) | 2017-07-12 | 2022-05-03 | Nanosemi, Inc. | Monitoring systems and methods for radios implemented with digital predistortion |
WO2019070573A1 (en) | 2017-10-02 | 2019-04-11 | Nanosemi, Inc. | DIGITAL PREDISTORSION ADJUSTMENT BASED ON DETERMINATION OF CHARGE CHARACTERISTICS |
KR102370926B1 (ko) * | 2017-11-02 | 2022-03-08 | 삼성전자주식회사 | 안테나를 포함하는 전자 장치 |
CN108494372B (zh) * | 2018-02-07 | 2021-10-26 | 南京中感微电子有限公司 | 非线性补偿功率放大电路和极坐标发射机 |
FR3077942A1 (fr) * | 2018-02-15 | 2019-08-16 | Stmicroelectronics (Rousset) Sas | Controleur nfc |
US10476437B2 (en) | 2018-03-15 | 2019-11-12 | Qorvo Us, Inc. | Multimode voltage tracker circuit |
US10735045B2 (en) | 2018-04-23 | 2020-08-04 | Qorvo Us, Inc. | Diplexer circuit |
WO2019217811A1 (en) | 2018-05-11 | 2019-11-14 | Nanosemi, Inc. | Digital compensator for a non-linear system |
US10644657B1 (en) | 2018-05-11 | 2020-05-05 | Nanosemi, Inc. | Multi-band digital compensator for a non-linear system |
EP3804127A1 (en) | 2018-05-25 | 2021-04-14 | NanoSemi, Inc. | Digital predistortion in varying operating conditions |
US11863210B2 (en) | 2018-05-25 | 2024-01-02 | Nanosemi, Inc. | Linearization with level tracking |
US10931238B2 (en) | 2018-05-25 | 2021-02-23 | Nanosemi, Inc. | Linearization with envelope tracking or average power tracking |
US20190394733A1 (en) * | 2018-06-20 | 2019-12-26 | Mediatek Inc. | Ul transmission utilizing full tx power at ue |
US10915157B2 (en) * | 2019-02-14 | 2021-02-09 | Qualcomm Incorporated | Dynamic power switch control scheme |
JP2021106447A (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 画像表示装置、給電システム及び画像表示装置の給電方法 |
JP2021106361A (ja) | 2019-12-27 | 2021-07-26 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅モジュール |
CN113132279A (zh) * | 2019-12-30 | 2021-07-16 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种预失真处理方法、装置、设备和存储介质 |
CN111446929A (zh) * | 2020-04-01 | 2020-07-24 | 锐石创芯(深圳)科技有限公司 | 一种射频功率放大器及控制方法 |
US10992326B1 (en) | 2020-05-19 | 2021-04-27 | Nanosemi, Inc. | Buffer management for adaptive digital predistortion |
CN116569484A (zh) * | 2020-12-02 | 2023-08-08 | 株式会社村田制作所 | 高频模块以及通信装置 |
CN113676191B (zh) * | 2021-08-12 | 2022-12-27 | Oppo广东移动通信有限公司 | 发射模组、射频系统及通信设备 |
US11729040B2 (en) * | 2021-09-24 | 2023-08-15 | Cypress Semiconductor Corporation | Coarse and fine compensation for frequency error |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000244264A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Hitachi Ltd | 高周波電力増幅装置 |
JP2003087060A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Hitachi Ltd | 高周波増幅装置及び送受信装置 |
JP2005110284A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Infineon Technologies Ag | デジタルプレディストーションを行う送信装置、および送信装置におけるプレディストーションの制御方法 |
JP2006115441A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 送信装置および携帯通信端末装置 |
JP2006186956A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチモード送信回路、マルチモード送受信回路及びそれを用いた無線通信装置 |
WO2007113726A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Nxp B.V. | Multi-mode radio transmitters and a method of their operation |
JP2007329642A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Renesas Technology Corp | Rf電力増幅装置 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US60000A (en) * | 1866-11-27 | Philandek haklow | ||
JPH03104408A (ja) | 1989-09-19 | 1991-05-01 | Fujitsu Ltd | 電力増幅器 |
US5276912A (en) * | 1990-02-06 | 1994-01-04 | Motorola, Inc. | Radio frequency power amplifier having variable output power |
BR9305438A (pt) * | 1992-03-13 | 1994-08-02 | Motorola Inc | Rede combinada amplificadora de potência de sinal de radiofrequência (RF) e dispositivo de comunicações de sinal de radiofrequência de modo duplo |
US5530923A (en) * | 1994-03-30 | 1996-06-25 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Dual mode transmission system with switched linear amplifier |
JP3444653B2 (ja) * | 1994-06-09 | 2003-09-08 | 三菱電機株式会社 | 電力増幅器 |
US5661434A (en) * | 1995-05-12 | 1997-08-26 | Fujitsu Compound Semiconductor, Inc. | High efficiency multiple power level amplifier circuit |
EP0795956B1 (en) * | 1995-09-29 | 2003-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Power amplifier and communication device |
US5774017A (en) * | 1996-06-03 | 1998-06-30 | Anadigics, Inc. | Multiple-band amplifier |
JPH10190378A (ja) | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Nec Corp | 超高効率線形増幅器 |
US5834975A (en) * | 1997-03-12 | 1998-11-10 | Rockwell Science Center, Llc | Integrated variable gain power amplifier and method |
JP2000278109A (ja) | 1999-03-19 | 2000-10-06 | Fujitsu Ltd | 高周波スイッチ、切替型高周波スイッチ、および切替型高周波電力増幅器 |
JP3790086B2 (ja) | 2000-03-23 | 2006-06-28 | 日本電信電話株式会社 | 高周波電力増幅器 |
JP3895532B2 (ja) | 2000-09-11 | 2007-03-22 | 株式会社ルネサステクノロジ | 高周波電力増幅装置及び無線通信機 |
JP2002135060A (ja) | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力増幅装置及び方法 |
FR2816132B1 (fr) * | 2000-10-31 | 2003-02-07 | Agence Spatiale Europeenne | Dispositif reconfigurable pour amplifier des signaux rf |
JP2002330030A (ja) | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波集積回路 |
US6400227B1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-06-04 | Analog Devices, Inc. | Stepped gain controlled RF driver amplifier in CMOS |
JP3877558B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2007-02-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 高周波電力増幅器、高周波電力増幅器モジュール及び携帯電話機 |
JP3932259B2 (ja) * | 2001-12-12 | 2007-06-20 | 株式会社ルネサステクノロジ | 高周波電力増幅回路および無線通信用電子部品 |
JP2005110327A (ja) | 2001-12-12 | 2005-04-21 | Renesas Technology Corp | 高周波電力増幅用電子部品および高周波電力増幅システム |
JP2003309436A (ja) | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc | 増幅回路及び電力制御方法 |
US6794935B2 (en) * | 2002-10-17 | 2004-09-21 | Motorola Inc. | Power amplification circuit and method for supplying power at a plurality of desired power output levels |
US7332961B2 (en) * | 2002-10-22 | 2008-02-19 | Nxp B.V. | Predistortion linearizing |
JP2005020476A (ja) | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Renesas Technology Corp | 高周波電力増幅回路および無線通信システム |
US7170341B2 (en) * | 2003-08-05 | 2007-01-30 | Motorola, Inc. | Low power consumption adaptive power amplifier |
JP4175545B2 (ja) | 2004-09-03 | 2008-11-05 | ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 | 無線通信端末 |
JP5184754B2 (ja) | 2005-05-12 | 2013-04-17 | ソニーモバイルコミュニケーションズ株式会社 | 歪み補償装置及び無線通信装置 |
US7711070B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-05-04 | Qualcomm, Incorporated | Method and apparatus for control of transmitter power consumption |
US7817962B2 (en) * | 2006-06-29 | 2010-10-19 | Broadcom Corporation | Polar transmitter amplifier with variable output power |
JP4614238B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2011-01-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Rf電力増幅装置 |
WO2008060418A2 (en) * | 2006-11-09 | 2008-05-22 | Parkervision, Inc. | Switching power supply |
US7853290B2 (en) * | 2007-10-29 | 2010-12-14 | Infineon Technologies Ag | Transmitter arrangement |
US8160520B2 (en) * | 2008-05-09 | 2012-04-17 | Javelin Semiconductor, Inc. | Supply control for multiple power modes of a power amplifier |
US8232857B1 (en) * | 2009-04-15 | 2012-07-31 | Triquint Semiconductor, Inc. | Flux-coupled transformer for power amplifier output matching |
-
2009
- 2009-02-04 US US12/365,853 patent/US8718582B2/en active Active
- 2009-02-06 WO PCT/US2009/033466 patent/WO2009100381A1/en active Application Filing
- 2009-02-06 TW TW098103912A patent/TW201004129A/zh unknown
- 2009-02-06 JP JP2010546072A patent/JP2011512098A/ja not_active Withdrawn
- 2009-02-06 KR KR1020107019993A patent/KR101126994B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-06 CN CN200980108039.2A patent/CN101965682B/zh active Active
- 2009-02-06 EP EP09709331.4A patent/EP2253064B1/en active Active
-
2014
- 2014-09-22 JP JP2014192553A patent/JP6046091B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000244264A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Hitachi Ltd | 高周波電力増幅装置 |
JP2003087060A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Hitachi Ltd | 高周波増幅装置及び送受信装置 |
JP2005110284A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Infineon Technologies Ag | デジタルプレディストーションを行う送信装置、および送信装置におけるプレディストーションの制御方法 |
JP2006115441A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 送信装置および携帯通信端末装置 |
JP2006186956A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチモード送信回路、マルチモード送受信回路及びそれを用いた無線通信装置 |
WO2007113726A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Nxp B.V. | Multi-mode radio transmitters and a method of their operation |
JP2007329642A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Renesas Technology Corp | Rf電力増幅装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018078362A (ja) * | 2016-11-07 | 2018-05-17 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 増幅回路、送信回路及び駆動電流生成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009100381A1 (en) | 2009-08-13 |
EP2253064A1 (en) | 2010-11-24 |
US20090201084A1 (en) | 2009-08-13 |
TW201004129A (en) | 2010-01-16 |
JP2011512098A (ja) | 2011-04-14 |
US8718582B2 (en) | 2014-05-06 |
KR101126994B1 (ko) | 2012-03-27 |
CN101965682A (zh) | 2011-02-02 |
EP2253064B1 (en) | 2016-03-30 |
CN101965682B (zh) | 2016-03-16 |
JP6046091B2 (ja) | 2016-12-14 |
KR20100116656A (ko) | 2010-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6046091B2 (ja) | 複数モード電力増幅器 | |
JP2011512098A5 (ja) | ||
US11418155B2 (en) | Digital hybrid mode power amplifier system | |
US8467747B2 (en) | Multi-band wide band power amplifier digital predistortion system | |
US6404823B1 (en) | Envelope feedforward technique with power control for efficient linear RF power amplification | |
Presti et al. | A 25 dBm digitally modulated CMOS power amplifier for WCDMA/EDGE/OFDM with adaptive digital predistortion and efficient power control | |
US7560984B2 (en) | Transmitter | |
US20090074106A1 (en) | Multi-mode and multi-band transmitters for wireless communication | |
Lee et al. | A hybrid polar-LINC CMOS power amplifier with transmission line transformer combiner | |
US7796959B2 (en) | Data processing method, transmitter, device, network element and base station | |
Teikari | Digital predistortion linearization methods for RF power amplifiers | |
Ishihara et al. | A 10-MHz signal bandwidth Cartesian loop transmitter capable of off-chip PA linearization | |
US9479202B2 (en) | System and method for burst mode amplifier | |
WO2010075645A1 (zh) | 一种改善射频功率放大器线性度的方法与装置 | |
Chen et al. | High-gain and high-efficiency EER/polar transmitters using injection-locked oscillators | |
Delaunay et al. | Linearization of a 65nm CMOS power amplifier with a Cartesian Feedback for W-CDMA standard | |
Delaunay et al. | A RF Transmitter linearized using cartesian feedback in CMOS 65nm for UMTS standard | |
KR100845661B1 (ko) | 비선형 왜곡신호 발생기가 적용된 선형화기 | |
US20230179222A1 (en) | Radio transmitter providing an analog signal with both radio frequency and baseband frequency information | |
TW201112703A (en) | Hybrid quadrature polar modulated transmitter and digital predistorter used for the same | |
TWI249874B (en) | High efficiency multimode microwave transmitter and method thereof | |
Ock | Design of linear transmitters for wireless applications | |
Sundström | Linear transmitter architectures | |
Chen | Wideband dynamic biasing of power amplifiers for wireless handheld applications | |
Larson et al. | Linearity and Efficiency Strategies for Next‐Generation Wireless Communications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150721 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151020 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161018 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6046091 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |