CN101960837B - 固体摄像装置 - Google Patents

固体摄像装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101960837B
CN101960837B CN2010800011468A CN201080001146A CN101960837B CN 101960837 B CN101960837 B CN 101960837B CN 2010800011468 A CN2010800011468 A CN 2010800011468A CN 201080001146 A CN201080001146 A CN 201080001146A CN 101960837 B CN101960837 B CN 101960837B
Authority
CN
China
Prior art keywords
register
unit
region
camera head
solid camera
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2010800011468A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101960837A (zh
Inventor
铃木久则
米田康人
高木慎一郎
前田坚太郎
村松雅治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Publication of CN101960837A publication Critical patent/CN101960837A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101960837B publication Critical patent/CN101960837B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762—Charge transfer devices
    • H01L29/765—Charge-coupled devices
    • H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76816—Output structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14806—Structural or functional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
    • H04N25/672—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction between adjacent sensors or output registers for reading a single image
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本发明的一个实施方式的多端口型的固体摄像装置具备摄像区域和多个单元。摄像区域包含多个像素列。多个单元按照多个像素列排列的方向排列，并生成基于来自摄像区域的电荷的信号。各单元具有输出寄存器、倍增寄存器和放大器。输出寄存器传输来自一个以上的对应的像素列的电荷。倍增寄存器接收来自输出寄存器的电荷并生成倍增的电荷。放大器生成基于来自倍增寄存器的经倍增的电荷的信号。本固体摄像装置包含设置有多个单元的区域、以及位于该区域的上述方向的两侧的第1虚设区域和第2虚设区域。在第1虚设区域和第2虚设区域分别设置有倍增寄存器和放大器。

Description

固体摄像装置
技术领域
本发明涉及多端口型且电荷倍增型的固体摄像装置。
背景技术
针对固体摄像装置，存在下述的专利文献1以及专利文献2所记载的多端口型且电荷倍增型的固体摄像装置。这样的固体摄像装置具备摄像区域和多个单元。摄像区域包含多个像素列。多个单元分别具有：输出寄存器，传输来自多个像素列中一个以上的对应的像素列的电荷；倍增寄存器，接收由该输出寄存器传输的电荷并生成倍增的电荷；以及放大器，生成基于来自倍增寄存器的经倍增的电荷的信号。
专利文献1：日本特开2007-124675号公报
专利文献2：日本特许3862850号说明书
发明内容
发明所要解决的问题
电荷倍增型的固体摄像装置的增益根据温度而变动。另外，针对多端口型且电荷倍增型的固体摄像装置，期望减小所有单元中的增益的差异。专利文献2所公开的固体摄像装置由于能够控制倍增寄存器的倍增率，因而可以控制各端口的增益，以减小所有端口的增益的差异。然而，用于控制增益的电路构成较为复杂。
本发明的目的在于，提供一种固体摄像装置，是将基于来自摄像区域的电荷的信号从多个单元输出的多端口型且电荷倍增型的固体摄像装置，能够以简单的构成减小单元间的增益的差异。
解决问题的方法
本发明的固体摄像装置，是多端口型的固体摄像装置，具备摄像区域和多个单元。摄像区域包含多个像素列。多个单元是生成基于来自摄像区域的电荷的信号的单元，且按照多个像素列排列的方向排列。多个单元分别具有输出寄存器、倍增寄存器和放大器。输出寄存器传输来自多个像素列中一个以上的对应的像素列的电荷。倍增寄存器接收来自输出寄存器的电荷并生成倍增的电荷。放大器生成基于来自倍增寄存器的经倍增的电荷的信号。本固体摄像装置包含设置有多个单元的区域以及位于该区域的上述方向的两侧的第1虚设(dummy)区域和第2虚设区域。第1虚设区域和第2虚设区域中分别设置有倍增寄存器和放大器。
现有的多端口型且电荷倍增型的固体摄像装置中，在多个单元中除了位于两端的单元之外的单元的两侧，存在有其它的单元，但是对于两端的单元，仅在其一侧存在一个单元。一般而言，各单元中的增益根据该单元的温度而大幅变动。另外，各单元中包含放大器和倍增寄存器之类的发热要素。因此，现有的多端口型且电荷倍增型的固体摄像装置中，会在两端的单元的温度与这些单元以外的单元的温度之间产生差异。因此，现有的多端口型且电荷倍增型的固体摄像装置中，难以使单元间的增益均匀化。
另一方面，根据本发明的固体摄像装置，在多个单元中位于两端的两个单元的附近，设置有倍增寄存器和放大器。因此，减小了位于两端的两个单元的温度与其它的单元的温度之间的差异。其结果，降低了单元间的增益的差异。
发明的效果
如以上说明的那样，根据本发明，可提供一种固体摄像装置，是将基于来自摄像区域的电荷的信号从多个单元输出的多端口型且电荷倍增型的固体摄像装置，能够以简单的构成减小单元间的增益的差异。
附图说明
图1是表示一个实施方式所涉及的固体摄像装置的图。
图2是以附配线的方式表示图1所示的固体摄像装置的图。
符号的说明
10…固体摄像装置、12…摄像区域、14a～14d…单元、16…电荷存储区域、18…输出寄存器、18d…输出寄存器(虚设)、20…倍增寄存器、20d…倍增寄存器(虚设)、22…放大器、22d…放大器(虚设)、24…转角寄存器、24d…转角寄存器(虚设)、OD…输出漏极端子、OG…输出栅极端子、OS…输出源极端子、RD…重置漏极端子、RG…重置栅极端子、P1～P3…端子、PDC…端子、PM1～PM3…端子、R…区域、R1…第1虚设区域、R2…第2虚设区域。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的优选的实施方式。而且，在各附图中，对相同或相当的部分标记相同的符号。
图1是表示一个实施方式所涉及的固体摄像装置的图。图1所示的固体摄像装置10具备摄像区域12和多个单元14a～14d。在以下的说明中，有时将多个单元14a～14d称为单元14。
摄像区域12是感应入射的光而生成电荷的区域。具体而言，摄像区域12包含二维排列的多个像素，各像素包含光电二极管。
本实施方式的固体摄像装置10除了摄像区域12之外还具备电荷存储区域16。电荷存储区域16是将由摄像区域12生成的电荷在传输至后面叙述的输出寄存器之前暂时加以存储的部分。具有这样的电荷存储区域16的固体摄像装置10，被称为帧转移(frame transfer)CCD影像传感器。然而，本发明的固体摄像装置也可以为隔行(interline)CCD影像传感器或者全帧转移(full frame transfer)CCD影像传感器。
摄像区域12具有多个区域12a～12d。多个区域12a～12d并列于水平方向，且各区域中包含多个像素列。由多个区域12a～12d生成的电荷被输出至对应的单元14。而且，固体摄像装置10的摄像区域12包含四个区域。即为4端口的固体摄像装置，但是本发明的固体摄像装置的端口数并不限定于4个。
多个单元14a～14d分别具有输出寄存器18、倍增寄存器20和放大器22。本实施方式中，多个单元14分别进一步包含转角寄存器24。
输出寄存器18是接收由摄像区域12的对应的区域生成且在垂直方向上传输的电荷，并在水平方向上传输该电荷的传输寄存器。转角寄存器24与输出寄存器18相同，是传输电荷的传输寄存器。转角寄存器24被设置于输出寄存器18与倍增寄存器20之间。转角寄存器24将由输出寄存器18传输的电荷传输至倍增寄存器20。
倍增寄存器20是利用碰撞电离效应将电荷倍增，并传输经倍增的电荷的寄存器。固体摄像装置10中，倍增寄存器20经由转角寄存器24接收由输出寄存器18传输的电荷，并将倍增的电荷输出至放大器22。
放大器22接收由倍增寄存器20倍增的电荷，进行电荷电压转换，并生成对应于该电荷的量的信号。作为放大器22，可以使用浮动扩散(FD)放大器。
本固体摄像装置10包含区域R、第1虚设区域R1和第2虚设区域R2。区域R是设置有多个单元14a至14d的区域。第1虚设区域R1和第2虚设区域R2存在于与输出寄存器18的电荷传输方向相同的方向(水平方向)上的区域R的两侧。
固体摄像装置10在第1虚设区域R1和第2虚设区域R2，分别具备虚设的倍增寄存器20d和虚设的放大器22d。虚设的倍增寄存器20d和虚设的放大器22d分别为与倍增寄存器20和放大器22相同的要素。
再者，固体摄像装置10中，在第1虚设区域R1和第2虚设区域R2，分别设置有虚设的输出寄存器18d和虚设的转角寄存器24d。输出寄存器18d和转角寄存器24d为与输出寄存器18和转角寄存器24相同的要素。
以下，参照图2，说明固体摄像装置10的电连接关系。图2是以附配线的方式表示图1所示的固体摄像装置10的图。如图2所示，固体摄像装置10是三相驱动型的固体摄像装置，具有端子P1～P3、PM1～PM3以及PDC。
端子P1～P3是用于向所有单元14a～14d的输出寄存器18和转角寄存器24输入三相的时钟信号的端子。从端子P1～P3延伸的配线是与所有单元14a～14d的输出寄存器18和转角寄存器24共通的配线，且被连接于所有单元14a～14d的输出寄存器18和转角寄存器24。通过赋予来自端子P1～P3的三相的时钟信号，从而输出寄存器18和转角寄存器24传输电荷。进而，从这些端子P1～P3延伸的配线相对于虚设的输出寄存器18d和虚设的转角寄存器24d而言也是共通的配线，且被连接于该输出寄存器18d和转角寄存器24d。
端子PM1～PM3是用于向所有单元14a～14d的倍增寄存器20输入三相的时钟信号的端子。另外，端子PDC是输入用于在倍增寄存器20形成障壁的DC电压的端子。从端子PM1～PM3和PDC延伸的配线是与所有单元14a～14d的倍增寄存器20共通的配线，且被连接于所有单元14a～14d的倍增寄存器20。进而，从这些端子PM1～PM3和PDC延伸的配线相对于虚设的倍增寄存器20d而言也是共通的配线，且被连接于该倍增寄存器20d。
放大器22和22d具有重置栅极端子RG、重置漏极端子RD、输出漏极端子OD以及输出源极端子OS。另外，在放大器22和22d的FD区域与倍增寄存器20的最终段之间设置有输出栅极端子OG。
端子RG是用于对放大器22和22d的重置晶体管的栅极赋予重置脉冲的端子。通过在端子RG赋予重置脉冲，从而将存储于FD区域的电荷从连接于重置晶体管的漏极的端子RD排出。端子RD和OD被赋予规定的电源电压。端子OG在传输来自倍增寄存器的电荷时被赋予ON信号。由此，将来自倍增寄存器的电荷送至FD区域。从端子OS输出倍增的信号。
本固体摄像装置10中，放大器22和22d的同一端子被赋予同一信号，但是，为了防止邻接的放大器之间的串扰，可以不将配线共通化。
以上说明的固体摄像装置10中，在位于多个单元14a～14d中的两端的单元14a和14d的附近的第1虚设区域R1和第2虚设区域R2，分别设置有倍增寄存器20d和放大器22d。而且，倍增寄存器20d和放大器22d与单元14a～14d的倍增寄存器20和放大器22相同，也被赋予信号。由此，倍增寄存器20d和放大器22d与倍增寄存器20和放大器22同样地发热。因此，减小了两端的单元14a和14d的温度与这些单元以外的单元14b和14c的温度之间的差异。因此，固体摄像装置10中，单元14a～14d之间的增益的差异减小。
而且，本发明并不限定于上述的本实施方式，也可以进行各种变形。例如，本发明的固体摄像装置也可以不具有虚设的输出寄存器和虚设的转角寄存器。其理由为，输出寄存器和转角寄存器的发热相对于倍增寄存器和放大器而言较小。另外，本发明的固体摄像装置并不限定于三相驱动型的固体摄像装置，能够采用例如四相驱动等的各种驱动方式。

Claims (1)

1.一种固体摄像装置，其特征在于，
所述固体摄像装置是多端口型的固体摄像装置，
所述固体摄像装置具有：
摄像区域，包含多个像素列；以及
多个单元，生成基于来自所述摄像区域的电荷的信号，且按照所述多个像素列排列的方向排列，
所述多个单元分别具有：
输出寄存器，传输来自所述多个像素列中一个以上的对应的像素列的电荷；
倍增寄存器，接收来自所述输出寄存器的电荷并生成倍增的电荷；以及
放大器，生成基于来自所述倍增寄存器的经倍增的电荷的信号，
所述固体摄像装置包含：
设置有所述多个单元的区域；以及
位于该区域的所述方向上的两侧的第1虚设区域和第2虚设区域，
在所述第1虚设区域和所述第2虚设区域中，分别具备倍增寄存器和放大器。
CN2010800011468A 2009-01-30 2010-01-22 固体摄像装置 Expired - Fee Related CN101960837B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-020457 2009-01-30
JP2009020457A JP5237843B2 (ja) 2009-01-30 2009-01-30 固体撮像装置
PCT/JP2010/050777 WO2010087278A1 (ja) 2009-01-30 2010-01-22 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101960837A CN101960837A (zh) 2011-01-26
CN101960837B true CN101960837B (zh) 2012-11-28

Family

ID=42395540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010800011468A Expired - Fee Related CN101960837B (zh) 2009-01-30 2010-01-22 固体摄像装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8367999B2 (zh)
EP (1) EP2247099B1 (zh)
JP (1) JP5237843B2 (zh)
KR (1) KR101178670B1 (zh)
CN (1) CN101960837B (zh)
AT (1) ATE550874T1 (zh)
TW (1) TWI481257B (zh)
WO (1) WO2010087278A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5330001B2 (ja) * 2009-01-30 2013-10-30 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
US8411189B2 (en) * 2011-05-25 2013-04-02 Truesense Imaging, Inc. Multi-purpose architecture for CCD image sensors
US8773563B2 (en) 2011-05-25 2014-07-08 Truesense Imaging, Inc. Multi-purpose architecture for CCD image sensors
US8800130B2 (en) 2011-05-25 2014-08-12 Truesense Imaging, Inc. Methods for producing image sensors having multi-purpose architecture
CN104767945B (zh) * 2015-04-14 2018-02-06 中国电子科技集团公司第四十四研究所 能提高emccd转移效率的驱动电路
CN106601767B (zh) * 2016-12-02 2019-06-04 中国电子科技集团公司第四十四研究所 能缩减电极信号延迟的正照帧转移ccd

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0866501A1 (en) * 1997-03-22 1998-09-23 Eev Limited CCD Imagers with multiplication register
CN1989764A (zh) * 2004-07-20 2007-06-27 株式会社岛津制作所 固体摄像装置、摄像装置和摄像元件

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8901200D0 (en) 1989-01-19 1989-03-15 Eev Ltd Camera using imaging array
DE69231482T2 (de) * 1991-07-11 2001-05-10 Texas Instruments Inc Für einen CCD-Bildsensor mit kleiner Bildpunktgrösse geeigneter Ladungsvervielfachungsdetektor (CMD)
JP2785782B2 (ja) * 1995-12-27 1998-08-13 日本電気株式会社 固体撮像装置
JP3987232B2 (ja) * 1999-04-14 2007-10-03 日本放送協会 Ｃｃｄ型撮像素子の駆動方法およびｃｃｄ型撮像装置
US6278142B1 (en) * 1999-08-30 2001-08-21 Isetex, Inc Semiconductor image intensifier
JP2001119010A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp マルチ出力固体撮像装置
EP1152469B1 (en) 2000-04-28 2015-12-02 Texas Instruments Japan Limited High dynamic range charge readout system
US7420605B2 (en) * 2001-01-18 2008-09-02 E2V Technologies (Uk) Limited Solid state imager arrangements
GB2371403B (en) * 2001-01-18 2005-07-27 Marconi Applied Techn Ltd Solid state imager arrangements
US7190400B2 (en) * 2001-06-04 2007-03-13 Texas Instruments Incorporated Charge multiplier with logarithmic dynamic range compression implemented in charge domain
JP3689866B2 (ja) * 2002-05-30 2005-08-31 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 Ｃｍｄ及びｃｍｄ搭載ｃｃｄ装置
US6791858B2 (en) * 2002-08-26 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Power reduction in CMOS imagers by trimming of master current reference
US20050029553A1 (en) * 2003-08-04 2005-02-10 Jaroslav Hynecek Clocked barrier virtual phase charge coupled device image sensor
GB2413007A (en) * 2004-04-07 2005-10-12 E2V Tech Uk Ltd Multiplication register for amplifying signal charge
JP4442608B2 (ja) * 2004-07-20 2010-03-31 株式会社島津製作所 固体撮像装置、撮像装置並びに撮像素子
JP4751617B2 (ja) * 2005-01-21 2011-08-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
GB0503827D0 (en) * 2005-02-24 2005-04-06 E2V Tech Uk Ltd Enhanced spectral range imaging sensor
JP4687155B2 (ja) * 2005-03-09 2011-05-25 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法
GB2424758A (en) * 2005-03-31 2006-10-04 E2V Tech CCD device
GB2431538B (en) 2005-10-24 2010-12-22 E2V Tech CCD device
US7755685B2 (en) * 2007-09-28 2010-07-13 Sarnoff Corporation Electron multiplication CMOS imager
JP5346605B2 (ja) * 2009-01-30 2013-11-20 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
GB2468668B (en) * 2009-03-17 2014-07-16 E2V Tech Uk Ltd CCD imaging array with extended dynamic range

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0866501A1 (en) * 1997-03-22 1998-09-23 Eev Limited CCD Imagers with multiplication register
CN1989764A (zh) * 2004-07-20 2007-06-27 株式会社岛津制作所 固体摄像装置、摄像装置和摄像元件

Also Published As

Publication number Publication date
JP5237843B2 (ja) 2013-07-17
US20110031377A1 (en) 2011-02-10
US8367999B2 (en) 2013-02-05
TW201127031A (en) 2011-08-01
JP2010178194A (ja) 2010-08-12
TWI481257B (zh) 2015-04-11
KR101178670B1 (ko) 2012-08-30
EP2247099B1 (en) 2012-03-21
ATE550874T1 (de) 2012-04-15
EP2247099A4 (en) 2011-03-23
EP2247099A1 (en) 2010-11-03
CN101960837A (zh) 2011-01-26
KR20100109550A (ko) 2010-10-08
WO2010087278A1 (ja) 2010-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101960837B (zh) 固体摄像装置
JP4818018B2 (ja) 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム
TWI237503B (en) Solid-state imaging apparatus
KR102117136B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 장치의 구동 방법, 및, 전자기기
WO2014196433A1 (ja) 固体撮像装置
CN102917184A (zh) 摄像装置和摄像设备
JP2010093331A (ja) イメージセンサ及びその駆動方法
CN101107843A (zh) 固态摄像装置及其驱动方法
CN101594490A (zh) 固体摄像器件、固体摄像器件的驱动方法和电子装置
CN103731610A (zh) 数据传送电路、成像器件和成像设备
JP2012147089A (ja) 撮像装置
CN101960597A (zh) 固体摄像装置
CN101873442B (zh) 固态摄像器件、摄像装置以及驱动该固态摄像器件的方法
JP2008187458A (ja) 固体撮像素子及び固体撮像装置
KR102490299B1 (ko) 이미지 센싱 장치 및 그의 구동 방법
CN102655573B (zh) 固体拍摄装置
JP2014158086A (ja) 固体撮像装置および撮像装置
JP2009529801A (ja) Ｃｍｏｓイメージセンサの画素アレイ構造及び方法
CN102246508B (zh) 固体摄像装置
CN103139498A (zh) Cmos图像传感器的像素单元及cmos图像传感器
JP2006210468A (ja) 固体撮像装置
KR100647530B1 (ko) 고체촬상장치
JP2006222356A (ja) 固体撮像装置
JP2007511132A (ja) オプティカルブラック画素信号出力方法、画像センサー、カメラ
JP2004134752A (ja) 固体撮像装置及びそれを用いたカメラ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20121128

Termination date: 20210122

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee