CN101950749A - 无线芯片以及具有该无线芯片的电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种无线芯片以及具有该无线芯片的电子设备。本发明提供一种具有高机械强度的无线芯片。而且，本发明还提供了一种能够防止电波被阻挡的无线芯片。在本发明的无线芯片中，通过各向异性导电粘合剂将具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层固定到天线，并将薄膜晶体管连接到天线。天线具有介电层、第一导电层、和第二导电层；第一导电层与第二导电层之间是介电层；第一导电层用作发射电极；第二电极用作接地体。

Description

无线芯片以及具有该无线芯片的电子设备
本分案申请是基于申请号为200610058896.4，申请日为2006年3月8日，发明名称为“无线芯片以及具有该无线芯片的电子设备”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种能够通过无线通信发送和接收数据的无线芯片，以及具有该无线芯片的电子设备。
背景技术
近年来，包括多个电路和天线的无线芯片已经得到长足的发展。这样的无线芯片被称作ID标签、IC标签、IC芯片、RF(射频)标签、电子标签或RFID(射频识别)标签，并且已经被引入某些市场。
目前实际使用的这些无线芯片中许多都是具有使用例如硅的半导体衬底的电路(这样的电路也称作IC(集成电路)芯片)和天线。通过印刷方法、刻蚀导电薄膜的方法、电镀方法等形成天线(例如见专利文献1：日本专利申请已公开No.H9-1970)。
通过上述方法形成的天线是薄膜或厚膜。连接到例如纸或塑料的柔性材料上的天线存在问题，天线对弯曲或折叠敏感，因此天线的一部分容易折断。
而且，在使用半导体衬底形成无线芯片的情况下，半导体衬底用作导体并阻挡电波；因此，存在根据信号发送的方向信号容易衰减的问题。
发明内容
考虑到上述问题，本发明的一个目的是提供一种能够增强机械强度的无线芯片。另外，本发明的一个目的是提供一种能够防止电波被阻挡的无线芯片。
在本发明的无线芯片中，通过各向异性导电粘合剂或导电层将具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层固定到天线，并且薄膜晶体管连接到天线。而且，通过各向异性导电粘合剂或导电层将具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层、无源元件和天线彼此固定到一起，并且薄膜晶体管或无源元件连接到天线。
可以通过堆叠多个具有薄膜晶体管的层来形成具有薄膜晶体管的层。或者，可以通过各向异性导电粘合剂将多个具有薄膜晶体管的层彼此固定到一起。此外，无源元件可以是多个无源元件，例如感应器、电容器(capacitor，电容器)和电阻器。
天线具有介电层、第一导电层和第二导电层，其中在第一导电层与第二导电层之间是介电层，其中第一导电层用作发射电极，第二到导电层用作接地体。而且，天线具有供电层或供电点。
此外，本发明包括以下结构。
本发明的一种无线芯片包括具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层；形成在具有薄膜晶体管的层的表面上并连接到薄膜晶体管的连接端；具有用作发射电极的第一导电层、用作接地体的第二导电层、以及夹在第一导电层与第二到导电层之间的介电层的天线；具有导电颗粒的用于连接天线与连接端的有机树脂层。而且，无线芯片可以具有第三导电层，替代具有导电颗粒的有机树脂层，用于连接天线与连接端。
本发明的一种无线芯片包括具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层；形成在具有薄膜晶体管的层的表面上并连接到薄膜晶体管的第一连接端和第二连接端；天线，该天线具有介电层，在介电层的第一平面上的用作发射电极的第一导电层，在隔着介电层与第一平面相对的第二平面上的用作接地体的第二导电层，形成在第一平面、第二平面以及与第一平面和第二平面接触的第三平面上的用作供电体的第三导电层；具有导电颗粒的用于连接第一连接端与第二导电层、连接第二连接端与第三导电层的有机树脂层。无线芯片可以具有第四导电层和第五导电层，替代具有导电颗粒的有机树脂层，用于连接第一连接端与第二导电层，以及用于连接第二连接端与第三导电层。
本发明的一种无线芯片包括具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层；形成在具有薄膜晶体管的层的表面上并连接到薄膜晶体管的第一连接端；具有选自于电感器、电容器和电阻器(capacitor，电容器)的一个或多个无源元件的层；形成在所述具有一个或多个无源元件的层的第一平面上的第二连接端；形成在与第一平面相对的第二平面上的第三连接端；具有导电颗粒的用于连接第一连接端与第二连接端的第一有机树脂层；具有用作发射电极的第一导电层、用作接地体的第二导电层、以及夹在第一导电层与第二到导电层之间的介电层的天线；具有导电颗粒的用于连接第三连接端与天线的第二有机树脂层。无线芯片可以具有第三导电层，替代具有导电颗粒的有机树脂层，用于连接天线与第三连接端。
通过堆叠具有薄膜晶体管的多个层来形成具有薄膜晶体管的层。在绝缘衬底上，将形成具有薄膜晶体管的层的区域不同于将提供天线的区域。
本发明的一种无线芯片包括具有形成在绝缘衬底上的第一薄膜晶体管的第一层；形成在第一层的表面上并连接到第一薄膜晶体管的第一连接端；具有第二薄膜晶体管的第二层；形成在第二层的第一平面上的第二连接端；形成在与第一平面相对的第二平面上的第三连接端；具有导电颗粒的用于连接第一连接端与第二连接端的第一有机树脂层；具有用作发射电极的第一导电层、用作接地体的第二导电层、夹在第一导电层与第二导电层之间的介电层的天线；具有导电颗粒的用于连接第三连接端与天线的第二有机树脂层。无线芯片可以具有第三导电层，替代具有导电颗粒的有机树脂层，用于连接天线与第三连接端。
本发明的一种无线芯片包括具有形成在绝缘衬底上的第一薄膜晶体管的第一层；形成在第一层的表面上并连接到第一薄膜晶体管的第一连接端；具有第二薄膜晶体管的第二层；形成在第二层的第一平面上的第二连接端；形成在与第一平面相对的第二平面上的第三连接端；具有导电颗粒的用于连接第一连接端与第二连接端的第一有机树脂层；具有选自于电感器、电容器(capacitor，电容器)和电阻器的一个或多个无源元件的层；形成在所述具有一个或多个无源元件的层的第一平面上的第四连接端；形成在所述具有一个或多个无源元件的层的与第一平面相对的第二平面上的第五连接端；具有导电颗粒的用于连接第三连接端与第四连接端的第二有机树脂层；具有用作发射电极的第一导电层、用作接地体的第二导电层、夹在第一导电层与第二导电层之间的介电层的天线；具有导电颗粒的用于连接第五连接端与天线的第三有机树脂层。
本发明的一种无线芯片包括具有形成在绝缘衬底上的第一薄膜晶体管的第一层；形成在第一层的表面上并连接到第一薄膜晶体管的第一连接端；具有第二薄膜晶体管的第二层；形成在第二层的第一平面上的第二连接端；形成在与第一平面相对的第二平面上的第三连接端；用于连接第一连接端与第二连接端的第一导电层；具有选自于电感器、电容器(capacitor，电容器)和电阻器的一个或多个无源元件的层；形成在所述具有一个或多个无源元件的层的第一平面上的第四连接端；形成在所述具有一个或多个无源元件的层的与第一平面相对的第二平面上的第五连接端；用于连接第三连接端与第四连接端的第二导电层；具有用作发射电极的第三导电层、用作接地体的第四导电层、夹在第三导电层与第四导电层之间的介电层的天线；用于连接第五连接端与天线的第五导电层。
在绝缘衬底上，将形成具有薄膜晶体管的层的区域不同于将提供天线的区域。
所述具有薄膜晶体管的层、第一层和第二层具有1至10微米的厚度范围，优选地是1至5微米。
本发明的一种无线芯片包括形成在绝缘衬底上并具有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和连接到第一薄膜晶体管的第一天线的层；形成在具有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和连接到第一薄膜晶体管的第一天线的层的表面上并连接到第二薄膜晶体管的连接端；具有用作发射电极的第一导电层、用作接地体的第二导电层、夹在第一导电层与第二导电层之间的介电层的第二天线；以及具有导电颗粒的用于连接上述连接端与第二天线的有机树脂层。无线芯片可以具有第三导电层，替代具有导电颗粒的有机树脂层，用于连接第二天线和上述连接端。
除了高频电路之外，无线芯片可以具有中央处理单元或检测部分。
此外，绝缘衬底优选地是非柔性绝缘衬底，并且通常使用玻璃衬底或石英衬底。
通过陶瓷、有机树脂或陶瓷和有机树脂的混合物形成上述介电层。作为陶瓷的典型示例，给出了氧化铝、玻璃、镁橄榄石、钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶、锆酸铅、铌酸锂和锆钛酸铅。作为介电层的典型示例，给出了环氧树脂、酚醛树脂、聚丁二烯树脂、双马来酰亚胺三嗪系树脂(bismaleimide triazine resin)、乙烯苯(vinylbenzyl)和聚延胡索酸酯(polyfumarate)。
本发明提供了一种具有上述的无线芯片的电子设备。作为电子设备的典型示例，给出了液晶显示器件、EL显示器件、电视装置、移动电话、打印机、照相机、个人计算机、扬声器装置、头戴耳机、导航装置、或电子钥匙。
能够形成具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层，使其具有几乎与天线相同的尺寸。绝缘衬底用作具有薄膜晶体管的层的保护物以及天线的保护物。因此，增强了无线芯片的机械强度。
由于片状天线(patch antenna)具有高的机械强度，因此能够重复地使用该片状天线。因此，能够为可循环的容器(例如，可回收的容器)提供具有片状天线的无线芯片。
此外，由于在本发明的无线芯片中使用电隔离的薄膜晶体管来形成集成电路，因此与具有使用半导体衬底形成的集成电路的无线芯片相比更难阻挡电波，由此抑制了由于电波阻挡导致的信号的衰减。因此，能够高效率的发送和接收数据。
由于包括使用通过厚膜形式形成的无源元件以及薄膜晶体管所形成的集成电路的无线芯片，具有由适当功能的元件形成的每个电路，因此无线芯片具有复合的功能。通过将本发明的无线芯片安装在布线衬底上，能够减少安装部件的数量，由此允许减小布线衬底的尺寸以及具有该布线衬底的电子设备的尺寸。
附图说明
在附图中：
图1A和1B是显示本发明无线芯片的剖面图；
图2是显示本发明无线芯片的剖面图；
图3是显示本发明无线芯片的剖面图；
图4是显示本发明无线芯片的剖面图；
图5是显示本发明无线芯片的剖面图；
图6A和6B是显示本发明无线芯片的发展图和剖面图；
图7A至7D是显示可用于本发明的片状(patch)天线的透视图；
图8A至8C是显示可用于本发明的天线的顶视图；
图9A至9C显示了本发明的无线芯片；
图10显示了可用于本发明的中央处理单元；
图11A至11F显示了本发明的无线芯片的应用示例；
图12A至12D显示了本发明的无线芯片的应用示例；
图13显示了本发明的无线芯片的应用示例的发展图；
图14显示了可用于本发明的高频电路；
图15A至15H是显示可用于本发明的薄膜晶体管制造步骤的剖面图；
图16A至16H是显示可用于本发明的薄膜晶体管制造步骤的剖面图；
图17显示了本发明的无线芯片的应用示例；
图18A和18B是显示可用于本发明的薄膜晶体管的剖面图；
具体实施方式
实施方式
将参照附图说明本发明的实施方式和实施例。但是，由于本发明能够表现为许多不同的方式，所以本领域技术人员很容易理解，在不脱离本发明范围的情况下可以对方式和细节进行各种修改。因此，本发明不应解释为限制在实施方式和实施例的说明。在用于说明实施方式和实施例的所有附图中，对于具有类似功能或相同功能的部分给出相同的参考标记，并且对这样的部分不再重复说明。
实施方式1
图1A和1B中显示了本发明无线芯片的实施方式。图1A和1B是无线芯片的剖面图。
在此实施方式的无线芯片中，通过各向异性导电粘合剂104将具有形成在绝缘衬底101上的薄膜晶体管的层102固定到天线103。而且，通过在各向异性导电粘合剂104中分散的导电颗粒109电连接具有薄膜晶体管的层102的连接端107与天线的供电层113。此外，尽管没显示，但是具有薄膜晶体管的层的地线电连接到作为天线的接地体的导电层。
作为绝缘衬底101，优选不易变形(非挠性)的绝缘衬底。使用石英衬底或玻璃衬底，例如无碱玻璃衬底。
具有薄膜晶体管的层102包括形成在绝缘衬底101表面上的绝缘层105、形成在绝缘层105上的薄膜晶体管106、形成在薄膜晶体管106上的层间绝缘层108，以及暴露在层间绝缘层108表面并连接到薄膜晶体管106的连接端107。具有薄膜晶体管的层102除了薄膜晶体管还可以具有电阻元件、电容器(capacitor，电容器)等。
绝缘衬底101和具有形成在绝缘衬底101上的薄膜晶体管的层102优选地与天线103一样大，是几毫米×几毫米至几十毫米×几十毫米。而且，具有薄膜晶体管的层102的厚度范围从几微米(μm)至几十微米，典型地从1至10μm，优选地是2至5μm。
在绝缘衬底是无碱玻璃衬底的情况下，提供形成在绝缘衬底101表面上的绝缘层105。绝缘层105能够防止无碱玻璃衬底中可移动离子的运动。通过例如溅射方法或等离子CVD方法的已知方法由氧化硅、氮氧化硅、氮化氧化硅(silicon nitride oxide)、氮化硅等形成绝缘层105。
参照图18A和18B说明薄膜晶体管106的模式。图18A显示了顶部栅极薄膜晶体管的示例。在绝缘衬底101上形成绝缘层105，在绝缘层105上提供薄膜晶体管106。在薄膜晶体管106中，在绝缘层105上提供半导体层1302，在半导体层1302上提供用作栅极绝缘层的绝缘层1303。在绝缘层1303上，形成对应于半导体层1302的栅极电极1304。在栅极电极1304上形成用作保护层的绝缘层1305，在绝缘层1305上提供用作层间绝缘层的绝缘层1306。可以进一步在绝缘层1306上提供用作保护层的绝缘层。
由具有晶体结构的半导体形成半导体层1302。能够使用非单晶半导体或单晶半导体。特别地，优选地使用通过使用激光照射使无定形或微晶半导体结晶所获得的晶体半导体、通过热处理使无定形或微晶半导体结晶所获得的晶体半导体、或者通过使用热处理与激光照射的组合使无定形或微晶半导体结晶所获得的晶体半导体。在热处理中，能够使用利用金属元素的结晶化方法，金属元素例如是能够促进硅半导体结晶化的镍。
在通过激光照射结晶化的情况下，能够按照下面的方式实施结晶化：在激光传递的方向上连续地移动通过激光照射熔化的晶体半导体的一部分，其中激光是连续波激光或者是具有10MHz或更高的重复频率和1纳秒或更小(优选地是1至100皮秒)的脉宽的超短脉冲激光。通过使用这样的结晶化方法，能够获得晶粒界面在一个方向延伸的具有大晶粒直径的晶体半导体。通过使载流子的漂移方向与晶粒界面延伸的方向一致，能够增加晶体管中的电场效应迁移率。例如，能够获得400cm2/V.sec或更大。
在对结晶化工艺使用上述结晶化步骤的情况下，其中温度不高于玻璃衬底的上限温度(大约600℃)，能够使用大的玻璃衬底。因此，能够通过一个衬底制造大量的无线芯片，并且能够降低成本。
可以在比玻璃衬底的上限温度更高的温度下进行热处理通过实施结晶化步骤来形成半导体层1302。通常，使用石英衬底作为绝缘衬底101，并将无定形或微晶半导体在700℃或更高温度下加热，以形成半导体层1302。结果，能够形成具有较好结晶度的半导体。因此，能够提供在响应速度、迁移率等方面较好的并且能够高速操作的薄膜晶体管。
此外，可以通过单晶半导体形成半导体层1302。可以使用SIMOX(注氧隔离)衬底形成这样的半导体层，在SIMOX衬底中按顺序堆叠了第一单晶半导体层、绝缘层和第二单晶半导体层，其形成方式是在制造了使用第一单晶半导体层作为沟道部分的晶体管之后，刻蚀第二单晶半导体层，然后在绝缘衬底101上附着绝缘层。作为第二单晶半导体层的刻蚀方法，可以采用使用例如砂轮的研磨装置的抛光、使用刻蚀剂的干法刻蚀或湿法刻蚀、或者研磨抛光装置与刻蚀剂的组合。作为刻蚀剂，在湿法刻蚀的情况下，使用其中通过水或氟化铵稀释的氟酸的混合溶液，氟酸和硝酸的混合溶液，氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液，过氧化氢与氟酸的混合溶液，过氧化氢与氨水的混合溶液，过氧化氢与盐酸的混合溶液等。在干法刻蚀的情况下，使用含有卤素(例如氟)分子或原子的气体，或者含有氧气的气体。优选地使用含有卤素氟化物或卤素化合物的气体或流体。例如，优选地使用三氟化氯(ClF3)作为含有卤素氟化物的气体。
由于其中通过单晶半导体形成半导体层的晶体管具有高的响应速度、迁移率等，因此能够提供能够高速操作的晶体管。而且，由于晶体管在其特性方面具有很少的改变，所以能够提供已经获得高的可靠性的无线芯片。
能够通过金属或掺杂了施予一种导电类型的杂质的多晶半导体来形成栅极电极1304。在使用金属的情况下，可以使用钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)、铝(Al)等。此外，也能够使用通过氮化上述金属获得的金属氮化物。或者，可以采用其中堆叠了含有金属氮化物的第一层和含有该金属的第二层。在堆叠层的情况下，第一层的一端可以比第二层的一端更靠外面。通过使用金属氮化物形成第一层，第一层能够用作金属势垒。换言之，第一层能够防止第二层的金属分散进入绝缘层1303以及在绝缘层1303下面的半导体层1302中。
在栅极电极1304的侧表面上形成侧壁(侧壁间隔物)1308。能够通过CVD方法在衬底上形成含有氧化硅的绝缘层并通过RIE(反应离子刻蚀)方法刻蚀该绝缘层来形成侧壁。
通过组合半导体层1302、绝缘层1303、栅极电极1304等形成的晶体管可以具有任意的结构，例如单漏极结构、LDD(轻掺杂漏极)结构或栅极重叠的漏极结构。此处，显示了具有LDD结构的薄膜晶体管，其中在半导体层与侧壁重叠的部分中形成低浓度杂质区域1310。而且，能够采用单栅极结构、多栅极结构或双栅极结构，其中多栅极结构中串联了施加有相同电位的栅极电压的多个晶体管，双栅极结构在其上侧和下侧的栅极电极之间夹有半导体层。
通过例如氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料、或例如丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料形成绝缘层1306。在通过涂覆方法(例如旋涂或滚涂机)形成绝缘层的情况下，在施加了溶解在有机溶剂中的绝缘膜材料之后，对其进行热处理，由此通过氧化硅形成绝缘层。例如，在利用涂覆方法形成含有硅氧烷键的膜之后，在200℃至400℃下进行热处理，由此通过氧化硅形成绝缘层。通过使用由涂覆方法形成的绝缘层或者已经通过回流平坦化的绝缘层作为绝缘层1306，能够防止将要形成在该层上的布线断裂。此外，当形成多层布线时也能够有效地利用该绝缘层。
能够提供形成在绝缘层1306上的布线1307，以便与通过和栅极电极1304相同的层所形成的布线交叉，并具有多层布线结构。能够通过在具有与绝缘层1306类似功能的多个堆叠绝缘层上形成布线来获得多层布线结构。布线1307优选地具有低阻材料(例如铝)与使用具有高熔点的金属材料(例如钛(Ti)或钼(Mo))的金属势垒的组合。例如，给出了包括钛(Ti)和铝(Al)的多层结构，包括钼(Mo)和铝(Al)的多层结构等。
图18B显示了底部栅极薄膜晶体管的示例。在绝缘衬底101上形成绝缘层105，在绝缘层105上提供薄膜晶体管106。在薄膜晶体管106中，提供了栅极电极1304、作为栅极绝缘层的绝缘层1303、半导体层1302、沟道保护层1309、作为保护层的绝缘层1305、和作为层间绝缘层的绝缘层1306。而且，可以在其上形成作为保护层的绝缘层。能够在绝缘层1305上或绝缘层1306上形成布线1307。在形成底部栅极薄膜晶体管的情况下，不必形成绝缘层105。
通过类似于绝缘层1306的方法形成图1A中所示的层间绝缘层108。通过类似于布线1307的方法形成连接端107。在布线的最上面的表面上，可以印刷方法、镀覆方法、溅射方法等由选自于金、银、铜、钯和铂中的一种或多种元素来形成层。
各向异性导电粘合剂104是粘性的有机树脂，其中分散了导电颗粒109(每个颗粒具有大约几纳米至几微米的颗粒直径)。给出了环氧树脂、酚醛树脂等作为该有机树脂。通过选自于金、银、铜、钯和铂的一种或多种元素来形成导电颗粒，或者导电颗粒可以是具有这些元素的多层结构的颗粒。此外，可以使用通过表面涂覆了薄膜的树脂形成的导电颗粒，其中薄膜是由选自于金、银、铜、钯和铂的一种或多种元素形成的。
替代各向异性的导电粘合剂104，可以使用通过固化导电糊剂形成的导电层。作为通过固化导电糊剂形成的导电层的典型示例，给出了包括选自于锡(Sn)、银(Ag)、铋(Bi)、铜(Cu)、铟(In)、镍(Ni)、锑(Sb)和锌(Zn)的多种元素的合金。
天线103具有介电层110、形成在介电层110一个表面上的第一导电层111、形成在介电层110另一个表面上并且隔着介电层110与第一导电层111相对的第二导电层112、以及供电层113。下面将具有这种结构的天线称作片状天线。第一导电层111用作发射电极。第二导电层112用作接地体。提供供电层113，使其不与第一导电层111和第二导电层112接触。电力通过供电层113从天线输送到包括薄膜晶体管的电路，或者从包括薄膜晶体管的电路输送到天线。
在此实施方式中，连接端107通过包含在各向异性导电层104中的导电颗粒109电连接到供电层113。尽管没有显示，但是包含薄膜晶体管的电路的接地电极通过导电颗粒109电连接到天线103的第二导电层112。
此处说明片状天线。
能够通过陶瓷、有机树脂、陶瓷或有机树脂的混合物等形成片状天线的介电层110。作为陶瓷的典型示例，给出了氧化铝、玻璃、镁橄榄石等。而且，可以混合多种陶瓷。为了获得高的介电常数，优选地通过铁电材料形成介电层110。作为铁电材料的典型示例，给出了钛酸钡(BaTiO3)、钛酸铅(PbTiO3)、钛酸锶(SrTiO3)、锆酸铅(PbZrO3)、铌酸锂(LiNbO3)、锆钛酸铅(PTZ)等。而且，可以使用多种铁电材料的混合物。
作为能够用作介电层110的有机树脂，适当地使用热固性树脂或热塑性树脂。作为有机树脂的典型示例，能够使用树脂材料，例如环氧树脂、酚醛树脂、聚丁二烯树脂、双马来酰亚胺三嗪系树脂、乙烯苯、聚延胡索酸酯、氟树脂等。而且，也可以使用多种有机树脂材料的混合物。
在通过陶瓷与有机树脂的混合物形成介电层110的情况下，优选地以陶瓷颗粒分散在有机树脂中的方式形成介电层110。此处，陶瓷颗粒在介电层110中的含量优选地是大于等于20vol％且小于等于60vol％。而且，陶瓷颗粒的直径优选地是从1至50μm。
介电层110的相对介电常数优选地从2.6至150，更优选地是2.6至40。通过使用具有高相对介电常数的铁电材料，能够降低片状天线的电容。
能够通过选自于金、银、铜、钯、铂和铝的金属，包括该金属的合金等形成片状天线的第一导电层111、第二导电层112和供电层113。能够通过印刷方法或镀覆方法形成片状天线的第一导电层111、第二导电层112和供电层113。能够通过蒸发方法、溅射方法等在介电层上形成导电膜并局部地刻蚀该导电层来形成这些导电层的每层。
片状天线优选地是尺寸为12mm×12mm×4mm，7mm×7mm×3mm或7mm×7mm×1.5mm的矩形平板；但是，尺寸不限于这些。也能够使用圆形平板。
参照图7A至7D说明此实施方式的将用作天线103的片状天线。
图7A显示了具有用作发射电极的第一导电层202、用作接地体的第二导电层203以及供电点204的片状天线。如果用作发射电极的第一导电层202是圆形的并且退化分离元件205存在于点对称的两个区域中，则片状天线是圆极化波天线。同时，如果第一导电层202是圆形的，则片状天线是直线极化波天线。
图7B显示了具有用作发射电极的第一导电层212、介电层211、用作接地体的第二导电层213以及供电点214的片状天线。如果用作发射电极的第一导电层212是矩形的并且退化分离元件215存在于点对称的两个区域中，则片状天线是圆极化波天线。同时，如果第一导电层212是矩形的，则片状天线是直线极化波天线。
图7C显示了具有用作发射电极的第一导电层222、介电层221、用作接地体的第二导电层223以及供电层224的片状天线。用作发射电极的第一导电层222是矩形的，并且在两个点对称的角部分具有退化分离元件225。如果用作发射电极的第一导电层222是矩形的并且退化分离元件225存在于点对称的两个区域中，则片状天线是圆极化波天线。同时，如果第一导电层222是矩形的，则片状天线是直线极化波天线。用作发射电极的第一导电层222和供电层224通过缝隙容性耦合。而且，由于供电层224形成在介电层的侧表面，所以能够进行表面安装。
由于图7A至7C中所示的片状天线在介电层201、211和221的一个表面上具有用作接地体的第二导电层203、213和223，所以在第一导电层202、212和222一侧存在方向性。
图7D显示了具有用作发射电极的第一导电层242、介电层241、用作接地体的第二导电层243以及供电层244的片状天线。在第一导电层242中，在对角线上形成正交切口。换言之，提供了十字切口。因此，以十字方式暴露出介电层241。用作发射电极的第一导电层242和供电层244通过缝隙容性耦合。作为具有这种形状的片状天线的典型示例，给出了CABPB 1240、CABPB 0730和CABPB 0715(由TDK公司制造)。而且，由于供电层244形成在介电层的侧表面，所以能够进行表面安装。由于具有这种结构的片状天线通过发射电极的正交切口而具有非方向性，所以不需要选择将要安装的位置和将要设置的角度。
还能够使用除了图7A至7D所示的片状天线以外的已知片状天线。
通过使用片状天线，能够发送和接收以下内容：GPS(全球定位系统(1.5GHz))；卫星数字广播(2.6GHz)；例如无线LAN(局域网)(2.4GHz、5.2GHz)、用于连接信息装置的无线通信技术(蓝牙(注册商标)(2.4GHz))或UWB(超宽带)(3至10GHz)的PAN(个人区域网络)；三代数据通信；包通信等。
如图1B所示，可以在绝缘层上堆叠具有薄膜晶体管的多个层。具体地，在具有薄膜晶体管的第一层121上形成具有薄膜晶体管的第二层122。在具有薄膜晶体管的第二层122上形成具有薄膜晶体管的第三层123。在具有薄膜晶体管的第三层123中，在薄膜晶体管上形成绝缘层127。此外，在绝缘层127的表面上，形成连接到从具有薄膜晶体管的第一层至具有薄膜晶体管的第三层中任何一个薄膜晶体管的连接端126。
在具有薄膜晶体管的第一层121中，在薄膜晶体管上形成第一绝缘层124。在第一绝缘层124中，在具有薄膜晶体管的第一层121中的薄膜晶体管与在具有薄膜晶体管的第二层122中的薄膜晶体管电性地断开连接。此外，在具有薄膜晶体管的第二层122中，在薄膜晶体管上形成第二绝缘层125。在第二绝缘层125中，在具有薄膜晶体管的第二层122中的薄膜晶体管与在具有薄膜晶体管的第三层123中的薄膜晶体管电性地断开连接。在具有薄膜晶体管的第三层123中，在薄膜晶体管上形成第三绝缘层127。在第三绝缘层127中，在具有薄膜晶体管的第三层123中的薄膜晶体管与连接端电性地断开连接。
能够通过使用具有薄膜晶体管的第一层至具有薄膜晶体管的第三层的每一层形成处理单元、电源电路、时钟发生电路、数据调制/解调电路、控制电路、接口电路、存储电路、检测电路等来获得紧凑的多功能无线芯片。
使用图1B中的具有薄膜晶体管的第一层至具有薄膜晶体管的第三层显示具有薄膜晶体管的层120；但是，本发明不限于此。具有薄膜晶体管的层120可以包括具有薄膜晶体管的两层。此外，具有薄膜晶体管的层120可以包括具有薄膜晶体管的四层或更多层。
此处，参照图9A至9C和图10来说明本发明无线芯片的结构。如图9A所示，本发明的无线芯片20具有无线地发送和接收数据的功能，还具有电源电路11、时钟发生电路12、数据调制/解调电路13、控制其它电路的控制电路14、接口电路15、存储电路16、总线17和天线18。
此外，如图9B所示，本发明的无线芯片20具有无线地发送和接收数据的功能，并且除了具有电源电路11、时钟发生电路12、数据调制/解调电路13、控制其它电路的控制电路14、接口电路15、存储电路16、总线17和天线18之外还可以具有微处理器(CPU)21。
而且，如图9C所示，本发明的无线芯片20具有无线地发送和接收数据的功能，并且除了具有电源电路11、时钟发生电路12、数据调制/解调电路13、控制其它电路的控制电路14、接口电路15、存储电路16、总线17、天线18和中央处理单元21之外还可以具有包括检测元件31和检测控制电路32的检测部分30。
在本发明的无线芯片中，通过使用具有薄膜晶体管的层除了形成电源电路11、时钟发生电路12、数据调制/解调电路13、控制其它电路的控制电路14、接口电路15、存储电路16、总线17、天线18和中央处理单元21之外，还形成包括检测元件31和检测控制电路32等的检测部分30。
电源电路11是根据天线18输入的交变信号产生各种将提供至无线芯片20中各个电路的电源的电路。时钟发生电路12是根据天线18输入的交变信号产生各种将提供至无线芯片20中各个电路的时钟信号的电路。数据调制/解调电路13具有调制/解调将被发送至或从读取器/写入器19接收的数据的功能。控制电路14具有控制存储电路16的功能。天线18具有向读取器/写入器19发送以及从读取器/写入器19接收电场或电波的功能。读取器/写入器19具有与无线芯片交换数据、控制无线芯片、以及控制对发送到无线芯片或从无线芯片接收的数据的处理的功能。无线芯片不限于上述结构，例如，可以增加其它的元件，例如电源电压的限幅电路或仅用于处理代码的硬件。
存储电路16具有选自于DRAM、SRAM、FeRAM、掩模ROM、PROM、EPROM、EEPROM、闪存和有机存储器的一个或多个元件。
有机存储器在一对电极之间具有包含有机化合物的层。而且，在一对电极之间，有机存储器具有其中有机化合物与无机化合物混合的层。作为有机化合物的典型示例，使用通过电作用或光照射改变其形状、传导率或结晶条件的物质。典型地，能够使用掺杂了通过吸收光产生酸的化合物(光酸发生剂)的共轭聚合物、具有高的空穴传输特性的有机化合物、或具有高的电子传输特性的有机化合物。
在一对电极之间提供有机化合物和无机化合物的混合层的情况下，优选地混合具有高的空穴传输特性的有机化合物与容易接收电子的无机化合物。此外，优选地混合具有高的电子传输特性的有机化合物与容易施予电子的无机化合物。通过具有这样的结构，在最初本身几乎没有载流子的有机化合物中产生许多空穴载流子或电子载流子，因此有机化合物表现出极高的空穴注入/传输特性或电子注入/传输特性。
由于能够在有机存储器中同时实现尺寸减小、薄膜厚度降低以及电容增加，所以通过使用有机存储器形成存储单元16，无线芯片可以是紧凑且质轻的。
能够在形成薄膜晶体管的同时形成掩模ROM。由多个晶体管形成掩模ROM。此时，能够通过打开或不打开用于布线(例如，布线连接到晶体管的漏区)的接触孔来写入数据。例如，当打开接触孔时能够将1(开启)的数据(信息)写入存储单元，当没有打开接触孔时能够将0(关闭)的数据(信息)写入存储单元。
例如，在使用例如分档器的曝光装置通过标线片(光掩模)曝光抗蚀剂的步骤之前或之后，通过电子束或激光照射形成在图1A所示薄膜晶体管106上的层间绝缘层108上的将提供接触孔的一部分抗蚀剂。之后，如通常一样进行显影、刻蚀、剥离抗蚀剂的步骤，以形成布线。这能够仅通过选择将通过电子束或激光照射的区域来独立地形成提供接触孔的图形以及不提供接触孔的图形，而不会改变标线片(光掩模)。换言之，通过选择将通过电子束或激光照射的区域，能够制造其中在生产时对每个半导体器件写入不同数据的掩模ROM。
能够通过使用这样的掩模ROM制造每个半导体器件的UID(唯一标识符)等。
此处，将参照图10的方块图说明中央处理单元21的结构。
首先，将信号输入到总线17，然后在分析电路1003(也称作指令译码器)中对信号进行解码，将解码的信号输入到控制信号发生电路1004(CPU定时控制器)。一旦输入信号，控制信号就从控制信号发生电路1004输出到算术电路(以下称作ALU1009)和存储电路(以下称作寄存器1010)。
控制信号发生电路1004包括用于控制ALU 1009的ALU控制器(以下称作ACON)1005、用于控制寄存器1010的电路(以下称作RCON)1006、用于控制定时的定时控制器(以下称作TCON)1007、以及用于控制中断的中断控制器(以下称作ICON)1008。
同时，在处理信号输入到总线17之后，将信号输出到ALU 1009和寄存器1010。然后，根据从控制信号发生电路1004输入的控制信号(例如存储器读取周期、存储器写入周期、I/O读取周期、I/O写入周期等)进行处理。
寄存器1010包括通用寄存器、堆栈指针(SP)、程序计数器(PC)等。
地址控制器1011将16位的地址输出到总线17。
此实施例中显示的中央处理单元的结构不限制本发明的结构。除了上述的结构，也可以使用已知的中央处理单元的结构。
检测部分30能够通过物理或化学的手段检测温度、压力、流率、光、磁、声波、加速度、湿度、气体成分、流体成分以及其它的特征。而且，检测部分30具有用于检测物理量或化学量的检测元件31、以及用于将检测元件31检测的物理量或化学量转换成适当信号(例如电信号)的检测控制电路32。作为检测元件31，能够使用电阻元件、电容耦合元件、电感耦合元件、光电动元件、光电转换元件、热电动元件、晶体管、热敏电阻、二极管、压力元件、静电电容元件、压电元件等。检测部分30的数量可以不止一个，在此情况下，能够同时检测多个物理量或化学量。
此处所述的物理量意味着温度、压力、流率、光、磁、声波、加速度、湿度等，而化学量意味着化学物质，例如像离子的气体成分或流体成分等。此外，也可以包括例如在血液、汗液、尿液等(例如，血液中的血糖水平)中包含的特别的生物学物质的有机化合物。特别地，在检测化学量的情况下，由于需要选择地检测特别的物质，所以事先在检测元件31中提供与待检测物质选择地反应的物质。例如，在检测生物学物质的情况下，优选地在聚合物等中固定可与将通过检测元件31检测的生物学物质选择地反应的酶、电阻分子、微生物细胞等。
在读取器/写入器与无线芯片之间的通信，能够通过使用检测部分30检测温度、压力、流率、光、磁、声波、加速度、湿度、气体成分、流体成分以及其它的特征。可以对无线芯片使用膜状的二次电池。作为膜状二次电池的典型示例，能够使用具有渗透了电解液的凝胶体的薄的二次电池。在此情况下，即使不与读取器/写入器进行通信，也能够通过使用检测部分30检测上述特征。
在本实施方式的无线芯片中，能够形成天线以及具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层，使其具有几乎相同的尺寸。绝缘衬底用作具有薄膜晶体管的层的保护物以及天线的保护物。因此，增强了无线芯片的机械强度。
实施方式2
图2中显示了本发明无线芯片的实施方式。图2是无线芯片的剖面图。在此实施方式中，说明了具有片状天线以及具有薄膜晶体管的多层的无线芯片的结构，其中这些层通过各向异性导电粘合剂彼此固定在一起。
在此实施方式的无线芯片中，类似于实施方式1，在绝缘衬底101上形成具有薄膜晶体管的第一层102。此外，具有薄膜晶体管的第一层102和具有薄膜晶体管的第二层131通过各向异性导电粘合剂133彼此固定在一起。
通过在各向异性导电粘合剂133中分散的导电颗粒将形成在具有薄膜晶体管的第一层102表面上的第一连接端电连接到形成在具有薄膜晶体管的第二层表面上的第二连接端。
在已经提供在衬底上的剥离层上形成具有薄膜晶体管的第二层131之后，从剥离层剥离具有薄膜晶体管的第二层131，并通过各向异性导电粘合剂133将第二层131附着到具有薄膜晶体管的第一层102上。作为剥离方法，能够适当地使用下面的方法：(1)在具有高热阻的衬底与具有薄膜晶体管的第二层之间提供金属氧化物膜作为剥离层，通过结晶化弱化该金属氧化物薄，由此剥离具有薄膜晶体管的第二层；(2)在具有高热阻的衬底与具有薄膜晶体管的第二层之间提供含有氢的无定形硅膜作为剥离层，通过激光照射或刻蚀去除该无定形硅膜，由此剥离具有薄膜晶体管的第二层；(3)机械地去除或使用例如NF3、BrF3或ClF3的溶液或卤素氟化物的气体刻蚀已经形成了具有薄膜晶体管的第二层的具有高热阻的衬底(玻璃衬底、硅衬底等)；(4)在具有高热阻的衬底与具有薄膜晶体管的第二层之间提供金属层和金属氧化物膜，通过结晶化弱化该金属氧化物膜，使用例如NF3、BrF3或ClF3的溶液或卤素氟化物的气体刻蚀金属层的一部分，然后物理地剥离弱化的金属氧化物膜；(5)在具有高热阻的衬底与绝缘层之间提供剥离层和金属氧化物膜，在绝缘层上形成具有薄膜晶体管的第二层131，同时弱化该金属氧化物膜，通过激光照射具有薄膜晶体管的第二层131的一部分绝缘层以形成开口部分(开口部分用于暴露剥离层的一部分)，基底材料连接到具有薄膜晶体管的第二层131上，使用弱化的金属氧化物层从衬底物理地剥离具有薄膜晶体管的第二层131；等。
类似于具有薄膜晶体管的第一层102和具有薄膜晶体管的第二层131，具有薄膜晶体管的第二层131与具有薄膜晶体管的第三层132通过各向异性导电粘合剂134彼此固定在一起。
通过在各向异性导电粘合剂134中分散的导电颗粒将形成在具有薄膜晶体管的第二层131表面上的第三连接端电连接到形成在具有薄膜晶体管的第三层132表面上的第四连接端。
能够通过使用具有薄膜晶体管的第一层102至具有薄膜晶体管的第三层132的每一层形成处理单元、电源电路、时钟发生电路、数据调制/解调电路、控制电路、接口电路、存储电路、检测电路等的任何一个来获得紧凑的多功能无线芯片。
通过在各向异性导电粘合剂中的导电颗粒将形成在具有薄膜晶体管的第三层132表面上的第五连接端电连接到天线103。尽管此处没有显示，形成有薄膜晶体管的电路的接地电极通过导电颗粒类似地电连接到天线的第二导电层112。代替各向异性导电粘合剂135，可以使用通过固化导电糊剂形成的导电层。
尽管显示了其中具有薄膜晶体管的第一层至具有薄膜晶体管的第三层通过各向异性导电粘合剂彼此固定在一起的无线芯片，但是本发明不限于此，可以使用具有薄膜晶体管的两层。而且，可以使用具有薄膜晶体管的四层或更多层。
此外，本实施方式可适当地与实施方式1进行组合。
在本实施方式的无线芯片中，能够形成天线以及具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层，使其具有几乎相同的尺寸。绝缘衬底用作具有薄膜晶体管的层的保护物以及天线的保护物。因此，增强了无线芯片的机械强度。
而且，由于在此实施方式的无线芯片中具有薄膜晶体管的多层被固定到片状天线，所以无线芯片具有复合的功能。
实施方式3
将参照图3说明本发明的无线芯片的实施方式。图3是无线芯片的剖面图。此实施方式将说明其中具有薄膜晶体管的层和片状天线提供在绝缘层上的不同区域中的无线芯片(的)结构。
在绝缘衬底101上，在第一区域145中形成具有薄膜晶体管的层141。在具有薄膜晶体管的层141的表面上，形成连接端143。能够与实施方式1中形成具有薄膜晶体管的第一层102类似地形成具有薄膜晶体管的层141。此外，如图3所示，可以去除第二区域146中部分的薄膜晶体管及其上形成的绝缘层。
通过各向异性导电粘合剂142将天线103固定在第二区域146上。形成具有薄膜晶体管的层141的连接端143，以便第一区域145和第二区域146重叠。天线103的供电层113通过分散在各向异性导电粘合剂142中的导电颗粒电连接到具有薄膜晶体管的层141的连接端143。尽管没有显示，但是形成有薄膜晶体管的电路的接地电极通过导电颗粒类似地电连接到天线的第二导电层112。代替各向异性导电粘合剂142，可以使用通过固化导电糊剂形成的导电层。
在此实施方式中，具有薄膜晶体管的层具有单层结构；但是，具有薄膜晶体管的层可以具有如实施方式2中所示的多层结构。此外，如实施方式3中所示，可以通过各向异性导电粘合剂将具有薄膜晶体管的多层彼此固定到一起。
由于在此实施方式的无线芯片中具有薄膜晶体管的多层被固定到片状天线，所以无线芯片具有复合的功能。
实施方式4
将参照图4说明本发明无线芯片的实施方式。图4是无线芯片的剖面图。此实施方式将说明其中通过各向异性导电粘合剂、导电层等将形成在绝缘衬底上的具有薄膜晶体管的层、无源元件和片状天线固定到一起的无线芯片的结构。
如实施方式1所示，在绝缘衬底101上形成具有薄膜晶体管的层102。通过各向异性导电粘合剂104将具有薄膜晶体管的层102与无源元件150彼此固定到一起。此处，通过第一无源元件151和第二无源元件152来显示无源元件150。而且，通过各向异性导电粘合剂104中的导电颗粒将暴露在具有薄膜晶体管的层102表面处的连接端107电连接到无源元件150的第一连接端161。可以使用通过固化导电糊剂形成的导电层来代替各向异性导电粘合剂104。
无源元件150和天线103通过导电层171和172彼此固定。天线103的供电层113、无源元件150的第二连接端168、片状天线的用作接地体的第二导电层112、以及无源元件的第三连接端169分别通过导电层171和172电连接。通过固化导电糊剂形成导电层171和172。作为通过固化导电糊剂形成的导电层的典型示例，给出了含有选自于锡(Sn)、银(Ag)、铋(Bi)、铜(Cu)、铟(In)、镍(Ni)、锑(Sb)和锌(Zn)中的多种元素的合金。
第一无源元件151通过使用绝缘层154至157以及在其间提供的导电层162至164而具有电容器、电感器和电阻器中的一个或多个。类似地，第二无源元件152通过使用绝缘层157至160以及在其间提供的导电层165至167而具有电容器、电感器和电阻器中的一个或多个。
优选地是，第一无源元件151或第二无源元件152的绝缘层154至160的相对介电常数是2.6至40。通过具有高的电导率的金属(例如，金、银、铜或铝、或者含有选自于这些金属的多种元素的合金)形成导电层162至167。
以下说明用于形成第一无源元件151和第二无源元件152的方法。在厚度为10至150μm的含有以片状形状形成的氧化铝和氧化硅的陶瓷上(其是所谓的印刷电路基板或坯片)，通过印刷方法由具有高电导率的金属(例如，金、银、铜或铝、或者含有选自于这些金属的多种元素的合金)形成导电层。如果必要，可以在印刷电路基板上形成通孔，并可以通过导电糊剂填充通孔来形成插塞。可以通过适当地混合用于形成实施方式1中所示片状天线的介电层110的陶瓷、有机树脂等来形成印刷电路基板。多个已经印刷了导电层的这样的印刷电路基板能够堆叠在一起，并在对其施加热量时能够压紧，然后加工使其具有预定的尺寸。之后，能够在800至1300℃下烘烤绝缘层和导电层，由此形成第一无源元件151和第二无源元件152。而且，可以在绝缘层的侧表面形成导电层，并且该导电层连接到形成在各个层中的导电层。
通过组合例如电容器、电感器、电阻器和布线的多个无源元件，能够形成包括电容器(capacitor，电容器)、双工器(天线共用器)和低通滤波器的天线前端模块；包括隔离器、连接器、衰减器和功率放大器的隔离器功率放大器模块；VCO(电压控制振荡器)；带通滤波器(BPF)；多层滤波器；不平衡变压器；介质滤波器；连接器；共振器等。
使用具有薄膜晶体管的层和无源元件形成电源电路、时钟发生电路、数据调制/解调电路、用于控制其它电路的控制电路、接口电路、存储电路、总线、天线、中央处理单元、包括检测元件和检测控制电路的检测部分等。
本实施方式可适当地与实施方式1至3的任何一个进行组合。
本实施方式的无线芯片包括使用通过薄膜方式形成的薄膜晶体管和无源元件形成的集成电路。因此，由于使用具有适当功能的元件形成每个电路，所以无线芯片具有复合的功能。通过将本发明的无线芯片安装在布线衬底上，能够减少安装部件的数量。因此，能够减小布线衬底的尺寸以及具有该布线衬底的电子设备的尺寸。
实施方式5
图5说明了本发明无线芯片的实施方式。图5是无线芯片的剖面图。此实施方式将说明其中通过各向异性导电粘合剂、导电层等将通过各向异性导电粘合剂彼此固定的具有薄膜晶体管的多个层、无源元件和片状天线彼此固定的无线芯片的结构。
类似于实施方式3，在绝缘层101上形成具有薄膜晶体管的第一层102。具有薄膜晶体管的第一层102和具有薄膜晶体管的第二层131通过各向异性导电粘合剂133彼此固定在一起。
通过在各向异性导电粘合剂133中分散的导电颗粒将形成在具有薄膜晶体管的第一层102表面上的第一连接端电连接到形成在具有薄膜晶体管的第二层表面上的第二连接端。
类似于具有薄膜晶体管的第一层102和具有薄膜晶体管的第二层131，具有薄膜晶体管的第二层131与具有薄膜晶体管的第三层132通过各向异性导电粘合剂134彼此固定在一起。
通过在各向异性导电粘合剂134中分散的导电颗粒将形成在具有薄膜晶体管的第二层131表面上的第三连接端电连接到形成在具有薄膜晶体管的第三层132表面上的第四连接端。
通过各向异性导电粘合剂135将无源元件150与具有薄膜晶体管的第三层132彼此固定。此处，类似于实施方式4，由第一无源元件151和第二无源元件152显示无源元件150。而且，各向异性导电粘合剂中的导电颗粒将暴露在具有薄膜晶体管的第三层132的表面处的连接端电连接到无源元件150的第一连接端。可以使用通过固化导电糊剂形成的导电层来代替各向异性导电粘合剂135。
类似于实施方式4，无源元件150和天线103通过导电层171和172彼此固定。天线103的供电层113、无源元件150的第二连接端168、片状天线的用作接地体的第二导电层112、以及无源元件的第三连接端169分别通过导电层171和172电连接。通过固化导电糊剂形成导电层171和172。
本实施方式可适当地与实施方式1至4的任何一个进行组合。
本实施方式的无线芯片包括使用通过厚膜方式形成的薄膜晶体管和无源元件形成的集成电路。因此，由于使用具有适当功能的元件形成每个电路，所以无线芯片具有复合的功能。通过将本发明的无线芯片安装在布线衬底上，能够减少安装部件的数量。因此，能够减小布线衬底的尺寸以及具有该布线衬底的电子设备的尺寸。
实施方式6
图6A和6B中显示了本发明无线芯片的实施方式。图6A是无线芯片的发展图，而图6B是沿着图6A中线A-B的剖面图。此实施方式将说明具有多个天线的无线芯片的结构，特别是说明具有片状天线以及提供在具有薄膜晶体管的层上的天线的无线芯片的结构。
类似于实施方式1，在绝缘衬底101上形成具有薄膜晶体管的第一层102。在具有薄膜晶体管的层102上，形成层间绝缘层182。在层间绝缘层182上形成第一天线181。在第一天线181上，形成绝缘层183，在绝缘层183的表面上形成连接端184。
通过各向异性导电粘合剂104将暴露连接端184的绝缘层183与用作第二天线103的片状天线彼此固定。此外，通过各向异性导电粘合剂104中分散的导电颗粒将连接端184与片状天线的供电层113彼此电连接。连接端184电连接到形成在具有薄膜晶体管的层102中的第一薄膜晶体管185。而且，形成在具有薄膜晶体管的层102中的第二薄膜晶体管186连接到第一天线181。可以使用通过固化导电糊剂形成的导电层来代替各向异性导电粘合剂。
通过含有铝、铜或银的金属材料形成第一天线181。例如，能够通过丝网印刷、偏置印刷或喷墨印刷形成铜或银的糊状合成物。或者，可以通过溅射形成铝膜并通过刻蚀图形化铝膜。此外，可以使用电镀方法或无电镀方法。
此处，第一天线181具有如图8A所示的方形线圈的形状。
参照图8A至8C说明第一天线181的形状。图8A至8C是显示层间绝缘层182和形成在层间绝缘层182上的天线的顶视图。尽管在此实施方式中第一天线181具有如图6A和图8A所示的方形线圈形状181a，但是形状不限于此。天线可以具有圆形线圈形状。此外，如图8B所示，天线能够具有方形环形状181b。天线还能够具有圆形环形状。此外，如图8C所示，天线可以具有线性偶极子形状181c。而且，天线可以具有曲线偶极子形状。
本实施方式能够适当地与实施方式1至5的任何一个进行组合。
通过以此方式提供多个天线，能够形成可以通过一个无线芯片接收许多电波的多频带兼容的无线芯片。
本实施方式的无线芯片包括使用通过厚膜方式形成的薄膜晶体管和无源元件形成的集成电路。因此，由于使用具有适当功能的元件形成每个电路，所以无线芯片具有复合的功能。通过将本发明的无线芯片安装在布线衬底上，能够减少安装部件的数量。因此，能够减小布线衬底的尺寸以及具有该布线衬底的电子设备的尺寸。
实施例1
此实施例将参照图15A至15H和图16A至16H说明用于制造能够用于本发明无线芯片的薄膜晶体管的方法。
如图15A所示，在衬底401上形成用作阻挡膜的绝缘层402。接下来，通过日本专利申请公开No.2002-313811中公开的方法形成晶体半导体层403。具体地，在加热已经添加了催化元素的无定形半导体层之后，通过激光照射无定形半导体层以形成晶体半导体层403。接下来，在晶体半导体层上以厚度为1至5纳米的氧化物膜形成绝缘层，形成厚度为10至400纳米的已经添加了惰性气体的无定形半导体层并加热，以便形成其中催化元素的浓度已经降低的晶体半导体层403。
能够通过由低温热CVD方法、等离子CVD方法、溅射方法等获得的半导体材料形成无定形半导体层，例如使用硅或含有硅作为其主要成分的合金。
接下来，在晶体半导体层403的表面上通过臭氧水形成薄的氧化物膜之后，施加抗蚀剂并烘烤。之后，进行曝光和显影以形成掩模。接下来，使用掩模将晶体半导体层403刻蚀成预期形状，由此以预期形状形成分开的晶体半导体层411和412。在形成晶体半导体层411和412之后，去除掩模(参照图15B)。
接下来，在晶体半导体层411和412的表面上形成厚度为1至10纳米的绝缘层413和414。通过在氧气环境下UV光照射、热氧化方法、使用包含羟基或过氧化氢的臭氧水的工艺等，在晶体半导体层411和412的表面上形成绝缘层413和414。或者，通过等离子CVD方法在衬底的所有表面上形成含有氧化硅的绝缘层。此处，通过使用臭氧水处理晶体半导体层的表面，由氧化硅形成绝缘层413和414。
接下来，如图15C所示，在施加抗蚀剂并烘烤抗蚀剂之后，进行曝光和显影以便在绝缘层413和414上形成掩模415和416。接下来，通过对晶体半导体层411和412掺杂杂质元素形成高浓度的杂质区域417和418。此处，通过使用磷作为杂质元素来进行掺杂。
接下来，如图15D所示，在去除了掩模415和416之后，加热晶体半导体层。此处，通过在450到650℃下加热，残留在晶体半导体层411和412中的催化元素分散在高浓度的杂质区域417和418中，以降低由掩模覆盖的晶体半导体层的区域421和422中的催化元素的浓度。
接下来，如图15E所示，在去除绝缘层413和414之后，在衬底表面上形成用作栅极绝缘层的绝缘层423。此处，通过CVD方法使用氧化硅形成绝缘层423。
接下来，在绝缘层423上形成用作栅极电极的导电层424和425。能够通过类似于形成实施方式1中所示的薄膜晶体管106的栅极电极的方法形成导电层424和425。
接下来，如图15F所示，在施加抗蚀剂并烘烤抗蚀剂之后，进行曝光和显影以便在晶体半导体层412上形成掩模431。然后，使用导电层424作为掩模对晶体半导体层411掺杂杂质元素，由此形成低浓度的杂质区域432。此处，通过使用磷作为杂质元素来进行掺杂。
随后，如图15G所示，在去除掩模431之后，通过类似于掩模431的步骤在晶体半导体层411上形成掩模441。接下来，使用导电层425作为掩模对晶体半导体层412掺杂杂质元素，由此形成高浓度的杂质区域443。此处，通过使用硼作为杂质元素来进行掺杂。
接下来，在衬底上形成绝缘层之后，进行晶体半导体层的氢化处理以及低浓度杂质区域和高浓度杂质区域中的杂质的激活，由此形成提供n型导电类型的源极和漏极区域444和提供p型导电类型的源极和漏极区域445，以及提供n型导电类型的低浓度杂质区域446。
接下来，在衬底上形成绝缘层451之后，去除一部分绝缘层451，以便露出源极和漏极区域444和445。接下来，形成源极和漏极电极452和453。
通过这些步骤，能够形成具有提供n型导电类型的源极和漏极区域444、沟道形成区域447、用作栅极绝缘层的绝缘层423、用作栅极电极的导电层424、以及源极和漏极区域452的n沟道薄膜晶体管454。而且，能够形成具有提供p型导电类型的源极和漏极区域445、沟道形成区域448、用作栅极绝缘层的绝缘层423、用作栅极电极的导电层425、以及源极和漏极区域453的p沟道型薄膜晶体管455。
而且，能够通过将n沟道型薄膜晶体管454的源极或漏极电极连接到p沟道型薄膜晶体管455的源极或漏极电极来制造CMOS电路。
接下来，参照图16A至图16H在晶体半导体层411和412以及形成在其表面上的绝缘层的制造步骤方面来说明不同于图15A至图15H中所示步骤的薄膜晶体管的制造步骤。
如图16A所示，类似于图15A，在衬底401上形成用作阻挡膜的绝缘层402。接下来，形成晶体半导体层403。
接下来，在晶体半导体层403的表面上形成厚度为1至10纳米的绝缘层461。能够通过类似于图15B所示的形成绝缘层413和414的步骤形成绝缘层461。
接下来，在施加抗蚀剂并烘烤抗蚀剂之后，进行曝光和显影以便形成掩模。接下来，使用掩模将绝缘层461和晶体半导体层403刻蚀成预期形状，由此以预期形状形成分开的绝缘层462和463以及晶体半导体层411和412。在形成晶体半导体层411和412之后，去除掩模(参照图16B)。
接下来，施加抗蚀剂并烘烤抗蚀剂之后，进行曝光和显影以便在绝缘层462和463上形成掩模415和416。
接下来，如图16C所示，通过对晶体半导体层411和412掺杂杂质元素以形成高浓度的杂质区域417和418。此处，通过使用磷作为杂质元素来进行掺杂。
随后，如图16D所示，在去除了掩模415和416之后，加热晶体半导体层411和412。此处，通过在450到650℃进行加热，残留在晶体半导体层中的催化元素被分散在高浓度的杂质区域417和418中，由此降低了由掩模覆盖的晶体半导体层的区域中的催化元素的浓度。
接下来，如图16E所示，在去除了晶体半导体层411和412上的绝缘层462和463之后，在衬底表面上形成用作栅极绝缘层的绝缘层423。此处，通过CVD方法使用氧化硅形成绝缘层423。
通过图15E至15H所示的步骤，能够形成n沟道型薄膜晶体管454和p沟道薄膜晶体管455。
由于在此实施例中，在形成薄膜晶体管454和455的过程中两次进行了降低晶体半导体层中催化元素浓度的步骤，所以降低了晶体半导体层中催化元素的浓度。这能够降低薄膜晶体管454和455的导通电流。
此实施例能够适当地与上述实施方式的任何一个进行组合。
实施例2
本发明的无线芯片能够被广泛地使用。例如，能够将无线芯片20提供给车辆(自行车3901(见图11B)、汽车等)、食品、植物、衣物、一般的商品(手袋3900(见图11A)等)、电子设备、检查装置等。电子设备包括液晶显示器件、EL显示器件、电视装置(也简单的称作TV、TV接收机或电视接收机)、移动电话3902(见图11C)、打印机、照相机、个人计算机、护目镜3903(见图11E)、扬声器装置3904(见图11E)、头戴耳机3905(见图11F)、导航装置、电子钥匙等。
通过将本发明的无线芯片20提供给手袋3900、自行车3901等，能够通过GPS检测这些东西的位置。结果，能够找到被盗的自行车。此外，搜索失踪的人变得容易。
此外，通过在移动电话3902中提供无线芯片20，能够发送并接收信息和电话。
而且，通过将本发明的无线芯片20提供在具有耳机的护目镜3903、扬声器装置3904、和头戴耳机3905中，能够欣赏由音频装置播放的音乐，而不需要使用引线连接到音频装置。而且，可以在具有耳机的护目镜3903中与无线芯片20一起提供紧凑的硬盘(存储装置)。而且，在无线芯片20具有中央处理单元的情况下，能够通过具有耳机的护目镜3903、头戴耳机3905和扬声器装置3904接收、解码、并放大在音频装置中编码的音频信号。因此，能够以高秘密性收听音频。而且，由于不必使用引线，所以能够容易地安装具有耳机的护目镜3903和头戴耳机3905，由此扬声器装置3904的提供是很容易的。在此情况下，优选地是扬声器装置具有电池。
通过将无线芯片安装在印刷衬底、将无线芯片粘到其表面，或者将无线芯片嵌入其中，可将本发明的无线芯片固定在产品上。例如，如果产品是包含有机树脂的包装，则通过将无线芯片嵌入在有机树脂中从而将无线芯片固定到该产品。当把本发明的无线芯片提供给例如食品、植物、动物、人体、衣物、一般的商品、电子设备等的产品时，可以使例如检测系统的系统更加有效。
接下来，将参照附图说明将本发明的无线芯片安装到电子设备的一种模式。此处，将举例的电子设备是移动电话，包括机壳2700和2706、面板2701、外罩2702、印刷布线基板2703、操作按钮2704、电池2705等(见图13)。面板2701可移除地结合在外罩2702中，并且外罩2702固定在印刷布线基板2703中。外罩2702的形状和尺寸可按照其中将结合面板2701的电子设备适当地改变。在印刷布线基板2703上，安装了多个封装的半导体器件。将被安装在印刷布线基板2703上的半导体器件具有选自于控制器、中央处理单元、存储器、电源电路、音频处理电路、发送/接收电路等中的任何功能。而且，能够使用本发明的无线芯片2710。
面板2701通过连接膜2708连接到印刷布线基板2703。上述面板2701、外罩2702和印刷布线基板2703与操作按钮2704和电池2705一起封装在机壳2700和2706中。在面板2701中提供像素区域2709，以便通过机壳2700中提供的开口窗被观察。
应注意，机壳2700和2706仅仅是移动电话的外部形状的示例，本发明的电子设备能够按照功能和预期目的被修改为各种模式。
此处，参照图14说明以移动电话的数据调制/解调电路为代表的高频电路的方块图。
首先说明将通过天线接收的信号发送到基带单元的步骤。输入到天线301的接收信号从双工器302输入到低噪声放大器(LAN)303，并放大成预定的信号。输入到低噪声放大器(LAN)303的接收信号通过带通滤波器(BPF)304输入到混频器305。在混频器305中，从混合电路306输入RF信号，在带通滤波器307中去除RF信号分量并解调。从混频器305输出的接收信号通过SAW滤波器308在放大器309中被放大之后被输入到混频器310。在混频器310中，来自本地振荡器电路311的预定频率的本地振荡信号被输入并转换成预定的频率，并在放大器312中被放大到预定的水平。然后，将信号发送到基带单元313。天线301、双工器302和低通滤波器328被显示为天线前端模块331。
接下来，说明振荡通过天线从基带单元发送的信号的步骤。通过混频器321将基带单元313发送的传输信号与来自混合电路306的RF信号混合。混合电路306连接到电压控制振荡器电路(VCO)322，并提供预定频率的RF信号。
功率放大器(PA)324放大通过带通滤波器(BPF)323的已经被混频器321射频调制的传输信号。连接器325取出来自功率放大器(PA)324的一部分输出，并通过衰减器(APC)326将其调整到具有预定水平。然后，将该输出再次输入到功率放大器(PA)324，并调整使得功率放大器(PA)324的传输增益成为常数。连接器325发送的传输信号通过用于防止逆流的隔离装置327和低通滤波器(LPF)328输入到双工器302，并从连接到双工器302的天线301发送。衰减器(APC)326、功率放大器(PA)324、连接器325、和隔离装置327被显示为隔离装置功率放大器模块332。
由于本发明的无线芯片具有上述的高频电路，所以能够减少部件数量。因此，能够减少在布线基板上安装的部件的数量，由此能够减少布线基板的尺寸。结果，能够减小移动电话的尺寸。
接下来，参照图12A和12B说明能够无线地发送检测到的生物体的功能数据的检查装置的示例。图12A中所示的检查装置3950具有本发明的无线芯片3951，无线芯片3951位于涂覆有保护层的胶囊3952内。胶囊3952与无线芯片3951之间的间隔可以填充填充物3953。
在图12B所示的检查装置3955中，本发明的无线芯片3951设置在涂覆有保护层的胶囊3952内。无线芯片的电极3956暴露在胶囊3952的外侧。胶囊3952与无线芯片3951之间的间隔可以填充填充物3953。
检查装置3950和3955中的无线芯片3951是具有如图9C所示的检测部分的无线芯片。在检测部分中测量物理量或化学量，以便检测生物体的功能数据。能够将检测的结果转换成信号，并发送至读取器/写入器。在检测例如压力量、光或声波的物理量的情况下，能够使用如图12A所示的其中电极没有暴露在胶囊3952外侧的检查装置3950。而且，在检测温度、流率、磁、加速度、湿度、气体成分、例如像离子的流体成分的化学物质等的情况下，优选地使用如图12B所示的其中电极3956暴露在胶囊3952外侧的检查装置3950。
在使用检查装置拍摄身体内部的图像的情况下，检查装置可以具有发光器件，例如LED或EL。这使得能够在身体内部拍摄图像。
提供在胶囊表面上的保护层优选地含有金刚石状的碳(DLC)、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、或氮化碳。胶囊和填充物可以是已知的适当选取的那些。通过在胶囊上提供保护层，能够防止胶囊和无线芯片在身体内部溶解或改变其性质。
为了从检查装置自发地向读取器/写入器发送检查结果，检查装置可以具有已知的电池。
接下来，说明使用检查装置的方法。如图12C所示，受测试者吞下检查装置3950或3955，并使检查装置3950或3955在身体的空腔3963内移动。通过无线芯片中的检测部分检测到的结果被发送至在受测试者附近设置的读取器/写入器3961。通过读取器/写入器接收此结果。因此，能够在此位置检测受测试者的生物体的功能数据，而不用收集无线芯片。而且，能够拍摄体腔和消化器官内的图像。
此外，如图12D所示，通过埋入在受测试者3962体内的检查装置3950或3955，无线芯片中的检测部分检测到的结果被发送至在受测试者附近设置的读取器/写入器3964。在此情况下，检查装置3955埋入在受测试者的体内，使得电极3956与受测试者身体的待测量部分接触。读取器/写入器接收此结果。将接收的结果记录在生物信息管理计算机中并在其中进行处理，因此能够管理受测试者的生物信息。通过在床3960中提供读取器/写入器3964，能够在任何时间检测遭受官能障碍并很难走动的受测试者的生物信息，并且能够管理受测试者的治疗状态和健康条件。
此实施例能够适当地与上述实施方式的任何一个进行组合。
实施例3
此实施例将参照图17说明填充了流体的容器从制造商配送到交付代理人等的管理系统。
图17中所示的填充了流体的容器的管理系统包括供给器501和填充了流体的容器502。供给器501具有用于从容器引出流体的引管503、用于向外部供应流体的供给管嘴504、用于控制从引管引出的流体向供给管嘴流动的第一阀门505、用于控制流体从第一阀门向供给管嘴流动的第二阀门506、用于读取存储在无线芯片中的信息的读取器/写入器507、和用于根据读取器/写入器发送的信号控制第一阀门控制部分508。
容器502具有如上述实施方式和实施例中所示的无线芯片509。在无线芯片509中存储了用于填充容器502的流体的信息，例如制造数据、制造商、以及材料。在制造商的管理中心511管理该信息。无线芯片509可以具有电池。通过提供电池，无线芯片能够自发地将信息发送到读取器/写入器。此外，无线芯片509可以具有检测部分。能够通过读取器/写入器和接口将关于检测部分检测到的流体的信息发送至制造商的管理中心。
通过金属、塑料、陶瓷等形成容器502。
作为用于填充容器502的流体的典型示例，给出了例如可饮用水、温泉水或日常生活用水的液体；例如丙烷气体、天然气、氢气、氧气或氮气的气体；或例如浆糊、冰淇淋或汤的凝胶状流体。
当容器502连接到供给器501时，供给器501的读取器/写入器507读取存储在容器502的无线芯片509中的信息。接下来，通过接口512将读取器/写入器读取的信息发送至制造商的管理中心511。接口512将存储在无线芯片509中的信息发送到外面，并且用作终端侧信息发送/接收装置，用于从管理中心511接收信号。可以使用因特网、电话线等作为接口512。
从接口512发送的流体的信息被发送至制造商的管理中心511内的服务器513。在管理中心内的服务器513判断流体的信息，具体地为使用日期、产品有效期、制造商和材料。在无线芯片509具有检测部分的情况下，除了上述的流体信息外，还能够接收流体的各种信息，例如新鲜度、温度等。此处，根据容器的装运列表514和过去使用的容器的列表515，通过判断容器502和供给器501的选择的一致性以及流体的使用日期、产品有效期和制造商来判断是否供应流体。在制造商的管理中心511，容器的装运列表514和过去使用的容器的列表515存储在服务器513中。
接下来，是否供应该流体的判断结果从管理中心511发送至供给器501。供给器501的读取器/写入器507接收来自管理中心的传输。如果将要供应该流体，则将信号发送到供给器的控制部分508，第一阀门505开启。当店员打开第二阀门506时，该流体能够通过供给管嘴504被提供到外面。优选地，第一阀门505是自动可控的，可以通过电磁阀来形成第一阀门505。优选地，第二阀门506是手动可控或自动可控的，可以通过手控阀或自动阀来形成第二阀门506。如果第二阀门506是自动可控的，则通过连接到由店员操作的开关的电磁阀来控制该阀门的开启和关闭。
通过使用这样的系统，制造商能够计算该流体在交付代理人处的消耗量。因此，能够自动地进行填充该流体的容器的装运管理，这简化了在交付代理人和制造商处运输和接收定单的步骤。
由于第一阀门505的开启和关闭由存储在无线芯片509中的信息控制，所以能够自动地控制流体的供应。因此，能够防止流体超出使用日期和产品有效期，避免了由于较差的保存状态等而变质的流体被提供给消费者。
而且，根据存储在无线芯片509中的信息，能够区别由某公司制造的容器502和填充容器502的流体与由其它公司制造的容器和流体。因此，能够防止由其它公司制造的同种流体与由某公司制造的供给器相连而被供给。
此实施例能够适当地与上述实施方式的任何一个进行组合。
本申请是以2005年3月8日在日本专利局提交的日本专利申请序列号No.2005-064271为基础，所述申请的全部内容以引用方式并入本文。

Claims (11)

1.一种无线芯片，包括：
具有晶体管的层，包括：
形成在表面上的晶体管；
设置在所述晶体管的栅电极、源极区和漏极区上的第二绝缘层；以及
形成在第二绝缘层上并与所述晶体管的源极区和漏极区之一电连接的连接端；
天线，具有第一导电层、第二导电层、夹在所述第一导电层与第二导电层之间的介电层、设置在所述介电层的侧边缘表面上的供电层；以及
用于电连接所述天线与所述连接端的连接层，
其中所述第二导电层用作接地体，
所述具有晶体管的层通过所述连接层而固定到所述天线，并且
所述连接端与所述供电层彼此重叠，并且通过所述连接层而电连接。
2.如权利要求1所述的无线芯片，
其中所述具有晶体管的层是通过堆叠多个具有晶体管的层而形成的。
3.如权利要求1所述的无线芯片，
其中该无线芯片具有高频电路。
4.如权利要求1所述的无线芯片，
其中该无线芯片具有微处理器。
5.如权利要求1所述的无线芯片，
其中该无线芯片具有检测元件。
6.如权利要求1所述的无线芯片，
其中所述介电层是用铁电材料形成的。
7.如权利要求6所述的无线芯片，
其中所述铁电材料选自于钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶、锆酸铅、铌酸锂和锆钛酸铅。
8.如权利要求1所述的无线芯片，其中所述连接层包括具有导电颗粒的有机树脂层，并且所述第一导电层和所述供电层通过缝隙容性耦合。
9.如权利要求1所述的无线芯片，其中所述连接层包括第三导电层。
10.一种具有如权利要求1所述的无线芯片的电子设备。
11.如权利要求10所述的电子设备，
其中电子设备是液晶显示器件、EL显示器件、电视装置、移动电话、打印机、照相机、个人计算机、带耳机的护目镜、扬声器装置、头戴耳机、导航装置、或电子钥匙。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107646156A (zh) * 2015-05-11 2018-01-30 三星电子株式会社 天线设备及包括该天线设备的电子设备
CN111968995A (zh) * 2020-07-13 2020-11-20 深圳市汇芯通信技术有限公司 一种集成无源器件及其制作方法和集成电路
CN113437461A (zh) * 2020-03-23 2021-09-24 株式会社东芝 隔离器
CN114389021A (zh) * 2020-10-02 2022-04-22 安波福技术有限公司 具有导电颗粒的塑料空气波导天线

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006098390A1 (en) * 2005-03-15 2006-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device having the same
CN102270315B (zh) 2005-03-31 2016-05-18 株式会社半导体能源研究所 无线芯片以及具有无线芯片的电子设备
US7928910B2 (en) * 2005-03-31 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless chip and electronic device having wireless chip
WO2006118293A1 (en) 2005-04-27 2006-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless chip
US20060267769A1 (en) * 2005-05-30 2006-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Terminal device and communication system
EP1905073A4 (en) * 2005-06-24 2011-05-11 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE AND WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM
US7714535B2 (en) 2006-07-28 2010-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device
US7965180B2 (en) * 2006-09-28 2011-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless sensor device
EP2076923B1 (en) * 2006-10-24 2012-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device including storage device and method for driving the same
US8044813B1 (en) * 2006-11-16 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Radio field intensity measurement device, and radio field intensity detector and game console using the same
JP2008135446A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Philtech Inc Ｒｆパウダーの製造方法
JP2008134694A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Philtech Inc Ｒｆパウダーの付加方法およびｒｆパウダー付加基体シート
JP2008134695A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Philtech Inc 基体データ管理システム
JP2008134816A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Philtech Inc Ｒｆパウダー粒子、ｒｆパウダー、およびｒｆパウダーの励起方法
JP2008134815A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Philtech Inc Ｒｆパウダーの提供方法およびｒｆパウダー含有液
JP2008135951A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Philtech Inc Ｒｆパウダー粒子、ｒｆパウダー、およびｒｆパウダー含有基体
JP2008136019A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Philtech Inc 磁界結合装置および読取り装置
US7605761B2 (en) * 2006-11-30 2009-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Antenna and semiconductor device having the same
KR20080061274A (ko) * 2006-12-27 2008-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 안테나 및 그 안테나를 가지는 반도체 장치
US20080158217A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2008081699A1 (ja) * 2006-12-28 2008-07-10 Philtech Inc. 基体シート
US8816484B2 (en) * 2007-02-09 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP1970952A3 (en) * 2007-03-13 2009-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4403431B2 (ja) * 2007-06-14 2010-01-27 ソニー株式会社 通信システム並びに通信装置
CN101400008A (zh) * 2007-09-29 2009-04-01 立锜科技股份有限公司 静电扬声器驱动电路与方法
CN101681903B (zh) * 2009-03-30 2012-02-29 香港应用科技研究院有限公司 电子封装及其制作方法
US8587255B2 (en) 2009-05-28 2013-11-19 Deeya Energy, Inc. Control system for a flow cell battery
US8970000B2 (en) * 2010-01-18 2015-03-03 Infineon Technologies Austria Ag Signal transmission arrangement
US8785241B2 (en) 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9417237B2 (en) 2011-06-01 2016-08-16 International Business Machines Corporation Biosample plate with data storage and wireless communication means
CN102659396B (zh) * 2012-03-28 2013-06-12 厦门松元电子有限公司 一种低介电微波陶瓷介质材料及其制备方法
ITVI20120145A1 (it) 2012-06-15 2013-12-16 St Microelectronics Srl Struttura comprensiva di involucro comprendente connessioni laterali
US9250143B2 (en) * 2012-09-19 2016-02-02 College Park Industries, Inc. Multicapacitor force/moment sensor arrays
US9356352B2 (en) * 2012-10-22 2016-05-31 Texas Instruments Incorporated Waveguide coupler
CN103971590B (zh) * 2013-02-01 2017-02-22 比亚迪股份有限公司 一种防伪商标及其制造方法
CN105220960B (zh) * 2015-10-25 2017-09-22 国家电网公司 一种接地线防误操作锁
US10206649B2 (en) * 2015-12-29 2019-02-19 Analogic Corporation Data transfer across a rotating boundary of a computed tomography imaging apparatus
US10163771B2 (en) * 2016-08-08 2018-12-25 Qualcomm Incorporated Interposer device including at least one transistor and at least one through-substrate via
FR3056794B1 (fr) * 2016-09-23 2019-12-20 Eliot Innovative Solutions Capteur d'identification pour ouvrages enfouis a grande profondeur
CN109891598B (zh) * 2016-10-27 2021-09-28 夏普株式会社 Tft基板、具备tft基板的扫描天线以及tft基板的制造方法
US11107781B2 (en) 2017-03-30 2021-08-31 Intel Corporation RFIC having coaxial interconnect and molded layer
WO2019059898A1 (en) * 2017-09-20 2019-03-28 Intel Corporation PERIPHERAL INDUCERS
JP6752768B2 (ja) * 2017-10-17 2020-09-09 矢崎総業株式会社 フィルムアンテナ
US10424550B2 (en) * 2017-12-19 2019-09-24 National Chung Shan Institute Of Science And Technology Multi-band antenna package structure, manufacturing method thereof and communication device
CN108461481B (zh) * 2018-02-08 2023-07-25 中国科学院福建物质结构研究所 一种具有辐射限制框结构的太赫兹天线芯片及其制备方法
DE102018105837A1 (de) * 2018-03-14 2019-09-19 HELLA GmbH & Co. KGaA Fahrzeug mit einer Einrichtung zur passiven Zugangskontrolle
CN108550571B (zh) * 2018-04-25 2021-03-05 成都聚利中宇科技有限公司 集成端射天线的高频集成电路模块及其封装方法
CN108830388B (zh) * 2018-06-05 2022-03-08 国网福建省电力有限公司 运检一体化模式下的防误风险管控装置及使用方法
KR102606923B1 (ko) * 2018-06-21 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US10969282B2 (en) * 2018-07-05 2021-04-06 Florida State University Research Foundation, Inc. Wireless temperature sensors and methods
JP6981550B2 (ja) * 2018-07-06 2021-12-15 株式会社村田製作所 アンテナモジュール及び通信装置
JP7262210B2 (ja) * 2018-11-21 2023-04-21 東京エレクトロン株式会社 凹部の埋め込み方法
DE102020108280A1 (de) * 2019-03-26 2020-10-01 Sony Corporation Mikrowellenantennenvorrichtung
WO2020199147A1 (zh) * 2019-04-03 2020-10-08 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN111995867B (zh) * 2020-07-28 2021-10-12 江南大学 第三代半导体器件封装用热固性树脂组合物及其制备方法

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US659798A (en) * 1900-07-24 1900-10-16 Peter L Jones Spring connection for vehicles.
JPH01173696A (ja) 1987-12-26 1989-07-10 Nissha Printing Co Ltd 積層回路基板
JPH03132095A (ja) 1989-10-18 1991-06-05 Toshiba Corp 異方性導電接着剤接続構造および異方性導電接着剤接続方法
JP3130575B2 (ja) * 1991-07-25 2001-01-31 日本電気株式会社 マイクロ波ミリ波送受信モジュール
US7158031B2 (en) * 1992-08-12 2007-01-02 Micron Technology, Inc. Thin, flexible, RFID label and system for use
US5643804A (en) * 1993-05-21 1997-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a hybrid integrated circuit component having a laminated body
JPH0745787A (ja) 1993-08-02 1995-02-14 Tdk Corp 薄膜複合集積回路部品及びその製造方法
JPH08139522A (ja) 1994-09-13 1996-05-31 Matsushita Electric Works Ltd 複合型アンテナ及びアンテナユニット
US6384785B1 (en) * 1995-05-29 2002-05-07 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Heterogeneous multi-lamination microstrip antenna
JPH091970A (ja) 1995-06-20 1997-01-07 Hitachi Chem Co Ltd Ｉｃカード及びその製造法
US6331722B1 (en) * 1997-01-18 2001-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Hybrid circuit and electronic device using same
JP4071360B2 (ja) * 1997-08-29 2008-04-02 株式会社東芝 半導体装置
US5939784A (en) * 1997-09-09 1999-08-17 Amkor Technology, Inc. Shielded surface acoustical wave package
US6246327B1 (en) * 1998-06-09 2001-06-12 Motorola, Inc. Radio frequency identification tag circuit chip having printed interconnection pads
US6130613A (en) * 1998-06-09 2000-10-10 Motorola, Inc. Radio frequency indentification stamp and radio frequency indentification mailing label
US6107920A (en) * 1998-06-09 2000-08-22 Motorola, Inc. Radio frequency identification tag having an article integrated antenna
US6018299A (en) 1998-06-09 2000-01-25 Motorola, Inc. Radio frequency identification tag having a printed antenna and method
US6091332A (en) * 1998-06-09 2000-07-18 Motorola, Inc. Radio frequency identification tag having printed circuit interconnections
FR2780551B1 (fr) * 1998-06-29 2001-09-07 Inside Technologies Micromodule electronique integre et procede de fabrication d'un tel micromodule
AU5704499A (en) 1998-09-11 2000-04-03 Motorola, Inc. Radio frequency identification tag circuit chip having printed interconnection pads
JP3481481B2 (ja) 1998-12-24 2003-12-22 日本電気株式会社 フェーズドアレイアンテナおよびその製造方法
JP2001101368A (ja) * 1999-10-01 2001-04-13 Tokin Corp 集積半導体装置
WO2001045207A1 (fr) * 1999-12-15 2001-06-21 Tdk Corporation Antenne microruban
JP2001177314A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Tdk Corp パッチアンテナ
DE10042229A1 (de) * 2000-08-28 2002-03-28 Epcos Ag Elektrisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
JP4071005B2 (ja) 2001-01-29 2008-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7115453B2 (en) * 2001-01-29 2006-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US7160258B2 (en) 2001-06-26 2007-01-09 Entrack, Inc. Capsule and method for treating or diagnosing the intestinal tract
US6686768B2 (en) * 2001-07-05 2004-02-03 Alan Elbert Comer Electrically-programmable interconnect architecture for easily-configurable stacked circuit arrangements
JP2003168749A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Hitachi Ltd 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US6888502B2 (en) * 2002-03-05 2005-05-03 Precision Dynamics Corporation Microstrip antenna for an identification appliance
US6677901B1 (en) * 2002-03-15 2004-01-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Planar tunable microstrip antenna for HF and VHF frequencies
JP2004064937A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Nec Corp チャージポンプ型昇圧回路
US6870183B2 (en) * 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating
JP4015008B2 (ja) * 2002-11-21 2007-11-28 株式会社ルネサステクノロジ 通信用半導体集積回路および無線通信システム
EP1437683B1 (en) 2002-12-27 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card and booking account system using the IC card
JP4393859B2 (ja) 2002-12-27 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 記録媒体の作製方法
US7973313B2 (en) * 2003-02-24 2011-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device, IC label, container comprising the thin film integrated circuit, manufacturing method of the thin film integrated circuit device, manufacturing method of the container, and management method of product having the container
JP4566578B2 (ja) 2003-02-24 2010-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜集積回路の作製方法
JP4251080B2 (ja) * 2003-04-15 2009-04-08 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、電子装置の製造方法、膜形成装置及び電子装置、電子機器
US6977389B2 (en) * 2003-06-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Planar polymer memory device
AU2004300982B2 (en) * 2003-06-26 2007-10-25 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including MOSFET having band-engineered superlattice
JP3902769B2 (ja) * 2003-08-29 2007-04-11 松下電器産業株式会社 降圧電圧出力回路
JP2006024087A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Nec Corp 無線デバイス、その製造方法、その検査方法及び検査装置並びに無線装置及びその製造方法
US7772063B2 (en) * 2004-08-11 2010-08-10 Identifi Technologies, Inc. Reduced-step CMOS processes for low-cost radio frequency identification devices
US7030815B2 (en) * 2004-09-08 2006-04-18 Motorola, Inc. Integrated patch antenna and electronics assembly and method for fabricating
WO2006118293A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless chip

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107646156A (zh) * 2015-05-11 2018-01-30 三星电子株式会社 天线设备及包括该天线设备的电子设备
CN107646156B (zh) * 2015-05-11 2020-11-20 三星电子株式会社 天线设备及包括该天线设备的电子设备
CN113437461A (zh) * 2020-03-23 2021-09-24 株式会社东芝 隔离器
CN113437461B (zh) * 2020-03-23 2022-08-09 株式会社东芝 隔离器
CN111968995A (zh) * 2020-07-13 2020-11-20 深圳市汇芯通信技术有限公司 一种集成无源器件及其制作方法和集成电路
CN111968995B (zh) * 2020-07-13 2024-02-09 深圳市汇芯通信技术有限公司 一种集成无源器件及其制作方法和集成电路
CN114389021A (zh) * 2020-10-02 2022-04-22 安波福技术有限公司 具有导电颗粒的塑料空气波导天线
CN114389021B (zh) * 2020-10-02 2023-08-18 安波福技术有限公司 具有导电颗粒的塑料空气波导天线

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