CN101833215A - 可挠式电子装置的转移结构及可挠式电子装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种可挠式电子装置的转移结构及可挠式电子装置的制造方法。所述可挠式电子装置的转移结构包括一承载基板;一离型层,设置于所述承载基板上;一粘着层,设置于部分所述承载基板上,其中所述粘着层围绕所述离型层,且邻接所述离型层的侧壁;一可挠式电子装置,设置于所述离型层和所述粘着层上,其中所述可挠式电子装置包括一可挠式基板。
Description
技术领域
本发明是有关于一种可挠式电子组件的转移结构及可挠式电子组件的制造方法,特别是有关于一种可挠式电子组件的可挠式基板的取下方法。
背景技术
目前玻璃显示器易碎、不耐冲击及高重量与厚度的缺失无法满足于轻量化、薄型化及可挠曲使用等需求的个人数字随身产品,以软性基板取代玻璃作为显示器基板不但可以解决上述问题,更可提供平面显示器在外型与卷曲性的设计自由度,是以可挠式显示器的研发已慢慢形成一股热潮。
在可挠式显示器制作过程中,如何在组件制作流程中固定软性基板的位置与平坦度即为一重要的研发方向。然而一般面板厂在制作面板的制程设计中,会在一大尺寸基板上设计多个面板,而目前以玻璃为载具,在其上制作软性显示器或软性电子组件时,仍会依循此设计原则。如上所述,将会遭遇下述问题:软性组件制作后从大面积载板经切割裂片成单一组件以便进行接合可挠式印刷电路板(flexible printed circuit board,FPC)时,容易产生软性组件的软性基板与玻璃载板些微剥离(peeling)的现象,而导致软性基板形变,软性基板上待接合可挠式印刷电路板的线路与间距偏位,进而产生可挠式印刷电路板接合困难的问题。
图1a为已知中国台湾专利公开号码200806079的软性薄膜晶体管基板5,其先在玻璃载板6上以有机材料沉积形成厚度约20μm的可直接自该玻璃载板6剥离的离型性薄膜511后,接着,在离型性薄膜511上形成无机层膜513与有机层膜514后,再形成非晶硅或多晶硅薄膜晶体管52,最后,直接将设置有薄膜晶体管52的离型性薄膜511从玻璃载板6上撕离,即可制得软性薄膜晶体管基板5。然而,离型性薄膜511的沉积时间过于冗长,不利于量产制程。
图1b为已知美国专利号码US 2007/0091062的显示装置,其利用激光束126扫瞄整面的非晶硅(α-Si)离型层124,使非晶硅离型层124气化,以将塑料基板120从玻璃载板122取下。然而,激光束扫瞄所需的时间会因为塑料基板120的面积变大而增加,在制作大面积面板时会造成产率过慢问题。另外,在激光束126扫瞄非晶硅离型层124时,会产生激光束126打穿塑料基板120损伤塑料基板上组件的问题,造成制程良率不佳的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种可挠式电子装置的转移结构以及可挠式电子装置的制造方法,克服现有技术在切割时容易产生剥离现象以及良率不佳与产率过慢的问题。
有鉴于此,本发明的一实施例是提供一种可挠式电子装置的转移结构,包括一承载基板;一离型层,设置于所述承载基板上;一粘着层,设置于部分所述承载基板上,其中所述粘着层围绕所述离型层,且邻接所述离型层的侧壁;一可挠式电子装置,设置于所述离型层和所述粘着层上,其中所述可挠式电子装置包括一可挠式基板。
本发明的另一实施例是提供一种可挠式电子装置的制造方法,包括提供一承载基板;在所述承载基板上形成一离型层;在部分所述承载基板上形成一粘着层,其中所述粘着层围绕所述离型层,且邻接所述离型层的侧壁;在所述离型层和所述粘着层上形成一可挠式基板;在所述可挠式基板上形成一可挠式电子组件;进行一取下步骤,使所述可挠式基板自所述承载基板脱离。
本发明的可挠式电子装置是通过可挠式电子装置的转移结构的离型层以使可挠式电子装置制作完成后与承载基板脱离,且可挠式电子装置的转移结构的介于承载基板和可挠式基板之间的粘着层的粘着力大于承载基板与可挠式基板之间的粘着力。因此,在进行预切割步骤时,并不会有已知可挠式电子装置的位于切割处的可挠式基板和承载基板的界面产生剥离(peeling)现象的问题,制程稳定性增加且制程良率可大为提升,且可减少用于取下步骤的额外设备成本。另外,上述利用激光束气化粘着层的分离及取下步骤可以减少已知技术的大面积基板取下需要整面激光扫瞄的缺点,并可进一步避免激光打穿基板损伤基板上组件的问题,且可解决良率不佳与产率过慢的问题。此外,本发明的可挠式电子装置的转移结构以及可挠式电子装置的制造方法可应用于任何可挠式电子装置,包括可挠式电子显示器、可挠式电子触控面板、可挠式电子太阳能电池、可挠式电子感应器或其它的电子装置。
附图说明
图1a和1b为已知可挠式电子装置的制造方法;
图2a至2j为本发明一实施例的可挠式电子装置的制程剖面图;
图3a至3d为本发明另一实施例的可挠式电子装置的制程剖面图,其显示另一种使可挠式基板自该承载基板脱离的取下步骤;
图4a至4d为本发明又另一实施例的可挠式电子装置的制程剖面图,其中粘着层围绕该离型层,且邻接离型层的侧壁,并显示使可挠式基板自该承载基板脱离的取下步骤;
图5a至5d为本发明又另一实施例的可挠式电子装置的制程剖面图,其显示又另一种使可挠式基板自该承载基板脱离的取下步骤。
【主要组件符号说明】
5~软性薄膜晶体管基板;
6~玻璃载板;
52~薄膜晶体管;
511~离型性薄膜;
513~无机层膜;
514~有机层膜;
120~塑料基板;
122~玻璃载板;
124~非晶硅离型层;
126~激光束;
200、200a、200b~承载基板;
202a、202b、222a、222b~离型层;
220a、220b~侧壁;
206、206a、206b、206c、226a、226b、236a~粘着层;
208、208a、208b、228a、228b、248a、248b~可挠式基板;
210a、210b~可挠式电子组件;
212a、212b~导线;
214a、214b~组件制作区域;
216a~可挠式印刷电路板;
230~激光束;
300a、300b、300c~可挠式电子装置准结构;
500a、500b、500c、500d~可挠式电子装置;
600a、600b~可挠式电子装置的转移结构;
A1、B1、B2~切割道。
具体实施方式
以下以各实施例详细说明并伴随着附图说明的范例,做为本发明的参考依据。在附图或说明书描述中,相似或相同的部分皆使用相同的图号。且在附图中,实施例的形状或是厚度可扩大,并以简化或是方便标示。再者,附图中各组件的部分将以分别描述说明之,值得注意的是,图中未绘示或描述的组件,为所属技术领域中具有通常知识者所知的形式,另外,特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式,其并非用以限定本发明。
图2a至2j为本发明一实施例的可挠式电子装置(flexible electronic device)500a的制程剖面图。本发明实施例的可挠式电子装置可为可挠式电子显示器、可挠式电子触控面板、可挠式电子太阳能电池、可挠式电子感应器或其它的电子装置。如图2a所示,首先,提供一承载基板200。在本发明一实施例中,承载基板200可为玻璃基板、硅基板、石英基板或蓝宝石基板等硬式基板,上述硬式基板可使其在移动或搬运的过程中能维持其原有的形状不致变形,以及便于控制后续形成于其上的可挠式电子装置的特性。接着,可利用包括真空蒸镀(vacuum evaporation)或网印(screen printing)等形成方式,在承载基板200上分别形成多个彼此分离的离型层202(为方便显示起见,本发明实施例的图示仅显示两个离型层202a和202b,但离型层的数目可依后续形成的可挠式电子装置的数目而定,并未限制本发明,当然,也可以形成单一离型层)。上述离型层202的功能是可使后续形成于承载基板200上的可挠式电子装置易于从承载基板200脱离,而上述脱离的方式会于后续的说明所描述。在本发明一实施例中,离型层202的材质可为聚对二甲基苯(parylene)。举例来说,离型层202可为美国RICHMOND PRODUCTS INC.所生产的的型号为A5000、VAC-PAK A6200、E3760、VAC-PAK E4760、E2760的离型层(release layer)。
然后,请参考图2b,可利用网印(screen printing)、刮印(spatula printing)、滚轮涂布(roller coating)、喷印(spray printing)或旋转涂布(spin coating)等形成方式,在部分承载基板200上形成一粘着层206。如图2b所示,粘着层206是覆盖离型层202a和202b,且覆盖离型层202a和202b的侧壁220a和220b,其中粘着层206的面积是大于离型层202的总面积。在本发明一实施例中,粘着层206可为受激光易气化的材质或为具有高粘着力的材质。举例来说,在本发明一实施例中,粘着层206的材质可为3-氨基丙基三甲氧基硅烷(3-(Triethoxysilyl)-1-propanamine)、环氧树脂(epoxy resin)、紫外光固化树脂(UV-curing resin)、硅树脂(silicon resin)或其它类似的材质。在本发明一实施例中,粘着层206是用以粘附承载基板200和后续形成于承载基板200上的可挠式电子装置。
之后,请参考图2c,可利用网印(screen printing)、刮印(spatula printing)、滚轮涂布(roller coating)、喷印(spray printing)、旋转涂布(spin coating)或狭缝式涂布(slot die coating)等形成方式,在离型层202a和202b以及粘着层206上形成一可挠式基板208。或者,在其它实施例中,可使用一已制备完成的可挠式基板208,通过上述粘着层206粘附于承载基板200上。如图2c所示,可挠式基板208是覆盖粘着层206,且可挠式基板208的底面是与粘着层206的顶面相连接。在本发明一实施例中,可挠式基板208可为一透明聚合物。举例来说,可挠式基板208的材质可为聚酰亚胺(polyimide)或其它塑料材质。另外,在本发明一实施例中,粘着层206与可挠式基板208之间的粘着力大于承载基板200与可挠式基板208之间的粘着力。经过上述步骤,以形成可挠式电子装置的转移结构600a。上述可挠式电子装置的转移结构600a为形成可挠式电子装置的一中间制程结构,其包括承载基板200、设置于承载基板200上的离型层202以及设置于部分承载基板200和可挠式基板208之间且覆盖离型层202的粘着层206,其方便在后续进行的可挠式电子装置取下步骤中使可挠式基板208自承载基板200脱离。
接着,请参考图2d,可利用半导体制程,分别在可挠式基板208的组件制作区域214a和214b中形成多个彼此分离可挠式电子组件210(为方便显示起见,本发明实施例的图示仅显示两个可挠式电子组件210a和210b,但可挠式电子组件的数目可依设计而定,并未限制本发明,当然,也可以形成单一可挠式电子组件),可挠式电子组件210彼此是以切割道A1区隔。在本发明一实施例中,可挠式电子组件210可为薄膜晶体管或太阳能组件等电子组件。如图2d所示,组件制作区域214实质上位于离型层202的正上方,以使组件制作区域214的投影位置位于离型层202内。因此,可挠式电子组件210的投影位置是位于该离型层202内。举例来说,如图2d所示,可挠式电子组件210a和210b的投影位置分别位于离型层202a和202b内。另外,切割道A1是位于组件制作区域214a和214b之间的区域中。之后,也可利用半导体制程,在可挠式基板208上形成导线212a和212b,并分别电性连接可挠式电子组件210a和210b,以提供可挠式电子组件210a和210b的输入/输出(input/output,IO)电性连接路径。
接着,请参考图2e,进行一预切割步骤,沿位于承载基板200的法线方向的切割道A1依序切割位于两个相邻的该可挠式电子组件210a和210b之间,并位于任两个相邻的离型层202a和202b之间的可挠式基板208、粘着层206以及承载基板202,使其分离成多个较大面积且独立的可挠式电子装置准结构300a和300b。每一个可挠式电子装置准结构300a和300b分别为具有单一可挠式电子组件210a和210b的结构,以便于后续粘附可挠式印刷电路板(flexible printed circuit board,FPC)以及可挠式电子装置取下步骤的进行。如图2e所示,可挠式电子装置准结构300a包括承载基板200a、离型层202a、粘着层206a、可挠式基板208a、一个可挠式电子组件210a以及导线212a。类似地,可挠式电子装置准结构300b包括承载基板200b、离型层202b、粘着层206b、可挠式基板208b、一个可挠式电子组件210b以及导线212b。值得注意的是,在进行预切割步骤时,由于可挠式基板208由通过粘着层206与承载基板200连接,且粘着层206与可挠式基板208之间的粘着力大于承载基板200与可挠式基板208之间的粘着力。因此,并不会有已知可挠式电子装置的进行切割步骤时,使切割处的可挠式基板和承载基板的界面产生剥离(peeling)现象的问题。
然后,请参考图2f,可利用接合(bonding)制程,在分离后的可挠式电子装置准结构300a上设置一可挠式印刷电路板(flexible printed circuit board,FPC)216a(为方便显示起见,本发明实施例的图示仅显示一个可挠式电子装置准结构300a,但并未限制本发明),并经由导线212a电性连接至可挠式电子组件210a,以使可挠式电子组件210a搭载至其它的电子组件并连通电路。
之后,请参考图2g,可利用例如为刀具的切割工具,进行一分离步骤,沿位于承载基板的法线方向上的切割道B1依序切割可挠式电子装置准结构300a的位于可挠式电子组件210a外侧的可挠式基板208a、覆盖离型层202a的粘着层206a直到位于粘着层206a正下方的离型层202a,以使空气进入粘着层206a与离型层202a的界面或离型层202a与承载基板200a的界面中。在本发明一实施例中,切割道B1是围绕着如图2h所示的后续形成的可挠式电子装置500a。请参考图2h,经过上述分离步骤之后,切割后的粘着层226a可与离型层202a完全分离。接着,进行一取下步骤,使切割后的可挠式基板228a自承载基板200a脱离。经过上述制程之后,以形成本发明实施例的可挠式电子装置500a,其包括可挠式基板228a以及可挠式电子组件210a。上述可挠式电子装置500a是通过如图2c的可挠式电子装置的转移结构600a的离型层202a以与承载基板200a脱离,且图2c的可挠式电子装置的转移结构600a的介于承载基板200和可挠式基板208之间的粘着层206的粘着力大于承载基板200与可挠式基板208之间的粘着力。因此,并不会有已知可挠式电子装置的进行预切割步骤时,使切割处的可挠式基板和承载基板的界面产生剥离(peeling)现象的问题。
另外,离型层材质的选择会依据承载基板和粘着层材质而定。因此,离型层与承载基板的粘着力也会不同。如图2h所示的实施例中,当可挠式基板228a自承载基板200a脱离时,离型层202a是与承载基板200a粘附在一起,而剩余部分粘着层226b、可挠式基板228b会留在承载基板200a上。或者,如图2i所示,在本发明其它实施例中,进行取下步骤使可挠式基板228a自承载基板200a脱离时,可能会使切割后的离型层222a与承载基板200a脱离,而剩余部分离型层222b、粘着层226b、可挠式基板228b会留在承载基板200a上。更或者,如图2j所示,在本发明其它实施例中,进行取下步骤使可挠式基板228a自承载基板200a脱离时,切割后的离型层222a是通过粘着层226a与可挠式基板228a粘附在一起,而剩余部分离型层222b、粘着层226b、可挠式基板228b会留在承载基板200a上。
图3a至3d为本发明另一实施例的可挠式电子装置500b的制程剖面图,其显示另一种使可挠式基板自该承载基板脱离的分离及取下步骤。在以下各实施例中,各组件如有与图2a至2j所示相同或相似的部分,则可参考前面的相关叙述,在此不做重复说明。如图3a所示,可利用一激光束230,进行一分离步骤,上述激光束230是扫瞄可挠式电子装置准结构300a的邻近于离型层202a与粘着层206a界面的部分粘着层206a,以气化粘着层206a,并使空气进入粘着层206a与离型层202a或离型层202a与承载基板200a的界面中。
请参考图3b,经过上述分离步骤之后,气化后的粘着层236a可与离型层202a完全分离。接着,进行一取下步骤,使可挠式基板208a自承载基板200a脱离。经过上述制程之后,以形成本发明实施例的可挠式电子装置500b,其包括可挠式基板208a以及位于其上的可挠式电子组件210a。上述利用激光束气化粘着层的分离及取下步骤可以减少已知技术的大面积基板取下需要整面激光扫瞄造成制程产率过慢的缺点,并可进一步避免激光打穿可挠式基板损伤其上的可挠式电子组件造成制程良率不佳的问题。
如图3b所示的实施例中,当可挠式基板208a自承载基板200a脱离时,离型层202a是与承载基板200a粘附在一起。或者,如图3c所示,在本发明其它实施例中,进行取下步骤使可挠式基板208a自承载基板200a脱离时,可能会使离型层202a与承载基板200a脱离。更或者,如图3d所示,在本发明其它实施例中,进行取下步骤使可挠式基板208a自承载基板200a脱离时,离型层202a是通过粘着层236a与可挠式基板208a粘附在一起。
图4a至4d为本发明又另一实施例的可挠式电子装置500c的制程剖面图,并显示本发明另一实施例的可挠式电子装置的转移结构600b。如图4a所示,在本例的可挠式电子装置的转移结构600b中,粘着层206c是围绕离型层202a,且邻接离型层202a的侧壁220a和220b,而可挠式基板208a是设置于粘着层206c和离型层202a上,且与粘着层206c和离型层202a连接。而承载基板200a、离型层202a、围绕于离型层202a的粘着层206c以及设置于粘着层206c和离型层202a上的可挠式基板208a构成可挠式电子装置的转移结构600b。
之后,请再参考图4a,可利用例如为刀具的切割工具,进行一分离步骤,沿位于承载基板的法线方向上,且位于离型层202a侧壁上的切割道B2依序切割可挠式电子装置准结构300c的位于可挠式电子组件210a外侧的可挠式基板208a、围绕离型层202a的粘着层206c直到承载基板200a,以使空气进入粘着层206c与离型层202a的界面或离型层202a与承载基板200a的界面中。在本发明一实施例中,切割道B2围绕着如图4b所示的后续形成的可挠式电子装置500c。请参考图4b,经过上述分离步骤之后,切割后的可挠式基板248a可与离型层202a完全分离。接着,进行一取下步骤,使切割后的可挠式基板248a自承载基板200a脱离,而剩余的可挠式基板248b与粘着层206c粘附在一起。经过上述制程之后,以形成本发明实施例的可挠式电子装置500c,其包括可挠式基板248a以及可挠式电子组件210a。
如图4b所示的实施例中,当可挠式基板248a自承载基板200a脱离时,离型层202a是与承载基板200a粘附在一起。或者,如图4c所示,在本发明其它实施例中,进行取下步骤使可挠式基板248a自承载基板200a脱离时,可能会使离型层202a与承载基板200a脱离。更或者,如图4d所示,在本发明其它实施例中,进行取下步骤使可挠式基板248a自承载基板200a脱离时,离型层202a与可挠式基板248a粘附在一起。
图5a至5d为本发明又另一实施例的可挠式电子装置500d的制程剖面图,其显示又另一种使可挠式基板自该承载基板脱离的分离及取下步骤。在本实施例中,各组件如有与图2a-2i、3a-3d及4a-4d所示相同或相似的部分,则可参考前面的相关叙述,在此不做重复说明。如图5a所示,可利用激光束230,进行一分离步骤,上述激光束230是扫瞄可挠式电子装置准结构300c的邻近于离型层202a与粘着层206c界面的部分粘着层206c,以完全气化粘着层206c,并使空气进入粘着层206c与离型层202a的界面或离型层202a与承载基板200a的界面中。
请参考图5b,经过上述分离步骤之后,可挠式基板208a可与离型层202a完全分离。接着,进行一取下步骤,使可挠式基板208a自承载基板200a脱离。经过上述制程之后,以形成本发明实施例的可挠式电子装置500d,其包括可挠式基板208a以及位于其上的可挠式电子组件210a。
如图5b所示的实施例中,当可挠式基板208a自承载基板200a脱离时,离型层202a是与承载基板200a粘附在一起。或者,如图5c所示,在本发明其它实施例中,进行取下步骤使可挠式基板208a自承载基板200a脱离时,可能会使离型层202a与承载基板200a脱离。更或者,如图5d所示,在本发明其它实施例中,进行取下步骤使可挠式基板208a自承载基板200a脱离时,离型层202a是与可挠式基板208a粘附在一起。
上述可挠式电子装置500a~500c是通过可挠式电子装置的转移结构600a或600b的离型层202以使可挠式电子装置制作完成后与承载基板200脱离,且可挠式电子装置的转移结构600a或600b的介于承载基板200和可挠式基板208之间的粘着层206的粘着力大于承载基板200与可挠式基板208之间的粘着力。因此,在进行预切割步骤时,并不会有已知可挠式电子装置的位于切割处的可挠式基板和承载基板的界面产生剥离(peeling)现象的问题,制程稳定性增加且制程良率可大为提升,且可减少用于取下步骤的额外设备成本。另外,上述利用激光束气化粘着层的分离及取下步骤可以减少已知技术的大面积基板取下需要整面激光扫瞄的缺点,并可进一步避免激光打穿基板损伤基板上组件的问题,且可解决良率不佳与产率过慢的问题。此外,本发明的可挠式电子装置的转移结构以及可挠式电子装置的制造方法可应用于任何可挠式电子装置,包括可挠式电子显示器、可挠式电子触控面板、可挠式电子太阳能电池、可挠式电子感应器或其它的电子装置。
虽然本发明已以实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何熟悉此项技术的人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定的范围为准。
Claims (29)
1.一种可挠式电子装置的转移结构,其特征在于,包括:
一承载基板;
一离型层,设置于该承载基板上;
一粘着层,设置于部分该承载基板上,其中该粘着层围绕该离型层,且邻接该离型层的侧壁;以及
一可挠式电子装置,设置于该离型层和该粘着层上,其中该可挠式电子装置包括一可挠式基板。
2.根据权利要求1所述的可挠式电子装置的转移结构,其特征在于,该粘着层覆盖该离型层。
3.根据权利要求2所述的可挠式电子装置的转移结构,其特征在于,该粘着层的面积大于该离型层的面积。
4.根据权利要求1所述的可挠式电子装置的转移结构,其特征在于,该粘着层与该可挠式基板之间的粘着力大于该承载基板与该可挠式基板之间的粘着力。
5.根据权利要求1所述的可挠式电子装置的转移结构,其特征在于,该可挠式基板覆盖该粘着层。
6.根据权利要求1所述的可挠式电子装置的转移结构,其特征在于,该承载基板可为玻璃基板、硅基板、石英基板或蓝宝石基板。
7.根据权利要求1所述的可挠式电子装置的转移结构,其特征在于,该离型层的材质为聚对二甲基苯。
8.根据权利要求1所述的可挠式电子装置的转移结构,其特征在于,该粘着层的材质可为3-氨基丙基三甲氧基硅烷、环氧树脂、紫外光固化树脂或硅树脂。
9.根据权利要求1所述的可挠式电子装置的转移结构,其特征在于,该可挠式基板包括一组件制作区域,该组件制作区域的投影位置位于该离型层内。
10.根据权利要求1所述的可挠式电子装置的转移结构,其特征在于,该可挠式电子装置可为可挠式电子显示器、可挠式电子触控面板、可挠式电子太阳能电池或可挠式电子感应器。
11.一种可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,包括下列步骤:
提供一承载基板;
在该承载基板上形成一离型层;
在部分该承载基板上形成一粘着层,其中该粘着层围绕该离型层,且邻接该离型层的侧壁;
在该离型层和该粘着层上形成一可挠式基板;
在该可挠式基板上形成一可挠式电子组件;以及
进行一取下步骤,使该可挠式基板自该承载基板脱离。
12.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,在进行该取下步骤之前,还包括进行一分离步骤,以使空气进入该粘着层与该离型层或该离型层与该承载基板的一界面中。
13.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,该可挠式电子组件的投影位置位于该离型层内。
14.根据权利要求12所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,进行该分离步骤还包括利用一切割工具,沿承载基板的法线方向以及沿该离型层的侧壁依序切割位于该可挠式电子组件外侧的该可挠式基板、围绕该离型层的该粘着层以及该承载基板。
15.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,该粘着层覆盖该离型层。
16.根据权利要求15所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,在进行该取下步骤之前,还包括进行一分离步骤,以使空气进入该粘着层与该离型层或该离型层与该承载基板的一界面中。
17.根据权利要求16所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,该分离步骤包括利用一切割工具,沿该承载基板的法线方向依序切割位于该可挠式电子组件外侧的该可挠式基板、该粘着层直到位于该粘着层正下方的该离型层。
18.根据权利要求12所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,该分离步骤包括利用一激光束扫瞄邻近于该离型层与该粘着层的该界面的部分该粘着层,以气化该粘着层。
19.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,该离型层的形成方式可为真空蒸镀或网印。
20.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,该粘着层的形成方式可为网印、刮印、滚轮涂布、喷印或旋转涂布。
21.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,该粘着层与该可挠式基板之间的粘着力大于该承载基板与该可挠式基板之间的粘着力。
22.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,形成该可挠式基板的方式可为网印、刮印、滚轮涂布、喷印、旋转涂布或狭缝式涂布。
23.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,形成该可挠式基板的方式包括利用一已制备完成的基板通过该粘着层粘附于该承载基板上。
24.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,还包括在该承载基板上形成多个彼此分离的该离型层。
25.根据权利要求24所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,在进行该取下步骤之前还包括在该可挠式基板上形成多个彼此分离的可挠式电子组件,其中每一个该可挠式电子组件的投影位置位于不同的该离型层内。
26.根据权利要求25所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,在该可挠式基板上形成多个彼此分离的可挠式电子组件之后,还包括进行一预切割步骤,沿该承载基板的法线方向依序切割位于任两个相邻的该可挠式电子组件之间,并位于任两个相邻的该离型层之间的该可挠式基板、该粘着层以及该承载基板。
27.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,该可挠式基板自该承载基板脱离时,该离型层是与该承载基板脱离。
28.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,该可挠式基板自该承载基板脱离时,该离型层是与该承载基板粘附在一起。
29.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法,其特征在于,该可挠式基板自该承载基板脱离时,该离型层是与该可挠式基板粘附在一起。
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