CN102176435A - 可挠式基板结构及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

一种可挠式基板结构及其制作方法，该可挠式基板结构包括支撑载板、可挠式基底与离型层。可挠式基底设置于支撑载板上。离型层设置于支撑载板与可挠式基底之间，且离型层与可挠式基底以及支撑载板接触。离型层包括具有粘着性的粘着区用以接合可挠式基底与支撑载板，以及不具粘着性的离型区用以支撑可挠式基底。本发明可节省制作成本、增加工艺良率与品质。

Description

可挠式基板结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种可挠式基板结构及其制作方法，尤其涉及一种利用局部改质工艺使离型层形成具有粘着性的粘着区以及不具粘着性的离型区的可挠式基板结构及其制作方法。
背景技术
在现今显示技术中，可挠式显示器由于具有高轻巧性、耐冲击性、可挠取性、可穿戴性与携带方便等优异特性，目前已俨然成为新一代前瞻显示技术。目前于可挠性显示器工艺技术中，主要技术瓶颈在于如何将薄膜晶体管(Thin-Film-Transistor，TFT)制作在可挠式基底(例如塑胶基底)上。
现行于可挠式基底上形成薄膜晶体管的方法主要是先将可挠式基底固定在于支撑载板(例如玻璃基底)上，而待薄膜晶体管制作完成后再借由离型技术使可挠式基底与支撑载板分离。公知的离型技术是使用真空蒸镀的高分子膜当离型层，再借由塑胶基底与玻璃基底本身的良好附着性加以贴合。换言之，必须将离型层作图形化，才能有效的在玻璃基板上产生附着力弱的离型区，以及附着力强的粘着区。然而利用高分子蒸镀直接形成图案化的离型层的制作成本高，且使用的阴影掩模(shadow mask)必须接触离型层而容易产生沾粘而导致离型层剥落(peeling)问题；而若用间接方式形成图形化的离型层，则必须增加额外工艺。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种可挠式基板结构及其制作方法，以节省可挠式基板结构的制作成本、增加其工艺良率与品质。
本发明的一优选实施例提供一种可挠式基板结构，包括支撑载板、可挠式基底与离型层。可挠式基底设置于支撑载板上。离型层设置于支撑载板与可挠式基底之间，且离型层与可挠式基底以及支撑载板接触。离型层包括具有粘着性的粘着区用以接合可挠式基底与支撑载板，以及不具粘着性的离型区用以支撑可挠式基底。
本发明的另一优选实施例提供一种制作可挠式基板结构的方法，包括下列步骤。提供支撑载板。于支撑载板上形成离型层。进行一局部改质工艺，以将部分离型层改质而形成具有粘着性的粘着区，而未改质的离型层则形成不具粘着性的离型区。
本发明可节省制作成本、增加工艺良率与品质。
附图说明
图1与图2示出了本发明一优选实施例的可挠式基板结构的示意图。
图3至图7示出了本发明一优选实施例的制作可挠式基板结构的方法示意图。
图8示出了不同的局部改质工艺与离型层的剥离强度的关系图。
图9与图10示出了本发明另一优选实施例的制作可挠式基板结构的方法示意图。
其中，附图标记说明如下：
10     可挠式基板结构                    12    支撑载板
14     可挠式基底                        16    离型层
14C    中央区                            14P   周边区
16B    粘着区                            16R   离型区
A      样本                              B     样本
C      样本                              D     样本
具体实施方式
为使本领域普通技术人员能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的优选实施例，并配合所附附图，详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。
请参考图1与图2。图1与图2示出了本发明一优选实施例的可挠式基板结构的示意图，其中图1为可挠式基板结构的一俯视示意图，图2为可挠式基板结构的一剖面示意图。为了突显本发明的可挠式基板结构的特征，部分元件未示出于图1。如图1与图2所示，本实施例的可挠式基板结构10包括支撑载板12、可挠式基底14以及离型层16。相较于可挠式基底14的可挠性，支撑载板12为硬质载板，其可包括例如玻璃载板、半导体载板或金属载板，但不以此为限。可挠式基底14设置于支撑载板12上，且可挠式基底14为软质基底，其具有可挠性。可挠式基底14的材料可包括聚亚酰胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，PA)、聚原冰烯(polynorbomene，PNB)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)或聚醚亚酰胺(polyetherimide，PEI)，但不以此为限而可为其它各种有机材料或无机材料，或有机/无机混合材料。
离型层16设置于支撑载板12与可挠式基底14之间，且离型层16分别与可挠式基底14以及支撑载板12接触。离型层16的材料可包括例如聚对二甲基苯(Parylene)或环烯烃聚合物(Cyclic Olefin Copolymers，COC)，但不以此为限。在本实施例中，离型层16全面性地覆盖可挠式基底14，因此可挠式基底14未与支撑载板12接触。另外，可挠式基底14上另设置有薄膜晶体管阵列(图未示)，以及一显示介质层(图未示)。显示介质层可为液晶层、有机发光层、电致变色(electro-chromic)层、电子墨水层、胆固醇液晶层等各种具有显示特性的膜层，但不以此为限。离型层16包括具有粘着性的粘着区16B与不具粘着性的离型区16R。离型层16的粘着区16B用以接合可挠式基底14与支撑载板12，而离型层16的离型区16R用以支撑可挠式基底14。在本实施例中，可挠式基底14包含中央区14C以及包围中央区14C的周边区14P。离型层16的具有粘着性的粘着区16B对应于可挠式基底14的周边区14P，而离型层16的不具粘着性的离型区16R对应于可挠式基底14的中央区14C。
由上述可知，本实施例的离型层16为一全面性覆盖可挠式基底14的完整膜层，而非图案化的膜层，因此在制作过程中可不需要图案化的步骤，而可节省制作成本并增加工艺良率与离型层16的品质。此外，离型层16的粘着区16B可有效将可挠式基底14粘着固定在支撑载板12上，借此可利用现行设备于可挠式基底14上制作出薄膜晶体管阵列与显示介质层等元件。另一方面，在薄膜晶体管阵列与显示介质层等元件制作完成后，会进行一切割工艺，于对应于离型层16的离型区16R的周边的位置，例如是离型区16R内较接近粘着区16B的位置，来切割可挠式基底14，即可使可挠式基底14轻易地脱离离型层16与支撑载板12。值得注意的是，本发明切割的位置并不以此为限，可依照设计的需求在离型区16R内的任意位置作切割；而且位于离型区16R的离型层16在可挠式基底14脱离后，位于离型区16R的离型层16仍留在撑载板12上。
请参考图3至图7。图3至图7示出了本发明一优选实施例的制作可挠式基板结构的方法示意图，其中图3与图5以俯视形式示出，而图4、图6与图7则以剖面形式示出。本实施例的制作可挠式基板结构的方法为一批次制作方式，因此可同时制作出多个可挠式基板结构。如图3与图4所示，首先，提供支撑载板12与可挠式基底14。支撑载板12为硬质载板，可挠式基底14为软质基底，且支撑载板12与可挠式基底14的材料与特性如上述实施例所述，在此不多加赘述。接着将可挠式基底14设置于支撑载板12上，并于支撑载板12与可挠式基底14之间形成离型层16。在本实施例中，离型层16先形成于支撑载板12上，再将可挠式基底14置放于离型层16上，借此离型层16可位于支撑载板12与可挠式基底14之间，且离型层16分别与支撑载板12以及可挠式基底14接触。离型层16的材料可包括例如聚对二甲基苯(Parylene)或环烯烃聚合物(Cyclic Olefin Copolymers，COC)，但不以此为限。在本实施例中，离型层16可利用例如蒸镀工艺形成于支撑载板12上，但不以此为限而也可利用其它各种方式加以制作。
如图5与图6所示，于离型层16上形成可挠式基底14之后，接着对离型层16进行局部改质工艺，将部分离型层16改质而形成具有粘着性的粘着区16B以分别接合可挠式基底14与支撑载板12，而未改质的离型层16则形成不具粘着性的离型区16R以支撑可挠式基底14。局部改质工艺的能量大体上较佳介于76Kcal/mol与140Kcal/mol之间，但不以此为限。局部改质工艺可改变离型层16的性质，例如使离型层16产生断键，其中局部改质工艺可借由例如曝光工艺及/或热工艺加以实现。在本发明的第一较佳实施形式中，离型层16可为光感应粘着层，其在经过特定光源的照射后会产生改质而产生粘性，因此第一较佳实施形式的局部改质工艺包括利用光源进行局部曝光工艺，以使被光源照射的部分离型层16产生粘着性而形成粘着区16B，而未被光源照射的部分离型层16则不具有粘着性而形成离型区16R。此外，随着离型层16的材料或成分的不同，使用的光源可为例如紫外光源或激光光源，但不以此为限。此外，局部曝光工艺可使用点光源或线光源，并利用扫描方式进行曝光，但不以此为限。例如，也可使用面光源，并利用图案化掩模(图未示)将欲曝光的离型层16暴露出来进行曝光，且由于图案化掩模不需与离型层16接触，因此不会对离型层16造成损伤。在第一较佳实施形式中，局部曝光工艺的曝光时间大体上较佳介于40秒与120秒之间，但不以此为限。此外，当选择紫外光源进行局部曝光工艺时，则其波长大体上介于1纳米与400纳米之间，且以小于300纳米较佳，但不以此为限。请参考表1。表1列出了在使用小于300纳米的紫外光源进行局部曝光工艺时，曝光时间与剥离强度(peeling force)的关系。如表1所示，随着曝光时间的增加，离型层的剥离强度也相对增加，但在曝光时间超过100秒后，剥离强度即不再增加。
表1
 曝光时间(sec)   40   60   80   100   120
 剥离强度(gf)   18.5   25   43.5   53   53
另外，在本发明的第二较佳实施形式中，离型层16也可为一热感应粘着层，其在经过加热后会产生改质而产生粘性，因此第二较佳实施形式的局部改质工艺包括进行局部热工艺，以使被加热的部分离型层16形成粘着区16B，而未被加热的部分离型层16则不具有粘着性而形成离型区16R。此外，可挠式基底14包含中央区14C以及包围中央区14C的周边区14P。离型层16的粘着区16B对应于可挠式基底14的周边区14P，且离型层16的离型区16R对应于可挠式基底14的中央区14C。在第二较佳实施形式中，局部热工艺较佳于有氧环境下进行，且局部热工艺的工艺温度大体上较佳大于200℃。请参考表2。表2列出了在使用聚对二甲基苯作为离型层的材料，且加热时间为10分钟的状况下，工艺温度与剥离强度的关系。如表2所示，在工艺温度为250℃下，离型层的剥离强度可达到950gf，而随着工艺温度的增加，离型层的剥离强度虽有所下降，但仍可提供相当的粘着性。
表2
  工艺温度(℃)   250   280   300   330
  剥离强度(gf)   950   200   150   150
如图7所示，由于可挠式基底14已借由离型层16的粘着区16B固定于支撑载板12上，因此可利用现行设备于可挠式基底14上制作出薄膜晶体管阵列(图未示)与显示介质层(图未示)等元件。接着，进行一切割工艺，于对应于离型层16的离型区16R的周边的位置，例如图7的虚线所示的位置切割可挠式基底14，使可挠式基底14的中央区14C脱离离型层16与支撑载板12，即可形成本实施例的可挠式基板结构。值得注意的是，本发明切割位置并不以此为限，可依照工艺设计的需要选择离型区16R内的任何位置做切割。此外，在可挠式基底14的中央区14C脱离离型层16之后，位于离型区16R的离型层16仍留在支撑载板12上。
值得说明的是，在本发明的其它较佳实施形式中，局部改质工艺也可包括曝光工艺与热工艺的作法。请参考图8。图8示出了不同的局部改质工艺与离型层的剥离强度的关系图，其中样本A为未进行局部改质工艺的离型层；样本B为进行了局部曝光工艺的离型层；样本C为进行了局部曝光工艺与局部热工艺的离型层；样本D为进行了局部热工艺的离型层。如图8所示，相较于未进行局部改质工艺样本A，进行了局部改质工艺的样本B至D的剥离强度均大于样本A的剥离强度。
请参考图9与图10。图9与图10示出了本发明另一优选实施例的制作可挠式基板结构的方法示意图。为了便于比较各实施例的相异处并简化说明，在下文的各实施例中使用相同的符号标注相同的元件，且主要针对各实施例的相异处进行说明，而不再对重复部分进行赘述。不同于前述实施例，在本实施例中，局部改质工艺于形成可挠式基底之前进行，借此将部分离型层16改质而形成具有粘着性的粘着区16B，而未改质的离型层16则形成不具粘着性的离型区16R，如图9所示，其中局部改质工艺可包括例如曝光工艺、热工艺或曝光工艺加上热工艺的作法。如图10所示，随后再将可挠式基底14形成于离型层16上，并利用离型层16的粘着区16B分别接合可挠式基底14与支撑载板12，而离型层16的离型区16R则可支撑可挠式基底14。接着可如图7所示进行后续的切割工艺，使可挠式基底14的中央区14C脱离离型层16，即可形成本实施例的可挠式基板结构，而且在可挠式基底14的中央区14C脱离离型层16之后，位于离型区16R的离型层16仍留在支撑载板12上。
综上所述，本发明的可挠式基板结构及其制作方法利用局部改质工艺使离型层形成具有粘着性的粘着区以及不具粘着性的离型区，因此离型层具有完整膜层。在不需要形成图案化的离型层的情况下，本发明可节省制作成本、增加工艺良率与品质。此外，局部改质工艺可视离型层的材料不同或剥离强度需求的不同，而选用曝光工艺及/或热工艺加以实现。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，均应属本发明的涵盖范围。

Claims (28)

1.一种可挠式基板结构，包括：
一支撑载板；
一可挠式基底，设置于该支撑载板上；以及
一离型层，设置于该支撑载板与该可挠式基底之间，且该离型层分别与该可挠式基底以及该支撑载板接触，其中该离型层包括一具有粘着性的粘着区用以接合该可挠式基底与该支撑载板，以及一不具粘着性的离型区用以支撑该可挠式基底。
2.如权利要求1所述的可挠式基板结构，其中该离型层包括一光感应粘着层，其可借由一光线的照射而发挥粘着性。
3.如权利要求2所述的可挠式基板结构，其中该离型层的材料包括聚对二甲基苯或环烯烃聚合物。
4.如权利要求1所述的可挠式基板结构，其中该支撑载板包括一玻璃载板、一半导体载板或一金属载板。
5.如权利要求1所述的可挠式基板结构，其中该可挠式基底的材料包括聚亚酰胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚原冰烯、聚乙烯对苯二甲酸酯、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚醚亚酰胺。
6.如权利要求1所述的可挠式基板结构，其中该可挠式基底未与该支撑载板接触。
7.如权利要求1所述的可挠式基板结构，其中该离型层全面性地覆盖该可挠式基底。
8.如权利要求1所述的可挠式基板结构，该可挠式基底包含一中央区以及一包围该中央区的周边区，其中该离型层的具有粘着性的该粘着区对应于该可挠式基底的该周边区，且该离型层的不具粘着性的该离型区对应于该可挠式基底的该中央区。
9.如权利要求8所述的可挠式基板结构，其中在该可挠式基底的该中央区脱离该离型层之后，位于该离型区的该离型层仍留在该支撑载板上。
10.一种制作可挠式基板结构的方法，包括：
提供一支撑载板；
于该支撑载板上形成一离型层；以及
进行一局部改质工艺，以将部分该离型层改质而形成一具有粘着性的粘着区，而未改质的该离型层则形成一不具粘着性的离型区。
11.如权利要求10所述的制作可挠式基板结构的方法，另包括于该离型层上形成一可挠式基底，其中该离型层分别与该支撑载板以及该可挠式基底接触，且该支撑载板以及该可挠式基底借由该离型层的该粘着区接合。
12.如权利要求11所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该局部改质工艺于形成该可挠式基底之前进行。
13.如权利要求11所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该局部改质工艺于形成该可挠式基底之后进行。
14.如权利要求10所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该离型层全面性地覆盖该可挠式基底。
15.如权利要求10所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该离型层包括一光感应粘着层，且该局部改质工艺包括利用一光源进行一局部曝光工艺，以使被该光源照射的部分该离型层产生粘着性而形成该粘着区，而未被该光源照射的部分该离型层则不具有粘着性而形成该离型区。
16.如权利要求15所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该局部曝光工艺的曝光时间大体上介于40秒与120秒之间。
17.如权利要求15所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该光源包括一紫外光源。
18.如权利要求17所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该紫外光源的波长大体上介于1纳米与400纳米之间。
19.如权利要求15所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该光源包括一激光光源。
20.如权利要求10所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该离型层包括一热感应粘着层，该局部改质工艺包括一局部热工艺，以使被加热的部分该离型层形成该粘着区，而未被加热的部分该离型层则不具有粘着性而形成该离型区。
21.如权利要求20所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该局部热工艺于一有氧环境下进行，且该局部热工艺的工艺温度大体上大于200℃。
22.如权利要求10所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该局部改质工艺的能量大体上介于76Kcal/mol与140Kcal/mol之间。
23.如权利要求10所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该离型层的材料包括聚对二甲基苯或环烯烃聚合物。
24.如权利要求10所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该支撑载板包括一玻璃载板、一半导体载板或一金属载板。
25.如权利要求10所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该可挠式基底的材料包括聚亚酰胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚原冰烯、聚乙烯对苯二甲酸酯、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚醚亚酰胺。
26.如权利要求10所述的制作可挠式基板结构的方法，其中该可挠式基底包含一中央区以及一包围该中央区的周边区，该离型层的该粘着区对应于该可挠式基底的该周边区，以及该离型层的该离型区对应于该可挠式基底的该中央区。
27.如权利要求26所述的制作可挠式基板结构的方法，另包括于对应于该离型层的该离型区的周边的位置切割该可挠式基底，使该可挠式基底的该中央区脱离该离型层与该支撑载板。
28.如权利要求27所述的制作可挠式基板结构的方法，其中于该可挠式基底的该中央区脱离该离型层之后，位于该离型区的该离型层仍留在该支撑载板上。
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