CN111048461A - 电子装置的离型前结构及电子装置的制造方法 - Google Patents

电子装置的离型前结构及电子装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111048461A
CN111048461A CN201811190550.9A CN201811190550A CN111048461A CN 111048461 A CN111048461 A CN 111048461A CN 201811190550 A CN201811190550 A CN 201811190550A CN 111048461 A CN111048461 A CN 111048461A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic device
adhesive layer
flexible substrate
adhesion
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811190550.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111048461B (zh
Inventor
陈谚宗
游明璋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hannstar Display Corp
Original Assignee
Hannstar Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hannstar Display Corp filed Critical Hannstar Display Corp
Priority to CN201811190550.9A priority Critical patent/CN111048461B/zh
Publication of CN111048461A publication Critical patent/CN111048461A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111048461B publication Critical patent/CN111048461B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种电子装置的离型前结构，包括载板、黏着结构以及电子装置。黏着结构设置在载板上，黏着结构包括第一黏着层以及第二黏着层，第一黏着层接触于载板以及第二黏着层，且第一黏着层的材料不同于第二黏着层。电子装置具有第一区以及位于第一区外围的第二区，且电子装置包括可挠式衬底与主动组件，可挠式衬底设置在黏着结构上，并与第二黏着层接触，而主动组件设置在可挠式衬底上，并位于第一区内。其中电子装置的第一区的垂直投影位于可挠式衬底与第二黏着层的接触部分的垂直投影内。

Description

电子装置的离型前结构及电子装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种电子装置的离型前结构及电子装置的制造方法，特别是涉及一种可以提高电子装置与载板之间的分离合格率的电子装置的离型前结构及电子装置的制造方法。
背景技术
在现今显示技术中，可挠式电子装置由于具有高轻巧性、耐冲击性、可挠曲性、可穿戴性与易携带性等优异特性，目前已俨然成为前瞻技术。由于可挠式衬底的刚性不足，因此具有可挠式衬底的电子装置的现有制造方法是先在可挠式衬底与载板之间设置具有黏着力的黏着层，以将可挠式衬底固定在刚性较优的载板上，等制作好电子组件后，再通过分离工艺使电子装置与载板分离。然而，在分离工艺中，黏着层的设置位置与所提供的黏着力会影响分离工艺的合格率，因此，需对此进行适当的设计，进而提高电子装置的生产良率。
发明内容
本发明提供一种电子装置的离型前结构及电子装置的制造方法，其通过黏着结构的设计而提高电子装置与载板分离的合格率，进而提高电子装置的生产良率。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种电子装置的离型前结构，包括载板、黏着结构以及电子装置。黏着结构设置在载板上，黏着结构包括第一黏着层以及第二黏着层，第一黏着层接触于载板以及第二黏着层，且第一黏着层的材料不同于第二黏着层。电子装置具有第一区以及位于第一区外围的第二区，且电子装置包括可挠式衬底与主动组件，可挠式衬底设置在黏着结构上，并与第二黏着层接触，而主动组件设置在可挠式衬底上，并位于第一区内。其中电子装置的第一区的垂直投影位于可挠式衬底与第二黏着层的接触部分的垂直投影内。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种电子装置的制造方法，包括：提供载板；在载板上形成黏着结构，其中黏着结构包括第一黏着层以及第二黏着层，第一黏着层接触于载板以及第二黏着层，且第一黏着层的材料不同于第二黏着层；在黏着结构上形成电子装置，其中电子装置具有第一区以及位于第一区外围的第二区，电子装置包括可挠式衬底与主动组件，可挠式衬底设置在黏着结构上并接触于第二黏着层，主动组件设置在可挠式衬底上并位于第一区内，且电子装置的第一区的垂直投影位于可挠式衬底与第二黏着层的接触部分的垂直投影内；以及进行载板分离工艺，将电子装置从载板分离。
由于本发明的电子装置的第一区的垂直投影位于可挠式衬底与第二黏着层的接触部分的垂直投影内，使得第一区中的可挠式衬底都与黏着力较弱的第二黏着层接触，因此可挠式衬底与黏着结构之间黏着力可维持在较容易进行载板分离工艺的状况，进而提升电子装置的分离良率。
附图说明
图1所示为本发明第一实施例的电子装置的离型前结构的剖面示意图。
图2所示为本发明第一实施例的电子装置的离型前结构的俯视示意图。
图3所示为图2中电子装置的离型前结构角落的放大俯视示意图。
图4所示为本发明一实施例的电子装置的制造方法的流程图。
图5所示为本发明第二实施例的电子装置的离型前结构的剖面示意图。
图6所示为本发明第三实施例的电子装置的离型前结构的剖面示意图。
图7所示为本发明第四实施例的电子装置的离型前结构的剖面示意图。
图8所示为本发明第五实施例的电子装置的离型前结构的剖面示意图。
其中，附图标记说明如下：
100、200、300、400、500 电子装置的离型前结构
110 载板
120 黏着结构
122 第一黏着层
122a 金属对位标记
122s 内缘
124 第二黏着层
130 电子装置
132 可挠式衬底
134 电子组件层
A1 范围
R1 第一区
R2 第二区
S1、S2、S3、S4 步骤
具体实施方式
为使本领域技术人员能更进一步了解本发明，以下特列举本发明的优选实施例，并配合附图详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。须注意的是，附图均为简化的示意图，因此，仅显示与本发明有关之组件与组合关系，以对本发明的基本架构或实施方法提供更清楚的描述，而实际的组件与布局可能更为复杂。另外，为了方便说明，本发明的各附图中所示之组件并非以实际实施的数目、形状、尺寸做等比例绘制，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。
请参考图1到图3，图1所示为本发明第一实施例的电子装置的离型前结构的剖面示意图，图2所示为本发明第一实施例的电子装置的离型前结构的俯视示意图，图3所示为图2中电子装置的离型前结构角落的放大俯视示意图，其中图2、图3仅绘示载板110与黏着结构120。须说明的是，电子装置的离型前结构100为尚未进行电子装置130的制造过程中的载板分离工艺的结构，也就是电子装置130与载板110分离之前的结构。如图1到图3所示，本实施例的电子装置的离型前结构100包括载板110、黏着结构120以及电子装置130，其中黏着结构120设置在载板110上，电子装置130设置在黏着结构120上，并且，电子装置的离型前结构100还可选择地包括其他膜层或结构，设置在上述的结构上或之间，以下将对各结构进行说明。电子装置130举例可为可挠式显示屏(如液晶显示屏(liquid crystal display,LCD)、微型发光二极管显示屏(micro light-emitting diode display,micro LEDdisplay)、主动式有机发光二极管显示屏(active-matrix organic light-emittingdiode display,AMOLED display)等)、可挠式触控传感器件或其他适合的可挠式电子装置，但不以此为限，电子装置130也可为不可挠的电子装置。电子装置130具有第一区R1(例如显示区、主动区)以及位于第一区R1外围的第二区R2(例如周边区)，而电子装置130包括可挠式衬底132与电子组件层134。可挠式衬底132举例可包含聚亚酰胺材料(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯材料(polyethylene terephthalate，PET)或其他适合的可挠性材料。电子组件层134设置在可挠式衬底132上，电子组件层134所包括的主动组件位于第一区R1内，其中主动组件可依据电子装置130的种类而对应改变，举例来说，主动组件可包括薄膜晶体管、发光组件(例如发光二极管(light-emitting diode)、有机发光二极管(organic light-emitting diode))及/或其他适合的主动组件，而第二区R2内的电子组件层134可包括周边电路(例如栅极驱动电路、源极驱动电路、集成电路(integratedcircuit,IC)等)与走线，第一区R1中的主动组件可配合电子组件层134中的其他被动组件及/或第二区R2内的电路而使电子装置130具有显示画面、触控感测或其他功能。此外，电子装置130还可包括其他适合的膜层与结构，例如设置在第一区R1内的彩色滤光层、遮蔽第二区R2与部分第一区R1的遮蔽层及/或偏光片等，但不以此为限。载板110为刚性较高的硬质载板，例如包括玻璃、塑料、石英或其他适合的材料的载板，用以乘载结构以制造具有可挠式衬底132的电子装置130。黏着结构120位于可挠式衬底132与载板110之间，并对其提供黏着力，藉此使可挠式衬底132黏着并固定在载板110上，以利于电子装置130的电子组件层134或其他膜层的制造。
详细而言，如图1所示，本实施例的黏着结构120包括第一黏着层122与第二黏着层124，第一黏着层122接触于载板110以及第二黏着层124，本实施例的第一黏着层122还接触可挠式衬底132，第二黏着层124与可挠式衬底132接触，其中第一黏着层122的材料不同于第二黏着层124。举例来说，第一黏着层122可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓锌(IGZO)、铌化钼(MoNb)、氮化硅(SiNx)、氧化钛(TiO2)、硅烷(Silane)、金属材料与其他适合的材料的其中至少一种，第二黏着层124可包括氧化硅(SiOx)、氧化锆(ZrOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铌(NbOx)、氧化铝(AlOx)、含硅的有机材料、含氟的有机材料与其他适合的材料的其中至少一种，且第一黏着层122在单位面积下对于可挠式衬底132的黏着力大于第二黏着层124在单位面积下对于可挠式衬底132的黏着力，但不以此为限，第一黏着层122与第二黏着层124可依据可挠式衬底132的材料配比而对应选择适合的材料。因此，在本实施例中，第一黏着层122可作为强接着层，第二黏着层124可作为离型层，但不以此为限。
在图1到图3中，电子装置130的第一区R1的垂直投影位于可挠式衬底132与第二黏着层124的接触部分的垂直投影(即图1中的范围A1)内，使得第一区R1中的可挠式衬底132都与黏着力较弱的第二黏着层124接触，而第二区R2中的可挠式衬底132可选择性地部分接触于黏着力较弱的第二黏着层124。须说明的是，本文所述的「垂直投影」是表示沿着垂直于载板110表面的方向而在载板110的表面上所形成的投影，也就是俯视方向上的投影。另外，在本实施例中，第二黏着层124可设置在第一黏着层122上，并可部分覆盖第一黏着层122(覆盖第一黏着层122的内缘122s)，使得第一黏着层122中未被第二黏着层124覆盖的部分可接触于载板110与可挠式衬底132之间，第一黏着层122中被第二黏着层124覆盖的部分则接触于载板110与第二黏着层124之间，也就是第一黏着层122的至少一部分可接触于载板110与可挠式衬底132之间，因此，本实施例的第一黏着层122与第二黏着层124都可对于可挠式衬底132提供黏着力以固定可挠式衬底132，但不以此为限。此外，如图1到图3所示，本实施例的第一黏着层122可在俯视方向上环绕第二黏着层124，并环绕电子装置130的第一区R1，使得第一黏着层122可直接接触并黏着第二区R2的可挠式衬底132的外围部分(即图1中的范围A1的外侧)，以增强黏着力，换句话说，在本实施例中，第二区R2的可挠式衬底132的外围部分可与黏着力较强的第一黏着层122接触，而第一区R1的可挠式衬底132以及第二区R2的可挠式衬底132的另一部分都与黏着力较弱的第二黏着层124接触，但不以此为限。本实施例的第一黏着层122可为环绕第二黏着层124的连续性框胶结构(如图2所示)，但不以此为限，在变化实施例中，第一黏着层122可分为多个黏着条，此些黏着条环绕第二黏着层124但彼此不相连。另外，本实施例的第一黏着层122的厚度可为约50埃
Figure BDA0001827385840000061
到约1000埃，并举例以涂布、打印、转印、点胶或沉积(例如物理气相沈积(physical vapor deposition,PVD)、化学气相沈积(chemical vapor deposition,CVD))等方式制作，第二黏着层124的厚度范围可为约400埃到约20000埃，并举例以涂布、打印、转印、点胶或沉积(例如PVD、CVD)等方式制作，但不以此为限。
如图2与图3所示，本实施例的第一黏着层122可选择性的包括金属对位标记122a，其中金属对位标记122a可由金属材料所形成，也就是说，本实施例的第一黏着层122可由两种或更多的材料所形成。在本实施例中，金属对位标记122a的图案可为L型，并设置在第一黏着层122的角落(或边缘)，但不以此为限，金属对位标记122a可依据所设置的位置与使用需求而对应设计其图案，例如米字型或其他适合的图案。在本实施例中，第二黏着层124与可挠式衬底132都设置在金属对位标记122a上，因此，若可挠式衬底132与第二黏着层124为透明或半透明，则在设置可挠式衬底132上的电子组件层134中的组件(主动组件、被动组件、电路等)或其他膜层时，金属对位标记122a可作为设置电子组件或膜层的对准记号，使得电子组件可设置在所需的位置。
请参考图4，并同时参考图1到图3，图4所示为本发明一实施例的电子装置的制造方法的流程图。如图1到图4所示，在本实施例的电子装置100的制造方法中，首先进行步骤S1：提供载板110。接着，再进行步骤S2：在载板110上形成黏着结构120，其中黏着结构120的第一黏着层122接触于载板110以及黏着结构120的第二黏着层124，且第一黏着层122的材料不同于第二黏着层124。在本实施例中，先在载板110上形成第一黏着层122，之后再形成第二黏着层124于第一黏着层122上，其中第二黏着层124可部分覆盖第一黏着层122，且第一黏着层122可在俯视方向上环绕第二黏着层124，但不以此为限，在其他实施例中，第一黏着层122与第二黏着层124可依设计需求而改变其形成顺序或图案。然后，进行步骤S3：在黏着结构120上形成电子装置130，以形成电子装置的离型前结构100，其中电子装置130的可挠式衬底132设置在黏着结构120上并接触于第二黏着层124，电子装置130的主动组件设置在可挠式衬底132上并位于电子装置130的第一区R1内，且电子装置130的第一区R1的垂直投影位于可挠式衬底132与第二黏着层124的接触部分的垂直投影(范围A1)内。在本实施例中，由于第二黏着层124部分覆盖第一黏着层122，且第一黏着层122在俯视方向上环绕第二黏着层124，因此，第二区R2的可挠式衬底132的外围部分(范围A1的外侧)可与黏着力较强的第一黏着层122接触，而第一区R1的可挠式衬底132以及第二区R2的可挠式衬底132的另一部分(范围A1的内侧)都与黏着力较弱的第二黏着层124接触，但不以此为限。最后，再进行步骤S4：进行载板分离工艺，将电子装置130从载板110分离，以完成电子装置130的制作。载板分离工艺可为任何适合的分离方式，举例而言，在一种载板分离工艺中，可先在电子装置130上形成转换膜，例如紫外光膜(UV film)，接着对转换膜施予相反于载板110方向的力，使得电子装置130与转换膜由载板110与黏着结构120之间的界面及/或可挠式衬底132与黏着结构120之间的界面分离，然后，在可挠式衬底132的一侧形成支持层，最后再将转换膜移除，以完成载板分离工艺，但载板分离工艺不以此为限。此外，在形成支持层之前，可选择性的进行清除工艺，以去除残留在可挠式衬底132上黏着结构120，例如可利用切割工艺切除电子装置130的第二区R2的外围部分，以去除残留在可挠式衬底132上的第一黏着层122，但清除工艺不以此为限。
另外，在上述的电子装置130的制造方法中，也可在载板110上形成多个电子装置130以进行多个电子装置130的制造，因此，黏着结构120会分别对应各电子装置130而设置。举例来说，在本实施例中，第一黏着层122会分别环绕第二黏着层124，第二黏着层124会分别对应各电子装置130的第一区R1使得第一区R1的垂直投影位于可挠式衬底132与第二黏着层124的接触部分的垂直投影(范围A1)内，而第一黏着层122可位于两电子装置130之间的切割道上，但不以此为限。
在现有的电子装置的离型前结构中，若使用了强接着层作为黏着载板与可挠式衬底的结构，由于强接着层与可挠式衬底之间的接触宽幅较不易控制，因此容易造成接着区域过宽而使得黏着力大幅增加，例如黏着到电子装置的主动区，进而影响电子装置的分离良率，并且，在制造电子装置的过程中，强接着层可能会挥发而渗透到电子装置的主动区而与主动区内的可挠式衬底黏着，造成黏着力变强而影响电子装置的分离良率。在本发明中，由于电子装置130的第一区R1的垂直投影位于可挠式衬底132与第二黏着层124的接触部分的垂直投影(范围A1)内，使得第一区R1中的可挠式衬底132都与黏着力较弱的第二黏着层124接触，因此可挠式衬底132与黏着结构120之间黏着力可维持在较容易进行载板分离工艺的状况。此外，由于本实施例的第二黏着层124设置在第一黏着层122上，并覆盖了部分第一黏着层122，因此，若作为强接着层的第一黏着层122的宽幅较宽，或是第一黏着层122发生了挥发的情况，则主要会使得第一黏着层122与第二黏着层124之间的接触面积增加，而不会大幅增加第一黏着层122与可挠式衬底132之间的接触面积，故不会大幅影响到可挠式衬底132与黏着结构120之间黏着力，并可提升电子装置130的分离良率。
本发明的电子装置的离型前结构以及电子装置的制造方法并不以上述实施例为限。下文将继续揭示本发明的其它实施例与变化实施例，然为了简化说明并突显各实施例与变化实施例之间的差异，下文中使用相同标号标注相同组件，并不再对重复部分作赘述。
请参考图5，图5所示为本发明第二实施例的电子装置的离型前结构的剖面示意图。如图5所示，本实施例与第一实施例的差异在于本实施例的电子装置的离型前结构200的第二黏着层124的垂直投影可位于第一黏着层122的垂直投影内，并可在第二区R2的外围部分暴露出第一黏着层122，因此，所暴露出的第一黏着层122的部分可环绕第二黏着层124并与可挠式衬底132接触，但不以此为限。在本实施例中，在形成第一黏着层122时，可使第一黏着层122完全覆盖载板110，并不对第一黏着层122进行图案化工艺，但不以此为限。在本实施例中，由于第二黏着层124的垂直投影位于第一黏着层122的垂直投影内，使得第二黏着层124完全接触于第一黏着层122与可挠式衬底132之间，且第二黏着层124不会与载板110接触，因此，可通过第一黏着层122黏着第二黏着层124，以避免在载板分离工艺之前造成第二黏着层124与载板110分离，进而影响电子装置130的制造良率。
请参考图6，图6所示为本发明第三实施例的电子装置的离型前结构的剖面示意图。如图6所示，本实施例与第一实施例的差异在于本实施例的电子装置的离型前结构300的第二黏着层124的垂直投影可位于第一黏着层122的垂直投影内，且第二黏着层124可完全覆盖第一黏着层122，而黏着结构120可在第二区R2的外围部分(范围A1的外侧)暴露出载板110，使得后续形成的可挠式衬底132可与载板110接触，也就是说，在本实施例中，第一黏着层122的上表面可不与可挠式衬底132接触。在此情况下，本实施例所选用的可挠式衬底132的材料配比可使得可挠式衬底132与载板110之间的界面具有接着力，以使可挠式衬底132可通过与黏着结构120之间的黏着力以及与载板110之间的接着力固定。另外，在本实施例中，由于第二黏着层124的垂直投影位于第一黏着层122的垂直投影内，使得第二黏着层124完全接触于第一黏着层122与可挠式衬底132之间，因此，可通过第一黏着层122黏着第二黏着层124，以避免在载板分离工艺之前造成第二黏着层124与载板110分离，进而影响电子装置130的制造良率。
请参考图7，图7所示为本发明第四实施例的电子装置的离型前结构的剖面示意图。如图7所示，相较于第一实施例，在本实施例的电子装置的离型前结构400的黏着结构120中，第一黏着层122可部分覆盖第二黏着层124，而第一黏着层122仍环绕第二黏着层124，也就是说，在形成黏着结构120的步骤中，可先在载板110上形成第二黏着层124，之后再形成第一黏着层122。同样的，由于电子装置130的第一区R1的垂直投影位于可挠式衬底132与第二黏着层124的接触部分的垂直投影(范围A1)内，使得第一区R1中的可挠式衬底132都与黏着力较弱的第二黏着层124接触，因此可挠式衬底132与黏着结构120之间黏着力可维持在较容易进行载板分离工艺的状况。此外，由于本实施例的第一黏着层122设置在第二黏着层124上，因此，若第二黏着层124与载板110之间的黏着力小于第二黏着层124与可挠式衬底132之间的黏着力，第一黏着层122可将第二黏着层124固定于载板110上，以避免在载板分离工艺之前造成第二黏着层124与载板110分离，进而影响电子装置130的制造良率。
请参考图8，图8所示为本发明第五实施例的电子装置的离型前结构的剖面示意图。如图8所示，相较于第一实施例，在本实施例的电子装置的离型前结构500的黏着结构120中，第一黏着层122的垂直投影不与第二黏着层124的垂直投影重叠，也就是第一黏着层122都接触于载板110与可挠式衬底132之间，而第一黏着层122仍环绕第二黏着层124。在图8中，第一黏着层122与第二黏着层124可彼此相连但不彼此重叠。另外，在形成黏着结构120的步骤中，第二黏着层124与第一黏着层122的形成顺序并不限制，例如可先形成第一黏着层122再形成第二黏着层124，或是先形成第二黏着层124再形成第一黏着层122。而为了使第一黏着层122与第二黏着层124可准确的形成在所需的位置，举例可利用金属掩模或网印等方式形成第一黏着层122及/或第二黏着层124，但不以此为限。
综上所述，由于本发明的电子装置的第一区的垂直投影位于可挠式衬底与第二黏着层的接触部分的垂直投影内，使得第一区中的可挠式衬底都与黏着力较弱的第二黏着层接触，因此可挠式衬底与黏着结构之间黏着力可维持在较容易进行载板分离工艺的状况，进而提升电子装置的分离良率。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种电子装置的离型前结构，其特征在于，包括：
一载板；
一黏着结构，设置在所述载板上，所述黏着结构包括一第一黏着层以及一第二黏着层，所述第一黏着层接触于所述载板以及所述第二黏着层，且所述第一黏着层的材料不同于所述第二黏着层；以及
一电子装置，具有一第一区以及位于所述第一区外围的一第二区，所述电子装置包括：
一可挠式衬底，设置在所述黏着结构上，并与所述第二黏着层接触；
以及
一主动组件，设置在所述可挠式衬底上，并位于所述第一区内；
其中所述电子装置的所述第一区的垂直投影位于所述可挠式衬底与所述第二黏着层的接触部分的垂直投影内。
2.如权利要求1所述的电子装置的离型前结构，其特征在于，所述第一黏着层环绕所述第二黏着层。
3.如权利要求1所述的电子装置的离型前结构，其特征在于，所述第二黏着层部分覆盖所述第一黏着层。
4.如权利要求3所述的电子装置的离型前结构，其特征在于，所述第一黏着层的至少一部分接触于所述载板与所述可挠式衬底之间。
5.如权利要求3所述的电子装置的离型前结构，其特征在于，所述第二黏着层的垂直投影位于所述第一黏着层的垂直投影内。
6.如权利要求5所述的电子装置的离型前结构，其特征在于，所述可挠式衬底与所述载板接触。
7.如权利要求1所述的电子装置的离型前结构，其特征在于，所述第一黏着层部分覆盖所述第二黏着层。
8.如权利要求1所述的电子装置的离型前结构，其特征在于，所述第一黏着层的垂直投影不与所述第二黏着层的垂直投影重叠。
9.如权利要求1所述的电子装置的离型前结构，其特征在于，所述第一黏着层包括一金属对位标记。
10.如权利要求1所述的电子装置的离型前结构，其特征在于，所述第一黏着层包括氧化铟锡、氧化铟镓锌、铌化钼、氮化硅、氧化钛、硅烷与金属材料的其中至少一种。
11.如权利要求1所述的电子装置的离型前结构，其特征在于，所述第二黏着层包括氧化硅、氧化锆、氮化硅、氧化铌、氧化铝、含硅的有机材料与含氟的有机材料的其中至少一种。
12.如权利要求1所述的电子装置的离型前结构，其特征在于，所述第一黏着层在单位面积下对于所述可挠式衬底的黏着力大于所述第二黏着层在单位面积下对于所述可挠式衬底的黏着力。
13.如权利要求1所述的电子装置的离型前结构，其特征在于，所述电子装置为一可挠式显示屏或一可挠式触控传感器件。
14.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供一载板；
在所述载板上形成一黏着结构，其中所述黏着结构包括一第一黏着层以及一第二黏着层，所述第一黏着层接触于所述载板以及所述第二黏着层，且所述第一黏着层的材料不同于所述第二黏着层；
在所述黏着结构上形成一电子装置，其中所述电子装置具有一第一区以及位于所述第一区外围的一第二区，所述电子装置包括一可挠式衬底与一主动组件，所述可挠式衬底设置在所述黏着结构上并接触于所述第二黏着层，所述主动组件设置在所述可挠式衬底上并位于所述第一区内，且所述电子装置的所述第一区的垂直投影位于所述可挠式衬底与所述第二黏着层的接触部分的垂直投影内；以及
进行一载板分离工艺，将所述电子装置从所述载板分离。
15.如权利要求14所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在形成所述黏着结构的步骤中，包括：
在所述载板上形成所述第一黏着层；以及
在形成所述第一黏着层之后，形成所述第二黏着层。
16.如权利要求15所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述第一黏着层的至少一部分接触于所述载板与所述可挠式衬底之间。
17.如权利要求15所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述第二黏着层的垂直投影位于所述第一黏着层的垂直投影内。
18.如权利要求14所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在形成所述黏着结构的步骤中，包括：
在所述载板上形成所述第二黏着层；以及
在形成所述第二黏着层之后，形成所述第一黏着层。
19.如权利要求14所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述第一黏着层的垂直投影不与所述第二黏着层的垂直投影重叠。
20.如权利要求14所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述第一黏着层环绕所述第二黏着层。
CN201811190550.9A 2018-10-12 2018-10-12 电子装置的离型前结构及电子装置的制造方法 Active CN111048461B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811190550.9A CN111048461B (zh) 2018-10-12 2018-10-12 电子装置的离型前结构及电子装置的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811190550.9A CN111048461B (zh) 2018-10-12 2018-10-12 电子装置的离型前结构及电子装置的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111048461A true CN111048461A (zh) 2020-04-21
CN111048461B CN111048461B (zh) 2022-06-03

Family

ID=70229752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811190550.9A Active CN111048461B (zh) 2018-10-12 2018-10-12 电子装置的离型前结构及电子装置的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111048461B (zh)

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101522846A (zh) * 2006-11-04 2009-09-02 日东电工株式会社 热剥离性粘合片及粘附体回收方法
TW201030693A (en) * 2009-02-10 2010-08-16 Ind Tech Res Inst Transferring structure for a flexible electronic device and method for fabricating a flexible electronic device
CN101924067A (zh) * 2009-06-09 2010-12-22 财团法人工业技术研究院 挠性膜自载板上脱离的方法及可挠式电子装置的制造方法
CN102176435A (zh) * 2010-12-27 2011-09-07 友达光电股份有限公司 可挠式基板结构及其制作方法
CN102190973A (zh) * 2010-02-01 2011-09-21 日东电工株式会社 半导体装置制造用薄膜及半导体装置的制造方法
CN102496599A (zh) * 2011-09-23 2012-06-13 友达光电股份有限公司 可挠式基板结构及其制造方法
CN102509719A (zh) * 2011-09-21 2012-06-20 友达光电股份有限公司 可挠式显示器的制作方法以及可挠式显示器
CN102637575A (zh) * 2011-02-09 2012-08-15 群康科技(深圳)有限公司 元件基板的制造方法
CN103000491A (zh) * 2011-09-16 2013-03-27 元太科技工业股份有限公司 可挠性显示设备的制造方法
CN103035490A (zh) * 2012-12-11 2013-04-10 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示器件的制备方法
CN103545463A (zh) * 2013-09-27 2014-01-29 Tcl集团股份有限公司 一种柔性显示器件及其制作方法
CN104115267A (zh) * 2012-02-16 2014-10-22 Ev集团E·索尔纳有限责任公司 暂时连接产品衬底与基座衬底的方法
US20150083312A1 (en) * 2013-09-25 2015-03-26 Au Optronics Corporation Method of bonding and debonding substrate
CN104934371A (zh) * 2015-03-09 2015-09-23 友达光电股份有限公司 可挠式显示面板及其制作方法
WO2017121152A1 (zh) * 2016-01-15 2017-07-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其柔性基板的贴附方法、剥离方法
US20180042116A1 (en) * 2016-08-04 2018-02-08 Taimide Technology Incorporation Flexible substrate assembly and its application for fabricating flexible printed circuits
CN207503952U (zh) * 2017-09-11 2018-06-15 宇威材料科技股份有限公司 应用于软性电子元件的复合基板结构、可挠性基材
CN108231675A (zh) * 2016-12-22 2018-06-29 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 可挠式显示面板的制造方法

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101522846A (zh) * 2006-11-04 2009-09-02 日东电工株式会社 热剥离性粘合片及粘附体回收方法
TW201030693A (en) * 2009-02-10 2010-08-16 Ind Tech Res Inst Transferring structure for a flexible electronic device and method for fabricating a flexible electronic device
CN101924067A (zh) * 2009-06-09 2010-12-22 财团法人工业技术研究院 挠性膜自载板上脱离的方法及可挠式电子装置的制造方法
CN102190973A (zh) * 2010-02-01 2011-09-21 日东电工株式会社 半导体装置制造用薄膜及半导体装置的制造方法
CN102176435A (zh) * 2010-12-27 2011-09-07 友达光电股份有限公司 可挠式基板结构及其制作方法
CN102637575A (zh) * 2011-02-09 2012-08-15 群康科技(深圳)有限公司 元件基板的制造方法
CN103000491A (zh) * 2011-09-16 2013-03-27 元太科技工业股份有限公司 可挠性显示设备的制造方法
CN102509719A (zh) * 2011-09-21 2012-06-20 友达光电股份有限公司 可挠式显示器的制作方法以及可挠式显示器
CN102496599A (zh) * 2011-09-23 2012-06-13 友达光电股份有限公司 可挠式基板结构及其制造方法
CN104115267A (zh) * 2012-02-16 2014-10-22 Ev集团E·索尔纳有限责任公司 暂时连接产品衬底与基座衬底的方法
CN103035490A (zh) * 2012-12-11 2013-04-10 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示器件的制备方法
US20150083312A1 (en) * 2013-09-25 2015-03-26 Au Optronics Corporation Method of bonding and debonding substrate
CN103545463A (zh) * 2013-09-27 2014-01-29 Tcl集团股份有限公司 一种柔性显示器件及其制作方法
CN104934371A (zh) * 2015-03-09 2015-09-23 友达光电股份有限公司 可挠式显示面板及其制作方法
WO2017121152A1 (zh) * 2016-01-15 2017-07-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其柔性基板的贴附方法、剥离方法
US20180042116A1 (en) * 2016-08-04 2018-02-08 Taimide Technology Incorporation Flexible substrate assembly and its application for fabricating flexible printed circuits
CN108231675A (zh) * 2016-12-22 2018-06-29 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 可挠式显示面板的制造方法
CN207503952U (zh) * 2017-09-11 2018-06-15 宇威材料科技股份有限公司 应用于软性电子元件的复合基板结构、可挠性基材

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
于军胜等: "柔性有机电致发光器件的制备", 《半导体光电》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN111048461B (zh) 2022-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3696646B1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US8830202B2 (en) Touch-sensing display apparatus and fabricating method thereof
US9874962B2 (en) Touch display apparatus and method for fabricating the same
JP5847061B2 (ja) アレイ基板及びその製造方法
US10678389B2 (en) Touch sensor and touch display device having a plurality of touch sensor layers
US20180356925A1 (en) Touch substrate, method for fabricating the same, touch panel
US10153455B2 (en) Display device and method of manufacturing a display device
US10290822B2 (en) Thin film transistor including recessed gate insulation layer and its manufacturing method, array substrate, and display device
US9662928B2 (en) Method for fabricating curved decoration plate and curved display device
JP2009087118A (ja) タッチパネル、タッチパネル付き表示装置及びその製造方法
US9798426B2 (en) Touch panel and method of manufacturing thereof
US9165954B2 (en) Array substrate and method for manufacturing the same, and display device
CN111048461B (zh) 电子装置的离型前结构及电子装置的制造方法
US9397296B2 (en) Method of manufacturing organic light emitting display apparatus
US20210335934A1 (en) Organic light-emitting diode array substrate and method of manufacturing the same
US9842883B2 (en) Flexible array substrate structure and manufacturing method for the same
US20220310572A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
US9484552B2 (en) Manufacturing method of flexible device substrate
US20240206236A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR102646659B1 (ko) 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법
US20240118727A1 (en) Display device
US7803671B2 (en) Method of manufacturing a display substrate
KR20180014330A (ko) 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR20160076286A (ko) 커버글래스 일체형 터치패널
CN118714765A (zh) 窗构件、包括窗构件的显示装置和制造显示装置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant