CN101924067A - 挠性膜自载板上脱离的方法及可挠式电子装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供挠性膜自载板上脱离的方法及可挠式电子装置的制造方法。该挠性膜自载板上脱离的方法包含：提供载板，其中该载板具有上表面；对该载板的上表面进行表面处理，以形成具有防粘特性的上表面；形成挠性膜于该载板具有防粘特性的上表面；以及，对形成于该载板上的该挠性膜进行切割脱离。

Description

挠性膜自载板上脱离的方法及可挠式电子装置的制造方法

【技术领域】

本发明关于一种膜自载板上脱离的方法，特别是关于一种包含挠性膜(flexible film)自载板上脱离的方法。

【背景技术】

平面显示器在朝大面积化发展的同时，具有更轻、更薄及可挠曲的特性将成为未来显示器主要追求的目标。因此，以塑料基板制作平面显示面板将成为未来显示器之发展趋势。

目前可挠式平面显示器的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，是使用现有玻璃基板制备设备来制作。

先将塑料基板粘附在玻璃基板上(或直接在玻璃基板上涂布塑料基板)，再于塑料基板上进行薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)等元件的制造步骤。此种方式虽能达到片对片(Sheet to Sheet)的制作流程，也达到一般的制备要求，但在完成薄膜晶体管等元件制作之后，必须面临的问题是如何顺利地将此具有薄膜晶体管阵列的塑料基板自玻璃基板取下。

塑料基板会与玻璃载板之间紧密粘附主要是因为用来作为塑料基板的高分子材料(如：聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)等等)其化学结构上存在许多电负性强的氧原子(O)、氮原子(N)、甚至氟原子(F)，而玻璃的表面结构中含有部分的硅羟基(-Si-OH)结构，电负性强的原子极易与-OH上的氢原子产生氢键而紧密结合，如图1所示。

美国专利US7279401提到将塑料基板的其中一边先以刀具切割出一道裂口，再以脱离液从此裂口渗入，慢慢撕离塑料基板。

台湾专利200712607揭露形成离型层于该塑料基板与玻璃基板之间，于制程完毕后剥离塑料基板。

【发明内容】

本发明之一实施方式提出一种挠性膜自载板上脱离的方法，其包括：提供载板，其中该载板具有上表面；对该载板的上表面进行表面处理，以形成具有防粘特性(releasing characteristic)的上表面；在该载板具有防粘特性的上表面上形成挠性膜；以及，对形成于该载板上的该挠性膜进行切割脱离。

本发明另一实施方式提出一种挠性膜自载板上脱离的方法，其包括：提供载板，其中该载板具有上表面；对该载板的上表面进行表面处理，以形成具有防粘特性的上表面；在该载板具有防粘特性的上表面上贴附预先形成的挠性膜；以及，对形成于该载板上的该挠性膜进行切割脱离。

本发明又一实施方式亦提供一种可挠式电子装置的制造方法，其包括：提供载板，其中该载板具有上表面；对该载板的部份上表面进行表面处理，以形成具有防粘特性的区域，而未进行表面处理的部份定义为具有附着性的区域；形成挠性膜于该上表面，其中该挠性膜覆盖该具有防粘特性的区域及该具有附着性的区域；形成电子元件于该挠性膜的上表面上；以及，对形成于该具有防粘特性的区域内的该挠性膜进行切割，得到可挠式电子装置。

以下藉由数个实施方式并配合所附图式，进一步说明本发明，但并非用来限制本发明的范围，本发明范围应以所附权利要求为准。

【附图说明】

图1为示意图，显示塑料基板的强电负性原子与玻璃载板的羟基易产生氢键，而使得塑料基板与玻璃载板紧密结合。

图2a-2e为一系列剖面图，显示本发明一实施方式所述的挠性膜自载板上脱离的方法。

图3显示本发明一实施方式所述的经表面处理的载板，该载板经表面处理后其上的羟基并转换成其他非羟基的官能团。

图4a-4e为一系列剖面图，显示本发明一实施方式所述的高分子基材的制造流程。

图5为图4c所示结构的俯视图。

图6显示本发明另一实施方式所述经表面处理的载板，其包含经图形化的具有防粘特性的区域。

图7为剖面图，显示切割所得的高分子基材的尺寸可小于该具有防粘特性的区域的尺寸。

图8a-8d为一系列剖面图，显示本发明一实施方式所述以旋转涂布方式将化学试剂与载板反应，形成具有防粘特性的区域的制造流程。

图9a-9d为一系列剖面图，显示本发明一实施方式所述以压印方式将化学试剂与载板反应，形成具有防粘特性的区域的制造流程。

图10a-10d为一系列剖面图，显示本发明一实施方式所述以辊涂方式将化学试剂与载板反应，形成具有防粘特性的区域的制造流程。

图11a-11b为一系列剖面图，显示本发明一实施方式所述以辊式凸版印制技术将化学试剂与载板反应，形成图案化具有防粘特性的区域的制造流程。

图12a-12b为一系列剖面图，显示本发明一实施方式所述可挠式电子装置的制造方法。

图13为剖面图，显示功能膜可配置于该挠性膜及该载板之间。

图14为剖面图，显示功能膜形成于该挠性膜的下表面，再贴附至该载板。

【主要元件符号说明】

10～载板；

11～上表面；

12～具有防粘特性的区域；

13～化学试剂；

14～具有附着性的区域；

15～具有防粘特性的上表面；

16～挠性膜；

17～切割线；

19～挠性膜上表面；

20～可挠曲基材；

21～挠性膜下表面；

22～光阻层；

24～模板；

26～辊；

27～涂布方向；

28～电子元件；

30～可挠式电子装置；以及

32～功能膜。

【实施方式】

以下，请配合图式，详细说明本发明之实施方式所述的挠性膜自载板上脱离的方法：

首先，请参照图2a，提供载板10，其中该载板10具有上表面11。该载板10为一般具有一定刚性材质的硬基板，其可例如为金属基板、塑料基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圆，在此实施方式中，可为玻璃基板。

接着，请参照图2b及2c，对该载板10的上表面11进行表面处理，以形成具有防粘特性的上表面15。在此，该表面处理可包含提供化学试剂13形成于该载板10的上表面11上并与该载板10进行反应(请参照图2b)，得到具有防粘特性的上表面15是载板10(请参照图2c)。此外，根据本发明其他实施方式，对该载板10的上表面11进行表面处理可为等离子体处理、离子束轰击、电子轰击、蚀刻处理、摩擦处理、或上述组合。值得注意的是，该载板10的上表面11经该表面处理后，该上表面11上能与后续所形成挠性膜产生键结的官能团被消耗、覆盖或置换，导致所得的具有防粘特性的上表面15与后续所形成挠性膜之间的附着性大幅降低。在此，该载板上表面的官能团与挠性膜可产生的键结包含离子键、共价键、或氢键，其中该能与挠性膜产生键结的官能团包含羟基、羧基、胺基、或酯基。

本发明之实施方式所使用的化学试剂13具有与载板10的上表面11的官能团进行加成反应、消去反应或取代反应的结构，举例来说，该化学试剂13可具有以下结构：

其中，w为C、Si、或Ge；X为S、或Se；Y为C或S；

R₁、R₂、及R₃各自独立，且为氢、烃基、烷基、-OR或其结合，其中R为碳数介于1～18的烷基；

R₄为F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、酰胺基、卤代烷基或其组合；

R₅为Li；以及

R₆、R₇、及R₈各自独立且为F、Cl、Br、I、烃基、烷基、羧基、胺基、酰胺基、卤代烷基、或其组合。

在本发明之实施方式中，R₁、R₂、R₃、R₆、R₇及R₈定义中的“烃基”可包括碳原子数为1～6的“烃基”；“烷基”可包括碳原子数为1～6的直链或支链烷基，例如甲基、乙基、2-甲基乙基等；R₄、R₆定义中的“卤代烷基”可包括碳原子数为1～5的卤代烷基。

举例来说，该化学试剂13可包含：二甲基氯硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基氯甲烷、1-氯甲基-1-三甲基硅烷、2-溴丙烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氟硅烷、三甲基溴硅烷、三甲基碘硅烷、三甲基氰硅烷、亚硫酰氯、三乙基氯硅烷、二异丙基氨基锂、三氯化磷、硫酰氯、叔丁基氯二甲基硅烷、或其混合。该化学试剂13的使用形态并无限制，可为液态、气态或固态试剂，较佳系为液态试剂，且其沸点可小于200℃，优选小于100℃，更优选在常温时就可以干燥的液体。请参照图3，该化学试剂(在此以亚硫酰氯(thionyl chloride)为例)可与所接触的载板10(例如：玻璃)上的羟基(-OH)进行反应，并将其转换成其他非羟基的官能团(不会与挠性膜产生氢键)。在本发明之一实施方式中，进行反应的温度可为室温，反应的时间可为1分钟。

接着，请参照图2d，在该载板10的具有防粘特性的上表面15上形成挠性膜16。其中该挠性膜可例如为高分子膜，包含：聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、聚降冰片烯(polynorbornene，PNB)、聚醚酰亚胺(polyetherimide，PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)，而形成方法可为蒸镀、或是湿式涂布方式形成于该载板10上。在此实施方式中，由于该载板10的具有防粘特性的上表面15上能与该挠性膜16产生键结的官能团(例如羟基(-OH))已被该化学试剂13消耗并转换成其他不会与挠性膜产生键结的官能团，不会有在羟基上的氢原子来和该挠性膜16来产生氢键。因此，该挠性膜16与经表面处理的载板的附着度(adherence)，与未经表面处理的玻璃载板相比，会大幅下降。最后，请参照图2e，对该挠性膜16进行切割及分离。

在本发明另一实施方式中，利用等离子体作为表面处理的手段，主要利用等离子体来处理载板之表面，例如：以氩气为载气，反应气氛可为CF₂、CF₃或含硅类气体，在大气压的环境下形成等离子体，使其消耗或取代载板上表面的官能团，形成该具有防粘特性的上表面。

此外，本发明一实施方式所述挠性膜自载板上脱离的方法，亦可进一步用于高分子基材的制造上，请参照以下实施例。

首先，请参照第4a图，提供载板10，其中该载板10具有上表面11。接着，请参照图4b及4c，对该载板10的部份上表面11进行表面处理，以形成具有防粘特性的区域12，而未进行表面处理的部份则定义为具有附着性的区域14，并请参照图5，其为图4c的俯视图。该表面处理包含提供化学试剂13形成于该载板10的部份上表面11上并与该载板10进行反应，形成该具有防粘特性的区域12(请参照图4b)，得到包含具有防粘特性的区域12的载板10(请参照图4c)。所形成的具有防粘特性的区域12可以为图形化的形式(例如矩形、圆形或其他图形)；此外，该具有防粘特性的区域12亦可包含多个区块，如图6所示。

接着，请参照图4d，在该载板10的上表面11上形成挠性膜16，其中该挠性膜16同时覆盖该具有防粘特性的区域12及该具有附着性的区域14。值得注意的是，该挠性膜16与该载板在该具有防粘特性的区域内12的附着度小于该挠性膜与该载板在该具有附着性的区域内14的附着度，且该具有附着性的区域14提供该挠性膜16整体在载板10上的固着性，有利于该挠性膜16的后续制备过程。举例来说，当该挠性膜16与该载板10在该具有附着性的区域14内的附着度(adherence)维持在1B-5B时，该挠性膜16与该载板10在该具有防粘特性的区域12内的附着度(adherence)介于0B-1B之间；本发明另一实施方式中，当该挠性膜16与该载板10在该具有附着性的区域14内的附着度(adherence)维持在2B-5B时，该挠性膜16与该载板10在该具有防粘特性的区域12内的附着度(adherence)介于0B-2B之间。

最后，请参照图4e，延切割线17对形成于该具有防粘特性的区域12内的该挠性膜16进行切割，得到可挠曲基材20。该切割线17可落在该具有防粘特性的区域12(也就是经过化学试剂处理过的载板10)的边缘，如此该可挠曲基材20的尺寸则与该具有防粘特性的区域12的尺寸相同。此外，请参照图7，该切割线17亦可落在该具有防粘特性的区域12(也就是经过化学试剂处理过的载板10)的内侧，如此该可挠曲基材20的尺寸则小于该具有防粘特性的区域12的尺寸。

本发明一实施方式所述对该载板进行之表面处理，其所使用的化学试剂可利用浸泡技术、旋转涂布技术、压印技术、刮印技术、或辊涂技术形成于该载板10之上。

根据本发明之一实施方式，该化学试剂13系以旋转涂布形成于载板10上。首先，请参照图8a，利用微影技术，在该载板10上形成图形化光阻层22，并露出欲形成该具有防粘特性的区域的上表面11；接着，请参照图8b，利用旋转涂布方式形成该化学试剂13于该露出的上表面11；待化学试剂13与载板10反应后即可形成具有防粘特性的区域12，之后移除该光阻层22，请参照图8c及8d。

此外，根据本发明另一实施方式，该化学试剂13系以压印技术形于载板10上。首先，请参照图9a，在模板24上形成化学试剂13涂层，并将该模板24与该载板10进行对准(alignment)，使得该化学试剂13涂层对准欲形成该具有防粘特性的区域的上表面11；接着，请参照图9b，将该模板24压印(imprint)至该载板10；待化学试剂13与载板10反应形成具有防粘特性的区域12后，移除该模板24，请参照图9c及9d。

再者，根据本发明又一实施方式，该化学试剂13以刮印或辊涂技术形成于载板10上。首先，请参照图10a及10b，利用辊26(或刮刀)朝涂布方向27，将化学试剂13涂布于欲形成该具有防粘特性的区域的上表面11，即可得到具有防粘特性的区域12，请参照图10c及10d。

此外，亦可以辊式凸版印制技术将化学试剂13图案化涂布于该载板10的上表面11，用以形成图案化的具有防粘特性的区域12，请参照图11a及11b。

本发明之一实施方式亦提供一种可挠式电子装置的制造方法，根据本发明一实施方式所述，在完成图4d所述将挠性膜16形成于该载板10之上表面的制程后，请参照图12a，可以将电子元件28形成于该挠性膜16之上表面19，接着在对形成有电子元件28的挠性膜16进行切割，即可得到可挠式电子装置30，请参照图12b。其中该电子元件28的种类并无特别限制，可为已知的任何可形成于高分子基材上的电子元件，包含：薄膜晶体管阵列、记忆体单元、平面显示元件、太阳能电池、半导体电路、或其组合。

此外，根据本发明另一实施方式所述，在形成该挠性膜16于该载板10前，可先形成功能膜32(functional film)于该载板10之上，其中该功能膜32同时覆盖该具有防粘特性的区域12及该具有附着性的区域14，请参照图13。此外，该功能膜32并非为防粘膜，相反地，该功能膜32为该可挠式电子装置30的组成单元之一，因此在对挠性膜16进行切割并剥离载板后，并不会将其移除。该功能膜32可以为任何可搭配高分子基材功能需求的膜层，例如：应力缓和膜、抗刮膜、抗反射膜、阻气膜或其组合。

根据本发明又一实施方式所述，若是该挠性膜16是预先形成的，再以贴附方式形成于该载板10上时，该功能膜32亦可预先形成于该挠性膜16之下表面21，而当该挠性膜16形成于载板10上时，以该功能膜32覆盖该具有防粘特性的区域12及该具有附着性的区域14，如图14所示。

本发明一实施方式所述之高分子基材及可挠式电子装置的制造方法，可使切割后的挠性膜16完整地由载板10上剥离，该方法利用反应使载板表面易与挠性膜形成键结的官能团消耗掉(或是覆盖、取代，使失去活性)。本发明实施方式的优点在于载板表面处理之制备过程简单，且载板表面处理之方法便宜、易取得且耐热性佳，可不需担心在后续制备过程中会因受热产生形变或释放出气体的问题。此外，当可挠曲基材自载板上剥离后，该已进行表面处理的载板可以回收重复使用，无须再给予一次表面处理步骤。

虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许变动与润饰，因此本发明的保护范围以所附权利要求所界定者为准。

Claims (43)

1.一种挠性膜自载板上脱离的方法，包含：

提供载板，其中该载板具有上表面；

对该载板的上表面进行表面处理，以形成具有防粘特性的上表面；

在该载板具有防粘特性的上表面上形成挠性膜；以及

对形成于该载板上的该挠性膜进行切割脱离。

2.如权利要求1所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该载板包含金属基板、塑料基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圆。

3.如权利要求1所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该载板的上表面经该表面处理后，其上能与挠性膜产生键结的官能团被消耗、覆盖或置换。

4.如权利要求3所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该能与挠性膜产生键结的官能团包含羟基、羧基、胺基、或酯基。

5.如权利要求3所述的挠性膜自载板上脱离的方法，该载板上表面的官能团与挠性膜产生的键结包含离子键、共价键、或氢键。

6.如权利要求第1所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该表面处理包括：

提供化学试剂与该载板的上表面进行反应。

7.如权利要求6所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该化学试剂具有以下结构：

其中，w为C、Si、或Ge；X为S、或Se；Y为C或S；

R₁、R₂、及R₃各自独立地为氢、烃基、烷基、-OR或其结合，其中R为碳数介于1～18的烷基；

R₄为F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、酰胺基、卤代烷基或其组合；

R₅为Li；以及

R₆、R₇、及R₈各自独立地为F、Cl、Br、I、烃基、烷基、羧基、胺基、酰胺基、卤代烷基、或其组合。

8.如权利要求6所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该化学试剂包含：二甲基氯硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基氯甲烷、1-氯甲基-1-三甲基硅烷、2-溴丙烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氟硅烷、三甲基溴硅烷、三甲基碘硅烷、三甲基氰硅烷、亚硫酰氯、三乙基氯硅烷、二异丙基氨基锂、三氯化磷、硫酰氯、叔丁基氯二甲基硅烷、或其混合。

9.如权利要求6所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该化学试剂以浸泡技术、旋转涂布技术、压印技术、刮印技术、或辊涂技术形成于该载板的上表面。

10.如权利要求1所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该挠性膜包含：聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚降冰片烯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。

11.如权利要求1所述的挠性膜自载板上脱离的方法，在该载板的上表面上形成该挠性膜之前，还包含在该载板上形成功能膜，其中该功能膜包含：应力缓和膜、抗刮膜、抗反射膜、阻气膜或其组合。

12.如权利要求1所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该挠性膜是以湿式涂布或蒸镀方式形成于该载板的上表面上的。

13.如权利要求1所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该表面处理包含：等离子体处理、离子束轰击、电子轰击、蚀刻处理、摩擦处理或其组合。

14.一种挠性膜自载板上脱离的方法，包含：

提供载板，其中该载板具有上表面；

对该载板的上表面进行表面处理，以形成具有防粘特性的上表面；

在该载板具有防粘特性的上表面上贴附预先形成的挠性膜；以及

对形成于该载板上的该挠性膜进行切割脱离。

15.如权利要求14所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该载板包含金属基板、塑料基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圆。

16.如权利要求14所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该载板的上表面经该表面处理后，其上能与挠性膜产生键结的官能团被消耗、覆盖或置换。

17.如权利要求16所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该能与挠性膜产生键结的官能团包含羟基、羧基、胺基、或酯基。

18.如权利要求16所述的挠性膜自载板上脱离的方法，该载板上表面的官能团与挠性膜产生的键结包含离子键、共价键、或氢键。

19.如权利要求14所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该表面处理包括：

提供化学试剂与该载板的上表面进行反应。

20.如权利要求19所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该化学试剂具有以下结构：

其中，w为C、Si、或Ge；X为S、或Se；Y为C或S；

R₁、R₂、及R₃各自独立地为氢、烃基、烷基、-OR或其结合，其中R为碳数介于1～18的烷基；

R₄为F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、酰胺基、卤代烷基或其组合；

R₅为Li；以及

R₆、R₇、及R₈各自独立地为F、Cl、Br、I、烃基、烷基、羧基、胺基、酰胺基、卤代烷基、或其组合。

21.如权利要求19所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该化学试剂包含：二甲基氯硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基氯甲烷、1-氯甲基-1-三甲基硅烷、2-溴丙烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氟硅烷、三甲基溴硅烷、三甲基碘硅烷、三甲基氰硅烷、亚硫酰氯、三乙基氯硅烷、二异丙基氨基锂、三氯化磷、硫酰氯、叔丁基氯二甲基硅烷、或其混合。

22.如权利要求19所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该化学试剂是以浸泡技术、旋转涂布技术、压印技术、刮印技术、或辊涂技术形成于该载板的上表面上的。

23.如权利要求14所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该挠性膜包含：聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚降冰片烯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。

24.如权利要求14所述的挠性膜自载板上脱离的方法，在该载板的上表面上贴附该挠性膜之前，还包含在该载板上形成功能膜，其中该功能膜包含：应力缓和膜、抗刮膜、抗反射膜、阻气膜或其组合。

25.如权利要求14所述的挠性膜自载板上脱离的方法，其中该表面处理包含：等离子体处理、离子束轰击、电子轰击、蚀刻处理、摩擦处理或其组合。

26.一种可挠式电子装置的制造方法，包含：

提供载板，其中该载板具有上表面；

对该载板的部份上表面进行表面处理，以形成具有防粘特性的区域，而未进行表面处理的部份定义为具有附着性的区域；

形成挠性膜于该上表面，其中该挠性膜覆盖该具有防粘特性的区域及该具有附着性的区域；

形成电子元件于该挠性膜的上表面；以及

对形成于该具有防粘特性的区域内的该挠性膜进行切割，得到可挠式电子装置。

27.如权利要求26所述的可挠式电子装置的制造方法，其中该载板包含金属基板、塑料基板、陶瓷基板、玻璃或硅晶圆。

28.如权利要求26所述的可挠式电子装置的制造方法，其中该载板的上表面经该表面处理后，其上能与挠性膜产生键结的官能团被消耗、覆盖或置换。

29.如权利要求28所述的可挠式电子装置的制造方法，其中该能与挠性膜产生键结的官能团包含羟基、羧基、胺基、或酯基。

30.如权利要求28所述的可挠式电子装置的制造方法，该载板上表面的官能团与挠性膜产生的键结包含离子键、共价键、或氢键。

31.如权利要求26所述的可挠式电子装置的制造方法，其中该表面处理包括：

提供化学试剂与该载板的上表面进行反应。

32.如权利要求31所述的可挠式电子装置的制造方法，其中该化学试剂具有以下结构：

其中，w为C、Si、或Ge；X为S、或Se；Y为C或S；

R₁、R₂、及R₃各自独立地为氢、烃基、烷基、-OR或其组合，其中R为碳数介于1～18之烷基；

R₄为F、Cl、Br、I、羧基、胺基、氨基、氰基、酰胺基、卤代烷基或其组合；

R₅为Li；以及

R₆、R₇、及R₈各自独立地为F、Cl、Br、I、烃基、烷基、羧基、胺基、酰胺基、卤代烷基、或其组合。

33.如权利要求31所述的可挠式电子装置的制造方法，其中该化学试剂包含：二甲基氯硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基氯甲烷、1-氯甲基-1-三甲基硅烷、2-溴丙烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氟硅烷、三甲基溴硅烷、三甲基碘硅烷、三甲基氰硅烷、亚硫酰氯、三乙基氯硅烷、二异丙基氨基锂、三氯化磷、硫酰氯、叔丁基氯二甲基硅烷、或其混合。

34.如权利要求31所述的可挠式电子装置的制造方法，其中该化学试剂是以浸泡技术、旋转涂布技术、压印技术、刮印技术、或辊涂技术形成于该载板的上表面上的。

35.如权利要求26所述的可挠式电子装置的制造方法，其中该挠性膜包含：聚酰亚胺、聚醚砜、聚降冰片烯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。

36.如权利要求26所述的可挠式电子装置的制造方法，在该载板的上表面上形成该挠性膜之前，还包含在该载板上形成功能膜，其中该功能膜包含：应力缓和膜、抗刮膜、抗反射膜、阻气膜或其组合。

37.如权利要求26所述的可挠式电子装置的制造方法，其中该挠性膜是以湿式涂布或蒸镀方式形成于该载板的上表面上的。

38.如权利要求26所述的可挠式电子装置的制造方法，其中该挠性膜是预先形成，并以贴附方式形成于该载板的上表面上的。

39.如权利要求26所述的可挠式电子装置的制造方法，其中该表面处理包含：等离子体处理、离子束轰击、电子轰击、蚀刻处理、摩擦处理或其组合。

40.如权利要求26所述的可挠式电子装置的制造方法，其中，该挠性膜与该载板在该具有防粘特性的区域内的附着度小于该挠性膜与该载板在该具有附着性的区域内的附着度。

41.如权利要求26所述的可挠式电子装置的制造方法，其中该可挠式电子装置的尺寸与该具有防粘特性的区域的尺寸相同。

42.如权利要求26所述的可挠式电子装置的制造方法，其中该可挠式电子装置的尺寸小于该具有防粘特性的区域的尺寸。

43.如权利要求26所述的可挠式电子装置的制造方法，其中该电子元件包含：薄膜晶体管阵列、记忆体单元、平面显示元件、太阳能电池、半导体电路、或其组合。

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