CN101814833B - 电压调节器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供电压调节器。其能抑制消耗电流且瞬态特性良好。在不增加差动放大器的消耗电流的情况下，检测变动的输出电压而暂时将相位补偿电阻(60)短接，由此来减小由输出晶体管(40)的寄生电容和相位补偿电阻(60)决定的时间常数，改善了瞬态响应特性。或者，通过将分压电路(50)短接来暂时增加消耗电流，对输出电压进行校正，由此，通常动作时的消耗电流比较小，仅在瞬态响应时电流增加，改善了瞬态响应。

Description

电压调节器
技术领域
本发明涉及以使输出电压恒定的方式工作的电压调节器。
背景技术
在现有的电压调节器的技术中，如图9所示，利用电压放大电路31将基准电压电路21的输出电压与分压电阻51对输出端子的电压进行分压得到的电压进行比较，由此来控制PMOS晶体管41。为了得到相对于电源变动稳定的输出电压，需要与电源变动水平无关地始终流有电流（例如参照专利文献1）。此外，通过相位补偿电路61来进行系统整体的相位补偿。相位补偿电路61具有相位补偿电容61a和相位补偿电阻61b（例如参照专利文献2）。通过相位补偿电路61，虽然能够容易地进行整体的相位补偿，但瞬态特性劣化。
【专利文献1】日本特开2001-282371号公报
【专利文献2】日本特开2005-215897号公报
通常，为了改善电压调节器的响应性能，需要增加电压放大电路31的消耗电流，因此，现有的电压调节器不能减小消耗电流。
此外，在电压调节器的相位补偿电路61中，为了使电压调节器稳定工作，有时将相位补偿电阻61b的电阻值设定得比较大。当电压调节器的输出电压发生变化时，电压放大电路31的输出电压也发生变化。在电压放大电路31的输出电压发生变化的瞬态下，如果相位补偿电阻61b的电阻值大，则PMOS晶体管41的栅极的充放电花费时间。
图10是示出现有电压调节器的相位补偿电路的输入电压和输出电压的图。当相位补偿电路61的输入电压V1如图10（A）所示地变化时，相位补偿电路61的输出电压V2如图10（B）所示地变化。相位补偿电阻61b的电阻值较小时的输出电压V2如图10（B）中虚线所示地变化，在相位补偿电阻61b的电阻值较大时则如实线所示地变化。即，存在这样的问题：相位补偿电路61导致瞬态响应特性变差，电压调节器的瞬态响应特性变差。
发明内容
本发明提供一种即使相位补偿电阻的电阻值大，瞬态响应特性仍然良好且通常动作时的消耗电流较少的电压调节器。
本发明提供一种电压调节器，其以使输出电压恒定的方式工作，其特征在于，该电压调节器具有：输出晶体管，其输出所述输出电压；分压电路，其对提供给外部负载的所述输出电压进行分压，输出分压电压；第一差动放大器，其对基准电压与所述分压电压进行比较而输出信号；相位补偿电阻，其连接在所述第一差动放大器的输出端子与所述输出晶体管的控制端子之间；第二差动放大器，其仅对所述输出电压中的交流分量进行放大；以及开关，其仅在所述输出电压变动了一定电压以上时，接受所述第二差动放大器的输出，至少将所述相位补偿电阻或所述分压电路短接。
在本发明中，在不增加差动放大器的消耗电流的情况下，检测变动的输出电压而暂时将相位补偿电阻短接，由此来减小由输出晶体管的寄生电容和相位补偿电阻决定的时间常数，改善了瞬态响应特性。或者，通过将分压电路短接来暂时增加消耗电流，对输出电压进行校正，由此，通常动作时的消耗电流比较小，仅在瞬态响应时电流增加，改善了瞬态响应。
由此，能够得到一种抑制耗费电流得到抑制且瞬态响应特性良好的电压调节器。
附图说明
图1是示出第一实施方式的电压调节器的电路例的图。
图2是示出下冲（undershot）/过冲(overshot)改善电路的图。
图3是示出第二实施方式的电压调节器的电路例的图。
图4是示出过冲改善电路的图。
图5是示出第三实施方式的电压调节器的电路例的图。
图6是示出瞬态特性改善电路的图。
图7是示出开关电路的图。
图8是示出开关电路的图。
图9是示出现有的电压调节器的图。
图10是示出现有的电压调节器的相位补偿电路的输入电压和输出电压的图。
标号说明
8～10：恒流电路；11：低通滤波器；20、21：基准电压电路；30、31：差动放大电路；40、41：输出晶体管；50、51：分压电路；60、61a：相位补偿电阻；61：相位补偿电路；61b：相位补偿电容；70、80：开关；90：过冲改善电路；100：下冲/过冲改善电路；110：瞬态特性改善电路。
具体实施方式
下面参照附图来说明本发明的实施方式。
[实施方式1]
图1是示出第一实施方式的电压调节器的图。图2示出下冲/过冲改善电路的图。下冲/过冲改善电路100是以通过检测输出电压的变动来减小变动的方式工作的电路。以下说明其结构和动作。
电压调节器具有基准电压电路20、差动放大器30、输出晶体管40、分压电路50、相位补偿电阻60、将相位补偿电阻60短接的开关70以及下冲/过冲改善电路100。下冲/过冲改善电路100具有PMOS晶体管（PMOS）1～4、NMOS晶体管（NMOS）5～6、恒流电路8～10以及低通滤波器（LPF）11。（SECONDY）是放大器30的输出端子、相位补偿电阻60的一端以及开关70的一端之间的节点，（SECOND）是输出晶体管40的栅极、相位补偿电阻60的另一端以及开关70的另一端之间的节点。
输出晶体管40的栅极经由相位补偿电阻60与差动放大器30的输出端子连接，源极与电源端子连接，漏极与输出端子和分压电路50连接。开关70与相位补偿电阻60并联连接。分压电路50被设置在输出端子与接地端子之间。差动放大器30的反相输入端子与分压电路50的分压端子连接，非反相输入端子与基准电压端子连接。下冲/过冲改善电路100与输出端子连接，当输出电压发生变动时，通过对其交流分量进行检测来控制开关70而使相位补偿电阻60短接。
在下冲/过冲改善电路100中，NMOS5～6的栅极分别与输出电压和经过LPF11的输出电压连接，检测输出电压的变动。NMOS5～6的源极相连，且与恒流电路8连接。NMOS5～6的漏极分别与构成为电流镜电路的PMOS1～2的漏极和PMOS3～4的栅极连接。PMOS3～4的漏极分别与恒流电路9～10以及开关70连接。
以下说明输出电压变动时的动作。
在发生了下冲时，向作为差动对的NMOS6的栅极和NMOS5的栅极输入输出电压和经由LPF11去除了高频分量后的输出电压。这里为“NMOS5的栅极电压＞NMOS6的栅极电压”，NMOS5的漏极电压被下拉。因此，PMOS4的栅极电压被下拉，开关70开始工作，因此相位补偿电阻60被短接。由此，由输出晶体管40的寄生电容和相位补偿电阻60决定的时间常数减小，瞬态特性得到改善。
在发生了过冲时，与上述情况同样，向差动对输入信号。成为“NMOS5的栅极电压＜NMOS6的栅极电压”，NMOS6的漏极电压被下拉。因此，PMOS3的栅极电压被下拉，开关70开始工作，因此相位补偿电阻60被短接。由此，由输出晶体管40的寄生电容和相位补偿电阻60决定的时间常数减小，瞬态特性得到改善。
在输出电压恒定的情况下，与上述情况同样，向差动对输入信号。由于不存在高频分量，因此成为“NMOS5的栅极电压=NMOS6的栅极电压”，PMOS3～4的栅极电压不发生变化，开关70不工作。
此外，在下冲/过冲改善电路中，如果去除了PMOS3和恒流电路9，则能够仅在发生下冲时改善瞬态特性。
此外，在下冲/过冲改善电路中，如果去除了PMOS4和恒流电路10，则能够仅在发生过冲时改善瞬态特性。
图7示出了开关70的一例。开关70具有NMOS71、PMOS72、NOT（逻辑“非”）电路73以及OR（逻辑“或”）电路74。
OR电路74的输入与下冲/过冲改善电路100的输出连接，输出与NMOS71的栅极和NOT电路的输入连接。NOT电路的输出与PMOS72的栅极连接，NMOS71和PMOS72的源极和漏极分别与SECONDY和SECOND连接。
在从下冲/过冲改善电路100输入了信号时，OR电路74工作，输出电源电压。因此，NMOS71导通。此外，NOT电路73的输出输出接地电压，PMOS72导通。由此，SECONDY和SECOND被短接。
[实施方式2]
图3示出了第二实施方式的电压调节器。图4示出了过冲改善电路。图8示出了开关。基准电压电路20、差动放大器30、输出晶体管40、分压电路50和相位补偿电阻60与第一实施方式相同。与第一实施方式的区别在于，没有设置开关70和下冲/过冲改善电路100，而是插入了开关80和过冲改善电路90。
过冲改善电路90具有PMOS1～3、NMOS5～6、恒流电路8～9以及LPF11。开关80具有NMOS70。
过冲改善电路90与输出端子连接，当输出电压发生变动时，通过检测其交流分量来对开关80进行控制，将分压电路50短接。
过冲改善电路90的PMOS1～2、NMOS5～6、恒流电路8以及LPF11与下冲/过冲改善电路100相同。与第一实施方式的区别在于，没有设置PMOS4和恒流电路10。此外，PMOS3的漏极与开关80连接。
NMOS7的栅极与过冲改善电路90的输出连接，源极与接地端子连接，漏极与输出端子连接。
以下说明负载变动时的动作。
在发生了下冲时，与第一实施方式同样地向差动对输入信号。成为“NMOS5的栅极电压＞NMOS6的栅极电压”，NMOS6的漏极电压被上拉。NMOS7不工作，在发生下冲时，未观察到瞬态特性得到改善。
在发生了过冲时，与第一实施方式同样，向差动对输入信号。成为“NMOS5的栅极电压＜NMOS6的栅极电压”，NMOS6的漏极电压被下拉。由此，PMOS3的栅极电压被下拉，NMOS7导通，输出电压被下拉，调节了输出电压。此时，虽然由于开关80即NMOS70的动作而使消耗电流增加，但这只是瞬态响应时进行的动作，因此，能够抑制通常动作时的消耗电流。
在输出电压恒定时，与第一实施方式同样地向差动对输入信号。由于不存在高频分量，因此成为“NMOS5的栅极电压=NMOS6的栅极电压”，PMOS3的栅极电压不发生变化，开关80不工作。
即使在未设置相位补偿电阻60的情况下，也能够利用与上述同样的动作来改善瞬态特性。
[实施方式3]
图5示出了第三实施方式的电压调节器，其是将第一实施方式与第二实施方式合成后得到的结构。图6示出了瞬态特性改善电路。基准电压电路20、差动放大器30、输出晶体管40、分压电路50、相位补偿电阻60和开关70与第一实施方式相同。与第一实施方式的区别在于，插入了瞬态特性改善电路110和开关80来代替下冲/过冲改善电路100。
瞬态特性改善电路110与输出端子连接，当输出电压发生变动时，通过检测其交流分量来对开关80进行控制而将分压电路50短接，或者对开关70进行控制而将相位补偿电阻60短接。
瞬态特性改善电路110是将下冲/过冲改善电路100与过冲改善电路90合成后得到的结构。
以下说明输出电压变动时的动作。
在发生了下冲时，与第一实施方式同样，通过将相位补偿电阻60短接来改善瞬态特性。
在发生了过冲时，与第一实施方式同样，通过将相位补偿电阻60短接来改善瞬态特性。同时，通过与第二实施方式同样地将分压电路50短接来调节输出电压。此时，虽然由于开关80接通而导致消耗电流增加，但这只是瞬态响应时进行的动作，因此，能够相对地抑制通常动作时的消耗电流。
在输出电压恒定时，与第一实施方式和第二实施方式同样，开关70不工作，开关80也不工作。

Claims (5)

1.一种电压调节器，其以使输出电压恒定的方式工作，其特征在于，该电压调节器具有：
输出晶体管，其输出所述输出电压；
分压电路，其对提供给外部负载的所述输出电压进行分压，输出分压电压；
第一差动放大器，其对基准电压与所述分压电压进行比较而输出信号；
相位补偿电阻，其连接在所述第一差动放大器的输出端子与所述输出晶体管的控制端子之间；
第二差动放大器，其仅对所述输出电压中的交流分量进行放大；以及
开关，其仅在所述输出电压变动了一定电压以上时，接受所述第二差动放大器的输出，至少将所述相位补偿电阻或所述分压电路短接。
2.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，
所述开关是与所述相位补偿电阻并联连接的第一开关和与所述分压电路并联连接的第二开关，
当所述输出电压发生过冲时，所述第二差动放大器对所述第一开关和所述第二开关进行控制，将所述相位补偿电阻和所述分压电路短接，当所述输出电压发生下冲时，所述第二差动放大器对所述第一开关进行控制，将所述相位补偿电阻短接。
3.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，
所述开关与所述相位补偿电阻并联连接，
当所述输出电压发生过冲或下冲时，所述第二差动放大器对所述开关进行控制，将所述相位补偿电阻短接。
4.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，
所述开关与所述分压电路并联连接，
当所述输出电压发生过冲时，所述第二差动放大器对所述开关进行控制，将所述分压电路短接。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电压调节器，其特征在于，
所述第二差动放大器的一个输入端子被输入所述输出电压，另一个输入端子被输入通过低通滤波器去除了高频分量后的所述输出电压，该第二差动放大器仅对所述输出电压中的交流分量进行放大。
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI444626B (zh) * 2009-03-18 2014-07-11 Leadtrend Tech Corp 參考電壓提供電路以及相關方法
KR101127760B1 (ko) * 2011-11-03 2012-03-27 부흥시스템(주) 배전선로 자동 개폐기의 계측전압을 보정하기 위한 시험장치, 그 시험장치를 이용한 시험방법
CN103383581B (zh) * 2012-05-04 2016-05-25 瑞昱半导体股份有限公司 一种具暂态响应增强机制的电压调节装置
JP6168864B2 (ja) * 2012-09-07 2017-07-26 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 ボルテージレギュレータ
JP5818761B2 (ja) 2012-09-14 2015-11-18 株式会社東芝 ボルテージレギュレータ
JP6008678B2 (ja) * 2012-09-28 2016-10-19 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 ボルテージレギュレータ
JP6234823B2 (ja) * 2013-03-06 2017-11-22 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 ボルテージレギュレータ
JP6083269B2 (ja) * 2013-03-18 2017-02-22 株式会社ソシオネクスト 電源回路及び半導体装置
KR101432494B1 (ko) * 2013-05-27 2014-08-21 주식회사엘디티 로우드랍아웃 전압레귤레이터
JP6216171B2 (ja) * 2013-07-11 2017-10-18 ローム株式会社 電源回路
CN104375555B (zh) * 2013-08-16 2016-09-07 瑞昱半导体股份有限公司 电压调节电路及其方法
US9191013B1 (en) 2013-10-24 2015-11-17 Seagate Technology Llc Voltage compensation
JP6244194B2 (ja) * 2013-12-13 2017-12-06 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 ボルテージレギュレータ
JP6211916B2 (ja) * 2013-12-24 2017-10-11 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 スイッチングレギュレータ
JP6454169B2 (ja) * 2015-02-04 2019-01-16 エイブリック株式会社 ボルテージレギュレータ
US9246441B1 (en) * 2015-06-12 2016-01-26 Nace Engineering, Inc. Methods and apparatus for relatively invariant input-output spectral relationship amplifiers
JP6421707B2 (ja) * 2015-06-25 2018-11-14 株式会社デンソー 電源回路
KR102395466B1 (ko) 2015-07-14 2022-05-09 삼성전자주식회사 리플 감소 속도를 제고한 레귤레이터 회로
US9886044B2 (en) * 2015-08-07 2018-02-06 Mediatek Inc. Dynamic current sink for stabilizing low dropout linear regulator (LDO)
TWI580984B (zh) * 2015-10-27 2017-05-01 力晶科技股份有限公司 電壓校正電路及電壓校正系統
CN105302218B (zh) * 2015-11-11 2017-03-15 珠海格力电器股份有限公司 一种低功耗电路中瞬时大电流输出电路
CN105846669A (zh) * 2016-03-17 2016-08-10 乐视致新电子科技（天津）有限公司 一种提高手持设备待机效率的装置及方法
KR102175439B1 (ko) * 2016-09-09 2020-11-06 리카고교가부시키가이샤 교류 전력 조정기
US9923500B1 (en) * 2016-09-13 2018-03-20 Infineon Technologies Ag Gate-driver circuit with improved common-mode transient immunity
EP3454164B1 (en) * 2017-09-12 2023-06-28 Nxp B.V. Voltage regulator circuit and method therefor
JP7065660B2 (ja) * 2018-03-22 2022-05-12 エイブリック株式会社 ボルテージレギュレータ
CN110323932A (zh) * 2018-03-30 2019-10-11 温州有达电气有限公司 一种基于缓冲电路的智能开关
CN109951069A (zh) * 2019-04-10 2019-06-28 苏州浪潮智能科技有限公司 一种降压电路的电压补偿方法和装置
CN112114611B (zh) * 2019-06-21 2022-04-12 圣邦微电子（北京）股份有限公司 一种提高电压模式控制环路瞬态响应速度的电路
JP2021039596A (ja) 2019-09-04 2021-03-11 株式会社東芝 電源回路
JP7489244B2 (ja) 2020-07-09 2024-05-23 ローム株式会社 リニア電源回路
CN113311896B (zh) * 2021-07-29 2021-12-17 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 自适应过冲电压抑制电路、基准电路、芯片及通信终端
CN117389370B (zh) * 2023-12-11 2024-03-01 辰芯半导体（深圳）有限公司 一种电压输出电路及芯片

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7294994B2 (en) * 2005-01-21 2007-11-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Power supply

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001282371A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Seiko Instruments Inc ボルテージレギュレータ
US6621675B2 (en) * 2001-02-02 2003-09-16 Broadcom Corporation High bandwidth, high PSRR, low dropout voltage regulator
JP3964148B2 (ja) * 2001-04-03 2007-08-22 株式会社リコー ボルテージレギュレータ
JP2004187355A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Fujitsu Ltd 電源制御方法、電流・電圧変換回路及び電子装置
JP2005202781A (ja) * 2004-01-16 2005-07-28 Artlogic Inc 電圧レギュレータ
JP4421909B2 (ja) * 2004-01-28 2010-02-24 セイコーインスツル株式会社 ボルテージレギュレータ
US7659703B1 (en) * 2005-10-14 2010-02-09 National Semiconductor Corporation Zero generator for voltage regulators
JP4702155B2 (ja) * 2006-04-14 2011-06-15 トヨタ自動車株式会社 電源装置および電源装置の制御方法
JP4966592B2 (ja) * 2006-06-09 2012-07-04 ローム株式会社 電源回路
JP2008026947A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Seiko Instruments Inc ボルテージレギュレータ
US7814345B2 (en) * 2007-02-28 2010-10-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Gate drive voltage selection for a voltage regulator
US7728569B1 (en) * 2007-04-10 2010-06-01 Altera Corporation Voltage regulator circuitry with adaptive compensation
US7453298B1 (en) * 2007-07-20 2008-11-18 Semiconductor Components Industries, L.L.C. PWM controller and method therefor
CN101105696B (zh) * 2007-08-08 2010-08-18 中国航天时代电子公司第七七一研究所 一种用于线性稳压器的电压缓冲电路
US7965067B2 (en) * 2008-10-31 2011-06-21 Texas Instruments Incorporated Dynamic compensation for a pre-regulated charge pump

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7294994B2 (en) * 2005-01-21 2007-11-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Power supply

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2005-202781A 2005.07.28
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