CN101814422B - 处理基板的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了处理基板的设备和方法。所述设备包括：在一个方向顺序设置的装载端口，移送模块，第一缓冲模块，涂覆/显影模块，第二缓冲模块，预曝光/后曝光处理模块，接口模块。所述涂覆/显影模块包括：设置在不同层的涂覆模块和显影模块。所述预曝光/后曝光处理模块包括：设置在不同层的预处理模块和后处理模块。在曝光工艺前，所述预处理模块在晶片上涂覆保护层。所述后处理模块在曝光工艺后执行晶片清洗工艺和后曝光烘焙工艺。用于传送晶片的机械手设置在每个预处理模块和后处理模块中。

Description

处理基板的设备和方法
相关申请的交叉参考
该美国非临时专利申请根据35U.S.C.§119要求申请日为2009年1月30日、申请号10-2009-0007629和申请日为2009年3月31日、申请号10-2009-0027375的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
背景技术
本发明涉及一种处理基板的设备和方法，尤其涉及一种用于执行晶片的光刻工艺(photolithography process)的设备和方法。
为制造半导体装置，要执行多种工艺，例如清洗工艺，沉积工艺，光刻工艺，蚀刻工艺，离子灌输工艺等等。用于形成图案的照相制版工艺(photographyprocess)在半导体装置的高度集成中起着重要的作用。
通常，用于执行光刻工艺的系统包括：用于在晶片上涂覆抗蚀剂的涂覆单元，用于为已经经过曝光工艺处理的晶片执行显影工艺的显影单元，和具有用于与曝光设备内连的连接端口的处理模块。近年来，除了上述工艺外，在曝光工艺之前和之后还要求执行许多其他的工艺。根据一个典型的设备，无效率地设置了用于执行各自的工艺的室和回程机械手，这样就不能提供对回程机械手的有效地调度。
发明内容
本发明提供了一种处理基板的设备和方法，该设备和方法能提高照相制版工艺的效率。
本发明还提供了一种处理基板的设备和方法，该设备和方法能防止可能由传送机械手处理数量的增加而导致的工艺拥塞。
本发明还提供了一种处理基板的设备，该设备具有能够有效地设置执行工艺的室结构布局。
本发明的目的不局限于以上所述，通过以下描述，本领域技术人员也可显然地理解本发明的其他目的。
本发明实施例提供处理基板的设备，包括：装载端口，在所述装载端口中设置有用于接收基板的容器；第一缓冲模块，具有用于临时存储所述基板的缓冲器；移送模块，用于在所述装载端口和所述第一缓冲模块之间传送所述基板；涂覆/显影模块，用于执行基板的光致抗蚀剂涂覆工艺和显影工艺；第二缓冲模块，具有用于临时存储所述基板的缓冲器；预曝光/后曝光处理模块，用于在所述光致抗蚀剂涂覆工艺和曝光工艺之间、所述曝光工艺和所述显影工艺之间执行对基板的处理；以及接口模块，与曝光单元连接。所述装载端口，所述移送模块，所述第一缓冲模块，所述涂覆/显影模块，所述第二缓冲模块，所述预曝光/后曝光处理模块，以及所述接口模块沿着第一方向排列成一条线。所述预曝光/后曝光处理模块可包括用于在所述基板上涂覆保护层的保护层涂覆室。所述预曝光/后曝光处理模块可进一步包括用于清洗所述基板的清洗室。
在一些实施例中，所述预曝光/后曝光处理模块可包括设置于不同层的预处理模块和后处理模块。所述保护层涂覆室可设置在所述预处理模块内，所述清洗室可设置在所述后处理模块内。另外，所述预处理模块可进一步包括用于执行基板的烘焙工艺的烘焙室，以及用于在所述烘焙室和保护层涂覆层之间传送基板的预处理机械手。所述后处理模块可进一步包括用于在曝光工艺后执行基板的烘焙工艺的后曝光烘焙室，以及用于在所述清洗室和后曝光烘焙室之间传送所述基板的后处理机械手。
其他实施例中，所述第二缓冲模块可进一步包括用于曝光所述基板边缘的边缘曝光室；以及用于将所述基板传送至所述边缘曝光室的第二缓冲机械手。所述第二缓冲模块可进一步包括用于冷却所述基板的冷却室。
其他实施例中，所述涂覆/显影模块可包括设置于不同层的涂覆模块和显影模块。所述涂覆模块可包括用于在所述基板上涂覆光致抗蚀剂的涂覆室，用于加热处理所述基板的烘焙室，以及用于在所述涂覆模块的烘焙室和所述涂覆室之间传送所述基板的涂覆机械手。所述显影模块可包括用于执行基板的显影工艺的显影室，用于加热处理所述基板的烘焙室，以及用于在所述显影模块的烘焙室和所述显影室之间传送所述基板的显影机械手。
在进一步的实施例中，所述涂覆模块可位于与预处理模块相同的高度处，所述显影模块可位于与后处理模块相同的高度处。所述第二缓冲模块可包括用于执行基板冷却工艺的冷却室。所述第二缓冲模块的缓冲器可位于与所述涂覆模块相应的高度处。所述冷却室可位于与所述显影模块相应的高度处。
在其他实施例中，所述接口模块可包括：第一缓冲器，设置在与所述预处理模块相应的高度处，并临时存储所述基板；第二缓冲器，设置在与所述后处理模块相应的高度处，并临时存储所述基板；接口机械手，用于在所述第一缓冲器和曝光单元之间以及在所述第二缓冲器和曝光单元之间传送基板。
在进一步的实施例中，所述保护层涂覆室，设置有所述预处理机械手的回程室以及所述预处理模块的烘焙室，当从上面看时，在与所述第一方向垂直的第二方向上顺序设置。所述清洗室，设置有后处理机械手的回程室以及后曝光烘焙室，当从上面看时，在所述第二方向上顺序设置。每个设置有预处理机械手的回程室以及设置有后处理机械手的回程室，在第一方向上与所述第二缓冲模块的缓冲器并排设置。每个设置有涂覆机械手的回程室以及设置有显影机械手的回程室，在所述第一方向上与所述第二缓冲模块的缓冲器并排设置。
在更进一步的实施例中，所述第二缓冲模块可进一步包括用于曝光所述基板边缘的边缘曝光室，以及用于将所述基板传送至所述边缘曝光室的第二缓冲机械手。所述第二缓冲模块的缓冲器，所述第二缓冲机械手以及所述边缘曝光室，当从上面看时，在与所述第一方向垂直的第二方向上并排顺序设置。
本发明的其他实施例中，处理基板的方法包括在基板上涂覆光致抗蚀剂；在涂覆有光致抗蚀剂的所述基板上涂覆保护层；在所述涂覆有保护层的基板上执行浸液式光刻(liquid immersion lithography)工艺；清洗所述利用浸液式光刻处理过的基板；执行所述基板的显影工艺。
在一些实施例中，所述方法可进一步包括在清洗所述基板之后、执行所述显影工艺之前，执行基板的后曝光工艺。
在其他实施例中，所述基板的清洗是通过提供清洗液执行的，残留在所述基板上的清洗液是通过不提供液体而加热基板移除的。
在进一步的实施例中，可利用清洗液清洗基板；以及在清洗所述基板之后，立即利用后曝光烘焙工艺移除残留在所述基板上的清洗液。
还有其他实施例中，所述保护层可在显影工艺中或之后移除。
更进一步的实施例中，一部分保护层是在所述显影工艺中移除，剩余的保护层是在灰化工艺中移除。
附图说明
所包含的附图用于进一步阐述本发明，且合并于本说明书并组成本说明书的一部分。附图图解了本发明的示例性实施例，与说明书一起用于解释本发明的原理。附图中：
图1至图4是根据本发明实施例的基板处理设备的示意图；
图5a和图5b是表示在图1所示的基板处理设备中执行的顺序工艺的流程图；
图6a至图6g是显示用于在晶片上形成图案的顺序工艺的示意图。
具体实施方式
下文将会参照附图更加详细地对本发明进行说明。然而，本发明也可以有不同形式的实施方式，而不局限于此处所列举的实施例。应该是，提供这些实施例以便使本公开彻底和完全，并将本发明的范围完全传送给本领域的技术人员。
本发明实施例的设备用于执行如半导体晶片或者平板显示板的基板的光刻工艺。特别的，本发明实施例的设备是用于在涂覆工艺，显影工艺和浸液式光刻工艺之前和之后，执行需要的预曝光/后曝光处理工艺。在以下的描述中，将以晶片用作基板为例描述实施例。
图1至图4是根据本发明的示范性实施例的基板处理设备1的示意图。也即，图1是基板处理设备1的俯视图。图2是图1沿A-A线的视图，图3是图1沿B-B线的视图，图4是图1沿C-C线的视图。基板处理设备1包括装载端口100，移送模块200，第一缓冲模块300，涂覆/显影模块400，第二缓冲模块500，预曝光/后曝光处理模块600以及接口模块700。所述装载端口100，移送模块200，第一缓冲模块300，涂覆/显影模块400，第二缓冲模块500，预曝光/后曝光处理模块600以及接口模块700沿着一个方向(在此，称作“第一方向12”)顺序排列成一条线。此外，从上看时，与所述第一方向垂直的方向称为“第二方向14”，与所述第一方向12和第二方向14垂直的方向称为“第三方向16”。
传送晶片W，以使容器20接收到所述晶片W。这样，所述容器20与外界密封。例如，具有前部出入口的前部开口统一容器(FOUP)可用作所述容器20。以下参考图1至图4描述结构上的元件。
(装载端口)
所述装载端口100包括多个装载台120，在所述装载台上设置有用于接收晶片W的容器20。所述装载台120沿着第二方向14排列成线。在图1中，提供了四个装载台120。
(移送模块)
移送模块200在所述装载端口100的装载台120上的容器20和第一缓冲模块300之间传送所述基板。所述移送模块200包括：框架210，移送机械手220以及引导轨道230。所述框架210通常形成为空的平行六面体(rectangularparallelepiped)形状。所述框架210设置在所述装载端口100和所述第一缓冲模块300之间。所述移送模块200的框架210的高度可比所述第一缓冲模块300的框架310低，这将在下文描述。所述移送机械手220和引导轨道230设置在所述框架210中。所述移送机械手220具有四轴驱动结构，这样，直接处理晶片W的手柄221能够在第一方向12、第二方向14和第三方向16上旋转和移动。除手柄221之外，所述移送机械手220还包括臂222，支撑部223，以及基座224。所述手柄221固定地安装到所述臂222上。所述臂222设置成可伸展的，可收缩的，及可旋转的。设置所述支撑部223使得它的长度方向在所述第三方向16上延伸。所述臂222与支撑部223连接以能够沿着所述支撑部223移动。所述支撑部223固定地连接到所述基座224。设置所述引导轨道230使得它的长度方向在所述第二方向14上延伸。所述基座224连接到所述引导轨道230以能够沿着所述引导轨道230线性移动。尽管没有图示，所述框架210设置有用于打开和关闭所述容器20的出入口的出入口开关。
(第一缓冲模块)
所述第一缓冲模块300包括框架310，第一缓冲器320，第二缓冲器330，冷却室350和第一缓冲机械手360。所述框架310通常形成为空的平行六面体形状。所述框架310设置在所述移送模块200和所述涂覆/显影模块400之间。所述第一缓冲器320，第二缓冲器330，冷却室350，第一缓冲机械手360设置在所述框架310中。所述冷却室350，第二缓冲器330和第一缓冲器320，沿着第三方向16向上方向顺序排列。所述第一缓冲器320位于与所述涂覆/显影模块400的涂覆模块401相对应的高度处，这将在下文描述。所述冷却室350和第二缓冲器330位于与所述涂覆/显影模块400的显影模块402相对应的高度处，这将在下文描述。在第二方向14上，所述第一缓冲机械手360，与所述第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲器320以预定的距离在空间上分开。
每个第一缓冲器320和第二缓冲器330临时存储多个晶片W。所述第二缓冲器330包括：壳331和多个支撑部332。所述第二支撑部332设置在所述壳331中，并且所述第二支撑部332互相之间在第三方向16上空间分开。在每个支撑部332上设置一个晶片W。所述壳331设置有与所述移送机械手220、第一缓冲机械手360和显影机械手482(这将在下文描述)相对应的开口(未图示)，使得所述移送机械手220、第一缓冲机械手360和显影模块402的显影机械手482可将所述晶片W运送或移送到所述支撑部332或从所述支撑部332运送走或移开。所述第一缓冲器320与所述第二缓冲器330具有相似的结构。可是，所述第一缓冲器320的壳321设置有与所述第一缓冲机械手360以及所述第一模块401上的涂覆机械手432相对应的开口，这将在下文描述。所述第一缓冲器320的支撑部322的个数可与所述第二缓冲器330的支撑部332的个数相同或者不同。例如，所述第二缓冲器330的支撑部332的个数可多于第一缓冲器320的支撑部322的个数。
所述第一缓冲机械手360在所述第一缓冲器320和第二缓冲器330之间传送所述晶片W。所述第一缓冲机械手360包括手柄361，臂362以及支撑部363。所述手柄361固定地安装到所述臂362上。所述臂362配置成能够伸展或收缩，使得所述手柄361能在第二方向14上移动。所述臂362与所示支撑部363连接，以能够在第三方向16上沿着所示支撑部363线性移动。所述支撑部363的长度从与所述第二缓冲器330相对应的位置延伸到与所述第一缓冲320相对应的位置。所述支撑部363可进一步在与所述第二缓冲器330相对应的位置或者与所述第一缓冲器320相对应的位置上方延伸。所述缓冲机械手360可设置成具有两轴驱动结构，使得所述手柄361可只在第二方向14和第三方向16上移动。
所述冷却室350冷却所述晶片W。所述冷却室350具有壳351和冷却盘352。所述冷却盘352具有放置所述晶片W的顶部表面和用于冷却所述晶片W的冷却元件353。所述冷却元件353可以由多种元件形成，例如冷却水，热电模块和其他类似物。另外，所述冷却室350可以设置有将所述晶片W定位在所述冷却盘352上的提升杆组件(未图示)。所述壳351设置有与所述移送机械手220和所述显影机械手482相对应的开口(未图示)，使得所述移送机械手220和所述显影模块402的显影机械手482可将所述晶片W运送或移送到所述冷却盘352上或从所述冷却盘352运送走或移开。此外，所述冷却室350可以设置有用于打开和关闭所述开口(未图示)的出入口。
(涂覆/显影模块)
所述涂覆/显影模块400在所述曝光工艺之前执行将光致抗蚀剂涂覆在所述晶片W上的涂覆工艺，并在所述曝光工艺之后执行对所述晶片W显影的显影工艺。所述涂覆/显影模块400通常形成长方体的形状。所述涂覆/显影模块400包括涂覆模块401和显影模块402。所述涂覆模块401和显影模块402设置在不同的层。例如，所述涂覆模块401位于所述显影模块402的上方。
在光致抗蚀剂涂覆工艺之前和之后，所述涂覆模块401执行在所述晶片W上涂覆光致抗蚀剂的工艺、及加热和冷却所述晶片W的工艺。所述涂覆模块401包括抗蚀剂涂覆室410，烘焙室420和回程室430。所述抗蚀剂涂覆室410，烘焙室420和回程室430在第二方向14上顺序地设置。因此，所述抗蚀剂涂覆室410和烘焙室420在第二方向14上彼此间隔开，回程室430穿插其间。多个抗蚀剂涂覆室410分别设置在第一方向12和第三方向16上。在附图中，示例性的设置有6个抗蚀剂涂覆室410。多个烘焙室420分别设置在第一方向12和第三方向16上。在附图中，示例性的设置有6个烘焙室420。然而，可以设置6个或者更多的烘焙室420。
所述回程室430在第一方向12上与第一缓冲模块300的第一缓冲器320并排设置。所述涂覆机械手432和引导轨道433设置在所述回程室430内。所述回程室430通常形成为矩形形状。所述显影机械手432在烘焙室420，抗蚀剂涂覆室410，第一缓冲模块300的第一缓冲器320和后面将会提到的第二缓冲模块500的第一冷却室520之间传送所述晶片W。所述引导轨道433的长度方向沿第一方向12延伸。所述引导轨道433引导所述显影机械手432在第一方向12上线性运动。所述显影机械手432具有手柄434，臂435，支撑部436和基座437。所述手柄434固定地安装到所述臂435上。所述臂435配置成能够伸展和收缩以便于所述手柄434能够沿水平方向移动。设置所述支撑部436使得它的长度方向在第三方向16上延伸。所述臂435连接到所述支撑部436，以能够在第三方向16上沿着所述支撑部436线性移动。所述支撑部436固定地连接到所述基座437，所述基座437连接到所述引导轨道433，以能够沿着所述引导轨道433移动。
所有的抗蚀剂涂覆室410具有相同的结构。然而，在各个抗蚀剂涂覆室410里使用的光致抗蚀剂的种类可能互不相同。例如，用化学方法增强的抗蚀剂(chemically amplified resist)可以用作光致抗蚀剂。所述抗蚀剂涂覆室410在所述晶片W上涂覆光致抗蚀剂。所述抗蚀剂涂覆室410包括壳411，支撑盘412和喷嘴413。所述壳411形成具为具有顶部开口的杯状形状。所述支撑盘412位于所述壳411内以支撑所述晶片W。所述支撑盘412配置成能够旋转。所述喷嘴413向所述支撑盘412上的晶片W提供光致抗蚀剂。所述喷嘴413形成为环形管状以向所述晶片W的中心提供光致抗蚀剂。所述喷嘴413可以具有相应于所述晶片W直径的长度和裂缝状(slit-type)的出口。另外，所述抗蚀剂涂覆室410可以进一步包括喷嘴414，用于提供清洗液如去离子水，以清洗涂覆有光致抗蚀剂的晶片W的表面。
所述烘焙室420热处理所述晶片W。例如，在所述晶片W上涂覆光致抗蚀剂之前，所述烘焙室420通过在预定温度下加热所述晶片W，以执行移除晶片W表面的有机物或水汽的预烘焙工艺，并在晶片W上涂覆光致抗蚀剂后执行软烘焙工艺。所述烘焙室420进一步在各个加热工艺之后执行冷却工艺。所述烘焙室420包括冷却盘421或者加热盘422。所述冷却盘421设置有冷却元件423，例如冷却水或者热电模块。所述加热盘422设置有加热元件424，例如加热线或热电模块。所述加热盘422和冷却盘421可设置在各自的烘焙室420内。可选择的，一些烘焙室420可以只设置有冷却盘421，其他的可以只设置有加热盘422。
所述显影模块402通过提供显影溶液、以及在所述显影工艺之前和之后执行的热处理工艺例如加热和冷却工艺来执行显影工艺，以部分地移除晶片W上的光致抗蚀剂以形成图案。所述显影模块402包括显影室460，烘焙室470和回程室480。所述显影室460，烘焙室470和回程室480在第二方向14上顺序设置。因此，所述显影室460和烘焙室470在第二方向14上彼此空间上隔开，回程室480穿插其间。多个显影室460分别设置在第一方向12和第三方向16上。在附图中，示例性的设置有6个显影室460。多个数烘焙室470分别设置在第一方向12和第三方向16上。在附图中，示例性的设置有6个烘焙室470。然而，可以设置6个或者更多的烘焙室470。
所述回程室480与第一缓冲模块300的第二缓冲器330在第一方向12上并排设置。所述显影机械手482和引导轨道483设置在所述回程室480内。所述回程室480通常形成为矩形形状。所述显影机械手482在所述烘焙室470，所述显影室460，所述第一缓冲模块300的第二缓冲器330和所述第二缓冲模块500的第二冷却室540之间传送所述晶片W。所述引导轨道483的长度方向沿第一方向12延伸。所述引导轨道483引导所述显影机械手482沿第一方向12的线性运动。所述显影机械手482包括手柄484，臂485，支撑部486和基座487。所述手柄484固定安装到所述臂485上，所述臂485配置为能够伸展和收缩，使得所述手柄484能在水平方向上移动。设置所述支撑部486，使得它的长度方向沿着第三方向16延伸。所述臂485连接到所述支撑部486，以能够在第三方向16上沿着所述支撑部486线性移动。所述支撑部486固定地连接到所述基座487，所述基座487连接到所述引导轨道483，以能够沿着所述引导轨道483移动。
所有的抗蚀剂涂覆室410具有相同的结构。然而，在各个抗蚀剂涂覆室410里使用的光致抗蚀剂的种类可能互不相同。所述显影室460移除晶片W上光致抗蚀剂的曝光区域。在这点上，保护层上的曝光区域也一并被移除。可选择的，也可能移除光致抗蚀剂和保护层的未曝光区域。
所述显影室460包括壳461，支撑盘462，和喷嘴463。所述壳461形成为具有顶部开口的杯状形状。所述支撑盘462位于所述壳461内以支撑所述晶片W。所述支撑盘462配置成能够旋转。所述喷嘴463向所述支撑盘462上的晶片W提供显影溶液。所述喷嘴463形成环形管状以向所述晶片W的中心提供显影溶液。所述喷嘴463可以具有相应于所述晶片W直径的长度和裂缝状(slit-type)的出口。另外，所述显影室460可以进一步包括喷嘴464，用于提供清洗液如去离子水以清洗供应有显影溶液的晶片W的表面。
所述烘焙室470热处理晶片W。例如，所述烘焙室470在显影工艺之前执行后烘焙工艺来加热晶片W，并在显影工艺之后执行硬烘焙工艺来加热所述晶片。所述烘焙室470进一步在各个加热工艺之后执行冷却工艺。所述烘焙室470包括冷却盘471或者加热盘472。所述冷却盘471设置有冷却元件473，例如冷却水或者热电模块。所述加热盘472设置有加热元件474，例如加热线或热电模块。所述加热盘472和冷却盘471可设置在各自的烘焙室470内。可选择的，一些烘焙室470可以只设置有加热盘472，其他的可以只设置有冷却盘471。
如上所述，所述显影模块402和涂覆模块401互相间隔开。另外，当从上面看时，所述涂覆模块401和显影模块402可以具有相同的腔室设置。
(第二缓冲模块)
所述第二缓冲模块500设置为用于在所述涂覆/显影模块400和预曝光/后曝光处理模块600之间传送晶片W的通道。另外，所述第二缓冲模块500执行例如晶片W的冷却工艺和边缘曝光工艺这样的工艺。所述第二缓冲模块500包括框架510，缓冲器520，第一冷却室530，第二冷却室540，边缘曝光室550和第二缓冲机械手560。所述框架510形成为矩形的形状。所述缓冲器520，第一冷却室530，第二冷却室540，边缘曝光室550和第二缓冲机械手560设置在所述框架510内。所述缓冲器520，第一冷却室530和边缘曝光室550设置在与所述涂覆模块401相应的高度处。所述第二冷却室540设置在与所述显影模块402相应的高度处。所述缓冲器520，第一冷却室530和第二冷却室540沿着第三方向顺序排列成一条线。当从上面看时，所述缓冲器520和沉积模块401的回程室430沿第一方向12设置。所述边缘曝光室550以预定距离在第二方向14上与缓冲器520和第一冷却室530之间的一个在空间上隔开。
所述第二缓冲机械手560在缓冲器520，第一冷却室530，和边缘曝光室550之间传送所述晶片W。所述第二缓冲机械手560位于所述边缘曝光室550和所述缓冲器520之间。所述第二缓冲机械手560可以具有与所述第一缓冲机械手360相似的结构。所述第一冷却室530和所述边缘曝光室550为在涂覆模块401中处理过的晶片W执行工艺。也就是说，所述第一冷却室530冷却在涂覆模块401内处理过的晶片W。所述第一冷却室530具有和所述第一缓冲模块300的冷却室350相似的结构。在所述第一冷却室530内处理的晶片W的边缘在所述边缘曝光室550内曝光。所述缓冲器520临时存储在晶片W，该晶片在传送到所述预处理模块601之前在所述边缘曝光室550内被处理过。在将晶片W传送到显影模块402之前，所述第二冷却室540冷却所述晶片W，该晶片在下文提到的后处理模块602内被处理过。所述第二缓冲模块500可以进一步包括另一个位于与显影模块402相对应高度处的缓冲器。这样，在所述另一个缓冲器内临时存储后，所述在后处理模块602内处理的晶片W可以传送到所述显影模块402。
(预曝光/后曝光处理模块)
所述预曝光/后曝光处理单元600在第一工艺和曝光工艺之间执行工艺，并在曝光工艺和第二工艺之间执行工艺。例如，当曝光单元900执行浸液式光刻工艺时，所述预曝光/后曝光处理单元600可执行用于涂覆保护层的工艺，所述保护层在浸液式光刻工艺期间，保护涂覆到基板上的光致抗蚀剂。另外，所述预曝光/后曝光处理单元600可以在曝光工艺之后执行清洗晶片的工艺。另外，当在涂覆工艺中运用化学方法增强抗蚀剂时，所述预曝光/后曝光处理模块600可能执行后曝光烘焙工艺。
所述预曝光/后曝光处理模块600包括预处理模块601和后处理模块602。所述预处理模块601在曝光工艺之前执行处理晶片W的工艺，所述后处理模块602在曝光工艺之后执行处理晶片W的工艺。所述预处理模块601和后处理模块602设置在不同的层。例如，所述预处理模块601设置在所述后处理模块602之上。所述预处理模块601具有与所述涂覆模块401相同的高度。所述后处理模块602具有与所述显影模块402相同的高度。所述预处理模块601包括在第二方向14上顺序设置的保护层涂覆室610，烘焙室620和回程室630。因此，所述保护层涂覆室610和烘焙室620空间上隔开，所述回程室630穿插其间。设置有多个保护层涂覆室610，并且该多个保护层涂覆室在第三方向16上相互堆叠。可选择的，多个保护层涂覆室610可分别设置在第一方向12和第三方向16上。设置有多个烘焙室620，并且该多个烘焙室在第三方向16上相互堆叠。可选择的，多个烘焙室620可分别设置在第一方向12和第三方向16上。
所述回程室630在第一方向12上与第二缓冲模块500的第一冷却室530并排设置。所述预处理机械手632位于所述回程室630内。所述回程室630通常形成为正方形或矩形的形状。所述预处理机械手632在所述保护层涂覆室610，所述烘焙室620，所述第二缓冲模块500的缓冲器520和下文将提到的接口模块700的第一缓冲器720之间传送所述晶片W。所述预处理机械手632包括手柄633，臂634和支撑部635。所述手柄633固定地安装到所述臂634。所述臂634配置为能够伸展，收缩和旋转。所述臂634连接到所述支撑部635以能够在第三方向16上沿所述支撑部635线性移动。
所述保护层涂覆室610在晶片W上涂覆保护层以在浸液式光刻工艺期间保护抗蚀剂层。所述保护层涂覆室610包括壳611，支撑盘612和喷嘴613。所述壳611形成具有顶部开口的杯状形状。所述支撑盘612位于所述壳611内以支撑所述晶片W。所述支撑盘612设计为能够旋转。所述喷嘴613为所述晶片W上面的保护层提供保护液。所述喷嘴613可形成为环形管状以向晶片W的中心提供保护液。可选择地，所述喷嘴613具有相应于晶片W直径的长度和裂缝状的出口。这样，所述支撑盘612可以设置为固定状态。所述保护液包含泡沫材料。所述保护液可以是一种对光致抗蚀剂和火具有低亲和力(affinity)的材料。例如，所述保护液可以包含一种氟基溶剂。当支撑盘612上的晶片W旋转时，保护层涂覆室610从晶片W的中心区域开始涂覆保护液。
所述烘焙室620热处理涂有保护层的晶片W。烘焙室620具有至少一个冷却盘621和加热盘622。所述冷却盘621设置有冷却元件623，例如冷却水或者热电模块。所述加热盘622设置有加热元件624，例如加热线或者热电模块。每个加热盘622和冷却盘621可以设置在一个烘焙室620内。可选择的，一些烘焙室620可以只有加热盘622，其他的可以只有冷却盘621。
所述后处理模块602包括清洗室660，后曝光烘焙室670和回程室680。所述清洗室660，回程室680和后曝光烘焙室670在第二方向14上顺序地排列成线。因此，所述清洗室660和后曝光烘焙室670在第二方向14上彼此空间上分开，因为回程室680插入在其间。设置有多个清洗室660，且该多个清洗室设置在第三方向上不同的层中。可选择的，多个清洗室660可分别设置在第一方向12和第三方向16上。设置有多个后曝光烘焙室670，并沿着第三方向16的线将其设置在不同的层中。可选择的，多个后曝光烘焙室670可分别设置在第一方向12和第三方向16上。
当从上面看时，所述回程室680在第一方向12上与所述第二缓冲模块500的第二冷却室540并排设置。所述回程室680通常形成为正方形或者矩形。所述后处理机械手682位于所述回程室680内。所述后处理机械手682配置成在所述后曝光烘焙室670，所述第二缓冲模块500的第二冷却室540和下文将要提到的接口模块700的第二缓冲器730之间传送所述晶片W。所述后处理模块602的后处理机械手与所述预处理模块601的预处理机械手632具有相同的结构。
所述清洗室660在曝光工艺后清洗所述晶片W。所述清洗室660包括壳661，支撑板662和喷嘴663。所述壳661形成为具有顶部开口的杯状。所述支撑板662位于所述壳661内，并支持所述晶片W。所述支撑板662可旋转地设置。所述喷嘴663向所述支撑板662上的晶片W提供清洗液。所述清洗液可以是水，例如去离子水。当所述支撑板662上的晶片W旋转时，所述清洗室660向所述晶片W的中间区域提供清洗液。当所述晶片W旋转时，所述喷嘴663可从所述晶片W的中间区域线性移动或者旋转到外围区域。
所述后曝光烘焙室670加热在曝光工艺中利用深度紫外线(deepultraviolet)处理过的晶片W。所述后曝光烘焙工艺通过加热晶片W并利用增强的酸性完成特性变化，所述增强的酸性是通过曝光所述光致抗蚀剂产生的。所述后曝光烘焙室670具有加热板672。所述加热板672设置有加热元件674，例如加热线或者热电模块。所述后曝光室670可进一步包括冷却板671。所述冷却板671可设置有冷却元件673，例如冷却水和热电模块。可选择的，可进一步设置只具有冷却板671的烘焙室。
在以上描述的预曝光/后曝光处理模块600中，所述预处理模块601和后处理模块602彼此之间完全隔开。此外，所述预处理模块601的回程室630具有与所述第二模块602的回程室680相同的大小，这样，当从上面看时，它们之间可完全重叠。此外，当从上面看时，所述保护层涂覆室610和清洗室660彼此完全重叠。此外，所述烘焙室620具有与所述后曝光烘焙室670相同的大小，这样，当从上面看时，它们之间可完全重叠。
(接口模块)
所述接口模块700在所述预曝光/后曝光处理模块600和所述曝光单元900之间传送所述晶片W。所述接口模块700包括框架710，第一缓冲器720，第二缓冲器730和接口机械手740。所述接口机械手740，所述第一缓冲器720，和第二缓冲器730位于所述框架710内。所述第一缓冲器720和第二缓冲器730彼此之间空间上隔开，并且相互堆叠。所述第一缓冲器720设置在所述第二缓冲器730之上。所述第一缓冲器720设置在与所述预处理模块601相应的高度处。所述第二缓冲器730设置在与所述后处理模块602相应的高度处。当从上面看时，所述第一缓冲器720设置成在第一方向12上与所述预处理模块601的回程室630排成一条线。所述第二缓冲器730设置成在第一方向12上与所述后处理模块602的回程室630排成一条线。
所述接口机械手740在第二方向14上与所述第一缓冲器720和第二缓冲器730空间上隔开。所述接口机械手740在第一缓冲器720，第二缓冲器730，和曝光单元900之间传送所述晶片W。所述接口机械手740具有与第二缓冲机械手560相似的结构。
在晶片W被传送到曝光单元900之前，所述第一缓冲器720临时存储在预处理模块601中处理过的晶片W。在晶片W被传送到后处理模块602之前，所述第二缓冲器730临时存储在曝光单元900中处理过的晶片W。所述第一缓冲器720具有壳721和多个支撑部722。所述多个支撑部722设置在所述壳721内，并在第三方向16上彼此空间上相互隔开。在每个支撑部722上设置一个晶片W。所述壳721分别与所述接口机械手740和预处理机械手632对应设置有开口，因此，所述接口机械手740和预处理机械手632能够将所述晶片运送和拿到所述在所述壳721内的支撑722上并从所述支撑722上移走。所述第二缓冲器730具有与所述第一缓冲器720相似的结构。可是，所述第二缓冲器730的壳731与所述接口机械手740和后处理机械手682分别相应的设置有开口(未图示)。所述第一缓冲器720的支撑部722的个数可与所述第二缓冲器730的支撑部732的个数可以相同或者不同。
(工艺)
以下将描述由本发明实施例的图1的基板处理设备1执行的工艺。图5a和图5b是显示基板处理设备1中的晶片W的工艺流程图。
用于接收晶片W的容器20装载在所述装载端口100的装载台120上(S112)。所述容器的出入口由出入口开关开启。所述移送机械手220将所述晶片W从所述容器20中移开，并将所述晶片运送到所述第二缓冲器330中(S114)。
所述第一缓冲机械手360将所述晶片W从所述第二缓冲器330传送到第一缓冲器320(S116)。所述涂覆机械手432将所述晶片W从所述第二缓冲器320传送到所述涂覆模块401的烘焙室420(S118)。所述烘焙室420依次执行预烘焙工艺和冷却工艺(S120)。所述涂覆机械手432将所述晶片从所述烘焙室420中移开，并将所述晶片运送到抗蚀剂涂覆室410(S122)。所述抗蚀剂涂覆室410在晶片W上涂覆光致抗蚀剂(S124)。接下来，所述涂覆机械手432将所述晶片W从所述抗蚀剂涂覆室410传送到烘焙室420(S126)。所述烘焙室420执行晶片W的软烘焙工艺(S128)。
所述涂覆机械手432将所述晶片W从所述烘焙室420中移开，并将所述晶片运送到第二缓冲模块500的第一冷却室530中(S130)。在第一冷却室530中执行晶片W的冷却工艺(S132)。在第一冷却室530中处理过的晶片W通过所述第二缓冲机械手560传送到边缘曝光室550中(S134)。所述边缘曝光室550执行曝光所述晶片W的外围区域的工艺(S136)。在所述边缘曝光室550中处理过的晶片W利用第二缓冲机械手560传送到缓冲器520中(S138)。
所述预处理机械手632将所述晶片W从所述缓冲器520中移开，并将所述晶片运送到预处理模块601中(S140)。所述保护层涂覆室610在晶片W上涂覆保护层(S142)。接下来，所述预处理机械手632将所述晶片W从所述保护层涂覆室610移开，并将所述晶片运送到烘焙室620(S144)。所述烘焙室620执行热处理工艺，例如加热工艺和冷却工艺(S146)。
所述预处理机械手632将所述晶片W从所述烘焙室620中移开，并将所述晶片运送到接口模块700的第一缓冲器720(S148)。所述接口机械手740将所述晶片W从所述第一缓冲器720传送到曝光单元900(S150)。所述晶片W在曝光单元900中曝光(S152)。接下来，所述接口机械手740将所述晶片W从所述曝光单元900传送到第二缓冲器730(S154)。
所述后处理机械手682将所述晶片W从所述第二缓冲器730中移开，并将所述晶片运送到后处理模块602的清洗室660(S156)。所述清洗室660向所述晶片的表面提供清洗液以执行晶片的清洗工艺(S158)。当利用清洗液的晶片W清洗工艺完成后，所述后处理机械手682将所述晶片W从所述清洗室600中移开，并将所述晶片运送到所述后曝光烘焙室670中(S160)。附着到所述晶片W上的清洗液通过所述加热板672加热所述晶片W移除，同时，在光致抗蚀剂中产生的酸被增强以完成光致抗蚀剂的质变(S162)。所述后处理机械手682将所述晶片W从所述后处理烘焙室670传送到第二缓冲模块500的第二冷却室540(S164)。在所述第二冷却室540中冷却所述晶片W(S166)。
所述显影机械手482将所述晶片从第二冷却室540移送到显影模块402的烘焙室470(S168)。所述烘焙室470依次执行后烘焙工艺和冷却工艺(S170)。所述显影机械手482将所述晶片W从烘焙室470移开，并将所述晶片运送到显影室460(S172)。所述显影室460通过向晶片W提供显影液来执行显影工艺(S174)。接下来，所述显影机械手482将所述晶片W从所述显影室460传送到所述烘焙室470(S176)。所述烘焙室470为晶片W执行硬烘焙工艺(S178)。
所述显影机械手482将所述晶片W从烘焙室470中移开，并将所述晶片运送到第一缓冲模块300的冷却室350(S180)。所述冷却室350执行冷却晶片W工艺(S182)。移送机械手360将所述晶片W从所述冷却室350传送到容器20(S184)。可选择的，所述显影机械手482将所述晶片从烘焙室470传送到第一缓冲模块300，然后所述晶片W可通过所述移送机械手360传送到所述容器20。
根据图1所示的实施例，所述预曝光/后曝光处理模块600设置在所述涂覆/显影模块400和接口模块700之间。所以，在曝光工艺之前和之后所要求的工艺可在曝光工艺之前和之后立即执行。
此外，在预曝光/后曝光处理模块600中没有设置保护层移除室。因此，所述预曝光/后曝光处理模块600的结构相对简单，并且能够减小执行的时间。
此外，当使用化学方法增强的防蚀剂时，在曝光工艺执行后执行的后曝光烘焙工艺的时间是重要的。根据图1所示实施例，将后曝光烘焙室670提供给所述预曝光/后曝光处理单元600。相应地，在晶片W被传送到所述显影模块402之前，将快速地实现所述预曝光/后曝光处理单元600内的酸性的增强。
进一步地，根据图1所示实施例，所述清洗室660仅执行利用清洗液的晶片W的清洗工艺。也就是说，所述清洗室660不执行运用干燥气体的晶片W的干燥工艺。所述晶片W的干燥通过加热所述晶片W执行。例如，所述晶片W的干燥与所述后曝光烘焙室670内的酸性的增强同时执行。相应地，与在清洗室660中执行晶片的清洗和干燥工艺的情况相比，可减少处理时间。
(改进的实施例)
下面将描述基板处理设备1的改进实施例。
所述移送机械手220可以配置为直接传送所述晶片W到第一缓冲器320。
所述冷却室350可以在第一缓冲模块300内互相堆叠。此外，多个第一冷却室530，多个第二冷却室540和多个边缘曝光室550可以设置在第二缓冲模块500内。
此外，在第一缓冲模块300内可以不设置冷却室350。这种情况下，所述晶片W可利用所述涂覆机械手432从所述涂覆模块401直接传送到所述第一缓冲器320，并且所述移送机械手220可以将存储在所述第一缓冲器320内的晶片W传送到所述容器20。进一步地，所述晶片W可以由所述显影机械手482从所述显影模块402传送到所述第二缓冲器330，并且所述移送机械手220可以将存储在所述第二缓冲器330内的晶片W传送到所述容器20。
进一步地，在所述第一缓冲模块300内，第一缓冲模块300和冷却室350的位置可以互换。
此外，涂覆/显影模块400可以只包括一个模块，而不是包括设置在不同层上的涂覆模块401和显影模块402。在这种情况下，所有的涂覆室，显影室，烘焙室和回程室可以设置在所述模块内。在这种情况下，在第一缓冲模块300内可以不设置第一缓冲器320和第一缓冲机械手360。
进一步地，在第二缓冲模块500内可以不设置第一冷却室530。在这种情况下，在所述涂覆模块401内处理过的晶片W直接由所述涂覆机械手432传送到所述缓冲器520。此外，在第二缓冲模块500内不设置第二冷却室540，并且可以在所述第二缓冲模块500内设置附加缓冲器。在这种情况下，在所述后处理模块602内处理过的晶片W可以由所述后处理机械手682传送到所述附加缓冲器。
此外，可以不设置第二缓冲模块500，且所述预曝光/后曝光处理模块600可以与所述涂覆/显影模块400邻近设置。
所述预曝光/后曝光处理模块600可以仅设置有一个模块，而不是包括预处理模块601和后处理模块602。在这种情况下，所有的保护层涂覆室610，烘焙室620，清洗室660，后曝光烘焙室670可以设置在所述模块内。
清洗晶片W后附着在所述晶片W上的清洗液可以在其他腔室内移除，而不是在预曝光/后曝光处理模块600内移除。
此外，除用于提供清洗液的喷嘴之外，所述清洗室660可以进一步包括用于提供干燥气体的喷嘴。在这种情况下，附着在晶片W上的清洗液可以在晶片W在后曝光烘焙室670内加热之前移除。
进一步地，在后处理模块602内可不设置冷却盘。所述晶片W的冷却可以仅在第二缓冲模块500的冷却室内实现。在这种情况下，多个冷却室可以设置在第二缓冲模块500内部，并且该多个冷却室互相堆叠。
此外，所述预处理模块601和后处理模块602的位置可以互换。在这种情况下，所述涂覆模块401和显影模块402可以设置在各自的高度处，且该高度分别与预处理模块601和后处理模块602相对应。
进一步地，曝光工艺之后用于移除保护层的保护层移除室可以设置在后处理模块602内。在这种情况下，晶片W上的保护层可以在显影工艺或者灰化工艺之前预先移除。
此外，当曝光单元900用其他方法而不是浸液式光刻法执行工艺时，在预处理模块601内可以不设置保护层涂覆室610。在这种情况下，预曝光/后曝光处理模块600可以仅包括后处理模块602，而不包括预处理模块601。
此外，当曝光单元900使用光源而不是深度紫外线光源时，在后处理模块602内可以不设置后曝光烘焙室670。
此外，边缘曝光室550可以设置在接口模块700内。进一步地，边缘曝光工艺可以在保护层涂覆工艺之后或者在曝光工艺和晶片清洗工艺之间执行。可选择的，所述边缘曝光工艺可以在后曝光烘焙工艺和显影工艺之间执行。
图6a至6g图示了在晶片W上面的薄膜层上形成图案的顺序工艺。
首先，薄膜层12在沉积单元(未图示)内沉积到晶片W上(见图6a)。所述晶片W被传送到基板处理设备1。在涂覆模块401内，将光致抗蚀剂14涂覆到晶片W上(见图6b)。在涂覆单元401内进一步进行其他的工艺，例如烘焙工艺和类似的工艺。接着，在预曝光/后曝光处理单元600的预处理模块601内将保护层16涂覆到晶片W上(见图6c)。如前面所述，在预处理模块601内进一步执行其他的工艺，例如烘焙工艺和类似的工艺。将所述晶片W运送到曝光单元900。所述曝光单元900将光照射到保护层16和光致抗蚀剂14的选择区域18上，以改变选择区域18的特性(见图6d)。所述预曝光/后曝光处理单元600的后处理模块602执行清洗工艺，后曝光烘焙工艺和类似的工艺。残留在晶片W上的清洗液在后曝光烘焙工艺期间移除。保护层16和光致抗蚀剂14的选择区域18，其特性被改变，在显影模块402中移除(见图6e)。如前所述，所述显影模块402进一步执行除显影工艺之外的其他工艺，如烘焙工艺和类似的工艺。接着，晶片W被传送到蚀刻单元(未图示)。薄膜层的曝光区域13在蚀刻单元内清除(见图6f)。接着，晶片W被传送到灰化单元(未图示)。残留在薄膜层上的光致抗蚀剂14和保护层16在所述灰化单元内移除(见图6g)。当晶片在沉积单元，基板处理设备1，蚀刻单元和灰化单元之间传送时，可以进一步执行其他工艺，例如清洗晶片W的工艺和类似的工艺。
根据所述实施例，可以有效地执行光刻工艺。
进一步地，当使用化学增强的光致抗蚀剂时，能很快地执行后曝光烘焙工艺。
此外，由于残留在基板上的清洗液可以通过在后曝光烘焙单元内增强的酸性来移除，而不利用清洗室内的单独烘干喷嘴，所以处理时间会降低。
此外，由于保护层在显影工艺和灰化工艺内移除，而没有使用预曝光/后曝光处理单元内的单独的保护移除室，所以处理时间会降低。
上面公开的主题应当被认为是示例性的，而不是限制性的，且附加的权利要求意在覆盖所有落在本发明真实的精神和范围内的类似修改，增进和其他的实施例。因而，在法律所允许的最大范围内，本发明的范围由权利要求及其等同权利要求可允许的最宽泛的阐明来决定，并且不会被前面的详细描述约束或限制。

Claims (33)

1.一种处理基板的设备，包括：
装载端口，在所述装载端口中设置有用于接收基板的容器；
第一缓冲模块，具有用于临时存储所述基板的缓冲器；
移送模块，用于在所述装载端口和所述第一缓冲模块之间传送所述基板；
涂覆/显影模块，用于执行基板的光致抗蚀剂涂覆工艺和显影工艺；
第二缓冲模块，具有用于临时存储所述基板的缓冲器；
预曝光/后曝光处理模块，用于在所述光致抗蚀剂涂覆工艺和曝光工艺之间、所述曝光工艺和所述显影工艺之间执行对基板的处理；以及
接口模块，与曝光单元连接，
其中，所述装载端口，所述移送模块，所述第一缓冲模块，所述涂覆/显影模块，所述第二缓冲模块，所述预曝光/后曝光处理模块、所述接口模块沿着第一方向顺序排列成一条线。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述预曝光/后曝光处理模块包括用于在所述基板上涂覆保护层的保护层涂覆室。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述预曝光/后曝光处理模块进一步包括用于清洗所述基板的清洗室。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述预曝光/后曝光处理模块包括设置于不同层的预处理模块和后处理模块，其中，所述保护层涂覆室设置在所述预处理模块内，所述清洗室设置在所述后处理模块内。
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述预处理模块进一步包括用于执行基板的烘焙工艺的烘焙室；以及用于在所述烘焙室和所述保护层涂覆室之间传送基板的预处理机械手；
所述后处理模块进一步包括：用于在曝光工艺后执行基板的烘焙工艺的后曝光烘焙室，以及用于在所述清洗室和所述后曝光烘焙室之间传送所述基板的后处理机械手。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述第二缓冲模块进一步包括用于曝光所述基板边缘的边缘曝光室；以及用于将所述基板传送至所述边缘曝光室的第二缓冲机械手。 
7.根据权利要求5所述的设备，其中，所述第二缓冲模块进一步包括用于冷却所述基板的冷却室。
8.根据权利要求5所述的设备，其中，所述涂覆/显影模块包括设置于不同层的涂覆模块和显影模块；
所述涂覆模块包括用于在所述基板上涂覆光致抗蚀剂的涂覆室，用于加热处理所述基板的烘焙室，以及用于在所述涂覆模块的烘焙室和所述涂覆室之间传送所述基板的涂覆机械手；
所述显影模块包括用于执行基板的显影工艺的显影室，用于加热处理所述基板的烘焙室，以及用于在所述显影模块的烘焙室和所述显影室之间传送所述基板的显影机械手。
9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述涂覆模块与所述预处理模块位于相同的高度处，所述显影模块与所述后处理模块位于相同的高度处。
10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述第二缓冲模块包括用于执行基板冷却工艺的冷却室；
所述第二缓冲模块的缓冲器位于与所述涂覆模块相应的高度处；
所述冷却室位于与所述显影模块相应的高度处。
11.根据权利要求5所述的设备，其中，所述接口模块包括：
第一缓冲器，设置在与所述预处理模块相应的高度处，并临时存储所述基板；
第二缓冲器，设置在与所述后处理模块相应的高度处，并临时存储所述基板；
接口机械手，用于在所述第一缓冲器和曝光单元之间以及在所述第二缓冲器和曝光单元之间传送基板。
12.根据权利要求5所述的设备，其中，所述保护层涂覆室，设置有所述预处理机械手的回程室以及所述预处理模块的烘焙室，当从上面看时，在与所述第一方向垂直的第二方向上顺序设置；
所述清洗室，设置有后处理机械手的回程室以及所述后曝光烘焙室，当从上面看时，在所述第二方向上顺序设置。 
13.根据权利要求12所述的设备，其中，每个设置有预处理机械手的回程室以及设置有后处理机械手的回程室，在第一方向上与所述第二缓冲模块的缓冲器并排设置。
14.根据权利要求13所述的设备，其中，所述涂覆/显影模块包括设置于不同层的涂覆模块和显影模块；
所述涂覆模块包括用于在基板上涂覆光致抗蚀剂的涂覆室，用于加热处理所述基板的烘焙室，以及设置有用于在所述涂覆模块的烘焙室和所述涂覆室之间传送所述基板的涂覆机械手的回程室；
所述显影模块包括用于执行基板的显影工艺的显影室，用于加热处理所述基板的烘焙室，以及设置有用于在所述显影模块的烘焙室和所述显影室之间传送所述基板的显影机械手的回程室；
所述每个设置有涂覆机械手的回程室以及设置有显影机械手的回程室，当从上面看时，在所述第一方向上与所述第二缓冲模块的缓冲器并排设置。
15.根据权利要求13所述的设备，其中，所述第二缓冲模块进一步包括用于曝光所述基板边缘的边缘曝光室，以及用于将所述基板传送至所述边缘曝光室的第二缓冲机械手；
所述第二缓冲模块的缓冲器，所述第二缓冲机械手以及所述边缘曝光室，当从上面看时，在与所述第一方向垂直的第二方向上顺序设置。
16.一种处理基板的设备，包括：
装载端口，在所述装载端口中设置有用于接收基板的容器；
移送模块，用于相对于装载在所述装载端口内的容器传送所述基板；
涂覆/显影模块，用于执行基板的光致抗蚀剂涂覆工艺和显影工艺；
预曝光/后曝光处理模块，用于在所述光致抗蚀剂涂覆工艺和曝光工艺之间、所述曝光工艺和显影工艺之间执行对基板的处理；
其中，所述装载端口，所述移送模块，和所述涂覆/显影模块，以及所述预曝光/后曝光处理模块沿着第一方向顺序排列成一条线。
17.根据权利要求16所述的设备，其中，所述预曝光/后曝光处理模块包括用于在基板上涂覆保护层的保护层涂覆室。 
18.根据权利要求16所述的设备，其中，所述预曝光/后曝光处理模块包括用于清洗所述基板的清洗室。
19.根据权利要求16所述的设备，其中，所述预曝光/后曝光处理模块包括设置于不同层的预处理模块和后处理模块，其中，所述预处理模块包括用于在基板上涂覆保护层的保护层涂覆室，所述后处理模块包括用于清洗所述基板的清洗室。
20.根据权利要求19所述的设备，其中，所述预处理模块进一步包括用于执行基板的烘焙工艺的烘焙室，以及用于在所述烘焙室和保护层涂覆室之间传送所述基板的预处理机械手；
所述后处理模块进一步包括用于在曝光工艺后执行基板的烘焙工艺的后曝光烘焙室，以及用于在所述清洗室和后曝光烘焙室之间传送所述基板的后处理机械手。
21.根据权利要求20所述的设备，其中，所述涂覆/显影模块包括设置于不同层的涂覆模块和显影模块；
所述涂覆模块包括用于在所述基板上涂覆光致抗蚀剂的涂覆室，用于加热处理所述基板的烘焙室，以及用于在所述涂覆模块的烘焙室和所述涂覆室之间传送所述基板的涂覆机械手；
所述显影模块包括用于执行基板的显影工艺的显影室，用于加热处理所述基板的烘焙室，以及用于在所述显影模块的烘焙室和所述显影室之间传送所述基板的显影机械手。
22.根据权利要求21所述的设备，其中，所述涂覆模块位于与所述预处理模块相同的高度处，所述显影模块位于与所述后处理模块相同的高度处。
23.根据权利要求22所述的设备，进一步包括：
缓冲模块，设置在所述涂覆/显影模块和预曝光/后曝光处理模块之间，其中，所述缓冲模块包括用于临时存储所述基板的缓冲器。
24.根据权利要求23所述的设备，其中，所述保护层涂覆室，设置有预处理机械手的回程室以及所述预处理模块的烘焙室，当从上面看时，在与所述第一方向垂直的第二方向上顺序设置； 
所述清洗室，设置有后处理机械手的回程室，以及后曝光烘焙室，当从上面看时，在所述第二方向上顺序设置；
所述涂覆室，设置有涂覆机械手的回程室以及所述涂覆模块的烘焙室，当从上面看时，在所述第二方向上顺序设置；
所述显影室，设置有显影机械手的回程室以及所述显影模块的烘焙室，当从上面看时，在所述第二方向上顺序设置；
每个设置有预处理机械手的回程室，设置有后处理机械手的回程室，设置有涂覆机械手的回程室以及设置有显影机械手的回程室，在第一方向上与所述缓冲模块的缓冲器并排设置。
25.根据权利要求16所述的设备，进一步包括：设置在所述涂覆/显影模块和所述预曝光/后曝光处理模块之间的缓冲模块，其中所述缓冲模块包括用于临时存储所述基板的缓冲器。
26.根据权利要求16所述的设备，进一步包括：
第一缓冲模块，设置在所述移送模块和所述涂覆/显影模块之间；
第二缓冲模块，设置在所述涂覆/显影模块和所述预曝光/后曝光处理模块之间；
其中，每个所述第一和第二缓冲模块包括用于临时存储所述基板的缓冲器。
27.根据权利要求16所述的设备，进一步包括：
与曝光单元连接的接口模块。
28.一种基板的处理方法，所述处理方法由权利要求1或16所述的处理基板的设备完成，包括：
在基板上涂覆光致抗蚀剂；
在涂覆有光致抗蚀剂的所述基板上涂覆保护层；
在所述涂覆有保护层的基板上执行浸液式光刻工艺；
清洗所述利用浸液式光刻处理过的基板；
执行所述基板的显影工艺。
29.根据权利要求28所述的方法，进一步包括：
在清洗所述基板之后、执行所述显影工艺之前，执行所述基板的后曝光烘 焙工艺。
30.根据权利要求29所述的方法，其中，所述基板的清洗是通过提供清洗液执行的，残留在所述基板上的清洗液是通过不提供液体而加热基板移除的。
31.根据权利要求29所述的方法，其中，利用清洗液清洗基板；以及在清洗所述基板之后，立即利用后曝光烘焙工艺移除残留在所述基板上的清洗液。
32.根据权利要求28所述的方法，其中，在所述显影工艺之中或之后移除所述保护层。
33.根据权利要求28所述的方法，其中，一部分保护层是在所述显影工艺中移除，剩余的保护层是在灰化工艺中移除。 
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