TWI466214B - 基板處理設備與方法 - Google Patents

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Jinyoung Choi
Jaeseung Go
Hyoung Rae Noh
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Description

基板處理設備與方法
本發明係關於一種基板處理設備與方法，更特別地，係關於一種用來對一晶圓執行一光蝕刻程序(photolithography process)的設備與方法。
製造半導體裝置時會用到各種程序，像是清洗程序、沉積程序、光蝕刻程序、蝕刻程序、離子植入程序等。用以形成圖樣的光蝕刻程序對於形成高集積度的半導體裝置有著相當重要的影響。
一般來說，用以執行光蝕刻程序的系統包括一塗佈光阻在一晶圓上的塗層單元、一對經過曝光程序的晶圓執行顯影程序的顯影單元、以及一具有一介面且與一曝光設備連成一直線的處理模組。近年來，除了上述程序外，在曝光程序前後還需要進行多項步驟。以一典型的設備來說，執行個別程序的腔室與歸還機器人的規劃不足，所以無法充分提供歸還機器人的時程。
本發明提供一種基板處理設備與方法，其可提升一光蝕刻程序的效率。
本發明同樣也提供一種基板處理設備與方法，其可預防因提升傳輸機器人的處理量而造成的程序壅塞。
本發明也可提供一種基板處理設備，其佈局設計可有效地安排腔室執行程序。
本發明的目的並不僅限於以上所述，而熟悉此技藝者 應可透過以下的實施例描述，了解本發明的其他目的。
本發明的實施例提供一基板處理設備，包括一載入埠，其中係設置一容納該基板的容器；一第一緩衝模組，其具有一用以暫時儲存該等基板的緩衝器；一索引模組，其在該載入埠與該第一緩衝模組之間傳輸該基板；一塗層/顯影模組，其用以對該基板執行一光阻塗層程序與一顯影程序；一第二緩衝模組，其具有一用以暫時儲存該等基板的緩衝器；一曝光前/後處理模組，其用以在該光阻塗層程序與一曝光程序之間，以及該曝光程序與該顯影程序之間，對該基板執行程序；以及一介面模組，其連接至一曝光模組，其中該載入埠、該索引模組、該第一緩衝模組、該塗層/顯影模組、該第二緩衝模組、該曝光前/後處理模組、及該介面模組，係排列於一於一第一方向延伸的線上。該曝光前/後處理模組包含一保護層塗層腔室，該保護層塗層腔室將一保護層塗佈在該基板上。該曝光前/後處理模組更包含一清洗腔室，該清洗腔室清洗該基板。
在一些實施例中，該曝光前/後處理模組包含被設置在不同層的一處理前模組與一處理後模組，其中該保護層塗層腔室可被設置於該處理前模組內，以及該清洗腔室可被設置於該處理後模組內。此外，該處理前模組更包含一烘烤腔室及一處理前機器人。該烘烤腔室對該基板執行一烘烤程序；該處理前機器人在該烘烤腔室與該保護層塗層腔室之間傳輸該基板。該處理後模組更包含一曝光後烘烤腔室及一處理後機器人。該曝光後烘烤腔室在該曝光程序後對該基板執行一烘烤程序；該處理後機器人在該清洗腔室與該曝光後烘烤腔室之間傳輸該基板。
在其他的實施例中，該第二緩衝模組更包含一邊緣曝光腔室及一第二緩衝器機器人。該邊緣曝光腔室將該基板的一邊緣曝光；該第二緩衝器機器人將該基板傳輸至該邊緣曝光腔室。該第二緩衝模組更包含一冷卻腔室，該冷卻腔室冷卻該基板。
在其他的實施例中，該塗層/顯影模組包含被設置於不同層的一塗層模組與一顯影模組。該塗層模組包含一塗層腔室、一烘烤腔室及一塗層機器人，該塗層腔室將該光阻塗佈在該基板上，該烘烤腔室熱處理該基板，該塗層機器人在該塗層模組的該烘烤腔室與該塗層腔室之間傳輸該基板。該顯影模組包含一顯影腔室、一烘烤腔室及一顯影機器人，該顯影腔室對該基板執行顯影程序，該烘烤腔室熱處理該基板，該顯影機器人在該顯影模組的該烘烤腔室與該顯影腔室之間傳輸該基板。
在另一些實施例中，該塗層模組係與該處理前模組可位於一同一高度，以及該顯影模組係與該處理後模組可位於一同一高度。該第二緩衝模組可包括一對該基板執行一冷卻程序之冷卻腔室。該第二緩衝模組的該緩衝器可位於一對應該塗層模組的高度。該冷卻腔室可位於一對應該顯影模組的高度。
在另一些實施例中，該介面模組包含一被設置於一對應該處理後模組的高度並暫時地儲存該基板之第一緩衝器；一被設置於一對應該處理前模組的高度並暫時地儲存該基板之第二緩衝器；以及一在該第一緩衝器與該曝光單元之間以及在該第二緩衝器與該曝光單元之間傳輸該基板之介面機器人。
在另一些實施例中，該保護層塗層腔室、一具有該處理前機器人的歸還腔室、及該處理前模組的該烘烤腔室，於俯視時可連續地排列在一與該第一方向垂直的第二方向。該清洗腔室、一具有該處理後機器人的歸還腔室、及該曝光後烘烤腔室，於俯視時可連續地排列在該第二方向。具有該處理前機器人的該歸還腔室與具有該處理後機器人的該歸還腔室的每一個係與該第二緩衝模組的該緩衝器於該第一方向並列。具有該塗層機器人之該歸還腔室與具有該顯影機器人之該歸還腔室的每一個係與該第二緩衝模組的該緩衝器於俯視時係於該第一方向並列。
在另一些實施例中，該第二緩衝模組更包含一暴露該基板的一邊緣之邊緣曝光腔室與一傳輸該基板至該邊緣曝光腔室之第二緩衝機器人。該第二緩衝模組的該緩衝器、該第二緩衝機器人、及該邊緣曝光腔室，於俯視時係連續地排列在一與該第一方向垂直的第二方向。
在本發明的其他實施例中，一種基板處理方法，其用以處理一基板，該方法包含將一光阻塗佈在該基板上；將一保護層塗佈在該已塗佈光阻的基板上；對該已塗佈該保護層的基板執行一液體浸潤平版印刷程序(liquid immersion lithography process)；清洗該已經過該液體浸潤平版印刷程序處理過的基板；以及對該基板執行一顯影程序。
在一些實施例中，該方法更包含在清洗該基板之後與執行該顯影程序之前執行一曝光後烘烤程序。
在其他的實施例中，藉由供應清洗液來執行該基板之清洗，而遺留在該基板上的該清洗液係藉由在沒有供應液 體時加熱該基板而移除。
在另一些實施例中，該清洗該基板的步驟係由清洗液執行，而遺留在該基板上的該清洗液係由一曝光後烘烤程序移除，該曝光後烘烤程序係於清洗該基板的步驟後立即執行。
在另一些實施例中，該保護層係於該顯影程序內或之後移除。
在另一些實施例中，該保護層的一部分係於該顯影程序內移除，而該保護層的其餘部分係於一灰化程序(ashing process)內移除。
以下將配合所附的圖表說明本發明的較佳實施例，然而，本發明可以其他形式實施，不應視為侷限於以下的實施例。反之，這些實施例係用來完整地解釋本說明書，並且讓熟悉此技藝者了解本發明的範疇。
實施例的設備係用以對一基板，像是一半導體晶圓或平面顯示器面板，執行一光蝕刻程序(photolithography process)。特別是，本實施例的設備係用來在塗層程序(coating process)、顯影程序(developing process)、以及液體浸潤平版印刷程序(liquid immersion lithography process)的前後執行一曝光前/後處理程序(pre/post-exposure treatment process)。在以下的敘述中，係以晶圓作為基板的實施例。
第一圖至第四圖所示為根據本發明的一示範實施例的基板處理設備1之概要圖。意即，第一圖為基板處理設備1的俯視圖，第二圖所示為第一圖沿著線段A-A的視圖，第 三圖為第一圖沿著線段B-B的視圖，以及第四圖為第一圖沿著線段B-B的視圖。基板處理設備1包括一載入埠(load port)100、一索引模組(index module)200、一第一緩衝模組(first buffer module)300、一塗層/顯影模組(coating/developing module)400、一第二緩衝模組(second buffer module)500、一曝光前/後處理模組(pre/post-exposure treatment module)600、以及一介面模組(interface module)700。載入埠100、索引模組200、第一緩衝模組300、塗層/顯影模組400、第二緩衝模組500、曝光前/後處理模組600及介面模組700係連續地排列在於一方向(在此稱為「第一方向12」)延伸的線上。此外，俯視時與第一方向12垂直的方向稱為「第二方向14」，而與第一方向12及第二方向14垂直的方向稱為「第三方向16」。
晶圓W係從容器內20傳送。此時，容器20係和外界封閉。舉例來說，容器20可採用具有前門的前開式晶圓盒(front open unified pod,FOUP)。以下將參考第一圖至第四圖說明各種構成元件。
(Load port載入埠)
載入埠100包括複數個載入檯(load table)120，容納晶圓W的容器20設置於所述載入檯120。所述載入檯(loading table)120係排列於在第二方向14延伸的線上。在第一圖中有四個載入檯120。
(索引模組)
索引模組200在載入埠100的載入檯120上的容器20與第一緩衝模組300之間傳輸晶圓W。索引模組200包括一框架210、一索引機器人220、以及一導軌(guide rail)230。 框架210一般是空的矩形平行六面體，框架210被設置於載入埠100與第一緩衝模組300之間。索引模組200的框架210的高度可以比第一緩衝模組300的框架310的高度要低，以下將會敘述。索引機器人220與導軌230係被設置於框架210內。索引機器人220具有四軸驅動結構，其具有一直接搬動晶圓W的機器手221，可以在第一、第二、及第三方向12、14、16旋轉與移動。索引機器人220除了機器手221外，還包括一機器臂222、一支架223以及一基座224。機器手221係固定地安裝在機器臂222上。機器臂222可以伸展、收縮與旋轉。支架223被設置為其長度方向在第三方向16延伸。機器臂222係耦接至支架223以便沿著支架223移動。支架223係固定地耦接至基座224。導軌230被設置為其長度方向在第二方向14延伸。基座224係耦接至導軌230以便沿著導軌230線性移動。儘管在圖中未顯示，不過框架210具有一開門器，用以開啟與關閉容器20的門。
(第一緩衝模組)
第一緩衝模組300包括一框架310、一第一緩衝器320、一第二緩衝器330、一冷卻腔室350及一第一緩衝機器人360。框架310一般是空的矩形平行六面體，框架310被設置於索引模組200與塗層/顯影模組400之間。第一緩衝器320、第二緩衝器330、冷卻腔室350及第一緩衝機器人360被設置於框架310內。冷卻腔室350、第二緩衝器330及第一緩衝器320係連續地於第三方向16往上排列。第一緩衝器320係位於一對應至該塗層/顯影模組400的塗層模組401之高度，以下將會敘述。冷卻腔室350與第 二緩衝器330係位於一對應至該塗層/顯影模組400的顯影模組402之高度，以下將會敘述。第一緩衝機器人360係於第二方向14與第二緩衝器330、冷卻腔室350及第一緩衝器320相隔一預先決定的距離。
第一緩衝器320與第二緩衝器330的每一個暫時地儲存複數個晶圓W。第二緩衝器330包括一外殼331與複數個支架332。所述支架332被設置於外殼331內，並於第三方向16彼此分隔。每一個晶圓W被設置於每一個支架332上。外殼331係具有對應索引機器人220、第一緩衝機器人360及顯影機器人482(以下將會敘述)的開口(圖中未顯示)，使得索引機器人220、第一緩衝機器人360、及顯影模組402的顯影機器人482可將晶圓W送至支架332或從支架332取出晶圓W。第一緩衝器320具有與第二緩衝器330類似的結構。可是，第一緩衝器320的外殼321係具有對應第一緩衝機器人360與在第一模組401上的塗層機器人432的開口，以下將會敘述。第一緩衝器320的支架322的數目可與第二緩衝器330的支架332的數目相同或不同。舉例來說，第二緩衝器330的支架332的數目可比第一緩衝器320的支架322的數目要多。
第一緩衝機器人360在第一與第二緩衝器320、330之間傳輸晶圓W。第一緩衝機器人360包括一機器手(hand)361、一機器臂362及一支架363。機器手361係固定地安裝在機器臂362上。機器臂362係被設定為可伸展與收縮，使得機器手361可以在第二方向14移動。機器臂362係耦接至支架363，以便在第三方向16沿著支架363線性移動。支架363具有從一對應第二緩衝器330的位置延伸 至一對應第一緩衝器320的位置之長度。支架363更可延伸超過對應第二緩衝器330的位置或對應第一緩衝器320的位置。緩衝機器人360可被設定為具有二軸驅動結構，使得機器手361只有在第二與第三方向14、16方向移動。
冷卻腔室350冷卻晶圓W。冷卻腔室350具有一外殼351與一冷卻板352。冷卻板352的上表面係用以放置晶圓W，並具有一冷卻晶圓W的冷卻元件353。冷卻元件353可為各種不同的元件，像是冷卻水、熱電模組(thermoelectric module)或其類似者。此外，冷卻腔室350可具有一頂針組件(lift pin assembly)(圖中未顯示)，該頂針組件將晶圓W設置在冷卻板352上。外殼351具有對應至索引機器人220與顯影機器人482的開口(圖中未顯示)，使得機器人220與顯影模組402的顯影機器人482可將晶圓W送至冷卻板352或從冷卻板352取出晶圓W。此外，冷卻腔室350可具有門，用以開啟與關閉所述開口。
(塗層/顯影模組)
塗層/顯影模組400在曝光程序前執行一將光阻塗佈至晶圓W的塗層程序，以及一在曝光程序後執行將晶圓W顯影的顯影程序。塗層/顯影模組400一般係形成為一矩形平行六面體。塗層/顯影模組400包括一塗層模組401與一顯影模組402。塗層模組401與顯影模組402係位於不同層。舉例來說，塗層模組401係位於顯影模組402上。
塗層模組401執行一將光阻塗佈在晶圓W的程序，以及在光阻塗層程序前後加熱與冷卻晶圓W的程序。塗層模組401包括光阻塗層腔室410、烘烤腔室420、以及一歸還腔室430。光阻塗層腔室410、烘烤腔室420及歸還腔室430 係連續地排列在第二方向14上。所以，光阻塗層腔室410與烘烤腔室420在第二方向14上有歸還腔室430置於中間而互相隔開。複數個光阻塗層腔室410係被排列在第一與第三方向12、16的每一個方向上。在圖中，有六個光阻塗層腔室410作為圖例。複數個烘烤腔室420係被排列在第一與第三方向12、16的每一個方向上。在圖中，有六個烘烤腔室420作為圖例。不過，烘烤腔室420的數目可為六個或更多。
歸還腔室430與第一緩衝模組300的第一緩衝器320在第一方向12並列。塗層機器人432與導軌433係設置於歸還腔室430內。歸還腔室430一般為矩形。顯影機器人432在烘烤腔室420、光阻塗層腔室400、第一緩衝模組300的第一緩衝器320及第二緩衝模組500的冷卻腔室520之間傳輸晶圓W，以下將會敘述。導軌433的長度方向在第一方向12延伸。導軌433在第一方向12引導顯影機器人432的線性移動。顯影機器人432包括一機器手434、一機器臂435、一支架436及一基座437。機器手434係固定地安裝在機器臂435上。機器臂435係被設定為可伸展與收縮，使得機器手434可以在水平方向移動。支架436被設置為其長度方向係於第三方向16延伸。機器臂435係耦接至支架436，以便在第三方向16沿著支架436線性移動。支架436係固定地耦接至基座437，而基座437係耦接至導軌433，以便沿著導軌433移動。
所有的光阻塗層腔室410具有同樣的結構。然而，個別的光阻塗層腔室410所用的光阻類型可能各不相同。舉例來說，化學增幅型光阻(chemically amplified resist)可作 為光阻。光阻塗層腔室410將光阻塗佈在晶圓W上。光阻塗層腔室410包括一外殼411、一支架板412及一噴嘴(nozzle)413。外殼411為杯狀，其上有一開放的頂面。支架板412係位於外殼411內以支撐晶圓W。支架板412係被設定可以旋轉。噴嘴413將光阻供應至支架板412上的晶圓W。噴嘴413為圓管狀，以將光阻供應至晶圓W的中心。噴嘴413可具有一對應晶圓W的直徑的長度並具有一狹縫出口。此外，光阻塗層腔室410也可包括一噴嘴414，噴嘴414用以供應像是去離子水等清洗液，以清洗塗佈了光阻的晶圓W表面。
烘烤腔室420熱處理晶圓W。舉例來說，烘烤腔室420執行一烘烤前程序，在塗佈光阻於晶圓W上之前，用一預先決定的溫度加熱晶圓W，以便去除晶圓W上的有機物質或濕氣，而在塗佈光阻於晶圓W後執行一軟烘烤程序。烘烤腔室420更於個別的加熱程序後執行冷卻程序。烘烤腔室420包括一冷卻板421或一加熱板422。冷卻板421具有冷卻元件423，像是冷卻水或熱電模組。加熱板422具有加熱元件424，像是加熱線或熱電模組。加熱板422與冷卻板421可位於個別的烘烤腔室420中。替代地，有些烘烤腔室420可僅具有冷卻板421，而其他的可僅具有加熱板422。
顯影模組402執行顯影程序，利用顯影溶液移除晶圓W上的部分光阻以形成圖樣，以及在顯影程序前後執行熱處理程序，像是加熱與冷卻程序。顯影模組402包括一顯影腔室460、一烘烤腔室470及一歸還腔室480。該顯影腔室460、該烘烤腔室470及該歸還腔室480係連續地排列於第二方向14。所以，顯影腔室460與烘烤腔室470在第二 方向14上有歸還腔室480置於中間而互相隔開。複數個顯影腔室460係被排列在第一與第三方向12、16的每一個方向上。在圖中，有六個顯影腔室460作為圖例。複數個烘烤腔室470係被排列在第一與第三方向12、16的每一個方向上。在圖中，有六個烘烤腔室470作為圖例。不過，烘烤腔室470的數目可為六個或更多。
歸還腔室480與第一緩衝模組300的第二緩衝器330在第一方向12並列。顯影機器人482與導軌483係設置於歸還腔室480內。歸還腔室480一般為矩形。顯影機器人482在烘烤腔室470、顯影腔室460、第一緩衝模組300的第二緩衝器330、以及第二緩衝模組500的第二冷卻腔室540之間傳輸晶圓W。導軌483的長度方向在第一方向12延伸。導軌483在第一方向12引導顯影機器人482的線性移動。顯影機器人482包括一機器手484、一機器臂485、一支架486及一基座487。機器手484係固定地安裝在機器臂485上。機器臂435係被設定為可伸展與收縮，使得機器手484可以在水平方向移動。支架486被設置為其長度方向係於第三方向16延伸。機器臂485係耦接至支架486，以便在第三方向16沿著支架486線性移動。支架486係固定地耦接至基座487，而基座487係耦接至導軌483，以便沿著導軌483移動。
所有的光阻塗層腔室460具有同樣的結構。然而，個別的光阻塗層腔室460所用的光阻類型可能各不相同。顯影腔室460移除晶圓W上的一曝光區域的光阻。此時，一曝光區域的保護層也會被一併移除。替代地，所有未曝光區域的光阻和保護層也可被移除。
光阻塗層腔室460包括一外殼461、一支架板462及一噴嘴463。外殼461為杯狀，其上有一開放的頂面。支架板462係位於外殼461內以支撐晶圓W。支架板462係被設定可以旋轉。噴嘴463將光阻供應至支架板462上的晶圓W。噴嘴463為圓管狀，以將光阻供應至晶圓W的中心。噴嘴463可具有一對應晶圓W的直徑的長度並具有一狹縫出口。此外，顯影腔室460也可包括一噴嘴464，用以供應像是去離子水等清洗液，以清洗其上留有顯影液的晶圓W表面。
烘烤腔室470熱處理晶圓W。舉例來說，烘烤腔室470在顯影程序之前執行一烘烤後程序，以加熱晶圓W；而在顯影程序後執行一硬烘烤程序，以加熱晶圓W。烘烤腔室470更於個別的加熱程序後執行冷卻程序。烘烤腔室470包括一冷卻板471或一加熱板472。冷卻板471具有冷卻元件473，像是冷卻水或熱電模組。加熱板472具有加熱元件474，像是加熱線或熱電模組。加熱板472與冷卻板471可位於個別的烘烤腔室470中。替代地，有些烘烤腔室420可僅具有加熱板472，而其他的可僅具有冷卻板471。
如上述，顯影模組400與塗層模組401係彼此分開。此外，在俯視時，塗層模組401與顯影模組402可具有同樣的腔室排列。
(第二緩衝模組)
第二緩衝模組500係作為在塗層/顯影模組400與曝光前/後處理模組600之間傳輸晶圓W的通道。此外，第二緩衝模組500對晶圓W執行像是冷卻程序與邊緣曝光程序。第二緩衝模組500包括一框架510、一緩衝器520、一 第一冷卻腔室530、一第二冷卻腔室540、一邊緣曝光腔室550及一第二緩衝機器人560。框架510係形成為矩形。緩衝器520、第一冷卻腔室530、第二冷卻腔室540、邊緣曝光腔室550及第二緩衝機器人560被設置於框架510內。緩衝器520、第一冷卻腔室530及邊緣曝光腔室550係排列在對應塗層模組401的高度上。第二冷卻腔室540係排列在對應顯影模組402的高度上。緩衝器520、第一冷卻腔室530及第二冷卻腔室540係連續地於沿著一延伸於第三方向16的線上排列。當俯視時，緩衝器520與塗層模組401的歸還腔室430係排列於第一方向12。邊緣曝光腔室550係於第二方向14與緩衝器520以及第一冷卻腔室530的其中一個相隔一預先決定的距離。
第二緩衝機器人560在緩衝器520、第一冷卻腔室530，以及邊緣曝光腔室550之間傳輸晶圓W。第二緩衝機器人560係位於邊緣曝光腔室550與緩衝器520之間。第二緩衝機器人560可具有與第一緩衝器機器人360類似的結構。第一冷卻腔室530與邊緣曝光腔室550執行對已經在塗層模組401內處理過的晶圓W執行程序。也就是說，第一冷卻腔室530冷卻在塗層模組401內處理過的晶圓W。第一冷卻腔室530與第一緩衝模組300的冷卻腔室350類似的結構。在第一冷卻腔室530內處理過的晶圓W，其邊緣會在邊緣曝光腔室550內曝光。緩衝器520在晶圓W被傳輸至處理前模組601前，暫時存放已經在邊緣曝光腔室550中處理過的晶圓W。第二冷卻腔室540在晶圓W被傳輸至顯影模組402前，會冷卻已經在處理後模組602中處理過的晶圓W，以下將會敘述。第二緩衝模組500更可 包括另一位於對應至顯影模組402的高度之緩衝器。在此例中，在處理後模組602中處理過的晶圓W可以在暫時儲存於另一緩衝器後，被傳輸至顯影模組402。
(曝光前/後處理模組)
曝光前/後處理模組600在第一程序與曝光程序之間執行一程序，以及在曝光程序與第二程序之間執行一程序。舉例來說，當曝光單元900執行液體浸潤平版印刷程序時，曝光前/後處理模組600可執行塗佈保護層的程序，以於液體浸潤平版印刷程序中保護晶圓W上的光阻。此外，曝光前/後處理模組600可於曝光程序後執行清洗晶圓的程序。此外，當化學增幅型光阻係應用於塗層程序時，曝光前/後處理模組600可執行曝光後烘烤程序。
曝光前/後處理模組600包括一處理前模組601與一處理後模組602，處理前模組601在曝光程序前執行一處理晶圓W的程序，而處理後模組602在曝光程序後執行一處理晶圓W的程序。處理前模組601與處理後模組602係位於不同層。舉例來說，處理前模組601係被設置於處理後模組602之上。處理前模組601的高度與塗層模組401相同。處理後模組602的高度與顯影模組402相同。處理前模組601包括一保護層塗層腔室610、一烘烤腔室620及一歸還腔室630，其係連續地排列於第二方向14。因此，保護層塗層腔室610與烘烤腔室620有歸還腔室630置於中間而互相隔開。複數個保護層塗層腔室610係於第三方向16彼此堆疊。替代地，複數個保護層塗層腔室610可被安排在第一與第三方向12、16的每一個方向上。複數個烘烤腔室620係於第三方向16彼此堆疊。替代地，複數個烘烤 腔室620可被安排在第一與第三方向12、16的每一個方向上。
歸還腔室630與第二緩衝模組500的第一冷卻腔室530係於第一方向12並列。處理前機器人632係位於歸還腔室630內。歸還腔室630一般為正方形或矩形。處理前機器人632在保護層塗層腔室610、烘烤腔室620、第二緩衝模組500的緩衝器520、以及介面模組700的第一緩衝器720之間傳輸晶圓W，以下將會敘述。處理前機器人632包括一機器手633、一機器臂634及一支架635。機器手633係固定地安裝在機器臂634上。機器臂634係被設定為可伸展、收縮、與旋轉。機器臂633係耦接至支架635，以便在第三方向16沿著支架635線性移動。
保護層塗層腔室610將保護層塗佈在晶圓W上，以於液體浸潤平版印刷程序中保護光阻層。保護層塗層腔室610包括一外殼611、一支架板612、以及一噴嘴613。外殼611為杯狀，其上有一開放的頂面。支架板612係位於外殼611內以支撐晶圓W。支架板612係被設定可以旋轉。噴嘴613將用於保護層的保護液體(protective liquid)供應至晶圓W。噴嘴613為圓管狀，以將保護液體供應至晶圓W的中心。選擇性地，噴嘴613可具有一對應晶圓W的直徑的長度並具有一狹縫出口。在此例中，支架板612可為固定的狀態。保護液體包括發泡材料。保護液體可為對光阻和火具有低親和性的材料。舉例來說，保護液體可包括氟基溶劑。當晶圓W在支架612上旋轉時，保護層塗層腔室610是從晶圓W的中心部分開始塗佈保護液體。
烘烤腔室620對已經有塗佈保護層的晶圓W進行熱處 理。烘烤腔室620具有至少一冷卻板621或加熱板622。冷卻板621具有冷卻元件623，像是冷卻水或熱電模組。加熱板622具有加熱元件624，像是加熱線或熱電模組。每一個加熱板622與冷卻板621可位於一個烘烤腔室620中。替代地，有些烘烤腔室620可僅具有加熱板622，而其他的可僅具有冷卻板621。
處理後模組602包括一清洗腔室660、一曝光後烘烤腔室670及一歸還腔室680，該清洗腔室660、該歸還腔室680及該曝光後烘烤腔室670連續地排列於一在第二方向14延伸的線上。因此，清洗腔室660與曝光後烘烤腔室670有歸還腔室680置於中間而於第二方向14上互相隔開。複數個清洗腔室660被設置於於第三方向16上的不同層。替代地，複數個清洗腔室660可被安排在第一與第三方向12、16的每一個方向上。複數個曝光後烘烤腔室670係被設置於一在第三方向16上延伸的線上之不同層。替代地，複數個曝光後烘烤腔室670可被安排在第一與第三方向12、16的每一個方向上。
在俯視時，歸還腔室680與第二緩衝模組500的第二冷卻腔室540係於第一方向12並列。歸還腔室680一般為正方形或矩形。處理後機器人682係位於歸還腔室680。處理後機器人682被設定用以在曝光後烘烤腔室670、第二緩衝模組500的第二冷卻腔室540、及介面模組700的第二緩衝器730之間傳輸晶圓W，以下將會敘述。處理後模組602的處理後機器人682可具有與處理前模組601的處理前機器人632同樣的結構。
清洗腔室660在曝光程序後清洗晶圓W。清洗腔室660 包括一外殼661、一支架板662、以及一噴嘴663。外殼661為杯狀，其上有一開放的頂面。支架板662係位於外殼661內並支撐晶圓W。支架板662係可旋轉。噴嘴663將清洗液供應至支架板662上的晶圓W。清洗液可為像是去離子水的水。當位於支架板662上的晶圓W旋轉時，清洗腔室660供應清洗液至晶圓的中心部分。當晶圓旋轉時，噴嘴663可從晶圓W的中心區域線性地移動或旋轉至邊緣區域。
曝光後烘烤腔室670對已經在曝光程序中利用深紫外線處理過的晶圓W加熱。曝光後烘烤程序藉由加熱晶圓W，增強在光阻曝光時所產生的酸，以改變性質。曝光後烘烤腔室670具有一加熱板672，該加熱板672具有一加熱元件672，像是加熱線或熱電模組。曝光後烘烤腔室670更可包括一冷卻板671，該冷卻板671具有一冷卻元件673，像是冷卻水或一熱電模組。替代地，也可使用僅具有冷卻板671的烘烤腔室。
在以上有關曝光前/後處理模組600的敘述中，處理前模組601與處理後模組602係完全彼此分開。此外，處理前模組601的歸還腔室630具有如同第二模組602的歸還腔室680的相同大小，所以在俯視時會完全彼此重疊。還有，保護層塗層腔室610具有如同清洗腔室660的相同大小，所以保護層塗層腔室610與清洗腔室660在俯視時會完全彼此重疊。另外，烘烤腔室620具有與曝光後烘烤腔室670的相同大小，所以在俯視時會完全彼此重疊。
(介面模組)
介面模組700在曝光前/後處理模組600與曝光單元900之間傳輸晶圓W。介面模組700包括一框架710、一第 一緩衝器720、一第二緩衝器730、以及一介面機器人740。介面機器人740、第一緩衝器720及第二緩衝器730係位於框架710內。第一與第二緩衝器720、730係彼此分隔並互相堆疊。第一緩衝器720係被設置於第二緩衝器730上。第二緩衝器720係被設置於一對應處理前模組601的高度。第二緩衝器730係被設置於一對應處理後模組602的高度。在俯視時，第一緩衝器720與處理前模組601的歸還腔室630係排列於第一方向12的同一線上。第二緩衝器730與處理後模組602的歸還腔室630係排列於第一方向12的同一線上。
介面機器人740在第二方向14係與第一及第二緩衝器720、730相隔。介面機器人740在第一緩衝器720、第二緩衝器730、及曝光單元900之間傳輸晶圓W。介面機器人740具有與第二緩衝機器人560類似的結構。
第一緩衝器720在晶圓W被傳輸至曝光單元900之前，暫時地儲存處理前模組601所處理的晶圓W。第二緩衝器730在晶圓W被傳輸至處理後模組602之前，暫時地儲存曝光單元900所處理的晶圓W。第一緩衝器720具有一外殼721與複數個支架722。支架722係被設置於外殼721內，並於第三方向16彼此分隔。每一個支架722上係設置一個晶圓W。外殼721係具有分別對應介面機器人740與處理前機器人632的開口，使得介面機器人740與處理前機器人632可將晶圓W送至外殼721內的支架722或從支架722取出晶圓W。第二緩衝器730具有與第一緩衝器720類似的結構，然而，第二緩衝器730的外殼731係具有分別對應至介面機器人740與處理後機器人682的開口(圖 中未顯示)。第一緩衝器720的支架722的數目可與第二緩衝器730的支架732相同或不同。
(程序)
以下將根據一個實施例說明利用第一圖的基板處理設備1所執行的程序。第五A圖與第五B圖所示為在第一圖的基板處理設備1中執行的程序之流程圖。
容納晶圓W的容器20係載入至載入埠100的載入檯120(S112)。容器20的門由開門器開啟。索引機器人220從容器20拿出晶圓W並將其運送至第二緩衝器330(S114)。
第一緩衝機器人360將晶圓W從第二緩衝器330傳輸至第一緩衝器320(S116)。塗層機器人432將晶圓W從第一緩衝器320傳輸至塗層模組401的烘烤腔室420(S118)。烘烤腔室420連續地執行烘烤前程序與冷卻程序(S120)。塗層機器人432從烘烤腔室420取出晶圓並將其運送至光阻塗層腔室410(S122)。光阻塗層腔室410將光阻塗佈至晶圓W上(S124)。接下來，塗層機器人432將晶圓W從光阻塗層腔室410傳輸至烘烤腔室420(S126)。烘烤腔室420對晶圓W執行軟烘烤程序(S128)。
塗層機器人432將晶圓W從烘烤腔室420取出，並將其運送至第二緩衝模組500的第一冷卻腔室530(S130)。對晶圓W的冷卻程序係於第一冷卻腔室530內執行(S132)。在第一冷卻腔室530內處理過的晶圓W會由第二緩衝機器人560傳輸至邊緣曝光腔室550(S134)。邊緣曝光腔室550執行一程序，以曝光晶圓W的周圍區域(S136)。在邊緣曝光腔室550內處理過的晶圓W會由第二緩衝機器人560傳輸至緩衝器520(S138)。
處理前機器人632將晶圓W從緩衝器520取出，並將其運送至處理前模組601(S140)。保護層塗層腔室610將保護層塗佈於晶圓W上(S142)。接著，處理前機器人632將晶圓W從保護層塗層腔室610取出，並將其運送至烘烤腔室620(S144)。烘烤腔室620執行熱處理程序，像是加熱程序與冷卻程序(S146)。
處理前機器人632將晶圓W從烘烤腔室620取出，並將其運送至介面模組700的第一緩衝器720(S148)。介面機器人740將晶圓W從第一緩衝器720傳輸至曝光單元900(S150)。晶圓W係於曝光單元900內曝光(S152)。接著，介面機器人740將晶圓W從曝光單元900傳輸至第二緩衝器730(S154)。
處理後機器人682將晶圓W從第二緩衝器730取出，並將其傳輸至處理後模組602的清洗腔室660(S156)。清洗腔室660供應清洗液至晶圓的表面，以對晶圓W執行清洗程序(S158)。當以清洗液清洗完晶圓W以後，處理後機器人682將晶圓W從清洗腔室660取出並將它傳輸至曝光後烘烤腔室670(S160)。附著在晶圓W的清洗液會被加熱晶圓W的加熱板672移除，同時，光阻所產生的酸會被增強而完成光阻的性質變化(S162)。處理後機器人682將晶圓W從曝光後烘烤腔室670傳輸至第二緩衝模組500的第二冷卻腔室540(S164)。晶圓W在第二冷卻腔室540冷卻(S166).
顯影機器人482將晶圓W從第二冷卻腔室540取出，並將其傳輸至顯影模組402的烘烤腔室470(S168)。烘烤腔室470連續地執行烘烤後程序與冷卻程序(S170)。顯影機器人482將晶圓W從烘烤腔室470取出，並將它傳輸至顯影 腔室460(S172)。顯影腔室460供應顯影溶液至晶圓W以執行顯影程序(S174)。接著，顯影機器人482將晶圓W從顯影腔室460傳輸至烘烤腔室470(S176)。烘烤腔室470對晶圓W執行硬烘烤程序(S178)。
顯影機器人482將晶圓W從烘烤腔室470取出，並將其傳輸至第一緩衝模組300的冷卻腔室350(S180)。冷卻腔室350執行冷卻晶圓W的程序(S182)。索引機器人360將晶圓W從冷卻腔室350傳輸至容器20(S184)。替代地，顯影機器人482將晶圓W從烘烤腔室470傳輸至第一緩衝模組300，然後晶圓W可由索引機器人360傳輸至容器20。
根據第一圖的實施例，曝光前/後處理模組600係被設置於塗層/顯影模組400與介面模組700之間。所以，曝光程序前後所需要進行的程序可以在曝光程序前後立即執行。
此外，在曝光前/後處理模組600內並沒有保護層移除腔室。所以，曝光前/後處理模組600的結構相當簡單，而執行程序的時間可以減少。
此外，在使用化學增幅型光阻時，於曝光程序後執行曝光後烘烤程序的時機很重要。根據第一圖的實施例，曝光前/後處理單元600係具有曝光後烘烤腔室670。因此，在晶圓W被傳輸至顯影模組402前，可以在曝光前/後處理單元600很快地達到增強酸的目的。
另外，根據第一圖的實施例，清洗腔室660僅以清洗液對晶圓W執行清洗程序。也就是說，清洗腔室660並不會使用乾燥氣體對晶圓W執行乾燥程序。乾燥晶圓W的方法是對晶圓W加熱。舉例來說，乾燥晶圓W的程序是與增 強曝光後烘烤腔室670內的酸同時進行。因此，程序所用時間與在清洗腔室660內清洗和乾燥晶圓的時間相比可以減少。
(修改範例)
以下將描述基板處理設備1的各種修改範例。
索引機器人220可被設定用以將晶圓W直接傳輸至第一緩衝器320。
冷卻腔室350可於第一緩衝模組300內彼此堆疊。此外，複數個第一冷卻腔室530、複數個第二冷卻腔室540、及複數個邊緣曝光腔室550可位於第二緩衝模組500內。
此外，第一緩衝模組300可以不包括冷卻腔室350。在此例中，晶圓W可由塗層機器人432直接從塗層模組401傳輸至第一緩衝器320，而索引機器人220可將儲存在第一緩衝器320的晶圓W傳輸至容器20。此外，晶圓W可由顯影機器人482從顯影模組402傳輸至第二緩衝器330，而索引機器人220可將儲存在第二緩衝器330的晶圓W傳輸至容器20。
另外，在第一緩衝模組300中，第一緩衝模組300與冷卻腔室350的位置可交換。
還有，塗層/顯影模組400可僅包括一個模組，而不是被設置於不同層的塗層與顯影模組401、402。在此例中，所有的塗層腔室、顯影腔室、烘烤腔室、及歸還腔室均可位於該模組內。在此例中，第一緩衝模組300可以不包括第一緩衝器320與第一緩衝機器人360。
另外，第二緩衝模組500可以不包括第一冷卻腔室530。在此例中，在塗層模組401中處理過的晶圓W會被 塗層機器人432直接傳輸至緩衝器520。此外，第二緩衝模組500可以不包括第二冷卻腔室540，而第二緩衝模組500可具有額外的緩衝器。在此例中，在處理後模組602中處理過的晶圓W可由處理後機器人682傳輸至該額外的緩衝器。
此外，本發明可以不具備第二緩衝模組500，而曝光前/後處理模組600可被設置於鄰接塗層/顯影模組400。
曝光前/後處理模組600可僅具有一個模組，而不是處理前模組601與處理後模組602。在此例中，所有的保護層塗層腔室610、烘烤腔室620、清洗腔室660、以及曝光後烘烤腔室670均可位於該模組內。
於清洗晶圓W後，附著在晶圓上的清洗液可於其他腔室內移除，而不是在曝光後烘烤腔室670內移除。
此外，清洗腔室660除供應清洗液的噴嘴外，更可包括一噴嘴，用以供應乾燥空氣。在此例中，附著在晶圓上的清洗液可於晶圓W在曝光後烘烤腔室670內加熱前先行移除。
另外，處理後模組602可以不包括冷卻板。而冷卻晶圓W的步驟可以只在第二緩衝模組500的冷卻腔室內進行。在此例中，複數個冷卻腔室可被設置於第二緩衝模組500中並彼此堆疊。
另外，處理前模組601與處理後模組602的位置可以互換。在此例中，塗層模組401與顯影模組402可設置於個別對應至處理前模組601與處理後模組602的高度。
另外，處理後模組602之中可包括一保護層移除腔室，用以在曝光程序後移除保護層。在此例中，晶圓W上的保 護層可以在顯影程序或灰化程序之前先行移除。
此外，當曝光單元900執行液體浸潤平版印刷方法以外的其他方法時，在處理前模組601可以不包括保護層塗層腔室610。在此例中，曝光前/後處理模組600可僅包括處理後模組602，而沒有處理前模組601。
此外，當曝光單元900使用深紫外線以外的光源，處理後模組602可以不包括曝光後烘烤腔室670。
另外，邊緣曝光腔室550可位於介面模組700內。還有，邊緣曝光程序可於保護層塗層程序後執行，或者在曝光程序與晶圓清洗程序之間執行。替代地，邊緣曝光程序可於曝光後烘烤程序與顯影程序之間執行。
第六A圖至第六G圖所示為用以在一晶圓的薄膜上形成圖樣的連續程序之示意圖。
首先，一薄膜12係於一沉積單元(圖中未顯示)沉積在晶圓W上(如第六A圖)。晶圓W被傳輸至基板處理設備1。在塗層模組401中，一光阻14被塗佈於晶圓W上(如第六B圖)。在塗層單元401中，其他的程序像是烘烤程序或其類似者會進一步處理。接著，保護層16會在曝光前/後處理模組600的處理前模組601內被塗佈在晶圓W上(如第六C圖)。如前述，其他的程序像是烘烤程序或其類似者會在處理前模組601進一步處理。晶圓W被運送至曝光單元900。曝光單元900放射光至保護層16與光阻14的一選擇區域18，以改變選擇區域的性質(如第六D圖)。曝光前/後處理模組600的處理後模組602執行清洗程序、曝光後烘烤程序及其類似者。遺留在晶圓W上的清洗液係於曝光後烘烤程序中移除。保護層16與光阻14的選擇區域 18在改變性質後，會在顯影模組402中被移除(如第六E圖)。如前述，顯影模組402除了顯影程序外，會進一步執行像是烘烤程序或其類似者。接著晶圓W被傳輸至蝕刻單元(圖中未顯示)。薄膜的曝光區域13會在蝕刻單元中被移除(如第六F圖)。接著，晶圓W會被傳輸至灰化單元(ashing unit)(圖中未顯示)。遺留在薄膜上的保護層16與光阻14會在灰化單元中被移除(如第六G圖)。當晶圓在沉積單元、基板處理設備1、蝕刻單元及灰化單元之間被傳輸時，便執行清洗或其他類似的程序。
根據上述的實施例，可有效率地執行光蝕刻程序。
此外，若使用化學增幅型光阻，可迅速地執行曝光後烘烤程序。
此外，由於遺留在基板上的清洗液可藉由增強在曝光後烘烤單元內的酸而移除，不需在清洗腔室中使用獨立的乾燥噴嘴，因此可節省程序時間。
此外，因為保護層係於顯影程序與灰化程序內移除，該曝光前/後處理單元內不需用到單獨的保護層移除腔室，因此可減少程序時間。
上述的實施例係用以舉例，而非限制本發明，而在本發明的精神與範疇下，所附的申請專利範圍應視為包含所有的改良、加強與其他實施例。因此，根據法律所允許的最大限度，本發明的範疇應以申請專利範圍的最寬廣解釋方式界定，而不應受到前述的實施例說明之限制。
1‧‧‧基板處理設備
2‧‧‧第一方向
4‧‧‧第二方向
6‧‧‧第三方向
20‧‧‧容器
100‧‧‧載入埠
120‧‧‧載入檯
200‧‧‧索引模組
210‧‧‧框架
220‧‧‧索引機器人
221‧‧‧機器臂
222‧‧‧機器臂
223‧‧‧支架
224‧‧‧基座
230‧‧‧導軌
300‧‧‧第一緩衝模組
310‧‧‧框架
320‧‧‧第一緩衝器
321‧‧‧外殼
322‧‧‧支架
330‧‧‧第二緩衝器
331‧‧‧外殼
332‧‧‧支架
350‧‧‧冷卻腔室
351‧‧‧外殼
352‧‧‧冷卻板
353‧‧‧冷卻元件
360‧‧‧第一緩衝機器人
361‧‧‧機器手
362‧‧‧機器臂
363‧‧‧支架
400‧‧‧塗層/顯影模組
401‧‧‧塗層模組
402‧‧‧顯影模組
410‧‧‧光阻塗層腔室
411‧‧‧外殼
412‧‧‧支架板
413‧‧‧噴嘴
414‧‧‧噴嘴
420‧‧‧烘烤腔室
421‧‧‧冷卻板
422‧‧‧加熱板
423‧‧‧冷卻元件
424‧‧‧加熱元件
430‧‧‧歸還腔室
432‧‧‧塗層機器人
433‧‧‧導軌
434‧‧‧機器手
435‧‧‧機器臂
436‧‧‧支架
437‧‧‧基座
460‧‧‧顯影腔室
461‧‧‧外殼
462‧‧‧支架板
463‧‧‧噴嘴
464‧‧‧噴嘴
470‧‧‧烘烤腔室
471‧‧‧冷卻板
472‧‧‧加熱板
473‧‧‧冷卻元件
474‧‧‧加熱元件
480‧‧‧歸還腔室
482‧‧‧顯影機器人
483‧‧‧導軌
484‧‧‧機器手
485‧‧‧機器臂
486‧‧‧支架
487‧‧‧基座
500‧‧‧第二緩衝模組
510‧‧‧框架
520‧‧‧緩衝器
521‧‧‧外殼
522‧‧‧支架
530‧‧‧第一冷卻腔室
531‧‧‧外殼
532‧‧‧支架
540‧‧‧第二冷卻腔室
550‧‧‧邊緣曝光腔室
560‧‧‧第二緩衝機器人
600‧‧‧曝光前/後處理模組
601‧‧‧處理前模組
602‧‧‧處理後模組
610‧‧‧保護層塗層腔室
611‧‧‧外殼
612‧‧‧支架板
613‧‧‧噴嘴
620‧‧‧烘烤腔室
621‧‧‧冷卻板
622‧‧‧加熱板
623‧‧‧冷卻元件
624‧‧‧加熱元件
630‧‧‧歸還腔室
632‧‧‧處理前機器人
633‧‧‧機器手
634‧‧‧機器臂
635‧‧‧支架
660‧‧‧清洗腔室
661‧‧‧外殼
662‧‧‧支架板
663‧‧‧噴嘴
670‧‧‧曝光後烘烤腔室
671‧‧‧冷卻板
672‧‧‧加熱板
673‧‧‧冷卻元件
674‧‧‧加熱元件
680‧‧‧歸還腔室
682‧‧‧處理後機器人
700‧‧‧介面模組
710‧‧‧框架
720‧‧‧第一緩衝器
721‧‧‧外殼
722‧‧‧支架
730‧‧‧第二緩衝器
731‧‧‧外殼
732‧‧‧支架
740‧‧‧介面機器人
900‧‧‧曝光單元
W‧‧‧晶圓
12‧‧‧薄膜
14‧‧‧光阻
16‧‧‧保護層
18‧‧‧選擇區域
13‧‧‧曝光區域
本說明書所附的圖示係用以提供有關本發明的進一步認識，並且被納入與構成本說明書的一部分。圖示說明本 發明的示範實施例，與實施例說明共同用來解釋本發明的原則，在圖中：第一圖至第四圖所示為根據本發明的一實施例的基板處理設備之概要圖；第五A圖與第五B圖所示為在第一圖的基板處理設備中執行的連續程序之流程圖；以及第六A圖至第六G圖所示為用以在一晶圓上形成圖樣的連續程序之示意圖。
2‧‧‧第一方向
6‧‧‧第三方向
20‧‧‧容器
100‧‧‧載入埠
200‧‧‧索引模組
210‧‧‧框架
220‧‧‧索引機器人
221‧‧‧機器臂
222‧‧‧機器臂
223‧‧‧支架
224‧‧‧基座
230‧‧‧導軌
300‧‧‧第一緩衝模組
310‧‧‧框架
320‧‧‧第一緩衝器
321‧‧‧外殼
322‧‧‧支架
330‧‧‧第二緩衝器
331‧‧‧外殼
332‧‧‧支架
350‧‧‧冷卻腔室
351‧‧‧外殼
352‧‧‧冷卻板
353‧‧‧冷卻元件
363‧‧‧支架
400‧‧‧塗層/顯影模組
401‧‧‧塗層模組
402‧‧‧顯影模組
410‧‧‧光阻塗層腔室
411‧‧‧外殼
412‧‧‧支架板
413‧‧‧噴嘴
414‧‧‧噴嘴
460‧‧‧顯影腔室
461‧‧‧外殼
462‧‧‧支架板
463‧‧‧噴嘴
464‧‧‧噴嘴
500‧‧‧第二緩衝模組
510‧‧‧框架
520‧‧‧緩衝器
530‧‧‧第一冷卻腔室
531‧‧‧外殼
532‧‧‧支架
540‧‧‧第二冷卻腔室
600‧‧‧曝光前/後處理模組
601‧‧‧處理前模組
610‧‧‧保護層塗層腔室
611‧‧‧外殼
612‧‧‧支架板
613‧‧‧噴嘴
660‧‧‧清洗腔室
661‧‧‧外殼
662‧‧‧支架板
663‧‧‧噴嘴
700‧‧‧介面模組
720‧‧‧第一緩衝器
721‧‧‧外殼
722‧‧‧支架
730‧‧‧第二緩衝器
731‧‧‧外殼
732‧‧‧支架
900‧‧‧曝光單元
W‧‧‧晶圓

Claims (27)

  1. 一種基板處理設備，其用以處理一基板，該設備包含：一載入埠，其中係設置一容納該基板的容器；一第一緩衝模組，其具有一用以暫時儲存該等基板的緩衝器；一索引模組，其在該載入埠與該第一緩衝模組之間傳輸該基板；一塗層/顯影模組，其用以對該基板執行一光阻塗層程序與一顯影程序；一第二緩衝模組，其具有一用以暫時儲存該等基板的緩衝器；一曝光前/後處理模組，其用以在該光阻塗層程序與一曝光程序之間，以及該曝光程序與該顯影程序之間，對該基板執行程序；以及一介面模組，其連接至一曝光模組，其中該載入埠、該索引模組、該第一緩衝模組、該塗層/顯影模組、該第二緩衝模組、該曝光前/後處理模組，以及該介面模組係排列於一於一第一方向延伸的線上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理設備，其中該曝光前/後處理模組包含一保護層塗層腔室，該保護層塗層腔室將一保護層塗佈在該基板上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理設備，其中該曝光前/後處理模組更包含一清洗腔室，該清洗腔室清洗該基板。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之基板處理設備，其中該曝光前/後處理模組包含被設置在不同層的一處理前模組與一 處理後模組，其中該保護層塗層腔室係被設置於該處理前模組內，以及該清洗腔室係被設置於該處理後模組內。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之基板處理設備，其中該處理前模組更包含一烘烤腔室及一處理前機器人，該烘烤腔室對該基板執行一烘烤程序，該處理前機器人在該烘烤腔室與該保護層塗層腔室之間傳輸該基板；以及該處理後模組更包含一曝光後烘烤腔室及一處理後機器人，該曝光後烘烤腔室在該曝光程序後對該基板執行一烘烤程序，該處理後機器人在該清洗腔室與該曝光後烘烤腔室之間傳輸該基板。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理設備，其中該第二緩衝模組更包含一邊緣曝光腔室及一第二緩衝器機器人，該邊緣曝光腔室將該基板的一邊緣曝光，該第二緩衝器機器人將該基板傳輸至該邊緣曝光腔室。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理設備，其中該第二緩衝模組更包含一冷卻腔室，該冷卻腔室冷卻該基板。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理設備，其中該塗層/顯影模組包含被設置於不同層的一塗層模組與一顯影模組；該塗層模組包含一塗層腔室、一烘烤腔室及一塗層機器人，該塗層腔室將該光阻塗佈在該基板上、該烘烤腔室熱處理該基板，該塗層機器人在該塗層模組的該烘烤腔室與該塗層腔室之間傳輸該基板；以及該顯影模組包含一顯影腔室、一烘烤腔室及一顯影機器人，該顯影腔室對該基板執行顯影程序、該烘烤腔室熱處理該基板，該顯影機器人在該顯影模組的該烘烤腔室與該 顯影腔室之間傳輸該基板。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之基板處理設備，其中該塗層模組係與該處理前模組位於一同一高度，以及該顯影模組係與該處理後模組位於一同一高度。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基板處理設備，其中該第二緩衝模組包含一對該基板執行一冷卻程序之冷卻腔室；該第二緩衝模組的該緩衝器係位於一對應該塗層模組的高度；以及該冷卻腔室係位於一對應該顯影模組的高度。
  11. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理設備，其中該介面模組包含：一第一緩衝器，其被設置於一對應該處理後模組的高度並暫時地儲存該基板；一第二緩衝器，其被設置於一對應該處理前模組的高度並暫時地儲存該基板；以及一介面機器人，其在該第一緩衝器與該曝光單元之間以及在該第二緩衝器與該曝光單元之間傳輸該基板。
  12. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理設備，其中該保護層塗層腔室、一具有該處理前機器人的歸還腔室、以及該處理前模組的該烘烤腔室於俯視時係連續地排列在一與該第一方向垂直的第二方向；以及該清洗腔室、一具有該處理後機器人的歸還腔室，以及該曝光後烘烤腔室於俯視時係連續地排列在該第二方向。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之基板處理設備，其中具有該處理前機器人的該歸還腔室與具有該處理後機器人的該歸還腔室的每一個係與該第二緩衝模組的該緩衝器於該第一 方向並列。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之基板處理設備，其中該塗層/顯影模組包含被設置於不同層的一塗層模組與一顯影模組；該塗層模組包含一塗層腔室、一烘烤腔室及一塗層機器人，該塗層腔室將一光阻塗佈在該基板上、該烘烤腔室熱處理該基板，該塗層機器人在該塗層模組的該烘烤腔室與該塗層腔室之間傳輸該基板；以及該顯影模組包含一顯影腔室、一烘烤腔室及一歸還腔室，該顯影腔室對該基板執行該顯影程序，該烘烤腔室熱處理該基板，該歸還腔室具有一在該顯影模組的該烘烤腔室與該顯影腔室之間傳輸該基板的顯影機器人；以及具有該塗層機器人之該歸還腔室與具有該顯影機器人之該歸還腔室的每一個係與該第二緩衝模組的該緩衝器於俯視時係於該第一方向並列。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之基板處理設備，其中該第二緩衝模組更包含一邊緣曝光腔室及一第二緩衝機器人，該邊緣曝光腔室暴露該基板的一邊緣，該第二緩衝機器人傳輸該基板至該邊緣曝光腔室；以及該第二緩衝模組的該緩衝器、該第二緩衝機器人、以及該邊緣曝光腔室於俯視時係連續地排列在一與該第一方向垂直的第二方向。
  16. 一種基板處理設備，其用以處理一基板，該設備包含：一載入埠，其中係設置一容納該基板的容器；一索引模組，其相對於載入至該載入埠的該容器傳輸該基板； 一塗層/顯影模組，其用以對該基板執行一光阻塗層程序與一顯影程序；以及一曝光前/後處理模組，其用以在該光阻塗層程序與一曝光程序之間，以及該曝光程序與該顯影程序之間，對該基板執行程序；其中該載入埠、該索引模組、該塗層/顯影模組、及該曝光前/後處理模組係排列於一於一第一方向延伸的線上。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之基板處理設備，其中該曝光前/後處理模組包含一保護層塗層腔室，該保護層塗層腔室將一保護層塗佈在該基板上。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之基板處理設備，其中該曝光前/後處理模組更包含一清洗腔室，該清洗腔室清洗該基板。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之基板處理設備，其中該曝光前/後處理模組包含被設置在不同層的一處理前模組與一處理後模組，其中該處理前模組包含一將該保護層塗佈在該基板上的保護層塗層腔室，以及該處理後模組包含一清洗該基板的清洗腔室。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之基板處理設備，其中該處理前模組更包含一烘烤腔室及一處理前機器人，該烘烤腔室對該基板執行一烘烤程序，該處理前機器人在該烘烤腔室與該保護層塗層腔室之間傳輸該基板；以及該處理後模組更包含一曝光後烘烤腔室及一處理後機器人，該曝光後烘烤腔室在該曝光程序後對該基板執行一烘烤程序，該處理後機器人在該清洗腔室與該曝光後烘烤腔室之間傳輸該基板。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之基板處理設備，其中該塗層/顯影模組包含被設置於不同層的一塗層模組與一顯影模組；該塗層模組包含一塗層腔室、一烘烤腔室及一塗層機器人，該塗層腔室將該光阻塗佈在該基板上，該烘烤腔室熱處理該基板，該塗層機器人在該塗層模組的該烘烤腔室與該塗層腔室之間傳輸該基板；以及該顯影模組包含一顯影腔室、一烘烤腔室及一顯影機器人，該顯影腔室對該基板執行顯影程序，該烘烤腔室熱處理該基板，該顯影機器人在該顯影模組的該烘烤腔室與該顯影腔室之間傳輸該基板。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之基板處理設備，其中該塗層模組係與該處理前模組位於一同一高度，以及該顯影模組係與該處理後模組位於一同一高度。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之基板處理設備，更包含一被設置於該塗層/顯影模組與該曝光前/後處理模組之間的緩衝器模組，其中該緩衝器模組包含一用以暫時地儲存該基板的緩衝器。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之基板處理設備，其中該保護層塗層腔室、一具有該處理前機器人的歸還腔室、及該處理前模組的該烘烤腔室於俯視時係連續地排列在一與該第一方向垂直的第二方向；該清洗腔室、一具有該處理後機器人的歸還腔室、及該曝光後烘烤腔室於俯視時係連續地排列在該第二方向；該塗層腔室、一具有該塗層機器人的歸還腔室、及該塗層模組的該烘烤腔室於俯視時係連續地排列在該第二方向； 該顯影腔室、一具有該顯影機器人的歸還腔室、及該顯影模組的該烘烤腔室於俯視時係連續地排列在該第二方向；以及具有該處理前機器人的該歸還腔室、具有該處理後機器人的該歸還腔室、具有該塗層機器人的該歸還腔室、及具有該顯影機器人的該歸還腔室的每一個係與該緩衝模組的該緩衝器於該第一方向並列。
  25. 如申請專利範圍第16項所述之基板處理設備，更包含一被設置於該塗層/顯影模組與該曝光前/後處理模組之間的緩衝器模組，其中該緩衝器模組包含一用以暫時地儲存該基板的緩衝器。
  26. 如申請專利範圍第16項所述之基板處理設備，更包含一第一緩衝模組及一第二緩衝模組，該第一緩衝模組被設置於該索引模組與該塗層/顯影模組之間，該第二緩衝模組被設置於該塗層/顯影模組以及該曝光前/後處理模組織之間，其中該第一與第二緩衝模組的每一個包含一用以暫時地儲存該基板的緩衝器。
  27. 如申請專利範圍第16項所述之基板處理設備，更包含一連接至一曝光模組的介面模組。
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