CN101801605A - 工件研磨用头及具备此研磨头的研磨装置 - Google Patents

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Abstract

本发明是一种研磨头,其将橡胶膜做成罩状的构造,使橡胶膜的固定在中板上的位置,成为远离工件保持部侧的位置,罩状橡胶膜的末端部做成O形环状,并使中板与橡胶膜的接触面积减少至极限为止,而支持于中板上的构造。以此,可提供一种研磨头及具备此研磨头的研磨装置,针对橡胶夹头方式的研磨头,可极度地抑制在工件表面上发生伤痕等的表面缺陷,且可安定且均匀地研磨至工件外周为止。

Description

工件研磨用头及具备此研磨头的研磨装置
技术领域
本发明涉及一种在研磨工件的表面时,用以保持工件的研磨头、以及具备此研磨头的研磨装置,特别涉及将工件保持于橡胶膜上的研磨头及具备此研磨头的研磨装置。
背景技术
随着近年的半导体元件的高集积化,用于此处的半导体硅晶片的平面度的要求,日益严格。并且,为了提高半导体晶片的产率,也要求晶片的至边缘附近的区域为止的平坦性。
硅晶片的最终形状,是取决于最终制程也就是镜面研磨加工。特别是对于直径300mm硅晶片而言,为了满足严格的平坦度的规格,先以双面研磨进行一次研磨,之后,为了改善表面的伤痕和面粗度等,进行单面的表面二次研磨与精加工研磨。单面的表面二次研磨与精加工研磨中,被要求:维持在双面一次研磨中所做成的平坦度、以及将表面侧精加工成无伤痕等的缺陷的完全镜面。
一般的单面研磨装置,例如图8所示,其是由已贴附研磨布82的磨盘83、研磨剂供给机构84、以及研磨头85等所构成。如此的研磨装置81中,以研磨头85保持工件W,从研磨剂供给机构84向研磨布82上供给研磨剂86,且分别旋转磨盘83与研磨头85,来使工件W的表面与研磨布82作滑动接触,以此来进行研磨。
将工件保持于研磨头的方法,例如有隔着蜡等的接着剂将工件贴附在平坦的圆盘状板上的方法等。其它,如图9所示,还有:以抑制研磨头本体91与工件保持盘92的凹凸形状的转印为目的,于工件保持盘92,黏贴被称为衬垫膜93的弹性膜的保持方法;或是,将橡胶膜作为工件保持部,于该橡胶膜的背面,流入空气等的加压流体,以均匀的压力使橡胶膜膨胀,将工件按压在研磨布上,亦即所谓的橡胶夹头方式(例如参照日本特开2002-264005号)等。又,以抑制外周部分塌边,提高平坦性为目的,也有提出一种研磨头,其配置有定位环,作为用以将研磨布按压在工件的外侧配置的手段。
先前的橡胶夹头方式的研磨头的构成的一例,概略地表示于图10a。为了密封于其底面设有凹部的圆盘状中板102a的凹部,而贴上橡胶膜(橡胶材料)104a,并经由第一压力调整机构105a,供给流体至第一密闭空间部103a内,而成为可按压晶片W的构造,亦即成为橡胶夹头构造。进而,中板102a,隔着弹性膜106a连接于研磨头本体101a,经由第二压力调整机构108a,供给流体至以弹性膜106a密闭的第二密闭空间部107a内,而成为可加压中板102a的构造。以于研磨加工中保持晶片为目的,圆环状的导环109a连接于研磨头本体101a,而成为被配置于晶片W的外侧的构造。又,也有如图10b般地未具有中板102b的加压机构,而仅以橡胶膜104b来进行加压的方式的构造。进而,以抑制外周部的塌边为目的,也提出一种研磨头,如图10c般地配置有用以按压研磨布的定位环,来取代导环。定位环109c,成为一种经由第三压力调整机构112c,供给流体至以弹性膜110c密闭的第三密闭空间部111c内来按压研磨布的构造。
如图10a、图10b的构造般地在中板的凹部开口端部,伸张地设置橡胶膜的构造的情况,于开口端部附近,因张力的影响,橡胶膜的刚性会有效地变高,施加于工件的外周部分的压力也会变高,而有发生外周塌边的问题。又,也有如图10d般地,提出一种将橡胶膜的支持部P(开口端部)的位置,相对于工件上升,降低外周部分的压力,来抑制外周塌边的手段(例如参照日本专利公开公报特开2002-264005号)。然而,若想要改善晶片的外周塌边,相反地,将会成为晶片外周翘起的形状,而会发生:均匀性恶化;或是因橡胶膜伸张地设置时的张力不均的影响,形状不安定等的问题。也有如图10c般地,提出一种在工件的外侧配置定位环,直接按压研磨布,来抑制外周塌边的手段,但是也会发生:因定位材料也会被研磨,由于从该处来的发尘等的影响,造成在工件表面发生伤痕;或是因按压而造成研磨剂未充分供给至工件表面上,而引起研磨速度的降低等的问题。
发明内容
随着近年的半导体元件的高集积化,用于此处的半导体硅晶片的平面度的要求日益严格。并且,为了提高半导体晶片的产率,也要求晶片的至边缘附近的区域为止的平坦性。
硅晶片的最终形状是取决于最终制程也就是镜面研磨加工。特别是对于直径300mm硅晶片而言,为了满足严格的平坦度的规格,先以双面研磨进行一次研磨,之后,为了改善表面的伤痕和面粗度等,进行单面的表面二次研磨与精加工研磨。单面的表面二次研磨与精加工研磨中,被要求维持在双面一次研磨中所做成的平坦度、以及将表面侧精加工成无伤痕等的缺陷的完全镜面。
一般的单面研磨装置,例如图8所示,是由:已贴附研磨布82的磨盘83、研磨剂供给机构84、以及研磨头85等所构成。如此的研磨装置81中,以研磨头85保持工件W,从研磨剂供给机构84向研磨布82上供给研磨剂86,且分别旋转磨盘83与研磨头85,来使工件W的表面与研磨布82作滑动接触,以此来进行研磨。
将工件保持于研磨头的方法,例如有隔着蜡等的接着剂将工件贴附在平坦的圆盘状板上的方法等。其它,如图9所示,还有:以抑制研磨头本体91与工件保持盘92的凹凸形状的转印为目的,于工件保持盘92,黏贴被称为衬垫膜93的弹性膜的保持方法;或是,将橡胶膜作为工件保持部,于该橡胶膜的背面,流入空气等的加压流体,以均匀的压力使橡胶膜膨胀,将工件按压在研磨布上,亦即所谓的橡胶夹头方式(例如参照日本特开2002-264005号)等。并且,以抑制外周部分塌边,提高平坦性为目的,也有提出一种研磨头,其配置有定位环,作为用以将研磨布按压在工件的外侧配置的手段。
先前的橡胶夹头方式的研磨头的构成的一例,概略地表示于图10a。为了密封于其底面设有凹部的圆盘状中板102a的凹部,而贴上橡胶膜(橡胶材料)104a,并经由第一压力调整机构105a,供给流体至第一密闭空间部103a内,而成为可按压晶片W的构造,亦即成为橡胶夹头构造。进而,中板102a隔着弹性膜106a连接于研磨头本体101a,经由第二压力调整机构108a,供给流体至以弹性膜106a密闭的第二密闭空间部107a内,而成为可加压中板102a的构造。以于研磨加工中保持晶片为目的,圆环状的导环109a连接于研磨头本体101a,而成为被配置于晶片W的外侧的构造。另外,也有如图10b般地未具有中板102b的加压机构,而仅以橡胶膜104b来进行加压的方式的构造。进而,以抑制外周部的塌边为目的,也提出一种研磨头,如图10c般地配置有用以按压研磨布的定位环,来取代导环。定位环109c,成为一种经由第三压力调整机构112c,供给流体至以弹性膜110c密闭的第三密闭空间部111c内来按压研磨布的构造。
如图10a、图10b的构造般地在中板的凹部开口端部,伸张地设置橡胶膜的构造的情况,于开口端部附近,因张力的影响,橡胶膜的刚性会有效地变高,施加于工件的外周部分的压力也会变高,而有发生外周塌边的问题。又,也有如图10d般地,提出一种将橡胶膜的支持部P(开口端部)的位置,相对于工件上升,降低外周部分的压力,来抑制外周塌边的手段(例如参照日本专利公开公报特开2002-264005号)。然而,若想要改善晶片的外周塌边,相反地,将会成为晶片外周翘起的形状,而会发生:均匀性恶化;或是因橡胶膜伸张地设置时的张力不均的影响,形状不安定等的问题。也有如图10c般地,提出一种在工件的外侧配置定位环,直接按压研磨布,来抑制外周塌边的手段,但是也会发生:因定位材料也会被研磨,由于从该处来的发尘等的影响,造成在工件表面发生伤痕;或是因按压而造成研磨剂未充分供给至工件表面上,而引起研磨速度的降低等的问题。
附图说明
图1是表示本发明的研磨头的第一形式的概略剖面图。
图2是表示本发明的研磨头的第二形式的概略剖面图。
图3是表示本发明的研磨头中的工件与橡胶膜的位置关系的概略图。
图4是表示本发明的研磨头的第三形式的概略剖面图。
图5是表示具备本发明的研磨头的研磨装置的一例的概略构成图。
图6是表示在实施例中研磨后的工件的研磨量分布的图表。
图7是表示在实施例、比较例1、比较例2-1、比较例2-2中研磨后的工件的研磨量分布的图表。
图8是表示单面研磨装置的一例的概略剖面图。
图9是表示先前的研磨头的一例的概略剖面图。
图10a是表示先前的研磨头的一例的概略剖面图。
图10b是表示先前的研磨头的另一例的概略剖面图。
图10c是表示先前的研磨头的另一例的概略剖面图。
图10d是表示先前的研磨头的另一例的概略剖面图。
具体实施方式
以下,对于本发明更具体地说明。
如上所述,特别是半导体硅晶片的工件的情况时,表面的平坦性与无伤痕、缺陷等的表面的完全性,被要求更高的水平。橡胶夹头方式的研磨头的情况时,与先前的接着于陶瓷板等的上来进行研磨的方式的研磨头相较,虽然可进行更高平坦性的加工,但特别是在工件的外周部分,会有发生外周塌边等的问题。并且,以改善如此的外周塌边的为目的,虽然有提出一种先将定位环配置在工件的保持面的外侧,于工件研磨加工中,按压工件的外侧部分的研磨布来抑制外周塌边的方式的研磨头,但是,因来自定位环的异物等的影响,也会发生:在工件表面上发生伤痕;或是因以定位环按压研磨布,研磨剂未充分供给至工件表面,而引起研磨速度的降低等的问题。为了解决如此的问题,提供一种可高平坦性地加工工件的研磨头与研磨装置,本发明者进行了实验与检讨。
其中,本发明者发现以下的先前技术的问题点。
先前的橡胶夹头方式的研磨头,如图10a般,于中板102a设有凹部,于该凹部开口端部伸张地设置橡胶膜104a,因此成为其橡胶膜支持端接近工件保持部的构造;橡胶膜支持端附近因张力的影响,其橡胶膜的刚性有效地变高,施于工件W的外周部分的压力变高,其结果,发生外周塌边。又,如图10d般,也提出一种使橡胶膜的支持部P(开口端部)的位置,相对于工件W上升,降低外周部的压力,来抑制外周塌边的方法。但是,已知因橡胶膜的支持端的张力不均的影响,于工件的圆周方向形状不稳定。
对此,本发明者进行努力实验与检讨,发现将橡胶膜做成其上部在圆形上开口而成的中空圆盘状也就是罩状的构造,使橡胶膜的固定在中板上的位置成为远离工件保持部侧的位置,罩状橡胶膜(以下称为橡胶膜)的末端部做成O形环状,并使中板与橡胶膜的接触面积减少至极限为止,而支持于中板,以此,可对于橡胶膜抑制多余的张力的发生,不用提高工件外周部分的橡胶膜的刚性,便可对工件整体施加均匀的研磨荷重,而完成本发明。
以下,一边参照附图,一边具体地说明本发明的研磨头以及研磨装置,但本发明不限定于此形态。
图1是表示本发明的研磨头的第一形式。此研磨头10,其末端部具备成为O形环状的罩状的橡胶膜13(橡胶膜)。该橡胶膜13的末端部的O环部,被大约圆盘状的中板12a和12b所夹持,这些中板12a、12b具备为了保持该O环部而设置的圆环状沟。橡胶膜13仅以其末端部的O环等的夹入部,与中板接触,该橡胶膜13的底面、侧面是以未接触中板12b的状态,被大约圆盘状的中板12a、12b所夹持。又,已夹持橡胶膜13的大约圆盘状的中板12a、12b是被固定于凸缘状构造的研磨头本体11。在研磨加工中用以保持工件W的边缘的圆环状的导环19,沿着工件W的外周配置,该导环19是连接于研磨头本体。通过第一压力调整机构15供给流体至以橡胶膜13密闭的第一密闭空间部14内,使该橡胶膜13膨胀,而成为可施加荷重于工件W背面的构造。
又,以工件W的背面保护为目的,较佳是在橡胶膜13的工件保持部,贴上衬垫膜来使用。
如此,做成橡胶膜13的固定端部已配置于远离工件W的保持部的位置的构造,且使中板12a、12b与橡胶膜13的接触面积减少至极限为止,藉此可抑制基于将该橡胶膜13支持于中板12a、12b上而发生的多余的张力,因此,可对工件W整体施加均匀的荷重来研磨工件W。
以此,能够作出一种研磨头,与先前相较,可维持工件的整个面的高平坦性,且即使是工件的外周部,也能抑制翘起、塌边等的发生。
进而,因未使用定位环等,可防止来自定位材料等的发尘,能抑制在工件表面发生损伤。而且,因研磨剂充分地供给至工件表面,可做成一种不会引起研磨速度降低的研磨头。
图2是表示本发明的研磨头的第二形式。此研磨头20是与图1所示的研磨头10相异,其中板22a与22b未连接于研磨头本体21,而连接于第一高度调整机构26上,成为可上下变化橡胶膜23的位置的构造。
而且,研磨头本体21连接圆环状的导环29,该导环29在研磨加工中用以保持工件W的边缘;研磨头本体21与第二高度调节机构27连接,而成为能够使导环29的高度方向的位置作上下变化的构造。导环29的位置能够进行调节,使研磨布与导环的间隙成为仅是工件W的厚度的25~45%。
如此,通过具备可与研磨头本体分离独立地调整中板的高度的机构(第一高度调整机构),可改变固定于中板上的橡胶膜的高度,以此,可利用橡胶膜侧面的刚性的影响,来改变对于工件外周部分的压力,进而,配合工件的加工前形状(翘起、塌边形状等)来改变加工条件,可容易地将加工后的工件加工成更平坦化。
又,利用附加用以调节研磨头本体亦即导环的高度的机构(第二高度调节机构),可将导环与研磨布的间隙保持一定,安定地保持工件,不会降低研磨速度、或是使工件的表面质量劣化,而能够更容易地进行工件的研磨加工。
又,利用将研磨布与导环的间隙保持为工件的厚度的25~45%,可防止因导环与研磨布的间隙过小时所引起的研磨剂的供给不足而发生的研磨速度的降低;又,可防止发生当间隙过大时无法于研磨加工中保持工件。
而且,如上所述,作为第一高度调整机构与第二高度调整机构,可采用滚珠螺杆。
通过将滚珠螺杆采用于高度调整机构中,更精密的调节变得容易,能以更高精度的方式,安定地进行研磨。
图3是表示改变橡胶膜33的位置时的工件W与橡胶膜33的状态。(a)是表示橡胶膜33的底面位置与工件W的背面位置相同的状态(基准位置)、(b)是表示使橡胶膜33的位置较(a)下降的状态、(c)是表示使橡胶膜33的位置较(a)上升的状态。如图3(b)般地将橡胶膜33的位置降下的情况,橡胶膜33的底面成为强力地按压在工件W的背面上的状态,于是橡胶膜33的侧面成为横向膨胀的状态。此时,因橡胶膜侧面的刚性的影响,施于工件W的外周部上的压力变高,工件的外周部分成为塌边形状。又,如图3(c)般地提高橡胶膜33的位置的情况,由于该橡胶膜33的中心部份的膨胀变大,而橡胶膜33的外周部分的膨胀变小,施于工件W的外周部上的压力变小,工件的外周部分会成为翘起的形状。
如此,通过改变橡胶膜33的位置,可将工件W的外周部分的形状控制成为平坦、塌边、翘起的任一形状。因此,通过配合加工前的工件W的形状(平坦、塌边、翘起),来调节橡胶膜33的位置,将工件W的形状修正为平坦变得容易。
图4是表示本发明的研磨头的第三形式。此研磨头40是不采用如图2中所示的机械性上下移动机构的方法,来作为调节橡胶膜43的高度的手段的一例。以弹性膜47将中板42a与研磨头本体41连接,通过第二压力调整机构48,调整以中板42a、弹性膜47与研磨头本体41所密闭的第二密闭空间部46的压力,进行减压,使中板42a、42b与橡胶膜43上升,并通过已安装于研磨头本体上的停止器50调节中板的高度,来调节橡胶膜43的位置。若是此种方法,可利用更简便的构造来调整橡胶膜的高度。
如此,具有前述橡胶膜的中板部分与研磨头本体部,以弹性膜连接,并利用调整以中板部分、研磨头本体与弹性膜所密闭的第二密闭空间部内的压力,可使中板上升、下降;又,可通过调整安装于研磨头本体上的停止器的高度,来调整中板的高度位置,以此,可利用简便的机构来控制橡胶膜的高度。
进而,于停止器中采用压电元件,并置入利用施加电压来改变停止器的厚度的机构,可自动调节中板与橡胶膜的高度于任意位置。
又,若以压电元件来形成停止器,停止器厚度做成可变时,能自动地调节橡胶膜于任意高度,配合工件的研磨前的形状,能将外周部的形状,从塌边至翘起,任意地进行自动调节,可容易地将工件加工成更平坦化。
图5是表示本发明的研磨装置的一例。此研磨装置51是由已贴附研磨布52的磨盘53、供给研磨剂56的研磨剂供给机构54、以及如图2所示的本发明的研磨头55等所构成。
如此,若采用具备本发明的研磨头的研磨装置,来进行工件的研磨,则能够做成一种研磨装置,可对工件整体施以均匀的研磨荷重来研磨工件,于工件的整个面,特别是可于外周部维持高平坦性地进行研磨。
进而,在研磨布52的上方,可具备测距感应器57,其采用雷射等非接触方式,来测定研磨头本体与研磨布的间的距离。
利用此测距用的感应器57,测定至研磨布52为止的距离(研磨布的厚度)与至研磨头本体55为止的距离,其结果是被传送至第一高度调整机构58与第二高度调整机构59。
对应工件W的厚度与研磨布52的厚度,橡胶膜的位置可通过第一高度调整机构58而被调整至最适当的位置。又,导环的位置也可同时地经由第二高度调整机构59,通过上下移动机构而调整至最适当的位置。
如此,利用具备第一高度调整机构,此机构可对应以感应器测定的从研磨头本体至研磨布为止的距离,来调节中板亦即橡胶膜的高度,便可配合工件的加工前形状来进行修正形状的研磨,其结果,可使研磨后的工件的表面平坦性更良好。进而,利用具备第二高度调整机构,此机构可对应以感应器测定的从研磨头本体至研磨布为止的距离,来调节研磨头本体的高度,便可将连接于研磨头本体上的导环与研磨布之间的间隙保持一定、安定地保持工件,且不会使研磨速度降低、或是使工件的表面质量劣化地进行工件的研磨加工。
以下,表示实施例与比较例,更具体地说明本发明,但本发明不限定于此实施例。
(实施例)
以螺栓连接如图2所示的厚度3mm、外径293mm的两片中板,来夹持厚度1mm、底面部的外径301mm、高度6.5mm的罩状的橡胶膜,其末端部具有直径289mm的O环形状(直径2mm)。又,在橡胶膜的周围,配设内径302mm的导环。采用一种使用滚珠螺杆的机构来作为橡胶膜的上下机构、或是导环的上下机构。
采用一种具备如上所述的研磨头的研磨装置,如下所述地,进行工件(直径300mm、厚度775μm的单晶硅晶片)的研磨。又,使用的单晶硅晶片,其双面预先施以一次研磨,其边缘部也已施以研磨。又,磨盘是使用直径800mm者,研磨布是使用通常使用者。
研磨之际,使用研磨剂中含有硅酸胶(colloidal silica)的碱性溶液,研磨头与磨盘分别以31rpm、29rpm旋转。工件W的研磨荷重(按压力)是使利用橡胶膜密闭的第一密闭空间部的压力成为20kPa。研磨时间设为80秒。导环与研磨布的间隙调整为250μm,橡胶膜的高度,以工件背面的高度作为基准的0mm,将橡胶膜远离工件的方向定为负值,设定-0.25mm、-0.15mm、0mm、+0.05mm、+0.10mm的五种条件,分别实施工件的表面研磨加工。
对于如此地进行研磨后的工件的面内的研磨量的均匀性进行评价。关于研磨量,是以平坦度测试器对于面内研磨前后的工件的厚度作为平坦度保证区域,测定除了最外周部2mm宽以外的区域,取得工件的研磨前后的厚度的差量而算出。
此结果,所得的从中心算起的距离100mm~148mm为止的工件的研磨量分布,表示于图6。图6是表示在实施例中研磨后的工件的研磨量分布的图表。
在基准高度0mm的条件下,至工件的外周部为止,会被研磨成平坦状,为良好的结果。
又,利用改变橡胶膜的位置,确认了距工件的中心约140mm处的更外侧部分的研磨量变化。例如,按压工件后的+0.20mm的情况下,能够使工件的外周部成为塌边形状。又,缩小橡胶膜的外周部的膨胀后的-0.25mm的情况下,能够使工件的外周部成为翘起形状。
(比较例1)
以一种研磨装置,其具备如图9所示的于周围配设有导环的工件保持盘上,隔着衬垫膜来保持工件的研磨头,与实施例同样地,实施工件W的表面研磨加工。但是,直接对保持盘施加荷重,而对于工件W施加20kPa来作为单位荷重。
(比较例2-1)
以一种研磨装置,其具备如图10b所示的其橡胶膜支持端接近工件保持部的研磨头,与实施例同样地,实施工件的表面研磨加工。
(比较例2-2)
以具备如图10d所示的研磨头的研磨装置,与实施例同样地,实施工件的表面研磨加工。又,橡胶膜的支持点P,相对于比较例2-1的上升量为0.2mm。
将比较例1、比较例2-1、2-2的距工件的中心100mm~148mm为止的研磨量分布,表示于图7。又,为了进行比较,以实施例的橡胶膜基准高度0mm,研磨加工后的研磨量分布,也并记于图7。
如上所述,采用实施例的研磨头进行研磨后的工件,是被研磨成至工件外周部为止都是平坦的,为良好的结果。
相对于此种情况,比较例1的情况,因保持盘的凹凸的影响,造成于工件的面内的研磨量有微小的不均,且外周部分的研磨量变多。
又,比较例2-1的情况,橡胶膜支持于中板的凹部开口端部,其附近的弹性膜的刚性有效地变高,施于工件的外周部分的压力变高,工件的外周部分的研磨量极端地变大。
而且,在比较例2-2中,因橡胶膜的支持点位置,相对于比较例2-1上升0.2mm,稍微地改善了最外周部分的塌边情况,但是相反地,从120mm附近开始成为翘起的形状,研磨量均匀性成为恶化的结果。
又,本发明并非被限定于上述实施形态者。上述实施形态仅为例示,凡是具有和本发明权利要求所记载的技术思想实质相同的构成,可达到同样的作用效果者,皆包含在本发明的技术范围中。
例如,本发明的研磨头不限定于图1、图2、图3所示的形式,例如,研磨头本体的形状等,除了关于权利要求所记载的要件以外,可适当地设计。
又,研磨装置的构成也不限定于图5所示者,例如,可为具备复数个本发明的研磨头的研磨装置。

Claims (8)

1.一种研磨头,是针对:
至少在研磨头本体的下部,具备:大约圆盘状的中板;
保持于该中板,至少覆盖中板的底面部与侧面部的橡胶膜;以及设于前述橡胶膜的周围的圆环状的导环;
具有被前述中板与前述橡胶膜包围而成的第一密闭空间部,并构成以第一压力调整机构来改变前述第一密闭空间部的压力;
并且,将工件的背面保持于前述橡胶膜的底面部,且使该工件的表面滑动接触于已贴附在磨盘上的研磨布上来进行研磨的形态的研磨头,其特征在于:
前述橡胶膜,其被保持于前述中板上的末端部,形成O形环状,前述中板是被形成分割为上下两片;
前述中板与前述橡胶膜,是在前述中板的至少底面部的整个面与侧面部之间具有间隙,且利用前述橡胶膜的O形环状的末端部被夹入前述分割的中板中,以保持前述橡胶膜于前述中板上。
2.如权利要求1所述的研磨头,其中前述中板是与前述研磨头本体分离,且具备第一高度调整机构,其独立于前述研磨头本体,用以调整该中板的高度方向的位置。
3.如权利要求1或2所述的研磨头,其中前述研磨头本体是与前述中板分离,且具备第二高度调整机构,其独立于前述中板,用以调整该研磨头本体的高度方向的位置;该第二高度调整机构是将前述研磨布与前述导环的间隙的距离,保持于前述工件厚度的25~45%的宽度。
4.如权利要求2或3所述的研磨头,其中前述第一高度调整机构与前述第二高度调整机构是采用滚珠螺杆。
5.如权利要求2所述的研磨头,其中具备:连接前述中板与前述研磨头本体的弹性膜、以及安装于前述研磨头本体上的停止器,
具有以前述中板、前述研磨头本体及前述弹性膜所包围而成的第二密闭空间部,构成利用第二压力调整机构来改变前述第二密闭空间部的压力;
前述第一高度调整机构是前述停止器。
6.如权利要求5所述的研磨头,其中前述停止器是压电元件。
7.一种研磨装置,是在研磨工件的表面时所使用的研磨装置,其特征在于至少具备:
贴附于磨盘上的研磨布;
用以将研磨剂供给至该研磨布上的研磨剂供给机构;以及
权利要求1~6中任一项所述的研磨头作为用以保持前述工件的研磨头。
8.如权利要求7所述的研磨装置,其中具备:非接触地检测从前述研磨头本体至前述研磨布为止的距离的感应器、前述第一高度调整机构、以及前述第二高度调整机构,
前述第一高度调整机构,是对应利用前述感应器所检出的从前述研磨头本体至前述研磨布为止的距离,来调整前述中板与前述橡胶膜的高度方向的位置;前述第二高度调整机构,是对应利用前述感应器所检出的从前述研磨头本体至前述研磨布为止的距离,来调整前述研磨布与前述导环的间隙的高度方向的位置。
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