JP4833355B2 - 研磨ヘッド及び研磨装置 - Google Patents
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Description
一般的な片面研磨装置は、例えば図10に示したように研磨布89が貼り付けられた定盤88と、研磨剤供給機構90と、研磨ヘッド81等から構成されている。このような研磨装置82では、研磨ヘッド81でワークWを保持し、研磨剤供給機構90から研磨布89上に研磨剤を供給するとともに、定盤88と研磨ヘッド81をそれぞれ回転させてワークWの表面を研磨布89に摺接させることにより研磨を行う。
このように、前記研磨するワークが、直径が300mm以上のような大直径のシリコン単結晶ウェーハであっても、本発明によりワークの全面にわたってより均一な研磨圧力を与えて研磨を行うことができ、良好な研磨代均一性を確保することができる。
このように、前記環状の壁により仕切られた複数の密閉空間のうち内側の少なくとも1つの密閉空間の外径が、前記テンプレートの内径の102%以下であれば、テンプレートの剛性の影響を抑制してワークに対して圧力変化を与えることができ、ワークに対する研磨圧力調整を効率的に行うことができる。
従来の研磨ヘッドを用い、弾性膜にワークを保持してワークの研磨を行った際、ワークの厚さや、テンプレートの厚さのばらつきの影響等により、安定して良好な平坦性が得られないという問題があった。また、ワークの研磨前の形状が平坦でない場合には、ワークの形状を修正できるように研磨プロファイルの調整が必要であるが、従来の研磨ヘッドでは容易に研磨プロファイルを調整できないという問題があり、実際には研磨ヘッド自体を所望の研磨プロファイルを有するものに交換して研磨を行う必要があった。
その結果、本発明者らは以下のことを見出した。
すなわち、研磨するワークを保持するラバー膜の大きさがワークとほぼ同一かやや大きい程度の大きさである場合、ワークに対する研磨圧力が、特にワークの外周部において不均一になる場合がある。
そして、原理的には、ワークの厚みやテンプレートの厚みを厳密に管理して、テンプレート下面位置とワーク下面位置が同じになるように調整すれば、ワークに対して均一な研磨荷重を与えることが可能となり、また、ワークの加工形状に合わせてテンプレートの厚みを調整すれば、ワークを平坦に修正することも可能となることが分かった。
図1に示すように、研磨ヘッド1は、SUS(ステンレス)等の剛性材料からなる環状の剛性リング4と、剛性リング4に均一の張力で接着され、下面が平坦であるラバー膜3(弾性膜)と、剛性リング4にボルト等で結合された中板5とを備える。
この剛性リング4と、ラバー膜3と、中板5とによって、密閉された空間部6が形成されている。
また、図1に示すように、研磨ヘッド1は、空間部6の圧力を変化させる圧力調整機構7a、7bを具備している。
また、ラバー膜3の下面部の周辺部には、剛性リング4と同心状に環状のテンプレート14が配設されている。このテンプレート14は、ワークWのエッジ部を保持するためのものであり、ラバー膜3の下面部の外周部に沿って、下方に突出するように配設されている。
このように、ワークWよりラバー膜3が大幅に大きくなるような構造であれば、研磨時にワークWに対する研磨圧力の均一性を改善することができ、研磨代均一性を向上することができる。
このようにすれば、ワーク全面にかかる押圧力をより均一にして研磨することができる。
またここで、テンプレート14の材質は、ワークWを汚染せず、かつ、キズや圧痕をつけないために、ワークWよりも柔らかく、研磨中に研磨布9と摺接されても磨耗しにくい、耐磨耗性の高い材質であることが好ましい。
またここで、壁16の材質をラバー膜3と全く同一の材料とし、一体成型したものとすることができる。あるいは、別な材料をラバー膜3に接着または溶着したものでも良いが、ラバー膜3のような軟質な材料が好ましい。
また、環状の壁16により仕切られた複数の密閉空間のうち内側にある密閉空間15bの外径LDは、ワークWの平坦度保証領域径以上であるように形成されている。
このように密閉空間15a、15bを形成すれば、壁16で仕切られた2つの密閉空間15a、15bに圧力差を与えることで、ワークWに対する研磨圧力の調整を行うことができる。
また、研磨ヘッド1は、その軸周りに回転可能となっている。
そして、密閉空間25bの圧力を密閉空間25cの圧力に対して僅かに変化させて調整することができる。
このように、研磨するワークWが、直径が300mm以上のような大直径のシリコン単結晶ウェーハであっても、本発明によりワークWの全面にわたってより均一の押圧力で研磨することができ、良好な研磨代均一性を確保することができる。
図3に示すように、この研磨装置2は、図2に示すような研磨ヘッド21、定盤8を有している。定盤8は円盤形状であり、上面にワークWを研磨する研磨布9が貼付されている。そして、定盤8の下部には駆動軸11が垂直に連結され、その駆動軸11の下部に連結された定盤回転モータ(不図示)によって回転するようになっている。
そして、研磨ヘッド21は定盤8の上方に設置されている。
また、中板5を研磨布9に押圧する中板押圧手段を有している(不図示)。
このように構成された研磨装置2を用いて、図示しない中板押圧手段により中板5を定盤8上に貼り付けられた研磨布9の方向に押圧し、研磨剤供給機構10を介して研磨剤を供給しながら、ワークWを研磨布9に摺接してワークWの表面を研磨することができる。ここで、中板押圧手段は、中板5を全面にわたって均一の圧力で押圧できるものが好ましい。
図1に示すような本発明に係る研磨ヘッド1及びその研磨ヘッドを具備した研磨装置を用い、ワークWを研磨し、研磨中のワークWの圧力分布と研磨代均一性を評価した。
研磨ヘッド1は以下のような構成のものを使用した。
剛性リング4は外径が358mm、内径が320mmとし、材料はSUS製とした。ラバー膜3は硬度が70(JIS K6253準拠)のシリコーンゴム製のものとし、厚さを1mmとした。
また、ワークWとして、直径300mm、厚さ775μmのシリコン単結晶ウェーハの研磨を行った。尚、使用したシリコン単結晶ウェーハは、その両面には予め一次研磨を施し、エッジ部にも研磨を施した。
このような研磨装置を用い、以下のようにしてウェーハの研磨を行った。
図4に示すように、後述する比較例1と比べ研磨圧力の均一性が向上していることが分かる。
このように本発明では、ウェーハの外側上方に位置する密閉空間15aの圧力P2をウェーハ内側上方に位置する密閉空間15bの圧力P1よりも高く調整するので、ウェーハの下面位置とテンプレートの下面位置のばらつきによる、ウェーハ外周部分の研磨圧力低下を補正し、均一な研磨圧力を得ることができることが確認できた。
以上により、本発明に係る研磨ヘッド及び研磨装置は、ワークに対して均一な研磨圧力を与えて研磨を行うことができ、ワークの厚さやテンプレートの厚さが多少ばらついても、常に良好な平坦性及び研磨代均一性を確保することができることが確認できた。
密閉空間15aの圧力P2を15KPa、16.13KPa、16.5KPa、18KPaとした以外、実施例1と同様にしてウェーハを研磨し、研磨圧力分布を評価した。
結果を図5に示す。図5に示すように、P2の圧力を変えることにより、ウェーハ外周部の研磨圧力が変化し、研磨圧力分布を調整できることが確認できた。
研磨ヘッド1の内側の密閉空間15bの外径LDを296mm、301mm、302mm、304mm、308mmとした研磨ヘッドを用い、密閉空間15aの圧力P2を15〜30KPaとした以外、、実施例1と同様にしてウェーハを研磨し、研磨代均一性を評価した。
外径LDが304mmと308mmの時の研磨代均一性と密閉空間15aの圧力P2との関係の結果を図6に示す。図6に示すように、圧力P2を調整することにより研磨代均一性が向上することができることが分かった。図7に各外径LDの研磨代均一性の最小値の結果を示す。図7に示すように、後述する比較例2の結果と比べ研磨代均一性は改善され、2.5%以下という良好な結果となっていることが分かる。
図2に示すような本発明に係る研磨ヘッド21及びその研磨ヘッド21を具備した研磨装置を用い、ワークWを研磨し、研磨中のワークWの圧力分布と研磨代均一性を評価した。
研磨ヘッド21は空間部6が以下に示すように、3つの密閉空間25a、25b、25cで形成され、それぞれが圧力調整機構7a、7b、7cによって独立して圧力調整されている以外、実施例1と同様なものを使用した。
また、密閉空間25cの圧力P1を15KPa、密閉空間25aの圧力P2を16.13KPa、密閉空間25bの圧力P3を14.6KPaとなるよう圧力調節機構7a、7b、7cで調整した。
結果を図8に示す。図8に示すように、実施例1の結果と比較して、更に研磨代均一性が改善され、1%以下のレベルとなっていることが分かる。
図9に示すような従来の研磨ヘッド及びその研磨ヘッドを具備した研磨装置を用いた以外、実施例1と同様な条件で、シリコン単結晶ウェーハの研磨を行い、研磨代均一性及び研磨圧力分布を評価した。
研磨圧力分布の結果を図4に示す。図4に示すように、研磨圧力分布が実施例1の結果と比べ悪化しているのが分かる。
また、研磨代均一性の結果を図8に示す。図8に示すように、研磨代均一性は約7.7%であり、実施例1、実施例2の結果と比べると大幅に悪化していることが分かる。
研磨ヘッドの内側の密閉空間の外径LDを292mmとした研磨ヘッドを用いた以外、実施例1と同様にしてウェーハを研磨し、研磨代均一性を評価した。
結果を図7に示す。図7に示すように、空間部を壁によって仕切り密閉空間を形成し、それぞれの密閉空間の圧力を調整することで、比較例1の結果の7.7%と比べると研磨代均一性が若干改善されてはいるものの、実施例1、実施例3の結果と比較すると、研磨代均一性は悪化している。
例えば、本発明に係る製造方法で製造する研磨ヘッドは、図1、図2に示した態様に限定されず、例えば中板の形状等は適宜設計すればよい。
Claims (4)
- 少なくとも、環状の剛性リングと、該剛性リングに均一の張力で接着されたラバー膜と、前記剛性リングに結合され、前記ラバー膜と前記剛性リングとともに空間部を形成する中板と、前記ラバー膜の下面部の周辺部に前記剛性リングと同心状に配設された環状のテンプレートと、前記空間部の圧力を変化させる圧力調整機構とを具備し、前記ラバー膜の下面部にワークの裏面を保持し、前記テンプレートで前記ワークのエッジ部を保持し、前記空間部の圧力で前記ラバー膜を膨らませて前記ワークを押圧し、該ワークの表面を定盤上に貼り付けた研磨布に摺接させて研磨するラバーチャック方式の研磨ヘッドであって、
前記空間部が、前記剛性リングと同心の少なくとも1つの環状の壁により仕切られて、複数の密閉空間が形成され、前記環状の壁により仕切られた複数の密閉空間のうち内側の少なくとも1つの密閉空間の外径が、前記ワークの平坦度保証領域径以上、かつ前記テンプレートの内径の102%以下であるように形成され、前記圧力調整機構は、前記複数の密閉空間内の圧力をそれぞれ独立に調整するものであることを特徴とする研磨ヘッド。 - 前記密閉空間の外径が前記ワークの平坦度保証領域径以上であるように形成されている密閉空間の内側に更に、前記剛性リングと同心状の他の密閉空間が少なくとも1つ以上形成されていることを特徴とする請求項1に記載の研磨ヘッド。
- 前記研磨するワークは、直径が300mm以上のシリコン単結晶ウェーハであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の研磨ヘッド。
- ワークの表面を研磨する際に使用する研磨装置であって、少なくとも、定盤上に貼り付けられた研磨布と、該研磨布上に研磨剤を供給するための研磨剤供給機構と、ワークを保持するための研磨ヘッドとして、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の研磨ヘッドを具備するものであることを特徴とする研磨装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20240004928A (ko) | 2021-06-16 | 2024-01-11 | 가부시키가이샤 사무코 | 연마 헤드, 연마 장치 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5392483B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2014-01-22 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
CN102351435B (zh) * | 2010-06-02 | 2015-07-08 | 松下电器产业株式会社 | 涂覆方法及有机电致发光显示器的制造方法 |
WO2013001719A1 (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-03 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
KR101238607B1 (ko) * | 2011-07-13 | 2013-02-28 | 주식회사 엘지실트론 | 템플레이트 어셈블리 정렬장치 및 방법 |
JP5878733B2 (ja) * | 2011-11-02 | 2016-03-08 | 株式会社東京精密 | テンプレート押圧ウェハ研磨方式 |
JP5955271B2 (ja) * | 2013-06-04 | 2016-07-20 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッドの製造方法 |
SG10201606197XA (en) | 2015-08-18 | 2017-03-30 | Ebara Corp | Substrate adsorption method, substrate holding apparatus, substrate polishing apparatus, elastic film, substrate adsorption determination method for substrate holding apparatus, and pressure control method for substrate holding apparatus |
SG10202002713PA (en) * | 2015-08-18 | 2020-05-28 | Ebara Corp | Substrate adsorption method, substrate holding apparatus, substrate polishing apparatus, elastic film, substrate adsorption determination method for substrate holding apparatus, and pressure control method for substrate holding apparatus |
CN107116417B (zh) * | 2017-06-19 | 2023-10-24 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 研抛工具和抛光机 |
CN107225454B (zh) * | 2017-06-20 | 2019-03-05 | 深圳中壹建设工程有限公司 | 建筑装修装饰用墙面打磨装置 |
DE102017210450A1 (de) * | 2017-06-21 | 2018-12-27 | Siltronic Ag | Verfahren, Steuerungssystem und Anlage zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe sowie Halbleiterscheibe |
CN107253131A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-10-17 | 深圳市汉匠自动化科技有限公司 | 一种3d屏幕研磨机 |
JP6891847B2 (ja) | 2018-04-05 | 2021-06-18 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッド及びウェーハの研磨方法 |
WO2020202682A1 (ja) * | 2019-04-05 | 2020-10-08 | 株式会社Sumco | 研磨ヘッド、研磨装置および半導体ウェーハの製造方法 |
CN110364463A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-10-22 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种硅片处理装置及方法 |
JP7372107B2 (ja) * | 2019-10-15 | 2023-10-31 | 株式会社岡本工作機械製作所 | ウェーハ研磨用ヘッド |
JP7290140B2 (ja) * | 2020-09-09 | 2023-06-13 | 株式会社Sumco | ウェーハ研磨方法およびウェーハ研磨装置 |
CN114589579B (zh) * | 2022-05-10 | 2022-08-12 | 眉山博雅新材料股份有限公司 | 一种抛光装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10277928A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Hitachi Ltd | 研磨装置 |
JPH11179652A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-06 | Ebara Corp | ポリッシング装置および方法 |
JP2002239894A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-28 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP2003031531A (ja) * | 2001-05-31 | 2003-01-31 | Samsung Electronics Co Ltd | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 |
JP2003061531A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-04 | Yoichiro Ogawa | 浮き及びルアー |
JP2004216548A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Samsung Electronics Co Ltd | 研磨装置及びこれを使用する研磨方法 |
JP2004311506A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ研磨装置及びその研磨ヘッド並びにウエーハ研磨方法 |
JP2005268566A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Ebara Corp | 化学機械研磨装置の基板把持機構のヘッド構造 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0569310A (ja) | 1991-04-23 | 1993-03-23 | Mitsubishi Materials Corp | ウエーハの鏡面研磨装置 |
US5584746A (en) * | 1993-10-18 | 1996-12-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor |
US5624299A (en) * | 1993-12-27 | 1997-04-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use |
JP3158934B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
JP3663767B2 (ja) * | 1996-09-04 | 2005-06-22 | 信越半導体株式会社 | 薄板の鏡面研磨装置 |
US5851140A (en) * | 1997-02-13 | 1998-12-22 | Integrated Process Equipment Corp. | Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate |
US5957751A (en) * | 1997-05-23 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system |
US5964653A (en) * | 1997-07-11 | 1999-10-12 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system |
US6210255B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-04-03 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate |
US6162116A (en) * | 1999-01-23 | 2000-12-19 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing |
JP3683149B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2005-08-17 | 株式会社東京精密 | 研磨装置の研磨ヘッドの構造 |
JP3816297B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2006-08-30 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
US6722965B2 (en) * | 2000-07-11 | 2004-04-20 | Applied Materials Inc. | Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area |
US6857945B1 (en) | 2000-07-25 | 2005-02-22 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber carrier head with a flexible membrane |
US7101273B2 (en) * | 2000-07-25 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with gimbal mechanism |
JP2002187060A (ja) | 2000-10-11 | 2002-07-02 | Ebara Corp | 基板保持装置、ポリッシング装置、及び研磨方法 |
US6769973B2 (en) * | 2001-05-31 | 2004-08-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polishing head of chemical mechanical polishing apparatus and polishing method using the same |
US7001245B2 (en) * | 2003-03-07 | 2006-02-21 | Applied Materials Inc. | Substrate carrier with a textured membrane |
CN1316571C (zh) | 2003-07-02 | 2007-05-16 | 旺宏电子股份有限公司 | 化学机械研磨工艺及装置 |
US8454413B2 (en) * | 2005-12-29 | 2013-06-04 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber carrier head with a textured membrane |
JP5042778B2 (ja) | 2007-10-31 | 2012-10-03 | 信越半導体株式会社 | ワーク研磨用ヘッド及びこの研磨ヘッドを備えた研磨装置 |
-
2009
- 2009-08-07 DE DE112009002112.3T patent/DE112009002112B4/de active Active
- 2009-08-07 KR KR1020117004010A patent/KR101607099B1/ko active IP Right Grant
- 2009-08-07 US US13/056,249 patent/US8636561B2/en active Active
- 2009-08-07 CN CN200980132819.0A patent/CN102131617B/zh active Active
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- 2009-08-07 JP JP2010526516A patent/JP4833355B2/ja active Active
- 2009-08-25 TW TW098128540A patent/TWI441711B/zh active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10277928A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Hitachi Ltd | 研磨装置 |
JPH11179652A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-06 | Ebara Corp | ポリッシング装置および方法 |
JP2002239894A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-28 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP2003031531A (ja) * | 2001-05-31 | 2003-01-31 | Samsung Electronics Co Ltd | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 |
JP2003061531A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-04 | Yoichiro Ogawa | 浮き及びルアー |
JP2004216548A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Samsung Electronics Co Ltd | 研磨装置及びこれを使用する研磨方法 |
JP2004311506A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ研磨装置及びその研磨ヘッド並びにウエーハ研磨方法 |
JP2005268566A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Ebara Corp | 化学機械研磨装置の基板把持機構のヘッド構造 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20240004928A (ko) | 2021-06-16 | 2024-01-11 | 가부시키가이샤 사무코 | 연마 헤드, 연마 장치 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법 |
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