CN101800239B - 显示器件、显示器件的制造方法和电子装置 - Google Patents

显示器件、显示器件的制造方法和电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101800239B
CN101800239B CN2010101043773A CN201010104377A CN101800239B CN 101800239 B CN101800239 B CN 101800239B CN 2010101043773 A CN2010101043773 A CN 2010101043773A CN 201010104377 A CN201010104377 A CN 201010104377A CN 101800239 B CN101800239 B CN 101800239B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wiring
display device
connection pads
viewing area
anode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2010101043773A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101800239A (zh
Inventor
田面木真也
佐川裕志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Design And Development Contract Society
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN101800239A publication Critical patent/CN101800239A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101800239B publication Critical patent/CN101800239B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了显示器件、显示器件的制造方法和电子装置，所述显示器件包括：显示区域，所述显示区域内设有多个像素部；布线，它们被配置成从所述显示区域的外部到所述显示区域内的对应像素部，并用于传输驱动所述对应像素部的信号；连接焊盘，它们被设置在所述显示区域的外部，并作为在与所述布线电导通时向所述布线提供信号的输入部；开关元件，它们被设置在所述显示区域的外部的所述布线的途中；以及遮光覆盖部，它对所述开关元件进行遮光，并且以覆盖所述连接焊盘且与所述连接焊盘电导通的方式予以形成。在本发明中，由于对开关元件进行遮光的遮光覆盖部以覆盖连接焊盘的方式设置着，因此能够用遮光覆盖部来保护连接焊盘的表面。

Description

显示器件、显示器件的制造方法和电子装置
相关申请的交叉参考 
本申请包括与2009年2月10日向日本专利局递交的日本优先权专利申请JP2009-028050的公开内容相关的主题，在此将该优先权申请的全部内容通过引用方式并入本文。 
技术领域
本发明涉及显示器件、显示器件的制造方法和电子装置，更具体而言，涉及能够防止由于制造工序中的处理而对像素电极的表面产生的不利影响的显示器件、显示器件的制造方法和电子装置。 
背景技术
如同在例如JP-A-2008-257086中记述的那样，有机电致发光(ElectroLuminescence，EL)面板通过金属布线从该面板的侧部或上部或下部把电流供给到各个像素来显示出视频，上述像素各自具有通过蒸发沉积而形成的有机电致发光层等。当有机EL面板大型化时，像素的必需亮度上升，因此所要供给的电流也将增加。此外，由于布线越长时布线电阻就越大，这将导致相对于电流供给端的电压下降变大。 
该电压下降会导致诸如非均匀亮度的产生和电力消耗的增加等问题。相应地，让电流供给用金属层采用低电阻材料以达到抑制电压下降的目的。低电阻金属的示例包括但不限于铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)或银(Ag)。在这些候选材料中，铜的问题在于很难用铜形成布线，金和银的问题在于它们的价格昂贵。鉴于上述情况，经常采用铝作为低电阻布线的金属。 
可以通过湿式蚀刻或干式蚀刻对铝进行加工，并且铝的价格低廉。但是，在采用单层铝布线的情况下，令人担心的是会产生诸如小丘(hillock)和刺突(spike)等缺陷。 
本文中的术语“小丘”是指由制造过程中的累积热所导致的在布线表面上产生的半球形突起物。本文中的术语“刺突”是指在铝与硅(Si)接触的状态下对铝进行热处理时，铝会进入到硅中这一现象。
作为上述缺陷的对策，可以考虑把铝布线夹在耐热高熔点金属之间的层叠结构。结果，当铝被用作电流供给用金属层时，在上部金属层的表面上出现了一层用于防止小丘且防止刺突的金属层。 
流经上述电流供给用金属层的电流通过像素电极被注入到有机电致发光层中。因此，像素电极必须具有能够将电流注入到有机电致发光层中的这一特征，通常，采用高功函数的ITO(铟锡氧化物：Indium Tin Oxide)作为空穴注入电极。这样，在作为像素电极的金属层的表面上形成了向有机电致发光层的空穴注入能力很强的金属。 
通过涂敷感光树脂的步骤、之后进行曝光的步骤和剥离(显影)的步骤，形成了用于限定像素的开口部的绝缘膜(开口部限定绝缘膜)。当对开口部限定绝缘膜进行剥离时，用于连接阳极和外部布线(例如，软性电缆)的焊盘部也同时被浸泡到剥离液中。因此，发生电池腐蚀反应，并且阳极的表面性质劣化。阳极表面性质的劣化将会降低反射率，进而降低像素的亮度。 
发明内容
鉴于以上问题，本发明的目的是提供一种防止制造工序中的处理对像素电极产生不利影响的技术。 
根据本发明的一个实施方案，提供了一种显示器件，其包括：显示区域，所述显示区域内设有多个像素部；布线，它们被配置成从所述显示区域的外部到所述显示区域内的对应像素部，并用于传输驱动所述对应像素部的信号；连接焊盘，它们被设置在所述显示区域的外部，并作为在与所述布线电导通时向所述布线提供信号的输入部；开关元件，它们被设置在所述显示区域的外部的所述布线的途中；以及遮光覆盖部，它对所述开关元件进行遮光，并且以覆盖所述连接焊盘和所述布线且与所述连接焊盘和所述布线电导通的方式予以形成。 
根据本发明的另一个实施方案，提供了一种在主体外壳上设置有上述显示器件的电子装置。 
在本发明的上述各实施方案中，由于对开关元件进行遮光的遮光覆盖部被设置成覆盖着与布线电导通的连接焊盘并与该连接焊盘电导通，因此，能够用遮光覆盖部来保护连接焊盘的表面。 
在像素部包括设置于阳极和阴极之间的有机电致发光层的情况下，通过使构成遮光覆盖部的材料与阳极的材料相同，可以预防在阳极处于暴露状态时实施的显影步骤中产生电池效应。 
根据本发明的再一实施方案，提供一种显示器件的制造方法，其包括如下步骤：在基板的显示区域上形成各像素的晶体管，形成从所述显示区域的外部到所述显示区域内的对应像素部的布线，并在所述显示区域的外部形成连接焊盘；用第一绝缘膜覆盖各所述晶体管，并将所述第一绝缘膜的表面平坦化；在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜，所述第二绝缘膜在每两个相邻像素之间限定了相应像素的开口部；在由所述第二绝缘膜限定的所述相应像素的开口部内形成阳极；使用遮光覆盖部覆盖所述布线和所述连接焊盘且使所述遮光覆盖部与所述布线和所述连接焊盘电导通，所述遮光覆盖部是由与所述阳极相同的材料形成；在所述阳极上形成有机电致发光层；以及在所述电致发光层上形成阴极。 
在本发明的上述实施方案中，由于首先形成限定了相应像素的开口部的第二绝缘膜，之后在该开口部内形成阳极，因此，可以防止在形成第二绝缘膜的步骤中对阳极的影响。 
在本发明的各实施方案中，能够防止由于制造工序中的处理而对像素的电极产生不利影响，进而能够防止像素的显示性能劣化。 
附图说明
图1为用于说明本发明实施方案的显示器件的平面结构的图； 
图2为用于说明本发明实施方案显示器件的主要部分的电路结构的图； 
图3为用于说明保护电路的结构的一个示例的图形布局图； 
图4为用于说明检测开关电路的结构的一个示例的图形布局图； 
图5为用于说明本发明实施方案显示器件的保护电路部分中的遮光覆盖部的图形布局图； 
图6为用于说明本发明实施方案显示器件中的检测开关电路部分中的遮光覆盖部的图形布局图； 
图7为沿图6中的线A-A′得到的剖面图； 
图8为沿图6中的线B-B′得到的剖面图； 
图9为用于说明遮光覆盖部的平面结构的图； 
图10为用于说明遮光覆盖部的另一示例的平面图； 
图11为用于按顺序地说明本发明实施方案的显示器件的制造方法的第一幅示意剖面图； 
图12为用于按顺序地说明本发明实施方案的显示器件的制造方法的第二幅示意剖面图； 
图13为用于按顺序地说明本发明实施方案的显示器件的制造方法的第三幅示意剖面图； 
图14为用于按顺序地说明本发明实施方案的显示器件的制造方法的第四幅示意剖面图； 
图15为用于按顺序地说明本发明实施方案的显示器件的制造方法的另一示例的第一幅示意剖面图； 
图16为用于按顺序地说明本发明实施方案的显示器件的制造方法的另一示例的第二幅示意剖面图； 
图17为用于按顺序地说明本发明实施方案的显示器件的制造方法的另一示例的第三幅示意剖面图； 
图18为图示了扁平型模块形状的显示器件的示例的示意图； 
图19为图示了应用本发明的电视机的立体图； 
图20A和图20B为图示了应用本发明的数码相机的立体图； 
图21为图示了应用本发明的笔记本电脑的立体图； 
图22为图示了应用本发明的摄像机的立体图；以及 
图23A～图23G为图示了应用本发明的移动终端装置例如手机的图。 
具体实施方式
下面，按如下顺序对用于实施本发明的方式(以下，称为“实施方案”)进行说明： 
1.显示器件的全体结构(平面结构、电路结构、保护电路的结构和检测开关电路的结构的示例) 
2.遮光覆盖部的结构(保护电路部分和检测开关电路部分的示例) 
3.遮光覆盖部的剖面结构(连接焊盘部分和开关元件部分的示例) 
4.遮光覆盖部的平面结构(布线及连接焊盘部分的示例，以及遮光覆盖部的另一示例) 
5.显示器件的制造方法(在开口部限定绝缘膜的形成之后形成阳极的示例) 
6.应用例(电子装置的示例) 
1.显示器件的全体结构 
平面结构 
图1为用于说明本实施方案的显示器件的平面结构的图。更具体而言，本实施方案的显示器件包括：设置在玻璃基板1的大致中央处的显示区域10；设置在玻璃基板1上的显示区域10的周围的保护电路20和检测开关电路(特性检测电路)30；以及与电源和用于从外部输入各种信号的电缆(例如，软性电缆FC)的各导电线连接的连接焊盘40。 
多个像素部11按矩阵形式呈纵横型配置在显示区域10内。各像素部11都设置有根据视频信号对光进行调制的调制层(例如，有机电致发光层)，还设置有驱动相应像素的多个TFT(薄膜晶体管：Thin FilmTransistor)。这些TFT例如可以为用于视频信号的写晶体管，或是根据视频信号来驱动像素中的调制层的驱动晶体管。 
各布线50从显示区域10的外侧到内侧以对应于像素的方式配置在显示区域10内。布线50按照与呈纵横型排列的像素之间的空间对应的网格状布置着。布线50包括扫描线、电源控制线、信号线和用于提供电源电压的电源供给线，通过上述扫描线输入用于以行为单位顺次选择像素的写晶体管的信号，通过上述电源控制线向像素的驱动晶体管提供电源电压控制信号，通过上述信号线向像素的驱动晶体管提供显示用信号(视频信号)。 
各布线50被引至设置在位于显示区域10外侧的玻璃基板1外围部分上的连接焊盘40。各布线50中用作扫描线及电源控制线的那些布线在途中与保护电路20连接。各保护电路20包括设置在相应布线50的途中的开关元件。倘若施加了例如静电等高电压时，保护电路20就利用该开关元件通过阻止电荷流经该显示区域10侧的布线50来保护显示区域10。 
布线50中的用作信号线的那些布线的一端与显示区域10外侧的相应保护电路20连接。此外，那些信号线的另一端与显示区域10外侧的检测开关电路30连接。检测开关电路30包括在进行特性检测时向信号线发送特性检测信号的开关元件。布线50通过上述结构的保护电路20和检测开关电路30被引至连接焊盘40。 
设置在保护电路20和检测开关电路30中的开关元件被遮光膜覆盖着，从而不仅用以防止由于来自外部的不必要入射光而导致的故障，还用以抑制外部光的反射光进入到显示区域10中。 
本实施方案的显示器件的结构为：设置有对开关元件进行遮光的遮光膜，作为覆盖着与连接焊盘40电导通的连接焊盘40的遮光覆盖部。利用这种结构，就可以用遮光覆盖部来保护连接焊盘40的表面，这使得在形成遮光覆盖部之后的制造工序中不必将连接焊盘40的材料暴露到表面。 
对于把有机电致发光层配置在阳极和阴极之间作为像素部11的有机EL显示器件来说，遮光覆盖部和阳极由相同材料制成。利用这种结构，连接焊盘40被由与阳极相同的材料制成的遮光覆盖部覆盖着。因此，在阳极处于暴露的状态下实施的显影步骤中，由于连接焊盘40上的暴露材料与阳极的暴露材料相同，从而可以预防电池效应的产生。换言之，可以防止阳极的表面由于电池效应而发生分解从而变得凸凹不平。 
电路结构 
图2为用来说明本实施方案的显示器件的主要部分的电路结构的图。图2中所示的电路结构图示了有机EL显示器件中的像素电路。为了便于说明，所示出的电路在其中央处具有呈2×3矩阵状的像素部11。但应该理解的是，实际上设置有更多的像素部11。此外，虽然在信号线的 一端设置有保护电路20，另一端设置有检测开关电路30，但图2只图示了另一端侧的检测开关电路30。 
更具体而言，各像素部11包括至少一个晶体管和一个电容。图2所示的各像素部11中设置有写晶体管Trw、驱动晶体管Trd、保持电容C和有机电致发光层EL。此外，作为布线50的是，信号线53沿相邻两像素部11之间的列方向排列着，扫描线51和电源控制线52沿相邻两像素部11之间的行方向排列着。 
每条扫描线51与沿一行方向排列的多个像素部11的写晶体管Trw的栅极连接。此外，每条信号线53与沿一列方向排列的多个像素部11的写晶体管Trw的漏极连接。各写晶体管Trw的源极与相应的驱动晶体管Trd的栅极连接。每条电源控制线52与沿一行方向排列的多个像素部11的驱动晶体管Trd的漏极连接。各驱动晶体管Trd的源极与相应的有机电致发光层EL的阳极连接。此外，各保持电容C被连接在相应的驱动晶体管Trd的栅极和源极之间。共用电位被提供到各像素部11中的有机电致发光层EL的阴极。 
在本实施方案中，在扫描线51和电源控制线52的两端设置有连接焊盘40。此外，对于处于显示区域10外侧的扫描线51及电源控制线52，在各条布线51和52到达连接焊盘40的途中设置有保护电路20。在信号线53的一端设置有连接焊盘40，另一端设置有检测开关电路30。 
为了用上述结构的电路执行显示操作，把选择信号按顺序地施加到扫描线51，通过被选取行中的像素部11按顺序地执行显示。更具体而言，当选择信号被施加到某扫描线51后，与该扫描线51连接的像素部11的写晶体管Trw变为导通。与被选取行中的像素部11对应的视频信号从各信号线53被按顺序地发送到相应的像素部11，因此与上述视频信号对应的电荷从导通的写晶体管Trw发送到相应的保持电容C。另外，与上述视频信号对应的电压被施加到驱动晶体管Trd的栅极。响应于该电压，从电源控制线52把电压施加到有机电致发光层EL的阳极。因此，与上述视频信号对应的电压被施加到阳极和阴极之间，实现了有机电致发光。上述操作是通过与被按顺序地施加了选择信号的扫描线51连接的像素部11来进行的。因此，实现了通过显示区域10进行的视频显示。 
保护电路的结构 
图3为用于说明保护电路20的结构的一个示例的图形布局图。如该图中的插图内的电路图所示，保护电路20的结构是两个开关元件(晶体管Tr201、Tr202)与布线50(扫描线51或电源控制线52)连接。在这两个晶体管中，晶体管Tr201的漏极D与Vdd连接，且栅极G及源极S都与布线50连接。此外，另一晶体管Tr202的漏极D与布线50连接，且栅极G及源极S都与Vss连接。 
在该图形布局中，晶体管Tr201和晶体管Tr202被配置在以布线50为中心的两侧。用于施加Vdd的布线21和用于施加Vss的布线22被形成为第一金属层，并按照与布线50(扫描线51或电源控制线52)交叉的方式配置着。布线50(扫描线51或电源控制线52)被形成为第二金属层。 
在上述的图形布局中，在相关技术中由TFT形成的两个晶体管Tr201和Tr202上设置有如该图中虚线所示的遮光膜60。通过设置有遮光膜60，不仅可以防止由于不必要的光从外部入射到晶体管Tr201和Tr202内所导致的故障，还可以抑制外部光的反射光进入到显示区域10中。 
检测开关电路的结构 
图4为用于说明检测开关电路30的结构的一个示例的图形布局图。如该图中的插图内的电路图所示，检测开关电路30的结构是开关元件(晶体管Tr301)与布线50(信号线53)连接。该晶体管Tr301的源极S与布线50(信号线53)连接，栅极G与检测选择线Ntest连接，且漏极D与检测信号线Vtest连接。 
在该图形布局中，晶体管Tr301的栅极G被形成为第一金属层，布线50(信号线53)、检测选择线Ntest的布线31以及检测信号线Vtest的布线32被形成为第二金属层。为了进行对像素部11的特性检测，通过对检测选择线Ntest施加预定的电压来使晶体管Tr301关断，之后从检测信号线Vtest提供过来的检测信号被发送至布线50(信号线53)。这样，该检测信号被发送到构成像素部11的电路，并且进行性能检测。 
在上述的图形布局中，在相关技术中由TFT形成的晶体管Tr301上 形成有如该图中虚线所示的遮光膜60。通过设置有遮光膜60，不仅可以防止由于不必要的光从外部入射到晶体管Tr301内所导致的故障，还可以抑制外部光的反射光进入到显示区域10中。 
2.遮光覆盖部的结构
保护电路部分 
图5为用于说明本实施方案的显示器件的保护电路部分中的遮光覆盖部的图形布局图。如先前所述，对于扫描线51和电源控制线52，每条线路上都设置有两个晶体管Tr201和Tr202，由此构成保护电路20。此外，扫描线51和电源控制线52通过保护电路20从显示区域10(未图示)被引至连接焊盘40。 
在本实施方案中，如该图中虚线所示，形成有作为遮光膜的遮光覆盖部61，它不仅覆盖着保护电路20中的两对晶体管Tr201和Tr202，而且还覆盖着相应的连接焊盘40并与该连接焊盘40电导通。 
通过以这种方式设置有遮光覆盖部61，不仅可以对保护电路20中的两对晶体管Tr201和Tr202进行遮光，还可以防止遮光覆盖部61的电位浮动。此外，通过在连接焊盘40上设置有遮光覆盖部61，可以防止连接焊盘40的材料在进行制造工序时处于暴露状态。 
在此，遮光覆盖部61与阳极形成在同一层且由相同的材料制成，该阳极是用于对像素部11的有机电致发光层施加电压的电极之一。利用这种结构，在阳极处于暴露状态下实施的显影步骤中，与连接焊盘40电导通的暴露材料(遮光覆盖部61的材料)与阳极的材料是相同的。因此，可以预防在显影步骤等中产生电池效应。 
检测开关电路部分 
图6为用于说明本实施方案的显示器件中的检测开关电路部分中的遮光覆盖部的图形布局图。如先前所述，具有各晶体管Tr301的检测开关电路30连接至各信号线53。 
在本实施方案中，如该图中虚线所示，设置有作为遮光膜的遮光覆盖部61，它不仅覆盖着检测开关电路30的各晶体管Tr301，而且还覆盖 着各连接焊盘40且与这些连接焊盘40电导通。 
与遮光覆盖部61电导通的各连接焊盘40也可以不是如同先前所述的保护电路20中的遮光覆盖部61中一样与连接到保护电路20的布线(扫描线51和电源控制线52)电导通的连接焊盘40。在图6所示的示例中，与检测开关电路30附近的电源供给线54电导通的连接焊盘40被连接到遮光覆盖部61。 
在图1所示的显示器件的平面结构中，电源供给用软性电缆FC被连接到设有检测开关电路30的玻璃基板1的左端部和右端部，即玻璃基板1的左上部和右上部。因此，在玻璃基板1的左上部和右上部都设置有与这些软性电缆FC的导电体连接的连接焊盘40。 
在图6所示的示例中，连接焊盘40被配置在玻璃基板1的右上部和左上部。遮光覆盖部61连接到这些连接焊盘40上，而且还延伸到检测开关电路30的各晶体管Tr301上，以起到遮光的作用。 
如先前所述，通过设置有遮光覆盖部61，不仅可以对检测开关电路30的晶体管Tr301进行遮光，还可以防止遮光覆盖部61的电位浮动。此外，通过在连接焊盘40上设置有遮光覆盖部61，可以防止连接焊盘40的材料在进行制造工序时处于暴露状态。 
更具体而言，与前述情况一样，遮光覆盖部61与阳极形成在同一层且由相同的材料制成，该阳极是用于对像素部11的有机电致发光层施加电压的电极之一。由于这种结构，在阳极处于暴露状态下实施的显影步骤中，与连接焊盘40电导通的暴露材料(遮光覆盖部61的材料)跟阳极的材料相同。因此，可以预防在显影步骤等中产生电池效应。 
3.遮光覆盖部的剖面结构
连接焊盘部分 
图7为沿图6中的线A-A′得到的剖面图。换言之，该图图示了连接焊盘部分处的剖面。连接焊盘40是通过把玻璃基板1上的第一金属层和第二金属层图形化为预定形状而予以形成的。相邻的连接焊盘40之间通过栅极绝缘膜或钝化膜彼此隔离，并且通过把绝缘平坦化膜图形化来 限定开口部。遮光覆盖部61被设置在这些开口部处，从而与连接焊盘40的第二金属层电导通。 
连接焊盘40的第二金属层采用钛(Ti)。从防止小丘等的观点出发，钛(Ti)-铝(Al)-钛(Ti)的层叠结构也可以用做第二金属层。同时，用于向有机电致发光层施加电压的阳极由铝合金制成。因此，在第二金属层和阳极处于暴露状态下实施的制造工序中，当阳极和第二金属层被浸泡到电解剥离液中时，由于铝和钛之间的氧化还原电势差而形成了电流通路。所以，发生电池腐蚀反应，这将降低阳极的表面反射率。 
该反射率的下降将会引发有机电致发光层的特性劣化和可靠性劣化。原因如下。即，当阳极的反射率下降时，为了得到与反射率未发生下降的情况时相同的亮度时，必须有大于正常电流的电流流入有机电致发光层。因此，有机电致发光层比正常情况更快地劣化。此外，还会引起显示器件的耗电增加，发热也会增加。 
在本实施方案中，由与阳极相同的材料制成的遮光覆盖部61被设置在连接焊盘40的第二金属层上。利用这种结构，即使在阳极和连接焊盘40处于暴露状态下实施的制造工序中把该阳极和连接焊盘40浸泡到电解剥离液中，由于阳极和第二金属层是由相同金属制成的，所以不会发生电池腐蚀反应。因此，阳极的表面反射率不会下降。 
开关元件部分 
图8为沿图6中的线B-B′得到的剖面图。换言之，该图图示了检测开关电路30在晶体管Tr301部分处的剖面。晶体管Tr301包括形成在玻璃基板1上的栅极电极(第一金属层)、隔着栅极绝缘膜形成在上述栅极电极上的半导体层(μC-Si：微晶硅)以及隔着上述半导体层形成在上述栅极电极上的源极电极(第二金属层)和漏极电极(第二金属层)。 
在位于源极电极和漏极电极之间的半导体层上设置有蚀刻停止部(etching stopper)。此外，在源极电极与半导体层之间以及漏极电极与半导体层之间设置有n+半导体层。 
在晶体管Tr301上形成有钝化膜，在该钝化膜上形成有绝缘平坦化膜。该绝缘平坦化膜的表面是平坦化的，并且在该绝缘平坦化膜上形成 有遮光覆盖部61。遮光覆盖部61由与阳极相同的材料形成。此外，在遮光覆盖部61上形成有开口部限定绝缘膜。 
上述连接焊盘部分和晶体管部分的剖面结构与其他连接焊盘和保护电路20的其他晶体管部分相同。 
4.遮光覆盖部的平面结构
布线及连接焊盘部分 
图9为用于说明遮光覆盖部的平面结构的图，并图示了布线及连接焊盘部分。更具体而言，遮光覆盖部61以覆盖在连接焊盘40上且与连接焊盘40电导通的状态予以形成。遮光覆盖部61设在布线50的上方，并在连接部处与作为第二金属层的布线50连接。通过让布线50与遮光覆盖部61以此种方式进行电导通，与未设有遮光覆盖部61的情况相比，可以降低布线50的电阻值。 
遮光覆盖部的其他示例 
图10为用于说明遮光覆盖部的另一示例的平面图。该图示出了设置在保护电路20的晶体管Tr201和Tr202上的遮光覆盖部61。但应当理解，设置在检测开关电路30中的晶体管上的遮光覆盖部61也具有与此相同的结构。 
遮光覆盖部61被设置在作为开关元件的晶体管Tr201和Tr202上，并且还被设置在连接焊盘40上。此外，遮光覆盖部61与连接焊盘40电导通。在图10所示的示例中，用于将晶体管Tr201和Tr202上的部分与连接焊盘40上的部分连接起来的遮光覆盖部61的部分不是配置在布线50的正上方，而是被配置在略微错开的位置处。通过以这种方式设置连接部分，与遮光覆盖部61被设置在布线50的正上方的情况相比，能够减少布线50与遮光覆盖部61之间的寄生电容。 
5.显示器件的制造方法
图11～图14为用于按顺序地说明本实施方案的显示器件的制造方法的示意剖面图。首先，如图11所示，在玻璃基板1上形成各像素的晶体 管。在图11所示的示例中，在玻璃基板1上形成写晶体管Trw和驱动晶体管Trd。更具体而言，在玻璃基板1上用第一金属层形成这两个晶体管的栅极电极G，然后在栅极电极G上隔着栅极绝缘膜形成半导体层(μC-Si：微晶硅)。在该半导体层上隔着n+半导体层形成源极电极S和漏极电极D，然后用钝化膜进行覆盖。 
之后，如图12所示，在覆盖着形成于玻璃基板1上的写晶体管Trw和驱动晶体管Trd的钝化膜上形成第一绝缘膜71。第一绝缘膜71可以由感光有机材料制成，该感光有机材料例如是：聚酰亚胺树脂，聚苯并噁唑树脂，酚醛树脂，聚羟基苯乙烯或丙烯酸树脂，等等。把该感光有机材料涂敷到钝化膜上以后，进行曝光和剥离，之后对玻璃基板1进行烘烤。因此，把第一绝缘膜71制成为具有平坦化表面的绝缘平坦化膜。 
之后，在该绝缘平坦化膜即第一绝缘膜71上形成第二绝缘膜72。通过在第二绝缘膜72中的预定位置处设置开口部，把第二绝缘膜72制成为开口部限定绝缘膜。第二绝缘膜72可以由感光有机材料制成，该感光有机材料例如是：聚酰亚胺树脂，聚苯并噁唑树脂，酚醛树脂，聚羟基苯乙烯或丙烯酸树脂，等等。把该材料涂敷到上述绝缘平坦化膜上后，进行曝光和剥离。通过在第二绝缘膜72中的对应于像素显示部和辅助的位置处设置开口部，把第二绝缘膜72制成为开口部限定绝缘膜。 
之后，如图13所示，在由开口部限定绝缘膜即第二绝缘膜72限定的开口部中形成阳极81和电源辅助线82。更具体而言，把阳极81形成在将要被制成为像素显示部的开口部中，把电源辅助线82形成在阳极81周围的用于设置电源辅助线的开口部中。通过在例如用溅射法沉积得到的铝合金膜上涂敷抗蚀剂，然后进行曝光、显像、蚀刻并去除抗蚀剂，可以形成预定图形的阳极81和电源辅助线82。 
当通过抗蚀剂膜进行对阳极81的显影时，未图示的连接焊盘40的表面上被该抗蚀剂膜覆盖着。因此，即使当连接焊盘40的表面由钛制成时，它也受到保护因而不会被显影。因此，不会产生由于显影液所导致的电池效应，此外在阳极81中不会发生腐蚀。 
之后，如图14所示，在阳极81和电源辅助线82上形成有机电致发光层的共用层(空穴注入层及空穴输运层)91。接着，在共用层91上形 成发光层及电子输运层。作为发光层及电子输运层，在与各相应像素对应的位置处形成了对应于B(蓝光)的发光层及电子输运层92b、对应于R(红光)的发光层及电子输运层92r以及对应于G(绿光)的发光层及电子输运层92g。应当注意，形成发光层及电子输运层92b、92r和92g的顺序没有特别限制。 
之后，在各颜色的发光层及电子输运层92b、92r和92g上形成阴极83。 
根据上述制造方法，由于在形成了限定相应像素的开口部的第二绝缘膜72后，才在该开口部内形成阳极81，因此，可以防止在形成第二绝缘膜72的步骤中对阳极81的影响。这样，阳极81的表面的反射率不会下降。由于阳极81的表面的反射率不会下降，所以无需为了不必要地增加亮度而增加电流。于是，能够抑制有机电致发光层的劣化。此外，可以抑制显示器件的电耗的增加以及发热的增加。 
图15～图17示出了本实施方案的显示器件的制造方法的另一示例。首先，如图15所示，在玻璃基板1上形成各像素的晶体管。在图15所示的示例中，在玻璃基板1上形成写晶体管Trw和驱动晶体管Trd。更具体而言，在玻璃基板1上用第一金属层形成这两个晶体管的栅极电极G，然后在栅极电极G上隔着栅极绝缘膜形成半导体层(μC-Si：微晶硅)。之后，在该半导体层上隔着n+半导体层形成源极电极S和漏极电极D，然后用钝化膜进行覆盖。 
之后，在覆盖着形成于玻璃基板1上的写晶体管Trw和驱动晶体管Trd的钝化膜上形成第一绝缘膜71。第一绝缘膜71可以由感光有机材料制成，该感光有机材料例如是：聚酰亚胺树脂，聚苯并噁唑树脂，酚醛树脂，聚羟基苯乙烯或丙烯酸树脂，等等。把该感光有机材料涂敷到钝化膜上之后，进行曝光和剥离，然后对玻璃基板1进行烘烤。因此，把第一绝缘膜71制成为具有平坦化表面的绝缘平坦化膜。 
之后，在该绝缘平坦化膜即第一绝缘膜71上形成阳极81和电源辅助线82。通过在例如用溅射法沉积得到的铝合金膜上涂敷抗蚀剂，然后进行曝光、显像、蚀刻并去除抗蚀剂，可以形成预定图形的阳极81和电源辅助线82。 
这样，当形成阳极81及电源辅助线82时，在未图示的连接焊盘部分的表面上形成了与它们相同的材料。当以这种方式构造而成时，连接焊盘40的表面由与阳极81及电源辅助线82相同的金属制成。因此，不会发生由显影液所导致的电池效应，此外在阳极81中不会发生腐蚀。 
之后，如图16所示，在阳极81及电源辅助线82上形成第二绝缘膜72。通过在第二绝缘膜72中的预定位置处设置开口部，把第二绝缘膜72制成为开口部限定绝缘膜。第二绝缘膜72可以由感光有机材料制成，该感光有机材料例如是：聚酰亚胺树脂，聚苯并噁唑树脂，酚醛树脂，聚羟基苯乙烯或丙烯酸树脂，等等。把该材料涂敷到上述绝缘平坦化膜上之后，进行曝光和剥离。然后，通过在第二绝缘膜72中的对应于像素显示部和辅助线的位置处设置开口部，把第二绝缘膜72制成为开口部限定绝缘膜。 
之后，如图17所示，在阳极81和被制成为开口部限定绝缘膜的第二绝缘膜72上形成有机电致发光层的共用层(空穴注入层及空穴输运层)91。接着，在共用层91上形成发光层及电子输运层。作为发光层及电子输运层，在与各相应像素对应的位置处形成了对应于B(蓝光)的发光层及电子输运层92b、对应于R(红光)的发光层及电子输运层92r以及对应于G(绿光)的发光层及电子输运层92g。应当注意，形成发光层及电子输运层92b、92r和92g的顺序没有特别限制。 
之后，在各颜色的发光层及电子输运层92b、92r和92g上形成阴极83。 
根据这种制造方法，与前述制造方法相同，可以防止在显影时在阳极81的表面上发生腐蚀。因此，阳极81的表面的反射率不会下降。由于阳极81的表面的反射率不会下降，所以无需为了不必要地增加亮度而增加电流。因此，能够抑制有机电致发光的劣化。此外，可以抑制显示器件的电耗的增加以及发热的增加。 
6.应用例
电子装置 
接下来对本实施方案的显示器件被应用到各种电子装置中时的示例 进行说明。 
如图18所示，本实施方案的显示器件例如是扁平型模块形状的显示器件。例如，显示模块的形成方法为：在绝缘基板2002上设置像素阵列部2002a，在该像素阵列部2002a中，发光区域和由薄膜晶体管等构成的像素整体上按矩阵形状排列着；放置粘接剂2021使其包围该像素阵列部(像素矩阵部)2002a；然后层叠由玻璃制成的相向基板2006。视需要，可以在透明的相向基板2006上设置彩色滤光片、保护膜、遮光膜等。该显示模块中可以设有例如FPC(柔性印刷电路：Flexible Printed Circuit)2023，以作为将信号从外部输入到像素阵列部2002a和将信号从像素阵列部2002a输出到外部的连接器。 
上述实施方案的显示器件能够应用于例如图19～图23G所示的各种电子装置的显示器件，这里的电子装置是用于将输入至该电子装置中的视频信号或在该电子装置内生成的视频信号作为图像或视频进行显示的所有领域中的电子装置，更具体而言，例如是数码相机、笔记本电脑、诸如手机等移动终端装置、摄像机等。下面将对应用了本实施方案的电子装置的示例进行说明。 
图19为图示了应用本实施方案的电视机的立体图。作为应用例的电视机包括由前面板102和滤光玻璃103构成的视频显示屏部101，并采用本实施方案的显示器件作为该视频显示屏部101。 
图20A和20B为图示了应用本实施方案的数码相机的立体图。图20A为前视立体图，图20B为后视立体图。作为应用例的数码相机包括闪光灯用的发光部111、显示部112、菜单开关113、快门开关114等，并采用本实施方案的显示器件作为该显示部112。 
图21为图示了应用本实施方案的笔记本电脑的立体图。作为应用例的笔记本电脑包括配有用于进行文字等输入操作的键盘122的主体121、用于显示图像的显示部123等，并采用本实施方案的显示器件作为上述显示部123。 
图22为图示了应用本实施方案的摄像机的立体图。作为应用例的摄像机包括主体部131、设置在朝前的侧面上的目标拍摄镜头132、拍摄开始/停止开关133、显示部134等，并采用本实施方案的显示器件作为上 述显示部134。 
图23A～图23G为图示了应用本实施方案的移动终端装置例如手机的图。图23A为打开状态的手机的主视图，图23B为打开状态的手机的侧视图。图23C为闭合状态的手机的主视图。图23D为闭合状态的手机的左视图，图23E为闭合状态的手机的右视图，图23F为闭合状态的手机的俯视图，图23G为闭合状态的手机的仰视图。作为应用例的手机包括上部壳体141、下部壳体142、连接部(此处为铰链部)143、显示部144、副显示部145、图片灯(picture light)146、照相机147等，并采用本实施方案的显示器件作为上述显示部144和上述副显示部145。 
本领域的技术人员应该理解，取决于设计要求和其他因素，可以对本发明做出各种修改、组合、子组合及变更，且它们仍落入所附权利要求或其等同物的范围之内。 

Claims (9)

1.一种显示器件，其包括：
显示区域，所述显示区域内设有多个像素部；
布线，它们被配置成从所述显示区域的外部到所述显示区域内的对应像素部，并用于传输驱动所述对应像素部的信号；
连接焊盘，它们被设置在所述显示区域的外部，并作为在与所述布线电导通时向所述布线提供信号的输入部；
开关元件，它们被设置在所述显示区域的外部的所述布线的途中；以及
遮光覆盖部，它对所述开关元件进行遮光，并且以覆盖所述连接焊盘和所述布线且与所述连接焊盘和所述布线电导通的方式予以形成。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其中，
各所述像素部包括设置在阳极和阴极之间的有机电致发光层，并且所述遮光覆盖部由与所述阳极相同的材料制成。
3.根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述开关元件是用于保护驱动所述相应像素部的晶体管的元件。
4.根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述开关元件是在对驱动所述相应像素部的晶体管进行特性检测时使用的元件。
5.根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述布线是用于对驱动所述相应像素部的晶体管进行依次选择的扫描线。
6.根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述布线是用于将电源电压控制信号提供给驱动所述相应像素部的晶体管的电源控制线。
7.根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述布线是用于将显示用信号提供给驱动所述相应像素部的晶体管的信号线。
8.一种显示器件的制造方法，其包括如下步骤：
在基板的显示区域上形成各像素的晶体管，形成从所述显示区域的外部到所述显示区域内的对应像素部的布线，且在所述显示区域的外部形成连接焊盘；
用第一绝缘膜覆盖各所述晶体管，并将所述第一绝缘膜的表面平坦化；
在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜，所述第二绝缘膜在每两个相邻像素之间限定了相应像素的开口部；
在由所述第二绝缘膜限定的所述相应像素的开口部内形成阳极；
使用遮光覆盖部覆盖所述布线和所述连接焊盘且使所述遮光覆盖部与所述布线和所述连接焊盘电导通，所述遮光覆盖部是由与所述阳极相同的材料形成；
在所述阳极上形成有机电致发光层；以及
在所述电致发光层上形成阴极。
9.一种电子装置，其包括设置在主体外壳上的显示器件，其中所述显示器件是权利要求1～7中任一项所述的显示器件。
CN2010101043773A 2009-02-10 2010-02-02 显示器件、显示器件的制造方法和电子装置 Active CN101800239B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009028050A JP5439837B2 (ja) 2009-02-10 2009-02-10 表示装置
JP2009-028050 2009-02-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101800239A CN101800239A (zh) 2010-08-11
CN101800239B true CN101800239B (zh) 2012-07-18

Family

ID=42139986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101043773A Active CN101800239B (zh) 2009-02-10 2010-02-02 显示器件、显示器件的制造方法和电子装置

Country Status (6)

Country Link
US (8) US8513879B2 (zh)
EP (1) EP2216822B1 (zh)
JP (1) JP5439837B2 (zh)
KR (1) KR101669280B1 (zh)
CN (1) CN101800239B (zh)
TW (1) TWI425694B (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5439837B2 (ja) 2009-02-10 2014-03-12 ソニー株式会社 表示装置
EP2658350B1 (en) * 2010-12-24 2019-11-13 Nec Lighting, Ltd. Organic electroluminescent element
US9954110B2 (en) * 2011-05-13 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
TWI467755B (zh) * 2011-07-19 2015-01-01 Innolux Corp 有機電激發光顯示裝置
KR101884891B1 (ko) * 2012-02-08 2018-08-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102195166B1 (ko) * 2013-12-26 2020-12-24 엘지디스플레이 주식회사 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치 및 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP6637766B2 (ja) * 2016-01-04 2020-01-29 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
CN107768400B (zh) * 2016-08-19 2024-05-14 京东方科技集团股份有限公司 一种照明面板及照明装置
CN106097977B (zh) * 2016-08-22 2019-01-22 武汉华星光电技术有限公司 一种有机二极管显示驱动电路、显示面板及电子设备
CN107093618B (zh) 2017-05-04 2019-12-17 京东方科技集团股份有限公司 像素电路结构及使用其的显示器件
CN106950775A (zh) * 2017-05-16 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板和显示装置
CN110176203B (zh) * 2018-05-09 2021-03-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN109147654A (zh) * 2018-10-30 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN110061014B (zh) * 2019-04-30 2021-06-08 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110070801B (zh) * 2019-04-30 2023-04-18 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110189627B (zh) * 2019-05-30 2021-12-24 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
JP7337198B2 (ja) * 2020-01-24 2023-09-01 京セラ株式会社 発光装置
WO2021215329A1 (ja) * 2020-04-24 2021-10-28 京セラ株式会社 表示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101276833A (zh) * 2007-03-26 2008-10-01 Lg.菲利浦Lcd株式会社 有机电致发光显示器件及其制造方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4803536A (en) * 1986-10-24 1989-02-07 Xerox Corporation Electrostatic discharge protection network for large area transducer arrays
US5932469A (en) 1997-06-10 1999-08-03 University Of Florida Antimicrobial polypeptide, nucleic acid, and methods of use
JP3445121B2 (ja) * 1997-10-24 2003-09-08 キヤノン株式会社 マトリクス基板と液晶表示装置及びこれを用いるプロジェクター
JP2000002892A (ja) * 1998-04-17 2000-01-07 Toshiba Corp 液晶表示装置、マトリクスアレイ基板およびその製造方法
EP1067188A1 (en) 1999-07-08 2001-01-10 Introgene B.V. Infection with chimaeric adenoviruses of cells negative for the adenovirus serotype 5 Coxsacki adenovirus receptor (CAR)
JP4488557B2 (ja) * 1999-09-29 2010-06-23 三洋電機株式会社 Ｅｌ表示装置
US6838696B2 (en) * 2000-03-15 2005-01-04 Advanced Display Inc. Liquid crystal display
KR100652037B1 (ko) 2000-08-26 2006-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 디스플레이 패널 제조방법
JP4019697B2 (ja) * 2001-11-15 2007-12-12 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6822264B2 (en) * 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100638304B1 (ko) * 2002-04-26 2006-10-26 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 Ｅｌ 표시 패널의 드라이버 회로
JP4310969B2 (ja) * 2002-06-13 2009-08-12 カシオ計算機株式会社 アクティブ基板の配線構造及び指紋読取装置
JP2004281998A (ja) * 2003-01-23 2004-10-07 Seiko Epson Corp トランジスタとその製造方法、電気光学装置、半導体装置並びに電子機器
CN1517069B (zh) * 2003-01-27 2012-03-28 佳能株式会社 放射线摄像装置和放射线摄像系统
KR100531294B1 (ko) * 2003-06-23 2005-11-28 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
KR101102642B1 (ko) * 2003-11-18 2012-01-04 가부시키가이샤 니콘 표시 디바이스 제조 방법 및 표시 디바이스
JP4418720B2 (ja) * 2003-11-21 2010-02-24 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び方法、並びに放射線撮像システム
US20050200296A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Method and device for flat panel emissive display using shielded or partially shielded sensors to detect user screen inputs
JP4845352B2 (ja) * 2004-06-15 2011-12-28 キヤノン株式会社 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム
KR20060015201A (ko) * 2004-08-13 2006-02-16 삼성전자주식회사 어레이 기판과, 이를 갖는 모기판 및 액정표시장치
JP5043380B2 (ja) * 2005-07-25 2012-10-10 キヤノン株式会社 放射線検出装置および放射線検出システム
KR101272336B1 (ko) * 2005-10-20 2013-06-07 삼성디스플레이 주식회사 평판표시장치
JP4579894B2 (ja) * 2005-12-20 2010-11-10 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
JP2008090147A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Mitsubishi Electric Corp 接続端子基板及びこれを用いた電子装置
KR101306860B1 (ko) * 2006-11-07 2013-09-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP5401784B2 (ja) * 2007-02-08 2014-01-29 セイコーエプソン株式会社 発光装置
US7839083B2 (en) * 2007-02-08 2010-11-23 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic apparatus
JP2008233141A (ja) * 2007-03-16 2008-10-02 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置
JP2008257086A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Sony Corp 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
KR101452370B1 (ko) 2007-04-25 2014-10-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 장치
KR100830331B1 (ko) 2007-07-23 2008-05-16 삼성에스디아이 주식회사 유기발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP5235350B2 (ja) * 2007-08-07 2013-07-10 キヤノン株式会社 撮像装置及び放射線撮像システム
JP4428436B2 (ja) * 2007-10-23 2010-03-10 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP5439837B2 (ja) * 2009-02-10 2014-03-12 ソニー株式会社 表示装置
KR102142835B1 (ko) * 2009-10-09 2020-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101276833A (zh) * 2007-03-26 2008-10-01 Lg.菲利浦Lcd株式会社 有机电致发光显示器件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20180204900A1 (en) 2018-07-19
US10096666B2 (en) 2018-10-09
US20180366528A1 (en) 2018-12-20
US20130328072A1 (en) 2013-12-12
US9608051B2 (en) 2017-03-28
US10522606B2 (en) 2019-12-31
KR101669280B1 (ko) 2016-10-25
EP2216822A2 (en) 2010-08-11
US20160358994A1 (en) 2016-12-08
US20200091267A1 (en) 2020-03-19
KR20100091897A (ko) 2010-08-19
US9954046B2 (en) 2018-04-24
US9461200B2 (en) 2016-10-04
US11257890B2 (en) 2022-02-22
TW201034271A (en) 2010-09-16
JP2010185903A (ja) 2010-08-26
JP5439837B2 (ja) 2014-03-12
EP2216822B1 (en) 2017-05-03
US20210111237A1 (en) 2021-04-15
US20170141174A1 (en) 2017-05-18
CN101800239A (zh) 2010-08-11
US8513879B2 (en) 2013-08-20
US20100201262A1 (en) 2010-08-12
TWI425694B (zh) 2014-02-01
EP2216822A3 (en) 2012-12-19
US10872946B2 (en) 2020-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101800239B (zh) 显示器件、显示器件的制造方法和电子装置
JP6707118B2 (ja) 表示装置
CN1331219C (zh) 半导体芯片安装基板、电光装置、液晶装置、电致发光装置及电子机器
CN100472306C (zh) 显示装置用基板、其制造方法及显示装置
US7456432B2 (en) System having electrostatic discharge protection structure and method for manufacturing the same
CN100405604C (zh) 薄膜晶体管阵列板
CN101242692A (zh) 发光装置
US10497682B2 (en) Backplane LED integration and functionalization structures
KR20210053612A (ko) 투명 표시 패널 및 이를 포함하는 투명 표시 장치
WO2022252081A1 (zh) 显示装置、显示模组及其制造方法
KR102538361B1 (ko) 유기발광 표시장치
US10008520B2 (en) Semiconductor device with terminals and manufacturing method of semiconductor device with terminals
US20240096905A1 (en) Display panel and tiled display screen
EP4174944B1 (en) Display device including a semiconductor light emitting device
US20240260338A1 (en) Organic Light Emitting Display Device and Method for Manufacturing the Same
US20240268178A1 (en) Display Device and Display Panel
CN118575290A (zh) 显示装置
KR20230139880A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: JANPAN ORGANIC RATE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SONY CORP

Effective date: 20150821

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150821

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: JOLED Inc.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Sony Corp.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231128

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Japan Display Design and Development Contract Society

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: JOLED Inc.

TR01 Transfer of patent right