CN101663736B - 用于晶片无电镀的流体处理系统和相关的方法 - Google Patents

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Abstract

化学制剂流体处理系统限定为提供若干化学制剂至混合歧管的若干流体输入。该化学制剂流体处理系统包括若干流体再循环回路，用于独立预处理和控制该多个化学制剂每个的供应。该流体再循环回路每个限定为除气、加热和过滤该多个化学制剂成分的具体一个。该混合歧管限定为混合该多个化学制剂以形成该无电镀溶液。该混合歧管包括连接到供应管线的流体输出。该供应管线连接以将该无电镀溶液供应至无电镀室内的溶槽。

Description

用于晶片无电镀的流体处理系统和相关的方法
背景技术
在半导体器件(如集成电路、存储单元等)制造中，执行一系列制造工序来在半导体晶片(“晶片”)上形成特征。这些晶片包括形成在硅基片上的多层结构形式的集成电路器件。在基片层，形成具有扩散区域的晶体管器件。在后面的层中，将互连金属化线图案化并电气连接到晶体管器件以形成所需的集成电路器件。并且，图案化的导电层通过电介质材料与别的导电层绝缘。
为了建立集成电路，首先在晶片表面上创建晶体管。然后通过一系列制造工艺步骤将导线和绝缘结构增加为多薄膜层。通常，在所形成的晶体管顶部沉积第一层电介质(绝缘)材料。在这个基层上形成后续的金属层(例如，铜、铝等)，蚀刻金属层以创建传送电的导电线，然后利用电介质材料填充以创建线与线之间必须的绝缘体。
尽管铜线通常由PVD种子层(PVDCu)接着是电镀层(ECPCu)组成，但是可以考虑用无电化学制剂作为PVDCu的替代，甚至是ECPCu的替代。无电铜(Cu)和无电钴(Co)是提高互联线可靠性和性能的潜在技术。无电铜可用来在共形阻挡层上形成薄的共形种子层以优化间隙填充工艺并且使空隙的形成最少。进而，选择性的Co覆盖层在平坦化的Cu线上的沉积可增加电介质阻挡层与Cu线的粘合，并且抑制Cu电介质阻挡层分界面处的空隙形成和传播。
在无电镀工艺过程中，电子从还原剂转移到溶液中的Cu(或Co)离子，使得被还原的Cu(或Co)沉积在该晶片表面上。优化无电镀铜溶液的配方以使得溶液中涉及Cu(或Co)离子的电子转移过程最大化。通过该无电镀工艺获得的镀层厚度取决于无电镀溶液在该晶片上的停留时间。因为无电镀反应在晶片暴露于该无电镀溶液的情况下马上并且连续发生，所以需要以可控的方式以及在可控的条件下进行该无电镀工艺。为此，需要一种改进的无电镀设备。
发明内容
在一个实施例中，公开一种用于半导体晶片无电镀室的流体处理模块。该流体处理模块包括供应管线、混合歧管和化学制剂流体处理系统。连接第一供应管线以将无电镀溶液供应至该室内的溶槽。该混合歧管包括流体输出，连接至该第一供应管线。该混合歧管还包括若干流体输入，用以分别接受若干化学制剂。该混合歧管限定为混合该若干化学制剂以形成该无电镀溶液。该化学制剂流体处理系统限定为将该若干化学制剂以可控的方式供应至该混合歧管的若干流体输入。
在另一实施例中，公开一种用于半导体晶片无电镀工艺的流体处理系统。该流体处理系统包括若干流体再循环回路。每个流体再循环回路限定为预处理无电镀溶液的化学成分。每个流体再循环回路还限定为控制用来形成该无电镀溶液的化学成分的供应。该流体处理系统还包括混合歧管，限定为从每个流体再循环回路接收该化学成分并且混合所接收的化学成分以形成该无电镀溶液。该混合歧管进一步限定为将该无电镀溶液供应于晶片上方。
在另一实施例中，公开一种用于运行流体处理系统以支持半导体晶片无电镀工艺的方法。该方法包括再循环无电镀溶液的处于分离以及预处理过的状态的若干化学成分的每个的步骤。混合该若干化学成分以形成该无电镀溶液。该化学成分的混合在该化学成分再循环的下游进行并与之分开。该方法还包括用于将该无电镀溶液流到无电镀室内若干分配位置的步骤。该混合在最小化该无电镀溶液流到该多个分配位置的距离的位置进行。
本发明的这些和其他特征将在下面结合附图、作为本发明示例说明的具体描述中变得更加明显。附图说明图1是按照本发明一个实施例，示出干进干出无电镀室的轴测图的图示；图2是按照本发明一个实例施，示出该室中心的垂直界面的图示；图3是按照本发明一个实施例，示出室的俯视图的图示，其中上部临近头延伸到该晶片中心；图4是按照本发明一个实施例，示出该室俯视图的图示，该上部临近头缩回该临近头系泊位置上方的原始位置；图5是按照本发明一个实施例，示出压板和溶槽的垂直截面的图示，该压板处于完全降下的位置；图6A是按照本发明一个实施例，示出该晶片处于该室内晶片交递位置的图示；图6B是按照本发明一个实施例，示出该压板升高到该晶片交递位置的图示；图6C是按照本发明一个实施例，示出该压板处于恰在密封位置上方的悬停位置，；图6D是按照本发明一个实施例，示出在稳定流结束之后该压板降低以与该溶槽密封件啮合；图6E是按照本发明一个实施例，示出该晶片经历冲洗工艺的图示；图6F是按照本发明一个实施例，示出该晶片经历利用上部和下部临近头的干燥工艺的图示；图7是按照本发明一个实施例，示出由临近头进行的示范性工艺的图示；图8是按照本发明一个实施例，示出集合体系结构，；图9是按照本发明一个实施例，示出该化学制剂FHS的轴测图的图示；图10是按照本发明一个实施例，示出该化学制剂供应源FHS的轴测图；图11是按照本发明一个实施例，示出该冲洗FHS的轴测图的图示；图12是按照本发明一个实施例，示出该化学制剂FHS的再循环回路。
具体实施方式
在下面的描述中，阐述许多具体细节以提供对本发明的彻底理解。然而，对于本领域技术人员，显然，本发明可不利用这些具体细节的一些或者全部而实施。在有的情况下，公知的工艺步骤和/或结构没有说明，以避免不必要的混淆本发明。
图1是按照本发明一个实施例，示出干进干出无电镀室100(下文中称为“室100”)的轴测图的图示。该室100限定为接收干燥状态的晶片、在该晶片上执行无电镀工艺、在该晶片上执行冲洗工艺、在该晶片上行执行干燥工艺和提供干燥状态的处理后的晶片。该室100能够执行实际上任何类型的无电镀工艺。例如，该室100能够在该基片上执行化学镀Cu或Co工艺。另外，该室100配置为集成在模块化晶片处理系统内。例如，在一个实施例中，该室100与托管空气传输模块(managed atmospheric transfer module(MTM))连接。
该室100配备为从接口模块接收干燥状态的晶片，如该MTM。该室100配备为在该室100内的晶片上执行无电镀工艺。该室100限定为在该室100内的晶片上执行干燥工艺。该室100限定为将干燥状态的晶片提供回该接口模块。应当认识到该室100限定为在该室100的公共内部容积内的该晶片上执行该无电镀工艺和该干燥工艺。另外，提供流体处理系统(FHS)以支持该室100公共内部容积内的该晶片无电镀工艺和该晶片干燥工艺。
该室100包括第一晶片处理区域，限定在该室100内部容积的上部区域内。该第一晶片处理区域配备为当该晶片设在该第一晶片处理区域内时在该晶片上执行该干燥工艺。该室100还包括第二晶片处理区域，限定在该室100的内部容积的下部区域中。该第二晶片处理区域配备为当该晶片设在该第二晶片处理区域内时在该晶片上执行该无电镀工艺。另外，该室100包括压板，其可在该室100的内部容积内、在第一和第二晶片处理区域之间垂直移动。该压板限定为在该无电镀工艺过程中，在该第一和第二处理区域之间传输该晶片，并且在该第二处理区域内支撑该晶片。
对于图1，该室100由外结构壁(包括外部结构性底部)103和结构性顶部105形成。该室100的外部结构能够抵抗与该室100的内部容积内低于大气压力(即，真空)状态相关联的力。该室100的外部结构还能够抵抗与该室100的内部容积内高于大气压状态相关联的力。在一个实施例中，该室的结构性顶部105配备有窗107A。另外，在一个实施例中，在该室的外结构壁103中提供窗107B。然而，应当理解，该窗107A和107B对于该室100的运行不是关键的。例如，在一个实施例中，该室100限定为没有窗107A和107B。
该室100限定为坐在框架组件109的顶部。应当理解别的实施例可采用与图1所描述的示范性框架组件109不同的框架组件。该室100限定为包括入口门101，通过该门将晶片插入以及移出该室100。该室100进一步包括稳定器组件305、压板提升组件115和临近头驱动机构113，其每个都将在下面更详细地描述。
图2是按照本发明一个实施例，示出通过该室100中心的垂直截面的图示。该室100这样限定，即当晶片207通过该入口门101插入时，该晶片207将被该室内部容积的上部区域内的驱动辊子组件303(未示)和该稳定器组件305啮合。通过该压板提升组件115，压板209限定为在垂直方向上在该室内部容积的上部和下部区域之间移动。该压板209限定为从该驱动辊子组件303和稳定器组件305接收该晶片207，并将该晶片207移动至该室内部容积下部区域内的该第二晶片处理区域。如将在下面更详细描述的，在该室的下部区域，该压板209限定为与溶槽211接口以能够进行该无电镀工艺。
接着该室的下部区域内的无电镀工艺，通过该压板209和压板提升组件115将该晶片207提升回到可被该驱动辊子组件303和该稳定器组件305啮合的位置。一旦牢固地被该驱动辊子组件303和该稳定器组件305啮合，将该压板209降低至该室100的下部区域内的位置。然后利用上部临近头203和下部临近头205干燥该晶片207(已经经过该无电镀工艺)。该上部临近头203限定为干燥该晶片207的上表面。该下部临近头限定为干燥该晶片207的下表面。
通过该临近头驱动机构113，该上部和下部临近头203/205限定为当该晶片207被该驱动辊子组件303和该稳定器组件305啮合时跨越该晶片207以线性方式移动。在一个实施例中，该上部和下部临近头203/205限定为随着该晶片207被该驱动辊子组件303转动而移动至该晶片207的中心。这样，该晶片207的上和下表面会分别完全暴露于该上部和下部临近头203/205。该室100可进一步包括临近头系泊位置201，用以在该上部和下部临近头203/205缩回到它们的原始位置时容纳其每个。该临近头系泊位置201还考虑到与该上部和下部临近头203/205每个相关联的弯液面在其转移到该晶片207上时的平滑过渡。该临近头系泊位置201设在该室内以便确保当该上部和下部临近头203/205缩回至它们各自的原始位置时，该上部和下部临近头203/205不会与该驱动辊子组件303、该稳定器组件305或升高以容纳该晶片207的该压板209相干扰。
图3是按照本发明一个实施例，示出该室的俯视图的图示，该上部临近头203延伸至该晶片207的中心。图4是按照本发明一个实施例，示出该室的俯视图的图示，该上部临近头203缩回该临近头系泊位置201上方的原始位置。如先前提到的，当将该晶片207通过该入口门101容纳在该室100内时，该晶片被该驱动辊子组件303和该稳定器组件305啮合和夹持。利用该临近头驱动机构113，该上部临近头203可从该临近头系泊位置201上的其原始位置以线性方式移动至该晶片207的中心。类似地，利用该临近头驱动机构113，该下部临近头205可从该临近头系泊位置201上的其原始位置以线性方式移动至该晶片207的中心。在一个实施例中，该临近头驱动机构113限定为将该上部和下部临近头203/205一起从该临近头系泊位置201移动至该晶片207的中心。
如图3所示，该室100由该外结构壁103和内衬垫301限定。因此，该室100结合双壁系统。该外结构壁103具有足够的强度以在该室100内提供真空能力并由此形成真空边界。在一个实施例中，该外结构壁103由结构金属形成，如不锈钢。然而，应当理解，实际上任何别的具有足够强度特性的结构金属可用来形成该外结构壁103。该外结构壁103还可形成具有足够的精度以使得该室100能够与另一模块接口，如该MTM。
该内衬垫301提供化学制剂边界并且作为防止该室内的化学制剂到达该外结构壁103的分隔物。该内衬垫301由惰性材料形成，其与该室100内存在的各种不同化学制剂化学相容。在一个实施例中，该内衬垫301由惰性塑料材料形成。然而，应当理解，实际上任何别的可以合适成形的化学惰性材料可用来形成该内衬垫301。还应当理解该内衬垫301不需要提供真空边界。如先前所提到的，该外结构壁103限定为提供该真空边界。另外，在一个实施例中，该内衬垫301可从该室100去除以便于清洁或者只是更换新的内衬垫301。
该室100限定为环境可控以便于该晶片无电镀工艺并保护该晶片表面免受不希望的反应，例如，氧化。为此，该室100配备有内部压强控制系统和内部氧含量控制系统。在一个实施例中，能够将该室100泵到低至小于100mTorr的压强。在一个实施例中，期望该室100运行在大约700Torr。
应当认识到该室100内部容积的氧浓度是重要的工艺参数。更具体地，该晶片处理环境中需要低氧浓度以确保避免在该晶片表面出现不希望的氧化反应。期望当该室100内存在晶片时，该室100内部容积内的氧浓度保持在小于2ppm(百万分之几)的水平。通过使用于该室100的内部容积的真空源排空该室并用高纯度氮重新填充该室100内部容积来降低该室100的氧浓度。因而，通过将该室100内部容积泵低至低压并用超高纯度氮(其中氧含量可以忽略不计)重新填充该室100内部容积而将该室100内部容积的氧浓度从大气水平(即大约20％的氧)降低。在一个实施例中，将该室100内部容积泵低至1Torr并用超高纯度氮将其重新填充至大气压三次应当能将该室100内部容积的氧浓度降低至大约3ppm。
该无电镀工艺是温度敏感的工艺。因而，需要在该无电镀溶液存在于该晶片表面上时，使该室100内部容积环境条件对该无电镀溶液温度的影响最小。为此，该室100这样限定，即可将气体通过存在于该外结构壁103和该内衬垫301之间的空气间隙引入该室100内部容积，从而避免气体直接在该晶片上方流动。应当认识到当无电镀溶液存在于该晶片表面上时，气体直接在该晶片上方的流动会导致蒸发冷却效应，这会降低存在于该晶片表面上的该无电镀溶液的温度，并相应的改变该无电镀反应速率。除了能够将气体间接引入该室100内部容积，该室100还配备为允许在将该无电镀溶液施加到该晶片表面上方时，该室100内部容积内的蒸汽压力升高至饱和态。在该室100内部容积处于相对该无电镀溶液的饱和态情况下，可以最小化上面提到的蒸发冷却效应。
回头参考图3和4，该稳定器组件305包括稳定器辊子605，其限定为向该晶片207边缘施加压力以便将该晶片207夹持在该驱动辊子组件303中。因此，该稳定器辊子605限定为啮合该晶片207的边缘。该稳定器辊子605外形限定为适应该稳定器辊子605和该晶片207之间的角偏差。并且，该稳定器组件305限定为能够机械调节该稳定器辊子605垂直位置。图6所示的该稳定器组件305包括单个稳定器辊子605以容纳200mm晶片。在另一实施例中，该稳定器组件305可限定为具有两个稳定器辊子605以容纳300mm晶片。
还回头参照图3和4，该驱动辊子组件303包括一对驱动辊子701，其限定为啮合该晶片207的边缘并转动该晶片207。该驱动辊子701每个限定为啮合该晶片207的边缘。每个驱动辊子701的外形限定为适应该驱动辊子701和该晶片207之间的角偏差。并且，该驱动辊子组件303限定为能够机械调节每个驱动辊子701的垂直位置。该驱动辊子组件303能够将该驱动辊子701朝向以及远离该晶片207的边缘移动。该稳定器辊子605与该晶片207的边缘的啮合将导致该驱动辊子701啮合该晶片207的边缘。
回头参考图2，该压板提升组件115限定为将移动该压板209上的晶片207从该晶片旋转平面(即，该晶片被该驱动辊子701和稳定器辊子605啮合的平面)移动至处理位置(该压板209啮合该溶槽211的密封件的位置)。图5是按照本发明一个实施例，示出通过该压板209和溶槽211的垂直截面的图示，该压板209处于完全降下的位置。该压板209限定为加热的真空卡盘。在一个实施例中，该压板209由化学惰性材料制造。在另一实施例中，该压板209涂有化学惰性材料。该压板209包括连接至真空源911的真空通道907，该真空源在开启时将会把该晶片207真空夹紧至该压板209。将该晶片207真空夹紧至该压板209降低该压板209和该晶片207之间的热阻，还防止该晶片207在该室100内垂直运输期间滑动。
在各种不同实施例中，该压板209可限定为容纳200mm晶片或300mm晶片。另外，应当认识到该压板209和室100可限定为容纳基本上任何尺寸的晶片。对于给定的晶片尺寸，该压板209上表面(即，夹紧表面)直径限定为稍小于该晶片直径。这个压板-晶片尺寸布置使得该晶片的边缘能够延伸稍微超出该压板209的上部外缘，因此使该晶片边缘与每个该稳定器辊子605之间以及在该晶片坐在该压板209上时与驱动辊子701之间能够啮合。
如先前所提到的，该无电镀工艺是温度敏感工艺。该压板209限定为这样加热，即可以控制该晶片207的温度。在一个实施例中，该压板209能够保持在高达100℃的温度。并且，该压板209能够保持在低到0℃的温度。预计一般的压板209工作温度将是大约60℃。在该压板209的尺寸设为容纳300mm晶片的实施例中，该压板209设有两个内部的电阻加热线圈，以便分别形成内部加热区域和外部加热区域。每个加热区域包括它自己的控制热偶。在一个实施例中，该内部加热区域采用700Watt(W)电阻加热线圈，该外部区域采用2000W电阻加热线圈。在该压板209的尺寸设为容纳200mm晶片的实施例中，该压板209包括单个加热区域，由1250W内部的加热线圈和对应的控制热偶形成。
该溶槽211限定为当该压板209在该室100内完全降下时接收该压板209。该溶槽211的流体保持能力在该压板209下降以啮合围绕该溶槽211的内缘形成的溶槽密封件909时才完成。在一个实施例中，该溶槽密封件909是通电密封件(energized seal)，其在该压板209降低以完全接触该溶槽密封件909时在该压板290和溶槽211之间形成液密密封。应当认识到当该压板209降低以啮合该溶槽密封件909时，该压板209和该溶槽211之间存在间隙。因此，该压板209与该溶槽密封件909的啮合允许将电镀溶液喷射进该槽中，从而填充该溶槽密封件909上方、该压板209和该溶槽211之间存在的间隙，并在夹紧在该压板209的上表面上的该晶片207的边缘上方涌出。
在一个实施例中，该溶槽211包括八个流体分配喷嘴，用以分配该溶槽211内的电镀溶液。该流体分配喷嘴围绕该溶槽211以均匀隔开的方式分布。各该流体分配喷嘴由来自分配歧管的管道送料，从而每个流体分配喷嘴的流体分配速率基本上相同。并且，该流体分配喷嘴这样设置，即该流体分配喷嘴每个发出的流体在该压板209的上表面下方的位置进入该溶槽211，即，在夹紧在该压板209的上表面上的晶片207的下方。另外，当该压板209和晶片207不在该溶槽211中时，该溶槽211可凭借通过该流体分配喷嘴将清洁溶液喷射进该溶槽211中而清洁。该溶槽211可以用户设定的频率清洁。例如，该溶槽可以频繁到在处理每个晶片之后都清洁，或偶尔地每100晶片清洁一次。
该室100还包括冲洗杆901，其包括若干冲洗喷嘴903和若干排空喷嘴905。该冲洗喷嘴903用来在移动该压板209以将该晶片207设在冲洗位置时，将冲洗流体喷到该晶片207的顶部表面。在该冲洗位置，该压板209和该溶槽密封件909之间将会存在间隙以使得冲洗流体能够流进该溶槽211，从该溶槽可以排走该流体。在一个实施例中，提供两个冲洗喷嘴903以冲洗300mm晶片，以及提供一个冲洗喷嘴903以冲洗200mm晶片。该排空喷嘴905限定为将惰性气体(如氮)引导朝向该晶片的顶部表面以帮助在冲洗工艺过程中从该晶片的顶部表面去除流体。应当认识到因为当该无电镀溶液接触该晶片表面时，该无电镀反应持续进行，所以必需在该无电镀时期完成后迅速且均匀地从该晶片去除该无电镀溶液。为此，该冲洗喷嘴903和排空喷嘴905使得能够迅速且均匀的从该晶片207去除无电镀溶液。
图6A是按照本发明一个实施例，示出该晶片207在该室100内晶片交递位置的图示。运行该室100以从外部模块例如MTM接收晶片，，该室100连接到该模块。在一个实施例中，降低该入口门101并利用机器人晶片处理装置将该晶片207输入至该室100。当该晶片207设在该室100中时，该驱动辊子701和该稳定器辊子605处于它们完全缩回的位置。该晶片207设在该室100内从而该晶片207的边缘接近该驱动辊子701和该稳定器辊子605。然后将该驱动辊子701和稳定器辊子605朝向该晶片207的边缘移动以啮合该晶片207的边缘，如图6A所示。
应当认识到该晶片交递位置也是该室100内的晶片干燥位置。该晶片交递和干燥工艺发生在该室100的上部区域1007。该溶槽211位于该室100的下部区域1009、直接在该晶片交递位置的下方。这个构造使得能够升高和降低该压板209以使得该晶片207能够从该晶片交递位置移动到该下部区域1009中的该晶片处理位置。在该晶片交递过程中，该压板209在完全降下的位置以避免该压板209与该机器人晶片处理装置干扰。
在该室100内接收该晶片207之后，将该晶片207移动至该室100的下部区域1009以处理。利用该压板提升组件115和轴801，该压板209用来将该晶片207从该室100的该上部区域1007传输至该室207的该下部区域1009。图6B是按照本发明一个实施例，示出该压板209升高至该晶片交递位置的图示。在升高该压板209之前，确认该上部和下部临近头203/205在它们的原始位置。并且，在升高该压板209之前，该晶片207可以在认为必要时利用该驱动辊子701转动。然后将该压板209升高至该晶片拾取位置。在该晶片拾取位置，激活至该压板209的真空源。移动该稳定器辊子605远离该晶片207至其缩回位置。并且，移动该驱动辊子701远离该晶片207至它们的缩回位置：这时，该晶片207被真空卡紧于该压板209。在一个实施例中，核实该压板的真空压小于最大用户指定值。如果该压板的真空压是可接收的，那么进行该晶片交递工序。否则，取消该晶片交递工序。
将该压板209加热到用户指定的温度，并将该晶片207夹持在该压板209上持续用户指定的时间用以允许该晶片207加热。然后将其上带有晶片的该压板209降低至悬停位置，这个位置刚好在该压板209将要啮合该溶槽密封件909的位置的上方，即恰在该密封位置上方。图6C是按照本发明一个实施例，示出该压板209处于恰在该密封位置上方的该悬停位置的图示。在该悬停位置上，该压板209和该溶槽密封件909之间的距离是用户可选参数。在一个实施例中，在该悬停位置，该压板209和该溶槽密封件909之间的距离在从大约0.05英寸到大约0.25英寸的范围。
当其上带有晶片207的该压板209在该悬停位置，可以开始该无电镀工艺。在该无电镀工艺之前，运行该FHS以再循环处于预混合状态的该无电镀化学制剂。当将该压板209保持在该悬停位置时，开始利用流体分配喷嘴1001将该无电镀溶液1003流进该溶槽211。该压板209处于该悬停位置时的无电镀溶液1003流指的是稳定流。在该稳定流过程中，该无电镀溶液1003从该流体分配喷嘴向下在该压板209和溶槽密封件909之间流进该溶槽211的排出池。该流体分配喷嘴1001围绕该溶槽211的边缘以基本上均匀隔开的方式设置，以便在该压板209降低以啮合该溶槽密封件909时围绕该压板209的下侧边缘均匀设置。并且，各该流体分配喷嘴1001这样设置，即从它们分配的无电镀溶液1003在低于夹持在该压板209顶部的该晶片207的位置分配。
该稳定流允许至各该流体分配喷嘴1001的无电镀溶液1003流在降低该压板209以啮合该溶槽密封件909之前先稳定。持续该稳定流直到经过用户指定的时间或直到从该流体分配喷嘴1001分配了用户指定量的无电镀溶液1003。在一个实施例中，该稳定流持续大约0.1秒至大约2秒。并且，在一个实施例中，持续该稳定流直到从该流体分配喷嘴1001分配大约25mL至大约500mL容量的无电镀溶液1003。
在该稳定流结束时，降低该压板209以啮合该溶槽密封件909。图6D是按照本发明一个实施例，示出在该稳定流结束之后，该压板209降低以啮合该溶槽密封件909的图示。当该溶槽密封件909被该压板209啮合时，来自该流体分配喷嘴1001的该无电镀溶液1003将填充该溶槽211和该压板209之间的间隙以便涌出并超过该晶片207的边缘。因为该流体分配喷嘴1001围绕该压板209的边缘基本上均匀设置，该无电镀溶液1003以基本上均匀的方式升高超过该晶片的周缘以便以基本上同心的方式从该晶片207的边缘朝向该晶片207中心流动。
在一个实施例中，在该溶槽密封件909已经被该压板209啮合之后，从该流体分配喷嘴1001分配大约200mL至大约1000mL额外量的无电镀溶液1003。该分配额外的无电镀溶液1003需要大约1秒至大约10秒。在分配额外的无电镀溶液1003以便用无电镀溶液1003覆盖整个晶片207表面之后，允许经过用户确定的时间，其间在该晶片表面上发生无电镀反应。
紧接着用于无电镀反应的用户限定时间，该晶片207经受冲洗工艺。图6E是按照本发明一个实施例，示出该晶片207经历该冲洗工艺的图示。对于该冲洗工艺，将该压板209升高至晶片冲洗位置。当升高该压板209，该压板209和该溶槽密封件909之间的密封就会被打破，该晶片207上方的该无电镀溶液1003的主要部分将流到该溶槽211排出池。该晶片207上其余的无电镀溶液1003通过从该冲洗喷嘴903分配冲洗流体1005到该晶片207上来去除。在一个实施例中，该冲洗流体1005是去离子水(DIW)。在一个实施例中，该冲洗喷嘴903从该FHS内的单个阀门输入。如果必要，该压板209可在该冲洗工艺期间移动。另外，惰性气体(如氮)可从该排空喷嘴905分配以吹掉该晶片表面上的液体。该冲洗流体1005流和惰性排空气体流的启动和持续时间是用户定义的参数。
接着该晶片冲洗工艺，将该晶片207移至该晶片干燥位置，其与该晶片交递位置相同。回头参考图6B，该压板209升高以便将该晶片207设在该驱动辊子701和稳定器辊子605附近。在该压板209从该冲洗位置升高之前，核实该上部和下部临近头203/205处于它们的原始位置、该驱动辊子701完全缩回以及稳定器辊子605完全缩回。一旦该晶片升高至该干燥位置，就将该驱动辊子701移动至它们完全伸展的位置，以及移动该稳定器辊子605以啮合该晶片207的边缘从而还使得该驱动辊子701啮合该晶片207的边缘。这时，至该压板209的真空源关闭，以及该压板稍微下降远离该晶片207。一旦该晶片207核实为被该驱动辊子701和稳定器辊子605牢固地夹持，该压板209降低至该溶槽密封位置，在该室内的该晶片处理持续期间该压板209保持在这个位置。
图6F是按照本发明一个实施例，示出利用该上部和下部临近头203/205使该晶片207经历干燥工艺的图示。在一个实施例中，当该临近头在系泊位置201时，开始至该上部和下部临近头203/205的流。在另一实施例中，该上部和下部临近头203/205在开始至该临近头的流之前移动至该晶片207的中心。为了起始至该临近头203/205的流，起始至该上部和下部临近头203/205两者的真空。然后，在用户定义的时间之后，氮和异丙醇(IPA)以制法确定的流率流到该上部和下部临近头203/205，以便形成上部和下部干燥弯液面1011A/1011B。如果该流开始于该临近头系泊位置201，那么该上部和下部临近头203/205随着该晶片转动而移至该晶片中心。如果该流开始于该晶片中心，那么该上部和下部临近头203/205随着该晶片转动移至该晶片系泊位置201。
该干燥工艺过程中的晶片转动以初始转动速度开始，并且随着该临近头203/205扫过该晶片而调节。在一个实施例中，在该干燥工艺期间，该晶片转动速率从大约0.25转每分钟(rpm)至大约10rpm。该晶片转动速率将作为该临近头203/205在该晶片上的径向位置的函数来变化。并且，该上部和下部临近头203/205的扫过速度以初始扫过速度开始，并随着该临近头203/205扫过该晶片而调节。在一个实施例中，该临近头203/205扫过该晶片的速率从大约1mm/sec至大约75mm/sec。在该干燥工艺结束时，该上部和下部临近头203/205移动至该临近头系泊位置201，停止至该临近头203/205的IPA流，停止至该临近头203/205的氮流，停止至该临近头203/205的真空源。
在该干燥工艺期间，该上部和下部临近头203/205分别设置为非常靠近该晶片207的顶部表面207A和底部表面207B。一旦处于这个位置，该临近头203/205可利用该IPA和DIW源入口和真空源出口以生成与该晶片207接触的晶片处理弯液面1011A/1011B，其能够施加并从该晶片207的顶部和底部表面移除流体。该晶片处理弯液面1011A/1011B可按照关于图7提供的描述来产生，其中IPA蒸汽和DIW输入进该晶片207和该临近头203/205之间的区域。基本上同时输入该IPA和DIW，在紧邻该晶片表面可施加真空以输出该IPA蒸汽、该DIW和该可能在晶片表面上的流体。应当认识到尽管在该示范性实施例中采用IPA，但是可采用任何别的合适类型的蒸汽，如任何合适的乙醇蒸汽、有机化合物、己醇、乙基乙二醇等，其可与水混溶。IPA的替代物包括但不限于下面的：双丙酮、双丙酮醇、1-甲氧基-2-丙醇、乙基乙二醇、甲基-吡咯烷酮、乳酸乙酯、2-丁醇。这些流体也称作表面张力降低流体。该表面张力降低流体用来增加这两个表面之间(即，该临近头203/205和该晶片207的表面之间)的表面张力梯度。
DIW在该临近头203/205和该晶片207之间区域中的部分是动态弯液面1011A/1011B。应当认识到，这里使用的术语“输出”可以指将流体从该晶片207和一个具体临近头203/205之间的区域去除，以及该术语“输入”是将流体引入到该晶片207和该具体临近头203/205之间的区域。
图7是按照本发明一个实施例，示出可由临近头203/205进行的示范性工艺的图示。尽管图7示出正在处理的晶片207的顶部表面207A，应当认识到对于该晶片207的底部表面207B，该工艺可以基本上同样的方式进行。尽管图7说明基片干燥工艺，但是许多别的制造工艺(例如，蚀刻、冲洗、清洁等)也可以类似的方式应用于该晶片表面。在一个实施例中，源入口1107可用来将异丙醇(IPA)蒸汽向该晶片207的顶部表面207A施加，以及源入口1111可用来将去离子水(DIW)向该顶部表面207A施加。另外，源出口1109可用来将真空施加至紧邻该表面207A的区域以去除位于该表面207A上或者附近的流体或蒸汽。
应当认识到可采用源入口和源出口的任何合适的组合，只要存在至少一个这样的组合，其中至少一个该源入口1107邻近至少一个该源出口1109，其转而邻近至少一个该源入口1111。该IPA可以是任何合适的形式，例如，IPA蒸汽，其中蒸汽形式的IPA通过使用氮载体气输入。此外，尽管这里采用DIW，但是可以使用任何别的合适的能够进行或者增强基片处理的流体，例如，以别的方式提纯的水、清洁流体以及其他处理流体及化学制剂。在一个实施例中，IPA入流1105通过该源入口1107提供，通过该源出口1109施加真空1113，DIW入流1115通过该源入口1111提供。如果流体膜停留在该晶片207上，通过该IPA入流1105将第一流体压力施加在该基片表面，通过该DIW入流1115将第二流体压力施加到该基片表面，以及通过该真空1113施加第三流体压力以去除该DIW、IPA和该基片表面的流体膜。
应当认识到，通过控制到该晶片表面207A上的流体流量以及控制所施加的真空，该弯液面1011A可以任何合适的方式来管理和控制。例如，在一个实施例中，通过增加该DIW流1115和/或降低该真空1113，通过该源出口1109的出流几乎都是DIW和从该晶片表面207A去除的流体。在另一实施例中，通过减少该DIW流1115和/或增加该真空1113，通过该源出口1109的出流基本上是DIW和IPA的组合以及从该晶片表面207A去除的流体。接着该晶片干燥工艺，该晶片207可回到该外部模块，例如，MTM。
图8是按照本发明一个实施例，示出集合体系结构1200。该集合体系结构1200包括可控环境转移模块1201，即，受管理的转移模块(MTM)1201。该MTM 1201通过槽阀(slot valve)1209E连接到装载锁1205。该MTM 1201包括机器人晶片处理装置1203，即末端执行器1203，其能够从该装载锁1205收回晶片。该MTM 1201还通过各自的槽阀1209A、1209B、1209C和1209D连接到多个处理模块1207A、1207B、1207C和1207D。在一个实施例中，该处理模块1207A-1207D是可控环境湿法处理模块。该可控环境湿法处理模块1207A-1207D配置为在可控的惰性环境中处理晶片表面。该MTM1203的可控惰性环境这样管理，即将惰性气体泵入该MTM 1203并将氧气泵出该MTM 1203。在一个实施例中，该无电镀室100可作为处理模块连接到该MTM 1203。例如，图8示出处理模块1207A实际上是干进干出无电镀室100。
通过从该MTM 1203去除全部或大部分氧气并用惰性气体替换，该MTM 1203将提供这样的转移环境，其不会在该室100中在其上执行无电镀工艺之前或之后暴露刚处理的晶片。在具体的实施例中，别的处理模块1207B-1207D可以是电镀模块、无电镀模块、干进干出湿法处理模块或其他类型的模块，其能够在晶片表面或特征的顶部施加、形成、去除或沉积层或能够进行其他类型的晶片处理。
在一个实施例中，通过运行在计算机系统上的图形用户界面(GUI)提供对该室100和接口设备(例如，FHS)的监视和控制，该计算机系统相对于该处理环境远程设置。连接该室100和接口设备内的各种传感器以提供在该GUI的读出。该室100和接口设备内的每个电驱动控制器可通过该GUI开动。该GUI还限定为基于该室100和接口设备内的各种传感器的读数显示警告和报警。该GUI进一步限定为指示工艺状态和系统状况。
本发明的室100有许多进步特征。例如，该室100内上部和下部临近头203/205的实现为该室100提供干进干出晶片无电镀工艺能力。该干进干出能力使得该室100能够与该MTM接口、使得能够紧密控制该晶片表面上的化学反应并防止将化学制剂带出该室100。
该室100的双层壁构造也提供多个好处。例如，该外结构壁提供强度和接口精度，而该内衬垫提供化学边界以使得化学制剂不到达该外结构壁。因为该外结构壁负责提供该真空边界，所以该内衬垫就不必能够提供真空边界，因此使得该内壁可由惰性材料制造，如塑料。另外，该内壁可去除以便于室100清洁或改装(re-equipping)。并且，该外壁的强度使得能够降低在该室100内实现惰性环境状况所需的时间。
该室100考虑到该室100内的环境条件的控制。在干燥期间使用惰性环境条件使得能够建立表面张力梯度(STG)，其转而能够进行该临近头工艺。例如，可在该室100内建立二氧化碳环境条件以帮助在该临近头干燥工艺期间创建STG。在湿法工艺室内(即，无电镀室)整合STG干燥(即，临近头干燥)使之具有多阶段工艺能力。例如，该多阶段工艺包括利用临近头在该室的上部区域进行的预先清洁操作、在该室的下部区域中的无电镀工艺和利用该临近头在该室的该上部区域中进行的后清洁及干燥操作。
此外，该室100配置为使所需的无电镀溶液的量最少，因此能够使用一次性的化学制剂，即，一次使用并废弃的化学制剂。并且，实现使用时混合方法以控制电介质在沉积在晶片上之前的活化。这个通过使用结合喷射器管道的混合歧管来实现，其中将活化化学制剂喷射进该喷射器管道附近的化学制剂流，尽可能靠近该溶槽分配位置。这增加反应稳定性并降低缺陷。另外，该室100的熄灭冲洗能力考虑到对该晶片上无电镀反应时间的更大控制。该室100进一步配置为容易通过将“回洗”化学制剂引入该溶槽的有限体积而清洁。该“回洗”化学制剂配制为去除可能由该无电镀溶液引入的金属污染物。在别的实施例中，该室100可进一步配置为结合多种类型的原位计量仪。并且，在一些实施例中，该室100可包括放射性或吸收性的加热源以开始该晶片上的无电镀反应。
该室100的运行可由流体处理系统(FHS)支持。在一个实施例中，该FHS限定为与该室100分开的单独模块，并且与该室100内的多个部件流体连通。该FHS限定为服务该无电镀工艺，即，该溶槽分配喷嘴、冲洗喷嘴和排空喷嘴。该FHS还限定为服务该上部和下部临近头203/205。混合歧管设在该FHS和该供应管线之间，该供应管线服务该溶槽211内各流体分配喷嘴。因此，流到该溶槽211内每个流体分配喷嘴的无电镀溶液在到达该溶槽211之间预混合。
流体供应管线设为将该混合歧管与该溶槽211内的多个不同流体分配喷嘴流体连接，从而该电镀溶液将以基本上均匀的方式从每个流体分配喷嘴流进该溶槽211，例如，以基本上均匀的流率。该FHS限定为能够对设在该混合歧管和该溶槽211的流体分配喷嘴之间的该流体供应管线进行氮吹扫，以便能够清洁电镀溶液的流体供应管线。该FHS还限定为通过提供冲洗流体至各该冲洗喷嘴903以通过提供惰性气体至各排空喷嘴905而支持该晶片冲洗工艺。该FHS限定为能够手动设置压力调节器以控制从该冲洗喷嘴903发出的液体压力。
在一个实施例中，该FHS包括三个主要模块：1)化学FHS1401，2)化学制剂供应源FHS 1403，和3)冲洗FHS 1405。图9是按照本发明一个实施例，示出该化学FHS 1401的轴测图的图示。图10是按照本发明一个实施例，示出该化学制剂供应源FHS 1403的轴测图的图示。图11是按照本发明一个实施例，示出该冲洗FHS 1405的轴测图的图示。
在一个实施例中，该化学FHS 1401限定为包括四个流体再循环回路，用以在将该流体提供至该室100之前预处理该流体，以及用以控制将该流体提供到该室100。在一个实施例中，三个该再循环回路用来预处理并控制处理化学制剂至该室100的供应，第四再循环回路用来预处理并控制去离子水(DIW)至该室100的供应。应当认识到，在别的实施例中，该化学FHS 1401可包括不同数目的(即，少于四个或多于四个)流体再循环回路，该多个不同再循环回路可用来提供不同类型的流体至该室100。
图12是按照本发明一个实施例，示出该化学FHS 1401的再循环回路1407的图示。该再循环回路1407包括稳压罐1409、泵1411、除气器1413、加热器1415、流量计1417和过滤器1419。该泵1411用来提供再循环流体和将该流体分配进该溶槽211的动力。在一个实施例中，该泵1411是磁悬浮离心泵。在再循环模式中，该泵1411控制该再循环回路1407中的流动以遵从用户定义的流率。该泵1411读取来自该流量计1417的电流输出(如箭头1421所指示的)，并且调节其速度以保持在基本上恒定的流率。在一个实施例中，该再循环回路1407内的流率将在500mL/min至6000mL/min之间变化。该泵1411速度将随着该过滤器1419变得阻塞而逐渐增加。因而，可监测该泵1411速度以确定需要更换该过滤器1419。当该所监测的泵1411速度超出用户指定的泵速度门限时，可提供过滤器1419警告信号。还可以直接控制该泵1411速度。
在一个实施例中，该加热器1415是电阻加热器，其限定为在该流体通过该再循环回路1407循环时加热该流体。该除气器1413用来在该流体通过该再循环回路1407循环时从该流体去除气体。该除气器1413在气体渗透膜的一侧具有真空，该流体在该渗透膜上方循环。因此，溶解在该流体中的气体通过该膜离开该流体。
提供多位阀1425以控制该流体通过该再循环回路1407循环或引导至该混合歧管用以最终供应给该溶槽211。在一个实施例中，提供手动针阀1423以能够将从该多位阀1425至该稳压罐1409的压降与从该多位阀1425至该溶槽211的压降匹配。这个压降匹配防止在激活该多位阀1425以将该流体引导至该溶槽211时流率出现显著峰值。
该再循环回路1407可运行在三个模式：1)启动模式，2)流体加热模式，和3)预分配/分配模式。在启动模式，假设该稳压罐1409开始是完全空的。该启动模式的目标是准备好该泵1411并填充该再循环回路1407。在启动该泵1411之前，该稳压罐1409应当填充至将会防止气体进入该流体流的程度。为了填充该稳压罐1409，激活阀门1427以允许化学制剂从该化学制剂供应源FHS 1403进入该稳压罐1409。然后以较缓的速度启动该泵1411。该泵1411速度随着额外的化学制剂通过该阀门1427提供至该罐而逐渐增加。
当将该流体添加到该再循环回路1407，或者是因为系统启动或者应为在正常运行期间增加流体，该流体应当由该加热器1415在该流体加热模式期间加热。在正常运行，期望在再填充循环期间将大约200mL添加到该再循环回路1407。期望在启动过程中可以添加高达3L。在一个实施例中，加热该流体的最佳流率是大约2L/min。该加热模式期间，流体通过该再循环回路1407的流率可控制为该最佳流率。期望用大约150秒将大约200mL流体从室温加热至大约60℃。
该预分配/分配模式中，在将该流体分配到该溶槽211之前，流体通过该再循环回路1407的流率应当设为将该流体分配到该溶槽211期间所期望的流率。在一个实施例中，用于将流体分配至该溶槽211的流率可从大约0.25L/min至大约2.4L/min变化。这关系到将大约21.6mL至大约200mL的流体在5秒的分配时间内分配到该溶槽211。当在这个范围内调节时，应当用约20秒来在该回路中稳定该流率。利用该混合歧管将流体从该再循环回路1407分配到该溶槽211，是通过激活该多位阀1425以在适当的分配时间内将该流体引导至该溶槽211而实现的。每个再循环回路1407的多位阀1425应当基本上同时激活，以确保将适当的化学制剂混合物提供至该溶槽211。如前面关于图6C所描述的，允许一定量的流体在该压板209与该溶槽密封件909啮合之前直接流进该溶槽211的排出池，以确保稳定从该化学FHS 1401至该溶槽的流体流。
该化学FHS还包括注射泵(未示)，用于将第四化学制剂喷射进恰在该溶槽211之前的流体源。在一个实施例中，在开始分配模式运行之前填充该注射泵。该注射泵包括回转阀，其允许不同的端口向该注射器打开。在一个实施例中，该注射泵是正排量泵并具有50mL的最大负荷。该注射泵通过将该回转阀设为使该注射器向所需的化学制剂源开口而填充。该注射泵通过将该回转阀设为使该注射泵随着该流体流至该溶槽211而向该流体流开口而分配。在一个实施例中，从该注射泵的分配速率可从大约10mL/min至大约1000mL/min不同。应当认识到上面讨论的该注射泵只是许多可能的实施例中的一个实施例。另外，应当理解协调化学制剂1-3、DIW和化学制剂4的分配以防止不正确的化学制剂混合物到达该溶槽211和晶片207。
进一步关于图12，应当理解该再循环回路1407限定在该化学FHS 1401内以将许多化学制剂的一种以可控的方式提供至混合歧管1453的许多流体输入1451之一。该混合歧管1453包括流体输出，连接到流体供应管线1455，其连接以将无电镀溶液提供至该室100内的溶槽211。该混合歧管1453限定为混合从该化学FHS 1401接收到的若干化学制剂以形成该无电镀溶液。在一个实施例中，该混合歧管1453尽可能靠近该室100设置以使该流体供应管线1455的长度最小，无电镀溶液通过该管线流动。
该化学制剂供应源FHS 1403限定为从各个化学制剂供应罐将多种不同化学制剂提供至该化学FHS 1401。在一个实施例中，加压该多种不同化学制剂以传送至该化学FHS 1401。该多种不同化学制剂供应罐中的压力可通过压力调节器控制。并且，每个化学制剂供应罐具有流体高度传感器。可监测每个流体高度传感器以核实在该化学制剂供应罐存在足够的化学制剂以进行待在该室100内执行的工艺。该化学制剂供应源FHS 1403包括传送第五化学制剂至该溶槽的能力。在一个实施例中，该第五化学制剂限定为用于清洁该溶槽211的清洁制剂。该清洁制剂用来防止或者去除该电镀溶液传送管线和溶槽211中的镀沉积物。该清洁制剂可以加压或不加压。在一个实施例中，该清洁制剂由化学制剂供应源FHS 1403中的注射泵传送。
该冲洗FHS 1405包括用于IPA生成和传送的部分和用于冲洗流体传送以及从该室100抽出的部分。IPA系统安装在该冲洗FHS 1405单独的不锈钢外壳中以将易燃的IPA与加热器以及整个FHS系统内的其他化学制剂分开。该冲洗FHS 1405外壳还包括用于设备进入和废物排出的端口。在一个实施例中，设备进入以及废物排出该冲洗FHS 1405外壳的底部。并且，在一个实施例中，该冲洗FHS 1405外壳的上部部分包括与该上部和下部临近头203/205相关联的真空罐、排气泵和流量控制器。
该IPA系统支持IPA蒸汽的生成以及将IPA蒸汽提供至该上部和下部临近头203/205。连接氮/IPA供应管线以将IPA蒸汽提供至该上部和下部临近头203/205的每个。在一个实施例中，为该上部和下部临近头203/205的每个提供该IPA蒸汽流和氮气流的独立控制。在一个实施例中，两个集成(on-board)的罐包含IPA，其中每个罐限定为具有2L的容量、1升的使用容积。这两个罐以交替的方式使用，以将IPA提供到蒸发器系统。当一个罐提供IPA时，可以补充另一个罐。传感器用来监测每个罐内的流体高度。并且，每个罐配备有超压泄放阀，其将向排气装置排放。
在一个实施例中，一个蒸发器系统服务该上部和下部临近头203/205两者。液体IPA经过液体质量流量控制器从这些罐之一以高达30g/min的质量流率分配。氮气载体气体经过质量流量控制器以高达30SLPM(标准升每分钟)的流率分配，并与该IPA结合，然后喷射进该蒸发器系统。离开该蒸发器系统的热IPA蒸汽与后蒸发器氮气稀释剂混合以稀释该热蒸汽中的IPA浓度。该后蒸发器氮气的量由质量流量控制器控制在高达200SLPM的流率。然后将该IPA蒸汽传送至该上部和下部临近头203/205。
如先前所提到的，IPA蒸汽流到每个临近头203/205的量可独立控制。在一个实施例中，旋转流量计用来控制到每个临近头203/205的IPA的流量。该旋转流量计允许用户调节到该上部和下部临近头203/205的流量的比率。在一个实施例中，通过该质量流量控制器监测多个不同氮气流率，并且报告给操作者。可由该氮气流率相对用户定义触发点过低或过高而触发警告或报警。
该冲洗FHS 1405的流体传送和抽出特征支持使流体到达以及离开该临近头203/205。至该临近头203/205的流体传送包括供应DIW流至该上部和下部临近头203/205。在一个实施例中，单独的流量控制器用来分别控制DIW至由该上部临近头203形成弯液面内部和外部部分的传送。在一个实施例中，这些流量控制器的每个运转以将DIW流量控制在从大约200mL/min至大约1250mL/min的范围。该DIW流率可手动或由制法设置。并且，提供多个阀门以激活至该上部临近头203的弯液面的每个部分的DIW流。在一个实施例中，将DIW流提供至该下部临近头205形成的弯液面的单个区域。在一个实施例中，流量控制器用来将至该下部临近头205的DIW流量控制在从大约200mL/min至大约1250mL/min的范围。
该冲洗FHS 1405通过一组真空罐和真空发生器从该上部和下部临近头203/205去除流体。在一个实施例中，该冲洗FHS 1405包括总共四个真空发生器和各自的真空罐。更具体地，为该上部临近头203外部区域、该上部临近头203内部区域、该下部临近头205和该驱动辊子701和稳定器辊子605每个提供真空罐/发生器组合。阀门用来分别控制至该上部临近头203、下部临近头205和辊子701/605的真空源。这些阀门运行以生成和控制该真空罐中的真空。阀门还用来激活该上部临近头203、下部临近头205和辊子701/605每个的真空。并且，提供传感器监测每个真空罐内的流体高度。
还提供排空泵以泵空该真空罐。在一个实施例中，该排空泵是气动隔膜泵。每个罐具有排空阀以能够独立控制每个罐由其排空泵进行的泵空。另外，提供传感器以监测每个真空罐内的压力。在一个实施例中，每个真空罐运行在从大约70mmHg至大约170mmHg范围的压力下。如果该真空罐内的压力超过运行范围，还可提供压力报警以通知。
该室100包括若干流体排空位置。在一个实施例中，三个单独的流体排空位置提供在该室100内：1)来自该溶槽211的主排空，2)室底部排空，和3)压板真空罐排空。这些排空每个连接至提供在该冲洗FHS 1405内的公共设备排空。该溶槽211排空从该溶槽211铅垂到室排空罐。提供阀门以控制流体从该溶槽211至该室排空罐的排空。在一个实施例中，这个阀门配置为当流体存在于将该溶槽211与该室排空罐连接的排空管线内时打开。
室底部排空也连接至该室排空罐。在液体溢出该室100的情况下，液体将从该室底部的口排至该室排空罐。提供阀门以控制流体从该室底部排至该室排空罐。在一个实施例中，该阀门配置为当流体存在于将该室底部连接至该室排空罐的排空管线内时打开。该压板真空罐有它自己的排空罐。该压板排空罐也用作真空罐。真空发生器连接至该压板排空罐并是该背侧晶片真空的源。提供阀门以控制存在于该晶片背侧的真空。并且，还提供传感器以监测存在于该晶片背侧的压力。该压板排空罐和室排空罐共享公共排空泵。然而，各该压板排空罐和室排空罐每个具有其自己的该罐和该泵之间的隔离阀门以能够单独排空每个罐。
尽管本发明参照多个实施方式描述，但是可以理解，本领域的技术人员在阅读之前的说明书以及研究了附图之后将会实现各种改变、增加、置换及其等同方式。所以，其意图是下面所附的权利要求解释为包括所有这样的落入本发明主旨和范围内的改变、增加、置换和等同物。

Claims (18)

1.一种用于半导体晶片无电镀室的流体处理模块，包括：
第一供应管线，连接以将无电镀溶液供应至该室内的溶槽；
混合歧管，包括连接至该第一供应管线的流体输出，该混合歧管包括用于分别接收若干化学制剂的若干流体输入，该混合歧管限定为混合该若干化学制剂以形成该无电镀溶液；和
化学制剂流体处理系统，限定为将该若干化学制剂以可控方式供应至该混合歧管的该若干流体输入，其中该化学制剂流体处理系统对于每个待供应到该混合歧管的该若干化学制剂包括单独的再循环回路，且其中每个再循环回路限定为预处理该若干化学制剂的特定一个，并且利用该混合歧管控制该若干化学制剂的该特定一个至该溶槽的供应。
2.根据权利要求1所述的用于半导体晶片无电镀室的流体处理模块，其中该混合歧管设为最小化从该混合歧管延伸至该溶槽的该第一供应管线的长度。
3.根据权利要求1所述的用于半导体晶片无电镀室的流体处理模块，进一步包括：
化学制剂供应流体处理系统，包括若干化学制剂供应罐，连接以将该若干化学制剂分别供应至该再循环回路。
4.根据权利要求1所述的用于半导体晶片无电镀室的流体处理模块，进一步包括：
冲洗流体处理系统，限定为生成干燥流体并将该干燥流体供应至该室内的临近头，该冲洗流体处理系统进一步限定为从该室的该临近头抽出流体。
5.根据权利要求4所述的用于半导体晶片无电镀室的流体处理模块，其中该干燥流体包括携带在氮气载体气体中的异丙醇蒸汽。
6.一种用于半导体晶片无电镀工艺的流体处理系统，包括：
若干流体再循环回路，每个流体再循环回路限定为预处理无电镀溶液的化学成分，以及控制用来形成该无电镀溶液的化学成分的供应；和
混合歧管，限定为从每个流体再循环回路接收该化学成分以及混合所接收的化学成分以形成该无电镀溶液，该混合歧管进一步限定为将该无电镀溶液供应于晶片上方。
7.根据权利要求6所述的半导体晶片无电镀工艺的流体处理系统，其中每个流体再循环回路包括多位阀，其具有第一设置，限定为将该流体再循环回路的该化学成分引导为以再循环方式流经该流体再循环回路，该多位阀具有第二设置，限定为将该流体再循环回路的该化学成分引导为流到该混合歧管的输入。
8.根据权利要求7所述的半导体晶片无电镀工艺的流体处理系统，其中每个流体再循环回路包括稳压罐，处于该多位阀下游，每个流体再循环回路进一步包括第二阀门，设在该多位阀和该稳压罐之间，其中该第二阀门限定为能够将从该多位阀至该稳压罐的第一压降与从该多位阀至该无电镀溶液要设在该晶片上方的位置的第二压降匹配。
9.根据权利要求6所述的半导体晶片无电镀工艺的流体处理系统，其中每个流体再循环回路包括加热器，用于在该化学成分经过该流体再循环回路循环时加热该化学成分。
10.根据权利要求6所述的半导体晶片无电镀工艺的流体处理系统，其中每个流体再循环回路包括除气器，用于在该化学成分经过该流体再循环回路循环时从该化学成分去除气体。
11.根据权利要求6所述的半导体晶片无电镀工艺的流体处理系统，其中每个流体再循环回路包括过滤器，用于在该化学成分经过该流体再循环回路循环时从该化学成分去除特定材料。
12.根据权利要求6所述的半导体晶片无电镀工艺的流体处理系统，其中该流体处理系统包括四个流体再循环回路，用于分别预处理和控制该无电镀溶液的四种化学成分的供应，该流体处理系统进一步包括注射泵，其限定为将第五化学成分在该混合歧管的下游并且在靠近该无电镀溶液要设在该晶片上方的位置注入该无电镀溶液。
13.一种运转流体处理系统以支持半导体晶片无电镀工艺的方法，包括：
再循环无电镀溶液的处于分离以及预处理过的状态的若干化学成分的每个；
混合该若干化学成分以形成该无电镀溶液，其中该混合在各该化学成分再循环的下游进行并与之分开；和
将该无电镀溶液流到无电镀室内若干分配位置，其中混合在最小化该无电镀溶液流到该多个分配位置的距离的位置进行。
14.根据权利要求13所述的运转流体处理系统以支持半导体晶片无电镀工艺的方法，其中该再循环包括除气、加热和过滤该若干化学成分的每个。
15.根据权利要求13所述的运转流体处理系统以支持半导体晶片无电镀工艺的方法，其中这样控制该流动，即在该若干分配位置的每个提供基本上相等的该无电镀溶液的流率。
16.根据权利要求13所述的运转流体处理系统以支持半导体晶片无电镀工艺的方法，进一步包括：
随着该无电镀溶液流到该若干分配位置，在无电镀溶液内注入活化化学制剂。
17.根据权利要求13所述的运转流体处理系统以支持半导体晶片无电镀工艺的方法，进一步包括：
这样控制该流动，即允许最小的所需量的该无电镀溶液流到该若干分配位置；和
在该无电镀工艺之后丢弃允许流到该若干分配位置的该无电镀溶液。
18.根据权利要求13所述的运转流体处理系统以支持半导体晶片无电镀工艺的方法，进一步包括：
在该无电镀工艺之后，将清洁制剂从混合位置流到并通过该若干分配位置，其中该清洁制剂配制为去除该无电镀溶液产生的镀沉积物。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010033256A1 (de) 2010-07-29 2012-02-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Methode zur Erzeugung gezielter Strömungs- und Stromdichtemuster bei der chemischen und elektrolytischen Oberflächenbehandlung
US20120260517A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-18 Lam Research Corporation Apparatus and Method for Reducing Substrate Pattern Collapse During Drying Operations
CN103187240B (zh) * 2011-12-30 2016-06-01 无锡华瑛微电子技术有限公司 半导体处理设备
CN103187338B (zh) * 2011-12-30 2015-08-19 无锡华瑛微电子技术有限公司 模块化半导体处理设备
US9490149B2 (en) * 2013-07-03 2016-11-08 Lam Research Corporation Chemical deposition apparatus having conductance control
TWI585539B (zh) * 2014-05-15 2017-06-01 東京威力科創股份有限公司 用以在光阻分配系統中增進再循環及過濾的方法及設備
IT201800009071A1 (it) * 2018-10-01 2020-04-01 Rise Tech Srl Realizzazione di strutture multi-componente tramite menischi dinamici
DE112020004718T5 (de) 2019-10-01 2022-07-21 Elemental Scientific, Inc. Automatisierte Inline-Aufbereitung und Entgasung flüchtiger Proben zur Inline-Analyse

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001192845A (ja) * 2000-01-13 2001-07-17 Tokyo Electron Ltd 無電解メッキ装置及び無電解メッキ方法
CN1681965A (zh) * 2002-09-19 2005-10-12 东京毅力科创株式会社 无电解镀装置及无电解镀方法

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2941902A (en) * 1957-07-02 1960-06-21 Gen Am Transport Chemical nickel plating methods and systems
US3931790A (en) * 1971-07-06 1976-01-13 Ppg Industries, Inc. Angled crossfire rinses
US4239732A (en) * 1979-04-13 1980-12-16 The Martin Sweets Company, Inc. High velocity mixing system
JPS5938304B2 (ja) 1980-08-27 1984-09-14 富士電機株式会社 無電解メツキ装置
BE1000670A5 (fr) * 1987-06-25 1989-03-07 Baxter Travenol Lab Dispositif de remplissage de poches a l'aide d'un liquide de perfusion.
JP3560652B2 (ja) * 1994-09-06 2004-09-02 コニカミノルタホールディングス株式会社 混合方法
US6060176A (en) * 1995-11-30 2000-05-09 International Business Machines Corporation Corrosion protection for metallic features
US5857589A (en) * 1996-11-20 1999-01-12 Fluid Research Corporation Method and apparatus for accurately dispensing liquids and solids
US6696449B2 (en) * 1997-03-04 2004-02-24 Pharmacia Corporation Sulfonyl aryl hydroxamates and their use as matrix metalloprotease inhibitors
TW402737B (en) * 1997-05-27 2000-08-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning/drying device and method
US6171367B1 (en) * 1997-06-05 2001-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method and apparatus for delivering and recycling a bubble-free liquid chemical
JPH1192949A (ja) 1997-09-16 1999-04-06 Ebara Corp 半導体ウエハーの配線メッキ装置
TW589399B (en) 1998-03-02 2004-06-01 Ebara Corp Apparatus for plating a substrate
KR100265286B1 (ko) * 1998-04-20 2000-10-02 윤종용 반도체장치 제조용 케미컬 순환공급장치 및 이의 구동방법
US6192827B1 (en) 1998-07-03 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Double slit-valve doors for plasma processing
JP2000064087A (ja) 1998-08-17 2000-02-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板メッキ方法及び基板メッキ装置
JP3639151B2 (ja) 1999-03-11 2005-04-20 株式会社荏原製作所 めっき装置
US6258223B1 (en) * 1999-07-09 2001-07-10 Applied Materials, Inc. In-situ electroless copper seed layer enhancement in an electroplating system
JP2001073157A (ja) 1999-09-08 2001-03-21 Sony Corp 無電解めっき方法及びその装置
JP3367655B2 (ja) 1999-12-24 2003-01-14 島田理化工業株式会社 めっき処理装置及びめっき処理方法
JP3866012B2 (ja) 2000-06-02 2007-01-10 株式会社荏原製作所 無電解めっき方法及び装置
EP1174912A4 (en) 1999-12-24 2009-11-25 Ebara Corp SEMICONDUCTOR DISC GENERATING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD
US6612915B1 (en) 1999-12-27 2003-09-02 Nutool Inc. Work piece carrier head for plating and polishing
US6335104B1 (en) * 2000-02-22 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for preparing a conductive pad for electrical connection and conductive pad formed
JP2001316834A (ja) 2000-04-28 2001-11-16 Sony Corp 無電解メッキ装置および導電膜の形成方法
US7905653B2 (en) * 2001-07-31 2011-03-15 Mega Fluid Systems, Inc. Method and apparatus for blending process materials
JP3883802B2 (ja) 2000-10-26 2007-02-21 株式会社荏原製作所 無電解めっき装置
US6953392B2 (en) 2001-01-05 2005-10-11 Asm Nutool, Inc. Integrated system for processing semiconductor wafers
JP2002332597A (ja) * 2001-05-11 2002-11-22 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP2002367998A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Ebara Corp 半導体装置及びその製造方法
US6889627B1 (en) * 2001-08-08 2005-05-10 Lam Research Corporation Symmetrical semiconductor reactor
US6645567B2 (en) * 2001-12-19 2003-11-11 Intel Corporation Electroless plating bath composition and method of using
US6824612B2 (en) 2001-12-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless plating system
US6913651B2 (en) * 2002-03-22 2005-07-05 Blue29, Llc Apparatus and method for electroless deposition of materials on semiconductor substrates
US6814813B2 (en) * 2002-04-24 2004-11-09 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
US7223323B2 (en) * 2002-07-24 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Multi-chemistry plating system
JP3824567B2 (ja) * 2002-09-30 2006-09-20 株式会社荏原製作所 基板処理装置
US7341634B2 (en) * 2002-08-27 2008-03-11 Ebara Corporation Apparatus for and method of processing substrate
JP3985864B2 (ja) 2002-08-27 2007-10-03 株式会社荏原製作所 無電解めっき装置及び方法
US7252097B2 (en) * 2002-09-30 2007-08-07 Lam Research Corporation System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process
US7520285B2 (en) 2002-09-30 2009-04-21 Lam Research Corporation Apparatus and method for processing a substrate
TWI251511B (en) 2002-09-30 2006-03-21 Lam Res Corp Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US6954993B1 (en) * 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6699380B1 (en) * 2002-10-18 2004-03-02 Applied Materials Inc. Modular electrochemical processing system
US7189146B2 (en) * 2003-03-27 2007-03-13 Asm Nutool, Inc. Method for reduction of defects in wet processed layers
TWI247056B (en) 2003-04-23 2006-01-11 Air Liquide Method and apparatus for monitoring, dosing and distribution of chemical solutions
US6881437B2 (en) * 2003-06-16 2005-04-19 Blue29 Llc Methods and system for processing a microelectronic topography
JP2005068494A (ja) 2003-08-25 2005-03-17 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 薄膜処理装置、薄膜処理方法、薄膜トランジスタおよび表示装置
US20050051437A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-10 Keiichi Kurashina Plating apparatus and plating method
US7335277B2 (en) * 2003-09-08 2008-02-26 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus
US7323058B2 (en) * 2004-01-26 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7465358B2 (en) * 2003-10-15 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Measurement techniques for controlling aspects of a electroless deposition process
US7597763B2 (en) * 2004-01-22 2009-10-06 Intel Corporation Electroless plating systems and methods
US20050181226A1 (en) 2004-01-26 2005-08-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for selectively changing thin film composition during electroless deposition in a single chamber
JP2006111938A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Tokyo Electron Ltd 無電解めっき装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001192845A (ja) * 2000-01-13 2001-07-17 Tokyo Electron Ltd 無電解メッキ装置及び無電解メッキ方法
CN1681965A (zh) * 2002-09-19 2005-10-12 东京毅力科创株式会社 无电解镀装置及无电解镀方法

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