CN1681965A - 无电解镀装置及无电解镀方法 - Google Patents
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Abstract
通过使保持于基板保持部上的基板和板的间隔接近，从处理液喷出部喷出处理液，可以对基板进行无电解镀。由于处理液流过基板和板之间的间隙，所以在基板上产生处理液流，可以向基板上供给新鲜的处理液。其结果，即使在处理液为少量的情况下，也能在基板上形成均匀性良好的镀膜。
Description
技术领域
本发明涉及无电解镀装置及无电解镀方法。
背景技术
制作半导体器件时，要在半导体基板上形成布线。
伴随着半导体器件的集成度的提高，正在进行布线的微细化，与此相对应，正在进行布线的制作技术的开发。例如，作为铜布线的形成方法，用溅射法形成铜的种子层，通过电镀埋入槽等形成布线及进行层间连接的双镶嵌法已实用化。用该方法难以对不形成种子层的被镀面进行电镀。
另一方面，作为不需要种子层的镀法，有无电解镀法。无电解镀是通过化学还原形成镀膜的方法，所形成的镀膜具有作为自发催化剂的作用，能连续地形成镀膜。无电解镀不需要事先形成种子层(或者，不需要在整个被镀面形成种子层)，即使不那么考虑形成种子层的厚度的不均匀性也可以。
另外，关于无电解镀，公开了以下这样的技术(参照专利文献1、2)。
专利文献1：日本国专利公开公报，特开2001-73157号(第4页，图1)
专利文献2：日本国专利公开公报，特开2001-342573号(第4～5页，图2、3)
发明内容
在无电解镀中，镀液由多种药品构成，由于成分容易变化，所以镀液容易发生不稳定或其寿命短。另外，在无电解镀中，镀膜的析出速度一般说来比电解镀慢，而且，镀膜的形成速度及所形成的镀膜的特性容易随着温度、成分比、镀液的流速等工艺条件的变化而变化。即使在上述的专利文献1、2中，在镀液滞留在基板上的状态下，进行无电解镀时，在成膜过程中镀液的特性也容易变化。由于这样的情况，在基板上进行无电解镀时，难以确保基板上的处理的均匀性。另外，由于上述这样的镀液的不稳定性等的理由，每单位析出量的镀液的使用量增多，容易增加成本。
鉴于以上情况，本发明的目的在于提供一种用少量的处理液、也容易确保对基板处理的均匀性的无电解镀装置及无电解镀方法。
A、为了达到上述目的，本发明的无电解镀装置具备：保持基板的基板保持部；与被保持在上述基板保持部上的基板相对向地配置的板；在与上述基板相对向的上述板的面上形成、而且喷出处理液的处理液喷出部；以及，改变上述板和基板的间隔的间隔调节部。
利用间隔调节部，使被保持在基板保持部上的基板和板的间隔接近，通过从处理液喷出部喷出处理液，能对基板进行无电解镀。
由于处理液流入基板和板间的间隙，所以在基板上产生处理液流，能降低在镀膜析出的界面上的浓度不均匀性。其结果，能在基板上形成均匀性良好的镀膜。另外，利用间隔调节部来调节基板和板的间隔，能控制基板上的镀液的体积，使该间隔狭窄，能减少处理液的使用量。
这里所说的“处理液”至少包含无电解镀用的药液，根据情况也可以包含无电解镀的前处理及后处理所用的清洗液等。即，“无电解镀装置”中也包括使用无电解镀用的药液作为“处理液”的只进行无电解镀的装置、以及一并进行无电解镀的前处理和后处理的装置两者。
(1)无电解镀装置还可以具备加热上述板的加热部。
由于板被加热，所以容易确保基板和板的间隙中的处理液的温度的均匀性。其结果，更能提高在基板上形成的镀膜的均匀性，能使镀膜的析出速度更大。
(2)无电解镀装置还可以具备使上述基板及上述板呈一体地改变倾斜度的倾斜调节部。
通过使基板倾斜，能将基板和板之间的气体迅速地置换到处理液中，能降低由气泡残留在基板上引起的镀膜的不均匀性。另外，能将镀膜在形成过程中发生的气体(例如氢)迅速地从基板和板之间除去。这样，能降低由处理液中的气泡引起的镀膜的不均匀化。
(3)无电解镀装置还可以具备对处理液进行温度调节后供给至上述板的液供给机构。
通过事先加热处理液，更能提高处理液温度的均匀性。
1)这里，上述液供给机构即使将处理液切换后供给也没关系。通过切换多种处理液，能对基板进行各种处理。例如，切换无电解镀用的药液，能在基板上形成多种镀膜。另外，通过使用无电解镀的前处理和后处理用的液体作为处理液，能连续地进行无电解镀处理及其前处理、后处理。作为前处理、后处理的具体例，能举出基板的清洗和基板的活性化处理等。
2)上述液供给机构也可以有将多种药液混合后生成处理液的处理液生成部。利用处理液生成部，在供给之前生成必要量的处理液，能供给稳定的处理液。其结果，在基板上形成的镀膜的均匀性进一步提高。
(4)无电解镀装置还可以具备：与上述基板的与上述板相对向的面不同的第二面相对向配置的第二板；在与上述基板的第二面相对向的上述第二板的面上形成、而且喷出进行了温度调节的液体的液体喷出部；以及，改变上述第二板和基板的间隔的第二间隔调节部。
利用第二间隔调节部，使第二板和基板接近，从液体喷出部供给加热了的液体，能从背面加热基板。其结果，利用板及第二板，能从表面及背面加热基板，基板温度的均匀性进一步提高。
该“液体”与“处理液”不同，不需要包含无电解镀用的药液。这是因为如果“液体”具有作为加热第二板的热介质的功能就足够了。作为“液体”，例如可以使用纯水。在使用纯水的情况下，能防止处理液从基板的表面侧迂回流入背面侧，能防止基板的背面被处理液(进而被其构成要素、例如构成镀液的金属离子)污染。
这里，也可以利用第二板上所具备的加热器等加热装置进行“液体”的加热，而且利用对从上述液体喷出部喷出的液体进行温度调节后供给至上述第二板的液供给机构进行“液体”的加热也没关系。事先调节液体的温度，更能提高基板温度的均匀性。
(5)无电解镀装置还可以具备将处理液喷射到上述基板上的可动式喷嘴。
利用喷嘴能将处理液供给至基板上的所希望的地方，提高向基板上供给处理液的自由性。
B、本发明的无电解镀方法包括：保持基板的保持步骤；使板与在上述保持步骤中被保持的基板相对向地配置的配置步骤；以及，将处理液供给至在上述配置步骤中相对向地配置的基板和板之间、在该基板上形成镀膜的膜形成步骤。
使被保持的基板和板的间隔接近，将处理液供给到该间隔中，对基板进行无电解镀。
使处理液流过基板和板间的间隙，因此在基板上形成处理液流，能将新鲜的处理液供给到基板上。其结果，能在基板的反应界面上形成均匀性良好的镀膜。
(1)上述配置步骤也可以具有调节上述基板和上述板的间隔的间隔调节步骤，以便比用表面张力保持在上述基板上时的处理液的厚度窄。
通过限制基板和板的间隔，能减少处理液的使用量。
(2)上述膜形成步骤也可以具有将多种药液混合后生成处理液的处理液生成步骤。
供给前生成必要量的处理液，能供给稳定的处理液。其结果，在基板上形成的镀膜的均匀性进一步提高。
(3)无电解镀方法还可以包括在上述膜形成步骤之前、使在上述保持步骤中被保持的基板倾斜的倾斜步骤。
通过使基板倾斜，能将基板和板间的气体迅速地置换到处理液中，能降低因气泡残留引起的镀膜的不均匀性。另外，能将镀膜在形成过程中发生的气体(例如氢)迅速地从基板和板间除去。这样，能降低由处理液中的气泡引起的镀膜的不均匀化。
(4)无电解镀方法还可以包括在上述膜形成步骤之前、加热在上述保持步骤中被保持的基板的加热步骤。
由于板被加热，所以容易确保间隙中的处理液的温度的稳定性、均匀性。其结果，更能提高在基板上形成的镀膜的均匀性，能使镀膜的析出速度更大。
附图说明
图1是表示第一实施方式的无电解镀装置的局部剖面图。
图2A、2B是表示图1所示的无电解镀装置的上部板的下表面之一例的平面图。
图3是表示设置在图1所示的无电解镀装置中的晶片W等倾斜的状态的局部剖面图。
图4是表示用第一实施方式的无电解镀装置进行无电解镀时的顺序之一例的流程图。
图5是表示按照图4所示的顺序进行无电解镀时的无电解镀装置的状态的局部剖面图。
图6是表示按照图4所示的顺序进行无电解镀时的无电解镀装置的状态的局部剖面图。
图7是表示按照图4所示的顺序进行无电解镀时的无电解镀装置的状态的局部剖面图。
图8是表示按照图4所示的顺序进行无电解镀时的无电解镀装置的状态的局部剖面图。
图9是表示按照图4所示的顺序进行无电解镀时的无电解镀装置的状态的局部剖面图。
图10是表示按照图4所示的顺序进行无电解镀时的无电解镀装置的状态的局部剖面图。
图11是表示按照图4所示的顺序进行无电解镀时的无电解镀装置的状态的局部剖面图。
具体实施方式
(第一实施方式)
以下，参照附图详细地说明本发明第一实施方式的无电解镀装置。
图1是表示本发明第一实施方式的无电解镀装置10的结构的局部剖面图。
无电解镀装置10能用处理液对作为基板的晶片W进行无电解镀处理、其前处理、镀后的清洗处理及干燥处理。
即，作为处理液，除了无电解镀用的药液以外，还可以包含镀的前处理、后处理用的药液、纯水等各种液体。
作为用于无电解镀的药液，能使用将以下材料混合起来溶解在纯水中的药液。
1)金属盐：是供给构成镀膜的金属离子的材料。在镀膜为铜的情况下，金属盐例如是硫酸铜、硝酸铜、氯化铜。
2)络合剂：是在强碱性情况下、为了使金属离子作为氢氧化物不沉淀、用于使金属络合物化、提高溶液的稳定性的材料。在络合剂中，例如，作为胺系材料，可以使用HEDTA、EDTA、ED，作为有机系材料，可以使用柠檬酸、酒石酸、萄糖酸。
3)还原剂：是用于将金属离子催化还原析出的材料。在还原剂中，例如，可以使用次氯酸、乙醛酸、氯化锡、氢硼化合物、硝酸钴。
4)稳定剂：是防止由氧化物(在镀膜为铜的情况下是氧化铜)的不均匀性引起的镀液自然分解的材料。在稳定剂中，作为氮系材料，例如，可以使用优先与一价铜形成络合物的联砒啶、氰化物、硫脲、邻菲绕啉、新亚铜试剂(neocuproine)。
5)pH缓冲剂：是在镀液进行反应时用于抑制pH变化的材料。在pH缓冲剂中，例如，可以使用硼酸、碳酸、羟基羧酸。
6)添加剂：是添加剂中进行镀膜析出的促进、抑制的材料、或者进行表面或镀膜的改性的材料。
·作为用于抑制镀膜的析出速度、改善镀液的稳定性及镀膜的特性的材料来说，作为硫系材料，例如，可以使用硫代硫酸、2-MBT。
·作为用于降低镀液的表面张力、使镀液能均匀地配置在晶片W的面上的材料来说，作为表面活性剂的非离子系材料，例如，可以使用聚烷撑二醇、聚乙二醇。
如图1所示，无电解镀装置10具有：基座11、中空电动机12、作为基板保持部的晶片卡盘20、上部板30、下部板40、杯体50、喷嘴臂61、62、作为倾斜调节部的基板倾斜机构70、液供给机构80。这里，中空电动机12、晶片卡盘20、上部板30、下部板40、杯体50、喷嘴臂61、62，直接或间接地连接在基座11上，与基座11一起移动，由基板倾斜机构70进行倾斜等。
晶片卡盘20是保持和固定晶片W的部件，由晶片保持爪21、晶片卡盘底板23、晶片卡盘支撑部24构成。
多个晶片保持爪21配置在晶片卡盘底板23的外周上，保持、固定晶片W。
晶片卡盘底板23是连接在晶片卡盘支撑部24上表面的大致呈圆形的平板，配置在杯体50的底面上。
晶片卡盘支撑部24大致呈圆形状，与在晶片卡盘底板23上设置的圆形状开口部相连接，而且构成中空电动机12的转轴。其结果，通过驱动中空电动机12，可以保持着晶片W，使晶片卡盘20旋转。
图2A、2B分别表示上部板30的下表面的一例的平面图。
如图1、图2A、2B所示，上部板30是与晶片W上表面相对向配置的大致呈圆形的平板形状，进行对晶片W上表面的药液、纯水等处理液的供给及处理液的加热。因此，为了有效地进行使用晶片W的半导体装置的制作，上部板30的大小优选与晶片W的大小近似或比晶片W大。具体地说，上部板30的大小优选为晶片W的面积的80％以上、或90％以上。
这里，在图1中，之所以使上部板30的大小比晶片W小一些，是为了使上部板30不接触晶片保持爪21。但这并非是绝对的条件，例如使晶片保持爪21的上端不从晶片W的上表面突出，就能避免该条件。
上部板30具有加热器H、处理液喷出口31、处理液流入部32、温度测定机构33，而且连接于升降机构34。
加热器H是加热上部板30用的电热丝等加热装置。加热器H根据温度测定机构33的温度测定结果，利用图中未示出的控制装置，控制发热量，使得上部板30、进而晶片W保持为所希望的温度(例如，从室温至60℃左右的范围)。
在上部板30的下表面上形成单个或多个处理液喷出口31，喷出从处理液流入部32流入的处理液。
如图2A、2B所示，加热器H和处理液喷出口31分别分散地配置在下表面上，谋求上部板30的温度及处理液的供给均匀化。处理液喷出口31从上部板30的下表面的中央向例如4个方向(图2A)或3个方向(图2B)呈辐射状配置。但是，这些配置只不过是一例，除了辐射状以外，例如也可以使处理液喷出口31纵横排列配置。即，如果其结果能谋求上部板30的温度及处理液供给量的分布均匀化，就可以适当地选择加热器H和处理液喷出口31的个数、形状、配置。
处理液流入部32位于上部板30的上表面一侧处理液流入流入的处理液被分配给处理液喷出口31。流入处理液流入部32中的处理液，可以转换地使用纯水(RT：室温)、被加热了的药液1、2(例如，从室温至60℃左右的范围)。另外，能使在后面所述的混合盒85中混合的药液1、2(根据情况，混合包含其它药液的多种药液)流入至处理液流入部32中。
温度测定机构33是被埋入上部板30中的热电偶等温度测定装置，测定上部板30的温度。
升降机构34与上部板30相连接，在与晶片W相对向的状态下使上部板30上下升降，例如，能将与晶片W的间隔控制在0.1～500mm之间。在无电解镀中使晶片W和上部板30接近(例如，晶片W和上部板30的间隔在2mm以下)，限制这些间隙的空间的大小，能谋求供给至晶片W的表面上的处理液的均匀化、以及减少使用量。
如图1所示，下部板40与晶片W的下表面相对向配置，大致呈圆形的平板形状，在接近晶片W的状态下，供给对其下表面进行加热的纯水，能适当地加热晶片W。
为了有效地加热晶片W，下部板40的大小优选与晶片W的大小近似。具体地说，下部板40的大小优选为晶片W的面积的80％以上或者90％以上。
下部板40在其上表面的中央处形成处理液喷出口41，用支撑部42支撑。
处理液喷出口41喷出通过了支撑部42内的处理液。处理液可以转换地使用纯水(RT：室温)、被加热了的纯水(例如，从室温至60℃左右的范围)。
支撑部42贯通中空电动机12，与作为间隔调节部的升降机构(图中未示出)相连接。使升降机构工作，能使支撑部42、进而下部板40上下升降。
杯体50是将晶片卡盘20保持在其中、而且接住并排出处理晶片W用的处理液的部件，具有杯体侧部51、杯体底部52、废液管53。
杯体侧部51的内周沿着晶片卡盘20的外周大致呈圆筒状，其上端位于晶片卡盘20的保持面的上方附近。
杯体底部52与杯体侧部51的下端相连接，在对应于中空电动机12的位置上具有开口部，晶片卡盘20配置在对应于该开口部的位置上。
废液管53与杯体底部52相连接，是将废液(处理过晶片W的处理液)从杯体50排出到设置了无电解镀装置10的工厂的废液管道等中用的配管。
杯体50与图中未示出的升降机构相连接，能相对于基座11和晶片W进行上下移动。
喷嘴臂61、62配置在晶片W的上表面附近，从其前端的开口部喷出处理液、空气等流体。喷出的流体可以适当地选择纯水、药液、氮气。使喷嘴臂61、62沿着朝向晶片W的中央的方向移动的移动机构(图中未示出)，分别连接在喷嘴臂61、62上。在将流体喷出到晶片W上的情况下，喷嘴臂61、62被移动到晶片W的上方，如果喷出结束，则移动到晶片W的外周以外。另外，喷嘴臂的个数，随着药液的量、种类的不同，可以是一个或三个以上。
基板倾斜机构70连接在基座11上，通过使基座11的一端上下移动，而使基座11、以及与之连接的晶片卡盘20、晶片W、上部板30、下部板40、杯体50例如在0～10°或0～5°的范围内倾斜。
图3是表示利用基板倾斜机构70使晶片W等倾斜的状态的局部剖面图。基座11利用基板倾斜机构70而倾斜，直接或间接地连接在基座11上的晶片W等倾斜角度θ。
液供给机构80是将加热了的处理液供给至上部板30、下部板40的部件，由温度调节机构81、处理液容器82、83、84、泵P1～P5、阀V1～V5、混合盒85构成。另外，图1表示药液1、2和使用两种药液的情况，但处理容器、泵、阀的数量可以根据在混合盒85中混合的药液的种类数适当地设定。
温度调节机构81，其内部有热水及处理液容器82～84，是用热水加热处理液容器82～84中的处理液(纯水、药液1、2)的装置，例如在从室温至60℃左右的范围内对处理液适当地加热。在该温度调节中，例如能适当地使用设置在水浴器、处理液容器82～84内的加热器(例如，投入式加热器)、设置在处理液容器82～84外的加热器(外部加热器)。
处理液容器82、83、84分别是保持纯水、药液1、2的容器。
泵P1～P3从处理液容器82～84中吸出处理液。另外，也可以分别对处理液容器82～84加压，从处理液容器82～84输送处理液。
阀V1～V3进行配管的开闭，进行处理液的供给及停止供给。另外，阀V4、V5分别是将室温的(不加热的)纯水供给上部板30、下部板40用的阀。
混合盒85是对从处理液容器83、84送来的药液1、2进行混合用的容器。
可以在混合盒85中将药液1、2适当地混合、调节了温度后送至上部板30。另外，能将进行了温度调节的纯水适当地送至下部板40。
(无电解镀工序的详细)
图4是表示用无电解镀装置10对于晶片W进行无电解镀的顺序之一例的流程图。另外，从图5至图11是表示在按照图4所示的顺序进行了无电解镀的情况下，各工序中的无电解镀装置10的状态的局部剖面图。以下，用图4～图11详细地说明该顺序。
(1)晶片W的保持(步骤S1及图5)
晶片W被保持在晶片卡盘20上。例如，在晶片W的上表面上吸引着晶片W的图中未示出的吸引臂(基板输送机构)将晶片W载置在晶片卡盘20上。然后，利用晶片卡盘20的晶片保持爪21保持晶片W。另外，使杯体50下降，在比晶片W的上表面低的情况下，能沿水平方向移动吸引臂。
(2)晶片W的前处理(步骤S2及图6)
使晶片W旋转，将处理液从喷嘴臂61或喷嘴臂62供给至晶片W的上表面，进行晶片W的前处理。
通过利用中空电动机12使晶片卡盘20旋转，能进行晶片W的旋转，这时的旋转速度作为一例可以为100～200rpm。
喷嘴臂61、62任意一者或两者移动至晶片W的上方，喷出处理液。根据前处理的目的，从喷嘴臂61、62供给的处理液，例如能依次供给晶片W清洗用的纯水或晶片W的催化剂活性化处理用的药液。这时的喷出量达到在晶片W上形成处理液的液汪(puddle)(层)所必要的量、例如100mL左右就足够了。但是，根据需要，使喷出量多一些也没关系。另外，喷出的处理液也可以适当地加热(例如，从室温至60℃左右的范围)。
(3)晶片W的加热(步骤S3及图7)
为了使晶片W保持适合于镀液反应的温度，可以进行晶片W的加热。
加热下部板40，使其接近晶片W的下表面(作为一例，晶片W下表面和下部板40上表面的间隔：0.1～2mm左右)，从处理液喷出口41供给被液供给机构80加热了的纯水。该加热了的纯水充满晶片W下表面和下部板40上表面之间，加热晶片W。
另外，在该晶片W的加热过程中，通过使晶片W旋转，能提高晶片W的加热的均匀性。
通过用纯水等液体加热晶片W，容易使晶片W和下部板40个别地旋转或不旋转，而且能防止晶片W的下表面被污染。
即使用其它手段进行以上的晶片W的加热也没关系。例如，利用加热器或灯的辐射热加热晶片W也没关系。另外，也可以根据情况使加热了的下部板40接触晶片W，来加热晶片W。
(4)镀液的供给(步骤S4及图8)
加热上部板30，使其接近晶片W的上表面(作为一例，晶片W上表面和上部板30下表面的间隔：0.1～2mm左右)，从处理液喷出口31供给镀用的药液(镀液)(作为一例，30～100mL/min)。所供给的镀液充满晶片W的上表面和上部板30的下表面之间，并流入杯体50中。这时，镀液利用上部板30进行温度调节(作为一例，从室温至60℃左右的范围)。另外，所供给的镀液优选利用液供给机构80进行温度调节。
这里，通过利用晶片卡盘20使晶片W旋转，能提高在晶片W上形成的镀膜的均匀性。作为一例，使晶片W以10～50rpm的速度进行旋转。
另外，可以在先前的步骤S1～S3中的某个阶段先进行上部板30的加热。将上部板30的加热与其它工序并行地进行，能减少晶片W的处理时间。
如上所述，通过将加热到了所希望温度的镀液供给至晶片W的上表面，能在晶片W上形成镀膜。通过在该镀液的供给过程中使晶片W旋转，能提高在晶片W上形成镀膜的均匀性。
以上的供给镀液时，也可以如下进行。
1)在供给镀液之前，利用基板倾斜机构70，能使晶片卡盘20及上部板30倾斜。
通过使晶片W倾斜，能迅速地将晶片W和上部板30之间的气体除去，并置换成镀液。如果晶片W和上部板30之间的气体除去得不完全，则气泡残存在晶片W和上部板30之间，成为妨碍所形成的镀膜的均匀性的原因。
另外，伴随由镀液进行的镀膜的形成而产生气体(例如氢)，由所产生的气体形成气泡，也有妨碍镀膜的均匀性的可能性。
利用基板倾斜机构70使晶片W倾斜，可以谋求降低气泡的产生及促进所产生的气泡的逸出，能提高镀膜的均匀性。
2)能使镀液温度随时间变化。
这样做，能使所形成的膜沿着层方向改变其结构和成分。
3)在镀膜的形成过程中，能间歇地而不是连续地进行镀液的供给。能有效地消耗供给晶片W上的镀液，减少其使用量。
(5)晶片W的清洗(步骤S5及图9)
用纯水清洗晶片W。将从上部板30的处理液喷出口31喷出的处理液从镀液转换成纯水，进行该清洗。这时，能从下部板40的处理液喷出口41供给纯水。
晶片W的清洗时，也能使用喷嘴臂61、62。这时，停止来自上部板30的处理液喷出口31的镀液的供给，使上部板30离开晶片W。然后，使喷嘴臂61、62移动到晶片W的上方，供给纯水。这时优选也从下部板40的处理液喷出口41供给纯水。
在以上的晶片W的清洗中，使晶片W旋转，能提高晶片W清洗的均匀性。
(6)晶片W的干燥(步骤S6及图10)
停止向晶片W供给纯水，使晶片W高速旋转，将晶片W上的纯水除去。根据情况，从喷嘴臂61、62喷出氮气，也可以促进晶片W的干燥。
(7)晶片W的除去(步骤S7及图11)
晶片W的干燥结束后，停止由晶片卡盘20进行的晶片W的保持。此后，用图中未示出的吸引臂(基板输送机构)从晶片卡盘20上取下晶片W。
(无电解镀装置10的特征)
无电解镀装置10有以下这样的特征。
(1)在晶片W和上部板30相对向地接近的状态下，从上部板30供给镀液，充满晶片W和上部板30之间的间隙，从晶片W的外周排出。因此，在晶片W上沿着从其中心向外周的方向形成镀液流，能向晶片W供给新鲜的镀液。
(2)使晶片W和上部板30的间隔接近，有效地利用镀液，能减少镀液的使用量。
(3)通过在镀膜的形成过程中使晶片W旋转，能谋求向晶片W面的镀液的供给、进而镀膜的厚度在面内均匀化。
(4)使用上部板30、下部板40，能从上下均匀地对晶片W进行加热。其结果，能谋求在晶片上形成的镀膜的特性的均质化。
(5)由于有对应于晶片W的大小即可，所以装置的设置面积不需要那么大。
(其它的实施方式)
本发明的实施方式不限于已经说明的实施方式，能扩展、变更。扩展、变更后的实施方式也包含在本发明的技术范围内。
(1)例如，作为基板可以利用晶片W以外的例如玻璃板等。
(2)未必需要连续地向基板供给处理液(包括镀液)，在某种程度上间歇地进行也没关系。至少在向基板供给处理液的期间，向基板上供给新鲜的处理液，能保持基板处理的均质性。另外，即使暂时停止供给处理液，如果在该停止期间内处理液的变化不那么大，基板处理的均质性不会受太大的妨碍。
(3)配置在上部板30上的加热器也可以分割成多个。通过分割加热器，能对上部板30的多个区域独立地进行温度控制，能提高上部板30的温度分布的均匀性，进而提高对基板处理的均匀性。
产业上的可利用性
本发明的无电解镀装置及无电解镀方法，即使用少量的处理液，也能在基板上形成均匀性良好的镀膜，能在产业中使用及制造。
Claims (14)
1.一种无电解镀装置，其特征在于：包括：
保持基板的基板保持部；
与保持于所述基板保持部上的基板相对向地配置的板；
在所述板的与所基述板相对向的表面上形成、并且喷出处理液的处理液喷出部；和
改变所述板和基板之间隔的间隔调节部。
2.根据权利要求1所述的无电解镀装置，其特征在于：还包括加热所述板的加热部。
3.根据权利要求1所述的无电解镀装置，其特征在于：还包括使所述基板及所述板整体地改变倾斜度的倾斜调节部。
4.根据权利要求1所述的无电解镀装置，其特征在于：还包括对处理液进行温度调节后供给至所述板的液供给机构。
5.根据权利要求4所述的无电解镀装置，其特征在于：所述液供给机构切换地供给处理液。
6.根据权利要求4所述的无电解镀装置，其特征在于：所述液供给机构具有将多种药液混合后生成处理液的处理液生成部。
7.根据权利要求1所述的无电解镀装置，其特征在于：还包括：
与所述基板的与所述板相对向的面不同的第二面相对向地配置的第二板；
在与所述基板的第二面相对向的第二板的面上形成、而且喷出进行了温度调节的液体用的液体喷出部；以及
改变所述第二板和基板的间隔的第二间隔调节部。
8.根据权利要求7所述的无电解镀装置，其特征在于：还包括对从所述液体喷出部喷出的液体进行温度调节后供给至所述第二板的液供给机构。
9.根据权利要求1所述的无电解镀装置，其特征在于：还具备将处理液喷出至所述基板上的可动式喷嘴。
10.一种无电解镀方法，其特征在于：包括：
保持基板的保持步骤；
使板与在所述保持步骤中被保持的基板相对向地配置的配置步骤；和
将处理液供给至在所述配置步骤中相对向地配置的基板和板之间、在该基板上形成镀膜的膜形成步骤。
11.根据权利要求10所述的无电解镀方法，其特征在于：所述配置步骤具有调节所述基板和所述板之间隔的间隔调节步骤，以便比用表面张力保持在所述基板上时的处理液厚度窄。
12.根据权利要求10所述的无电解镀方法，其特征在于：所述膜形成步骤具有将多种药液混合后生成处理液的处理液生成步骤。
13.根据权利要求10所述的无电解镀方法，其特征在于：还包括在所述膜形成步骤之前、使在所述保持步骤中被保持的基板倾斜的倾斜步骤。
14.根据权利要求10所述的无电解镀方法，其特征在于：还包括在所述膜形成步骤之前、加热在所述保持步骤中被保持的基板的加热步骤。
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