CN1277142C - 液晶玻璃基板的化学抛光方法及化学抛光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能使液晶玻璃基板循环再利用、对于液晶玻璃基板进行化学抛光的方法及化学抛光装置。所使用的化学抛光液由氢氟酸及其盐的混合液(其中的氢氟酸盐为氟化铵、氟化钾和氟化钠中的任一种或者多种),盐酸、硫酸、磷酸和硝酸等无机酸的一种或多种,醋酸和琥珀酸等有机酸的一种或者其混合物,磺酸盐类阴离子表面活性剂以及胺类两性表面活性剂组成。
Description
技术领域
本发明是关于液晶玻璃基板的化学抛光方法及其实施中使用的化学抛光装置的。该方法可以对液晶玻璃基板的外表面或者一对贴合后的液晶玻璃基板的外表面进行化学抛光。
背景技术
以往的液晶玻璃基板的抛光方法有机械抛光法和化学抛光法。近来,对于液晶玻璃基板的品质改善提出了以下要求:
(1)对于起初存在于液晶玻璃基板上的表面划痕的消除;
(2)在将图案化的膜剥离后,在基板上留存的图案痕迹的消除;
(3)在将液晶玻璃基板的板厚进行减薄时,该板表面平坦性的提高;
(4)对于起初存在于一对贴合后的液晶玻璃基板的外表面划痕的消除;
(5)在将一对贴合后的液晶玻璃基板的外表面的板厚进行减薄时,该板表面平坦性的提高;
对于上述这些品质改善要求来说,采用以往的机械抛光法,存在基板表面平坦性的不足、玻璃基板易发生破碎以及基板表面易产生划痕、抛光模样的残留、抛光能力的限制等不可避免的问题。特别是对于最近的大型基板,这些问题显得更严重。
另一方面,以往的化学抛光法,很难消除起初存在于液晶玻璃基板上的表面划痕和图案痕迹,在对基板厚度进行减薄时也易发生下面例子中的种种问题,很难保证能达到抛光表面没有划痕和图案痕迹的新玻璃时的品质水平。
例如,在特许第2722798号公报中,公开了一种对液晶玻璃基板的表面进行刻蚀的方法:在具有多个液晶显示单元面积的一对玻璃基板上,用密封材料将各显示单元的液晶封入领域分隔和粘接,组成显示单元的集合体。将该集合体浸渍到以氢氟酸为基本成分的刻蚀液中,对液晶玻璃基板的外表面进行刻蚀。该方法虽然能使玻璃基板的板厚减薄,但存在有产生后述缺陷的问题。
又如,在特开2000-147474号公报中,公开了一种对液晶玻璃基板的表面进行刻蚀的自动刻蚀装置:在含有氢氟酸的刻蚀液的储槽的底部,装有气泡发生装置,由该气泡发生装置产生的气泡对上述的刻蚀液进行搅拌,使得在刻蚀液槽中的玻璃基板的表面受到刻蚀。但是,在用15~17%的氢氟酸对液晶玻璃基板的外表面进行抛光的情况下,存在有产生后述缺陷的问题。
该发明中,想利用氮气的上升气泡对抛光液进行搅拌,以实现对玻璃表面的均匀抛光。但实际上存在如下问题:上升了的气泡和抛光液在到达液体表面后发生下降,该下降的流动妨害上升流动的均匀性,使得表面的抛光难于达到均一。
用上述的两个例子中所示的以往的化学抛光方法进行50~300μm厚度的抛光时,存在以下问题:
(1)即使在荧光灯下也能确认产生白浊;
(2)发生直径最大为0.2mm的凹痕。图14中示出了由表面糙度测量计测定的抛光后的表面情况;
(3)凹痕的直径随着抛光量的增大而增大。图15中示出了凹痕的直径与抛光量的关系;
(4)表面上的凹痕最多达50个/平方厘米。图16是单位面积的凹痕数与抛光量的关系图;从图16可以看出,单位面积的凹痕数随抛光量的增大而增加;
(5)在荧光灯下能观测到产生表面波纹。图17中示出了抛光后表面的表面波纹的情况;
(6)板厚不均匀,其最大值与最小值间的差值在20~100μm之间;
(7)在抛光前,人为地在玻璃表面上制造划痕,该划痕在抛光后宽度增加、深度加深(参见图18和图19)。图18是在抛光前故意在表面划痕后,该表面的断面图。图19是抛光后的表面断面图。
再如:在对液晶玻璃基板表面先用铬(Cr)进行溅射,然后用彩色滤光器用的画素进行图形化后,在该基板变得不良时,通常将图形化后的铬膜剥离后进行机械抛光,图形痕迹可被消除,该抛光后的玻璃基板可被重新作为新玻璃基板使用。但是,在用以往的化学抛光法代替机械抛光时,图形痕迹消除不了,不能重新作为新玻璃基板使用。
本发明鉴于以上存在的问题,目的在于提供一种可以得到表面平坦性高的液晶玻璃基板的液晶玻璃基板的化学抛光方法。该方法采用含有氢氟酸与氟化物的混合物、无机酸、有机酸、阴离子表面活性剂和两性表面活性剂的化学抛光液,对液晶玻璃基板进行浸渍,使液晶玻璃基板的外表面以0.5~10μm/分钟的速度进行抛光,并且使硅氟化物等反应生成物不在液晶玻璃基板的表面进行再附着,能够得到表面平坦性高的液晶玻璃基板。
另外,本发明的目的还在于提供可以得到表面均一平坦性高的液晶玻璃基板的同时,还可以消除表面划痕、能够实现玻璃的再利用的液晶玻璃基板的化学抛光方法及化学抛光装置。通过从化学抛光液储槽底部产生的气泡形成上升的液流,该液流从化学抛光液储槽的上周边缘溢出,经过滤器过滤后,再次提供给化学抛光液储槽,这样使得液晶玻璃基板的表面总是保持有新鲜的抛光液供给,防止在液晶玻璃基板表面有反应生成物的物理再附着沉积,从而使液晶玻璃基板的厚度渐渐减薄、基板表面均一地平坦化的同时,表面的划痕被消除,得到可以再利用的玻璃基板。
再有,本发明的目的还在于提供一种化学抛光装置。该装置配有放置液晶玻璃基板的器具,该器具可以放置一块或者多块液晶玻璃基板,而该液晶玻璃基板可以是单片的,也可以是一对液晶玻璃基板进行贴合后的。利用该装置可以对多片的液晶玻璃基板或者一对贴合后的液晶玻璃基板同时进行均匀的抛光。
还有,本发明的目的还在于提供一种化学抛光装置。该装置配有超声波振动器或者摇动搅拌器。利用该装置可以对化学抛光液进行更均匀的搅拌。
第1发明中的液晶玻璃基板的化学抛光方法,其特征是,将液晶玻璃基板在化学抛光液中浸渍,使液晶玻璃基板的外表面以0.5~10μm/分钟的速度进行抛光。该化学抛光液含有氢氟酸与氟化物的混合液(其中的氟化物包含氟化铵、氟化钾和氟化钠中的一种或者多种),含有盐酸、硫酸、磷酸和硝酸的一种或多种的无机酸,含有醋酸和琥珀酸的一种或者多种的有机酸,含有磺酸盐类表面活性剂的阴离子表面活性剂以及胺类两性表面活性剂。
氢氟酸与氟化物的混合液(其中的氟化物包括氟化铵、氟化钾和氟化钠中的任一种或者多种),含有盐酸、硫酸、磷酸和硝酸的一种或多种的无机酸,含有醋酸和琥珀酸一种或者多种的有机酸,能够对液晶玻璃基板进行化学抛光,并且能够使硅氟化物等反应生成物不在液晶玻璃基板的表面再附着沉积。
含磺酸盐类表面活性剂的阴离子表面活性剂以及胺类两性表面活性剂等也是为了使硅氟化物等反应生成物不在液晶玻璃基板的表面再附着沉积而添加的助剂。
因此,使用这些成分能够制得表面平坦性高的液晶玻璃基板。
抛光速度太快时,液晶玻璃基板的表面容易产生表面波纹和凹痕。因此,抛光速度以0.5~10μm/分钟左右,特别是以1~5μm/分钟为好。
采用上述化学抛光液,并且确保以上述抛光速度对液晶玻璃基板的表面进行抛光,能够在使液晶玻璃基板的板厚减薄的同时,提高玻璃基板的表面平坦性。
第2发明中的液晶玻璃基板的化学抛光方法,其特征是,在第1发明中,通过在储存上述化学抛光液的储槽底部产生气泡,产生上升液流。
第3发明中的液晶玻璃基板的化学抛光方法,其特征是,在第2发明中,使前述产生的上升液流从储存上述化学抛光液的储槽的上边缘部溢出。
第4发明中的液晶玻璃基板的化学抛光方法,其特征是,在第3发明中,使上述从储槽的上边缘部溢出的化学抛光液再重新供给上述化学抛光液储槽。
第5发明中的液晶玻璃基板的化学抛光方法,其特征是,在第4发明中,将上述从储槽的上边缘部溢出的化学抛光液流经过滤器过滤,使抛光过程中产生的反应生成物被除去后,再供给上述化学抛光液储槽。
在第2至第5发明中,因为使化学抛光液均匀上升,能够在液晶玻璃基板的表面总是提供新鲜的抛光液,同时能够防止反应生成物在液晶玻璃基板表面的物理再附着沉积。
抛光速度由扩散速度和反应速度决定,但液晶玻璃基板表面的凸出部分,由于受气泡上升流动的影响,总是可以得到活性的化学抛光液,由反应速度定律起主导作用,抛光速度变得非常快。与此相反,液晶玻璃基板表面的凹进部分,因抛光液的流动不畅,由扩散定律起主导作用,抛光速度变慢。因此,可以用气泡的上升流动来控制抛光速度,从而能够在使液晶玻璃基板厚度减薄的同时,使表面的平坦性提高。
另外,能够消除起初存在于液晶玻璃基板表面的划痕,使得玻璃的再利用成为可能。
第3发明,消除了上升的化学抛光液在到达化学抛光液储槽的表面后进行下降,从而阻止后面化学抛光液的均匀上升的弊端,能够使液晶玻璃基板表面更均匀地抛光。
第4发明,能够使化学抛光液顺利循环使用。
第5发明,阻止了化学抛光液中的反应生成物在液晶玻璃基板表面的附着沉积。
第6发明的化学抛光装置,包括储存化学抛光液的化学抛光液储槽及下述装置:导入气体并将气体从气泡吐出部分吐出的气泡发生装置,所述气泡吐出部分由多孔材料制成;装设于上述储存化学抛光液储槽周缘部的溢出液接受槽,该槽用于接受从该储槽溢出的化学抛光液;用于除去抛光产生的反应生产物的过滤器;将上述过滤器过滤后的化学抛光液再次输送到化学抛光液储槽中所用的泵;装设于上述气泡发生装置下侧的化学抛光液喷出装置,该装置具有多个孔,用于将上述用泵输出的化学抛光液向化学抛光液储槽的底部喷出。
利用第6发明的化学抛光装置,可以使化学抛光液均匀上升,溢出,将反应生成物除去后,再次输送给抛光液储存槽,使抛光液循环使用,液晶玻璃基板的表面总是有新鲜的抛光液供给,同时可防止反应生成物在液晶玻璃基板表面进行物理再附着沉积。
液晶玻璃基板表面的凸出部分,由于受气泡上升流动的影响,总是可以得到活性化学抛先液,由反应速度定律起主导作用,其抛光速度变得十分快。与此相反,液晶玻璃基板表面的凹进部分,因抛光液的流动不畅,由扩散定律起主导作用,抛光速度变慢,从而能够在使液晶玻璃基板厚度减薄的同时,使表面的平坦性提高。
第7发明的化学抛光装置,其特征是,在第6发明中,配有放置液晶玻璃基板的器具,该器具可以放置一块或者多块液晶玻璃基板,而该液晶玻璃基板可以是单片的也可以是一对液晶玻璃基板进行贴合后的。
利用第7发明的装置可以对多片的液晶玻璃基板或者一对贴合后的玻璃基板同时进行均匀的抛光。
第8发明的化学抛光装置,其特征是,在第6或者第7发明中所述的化学抛光装置中,装备有超声波振动器或者摇动搅拌器。
利用第8发明的化学抛光装置能够对化学抛光液进行更均匀的搅拌。
附图说明
[图1]
本发明的化学抛光装置的横截面示意图。
[图2]
本发明的气泡发生装置的立体图。
[图3]
本发明的其它种类的气泡发生装置的立体图。
[图4]
本发明的化学抛光液储槽以及液晶玻璃基板放置器具用固定保持器具的平面示意图。
[图5]
本发明的化学抛光液喷出装置的立体图。
[图6]
抛光速度与化学抛光液10种成分的添加比率关系图。
[图7]
抛光速度与温度的关系图。
[图8]
(2)玻璃基板的板厚测定位置平面示意图。
[图9]
化学抛光前后表面划痕有无情况调查结果的平面示意图。
[图10]
(2)玻璃基板样品表面状态用表面粗度计测定的结果示意图。
[图11]
化学抛光前后划痕有无情况调查结果的平面示意图。
[图12]
两片(2)玻璃基板贴合后的样品外侧表面板厚测定位置的平面示意图。
[图13]
两片(2)玻璃基板贴合后的样品外侧里面板厚测定位置的平面示意图。
[图14]
用传统抛光方法抛光后的样品表面的测定结果示意图。
[图15]
凹痕直径与抛光量的关系示意图。
[图16]
单位面积的凹痕数与抛光量的关系示意图。
[图17]
抛光后样品的表面波纹状况示意图。
[图18]
抛光前故意划痕玻璃基板表面的横截面示意图。
[图19]
抛光后样品表面的横截面示意图。
[符号说明]
1化学抛光装置 13溢出液接受槽
11化学抛光液储槽 14过滤器
12气泡发生装置 15泵
12a气泡吐出部分 16化学抛光液喷出装置
17液晶玻璃基板放置器具用的固定保持器具 18液晶玻璃基板放置器具
以下,参照附图对本发明的实施方案进行具体说明。
图1是说明本发明实施方案的化学抛光装置的截面图。其中,1是化学抛光装置。
化学抛光装置1中,设置有化学抛光液储槽11;在化学抛光液储槽11的底部,有导入气体用的气泡发生装置12,该装置的气泡吐出部分12a由多孔材料制成;在气泡发生装置12的上侧,装有放置液晶玻璃基板的器具18,该器具可以使液晶玻璃基板或者贴合后的一对液晶玻璃基板纵向插入。该液晶玻璃基板的放置器具18,配置在液晶玻璃基板放置器具用的固定保持器具17中。
在化学抛光液储槽11中盛有化学抛光液,该化学抛光液含有氢氟酸与氟化物的混合液(其中的氟化物包括氟化铵、氟化钾和氟化钠中的任一种或者多种),含有盐酸、硫酸、磷酸和硝酸的一种或多种的无机酸,含有醋酸和琥珀酸的一种或者多种的有机酸,含有磺酸盐类表面活性剂的阴离子表面活性剂以及胺类两性表面活性剂。
在化学抛光液储槽11的上边缘周围,装设有接受从化学抛光液储槽11溢出的化学抛光液的溢出液接受槽13。在溢出液接受槽13中,连接有用于除去抛光产生的反应生产物的过滤器14以及将上述过滤后的化学抛光液再次输送到储槽11中所用的泵15。另外,在上述气泡发生装置12的下侧设置有化学抛光液喷出装置16,该装置的喷出部16a具有多个孔,用于将从上述泵15输出的化学抛光液向化学抛光液储槽的底部喷出,利用喷出装置16再次将化学抛光液供给储槽11。
化学抛光装置1中,还可以设置超声波振动器或者摇动搅拌器(图中没有示出),在设置超声波振动器或者摇动搅拌器的情况下,能够实现对化学抛光液的更均匀的搅拌。
图2是气泡发生装置12的立体图。气泡发生装置12由导入氮气等气体的气体导入管12b和与气体导入管12b平行的数根连接的管状气泡吐出部分12a组成,该管状气泡吐出部分12a由多孔材料制成。
图3是其它类型气泡发生装置12的气泡吐出部分12a的立体图。该类型气泡发生装置12的气泡吐出部分12a由多孔材料制成,为板状。
图2和图3中,气泡喷出部的气泡喷出孔的孔径为10~500μm为好。这些气泡发生装置12设置于液晶玻璃基板放置器具用的固定保持器具17的下侧,将微小气泡从这些气孔中向上喷出,喷出的微细气泡使化学抛光液均匀上升。该上升液流提供给液晶玻璃基板表面总是新鲜的抛光液,同时可防止硅氟化物等反应生成物在液晶玻璃基板表面进行再附着沉积。
微细气泡的上升流体在到达化学抛光液的表面后,从化学抛光液储槽11的上边缘周围溢出,然后由溢出液接受槽13接受,经过过滤器14后,再次提供给化学抛光液储槽11。
在化学抛光液不能溢出的情况下,上升液流转向下降液流部分的横截面积小时,下降液流与上升液流交错在一起,不能确保上升液流的均匀性。
图4是化学抛光液储槽11和液晶玻璃基板放置器具用的固定保持器具17的平面图。如图4中所示,相当于液晶玻璃基板放置器具用的固定保持器具17的外侧部分的下降液流的通过横截面面积是相当于液晶玻璃基板放置器具用的固定保持器具17的内侧部分的上升液流的通过横截面面积的1~3倍时,已经证明可以确保上升液流的均匀性。
液晶玻璃基板的成分与化学抛光液进行反应的生成物如硅氟化物等,随微细气泡的上升流体会上升,但如果这些反应生成物在化学抛光液储槽11中循环并沉积在化学抛光液储槽11的底部,会影响微细气泡的喷出。因此,有必要防止反应生成物在化学抛光液储槽11底部的沉积。
图5是化学抛光液喷出装置16的立体图。该化学抛光液喷出装置16中,设置有多个互相平行的各自具有多个孔的化学抛光液喷出部16a,由泵15输送出的化学抛光液由该化学抛光液喷出部16a向下或者斜下方喷出,在供给化学抛光液的同时,也可以防止反应生成物的堆积。
控制液晶玻璃基板抛光速度的方法,有改变抛光液的组成和改变抛光液的温度等措施。
图6是抛光速度与化学抛光液10种成分的添加比率的关系曲线。该化学抛光液是含有氢氟酸、氟化铵、氟化钾、盐酸、硫酸、磷酸、硝酸、醋酸、磺酸盐类表面活性剂、胺类表面活性剂等10种组分的水溶液。
从图6可看出,当上述化学抛光液中10种成分的添加比率为10%时,抛光速度为1.1μm/分钟;随着添加比率的增加抛光速度也会增加;当添加比率为40%时,抛光速度达最大值,为3.7μm/分钟;随后稍微降低,一直到添加比率为90%为止,抛光速度大约保持在3μm/分钟左右。
添加比率在30%以下时,抛光速度较慢;另一方面,添加比率在70%以上时,玻璃表面产生白浊,且在玻璃表面形成反应生成物残渣的附着。因此,为控制抛光速度,添加比率保持在30~60%为好。
另外,抛光速度在3.0~3.5μm/分钟时,抛光量的大小误差在允许的范围,不成问题。以抛光量的大小误差控制在20μm的范围内时,0.5μm/分钟的抛光速度差相当于40分钟的抛光时间的误差(0.5(μm/分钟)×40(分钟)=20(μm)),抛光时间的误差在允许范围内。
图7是抛光速度与温度的关系曲线。该图中的横坐标为相对于基准温度的偏移量,纵坐标为抛光速度。
从图7可以看出,虽然随着温度的上升,抛光速度慢慢增加,但抛光速度在温度为-5℃到+5℃之间时,仅有0.5μm/分钟的差别。
因此,当抛光量的大小误差控制在20μm的范围内时,抛光时间的误差可以允许在40分钟以内。
在实际实施时,事先将实验样品在化学抛光液的储槽11中预先浸渍,从该样品板厚的变化情况来确定抛光速度为好。
实施例
以下,通过实施例对本发明进行具体说明。
[实施例1]
采用本发明的化学抛光装置1,对下述尺寸的崭新玻璃样品进行化学抛光:(1)320×400×1.1(mm)、(2)400×500×0.7(mm),目标抛光量分别为0.3mm和0.2mm。
首先,对改变化学抛光液的组成对抛光速度以及对玻璃表面状态的影响进行了考查,其结果如表1中所示。
表1
抛光速度μm/分钟 | 0.5 | 1.0 | 3.0 | 5.0 | 10.0 | 13.0 | 15.0 |
凹痕 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | 有 | 有 |
表面波纹 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | 有 | 有 |
板厚误差 | 小 | 小 | 小 | 小 | 小 | 中 | 大 |
原划痕 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | 有 | 有 |
表1中,凹痕、表面波纹以及原划痕的有无,是在暗室的净室内在荧光灯下目测的结果。
图8是(2)玻璃基板板厚的测定位置示意平面图。表1中,对图8中所示的各个位置,用超声波测厚仪测定板厚,误差表示其最大值与最小值的差值。这里的“小”,表示误差在50μm以下,“中”为100~200μm,“大”为200μm以上。
依据表1的结果,从产品的品质和生产操作性观点出发,抛光速度在0.5~10μm/分钟为好,特别是在1~5μm/分钟范围内,最为适当。
将抛光速度控制在2~3μm/分钟,用(2)玻璃基板为样品,用本发明的方法对化学抛光前后有无划痕的情况进行了考查。
图9是对化学抛光前后有无划痕的情况进行考查的结果示意平面图。
从图9可看出,抛光前能观察到的划痕,在抛光后消失。
将抛光速度控制在2~3μm/分钟,用(1)和(2)玻璃基板为样品,对图8中所示的各个位置,用超声波测厚仪测定的板厚结果示于表2。
表2 (mm)
(1)(2)(1)(2)
目标抛光量 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |
320×400×1.1t | 0.3 | 0.836 | 0.809 | 0.810 | 0.825 | 0.809 |
00×500×0.7t | 0.2 | 0.530 | 0.529 | 0.530 | 0.530 | 0.526 |
6 | 7 | 8 | 9 | 误差 | ||
320×400×1.1t | 0.810 | 0.823 | 0.810 | 0.809 | 0.026 | |
400×500×0.7t | 0.530 | 0.531 | 0.529 | 0.542 | 0.016 |
图10是用表面粗度计对(2)玻璃基板样品的表面状态进行考查结果的示意图。
从表2以及图10的结果可看出,采用本发明的化学抛先方法,在达到目标抛光量的同时,可以得到基板表面各点均匀、表面平坦的玻璃基板。
[实施例2]
用铬(Cr)和彩色滤光器用的画素对玻璃基板表面进行图形化后,该基板变得不理想。因此,为消除图形痕迹,将铬剥离后,用本发明的化学抛光装置1对其进行了抛光。图形痕迹的深度约为1μm。经抛光后,在暗室的净室内在约1万勒克斯的光源下目测的结果,该图形痕迹消失。
[实施例3]
将两片上述(2)玻璃基板贴合,得到一组贴合后的玻璃基板样品。将该样品采用本发明的化学抛光装置1进行了抛光。目标抛光量为0.2mm。
图11是对化学抛光前后有无划痕的情况进行考查的结果示意平面图。
从图11可看出,抛光前能观察到的划痕,在抛光后消失。
图12是对两片(2)玻璃基板贴合后的样品的外侧表面进行板厚测定位置的平面示意图。图13是对两片(2)玻璃基板贴合后的样品的外侧里面进行板厚测定位置的平面示意图。
表3中给出了上述表面板厚的测定结果;表4中给出了上述里面板厚的测定结果。
表3 (mm)
位置 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
板厚 | 0.510 | 0.508 | 0.500 | 0.503 | 0.504 |
位置 | 6 | 7 | 8 | 9 | 误差 |
板厚 | 0.508 | 0.506 | 0.510 | 0.508 | 0.010 |
表4 (mm)
位置 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
板厚 | 0.506 | 0.500 | 0.505 | 0.505 | 0.500 |
位置 | 16 | 17 | 18 | 19 | 误差 |
板厚 | 0.510 | 0.506 | 0.508 | 0.512 | 0.012 |
从表3和表4可看出,用本发明的化学抛光方法,可对玻璃基板进行更均匀的抛光。
以上结果表明,采用本发明的化学抛光装置1进行化学抛光,在液晶玻璃基板的板厚减薄的同时,能够使玻璃基板的表面平坦化。并且,还能消除开始存在于玻璃基板表面的划痕,使得玻璃的再利用成为可能。
另外,采用本发明的化学抛光方法,不管液晶玻璃基板的大小是多少,都能进行高生产率的抛光。
再者,本发明的化学抛光装置1,不限于前边实施说明的型式,可以进行各种变更。
如以上详细说明的那样,在第1发明的情况下,采用含有氢氟酸与氟化物的混合液(其中的氟化物包括氟化铵、氟化钾和氟化钠中的任一种或者多种),含有盐酸、硫酸、磷酸和硝酸的一种或多种的无机酸,含有醋酸和琥珀酸的一种或者多种的有机酸,含磺酸盐类表面活性剂的阴离子表面活性剂以及胺类两性表面活性剂的化学抛光液,控制抛光速度在0.5~10μm/分钟之间,对液晶玻璃基板的外表面进行化学抛光,能够在使液晶玻璃基板的板厚减薄的同时,使玻璃基板表面平坦化。
在第2至第5发明的情况下,因为使化学抛光液均匀上升,能够总是在液晶玻璃基板的表面提供新鲜的抛光液,同时能够防止反应生成物在液晶玻璃基板表面的物理再附着沉积。因此,可以用气泡的上升流动来控制抛光速度,从而能够在使液晶玻璃基板的厚度减薄的同时,使表面更平坦化。
另外,采用本发明的化学抛光方法,不管液晶玻璃基板的大小是多少,都能进行高生产性、均匀的抛光。
再有,采用本发明的化学抛光方法,能够消除起初存在于液晶玻璃基板表面的划痕,使得玻璃的再利用成为可能。
在第6发明的情况下,使化学抛光液均匀上升,上升到顶部后从储槽边缘溢出,将反应生成物除去后,再次输送给抛光液储槽,使抛光液循环使用,液晶玻璃基板的表面总是有新鲜的抛光液供给,同时可防止反应生成物在液晶玻璃基板表面进行物理再附着沉积。
液晶玻璃基板表面的凸出部分,由于受气泡上升流动的影响,总是可以得到活性抛光液,由反应速度定律起主导作用,其抛光速度变得十分快。与此相反,液晶玻璃基板表面的凹进部分,因抛光液的流动不畅,由扩散定律起主导作用,抛光速度变慢,从而能够在使液晶玻璃基板厚度减薄的同时,使表面平坦化。
在第7发明的情况下,可以对多片的液晶玻璃基板或者一对贴合后的玻璃基板同时进行均匀的抛光。
在第8发明的情况下,因为装备有超声波振动器或者摇动搅拌器,所以,能够对化学抛光液进行更均匀的搅拌。
Claims (1)
1.化学抛光装置,包括储存化学抛光液的化学抛光液储槽及下述装置:
配置在上述化学抛光液储槽的底部、包括气泡吐出部分的气泡发生装置,所述气泡吐出部分由多孔材料制成;
将液晶玻璃基板或者一对液晶玻璃基板纵向保持,配置在上述气泡发生装置上侧的放置液晶玻璃基板的器具;
设置于上述化学抛光液储槽周缘部的溢出液接受槽,该槽用于接受从所述储槽溢出的化学抛光液;
用于除去抛光产生的反应生产物的过滤器,该过滤器与上述溢出液接受槽连接;
将上述过滤器过滤后的化学抛光液再次输送到上述化学抛光液储槽的泵,该泵与上述过滤器连接;
配置在上述气泡发生装置下侧的化学抛光液喷出装置,该装置具有多个孔,用于将用上述泵输出的化学抛光液向上述化学抛光液储槽的底部喷出。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001114498 | 2001-04-12 | ||
JP114498/2001 | 2001-04-12 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005100833270A Division CN100462319C (zh) | 2001-04-12 | 2002-04-11 | 化学抛光方法、经该方法抛光的玻璃基板及化学抛光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1380572A CN1380572A (zh) | 2002-11-20 |
CN1277142C true CN1277142C (zh) | 2006-09-27 |
Family
ID=18965559
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005100833270A Expired - Fee Related CN100462319C (zh) | 2001-04-12 | 2002-04-11 | 化学抛光方法、经该方法抛光的玻璃基板及化学抛光装置 |
CNB021059632A Expired - Fee Related CN1277142C (zh) | 2001-04-12 | 2002-04-11 | 液晶玻璃基板的化学抛光方法及化学抛光装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005100833270A Expired - Fee Related CN100462319C (zh) | 2001-04-12 | 2002-04-11 | 化学抛光方法、经该方法抛光的玻璃基板及化学抛光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100380844B1 (zh) |
CN (2) | CN100462319C (zh) |
SG (1) | SG94843A1 (zh) |
TW (1) | TWI263079B (zh) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG121817A1 (en) * | 2002-11-22 | 2006-05-26 | Nishiyama Stainless Chemical Co Ltd | Glass substrate for flat planel display, and process for producing the same |
CN100343420C (zh) * | 2004-07-21 | 2007-10-17 | 常耀辉 | 一种不锈钢表面快速化学研磨抛光浴液及方法 |
JP2007197236A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Nishiyama Stainless Chem Kk | ディスプレイ用ガラス基板の製造方法及びそのガラス基板 |
CN101089688B (zh) * | 2006-06-14 | 2010-09-29 | 比亚迪股份有限公司 | 一种超薄液晶盒的制作方法 |
CN100392477C (zh) * | 2006-07-07 | 2008-06-04 | 南京大学 | 液晶显示面板资源化处理方法 |
KR101233687B1 (ko) * | 2010-10-28 | 2013-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유리 기판 식각 장치 |
JP5829458B2 (ja) * | 2011-08-25 | 2015-12-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN103033403B (zh) * | 2011-09-29 | 2015-09-02 | 鞍钢股份有限公司 | 一种薄板金属薄膜试样的制备方法 |
CN102643028A (zh) * | 2012-05-14 | 2012-08-22 | 深圳市拓捷科技发展有限公司 | 一种玻璃薄化设备及方法 |
CN102701597B (zh) * | 2012-06-26 | 2014-10-08 | 汕头市拓捷科技有限公司 | 一种快速的玻璃薄化设备 |
CN102701598B (zh) * | 2012-06-26 | 2015-09-30 | 广东拓捷科技有限公司 | 一种改进的玻璃薄化设备 |
CN103046053B (zh) * | 2012-09-21 | 2015-04-01 | 中国兵器工业第二一三研究所 | 高温氧化不锈钢的化学抛光方法 |
CN103508676A (zh) * | 2013-07-24 | 2014-01-15 | 芜湖长信科技股份有限公司 | 一种避免液晶基板玻璃减薄工艺缺陷的方法及其酸液配置方法 |
TW201519308A (zh) * | 2013-11-13 | 2015-05-16 | Grand Plastic Technology Corp | 循環式均勻蝕刻裝置 |
CN105541120A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-05-04 | 常熟市金亿复合材料有限公司 | 一种中空玻璃板的镀膜工艺 |
JP6323695B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-05-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ガラス用研磨液および研磨方法 |
CN107286853A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-10-24 | 天津津航技术物理研究所 | 一种微晶玻璃高光亮度化学抛光液及制备方法 |
CN107235641A (zh) * | 2017-08-14 | 2017-10-10 | 湖北工程学院 | 一种玻璃减薄蚀刻液及其制备方法 |
CN107814491A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-03-20 | 天津美泰真空技术有限公司 | 一种平板玻璃基板蚀刻液 |
CN107902914A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-04-13 | 天津美泰真空技术有限公司 | 一种玻璃基板薄化工艺蚀刻液 |
CN109439329A (zh) * | 2018-10-29 | 2019-03-08 | 苏州博洋化学股份有限公司 | 平板显示阵列制程用新型igzo蚀刻液 |
CN109111859A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-01-01 | 秦皇岛市大龙建材有限公司 | 玻璃抛光液 |
CN111029230B (zh) * | 2019-12-13 | 2022-04-05 | 山西长城微光器材股份有限公司 | 微通道板通道内抛光方法 |
CN111925126A (zh) * | 2020-08-12 | 2020-11-13 | 郑州恒昊光学科技有限公司 | 一种光学玻璃轻微划痕修复膏 |
CN116042098A (zh) * | 2023-02-08 | 2023-05-02 | 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 | 一种纳米氧化铝抛光液及在红外硫系玻璃抛光中的应用 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5854974A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-01 | 三菱電機株式会社 | ゴルフ練習器 |
JPH0641770A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-15 | Daikin Ind Ltd | シリコンウエハ表面の処理方法 |
SG46344A1 (en) * | 1992-11-16 | 1998-02-20 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for manufacturing a liquid crystal display substrate and apparatus and method for evaluating semiconductor crystals |
JP3531961B2 (ja) * | 1994-02-01 | 2004-05-31 | 横浜ゴム株式会社 | スチールコードベルトのエンドレス加工方法及びそのエンドレス加工方法を実施するための冷却冷凍装置 |
JPH10109012A (ja) * | 1996-10-04 | 1998-04-28 | Stec Kk | 生ゴミ処理の脱臭方法および脱臭装置 |
US6174371B1 (en) * | 1997-10-06 | 2001-01-16 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating method and apparatus |
JPH11111658A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2001
- 2001-04-30 KR KR10-2001-0023329A patent/KR100380844B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-05-01 TW TW090110411A patent/TWI263079B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-06-05 SG SG200103698A patent/SG94843A1/en unknown
-
2002
- 2002-04-11 CN CNB2005100833270A patent/CN100462319C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-11 CN CNB021059632A patent/CN1277142C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100462319C (zh) | 2009-02-18 |
TWI263079B (en) | 2006-10-01 |
SG94843A1 (en) | 2003-03-18 |
KR100380844B1 (ko) | 2003-04-18 |
CN1724432A (zh) | 2006-01-25 |
CN1380572A (zh) | 2002-11-20 |
KR20020080215A (ko) | 2002-10-23 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20060927 Termination date: 20100411 |