CN101604724A - 发光元件、包括该发光元件的发光器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光元件、包括该发光元件的发光器件及其制造方法。发光器件包括：在底板上的第一电极；在底板上的第二电极；在底板上的第三电极；发射结构，在第一电极上和/或与第一电极处于相同的高度；第一图案，在底板上且电连接到第一电极；以及在底板上的多个第二图案，其中至少一个第二图案布置在第一图案的第一侧且电连接到第二电极，至少另一个第二图案布置在第一图案的第二侧且电连接到第三电极，第一侧与第二侧相反。

Description

发光元件、包括该发光元件的发光器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及发光元件、包括该发光元件的发光器件以及制造该发光元件和/或发光器件的方法。更具体地，本发明的实施例涉及包括适于局部变暗(local dimming)和/或改良发光效率(light efficiency)的发光元件的发光器件。与传统的元件和/或器件相比，该发光器件可以包括可独立访问(individually accessible)和/或具有改良发光效率的发光元件。本发明的实施例还涉及制造该发光元件和/或发光器件的方法。
背景技术
发光元件(例如发光二极管(LED))被用于各种应用中，例如显示器、数字钟、远程控制、手表、计算器、手机、指示灯、背光源(backlight)等。
LED一般由于电致发光(也就是电子-空穴对的复合)而发光。电子-空穴对可以由于电流而在半导体p-n结处复合。当电子和空穴复合时，能量可以以光子的形式发出。
虽然LED已经广泛应用，但是仍需要改良发光元件，例如具有改良发光效率的LED。
发明内容
本发明的实施例针对发光元件、采用该发光元件的发光器件以及制造该发光元件和/或发光器件的方法，其基本克服了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。
因此，本发明的实施例的特征是提供了改善的发光元件。
因此，本发明的实施例的单个特征是提供了能独立访问的改良发光器件。
因此，本发明的实施例的单个特征是提供了具有改良发光效率的发光器件。
因此，本发明的实施例的单个特征是提供了包括能独立访问的多个发光器件的改良发光装置。
因此，本发明的实施例的单个特征是提供了一种制造能独立访问和/或具有改良发光效率的改良发光器件的方法。
因此，本发明的实施例的单个特征是提供了一种可被LCD背光单元采用的适于局部变暗操作和/或具有改良发光效率的发光器件。
至少一个上述和其它的特征以及优点可以通过提供一种发光器件来实现，该发光器件包括：在底板上的第一电极；在底板上的第二电极；在底板上的第三电极；发射结构，在第一电极上和/或与第一电极处于相同的高度(level)；第一图案，在底板上且电连接到第一电极；以及在底板上的多个第二图案，至少一个第二图案布置在第一图案的第一侧且电连接到第二电极，至少另一个第二图案布置在第一图案的第二侧且电连接到第三电极，第一侧与第二侧相反。
发射结构可以包括第一导电图案、发射图案和第二导电图案，第一电极可以电连接到第一导电图案，第二电极可以电连接到第二导电图案，第三电极可以电连接到第二导电图案。
第一电极可以包括多个突起(protrusion)，该多个突起限定至少一个发光区域和至少一个非发光区域，第二电极和第三电极可以与该至少一个非发光区域重叠(overlap)。
发射结构可以包括第一导电图案、发射图案和第二导电图案，第一电极的一部分可以相对于底板与发射图案处于相同的高度。
第一电极可以包括基本沿第一方向延伸的第一部分和基本沿第二方向延伸的第二部分，第一方向与第二方向交叉。
第二电极和第三电极可以相对于底板布置在相同的高度。
该发光器件可以包括第一欧姆图案，该第一欧姆图案在发射结构与第一电极之间。
第一图案和第二图案可以在底板的第一表面上，该发光器件还可以包括在底板的第二表面上的第三图案和第四图案，第一图案可以经由延伸穿过底板的通孔(via)电连接到第三图案，第二图案可以经由延伸穿过底板的通孔电连接到第四图案。
第一电极可以布置在导电基板上，该导电基板电连接到第一图案。
第二电极和第三电极中的每个可以经由导线(wire)或导电树脂电连接到相应的第二图案。
至少一个上述和其它的特征以及优点可以通过提供一种发光装置而个别地实现，该发光装置包括：多个发光器件，每个发光器件包括底板上的第一电极、底板上的第二电极以及在第一电极与第二电极之间的发射结构；多个第一图案，彼此分隔开并沿第一方向彼此平行地在底板上延伸，每个第一图案连接到至少两个相应发光器件的第一电极并与其重叠；以及在底板上彼此分隔开的多个第二图案，发光器件的第二电极连接到相应的第二图案，第二图案布置成组，每个组中的第二图案彼此间接电连接并沿与第一方向交叉的第二方向布置。
每个组中的第二图案可以经由下列组件间接电连接在一起：与相应组的第二图案连接的发光器件；和/或沿在基板的表面以下的平面延伸的下导电图案中的相应一个，第一图案和第二图案布置在基板的表面上，第二图案经由通孔电连接到下导电图案中的相应一个，该通孔延伸穿过布置在第一图案及第二图案与下导电图案之间的绝缘层。
每个组中的第二图案可以经由相应组的发光器件的第二电极而连接在一起。
每个发光器件可以包括连接到相应组的第二图案中的另一个第二图案的第三电极，使得每组中的第二图案经由在相应的第二图案与相应的第二电极之间、相应的第二电极与第三电极之间、相应的第三电极与第二图案中的其它相应的第二图案之间的电连接而电连接。
发射结构可以包括发射图案、第一导电图案和第二导电图案，发光器件的第二导电图案可以连接到第二电极和第三电极。
第一电极、第二电极和第三电极可以与相应的第一图案重叠。
第一图案和第二图案可以沿相同的平面延伸，该平面平行于基板延伸的平面。
发光器件可以包括在该发光器件的第一侧的一个第二图案以及在该发光器件的第二侧且同一组中的一个相邻第二图案，第一侧与第二侧相反，第一图案可以在第二图案中相应的相邻第二图案之间延伸。
第一电极可以包括至少一个突起，该至少一个突起限定发光区域和非发光区域，第二电极与非发光区域重叠。
第一电极可以包括反射材料。
至少一个上述和其它的特征以及优点可以通过提供一种发光装置而单独地实现，该发光装置包括：在底板上的多个发光器件，每个发光器件包括在底板上的第一电极、第二电极、第三电极和发射结构；多个第一图案，在底板上彼此分隔开，每个发光器件的第一电极与第一图案中的相应一个重叠并电连接到该第一图案；多个第二图案，在底板上彼此分隔开，每个发光器件布置在第二图案中相应的相邻第二图案之间，其中，对于每个发光器件，第二电极连接到相应的相邻第二图案中的一个，第三电极连接到相应的相邻第二图案中的另一个。
每个第一电极可以包括限定空腔(cavity)的两个突起部(protrudingportion)，该空腔的上部可以宽于该空腔的下部。
每个第一电极可以包括至少一个突起。
第一电极可以包括两个突起，该两个突起实质上限定发光器件的发光区域和两个连接区域，第二电极可以与其中一个连接区域重叠，第三电极可以与另一个连接区域重叠。
第一图案可以具有条形图案，使得每个第一图案限定行；第二图案布置成组，使得每个组中的第二图案被对准(align)以限定与所述行交叉的列。
所述行可以沿第一方向延伸，所述列可以沿第二方向延伸，第一方向与第二方向交叉。
对应于每个组的第二图案的发光器件可以沿由相应的第二图案限定的相应列对准。
发光器件可以布置成列，该列平行于由所述第二图案限定的列并相对于由所述第二图案限定的列偏移。
第二电极和第三电极中的每个可以包括ITO、Cu、Ni、Cr、Au、Ti、Pt、Al、V、W、Mo和/或Ag。
该发光装置还可以包括在发光器件上的磷光体层，其中磷光体层包括透明树脂，其中磷光体为以下的至少之一：分散在透明树脂内、分散在透明树脂上和/或分散在透明树脂与发光器件之间。
至少一个上述和其它的特征以及优点可以通过提供一种偏置发光器件的方法而单独地实现，该发光器件包括：在底板上的第一电极；在底板上的第二电极；在底板上的第三电极；发射结构，包括在第一导电图案与第二导电图案之间的发射图案；第一图案，在底板上且电连接到第一电极；在底板上的多个第二图案，至少一个第二图案布置在第一图案的第一侧且电连接到第二电极，至少另一个第二图案布置在第一图案的第二侧且电连接到第三电极，第一侧与第二侧相反，该方法包括：通过第一图案和第一电极将第一偏置施加到第一导电图案；以及通过在第一图案的第一侧和第二侧的第二图案以及第二电极和第三电极将第二偏置施加到第二导电图案。
第一偏置和第二偏置可以是电流或电压之一，第一偏置可以是正和负之一，第二偏置可以是正和负中的另一种。
至少一个上述和其它的特征以及优点可以通过提供一种制造发光器件的方法而单独地实现，该方法包括：在基板上形成包括导电图案、发射图案和另一导电图案的发射结构；构图发射结构以限定至少一个沟槽(trench)；实质上和/或完全在发射结构的第一侧形成第一电极；实质上和/或完全在发射结构的第二侧形成第二电极以形成中间结构，发射结构的第一侧不同于第二侧；在包括第一图案和多个第二图案的底板上布置中间结构，使得第一电极与第一图案重叠并电连接到第一图案；以及经由导线或导电树脂的方式，将第二电极电连接到相应的一个第二图案。
该方法还可以包括在发射结构的第二侧形成第三电极，经由导线或导电树脂将第三电极电连接到第二图案中相应的另一个。
附图说明
通过参照附图对本发明的示范性实施例进行详细描述，上述和其它的特征以及优点对于本领域技术人员将变得更加明显，附图中：
图1示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第一示范性实施例的发光器件的截面图；
图2示出了图1的示范性发光器件的顶部侧视图；
图3示出了包括图1的多个发光器件的发光装置的示范性布置的示意图；
图4示出了图3的发光装置的示范性示意性图；
图5示出了当选择其中一些发光器件时在操作状态期间图3的发光装置的示范性示意图；
图6示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第二示范性实施例的发光器件的截面图；
图7示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第三示范性实施例的发光器件的截面图；
图8示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第四示范性实施例的发光器件的截面图；
图9示出了包括图8的多个发光器件的发光装置的示范性布置的示意图；
图10示出了包括图8的多个发光器件的发光装置的另一布置的示意图；
图11示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第五示范性实施例的发光器件的截面图；
图12示出了可与图11的发光器件一起使用的第一导电图案和第二导电图案以及第一电极、第二电极和第三电极的示范性示意图；
图13示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第六示范性实施例的发光器件的截面图；
图14示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第七示范性实施例的发光器件的截面图；
图15示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第八示范性实施例的发光器件的截面图；
图16示出了可与图13的发光器件一起使用的第一图案、第二图案和第三图案的示范性布置的示意图；
图17示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第九示范性实施例的发光器件的截面图；
图18示出了可由发光器件使用的磷光体的示范性布置；
图19示出了可由发光器件使用的磷光体的第二示范性布置；
图20A和图20B示出了图18的磷光体层和第二透明树脂的示范性布置；
图21示出了采用图1的发光器件的示范性显示器件的一部分的图解；以及
图22A、图22B、图22C、图22D、图22E、图22F、图22G和图22H示出了在用于制造图1的示范性发光器件的示范性方法中的阶段。
具体实施例
在下文中将参照附图更充分地描述本发明的一个或多个方面的实施例，附图中示出了本发明的示范性实施例。然而，本发明的方面可以以不同的形式实施并且不应被解释为限于此处所述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开透彻和完整，并将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。
在附图中，为了清晰起见，层和区域的尺寸可以被夸大。应当理解，当一元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者还可以存在插入的元件。此外，应当理解，当一元件被称为在另一元件“下”时，它可以直接在另一元件下，或者还可以存在一个或多个插入元件。此外，还应当理解，当一元件被称为在两个元件“之间”时，它可以是在这两个元件之间的唯一元件，或者还可以存在一个或多个插入元件。此外，应当理解，当一元件被称为在两个元件“之间”时，它可以物理地布置在两个元件的面对/重叠部分之间，它可以被物理布置使得其中一个元件在它的下方而另一元件在它的上方，或者它可以沿例如两个元件之间的电流的通路。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。
下面将描述采用本发明的一个或多个方面的发光器件的示范性实施例。应当理解，虽然示范性装置可以被描述为采用上述示范性发光器件之一，但是本发明的实施例不限于此。可以使用采用本发明的一个或多个方面的其它发光器件。
图1示出了采用本发明的一个或多个方面的发光器件11的第一示范性实施例的截面图。图2示出了图1的发光器件11的顶部侧视图。图3示出了图1的多个发光器件11的示范性布置的示范性示意图。
参照图1和图2，发光器件11可以包括发光元件100和电路板301。电路板301可以包括：导线330_1、330_2；第一图案310_1和第二图案320_1、320_2；以及底板(base substrate)309。发光元件100可以包括：发射结构(emitting structure)110、第一电极140、第二电极151、第三电极152、第一欧姆层130、绝缘层120、导电基板200和中间层(intermediate layer)210。发射结构110可以包括第一导电图案112、发射图案114和第二导电图案116。
参照图1，导线330_1可以将第二电极151电连接到第二图案320_1。导线330_2可以将第三电极152电连接到第二图案320_2。导电基板200可以通过例如其间的导电树脂(未示出)电连接到第一图案310_1。在该情形下，例如第一电极140可以经由中间层210、导电基板200和导电树脂电连接到第一图案310_1。
参照图3，发光装置1100可以包括电连接到第一图案310_1至310_n和第二图案320_1至320_n+1中的相应部分的多个发光元件100。例如，在一些实施例中，n×m个发光元件100可以以类似矩阵的方式布置。第一图案310_1至310_n和/或第二图案320_1至320_n+1可以形成于底板309上。
如图3所示，在一些实施例中，每个发光元件100可以与相应的第一图案310_1至310_n和相应的第二图案320_1_1至320_n+1_m电连接。更具体地，例如，如图3的示范性实施例所示，每个发光元件100可以至少与第一图案310_1至310_n中的相应一个部分地重叠，每个发光元件100可以与第二图案320_1_1至320_n+1_m中的至少一个(例如两个)电连接。
每个第一图案310_1至310_n可以电连接到发光装置1100的多个发光元件100。在实施例中，与第一图案310_1至310_n中的相应一个连接的相应发光元件100可以彼此并联连接。连接到第二图案320_1_1至320_n+1_m中的那些相应图案的相应发光元件100可以彼此并联连接。该并联连接可以在驱动发光元件100期间使能改进独立可访问性。
在一些实施例中，第一图案310_1至310_n可以具有条形图案。在该实施例中，例如，存在沿第一方向DR1延伸并限定n行(y1至yn)的1至n个第一图案310_1至310_n。第一图案310_1至310_n可以彼此平行地延伸。第一图案310_1至310_n可以在第二图案320_1_1至320_n+1_m的各个相应部分之间延伸。例如，第二行y2中的第一图案310_2可以电连接到m个发光元件100_1至100_m。
每个第二图案320_1_1至320_n+1_m可以与其它的第二图案320_1_1至320_n+1_m物理地分离，例如完全间隔开。每个第二图案320_1_1至320_n+1_m可以是导电图案。第二图案320_1至320_n+1可以对应于发光装置1100的发光元件100的布置而布置成组，例如为1至m列。每个第二图案，例如320_1_1至320_n+1_m可以具有例如圆的(rounded)形状(例如圆形)或多边形形状(例如矩形、方形圈(square circle)等)。
更具体地，例如，在实施例中，第二图案320_1_1至320_n+1_m可以限定沿第二方向DR2延伸的x1至xm列。第一方向DR1可以垂直于第二方向DR2。布置在多个(例如两个)第一图案之间(例如第一图案310_1和310_2之间)的第二图案320_1_1至320_n+1_m的相应1至m部分可以连接到多个(例如两个)发光元件100。此外，每个发光元件100都可以连接到在第二图案的相应列和相应的相邻行中的一个或多个相应的相邻第二图案。例如，在发光元件100的示范性n×m矩阵中，第二行y2和第m列xm的发光元件100_2_m可以连接到相邻的第二图案320_2_m和320_3_m。
在实施例中，每个第二图案320可以是在基板309上的独立图案，沿第二方向DR2沿相同列x布置的第二图案320可以通过例如沿相应的列x布置的发光元件100间接地电连接。也就是，相应列x的第二图案320可以彼此不直接连接。在一些实施例中，相应列x中的相应第二图案320可以通过两个或多个插入元件(例如相应的导线330、相应的发光元件100)连接在一起。
参照图3，在一些实施例中，第二图案320可以布置在相应的第一图案310的相反侧(opposing side)。例如，第二图案320_1_1至320_2_1可以布置在相应的第一图案310_1的相反侧。相反侧可以对应于沿相同平面延伸的侧，例如其间具有一个或多个其它侧的非边缘共享侧(non-edge sharing side)。更具体地，例如，相应列x1至xm的发光元件100可以沿例如第二方向DR2与相应的第二图案320_1_1至320_n+1_m对准。
底板309可以具有例如多边形、圆形或椭圆形。底板309可以包括印刷电路板(PCB)、金属芯印刷电路板(metal core printed circuit board，MCPCB)、环氧树脂、Si、Si合金、应变Si、SiC和/或SiGe等。
再参照图1，以下将更详细地描述示范性发光元件100的特征。中间层210可以在导电基板200上。导电基板200可以包括例如Si、应变Si、Si合金、SOI、SiC、SiGe、SiGeC、Ge、Ge合金、GaAS、InAs、III-V半导体和/或II-VI半导体。中间层210可以将第一电极140接合到导电基板200。中间层210可以包括例如Au、Ag、Pt、Ni、Cu、Sn、Al、Pb、Cr、Ti和/或W。
第一电极140可以在中间层210上。第一电极140可以包括例如反射材料，使得在发射图案114产生且发射到第一电极140上的至少一些光L可以被反射而离开第一电极140。例如，第一电极140可以包括Ag、Al等。
在一些实施例中，例如，第一电极140可以包括底部140a和一个或多个侧部140b。底部140a可以与中间层210和/或导电基板200的形状一致，例如底部140a可以基本上沿平行于中间层210的平面延伸。侧部140b可以沿与第一电极140的底部140a延伸的平面交叉的方向延伸。例如，参照图1，第一电极140的侧部140b可以通常以相对于底部140a呈大于90°角度延伸，使得相应的侧部140b的面对的下部(例如，相对更靠近导电基板200的部分)之间的距离小于相应的侧部140b的面对的上部(例如，相对更远离导电基板200的部分)之间的距离。
侧部140b中相邻或相应的侧部可以一起限定在发光元件100的第一电极140中的突起141。在一些实施例中，第一电极140可以包括至少一个突起141，至少一个突起141限定在第一电极140与导电基板200之间的凹槽118。图1的示范性发光元件100示出了具有两个突起141和两个凹槽118的示范性实施例。此外，在一些实施例中，例如第一电极140的突起141和/或侧部140b可以限定一个或多个空腔142a、142b。更具体地，例如，第一电极140可以限定一个或多个空腔142a和一个或多个其它空腔142b，其中空腔142a对应于发光元件100的一个或多个发光区域(例如第二区域)，空腔142b对应于发光元件100的一个或多个非发光区域(例如第一区域和第三区域)。实施例不限于此，原因在于，例如由空腔例如空腔142a、142b产生的发光元件100的多个区域中的一个、一些或所有区域可以对应于发光元件100的发光区域或非发光区域。突起141可以包括例如基本上类似倒U的形状或基本上类似倒V的形状。
此外，在一些实施例中，第一电极140的部分140c可以在发射图案114的高度上方延伸。也就是，例如，参照图1，至少一些发射结构110可以布置在由侧部140b限定的空腔142a(例如，碗形空腔)内。更具体地，例如，第一电极140的部分140c可以嵌入在第一导电图案112的一部分中。应当理解，在一些实施例中，第一电极140可以是完全和/或基本上平坦的，也就是不包括任何侧部140b或更起141。
第一绝缘层120可以在第一电极140上。更具体地，第一欧姆层130可以在第一电极140的在发光区域(第二区域)内的部分上，而不在第一电极140的在非发光区域(第一区域、第三区域)内的部分上。绝缘层120可以包括氮化层、氧化层，更具体地，包括氧化物-氮化物层、铝氧化物层和/或铝氮化物层。
第一欧姆层130可以电连接第一电极140和发射结构110。欧姆层130可以包括例如ITO(铟锡氧化物)、Zn、ZnO、Ag、Ti、Al、Au、Ni、In2O3、SnO2、Cu、W和Pt中的至少一种。第一欧姆层130可以至少部分填充由第一绝缘层120的图案限定的开口。参照图1，第一欧姆层130和第一绝缘层120可以一起形成发光元件100中的层。
参照图1，发射结构110可以包括依次层叠在一起的第一导电图案112、发射图案114和第二导电图案116。第二导电图案116可以在第一绝缘层120和/或第一欧姆图案130上。发射图案114可以在第二导电图案116上。发射图案114可以位于与第一电极140相同高度处和/或高于第一电极140，并位于低于第二电极151、152的高度。第一导电图案112可以在发射图案114上。
如上所讨论的，在一些实施例中，第一电极140可以包括侧部140b和/或突起141。在该实施例中，例如，发射结构110的底部可以包括对应于该侧部140b和/或突起141的形状。例如，参照图1，侧部140b和/或突起141可以在发射结构110的相应部分之间延伸。更具体地，例如，突起141可以在发射结构110的位于空腔142a内的部分与发射结构110的位于空腔142b内的其它部分之间延伸。参照图1，突起141可以在第二导电图案116和发射图案114的高度上方延伸，并且可以仅部分延伸到第一导电图案112中，即延伸到第一导电图案112的上表面下方的高度。
第一导电图案112、发射图案114和/或第二导电图案116中的每一个都可以包括InxAlyGa(1-x-y)N，其中0≤x≤1且0≤y≤1。更具体地，例如，第一导电图案112、发射图案114和/或第二导电图案116可以包括GaN，例如AlGaN、InGaN等。在实施例中，第一导电图案112可以是n型或p型之一，第二导电图案116可以是p型或n型的另一种。发射图案114可以对应于发光元件100的由于第一导电图案112、116的载流子复合而产生光的区域。此外，第一导电图案112的表面可以被织构化(texture)以提高光提取效率。
第二电极151和/或第三电极152可以在第一导电图案112上。第二电极151和/或第三电极152可以与第一导电图案112电连接。第二电极151和/或第三电极152可以包括例如ITO、Cu、Ni、Cr、Au、Ti、Pt、Al、V、W、Mo和/或Ag。第二电极151和/或第三电极152可以位于高于第一电极140和/或发射图案114的高度。更具体地，第二电极151和/或第三电极152可以与对应于非发光区域(分别为第一区域、第三区域)的空腔142b重叠，且不与对应于发光区域(第二区域)的空腔142a重叠。在包括两个非发光区域(第一区域、第三区域)的图1的示范性实施例中，第二电极151与非发光区域之一(第三区域)重叠，第三电极152与非发光区域的另一个(第一区域)重叠。更具体地，例如第二电极151和第三电极152可以布置为不阻挡从发射结构110发出的光。第一电极140、第二电极151和第三电极152中的每一个都可以彼此分离。
参照图1，以下将描述图1中示出的发光器件11的示范性操作。例如，在一些实施例中，第一导电图案112可以是n型，第二导电图案116可以是p型。在该实施例中，第一偏置例如正偏置(V+或I+)可以通过第一图案310_1、第一电极140和第一欧姆图案130施加到第二导电图案116，第二偏置例如负偏置(V-或I-)可以经由第二图案320_1、第二电极151和/或第二图案320_2及第三电极152施加到第一导电图案112。正向偏置可以施加到发射结构110，光可以在发射图案114处产生。在正向偏置操作期间，电流可以从第一电极140流到第二电极151和第三电极152。虽然以上描述了正向偏置操作，但是实施例不限于该正向偏置操作。此外，绝缘层120可以调节电流。在电流可流经发射图案114的所有和/或基本所有区域的实施例中，可以改善例如提高发光效率。
图4示出了图3的发光装置1100的示范性示意图。参照图4，发光装置1100可以包括发射器件控制器15和LED驱动集成电路(LED driverintegrated circuit，LDI)控制器20。发射器件控制器15和LDI控制器20可以独立地驱动发光装置1100的每个发光元件100。更具体地，例如，发光装置1100的发光元件100可以并联连接。因此，通过并联连接发光装置1100内的多个发光元件100，可以独立地访问多个发光元件100中的每个。因此，该发光装置1100能够优化局部变暗操作。局部变暗可以改善被显示的图像的对比度。
图5示出了在采用局部变暗的操作状态期间图1的发光器件11的示范性示意图。如图5所示，当例如通过控制器15、20选择列x1和x2以及行y1、y2和y3且不选择其它行x3至xm以及列y4至yn时，光可以从区域B中的发光元件100发出，并且光不会从不处于区域B的发光元件100中发出。该发光元件100的发光状态的选择控制可以有助于改善显示装置的对比度。
图6示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第二示范性实施例的发光器件12的截面图。概括地，以下将仅描述发光器件12与图1的发光器件11之间的差别。
参照图6，发光器件12可以包括发光器件100a，该发光器件110a包括第一电极240。第一电极240可以包括底部240a和侧部240b。然而，与图1的示范性发光元件100的第一电极140相比，示范性发光器件100a的第一电极240不包含突起141。示范性发光元件100a的第一电极240的侧部240b可以限定空腔242。更具体地，发光装置12的第一电极240可以仅包括一个空腔242。发射图案114可以至少部分在空腔242内。第二电极151和第三电极152可以至少与空腔242部分地重叠。更具体地，例如第二电极151和第三电极152可以布置为基本上与第一电极240的侧部240b重叠。
图7示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第三示范性实施例的发光器件13的截面图。概括地，以下仅描述发光器件13与图1的发光器件11之间的差别。
参照图7，发光器件13可以包括发光器件400，发光器件400包括第一电极340。第一电极340可以与中间层210的形状和/或其上布置中间层210的导电基板200的一侧的形状一致。例如，如果第一电极340布置在基本平坦的导电基板200一侧，第一电极340可以基本上沿平面延伸。与图1的发光元件100的第一电极140相比，发光器件300的第一电极340可以不包括任何侧部140b和/或任何突起141。此外，发光器件400的第一电极340可以不限定任何空腔。在示范性发光元件400中，第一电极340仅沿发射结构110的底部布置。
图8示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第四示范性实施例的发光器件14的截面图。
此外，本发明的一个或多个方面可以应用到横向型发光器件。参照图8，例如，发光器件14可以包括横向型发光元件500。发光元件500可以包括第一电极540、第二电极551、第三电极552、发射结构510和基板220。发射结构510可以包括在第一导电图案512与第二导电图案516之间的发射图案514。第二导电图案516可以在基板220上，例如直接在基板220上。基板220可以包括例如Al2O3、ZnO、Si和/或SiC等。第一电极540可以在第一导电图案512上。第二电极551和第三电极552可以在第二导电图案516的相应部分上。基板220可以布置在第一图案310_1上。第一电极540可以经由导线330_3连接到相应的第一图案310_1。第二电极551可以经由导线330_1连接到相应的第二图案320_1，第三电极552可以经由导线330_2连接到相应的第二图案320_2。发光元件500可以在基板201与第二导电图案516之间不包括欧姆图案。如图8所示，在该实施例中，第一电极540可以相对于第二电极551和第三电极552更远离基板220的上表面。更具体地，例如，与其上可分别布置第二电极551和第三电极552的第二导电图案516的表面相比，发射图案514和第一导电图案512可以进一步远离基板220的上表面。
图9示出了采用图8的多个发光器件14的发光装置1401的第一导电图案310_1至310_n和第二导电图案320_1至320_n+1以及第一电极540、第二电极551和第三电极552的示范性示意图。图10示出了采用图8的多个发光器件14的发光装置1402的第一导电图案310_1至310_n和第二导电图案320_1至320_n+1以及第一电极540、第二电极551和第三电极552的另一示范性示意图。概括地，下面将仅分别描述图9的发光装置1401和图10的发光装置1402与图3的发光装置1100之间的差别。更具体地，在图9的示范性发光装置1401和图10的示范性发光装置1402中，相应的发光元件500a、500b的第一电极540可以经由相应的导线330_3电连接到相应的第一图案310_1。
参照图9，除了采用图14的发光元件500代替图1的发光元件100，发光装置1401基本上对应于图3的发光装置11。更具体地，图9的发光装置14a可以包括多个发光元件500a，发光元件500a类似于图3的发光元件100布置在底板309上。每个发光元件500a的第一电极540可以经由相应的导线3303电连接到相应的第一图案310_1至310_n，每个发光元件500a的第二电极551可以经由导线330_1电连接到相应的第二图案320_1至320_n+1的相应部分，每个发光元件500a的第三电极552可以电连接到相应的第二图案320_1_1至320_n+1_m的相应部分。参照图9，例如，每个发光元件500a可以布置在第二图案320_1_1至320_n+1_m中那些对应的相邻图案之间，例如，发光元件500a_1_m可以布置在对应于相邻的行y1和y2及相应的第m列的第二图案320_1_m和320_2_m之间，相应的发光元件500a_1_m与相应的第m列相关联。
参照图10，除了发光元件500b相对于第二图案320_1至320_n+1的在底板309上的布置，发光装置1402基本上对应于图9的发光装置1401。在图3和图9的示范性装置1100、1401中，相应的发光元件100、500a可以布置为与相应的第二图案320_1_1至320_n+1_m完全和/或基本对准，使得相应的第二图案320_1_1至320_n+1_m和相应的发光元件100、500a一起限定相应的列x1至xm。在图10的示范性装置1402中，相应的发光元件500b布置为偏离相应的第二图案320_1至320_n+1。也就是，相应的发光元件500b可以相对于相应的第二图案320_1_1至320_n+1_m部分和/或完全地偏离。例如，发光元件500b可以布置为使得每个发光元件500b和相应的各个第二图案320_1_1至320_n+1_m限定三角形。即使通过该布置，相应的发光元件500b和相应的各个第二图案320_1_1至320_n+1_m可以限定相应的列x1至xm。应当理解，虽然示出了发光元件500b的此可选的示范性布置，但是其它实施例(例如图3的发光元件100)也可以采用该布置。此外，应当理解，实施例也可以采用其它的布置。
图11示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第五示范性实施例的发光器件15的截面图。
参照图11，发光器件15可以基本上对应于上述的发光器件(例如图1的发光器件11)，但是包括图8的发光元件500。更具体地，发光元件500可以倒装(flip)在底板309上方，第一电极540、第二电极551和第三电极552可以经由导电树脂(例如焊料凸块(solder bump)335)电连接到底板309。例如，第一电极540可以经由相应的一个焊料凸块335电连接到相应的第一图案310_1，第二电极551和第三电极552可以经由相应的焊料凸块335电连接到相应的第二图案320_1至320_n+1。更具体地，当发光元件500倒装在电路301上方时，第一电极540可以至少与相应的第一图案310_1至310_n部分地重叠，相应的焊料凸块335可以位于第一电极540与相应的第一图案310_1至310_n之间；第二电极551可以至少与第二图案320_1至320_n+1的相应部分部分地重叠，相应的焊料凸块335可以位于第二电极551与第二图案320_1至320_n+1的相应部分之间；第三电极552可以至少与第二图案320_1至320_n+1的相应部分部分地重叠，相应的焊料凸块335可以位于第三电极552与相应的第二图案320_1至320_n+1之间。
图12示出了包括图11的多个发光器件15的发光装置1500的第一导电图案310_1至310_n和第二导电图案320_1至320_n+1以及第一电极540、第二电极551和第三电极552的示范性示意图。
参照图12，图12的示范性发光装置1500基本上对应于图3的示范性发光装置1100，但是包括图11的发光器件500而不是图1的发光元件100。因此，在图12的示范性发光装置1500中，可以不采用导线以将第一电极540、第二电极551和第三电极552电连接到相应的第一图案310_1至310_n或相应的第二图案320_1至320_n+1。应当理解，图12的示意图仅意欲示出电极540、551、552以及图案310_1至310_n和图案320_1至320_n+1的示范性布置，而不是装置的视图。也就是，例如电极540、551、552不能从装置15的俯视图看到。此外，第一图案310_1至310_n可以与第二图案320_1至320_n+1电分离。
图13示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第六示范性实施例的发光器件16的截面图。概括地，以下将仅描述图1的发光器件11与图13的发光器件16之间的差别。与图1的发光元件100相比，发光元件600可以不包括第二电极152和导线330_2。
参照图13，发光器件16可以包括发光元件600、底板609、第二图案620_1、通孔(via)340和第三图案350_1。第二图案620_1可以经由导线330_1连接到第二电极151。第二图案620_1可以经由通孔340连接到第三图案350_1。也就是，例如第二电极151可以经由导线330_1、第二图案620_1和通孔340而与第三图案350_1电连接。第三图案350_1可以在底板609上。第三图案350_1可以在发光元件600下方在底板609上延伸。例如，第一图案310_1和/或第二图案620_1可以以第二图案高度在底板609上延伸，第三图案350_1可以以第一图案高度在底板609上延伸。第一图案高度不同于第二图案高度，例如第一图案高度低于第二图案高度。
参照图1和图13，发光元件600可以包括第一电极640。第一电极640可以包括底部640a和侧部640b。第一电极640可以包括限定单个凹槽118的单个突起141。第一电极640的各个侧部640b可以限定空腔642a、642b。空腔642a可以对应于发光区域，空腔642b可以对应于非发光区域。
图14示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第七示范性实施例的发光器件17的截面图。概括地，以下将仅描述图14的发光器件17分别与图8的发光器件14和图13的发光器件16之间的差别。
参照图14，发光器件17可以包括发光元件700。发光元件700基本上对应于图8的发光元件500。发光器件17可以包括图13的发光器件16的通孔340和第三图案350_1，代替图8的发光装置14的第三电极552和导线330_2。
图15示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第八示范性实施例的发光器件18的截面图。参照图15，发光器件18可以基本上对应于图14的发光器件17，发光元件700以倒装芯片(flip-chip)的方式布置。也就是，发光装置18可以包括焊料凸块335(分别将第一电极540连接到第一图案310_1并将第二电极551连接到第二图案320_1)，代替导线330_1、330_3(分别将第一电极540和第二电极551电连接到相应的第一图案310_1和第二图案320_1)。在发光装置18中，第二图案320_1可以经由通孔340电连接到相应的第三图案350_1。
图16示出了包括图13的多个发光器件600的发光装置1600中的第一图案310_1至310_n、第二图案320_1至320_n+1、第三图案350_1至350_m的示范性布置的示意图。图16的示范性布置可以基本上对应于图3的示范性布置，包括第三图案350_1至350_m。第三图案350_1至350_m可以沿与第一图案310_1至310_n的延伸方向交叉的方向延伸，例如第一图案310_1至310_n可以沿第二方向DR2延伸。第三图案350_1至350_m可以具有条型图案。第三图案350_1至350_m中的相应图案可以彼此平行延伸。第三图案350_1至350_m可以在相应的发光元件(例如发光元件600)下方延伸。第三图案350_1至350_m可以限定列x1至xm。第三图案350_1至350_m可以与相应的发光元件600部分地和/或完全地重叠。第三图案350_1至350_m可以经由相应的通孔340电连接到第二图案320_1至320_n+1。
在图16的示范性实施例中，例如第二电极151(见图13)可以经由相应的导线330_1电连接到相应的第二图案320_1至320_n+1。实施例不限于此。例如，图14和图15的发光元件700可以在一些实施例中采用。在采用图14的发光装置17的实施例中，例如第一电极540还可以经由相应的导线330_3电连接到相应的第一图案310_1至310_n。在采用图15的发光装置18的实施例中，例如可以采用焊料凸块335代替导线330_1、330_3。在该实施例中，类似于图12的示范性实施例，发光元件700的相应部分可以与相应的第一图案310_1至310_n和/或第二图案320_1至320_n+1(经由例如焊料凸块335电连接到发光元件700)重叠。尽管该示范性修改在图16中没有示出，但是应当理解可以有这种和其它的修改。
图17示出了根据采用本发明的一个或多个方面的第九示范性实施例的发光器件19的截面图。概括地，以下将仅描述图1的示范性器件11与图17的示范性器件19之间的差别。
参照图17，发光器件19可以包括第三图案312_1和第四图案322_1、322_2。第一图案310_1可以经由通孔314_1电连接到相应的第三图案312_1。第二图案320_1、320_2可以分别连接到相应的第四图案322_1、322_2。在该实施例中，例如，第一图案(例如第一图案310_1至310_n)和第二图案(例如第二图案320_1至320_n+1)可以电连接到在底板309的多侧(例如，两侧，例如前侧和后侧)的图案。虽然单个或多个通孔(例如通孔314_1、324_1、324_2)可以被示为将第一图案310_1和/或第二图案320_1、320_2电连接到相应的第三图案312_1和/或第四图案322_1、322_2，但是本发明的实施例不限于此，可以采用更多和/或更少的通孔。
图18示出了可由发光器件20采用的磷光体的示范性布置。图19示出了可由发光器件21采用的磷光体的第二示范性布置。
参照图18和图19，发光器件20、21可以基本上对应于图1的发光器件11。应当理解，虽然图1的发光器件11在图19和图20的示范性实施例中示出，但是在此描述的磷光体的特征可以应用于包括本发明的一个或多个方面的任何发光器件(例如发光器件12、13、14、15、16、17、18等)。
参照图18，发光器件20可以包括磷光体层370和第二透明树脂380。磷光体层370可以包括第一透明树脂372和磷光体374。磷光体374可以分散在磷光体层370中。更具体地，磷光体374可以分散在第一透明树脂374上和/或内。磷光体层370可以形成于发光元件100上方。例如，磷光体层370可以完全覆盖电路板301上的发光元件100。例如，第二透明树脂380可以完全覆盖电路板301上的磷光体层370。第二透明树脂380可以包括透镜(lens)形状。第二透明树脂380可以漫射由发光元件100产生的光。磷光体层370和电路板301可以基本上一起封装(encapsulate)发光元件100。
参照图18，磷光体374可以分散在透明树脂372内。磷光体374可以吸收由发光元件100产生的光，并且可以将光转变为具有不同波长(例如不同颜色)的光。磷光体374可以包括例如氮化物基和/或氧化物基材料(其可以由镧系元素如Eu、Ce等激活)。
参照图19，在一些其它示范性实施例中，例如，发光器件21可以包括磷光体474(在发光元件100上，例如直接在第二电极151上)、底板309、第一图案320_1、320_2等。更具体地，例如，磷光体474可以直接且共形地(conformally)在发光元件100上，也就是沿发光元件100和/或电路板301的轮廓。透明树脂480可以形成在磷光体474和发光元件100上方。
尽管在图18和图19中示出了示范性磷光体布置，但是应当理解，实施例不限于此，可以采用其它的磷光体布置。例如，在一些实施例中，透明树脂可以形成于发光元件(例如发光元件100)上，磷光体可以布置在该透明树脂与另一透明树脂(布置在该磷光体上)之间。
图20A和图20B示出了图18的磷光体层370和第二透明树脂380的示范性布置。在一些实施例中，磷光体层370和第二透明树脂380可以是线型和/或点型等。更具体地，参照图20A的示范性实施例，单条的磷光体层370和第二透明树脂350可以以线型方式与多个发光元件100重叠。在该实施例中，发光元件(例如图1的发光元件100)可以以例如矩阵的方式布置。参照图20B，例如磷光体层370和第二透明树脂380的每部分都可以以点型方式与单个的发光元件100重叠。
应当理解，虽然在图20A和图20B中示出了图1的示范性发光元件100，但是实施例不限于此，可以采用其它发光元件，例如分别采用图6、图7、图13、图14中的发光元件200、400、500、600。此外，虽然在图20A和图20B中示出了图18的示范性磷光体层370和第二透明树脂380，但是本发明的实施例不限于此。例如，图19的示范性磷光体474和透明树脂480可以以图20A和图20B的线型和/或点型布置。
图21示出了采用图3的发光装置1100的示范性显示装置24的一部分的图解。更具体地，参照图21，图3的发光装置1100可以与液晶面板390一起使用，以提供显示装置24。虽然显示装置24在图21中被示为可采用根据本发明的一个或多个方面的发光元件的示范性装置，但是应当理解，在此描述的实施例的应用不限于此。例如，采用在此描述的一个或多个特征的发光元件可以用于例如数字钟、远程控制、手表、计算器、手机、指示灯、背光等。
图22A、图22B、图22C、图22D、图22E、图22F、图22G和图22H示出了在用于制造图1的示范性发光器件100的示范性方法中的阶段。
参照图22A，为了制造图1的发光元件100，第一导电层112a、发射层114a和第二导电层116a可以依次形成在基板900上。第一导电层112a、发射层114a和第二导电层116a可以使用例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、液相外延、氢化物气相外延、分子束外延和/或金属有机气相外延等形成。通过形成第二阻断图案(block pattern)106，缓冲层104可以用作籽晶层，第一导电层112a、发射层114a和第二导电层116a可以使用侧向外延生长(LEO)来形成。
参照图22B，发射结构110可以通过蚀刻形成。也就是，第一导电层112a、发射层114a和/或第二导电层116a可以被蚀刻以分别形成第一导电图案112、发射图案114和第二导电图案116。在一些实施例中，发射结构110可以包括倾斜侧。更具体地，如图22B所示，在一些实施例中，图22A中示出的结构可以被蚀刻，使得剩余的突出结构的底部宽于其上部，即凹槽118的宽度朝向凹槽118的底部减小。
参照图22C，绝缘层可以形成在发射结构110上并被构图以形成绝缘层120。更具体地，例如，绝缘层120可以共形地形成在发射结构110的轮廓上。此外，参照图22C，部分绝缘层(例如绝缘层的在第二导电图案116的上表面上的上部)可以被构图以形成绝缘层120且暴露第二导电图案116的相应部分。
参照图22D，欧姆层130可以形成在第二导电图案116上。更具体地，欧姆层130可以填充间隙(gap)，该间隙可以由构图绝缘层120而产生。第一电极140可以形成在绝缘层120和/或欧姆层130上。
参照图22E，图22D的多个所得结构可以被接合在导电基板200上。例如，如图22E所示，图22D的所得结构可以被翻转(invert)并接合到导电基板200。更具体地，图22D的多个所得结构可以被翻转并接合在基板200上的中间层210上，如图22F所示。
参照图22G，例如，LLO可以用于去除基板900。如图19H所示，第一导电图案112可以由于去除基板900而被暴露。参照图22H，第二电极151和第三电极152可以形成在第一导电图案112上。然后，可以进行切割(sawing)以将发光元件100彼此分离。
为了获得在例如图3、图9、图10、图12和图16中示出的所得结构，发光元件可以然后布置在基板上，该基板包括例如根据上述的一个或多个特征的第一图案和第二图案。第一电极中的相应电极可以电连接到相应的第一图案，第二电极和/或第三电极中的相应电极可以经由例如导线、导电基板和/或导电树脂而连接到相应的第二图案。此外，磷光体层可以形成在发光元件(例如发光元件100、200、300、400、500、600、700)上，以获得例如图20A、图20B中示出的结构。
在此已经公开了本发明的示范性实施例，尽管采用了特定的术语，但它们仅以普通和描述的意义解释，而不是为了限制。因此，本领域技术人员应当理解，可以在形式和细节上做出各种变化而不背离本发明的由权利要求书所述的精神和范围。
在此引入于2008年6月13日提交到韩国知识产权局的申请号为10-2008-0055995且名称为“发光元件、发光器件及该发光元件的制造方法”的韩国专利申请的全部内容以作参考。

Claims (34)

1.一种发光器件，包括：
在底板上的第一电极；
在所述底板上的第二电极；
在所述底板上的第三电极；
发射结构，在所述第一电极上和/或与所述第一电极处于相同高度；
第一图案，在所述底板上且电连接到所述第一电极；以及
在所述底板上的多个第二图案，至少一个第二图案布置在所述第一图案的第一侧且电连接到所述第二电极，至少另一个第二图案布置在所述第一图案的第二侧且电连接到所述第三电极，所述第一侧与所述第二侧相反。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发射结构包括第一导电图案、发射图案和第二导电图案，所述第一电极电连接到所述第一导电图案，所述第二电极电连接到所述第二导电图案，所述第三电极电连接到所述第二导电图案。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极包括限定至少一个发光区域和至少一个非发光区域的多个突起，所述第二电极和所述第三电极与所述至少一个非发光区域重叠。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发射结构包括第一导电图案、发射图案和第二导电图案，所述第一电极的一部分相对于所述底板与所述发射图案处于相同的高度。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极包括基本沿第一方向延伸的第一部分和基本沿第二方向延伸的第二部分，所述第一方向与所述第二方向交叉。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极和所述第三电极相对于所述底板布置在相同的高度处。
7.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述发射结构与所述第一电极之间的第一欧姆图案。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一图案和所述第二图案在所述底板的第一表面上，所述发光器件还包括在所述底板的第二表面上的第三图案和第四图案，所述第一图案经由延伸穿过所述底板的通孔电连接到所述第三图案，所述第二图案经由延伸穿过所述底板的通孔电连接到所述第四图案。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极布置在导电基板上，所述导电基板电连接到所述第一图案。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极和所述第三电极中的每个经由导线或导电树脂电连接到相应的所述第二图案。
11.一种发光装置，包括：
多个发光器件，每个所述发光器件包括在底板上的第一电极、在所述底板上的第二电极以及在所述第一电极与所述第二电极之间的发射结构；
多个第一图案，彼此分隔开且沿第一方向彼此平行地在所述底板上延伸，每个所述第一图案连接到至少两个相应发光器件的所述第一电极并与所述至少两个相应发光器件的所述第一电极重叠；以及
多个第二图案，在所述底板上彼此分隔开，所述发光器件的所述第二电极连接到相应的第二图案，所述第二图案布置成组，每个所述组中的所述第二图案彼此间接电连接并沿与所述第一方向交叉的第二方向布置。
12.根据权利要求11所述的发光装置，其中每个所述组中的所述第二图案经由下列组件间接电连接在一起：
与相应组的所述第二图案连接的发光器件；和/或
沿在所述基板的表面以下的平面延伸的下导电图案中的相应一个，所述第一图案和所述第二图案布置在所述基板的表面上，所述第二图案经由通孔电连接到所述下导电图案中的所述相应一个，该通孔延伸穿过布置在所述第一图案及所述第二图案与所述下导电图案之间的绝缘层。
13.根据权利要求12所述的发光装置，其中每个所述组中的所述第二图案经由所述相应组的所述发光器件的所述第二电极连接在一起。
14.根据权利要求12所述的发光装置，其中每个所述发光器件包括连接到所述相应组中的另一个所述第二图案的第三电极，使得每个组中的所述第二图案经由相应的所述第二图案与相应的所述第二电极之间、相应的所述第二图案与所述第三电极之间、相应的第三电极与所述第二图案中的其它相应的第二图案之间的电连接而电连接。
15.根据权利要求14所述的发光装置，其中所述发射结构包括发射图案、第一导电图案和第二导电图案，所述发光器件的所述第二导电图案连接到所述第二电极和所述第三电极。
16.根据权利要求14所述的发光装置，其中所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极与所述第一图案中相应的一个重叠。
17.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述第一图案和所述第二图案沿相同的平面延伸，该平面平行于所述基板延伸的平面。
18.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述发光器件具有在所述发光器件的第一侧的一个所述第二图案和在所述发光器件的第二侧的同一组中的相邻的一个所述第二图案，所述第一侧与所述第二侧相反，所述第一图案在所述第二图案中的相应的相邻所述第二图案之间延伸。
19.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述第一电极包括至少一个突起，该至少一个突起限定发光区域和非发光区域，所述第二电极与所述非发光区域重叠。
20.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述第一电极包括反射材料。
21.一种发光装置，包括：
在底板上的多个发光器件，每个所述发光器件包括在所述底板上的第一电极、第二电极、第三电极和发射结构；
多个第一图案，在所述底板上彼此分隔开，每个所述发光器件的所述第一电极与所述第一图案中的相应一个重叠并与其电连接；
多个第二图案，在所述底板上彼此分隔开，每个所述发光器件布置在所述第二图案中两个相应的相邻第二图案之间，其中，对于每个所述发光器件，所述第二电极连接到所述相应的相邻第二图案之一，所述第三电极连接到所述相应的相邻第二图案中的另一个。
22.根据权利要求21所述的发光装置，其中每个所述第一电极包括限定空腔的两个突起部，所述空腔的上部宽于该空腔的下部。
23.根据权利要求21所述的发光装置，其中每个所述第一电极包括至少一个突起。
24.根据权利要求23所述的发光装置，其中所述第一电极包括两个突起，所述两个突起实质上限定所述发光器件的发光区域和两个连接区域，所述第二电极与所述连接区域之一重叠，所述第三电极与所述连接区域的另一个重叠。
25.根据权利要求21所述的发光装置，其中所述第一图案具有条形图案，使得每个所述第一图案限定行，且所述第二图案布置成组，使得每个所述组中的所述第二图案被对准以限定与所述行交叉的列。
26.根据权利要求25所述的发光装置，其中所述行沿第一方向延伸，所述列沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉。
27.根据权利要求26所述的发光装置，其中对应于每个所述组的第二图案的所述发光器件沿由相应的第二图案限定的相应列对准。
28.根据权利要求26所述的发光装置，其中所述发光器件布置成列，所述列平行于由所述第二图案限定的列并相对于由所述第二图案限定的列偏移。
29.根据权利要求21所述的发光装置，其中所述第二电极和所述第三电极中的每个包括ITO、Cu、Ni、Cr、Au、Ti、Pt、Al、V、W、Mo和/或Ag。
30.根据权利要求21所述的发光装置，还包括在所述发光器件上的磷光体层，其中所述磷光体层包括透明树脂，其中磷光体为以下的至少之一：分散在所述透明树脂内、分散在所述透明树脂上和/或分散在所述透明树脂与所述发光器件之间。
31.一种偏置发光器件的方法，该发光器件包括：在底板上的第一电极；在所述底板上的第二电极；在所述底板上的第三电极；发射结构，该发射结构包括在第一导电图案与第二导电图案之间的发射图案；第一图案，在所述底板上且电连接到所述第一电极；在所述底板上的多个第二图案，至少一个所述第二图案布置在所述第一图案的第一侧且电连接到所述第二电极，至少另一个所述第二图案布置在所述第一图案的第二侧且电连接到所述第三电极，所述第一侧与所述第二侧相反，该方法包括：
通过所述第一图案和所述第一电极将第一偏置施加到所述第一导电图案；
通过在所述第一图案的第一侧和第二侧的所述第二图案以及所述第二电极和所述第三电极将第二偏置施加到所述第二导电图案。
32.根据权利要求31所述的偏置方法，其中所述第一偏置和所述第二偏置是电流或电压之一，所述第一偏置是正和负之一，所述第二偏置是正和负中的另一种。
33.一种制造发光器件的方法，包括：
在基板上形成包括导电图案、发射图案和另一导电图案的发射结构；
构图所述发射结构以限定至少一个沟槽；
实质上和/或完全在所述发射结构的第一侧形成第一电极；
实质上和/或完全在所述发射结构的第二侧形成第二电极以形成中间结构，所述发射结构的所述第一侧不同于所述第二侧；
在包括第一图案和多个第二图案的底板上布置所述中间结构，使得所述第一电极与所述第一图案重叠且电连接到所述第一图案；以及
经由导线或导电树脂的方式，将所述第二电极电连接到所述第二图案中的相应一个。
34.根据权利要求33所述的方法，还包括在所述发射结构的第二侧形成第三电极，以及经由导线或导电树脂将所述第三电极电连接到所述第二图案中相应的另一个。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102447030A (zh) * 2010-10-06 2012-05-09 Lg伊诺特有限公司 发光器件和照明系统
CN104253194A (zh) * 2014-09-18 2014-12-31 易美芯光（北京）科技有限公司 一种芯片尺寸白光led的封装结构及方法
CN105575955A (zh) * 2014-10-31 2016-05-11 日亚化学工业株式会社 发光装置以及配光可变前照灯系统

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102725859B (zh) * 2009-02-04 2016-01-27 应用材料公司 太阳能生产线的计量与检测套组
US8273588B2 (en) * 2009-07-20 2012-09-25 Osram Opto Semiconductros Gmbh Method for producing a luminous device and luminous device
KR20110008550A (ko) * 2009-07-20 2011-01-27 삼성전자주식회사 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5532744B2 (ja) * 2009-08-20 2014-06-25 富士通株式会社 マルチチップモジュール及びマルチチップモジュールの製造方法
KR100974787B1 (ko) * 2010-02-04 2010-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
US9640728B2 (en) * 2010-02-09 2017-05-02 Epistar Corporation Optoelectronic device and the manufacturing method thereof
EP2742529B1 (en) 2011-08-10 2020-11-11 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Opto-electronic module and method for manufacturing the same
US9196807B2 (en) * 2012-10-24 2015-11-24 Nichia Corporation Light emitting element
TWI597863B (zh) * 2013-10-22 2017-09-01 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
US9768345B2 (en) * 2013-12-20 2017-09-19 Apple Inc. LED with current injection confinement trench
CN104976526A (zh) * 2014-04-03 2015-10-14 弘凯光电(深圳)有限公司 Led发光装置及具有该led发光装置的灯具
JP6547548B2 (ja) * 2014-10-31 2019-07-24 日亜化学工業株式会社 発光装置及び配光可変ヘッドランプシステム
DE102018128896A1 (de) * 2018-11-16 2020-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip mit einem inneren Kontaktelement und zwei äusseren Kontaktelementen und Halbleiterbauelement
US11508891B2 (en) * 2020-01-31 2022-11-22 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting module
DE102021103984A1 (de) * 2021-02-19 2022-08-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zum betreiben eines optoelektronischen halbleiterchips
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5481559A (en) * 1994-01-31 1996-01-02 Fujitsu Limited Light modulator integrated light-emitting device and method of manufacturing the same
US20020084465A1 (en) * 1999-08-24 2002-07-04 U.S. Philips Corporation Thin-film transistors and method for producing the same
US20040222434A1 (en) * 1998-05-13 2004-11-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound
US20060202971A1 (en) * 2004-12-23 2006-09-14 Kaliher Paul L Shared electrode pattern field effect sensor and joystick therewith
WO2008036171A1 (en) * 2006-09-18 2008-03-27 Eastman Kodak Company Oled device having improved lifetime and resolution
US20080100204A1 (en) * 2006-10-27 2008-05-01 Samsung Sdi Co., Ltd. Mask and deposition apparatus using the same

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5250196A (en) * 1975-10-21 1977-04-21 Seiko Instr & Electronics Ltd Matrix dispaly device
JPS636759Y2 (zh) * 1980-08-25 1988-02-26
JPS59119775A (ja) * 1982-12-25 1984-07-11 Fujitsu Ltd 発光半導体装置
JPS60212793A (ja) * 1984-04-06 1985-10-25 豊田合成株式会社 ドツトマトリツクス表示装置
JPS62215289A (ja) * 1986-03-17 1987-09-21 タキロン株式会社 ドツトマトリクス発光表示体
JPH071798B2 (ja) * 1986-09-12 1995-01-11 日本電気株式会社 発光ダイオ−ド
JP3365787B2 (ja) * 1992-06-18 2003-01-14 シャープ株式会社 Ｌｅｄチップ実装部品
JP2927158B2 (ja) * 1993-09-29 1999-07-28 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
US5748658A (en) * 1993-10-22 1998-05-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and optical pickup head
JPH11510968A (ja) * 1996-06-11 1999-09-21 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 紫外発光ダイオード及び紫外励起可視光放射蛍光体を含む可視発光ディスプレイ及び該デバイスの製造方法
JP2000101194A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Sanyo Electric Co Ltd 半導体層の形成方法ならびに半導体素子の製造方法
JP2000174348A (ja) * 1998-12-09 2000-06-23 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
US20020017652A1 (en) * 2000-08-08 2002-02-14 Stefan Illek Semiconductor chip for optoelectronics
DE10038671A1 (de) * 2000-08-08 2002-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip für die Optoelektronik
JP4084620B2 (ja) * 2001-09-27 2008-04-30 信越半導体株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
JP3718770B2 (ja) * 2002-01-11 2005-11-24 株式会社日立製作所 アクティブマトリックス型の表示装置
US7038239B2 (en) * 2002-04-09 2006-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and display device using the same
US6897137B2 (en) 2002-08-05 2005-05-24 Hrl Laboratories, Llc Process for fabricating ultra-low contact resistances in GaN-based devices
KR100487757B1 (ko) 2003-01-28 2005-05-06 엘지전자 주식회사 레이저 발광 다이오드 및 그 제조 방법
US7157745B2 (en) * 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
JP2005093594A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置及びその製造方法
KR20050034936A (ko) 2003-10-10 2005-04-15 삼성전기주식회사 형광체를 이용한 파장변환형 발광 다이오드 패키지 및제조방법
KR100857790B1 (ko) 2003-12-16 2008-09-09 엘지전자 주식회사 발광 다이오드 조명장치와 패키지 및 그 제조 방법
US7531294B2 (en) * 2004-03-25 2009-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming film pattern, method for manufacturing semiconductor device, liquid crystal television, and EL television
JP2006013237A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
TWI253188B (en) * 2004-11-19 2006-04-11 Epistar Corp Method of forming light emitting diode array
KR101197046B1 (ko) * 2005-01-26 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 발광다이오드를 사용하는 2차원 광원 및 이를 이용한 액정표시 장치
US7388329B2 (en) * 2005-04-06 2008-06-17 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display
DE602005019384D1 (de) * 2005-04-21 2010-04-01 Fiat Ricerche Durchsichtige LED-Anzeigevorrichtung
KR101047683B1 (ko) * 2005-05-17 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법
JP5054331B2 (ja) * 2005-06-30 2012-10-24 パナソニック株式会社 Ｌｅｄを用いた照明器具
KR100604562B1 (ko) 2005-07-01 2006-07-24 엘지전자 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP5196711B2 (ja) 2005-07-26 2013-05-15 京セラ株式会社 発光装置およびそれを用いた照明装置
JP4753419B2 (ja) 2005-08-05 2011-08-24 パナソニック株式会社 発光モジュール
JP4662306B2 (ja) * 2005-08-09 2011-03-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器
KR100690635B1 (ko) * 2005-09-07 2007-03-09 엘지전자 주식회사 광출력을 향상시킨 엘이디 소자
JP4799974B2 (ja) * 2005-09-16 2011-10-26 昭和電工株式会社 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
JP2007142256A (ja) 2005-11-21 2007-06-07 Sharp Corp Ｌｅｄ基板、ｌｅｄバックライト装置、及び画像表示装置
JP2007157853A (ja) * 2005-12-01 2007-06-21 Sony Corp 半導体発光素子およびその製造方法
KR100652133B1 (ko) 2005-12-20 2006-11-30 서울옵토디바이스주식회사 플립칩 구조의 발광 소자
KR101125339B1 (ko) * 2006-02-14 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
JP2007273602A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Kyocera Corp 発光素子用配線基板および発光装置
KR101113878B1 (ko) * 2006-06-23 2012-03-09 엘지이노텍 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
JP4720665B2 (ja) * 2006-07-31 2011-07-13 パナソニック電工株式会社 Ｌｅｄ照明器具
JP5126875B2 (ja) 2006-08-11 2013-01-23 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
US7633218B2 (en) * 2006-09-29 2009-12-15 Eastman Kodak Company OLED device having improved lifetime and resolution
KR20080032882A (ko) * 2006-10-11 2008-04-16 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
US7576364B2 (en) * 2007-02-15 2009-08-18 Chi Mei Optoelectronics Corp. Display device and method of manufacturing the same
WO2009005477A1 (en) * 2007-07-04 2009-01-08 Tinggi Technologies Private Limited Separation of semiconductor devices
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
US7994771B2 (en) * 2008-10-08 2011-08-09 Agilent Technologies, Inc. Current measurement circuit, current detection circuit and saturation prevention and recovery circuit for operational amplifier

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5481559A (en) * 1994-01-31 1996-01-02 Fujitsu Limited Light modulator integrated light-emitting device and method of manufacturing the same
US20040222434A1 (en) * 1998-05-13 2004-11-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound
US20020084465A1 (en) * 1999-08-24 2002-07-04 U.S. Philips Corporation Thin-film transistors and method for producing the same
US20060202971A1 (en) * 2004-12-23 2006-09-14 Kaliher Paul L Shared electrode pattern field effect sensor and joystick therewith
WO2008036171A1 (en) * 2006-09-18 2008-03-27 Eastman Kodak Company Oled device having improved lifetime and resolution
US20080100204A1 (en) * 2006-10-27 2008-05-01 Samsung Sdi Co., Ltd. Mask and deposition apparatus using the same

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102447030A (zh) * 2010-10-06 2012-05-09 Lg伊诺特有限公司 发光器件和照明系统
CN102447030B (zh) * 2010-10-06 2015-01-07 Lg伊诺特有限公司 发光器件和照明系统
CN104253194A (zh) * 2014-09-18 2014-12-31 易美芯光（北京）科技有限公司 一种芯片尺寸白光led的封装结构及方法
CN105575955A (zh) * 2014-10-31 2016-05-11 日亚化学工业株式会社 发光装置以及配光可变前照灯系统
US10256386B2 (en) 2014-10-31 2019-04-09 Nichia Corporation Light emitting device and adaptive driving beam headlamp system
US10468571B2 (en) 2014-10-31 2019-11-05 Nichia Corporation Light distribution method for adaptive driving beam headlamp system, and adaptive driving beam headlamp system
CN105575955B (zh) * 2014-10-31 2020-02-18 日亚化学工业株式会社 发光装置以及配光可变前照灯系统

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