KR100737093B1 - 반도체발광소자 - Google Patents

Abstract

오믹 특성 및 광효율을 향상시킬 수 있는 반도체발광소자 및 이를 구비한 반도체패키지가 개시된다.

본 발명의 반도체발광소자는, 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 n형층, 활성층 및 제2 n형층을 포함하는 반도체층과, 상기 제1 n형층 상에 형성된 제1 전극과, 상기 제2 n형층 상에 형성되고 오믹 특성이 좋은 제2 전극과, 상기 제2 전극 상에 형성되고 반사 특성이 좋은 제3 전극을 포함한다.

따라서, 본 발명은 상기 제2 전극에 의해 오믹 특성이 향상되어 저전압 구동이 가능해지고, 제3 전극에 의해 반사율을 높여 광효율을 향상시킬 수 있다.

반도체발광소자, 반사전극, 오믹 특성, 광효율, 반도체패키지

Description

반도체발광소자{Semiconductor lighting emitting device}

도 1은 종래의 반도체발광소자를 개략적으로 도시한 도면.

도 2는 npn 구조를 갖는 반도체발광소자를 개략적으로 도시한 도면.

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 npn 구조를 갖는 반도체발광소자를 개략적으로 도시한 도면.

도 4는 도 3의 반도체발광소자를 구비한 반도체 발광장치를 도시한 도면.

도 5는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 npn 구조를 갖는 반도체발광소자를 개략적으로 도시한 도면.

도 6은 도 5의 반도체발광소자를 구비한 반도체 발광장치를 도시한 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

30, 50 : 반도체발광소자

36, 56 : 반도체층

37, 58 : n형전극

38 : 투과전극

39,54 : 반사전극

42, 62 : 서브마운트 기판

삭제

44, 45, 63, 64 : 반사판

57 : 계면층

본 발명은 반도체발광소자에 관한 것으로, 특히 오믹 특성 및 광효율을 향상시킬 수 있는 반도체발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치에 관한 것이다.

반도체발광소자는 후레쉬용 고휘도 광원, 휴대용 전자제품(휴대폰, 캠코더, 디지털 카메라 및 PDA)에 사용되는 액정표시장치(LCD)용 백라이트 광원, 전광판용 광원, 조명 및 스위치 조명 광원, 표시등, 교통신호등에 사용된다.

종래의 반도체발광소자(10)는 도 1에 도시된 바와 같이, pn 구조를 갖는 반도체층(5)을 구비한다. 즉, 종래의 반도체발광소자(10)는 기판(1)과, 상기 기판(1) 상에 순차적으로 적층된 n형층(2), 활성층(3) 및 p형층(4)을 포함하는 반도체층(5)과, 상기 n형층(2) 및 상기 p형층(4) 상에 형성된 n형전극(6) 및 p형전극(7)을 구비한다. 상기 n형층(2) 상에 상기 n형전극(6)을 형성하기 위해 상기 반도체층(5)에서 상기 n형층(2)이 노출되도록 일부 활성층(3) 및 p형층(4)이 식각될 수 있다. 따라서, 노출된 n형층(2) 상에 상기 n형전극(6)이 형성될 수 있다.

상기 반도체발광소자(10)는 소정의 전압에 의해 광이 사방 즉, 전방, 후방 및 측방으로 방출될 수 있다.

상기 반도체발광소자(10)는 서브마운트 기판 상에 실장되어 패키지 형태로 제조될 수 있다.

상기 반도체발광소자(10)를 상기 패키지에 실장하는 방식은 와이어 본딩 방식과 플립칩 방식으로 구분될 수 있다.

와이어 본딩 방식은 상기 반도체발광소자(10)의 기판(1)을 서브마운트 기판 상에 부착하고, 상기 반도체발광소자(10)의 전극(6, 7)을 리드 프레임을 금속 와이어를 통해 와이어 본딩하여 전기적으로 연결한다. 이에 반해, 플립칩 본딩 방식은 상기 반도체발광소자(10)를 거꾸로 뒤집어 상기 반도체발광소자(10)의 전극(6, 7)과 서브마운트 기판의 전극 사이를 솔더범퍼(solder bump)를 이용하여 플립칩 본딩하여 전기적으로 연결한다.

이와 같은 플립칩 방식의 반도체발광소자(10)에서 방출된 일부 광은 상기 기판(1)의 반대 방향, 즉 후방으로 진행된다.

이와 같이 후방으로 진행된 광은 광손실을 유발시켜 광효율을 저하시키는 문제가 있다.

이러한 문제를 해결하기 위해 상기 반도체발광소자(10)의 p형전극(7)을 반사가 가능한 금속물질로 형성함으로써, 후방으로 진행된 방을 전방으로 반사시켜 광손실을 줄이려는 노력이 진행 중이다. 이하에서는, 반사가 가능한 금속 물질로 형성된 p형전극(7)을 반사전극으로 명명한다.

이러한 반사전극(7)은 다음과 같은 조건을 만족해야 한다.

첫 번째 조건은 반사전극(7)의 오믹 특성이 좋아야 한다. 즉, 오믹 특성이 좋지 않으면 전류 스프레딩(current spreading)이 어려워 반도체발광소자의 저전압 구동이 어렵게 된다.

두 번째 조건은 반사전극(7)의 반사 특성이 좋아야 한다. 반사특성이 좋아야 최대한 많은 광을 전방으로 반사시켜 광효율을 향상시킬 수 있다.

하지만, 아직까지 이러한 모든 조건을 만족시키는 반도체발광소자의 반사전극은 제안되지 않고 있다.

본 발명은 오믹 특성 및 반사 특성이 우수한 금속 재질로 이루어진 다층 반사전극을 형성하여 광효율을 극대화시킬 수 있는 반도체발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 서로 상이한 금속 재질들이 적층되는 계면층을 형성함으로써, 소자의 전기적 및/또는 광학적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 반도체발광소자는, 기판; 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 n형층, 활성층 및 제2 n형층을 포함하는 반도체층; 상기 제1 n형층 상에 형성된 제1 전극; 상기 제2 n형층 상에 형성되고 오믹 특성이 좋은 제2 전극; 및 상기 제2 전극 상에 멀티층으로 형성되고 반사 특성이 좋은 제3 전극을 포함한다.

본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 반도체 발광장치는, 반도체층과, 상기 반도체층 상에 형성되고 오믹 특성이 좋은 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 형성되고 반사 특성이 좋은 제2 전극을 포함하는 전극을 구비한 반도체발광소자; 상기 반도체발광소자를 실장하기 위한 서브마운트 기판; 및 상기 반도체발광소자와 서브마운트 기판을 전기적으로 연결하기 위한 연결수단을 포함한다.

본 발명의 바람직한 제3 실시예에 따른 반도체발광소자는, 기판; 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 n형층, 활성층 및 제2 n형층을 포함하는 반도체층; 상기 제2 n형층 상에 형성되고, 안정된 계면 특성을 제공하기 위해 서로 상이한 제1 및 제2 금속 재질이 교대로 적층된 계면층; 상기 제1 n형층 상에 형성된 제1 전극; 및 상기 계면층 상에 형성되고, 반사 특성이 좋은 제3 금속 재질로 이루어진 제2 전극을 포함한다.

본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 발광장치는, 반도체층과, 상기 반도체층 상에 형성되고, 안정된 계면 특성을 제공하기 위핸 서로 상이한 제1 및 제2 금속 재질이 교대로 적층된 계면층과, 상기 계면층 상에 형성되고, 반사 특성이 좋은 제3 금속 재질로 이루어진 전극을 구비한 반도체발광소자; 상기 반도체발광소자를 실장하기 위한 서브마운트 기판; 및 상기 반도체발광소자와 서브마운트 기판을 전기적으로 연결하기 위한 연결수단을 포함한다.

최근 들어, 역전형 그레이딩 효과를 이용하여 저전압 구동이 가능한 npn 구조를 갖는 반도체층을 구비한 반도체발광소자가 제안되었다.

도 2는 npn 구조를 갖는 반도체발광소자를 개략적으로 도시한 도면이다.

도 2에 도시된 바와 같이, 상기 반도체발광소자(20)는 기판(21)과, 상기 기판(21) 상에 순차적으로 적층된 제1 n형층(22), 활성층(23), p형층(24) 및 제2 n형층(25)을 포함하는 반도체층(26)과, 상기 제1 n형층(22) 및 상기 제2 n형층(25) 상에 형성된 n형전극(27) 및 반사전극(28)을 구비한다.

상기 제2 n형층(25)은 p형 캐리어(carrier)가 외부에서 소자 내부로 유입될 때 상기 제2 n형층(25)과 상기 p형층(24) 사이에 역전형 그레이딩(grading)을 형성시켜 줌으로써, 전극 접촉층의 역할을 수행하게 된다.

상기 제1 n형층(22) 상에 상기 n형전극(27)을 형성하기 위해 상기 반도체층(26)에서 상기 제1 n형층(22)이 노출되도록 일부 활성층(23), p형층(24) 및 제2 n형층(25)이 식각될 수 있다. 따라서, 노출된 제1 n형층(22) 상에 상기 n형전극(27)이 형성될 수 있다.

따라서, 이와 같은 npn 구조를 갖는 반도체발광소자(20)는 상기 제2 n형층(25)과 상기 p형층(24) 사이의 역전형 그레이딩에 의해 저전압 구동이 가능하게 된다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 npn 구조를 갖는 반도체발광소자를 개략적으로 도시한 도면이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체발광소자(30)는 기판(31)과, 상기 기판(31) 상에 순차적으로 적층된 제1 n형층(32), 활성층(33), p형층(34) 및 제2 n형층(35)을 포함하는 반도체층(36)과, 상기 제1 n형층(32) 및 상기 제2 n형층(35) 상에 형성된 n형전극(37) 및 투과전극(38)/반사전극(39)을 구비한다.

상기 투과전극(38)은 상기 제2 n형층(35) 상에 오믹 특성 및 투과 특성이 좋은 금속 재질로 이루어지고, 상기 반사전극(39)은 상기 투과전극(38) 상에 반사 특성이 좋은 금속 재질로 이루어진다.

상기 투과전극(38)은 ITO, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx 중 하나일 수 있다.

상기 반사전극(39)은 Al, Pd, Rh, Ag, Re, Au, Pt 중 하나일 수 있다. 이때, 상기 반사전극(39)은 다수의 금속 재질을 이용하여 하나의 층 또는 멀티층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사전극(39)은 Al으로 이루어진 단일층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사전극(39)은 Al으로 이루어진 제1 층, Rh로 이루어진 제2 층 및 Au로 이루어진 제3 층의 멀티층으로 형성될 수 있다.

한편, 상기 반사전극(39)은 상기 투과전극(38) 없이 상기 제2 n형층(35) 상에 오믹특성 및 반사특성이 좋은 Al 또는 Al과 Re의 혼합물로 형성될 수 있다.

따라서, 상기 반도체발광소자(30)는 상기 투과전극(38)에 의해 오믹 특성이 좋아지어 저전압 구동이 가능하게 되고, 상기 반사전극(39)에 의해 상기 활성층(33)으로부터 생성된 광의 반사율을 증가시켜 상기 반도체발광소자(30)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 활성층(33)에서 생성된 광은 상기 투과전극(38)을 경 유하게 되는데, 상기 투과전극(38)은 투과특성이 좋은 금속 재질로 이루어지므로, 상기 투과전극(38)을 경유하는 광의 손실을 최소화시킬 수 있다.

도 4는 도 3의 반도체발광소자를 구비한 반도체 발광장치를 도시한 도면이다.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 발광장치는 도 3에 도시된 반도체발광소자(30)와, 상기 반도체발광소자(30)가 실장된 서브마운트 기판(42)을 구비한다. 상기 반도체발광소자(30)는 전술한 바와 같으므로 더 이상의 설명은 생략한다.

상기 서브마운트 기판(42)의 소정 영역은 내부로 움푹 들어간 형상을 갖는다. 상기 서브마운트 기판(42) 상에는 상기 반도체발광소자(30)의 n형전극(37) 및 투과전극(38)/반사전극(39)과 전기적으로 연결하기 위한 n형 반사판(45)과 p형 반사판(44)이 형성된다. 상기 n형 반사판(45) 및 상기 p형 반사판(44)은 입사된 광을 반사시킬 수 있는 금속 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 n형 반사판(45) 및 상기 p형 반사판(44)은 상기 반사전극(39)에 사용된 금속재질로 형성될 수 있다. 상기 n형 반사판(45) 및 상기 p형 반사판(44)은 절연을 위해 소정 간격 이격되고 그 간격 이외에는 상기 서브마운트 기판(42)의 전 영역에 형성될 수 있다.

상기 반도체발광소자(30)는 거꾸로 뒤집어 상기 움푹 들어간 영역의 n형 반사판(45) 및 p형 반사판(44)에 대응되도록 상기 반도체발광소자(30)의 n형전극(37) 및 투과전극(38)/반사전극(39)을 위치시킨 다음, 본딩버퍼(46)를 사이에 두고 상기 반도체발광소자(30) 및 상기 서브마운트 기판(42)을 가압하는 플립칩 방식을 이용하여 상기 반도체발광소자(30)의 n형전극(37) 및 반사전극(39)이 상기 서브마운트 기판(42)의 n형 반사판(45) 및 p형 반사판(44)에 부착되도록 한다.

미설명 부호 47은 기저금속층(UBM)을 나타낸다.

이에 따라, 상기 반도체발광소자(30)에 소정의 전압이 인가될 때, 오믹 특성이 향상된 투과전극(38)에 의해 저전압 구동이 가능해지고, 이러한 전압에 의해 활성층(33)에서 생성되어 p형층(34) 및 제2 n형층(35)으로 진행된 광이 반사특성이 향상된 반사전극(39)에 의해 광손실 없이 높은 반사율로 반사됨으로써, 광효율이 향상될 수 있다. 또한, 상기 반도체발광소자(30)의 측면이나 후방으로 진행된 광이 상기 n형 반사판(45) 및 p형 반사판(44)에 의해 전방으로 반사됨으로써, 광효율이 더욱 더 향상될 수 있다. 따라서, 저전압 구동의 고휘도 반도체패키지가 구현될 수 있다.

도 4에 도시된 바와 같이, 서브마운트 기판(42)은 내부로 움푹 들어간 형상을 갖고, 움푹 들어간 영역에 반도체발광소자(30)가 실장되지만, 상기 반도체발광소자(30)는 평평한 서브마운트 기판(42) 상에 그대로 실장될 수도 있다. 즉, 상기 서브마운트 기판(42)의 소정 영역을 내부로 움푹 들어가도록 형성하지 않고, 그대로 평형한 상태로 유지하고, 이러한 평평한 서브마운트 기판(42) 상에 n형 반사판(45) 및 p형 반사판(44)을 형성한 다음, 상기 반도체발광소자(30)를 각 반사판들(44, 45)과 전기적으로 연결시킬 수 있다. 이러한 경우, 반도체발광소자(30)의 측면으로부터 발광된 광은 반사가 되지 않게 되어 광손실로 유발될 수 있지만, 상기 반도체발광소자(30)의 하부로 진행된 광은 모두 반사됨으로써 진보된 광효율을 얻을 수 있다.

도 5는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 npn 구조를 갖는 반도체발광 소자를 개략적으로 도시한 도면이다.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체발광소자(50)는 기판(52)과, 상기 기판(52) 상에 순차적으로 적층된 제1 n형층(52), 활성층(53), p형층(54) 및 제2 n형층(55)을 포함하는 반도체층(56)과, 상기 반도체층(56) 상에 형성되고, 안정된 계면 특성을 제공하기 위해 서로 상이한 제1 및 제2 금속 재질이 교대로 적층된 계면층(57)과, 상기 제1 n형층(52) 및 상기 계면층(57) 상에 형성된 n형전극(58) 및 반사전극(59)을 구비한다. 상기 반사전극(59)은 반사 특성을 좋은 제3 금속 재질로 형성될 수 있다. 상기 반사특성이 좋은 제3 금속 재질은 Al, Pd, Rh, Ag, Re, Au, Pt 중 하나일 수 있다. 이때, 상기 반사전극(59)은 다수의 제3 금속 재질을 이용하여 하나의 층 또는 멀티층으로 형성될 수 있다.

상기 계면층(57)은 상기 제2 n형층(55)과 상기 반사전극(59) 사이의 계면 특성을 안정화시킨다. 통상, III-V족 화합물로 이루어진 반도체층과 금속 재질로 이루어진 반사전극이 접촉하게 되면, 이들 간에 스트레스가 유발되어 계면 특성을 저하시킨다. 이와 같은 계면 특성의 저하는 반도체발광소자의 전기적 및/또는 광학적 특성을 저하로 이어질 수 있다.

따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체발광소자(50)에서는 상기 반도체층(56)과 상기 반사전극(59) 사이에 계면 특성을 안정화시킬 수 있는 계면층(57)을 형성함으로써, 스트레스로 인한 반도체발광소자(50)의 전기적 및/또는 광학적 특성을 향상시킬 수 있다.

상기 계면층(57)은 Al로 이루어진 제1 금속 재질과 Re로 이루어진 제2 금속 재질이 교대로 적층 형성될 수 있다. 일예로, 상기 계면층(57)은 Al/Re/Al/Re/Al/Re으로 구성될 수 있다.

또는 상기 계면층(57)은 Al로 이루어진 제1 금속 재질과 Pd로 이루어진 제2 금속 재질이 교대로 적층 형성될 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체발광소자(50)는 상기 반도체층(56)과 상기 반사전극(59) 사이에 계면층(57)을 형성함으로써, 계면 특성을 안정화시켜 반도체발광소자(50)의 전기적 및/또는 광학적 특성을 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체발광소자(50)는 상기 반사전극(59)을 반사 특성이 좋은 제3 금속 재질로 형성함으로써, 고반사율에 따른 광효율을 향상시킬 수 있다.

앞에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체발광소자(50)는 npn 구조를 갖는 반도체층(56) 상에 계면층(57)이 형성되는 것에 한정하여 설명하고 있지만, 이러한 계면층(57)은 pn 구조를 갖는 반도체층 상에도 동일하게 적용될 수 있다. 즉, 기판 상에 순차적으로 적층된 n형층, 활성층 및 p형층을 포함하는 반도체층과 그 위에 반사전극이 형성되는 pn 구조를 갖는 반도체발광소자에서 상기 p형층과 반사전극 사이에 계면층을 형성함으로써, 앞에서 설명한 동일한 효과를 얻을 수 있다.

도 6은 도 5의 반도체발광소자를 구비한 반도체 발광장치를 도시한 도면이다.

도 6에 도시된 바와 같이, 상기 반도체패키지는 도 5에 도시된 반도체발광소자(50)와, 상기 반도체발광소자(50)가 실장되는 서브마운트 기판(62)을 구비한다. 상기 반도체발광소자(50)에는 계면 특성을 안정화하기 위한 계면층(57)과 반사 특성이 좋은 반사전극(59)이 포함된다. 상기 반도체발광소자(50)는 전술한 바와 같으므로 더 이상의 설명은 생략한다.

상기 서브마운트 기판(62)의 소정 영역은 내부로 움푹 들어간 형상을 갖는다. 상기 서브마운트 기판(62) 상에는 상기 반도체발광소자(50)의 n형전극(58) 및 반사전극(59)과 전기적으로 연결하기 위한 n형 반사판(64)과 p형 반사판(63)이 형성된다. 상기 n형 반사판(64) 및 상기 p형 반사판(63)은 입사된 광을 반사시킬 수 있는 금속 재질로 이루어질 수 있다. 상기 n형 반사판(64) 및 상기 p형 반사판(63)은 절연을 위해 소정 간격 이격되고 그 간격 이외에는 상기 서브마운트 기판(62)의 전 영역에 형성될 수 있다.

상기 반도체발광소자(50)는 거꾸로 뒤집어 상기 움푹 들어간 영역의 n형 반사판(64) 및 p형 반사판(63)에 대응되도록 상기 반도체발광소자(50)의 n형전극(58) 및 반사전극(59)을 위치시킨 다음, 본딩버퍼(66)를 사이에 두고 상기 반도체발광소자(50) 및 상기 서브마운트 기판(62)을 가압하는 플립칩 방식을 이용하여 상기 반도체발광소자(50)의 n형전극(58) 및 반사전극(59)이 상기 서브마운트 기판(62)의 n형 반사판(64) 및 p형 반사판(63)에 부착되도록 한다.

미설명 부호 67은 기저금속층(UBM)을 나타낸다.

이러한 구조를 갖는 반도체패키지는 계면 특성을 안정화하기 위한 계면층(57)에 의해 반도체층(56)과 반사전극(59) 간의 스트레스를 방지하여 소자의 전기적 및/또는 광학적 특성을 향상시킬 수 있고, 반사 특성이 좋은 반사전극(59)에 의 해 광손실 없이 광을 반사시킴으로써 광효율을 향상시킬 수 있다.

또한, 상기 반도체발광소자(50)의 측면이나 후방으로 진행된 광이 상기 n형 반사판(64) 및 p형 반사판(63)에 의해 전방으로 반사됨으로써, 광효율이 더욱 더 향상될 수 있다.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의하면, 오믹 특성 및 반사 특성이 좋은 반사전극에 의해 저전압 구동이 가능하고 및 광효율을 향상시킬 수 있다.

본 발명에 의하면, 계면 특성을 안정화시키기 위한 계면층과 반사 특성이 좋은 반사전극에 의해 소자의 전기적 및/또는 광학적 특성을 향상시킬 수 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (22)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 기판;

   상기 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 n형층, 활성층, p형층 및 제2 n형층을 포함하는 반도체층;

   상기 제2 n형층 상에 형성되고, 안정된 계면 특성을 제공하기 위해 서로 상이한 제1 및 제2 금속 재질이 교대로 적층된 계면층;

   상기 제1 n형층 상에 형성된 제1 전극; 및

   상기 계면층 상에 형성되고, 반사 특성이 좋은 제3 금속 재질로 이루어진 제2 전극을 포함하며,

   상기 계면층은 Al로 이루어진 제1 금속 재질과 Re로 이루어진 제2 금속 재질이 교대로 적층 형성되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체발광소자.
7. 삭제
8. 삭제
9. 제6항에 있어서, 상기 제3 금속 재질은 Al, Pd, Rh, Ag, Re, Au, Pt 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체발광소자.
10. 제6항에 있어서, 상기 제2 전극은 다수의 제3 금속 재질을 이용하여 단일층 또는 멀티층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체발광소자.
11. 삭제
12. 삭제
13. 삭제
14. 삭제
15. 삭제
16. 삭제
17. 삭제
18. 삭제
19. 삭제
20. 삭제
21. 삭제
22. 삭제

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