CN101548466A - 检测电路和使用该检测电路的电子装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种检测电路，及使用该检测电路的电子装置。在该检测电路中，当通过由电阻器对输入电压Vin进行分压而获得的输入检测电压Vsns等于参考电压Vref或更大并且由于低的温度、温度检测电压Tsns等于参考电压Vref或更大时，来自比较器的检测信号SNS变成高电平。另外，当输入检测电压Vsns小于参考电压Vref和/或由于高的温度、温度检测电压Tsns小于参考电压Vref时，来自比较器的检测信号SNS变成低电平。

Description

检测电路和使用该检测电路的电子装置
技术领域
本发明一般涉及检测输入电压和环境温度、生成表示检测结果的检测信号并输出所生成的检测信号的检测电路；以及使用该检测电路的电子装置。
背景技术
一般而言，当输入电压升高到预定电压时，启动电子装置。然而，在某些情况下，当启动电子装置时，添加了不同于输入电压的条件。尤其是，由于高的温度可能损害电子装置中的半导体器件，因此当环境温度是预定温度或更高时，确定不启动电子装置或者将改变电子装置的操作。
图7是示出传统检测电路的电路图。
如图7所示，检测电路100提供：输入电压检测电路101，检测输入电压Vin；温度检测电路102，检测环境温度；以及AND电路103，生成表示输入电压检测电路102和温度检测电路102的检测结果的检测信号SNS，并输出生成的检测信号SNS。
输入电压检测电路101提供：第一参考电压生成电路111，生成预定的参考电压Vr1，并输出生成的参考电压Vr1；电阻器R111和R112；以及比较器(CMP)112。温度检测电路102提供：第二参考电压生成电路121，生成预定参考电压Vr2，并输出生成的参考电压Vr2；恒流源122，生成预定的恒定电流ia；PNP晶体管Qa；以及比较器(CMP)123。
当输入电压Vin升高并且晶体管R111与R112的连接点处的电压变成预定参考电压Vr1或更大时，CMP112输出高电平信号，而当环境温度是预定值或更低并且PNP晶体管Qa的发射极和基极之间的电压变成预定参考电压Vr2或更大时，CMP123输出高电平信号。当CMP112和123两者都输出相应的高电平信号时，将要从AND电路103输出的检测信号SNS变成高电平信号。
专利文件1与本发明不同。然而，专利文件1公开了具有温度检测电路和热防止电路的电子装置。在该电子装置中，通过使用MOS晶体管技术形成参考电压生成电路，并且形成温度检测电路和热防止电路使得电路相应占据的面积小并且电路的功耗低。
[专利文件1]日本特平开专利申请第2005-122753号
然而，在图7所示的检测电路100中，由于输入电压检测电路101和温度检测电路102的每个必须包括参考电压生成电路和比较器，因此检测电路100的IC芯片的面积很大并且功耗高。
发明内容
在本发明的实施例中，提供了一种检测电路和使用该检测电路的电子装置，其中，检测电路的IC芯片的面积很小并且功耗低。
为了实现这些和其他优势中的一个或多个，根据本发明的一个方面，提供了一种检测电路，其检测是否满足多个条件，生成表示检测结果的预定检测信号，并输出所生成的检测信号。该检测电路包括：比较器，具有一个反相输入端和多个非反相输入端。预定参考电压被输入到所述比较器的反相输入端，并且用于检测多个条件的相应电压被输入到所述比较器的相应非反相输入端；以及当满足所述多个条件时，所述比较器生成预定检测信号，并输出所生成的检测信号。
根据本发明的另一方面，提供了一种检测电路，其检测是否满足多个条件，生成表示检测结果的预定检测信号，并输出所生成的检测信号。该检测电路包括：比较器，具有一个非反相输入端和多个反相输入端。预定参考电压被输入到所述比较器的非反相输入端，并且用于检测所述多个条件的相应电压被输入到所述比较器的相应反相输入端；以及当满足所述多个条件时，所述比较器生成预定检测信号，并输出所生成的检测信号。
根据本发明的另一方面，提供了一种电子装置。该电子装置包括：检测电路，其检测是否满足多个条件，生成表示检测结果的预定检测信号，并输出所生成的检测信号；以及一个或多个功能电路，其具有这些电路基于所述检测信号而操作的相应功能。所述检测电路包括：比较器，具有一个反相输入端和多个非反相输入端。预定参考电压被输入到所述比较器的反相输入端，并且用于检测多个条件的相应电压被输入到所述比较器的相应非反相输入端；以及当满足所述多个条件时，所述比较器生成预定检测信号，并输出所生成的检测信号。
根据本发明的另一方面，提供了一种电子装置。该电子装置包括：检测电路，其检测是否满足多个条件，生成表示检测结果的预定检测信号，并输出所生成的检测信号；以及一个或多个功能电路，其具有这些电路基于所述检测信号而操作的相应功能。所述检测电路包括：比较器，具有一个非反相输入端和多个反相输入端；预定参考电压被输入到所述比较器的非反相输入端，并且用于检测多个条件的相应电压被输入到所述比较器的相应反相输入端；以及当满足所述多个条件时，所述比较器生成预定检测信号，并输出所生成的检测信号。
根据本发明的实施例，检测电路检测是否满足多个条件，生成表示检测结果的预定检测信号，并输出所生成的检测信号。该检测电路包括：比较器，具有多个输入端。当检测电路检测，例如，作为多个条件的输入电压和环境温度时，检测电路通过使用比较器的多个输入端来检测是否满足环境温度和输入电压之间的预定条件。即，检测电路检测是否满足输入电压是预定电压或更大以及环境温度是预定温度或更小的条件。因此，可以简化检测电路的电路结构，检测电路的IC芯片的面积可以很小，并可以降低检测电路的功耗。
从以下参考附图给出的优选实施例的详细描述中，本发明的特征和优点将变得更明显。
附图说明
图1是示出根据本发明的第一实施例的检测电路的电路图；
图2是示出图1所示的CMP的电路图；
图3是示出使用图1所示的检测电路的电子装置的第一例子的电路图；
图4是示出使用图1所示的检测电路的电子装置的第二例子的电路图；
图5是示出根据本发明的第二实施例的检测电路的电路图；
图6是示出图5中所示的CMP的电路图；以及
图7是示出传统检测电路的电路图。
具体实施方式
参考附图，将详细描述本发明的实施例。
[第一实施例]
图1是示出根据本发明的第一实施例的检测电路的电路图。
检测电路1检测输入电压Vin和环境温度T(未示出)，并且当输入电压Vin是预定电压V1(未示出)或更大并且环境温度T是预定温度T1(未示出)或更小时，输出预定检测信号SNS。
如图1所示，检测电路1包括：参考电压生成电路2，其生成预定参考电压Vref，并输出所生成的参考电压Vref；比较器(CMP)3，具有两个非反相输入端和一个反相输入端(三个输入端)；恒流源4，生成预定的恒定电流i1，并输出所生成的恒定电流i1；PNP晶体管Q1；以及电阻器R1和R2。
恒流源4和PNP晶体管Q1形成温度检测电压生成电路，并且电阻器R1和R2形成输入检测电压生成电路(分压电路)。另外，预定电压V1是第一预定值，而预定温度T1是第二预定值。
恒流源4连接在电源电压Vdd和PNP晶体管Q1的发射极之间，PNP晶体管Q1的集电极和基极连接到地电势，并且PNP晶体管Q1的发射极连接到CMP 3的非反相输入端之一。即，PNP晶体管Q1通过将基极连接到集电极而形成双极二极管(bipolar diode)。
另外，电阻器R1和R2串联连接在输入电压Vin和地电势(GND)之间，并且电阻器R1与电阻器R2的连接点连接到CMP 3的另一个非反相输入端。参考电压Vref被输入到CMP 3的反相输入端，并且将检测信号SNS从CMP3的输出端输出。
当输入到CMP3的非反相输入端的电压Tsns和Vsns变得大于等于输入到CPM 3的反相输入端的电压时，CMP 3输出高电平的检测信号SNS。另外，当输入到CMP 3的非反相输入端的电压Tsns和Vsns的至少一个变得小于输入到CMP 3的反相输入端的电压时，CMP 3输出低电平的检测信号SNS。
将预定的恒定电流i1从恒流源4供应至PNP晶体管Q1，在PNP晶体管Q1的发射极和基极之间的电压是环境温度的函数。即，在PNP晶体管Q1中，当环境温度升高时，发射极和基极之间的电压下降，而当环境温度下降时，发射极和基极之间的电压升高。
因此，PNP晶体管Q1的发射极和基极之间的电压变成电压Tsns(温度检测电压)，并确定参考电压Vref或者恒定电流i1使得在期望的检测温度温度检测电压Tsns变得等于参考电压Vref。PNP晶体管Q1的发射极和基极之间的电压对应于由PNP晶体管Q1形成的双极二极管的正向电压(forwardvoltage)。
另外，当(1)输入了输入电压Vin，(2)作为其中输入电压Vin被电阻器R1和R2分压的分压的电压Vsns(输入检测电压)变得等于参考电压Vref或更大，以及(3)由于低的检测温度，温度检测电压Tsns等于参考电压或更大时，从CMP 3输出的检测信号SNS变成高电平。此外，当(1)输入了输入电压Vin，(2)输入检测电压Vsns小于参考电压Vref，和/或(3)由于高的检测温度，温度检测电压Tsns小于参考电压时，来自CMP 3的检测信号SNS变成低电平。
图2是示出图1所示的CMP 3的电路图。
如图2所示，CMP 3包括作为输入晶体管的PMOS晶体管M11、M12、和M13、NMOS晶体管M14、M15和M16、生成恒定电流i11并输出生成的恒定电流i11的恒流源11、以及生成恒定电流i12并输出生成的恒定电流i12的恒流源12。
PMOS晶体管M11、M12、和M13、NMOS晶体管M14和M15、以及恒流源11形成了差分放大器电路。PMOS晶体管M11是第一输入晶体管，PMOS晶体管M12是第二输入晶体管，并且PMOS晶体管M13是第三输入晶体管。
恒流源11连接在PMOS晶体管M11到M13的源极与电源电压Vdd之间。PMOS晶体管M11的栅极(控制电极)是CMP 3的反相输入端，而参考电压Vref是到栅极的输入。PMOS晶体管M12的栅极(控制电极)是CMP 3的非反相输入端之一，而温度检测电压Tsns是到栅极的输入。PMOS晶体管M13的栅极(控制电极)是CMP 3的非反相输入端中的另一个，而输入检测电压Vsns是到栅极的输入。
作为PMOS晶体管M11到M13上的负载的NMOS晶体管M14和M15形成电流镜电路(current mirror circuit)。NMOS晶体管M14和M15的源极连接到地电势，并且NMOS晶体管M14和M15的栅极连接到NMOS晶体管M14的漏极。
PMOS晶体管M11的漏极连接到NMOS晶体管M14的漏极，而PMOS晶体管M12和M13的漏极连接到NMOS晶体管M15的漏极和NMOS晶体管M16的栅极。恒流源12连接在电源电压Vdd和NMOS晶体管M16的漏极之间，而NMOS晶体管M16的源极连接到地电势(GND)。从恒流源12与NMOS晶体管M16的漏极的连接点输出检测信号SNS。
接下来，描述CMP 3的操作。
当相应的PMOS晶体管M12和M13的栅极电压(Tsns和Vsns)的至少一个小于参考电压Vref时，其栅极电压小于参考电压Vref的PMOS晶体管的漏极电流变得大于PMOS晶体管M11的漏极电流。因此，NMOS晶体管M15的漏极电压升高，NMOS晶体管M16的栅极电压升高，NMOS晶体管M16变为导通，并且检测信号SNS变成低电平。
当PMOS晶体管M12和M13两者的栅极电压(Tsns和Vsns)都等于参考电压Vref或更大时，要被供应至NMOS晶体管M15的漏极电流变得小于要由PMOS晶体管M11供应至NMOS晶体管M14的漏极电流。因此，NMOS晶体管M15的漏极电压下降，NMOS晶体管M16变为截止，并且检测信号SNS变成高电平。
接下来，参考图3，描述使用图1所示的检测电路的电子装置20的第一例子。
图3是示出使用图1所示的检测电路1的电子装置20的第一例子的电路图。
如图3所示，电子装置20包括检测电路1和电路块21。电路块21包括多个电路C1到Cn(n是2或更大的整数)。电路C1到Cn具有相应的功能。
在图3中，例如，电路C1和C2不能在高温时操作，并且来自检测电路1的检测信号SNS被输入到电路C1和C2。当检测信号SNS是低电平时，电路C1和C2停止操作，而当检测信号SNS是高电平时，电路C1和C2操作。
当电路C1和C2具有在高的环境温度时的相应问题时，检测信号SNS被输入到C1和C2，并且就在输入电压Vin被输入到检测电路1以后，在高温时停止电路C1和C2的操作。因此，在电路C1和C2中可以防止高温时的问题。
接下来，参考图4，描述使用检测电路1的电子装置20a的第二例子。
图4是示出使用图1所示的检测电路1的电子装置20a的第二例子的电路图。
如图4所示，当图4所示的电子装置20a与图3所示的电子装置20比较时，电子装置20a还包括控制电路30。如图4所示，除了来自检测电路1的检测信号SNS之外，还将外部输入信号EXT从外部设备(未示出)输入到控制电路30。另外，来自控制电路30的输出信号Sc被输入到电路C1和C2。
例如，当检测信号SNS是高电平时，来自控制电路30的输出信号Sc对应于外部输入信号EXT的电平而改变，而当检测信号SNS是低电平时，来自控制电路30的输出信号Sc变成与外部输入信号TXT的电平无关的低电平。
表1中示出了信号SNS、EXT和Sc之间的关系以及电路C1和C2的操作状态。在表1中，H表示高电平而L表示低电平。
表1
 
SNS EXT Sc 电路C1和C2
H L L 非操作状态
H H H 操作状态
L L L 非操作状态
L H L 非操作状态
如上所述，根据本发明的第一实施例，检测电路1包括具有三个输入端的CMP 3，并且检测是否满足环境温度T和输入电压Vin之间的预定条件。即，检测电路1检测是否满足输入电压Vin等于预定电压V1或者更大以及环境温度T等于预定温度T1或更小的条件。因此，可以简化检测电路1的电路结构，检测电路1的IC芯片的面积可以很小，并且可以降低检测电路1的功耗。
[第二实施例]
接下来，参考附图描述本发明的第二实施例。在本发明的第二实施例中，当元件与本发明的第一实施例中的元件类似或相同时，对于该元件使用与本发明的第一实施例中的元件相同的附图标记，并省略了与本发明的第一实施例中相同的描述。
在本发明的第一实施例中，使用具有两个非反相输入端和一个反相输入端的CMP 3。在本发明的第二实施例中，检测电路1a的CMP 3a包括两个反相输入端和一个非反相输入端。
图5是示出根据本发明的第二实施例的检测电路1a的电路图。
在图5中，检测电路1a检测输入电压Vin和环境温度T(未示出)，当输入电压Vin是预定电压V1(未示出)或更大并且环境温度T是预定温度T1(未示出)或更小时，检测电路1a生成预定检测信号SNS并输出所生成的检测信号SNS。
检测电路1a包括参考电压生成电路2、具有两个反相输入端和一个非反相输入端的比较器(CMP)3a、恒流源4、PNP晶体管Q1、以及电阻器R1和R2。
在CMP 3a中，参考电压Vref被输入到非反相输入端，温度检测电压Tsns被输入到反相输入端中的一个，且输入检测电压Vsns被输入到反相输入端中的另一个。
当温度检测电压Tsns和输入检测电压Vsns变得等于参考电压Vref或更大时，CMP 3a输出低电平的检测信号SNS。另外，当温度检测电压Tsns和输入检测电压Vsns的至少一个小于参考电压Vref时，CMP 3a输出高电平的检测信号SNS。
图6是示出图5所示的CMP 3a的电路图。
如图2和图6所示，PMOS晶体管M11到M13与NMOS晶体管M14和M15之间的连接在CMP 3和CMP 3a之间不同。
即，在图6中，PMOS晶体管M11的漏极和NMOS晶体管M15的漏极连接到NMOS晶体管M16的栅极。PMOS晶体管M12的漏极和PMOS晶体管M13的漏极连接到NMOS晶体管M14的漏极。即，PMOS晶体管M11的栅极(控制电极)是CMP 3a的非反相输入端，而PMOS晶体管M12和M13的栅极(控制电极)是是CMP 3a的相应的反相输入端。
当PMOS晶体管M12和M13的栅极电压(Tsns和Vsns)的至少一个小于参考电压Vref时，其栅极电压小于参考电压Vref的PMOS晶体管的漏极电流变得大于PMOS晶体管M11的漏极电流。从而，NMOS晶体管M14的漏极电压升高，而NMOS晶体管M15的漏极电压下降。因此，NMOS晶体管M16的栅极电压下降，NMOS晶体管M16变成截止，并且检测信号SNS变成高电平。
另外，当PMOS晶体管M12和M13的栅极电压(Tsns和Vsns)变得等于参考电压Vref或更大时，要被供应至NMOS晶体管M14的漏极电流小于要从PMOS晶体管M11供应至NMOS晶体管M15的漏极电流。从而，NMOS晶体管M14的漏极电压下降，而NMOS晶体管M15的漏极电压升高。因此，NMOS晶体管M16变得导通，并且检测信号SNS变成低电平。
在图3所示的电子装置20的第一例子中，当使用图5所示的检测电路1a时，在检测信号SNS是低电平时，电路C1和C2处于相应的操作状态，并且在检测信号SNS是高电平时，电路C1和C2处于相应的非操作状态。
另外，在图4所示的电子装置20a的第二例子中，在其中使用图5所示的检测电路1a的情况下，当检测信号SNS是低电平时，来自控制电路30的输出信号Sc对应于外部输入信号EXT的电平而改变，且当检测信号SNS是高电平时，来自控制电路30的输出信号Sc变成与外部输入信号EXT的电平无关的高电平。即，当检测信号SNS是低电平并且外部输入信号是低电平时，输出信号Sc变成低电平，那么电路C1和C2操作。
如上所述，根据本发明的第二实施例，检测电路1a包括具有三个输入端的CMP3a，并检测是否满足环境温度T和输入电压Vin之间的预定条件。即，检测电路1a检测是否满足输入电压Vin等于预定电压V1或更大和环境温度T等于预定温度T1或更小的条件。因此，与本发明的第一实施例中的检测电路1类似，可以简化检测电路1a的电路结构，检测电路1a的IC芯片的面积可以很小，并且可以降低检测电路1a的功耗。
在本发明的第一和第二实施例中，检测电路1(1a)检测是否满足输入电压Vin等于预定电压V1或更大和环境温度T等于预定温度T1或更小的两个条件。因此，CMP 3(3a)具有三个输入端。
然而，在本发明的实施例中，条件的数目不限于两个，并且可以是三个或更多。在条件的数目是“m”(m是3或更大的整数)的情况下，当确定检测电路中的CMP的非反相输入端或反相输入端的数目是“m”时，检测电路可以检测是否满足“m”个条件。
另外，在本发明的第一和第二实施例中，当检测电源电压Vdd时，输入电压Vin是电源电压Vdd。另外，通过连接PNP晶体管Q1的基极和集电极形成双级二极管。然而，代替以PNP晶体管Q1形成双级二极管，可以使用双级二极管。
此外，本发明不限于这些实施例，而是不脱离本发明的范围可以做出各种变更和修改。
相关申请的交叉引用
本发明基于2007年8月7日在日本专利局提交的日本优先权专利申请第2007-205113号，通过引用将其全部内容合并于此。

Claims (20)

1.一种检测电路，检测是否满足多个条件，生成表示检测结果的预定检测信号，并输出所生成的检测信号，该检测电路包括：
比较器，具有一个反相输入端和多个非反相输入端；其中
预定参考电压被输入到所述比较器的反相输入端，用于检测多个条件的相应电压被输入到所述比较器的相应非反相输入端；以及
当满足所述多个条件时，所述比较器生成预定检测信号，并输出所生成的检测信号。
2.如权利要求1所述的检测电路，其中：
当作为所述多个条件来检测输入电压和环境温度时，生成表示检测结果的预定检测信号，并输出所生成的检测信号；
所述比较器包括一个反相输入端和两个非反相输入端；
所述预定参考电压被输入到所述反相输入端；
与所述输入电压成比例的输入检测电压被输入到所述两个非反相输入端中的一个；
对应于所述环境温度的温度检测电压被输入到所述两个非反相输入端中的另一个；以及
当所述输入电压是第一预定值或更大并且所述环境温度是第二预定值或更小时，
所述比较器生成预定检测信号并输出所生成的检测信号。
3.如权利要求2所述的检测电路，其中：
所述比较器包括差分放大器电路；并且所述差分放大器电路包括
第一输入晶体管，其控制电极是所述反相输入端；
第二输入晶体管，其控制电极是所述非反相输入端中的一个；
第三输入晶体管，其控制电极是所述非反相输入端中的另一个；
恒流源，其将预定的恒定电流供应至第一到第三输入晶体管；以及
电流镜电路，其是第一到第三输入晶体管上的负载；其中
所述电流镜电路进行控制使得与流入所述第一输入晶体管的电流成比例的电流流入第二和第三输入晶体管；以及
第二和第三输入晶体管与所述电流镜电路的连接点是所述差分放大器电路的输出端。
4.一种检测电路，检测是否满足多个条件，生成表示检测结果的预定检测信号，并输出所生成的检测信号，该检测电路包括：
比较器，具有一个非反相输入端和多个反相输入端；其中
预定参考电压被输入到所述比较器的非反相输入端，用于检测所述多个条件的相应电压被输入到所述比较器的相应反相输入端；以及
当满足所述多个条件时，所述比较器生成预定检测信号，并输出所生成的检测信号。
5.如权利要求4所述的检测电路，其中：
当作为所述多个条件来检测输入电压和环境温度时，生成表示检测结果的预定检测信号，并输出所生成的检测信号；
所述比较器包括一个非反相输入端和两个反相输入端；
所述预定参考电压被输入到所述非反相输入端；
与所述输入电压成比例的输入检测电压被输入到所述两个反相输入端中的一个；
对应于环境温度的温度检测电压被输入到所述两个反相输入端中的另一个；以及
当所述输入电压是第一预定值或更大并且所述环境温度是第二预定值或更小时，
所述比较器生成预定检测信号，并输出所生成的检测信号。
6.如权利要求5所述的检测电路，其中：
所述比较器包括差分放大器电路；并且所述差分放大器电路包括
第一输入晶体管，其控制电极是所述非反相输入端；
第二输入晶体管，其控制电极是所述反相输入端中的一个；
第三输入晶体管，其控制电极是所述反相输入端中的另一个；
恒流源，其将预定的恒定电流供应至第一到第三输入晶体管；以及
电流镜电路，其是第一到第三输入晶体管上的负载；其中
所述电流镜电路进行控制使得与流入第一和第二输入晶体管的电流的和成比例的电流流入所述第三输入晶体管；以及
第一输入晶体管与所述电流镜电路的连接点是所述差分放大器电路的输出端。
7.如权利要求2所述的检测电路，还包括：
输入检测电压生成电路，通过以预定的划分比率对所述输入电压进行分压而生成输入检测电压；以及
温度检测电压生成电路，检测环境温度，生成与所检测的环境温度对应的温度检测电压，并输出所生成的温度检测电压。
8.如权利要求5所述的检测电路，还包括：
输入检测电压生成电路，通过以预定的划分比率对所述输入电压进行分压而生成输入检测电压；以及
温度检测电压生成电路，检测环境温度，生成与所检测的环境温度对应的温度检测电压，并输出所生成的温度检测电压。
9.如权利要求7所述的检测电路，其中：
所述温度检测电压生成电路包括
恒流源，其生成预定的恒定电流，并输出所生成的恒定电流；以及
双级二极管，所述恒定电流从所述恒流源供应至该双极二极管；其中
所述双级二极管的正向电压是所述温度检测电压。
10.如权利要求8所述的检测电路，其中：
所述温度检测电压生成电路包括
恒流源，其生成预定的恒定电流，并输出所生成的恒定电流；以及
双级二极管，所述恒定电流从所述恒流源供应至该双极二极管；其中
所述双级二极管的正向电压是所述温度检测电压。
11.一种电子装置，包括：
检测电路，其检测是否满足多个条件，生成表示检测结果的预定检测信号，并输出所生成的检测信号；以及
一个或多个功能电路，其具有基于所述检测信号而操作的电路的相应功能；其中
所述检测电路包括
比较器，具有一个反相输入端和多个非反相输入端；其中
预定参考电压被输入到所述比较器的反相输入端，用于检测多个条件的相应电压被输入到所述比较器的相应非反相输入端；以及
当满足所述多个条件时，所述比较器生成预定检测信号，并输出所生成的检测信号。
12.如权利要求11所述的电子装置，其中：
当作为所述多个条件来检测输入电压和环境温度时，生成表示检测结果的预定检测信号，并输出所生成的检测信号；
所述比较器包括一个反相输入端和两个非反相输入端；
所述预定参考电压被输入到所述反相输入端；
与所述输入电压成比例的输入检测电压被输入到所述两个非反相输入端中的一个；
与所述环境温度对应的温度检测电压被输入到所述两个非反相输入端中的另一个；以及
当所述输入电压是第一预定值或更大并且所述环境温度是第二预定值或更小时，
所述比较器生成预定检测信号并输出所生成的检测信号。
13.如权利要求12所述的电子装置，其中：
所述比较器包括差分放大器电路；以及所述差分放大器电路包括
第一输入晶体管，其控制电极是所述反相输入端；
第二输入晶体管，其控制电极是所述非反相输入端中的一个；
第三输入晶体管，其控制电极是所述非反相输入端中的另一个；
恒流源，其将预定的恒定电流供应至第一到第三输入晶体管；以及
电流镜电路，其是第一到第三输入晶体管上的负载；其中
所述电流镜电路进行控制使得与流入第一输入晶体管的电流成比例的电流流入第二和第三输入晶体管；以及
第二和第三输入晶体管与所述电流镜电路的连接点是所述差分放大器电路的输出端。
14.一种电子装置，包括：
检测电路，其检测是否满足多个条件，生成表示检测结果的预定检测信号，并输出所生成的检测信号；以及
一个或多个功能电路，其具有基于所述检测信号而操作的电路的相应功能；其中
所述检测电路包括
比较器，具有一个非反相输入端和多个反相输入端；以及
预定参考电压被输入到所述比较器的非反相输入端，并且用于检测多个条件的相应电压被输入到所述比较器的相应反相输入端；以及
当满足所述多个条件时，所述比较器生成预定检测信号，并输出所生成的检测信号。
15.如权利要求14所述的电子装置，其中：
当作为所述多个条件来检测输入电压和环境温度时，生成表示检测结果的预定检测信号，并输出所生成的检测信号；
所述比较器包括一个非反相输入端和两个反相输入端；
所述预定参考电压被输入到所述非反相输入端；
与所述输入电压成比例的输入检测电压被输入到所述两个反相输入端中的一个；
对应于环境温度的温度检测电压被输入到所述两个反相输入端中的另一个；以及
当所述输入电压是第一预定值或更大并且所述环境温度是第二预定值或更小时，
所述比较器生成预定检测信号，并输出所生成的检测信号。
16.如权利要求15所述的电子装置，其中：
所述比较器包括差分放大器电路；并且所述差分放大器电路包括
第一输入晶体管，其控制电极是所述非反相输入端；
第二输入晶体管，其控制电极是所述反相输入端中的一个；
第三输入晶体管，其控制电极是所述反相输入端中的另一个；
恒流源，其将预定的恒定电流供应至第一到第三输入晶体管；以及
电流镜电路，其是第一到第三输入晶体管上的负载；其中
所述电流镜电路进行控制使得与流入第一和第二输入晶体管的电流的和成比例的电流流入所述第三输入晶体管；以及
所述第一输入晶体管与所述电流镜电路的连接点是所述差分放大器电路的输出端。
17.如权利要求12所述的电子装置，其中：
所述检测电路还包括
输入检测电压生成电路，通过以预定的划分比率对所述输入电压进行分压而生成输入检测电压；以及
温度检测电压生成电路，检测环境温度，生成与所检测的环境温度对应的温度检测电压，并输出所生成的温度检测电压；其中
所述温度检测电压生成电路包括
恒流源，其生成预定的恒定电流，并输出所生成的恒定电流；以及
双级二极管，所述恒定电流从所述恒流源供应至该双极二极管；其中
所述双级二极管的正向电压是所述温度检测电压。
18.如权利要求15所述的电子装置，其中：
所述检测电路还包括
输入检测电压生成电路，通过以预定的划分比率对所述输入电压进行分压而生成输入检测电压；以及
温度检测电压生成电路，检测环境温度，生成与所检测的环境温度对应的温度检测电压，并输出所生成的温度检测电压；其中
所述温度检测电压生成电路包括
恒流源，其生成预定的恒定电流，并输出所生成的恒定电流；以及
双级二极管，所述恒定电流从所述恒流源供应至该双极二极管；其中
所述双级二极管的正向电压是所述温度检测电压。
19.如权利要求11所述的电子装置，还包括：
控制电路，其基于来自所述检测电路的检测信号和来自外部设备的外部输入信号来控制所述功能电路的操作。
20.如权利要求14所述的电子装置，还包括：
控制电路，其基于来自所述检测电路的检测信号和来自外部设备的外部输入信号来控制所述功能电路的操作。
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