CN102103159A - 与温度无关的欠压检测器和有关方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种与温度无关的欠压检测器和有关方法。描述和描绘了与欠压检测器有关的实施例。用分压器网络形成欠压检测器以检测低输入偏置电压，该分压器网络包括：半导体器件的第一和第二串联电路，耦合到输入偏置电压源的端子；以及电阻器分压器，包括与第一和第二串联电路串联耦合的第一和第二分压器电阻器。代表串联电路中的半导体器件数目的比值基本上等于电阻器分压器中的电阻比。可以通过在欠压检测器中其它电阻的存在来校正比值的相等。半导体器件各自以二极管配置耦合。第一串联电路耦合到电流镜以提供用于比较器的偏置电流，该比较器产生用于欠压检测器的输出信号。

Description

与温度无关的欠压检测器和有关方法

技术领域

本公开内容一般地涉及集成电路的设计，并且具体地涉及控制用于集成电路的启动电压和有关方法。

背景技术

集成电路一般在一定的输入偏置电压的范围内、比如在最大额定输入偏置电压和最小额定输入偏置电压的范围内可操作。集成电路上的电路元件(比如用于功率转换器的控制芯片)在低于最小额定电压的输入偏置电压下将不能可靠地操作，并且该电路元件在高于最大额定电压的输入偏置电压下可能不可逆地受损。作为保护特征，通常在集成电路的设计中包括欠压检测器以生成用于芯片的启动电流并且设置用于芯片的最低工作输入偏置电压阈值。如果输入偏置电压小于阈值，则禁止芯片的操作。

向集成电路供应的输入偏置电压一般由欠压检测器感测，该欠压检测器运用与多个晶体管串联耦合的电阻器-分压器网络，各晶体管通过将它的基极耦合到它的集电极或者将它的栅极耦合到它的漏极而以二极管配置连接。与温度和工艺有关的二极管上的电压降一般展现与电阻器(特别是作为半导体元件形成于集成电路上的电阻器)上的对应电压降不同的变化。这些电压降的不同表现在用来检测输入偏置电压下限的比较器中产生与温度和工艺有关的可变阈值电压。一般要求在欠压检测器的设计中适应阈值电压的可变性，这限制了用于集成电路的更低操作电压范围。

现在参照图1，图示了用于集成电路的常规欠压检测器的示意图，该集成电路可以用来设置用于集成电路的最低工作输入偏置电压阈值。如果输入偏置电压小于该阈值，则禁止集成电路的操作，并且将集成电路维持于待命状态。如果输入偏置电压大于该阈值，则激活集成电路的正常操作。

输入偏置电压V_BAT由运用电阻器-分压器网络的欠压检测器感测。在电阻器R1和R2的连接点产生的输入偏置电压V_BAT的经缩放的值V1由用晶体管M1和M2形成的比较器感测，这些晶体管耦合到由晶体管M3和M4形成的电流镜。参考电压V_BG由带隙参考(比如1.25V带隙参考)供应到比较器。电流镜的设计在本领域中众所周知并且将不进一步加以描述以求简洁。比较器的输出信号103由晶体管M7反相、然后由反相器INV1感测并且由反相器INV2再次反相，以产生与芯片接通阈值电压有关的欠压检测器输出信号UPM1。

提供用于集成电路的宽的操作电压范围对于市面上这样的器件而言常常是关键的成功因素。用以检测欠压限制以下的输入偏置电压的、用于集成电路的改进布置的设计将解决尚未解决的应用需要。

发明内容

根据一个实施例，一种欠压检测器被配置成检测至半导体器件的低输入电压，其中电压检测基本上与其操作温度或者用来形成欠压检测器的半导体组件的半导体工艺无关。在一个实施例中，形成分压器网络，其中代表半导体器件数目的比值与电阻器分压器中的电阻器的电阻比相等。在又一实施例中，通过在欠压检测器中其它电阻的存在来校正比值的相等。在一个实施例中，用分压器网络形成欠压检测器，该分压器网络包括：数目为M的至少一个半导体器件的第一串联电路布置，耦合到输入偏置电压源的第一端子；以及第一分压器电阻器和第二分压器电阻器的第二串联电路布置，与第一串联电路布置串联耦合。电路节点形成于第一与第二分压器电阻器之间。第三串联电路布置与第二串联电路布置串联耦合。第三串联电路布置包括耦合到输入偏置电压源的第二端子的、数目为P的至少一个半导体器件。形成比较器，其中一个输入耦合到形成于两个分压器电阻器之间的电路节点而另一输入耦合到电压参考。

P个和M个半导体器件各自以二极管配置耦合。

第一串联电路布置可以被配置成提供用于比较器的偏置电流。

第一偏置电阻器耦合到第一比较器输入晶体管的电流输入端子，而第二偏置电阻器耦合到第二比较器输入晶体管的电流输入端子。

具有输入的电流镜可以耦合到第一串联电路布置以提供用于比较器的偏置电流。

在一个实施例中，第一偏置电阻器的电阻等于第二偏置电阻器的电阻，而数目P与数目M之比等于第二分压器电阻器的电阻与第一分压器电阻器的电阻之比。

附图说明

在附图和以下描述中阐述本公开内容的一个或者多个实施例的细节。在图中相同标号一般在各图中通篇表示相同组成部分并且可以仅被描述一次以求简洁。为了更完整理解本公开内容，现在参照与以下附图结合的下文描述，其中：

图1图示了用于集成电路的常规欠压检测器的示意图；以及

图2图示了根据一个实施例构造的用于集成电路的欠压检测器的示意图。

具体实施方式

这里讨论的具体实施例仅为示例而不限制本发明的范围。

现在参照图2，图示了根据一个实施例构造的用于集成电路的欠压检测器的示意图。该欠压检测器能够用很小的静态电流来操作，这正成为新电路设计中的要求。另一新要求是用于输入偏置电压的更低操作阈值电压，这在检测输入偏置电压时要求更大精确度级别。先前要求用于功率转换器的控制器的集成电路设计的操作低至7V的输入电压。最新的设计现在要求低至4V的操作，这给电路设计的许多元件带来压力。因而，要求新设计用更小裕度来操作。

欠压检测器通过运用电阻器-分压器网络来感测输入偏置电压V_BAT，该网络包括与M个npn双极晶体管Q1、Q2和Q4串联耦合的电阻器R1和R2。如图2中的示例性电路中所示，M＝3，但是可以通过复制以二极管配置耦合的与电阻器R1串联的双极晶体管Q2来选择更大的数目M。通过图2中所示基极到集电极的短接来产生双极晶体管Q2的二极管配置。通过npn双极晶体管Q1耦合到晶体管Q4发射极的输入偏置电压V_BAT通过由晶体管Q1的发射极-基极结产生的二极管正向电压降而降低。电阻器R3耦合于晶体管Q1的发射极与基极之间。随着输入偏置电压V_BAT从零增加，电流起初流过电阻器R3，直至电阻器R3上的电压变成大约在晶体管Q1的基极-发射极电压的二极管正向电压降内。当电阻器R3上的电压变成大约在晶体管Q1的基极-发射极电压的二极管正向电压降内时，电流开始流过晶体管Q1的“基极-发射极二极管”，从而使晶体管Q1能够导通。因此，随着输入偏置电压V_BAT从零增加，晶体管Q4起初仅导通小电流。随着输入电压V_BAT进一步增加，晶体管Q4的集电极导通向电流镜202馈送的电流I1＝(V_{BE_Q1})/R3。因此，输入偏置电压V_BAT通过三个二极管电压降耦合到用电阻器R1和R2形成的电阻器-分压器网络。

又一二极管电压降可以由与用上分压器电阻器R1和下分压器电阻器R2形成的电阻器-分压器网络串联耦合的npn双极晶体管Q3产生。晶体管Q3通过图2中所示基极到集电极的短接来产生二极管电压降。一般而言，以二极管电路配置耦合的P个双极晶体管可以与电阻器R2串联耦合。在图2中所示示例性电路中，P＝1，因为仅一个双极晶体管Q3与电阻器R2串联耦合。

在电阻器R1和R2的连接点产生的输入偏置电压V_BAT(即电压V2)的经缩放的值由用p沟道场效应晶体管M1和M2形成的比较器感测，这些晶体管耦合到由n沟道场效应晶体管M3和M4形成的电流镜。在一个替代实施例中，通过本领域普通技术人员已知的必要电路适配，双极晶体管在这里和别处可以取代欠压检测器中的场效应晶体管。偏置电阻器R4和R5分别与场效应晶体管M1和M2的源极串联耦合。场效应晶体管M3和M4的衬底耦合到内部5V偏置电压源或者其它内部电压电平。参考电压V_BG由带隙参考如1.25V带隙参考供应到比较器。场效应晶体管M1和M2的源极由电流镜201馈送电流I2＝2·I1/N，电流镜201由N:1电流镜202供应参考电流I1/N，N:1电流镜202又被供应电流I1。比较器的输出信号203由n沟道场效应晶体管M7反相、由反相器INV1感测、然后由反相器INV2再次反相，以产生欠压检测器输出信号UPM2，用以提供芯片接通阈值电压V_{BAT_阈值}。反相器INV1和INV2是为了提供特定逻辑输出信号而可以在欠压检测器设计中包括的可选电路元件。

在图2中，电压V2和电流I2通过以下等式相关：

$V2=P\·V_{\mathrm{BE}}+\frac{V_{\mathrm{BAT}}-(P+M)\·V_{\mathrm{BE}}}{R_1+R_2}\·R_2,$

$I2=\frac{2}{N}\·\frac{V_{\mathrm{BE}}}{R_3},$

其中V_BE同样代表基极-发射极电压。参数P和M先前在上文中已描述。电阻器符号如符号“R1”和“R2”这里用来代表图中的电阻器以及它们在等式中的相应电阻值。

在比较器(由场效应晶体管M1、M2等形成)的转变/切换点，晶体管M1的栅极到源极阈值电压V_GS(M1)等于晶体管M2的栅极到源极阈值电压V_GS(M2)，即：

V_GS(M1)＝V_GS(M2)。

因而在比较器的转变/切换点，

$V2+\frac{I2}{2}\·R4=V_{\mathrm{BG}}+\frac{I2}{2}\·R5.$

比较器V_{BAT_阈值}的阈值电压由以下等式给出：

$V_{\mathrm{BAT}\_\mathrm{threshold}}=V_{\mathrm{BG}}\·\frac{R1+R2}{R2}-[\frac{P\·R1-M\·R2}{R1+R2}+(R4-R5)\·\frac{1}{N\·R3}]\·V_{\mathrm{BE}}\·\frac{R1+R2}{R2}$

根据上述等式，如果满足以下等式(1)：

$[\frac{P\·R1-M\·R2}{R1+R2}+(R4-R5)\·\frac{1}{N\·R3}]=0,---\left(1\right)$

则以下等式(2)表明V_{BAT_阈值}基本上仅与带隙参考产生的电压V_BG和电阻器比相关：

$V_{\mathrm{BAT}\_\mathrm{threshold}}=V_{\mathrm{BG}}\·\frac{R1+R2}{R2}.---\left(2\right)$

如果电阻器R4和R5具有相等电阻，则如果下式成立则满足等式(1)：

P·R1＝M·R2，(3)

即数目P与数目M之比等于下分压器电阻器R2与上分压器电阻器R1的电阻比。上述等式(2)说明了用于由场效应晶体管M1、M2形成的比较器的阈值电压V_{BAT_阈值}基本上与二极管和基极-发射极正向电压降无关，并因此基本上与比较器的操作温度和用于形成其中器件的工艺无关。等式(3)说明了当偏置电阻器R4和R5具有相等电阻时的更简单的关系。阈值电压与电阻器之比R1/R2相关，即使用以产生这些电阻器的半导体制造工艺产生电阻与温度或者工艺相关的个别电阻器，该比值仍然可以基本上恒定。因此，形成具有与温度和工艺无关的有利特性的欠压检测器。

在一个实施例中，用于图2中所示组件的值如下：

N＝8，

R1＝13.7MΩ，

R2＝5.3MΩ，

M＝3，

P＝1，

R3＝950kΩ。

R4＝500kΩ，以及

R5＝500kΩ。

可以针对N:1电流镜202的特定偏置电流调节电阻器R3的电阻，以由电流镜201提供用于比较器的适当输入电流水平。本领域技术人员将认识到，这里提供的值仅为举例并且许多变化都在本发明的范围内。虽然公开了3∶1的M与P之比，但是这一比值根据所得电路的希望性能特性可以是10∶1、1∶1、1∶3或者任何其它比值。

下文在表I中列举了用于参照图1和图2图示和描述的检测器的典型/最小/最大工艺变化的仿真结果，该表I示范了新检测器具有比常规检测器更好的温度特性。

表I

温度℃	工艺偏置	新检测器(V)	常规检测器(V)
				-40	典型	4.51	4.85
27	典型	4.51	4.53
				125	典型	4.48	4.02
-40	最小	4.60	4.86
				27	最小	4.52	4.55
125	最小	4.49	4.06
				-40	最大	4.52	4.84
27	最大	4.52	4.51
				125	最大	4.48	3.99

因此，已经描述如下欠压检测器，该欠压检测器的操作有利地基本上与其操作温度或者用来形成欠压检测器的半导体组件的半导体工艺无关。该欠压检测器可以用来禁止集成电路在低输入偏置电压下操作。

已经介绍用如下分压器网络形成欠压检测器的概念，该分压器网络包括以二极管配置耦合的与电阻器分压器串联的多个半导体器件。在一个实施例中，形成如下分压器网络，其中以二极管配置耦合的半导体器件数目的比值与电阻器分压器中的电阻器电阻之比相等。在一个实施例中，与电阻器分压器的下部串联耦合的半导体器件数目和与电阻器分压器的上部串联耦合的半导体器件数目之比等于分压器电阻器的下部的电阻与分压器的上部的电阻之比。在又一实施例中，通过在欠压检测器中其它电阻的存在来校正以二极管配置耦合的半导体器件数目的比值。

在一个实施例中，分压器网络包括耦合到输入偏置电压源的第一端子的、数目为M的至少一个半导体器件的第一串联电路布置。电阻器分压器的第二串联电路布置包括第一分压器电阻器和第二分压器电阻器。第二串联电路布置与第一串联电路布置串联耦合。电路节点形成于第一与第二分压器电阻器之间。第三串联电路布置与第二串联电路布置串联耦合。第三串联电路布置包括耦合到输入偏置电压源的第二端子的、数目为P的至少一个半导体器件。形成比较器，其中一个输入耦合到两个分压器电阻器之间形成的电路节点而另一输入耦合到电压参考。在一个实施例中，数目P与数目M之比等于第二分压器电阻器的电阻与第一分压器电阻器的电阻之比。

在一个实施例中，第一串联电路布置被配置成提供用于比较器的偏置电流。

在一个实施例中，第一偏置电阻器耦合到第一比较器输入晶体管的电流输入端子，而第二偏置电阻器耦合到第二比较器输入晶体管的电流输入端子。

在一个实施例中，第一比较器输入晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管，而第一比较器输入晶体管的电流输入端子是第一比较器输入晶体管的源极输入端子。第二比较器输入晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管，而第二比较器输入晶体管的电流输入端子是第二比较器输入晶体管的源极输入端子。

在一个实施例中，P个半导体器件和M个半导体器件各自以二极管配置耦合。

在一个实施例中，具有输入的电流镜耦合到第一串联电路布置以产生偏置电流。

在一个实施例中，第一偏置电阻器的电阻等于第二偏置电阻器的电阻，而数目P与数目M之比等于第二分压器电阻器的电阻与第一分压器电阻器的电阻之比。

在一个实施例中，电阻为R3的发射极-基极电阻器耦合于数目为M的至少一个半导体器件之一的发射极与基极之间。第一串联电路布置为比较器提供的偏置电流通过按照因子N来减少偏置电流的电流镜耦合到比较器，并且基本上满足以下关系：

$[\frac{P\·R1-M\·R2}{R1+R2}+(R4-R5)\·\frac{1}{N\·R3}]=0$

其中R1和R2分别代表第一和第二分压器电阻器的电阻，而R4和R5分别代表第一和第二偏置电阻器的电阻。

在一个实施例中，比较器的输出用来产生欠压检测信号。在又一实施例中，第一反相器耦合到比较器的输出以产生欠压检测信号。在又一实施例中，第二反相器耦合到第一反相器的输出以产生欠压检测信号。

另一实施例提供一种形成欠压检测器的方法。在一个实施例中，该方法包括形成分压器网络，其中包括将数目为M的至少一个半导体器件的第一串联电路布置耦合到输入偏置电压源的第一端子、将第一分压器电阻器和第二分压器电阻器的第二串联电路布置与第一串联电路布置串联耦合，其中电路节点形成于第一与第二分压器电阻器之间。第一分压器电阻器和第二分压器电阻器形成电阻器分压器。该方法还包括将数目为P的至少一个半导体器件的第三串联电路布置耦合到输入偏置电压源的第二端子，其中第三串联电路布置与第二串联电路布置串联耦合。该方法还包括形成比较器，其中包括将一个输入耦合到两个分压器电阻器之间形成的电路节点、将另一输入耦合到电压参考并且运用第一串联电路布置以提供用于比较器的偏置电流。

在一个实施例中，P个半导体器件和M个半导体器件各自以二极管配置耦合。

在又一实施例中，该方法包括将第一偏置电阻器耦合到第一比较器输入晶体管的源极端子并且将第二偏置电阻器耦合到第二比较器输入晶体管的源极端子。

在又一实施例中，该方法包括形成如下分压器网络，其中数目P与数目M之比与第二分压器电阻器的电阻与第一分压器电阻器的电阻之比相等。

在一个实施例中，该方法包括：将第一偏置电阻器耦合到第一比较器输入晶体管的源极端子、将第二偏置电阻器耦合到第二比较器输入晶体管的源极端子，并且选择第一偏置电阻器以具有与第二偏置电阻器的电阻相等的电阻。

在又一实施例中，该方法包括：运用电流镜来提供偏置电流；并且将电流镜的输入耦合到第一串联电路布置。

在一个实施例中，该方法还包括：选择第一偏置电阻器以具有与第二偏置电阻器的电阻相等的电阻；并且形成数目P与数目M之比与第二分压器电阻器的电阻与第一分压器电阻器的电阻之比相等的分压器网络。

在又一实施例中，该方法包括在数目为M的至少一个半导体器件之一的发射极与基极之间耦合具有电阻为R3的发射极-基极电阻器；并且由按照因子N来减少第一串联电路布置产生的偏置电流的、耦合到第一串联电路布置的电流镜提供用于比较器的偏置电流。该方法还包括选择用于发射极-基极电阻器、第一和第二偏置电阻器以及第一和第二分压器电阻器的电阻值以基本上满足以下关系：

$[\frac{P\·R1-M\·R2}{R1+R2}+(R4-R5)\·\frac{1}{N\·R3}]=0$

其中R1和R2分别代表第一和第二分压器电阻器的电阻，并且其中R4和R5分别代表第一和第二偏置电阻器的电阻。

在一个实施例中，该方法还包括运用比较器的输出以产生欠压检测信号。在一个实施例中，该方法还包括将第一反相器耦合到比较器的输出以产生欠压检测信号。在又一实施例中，该方法包括将第二反相器耦合到第一反相器的输出以产生欠压检测信号。

虽然已经针对用于功率转换器的控制芯片的应用描述了用于为集成电路构造欠压检测器的工艺和有关方法，但是应当理解，在本发明的广泛范围内设想这些工艺的其它应用(比如用输入偏置电压欠压检测器形成的集成电路的其它应用)，并且这些应用无需限于运用这里介绍的工艺的功率转换器应用。

虽然已经主要结合具体示例性实施例示出和描述了本公开内容，但是本领域技术人员应当理解，可以进行其在配置和细节上的各种改变而不脱离如所附权利要求限定的本发明实质和范围。本发明的范围因此取决于所附权利要求，并且本意在于让落在权利要求的含义范围和等效含义范围内的所有更改都为权利要求所涵盖。

Claims (20)

1.一种欠压检测器，包括：

分压器网络，所述分压器网络包括：

第一电路，耦合到输入偏置电压源的第一端子，所述第一电路包括数目为M的半导体器件，其中M至少为一，

第二电路，与所述第一电路串联耦合，所述第二电路包括第一分压器电阻器、第二分压器电阻器和在所述第一分压器电阻器与所述第二分压器电阻器之间的电路节点，

第三电路，与所述第二电路串联并且耦合到所述输入偏置电压源的第二端子，所述第三电路包括数目为P的半导体器件，其中P至少为一；以及

比较器，具有耦合到所述电路节点的第一输入和耦合到电压参考的第二输入。

2.根据权利要求1所述的欠压检测器，其中所述第一电路被配置成提供用于所述比较器的偏置电流。

3.根据权利要求1所述的欠压检测器，还包括：

第一偏置电阻器，耦合到第一比较器输入晶体管的电流输入端子；以及

第二偏置电阻器，耦合到第二比较器输入晶体管的电流输入端子。

4.根据权利要求3所述的欠压检测器，

其中所述第一比较器输入晶体管包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，

其中所述第一比较器输入晶体管的电流输入端子包括所述第一比较器输入晶体管的源极输入端子，

其中所述第二比较器输入晶体管包括MOSFET，并且

其中所述第二比较器输入晶体管的电流输入端子包括所述第二比较器输入晶体管的源极输入端子。

5.根据权利要求3所述的欠压检测器，其中所述P个半导体器件中的至少一个半导体器件和所述M个半导体器件中的至少一个半导体器件以二极管配置耦合。

6.根据权利要求5所述的欠压检测器，还包括电流镜，其输入耦合到所述第一电路以产生所述偏置电流。

7.根据权利要求6所述的欠压检测器，

其中所述第一偏置电阻器的电阻基本上等于所述第二偏置电阻器的电阻，并且

其中所述数目P与所述数目M之比等于所述第二分压器电阻器的电阻与所述第一分压器电阻器的电阻之比。

8.根据权利要求6所述的欠压检测器，还包括耦合于所述数目为M的半导体器件之一的发射极与基极之间的、电阻为R3的发射极-基极电阻器，

其中所述第一电路提供的用于所述比较器的所述偏置电流通过按照因子N来减少所述偏置电流的电流镜而耦合到所述比较器，

其中R1和R2分别代表所述第一和第二分压器电阻器的电阻，

其中R4和R5分别代表所述第一和第二偏置电阻器的电阻，并且

其中基本上满足以下关系：

$[\frac{P\·R1-M\·R2}{R1+R2}+(R4-R5)\·\frac{1}{N\·R3}]=0.$

9.根据权利要求1所述的欠压检测器，其中所述数目P与所述数目M之比等于所述第二分压器电阻器的电阻与所述第一分压器电阻器的电阻之比。

10.根据权利要求1所述的欠压检测器，其中所述比较器的输出产生欠压检测信号。

11.根据权利要求10所述的欠压检测器，还包括反相器，其耦合到所述比较器的输出以产生所述欠压检测信号。

12.一种形成欠压检测器的方法，包括：

形成分压器网络，包括：

将数目为M的至少一个半导体器件的第一串联电路布置耦合到输入偏置电压源的第一端子，

将第一分压器电阻器和第二分压器电阻器的第二串联电路布置与所述第一串联电路布置串联耦合，其中电路节点形成于所述第一与第二分压器电阻器之间，

将数目为P的至少一个半导体器件的第三串联电路布置耦合到所述输入偏置电压源的第二端子，其中所述第三串联电路布置与所述第二串联电路布置串联耦合；以及

形成比较器，包括：

将其一个输入耦合到形成于所述两个分压器电阻器之间的所述电路节点，并且

将其另一输入耦合到电压参考。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

将第一偏置电阻器耦合到第一比较器输入晶体管的源极端子；并且

将第二偏置电阻器耦合到第二比较器输入晶体管的源极端子。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

其中所述第一偏置电阻器被配置成具有与所述第二偏置电阻器的电阻相等的电阻。

15.根据权利要求12所述的方法，还包括：

在所述数目为M的至少一个半导体器件之一的发射极与基极之间耦合电阻为R3的发射极-基极电阻器；

将电流镜耦合到所述第一串联电路布置，所述电流镜按照因子N来减少所述第一串联电路布置产生的所述偏置电流并且提供用于所述比较器的所述偏置电流；以及

其中所述发射极-基极电阻器、所述第一和第二偏置电阻器以及所述第一和第二分压器电阻器的电阻值被配置成基本上满足以下关系：

$[\frac{P\·R1-M\·R2}{R1+R2}+(R4-R5)\·\frac{1}{N\·R3}]=0.$

其中R1和R2分别代表所述第一和第二分压器电阻器的电阻，并且

其中R4和R5分别代表所述第一和第二偏置电阻器的电阻。

16.一种检测欠压条件的方法，包括：

接收输入偏置电压；

将所述输入偏置电压施加到分压器网络，所述分压器网络包括：

第一电路，具有数目为M的半导体器件，其中M至少为一，

第二电路，与所述第一电路串联耦合，所述第二电路包括第一分压器电阻器、第二分压器电阻器和在所述第一分压器电阻器与所述第二分压器电阻器之间的电路节点，以及

第三电路，与所述第一和第二电路串联耦合，所述第三电路具有数目为P的半导体器件，其中P至少为一；

将所述电路节点的电压输出到比较器；

比较所述电路节点的电压与所述比较器中的参考电压；以及

在经缩放的电压降至预定阈值以下时从所述比较器输出欠压条件信号。

17.根据权利要求16所述的检测欠压条件的方法，其中所述P个半导体器件中的至少一个半导体器件和所述M个半导体器件中的至少一个半导体器件以二极管配置耦合。

18.根据权利要求16所述的检测欠压条件的方法，其中M与P之比被配置成等于所述第一分压器电阻器与所述第二分压器电阻器之比。

19.根据权利要求16所述的检测欠压条件的方法，其中所述比较所述缩放电压与所述比较器中的参考电压的步骤还包括：

在所述比较器的第一输入处接收所述经缩放的电压；

在所述比较器的第二输入处接收参考电压；

在所述比较器的电流输入处接收偏置电流；以及

在所述经缩放的电压小于所述参考电压时生成欠压条件信号。

20.根据权利要求17所述的检测欠压条件的方法，其中所述从所述第一电路生成用于比较器的偏置电路的方法步骤还包括：

用来自所述第一电路的第一电流驱动第一电流镜的第一节点；

使用第一电流镜按照因子N来缩放所述第一电流以生成经缩放的电流；以及

将所述经缩放的电流驱动到第二电流镜的一个节点，并且从所述第二电流镜的第二节点生成用于所述比较器的所述偏置电流。

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