CN101520986B - 电致发光显示面板、其驱动方法和电子装置 - Google Patents

Abstract

这里公开了一种具有对应于有源矩阵驱动系统的像素结构的电致发光显示面板，包括：反向偏压电势生成部分，被配置来生成其中反映相应的一个像素的灰度值的反向偏压电势；以及电压施加部分，被配置来施加所述反向偏压电势到驱动晶体管的栅极电极，所述驱动晶体管组成适于用于不发光时间段的操作的像素电路。

Description

电致发光显示面板、其驱动方法和电子装置

技术领域

本发明涉及EL(电致发光)显示面板、电子装置和驱动EL显示面板的方法，并且更具体地涉及通过使用有源矩阵驱动系统驱动和控制的EL显示面板、电子装置和驱动EL显示面板的方法。

背景技术

图1显示了有源矩阵驱动型有机EL显示面板的配置的基本电路块。如图1所示，有机EL显示面板1包括像素阵列部分3、信号写入控制线驱动部分5以及操作为用于驱动该像素阵列部分3的驱动电路的水平选择器7。应该注意，在像素阵列部分3中，像素电路9布置在信号线DTL和写入控制线WSL之间的每个交叉点。

当前，有机EL元件是电流发光元件。为此，对有机EL显示面板采用通过控制流过分别对应于各像素的各有机EL元件的电流量来控制灰度级的驱动系统。

图2显示这种像素电路9的最简单的电路配置之一。该像素电路9包括薄膜晶体管T1和T2以及保持电容器Cs。此后，薄膜晶体管T1被称为“采样晶体管T1”，而薄膜晶体管T2被称为“驱动晶体管T2”。

采样晶体管T1是N沟道薄膜晶体管，用于控制将对应于相应的一个像素的灰度级的信号电势Vsig写入到保持电容器Cs的操作。此外，驱动晶体管T2是P沟道薄膜晶体管，用于基于取决于保持在保持电容器Cs中的信号电势Vsig确定的栅极-源极电压Vgs，提供驱动电流Ids到有机EL元件OLED。

在图2中示出的电路配置的情况下，驱动晶体管T2的源极电极连接到固定地施加电源电势Vcc的电源线，因而驱动晶体管T2经常工作在饱和区域。也就是说，驱动晶体管T2运行为用于提供具有对应于信号电势Vsig的大小的驱动电流Ids到有机EL元件OLED的恒流源。在此情况下，驱动电流Ids由以下等式(1)表示：

Ids＝k·μ·(Vgs-Vth)²/2  ...(1)

其中μ是驱动晶体管T2的多数载流子的迁移率，Vth是驱动晶体管T2的阈值电压，而k是由(W/L)·Cox给出的系数，其中W是沟道宽度，L是沟道长度，而Cox是每单元面积的栅极电容。

应该注意，在具有该配置的像素电路的情况下，已知存在这样的特性，其中驱动晶体管T2的漏极电压随着图3所示的有机EL元件的I-V特性随时间的改变而改变。然而，因为栅极-源极电压Vgs保持恒定，所以提供到有机EL元件的电流量不改变。结果，发光亮度可以保持恒定。

采用有源矩阵驱动系统的有机EL显示面板设备例如在日本专利公开No.2003-255856、2003-271095、2004-133240、2004-029791和2004-093682中描述。

发明内容

现在，取决于在一些情况下薄膜工艺的种类，不能采用图2中所示的电路配置。也就是说，在电流薄膜工艺中，在一些情况下不能采用P沟道薄膜晶体管。在这种情况下，驱动晶体管T2必须用N沟道薄膜晶体管替代。

图4示出了这种像素电路的配置。在此情况下，驱动晶体管T12的源极电极连接到有机EL元件OLED的阳极端子。然而，在该像素电路11的情况下，遇到的问题是栅极-源极电压Vgs随着有机EL元件OLED的I-V特性随时间的改变而改变。栅极-源极电压Vgs的这种改变导致驱动电流量改变，从而改变发光亮度。

此外，包括每个像素电路11的驱动晶体管T2的阈值和迁移率每个像素都不同。像素间驱动晶体管T2的阈值或迁移率的差别以驱动电流值的分散的形式出现，从而使得发光亮度对于每个像素而改变。

因而，图5显示了有机EL面板1的像素电路21和用于驱动该像素电路21的驱动电路之间的连接关系，该像素电路21采用了适于避免包括N沟道薄膜晶体管的驱动晶体管的特性的分散的电路配置。

该像素电路21包括N沟道薄膜晶体管T21、T22、T23、T24和T2以及保持电容器Cs。

应该注意，薄膜晶体管T21(此后称为“第一采样晶体管T21”)运行为用于控制写入信号电势Vsig到保持电容器Cs的操作的开关。薄膜晶体管T22(此后称为“第二采样晶体管T22”)运行为用于控制写入偏置信号电势Vofs到薄膜晶体管T25的栅极电极的操作的开关。

薄膜晶体管T23(此后称为“第一切换晶体管T23”)运行为用于控制提供电源电势Vcc到薄膜晶体管T25的操作的开关。薄膜晶体管T24(此后称为“第二采样晶体管T24”)运行为用于控制提供初始化电势Vss到薄膜晶体管T25的操作的开关。

薄膜晶体管T25(此后称为“驱动晶体管T25”)运行为用于提供驱动电流到处于导通操作阶段的有机EL元件OLED的恒流源。

信号写入控制线驱动部分23、偏置信号线驱动部分25、电源馈送控制开关驱动部分27、初始化控制开关驱动部分29和水平选择器31用来驱动像素电路21。

信号写入控制线驱动部分23是用于控制导通/截止第一采样晶体管T21的操作的驱动电路。

偏置信号线驱动部分25是用于控制导通/截止第二采样晶体管T22的操作的驱动电路。

电源馈送控制开关驱动部分27是用于控制导通/截止第一切换晶体管T23的操作的驱动电路。

初始化控制开关驱动部分29是用于控制导通/截止第二切换晶体管T24的操作的驱动电路。

水平选择器31是用于施加对应于像素数据Din的信号电势Vsig到每条信号线DTL的驱动电路。

图6A到6G是解释使用这些驱动电路23、25、27、29和31的像素电路的操作的时序图。

首先，图7显示处于发光状态的像素电路21中的工作状态。此时，只有第一切换晶体管T23保持为导通状态(图6A到6G中的t1)。另一方面，驱动晶体管T25工作在饱和区域，并且提供具有取决于栅极-源极电压Vgs的大小的驱动电流Ids到有机EL元件OLED。

接下来，将描述处于不发光状态的像素电路21中的工作状态。控制第一切换晶体管T23以便被截止，从而开始不发光状态(图6A到6G中的t2)。也就是说，控制所有的薄膜晶体管T21到T24以便被截止，从而开始不发光状态。通过执行该操作，切断提供到有机EL元件OLED的驱动电流Ids，使得有机EL元件OLED的阳极电势Vel(驱动晶体管T25的源极电势Vs)减小。

在当到达对应于有机EL元件OLED的阈值电压Vthel和阴极电势Vcat的和的电势时的时间点，停止有机EL元件OLED的阳极电势Vel的减小。顺便提及，因为驱动晶体管T25的栅极电极是自由端，所以驱动晶体管T25的栅极电势Vg也连同有机EL元件OLED的阳极电势Vel的减小而减小。

此后，第二采样晶体管T22和第二切换晶体管T24每个从截止状态切换到导通状态，从而开始阈值校正准备操作(图6A到6G中的t3)。

图8显示了在此时间点像素电路21中的连接状态。在此情况下，控制驱动晶体管T25的栅极电势Vg，以便变得等于偏置信号电势Vofs，并且控制驱动晶体管T25的源极电势Vs，以便变得等于初始化电势Vss。也就是说，控制驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs，以便变得等于电压(Vofs-Vss)。设置该电压(Vofs-Vss)处于大于阈值电压Vth的值。因此，使得具有对应于电压(Vofs-Vss)的大小的驱动电流Ids’从电源线(处于Vcc)流入初始化电势线(处于Vss)。

然而，当使得驱动电流Ids’流入有机EL元件OLED时，该有机EL元件OLED发射具有与信号电势Vsig无关的亮度的光。为了处理该情况，设置偏置信号电势Vofs和初始化电势Vss，使得保持有机EL元件OLED的不发光状态。

也就是说，设置初始化电势Vss，使得有机EL元件OLED的阳极电势Vel变得小于有机EL元件OLED的阈值电压Vthel和阴极电势Vcat的和。应该注意，可以首先控制第二采样晶体管T22和第二切换晶体管T24的任何一个，以便被导通。

接下来，仅控制第二切换晶体管T24，以便被截止，并且随后控制第一切换晶体管T23，以便其在第二采样晶体管T22保持控制在导通状态的同时被导通(图6A到6G中的t4)。图9显示在此时间点的像素电路21中的工作状态。要注意，在图9中，有机EL元件OLED以具有二极管和电容器的等价电路的形式显示。

在此情况下，只要维持(Vel≤Vcat+Vthel)的关系(有机EL元件OLED的漏电流的大小显著小于流过驱动晶体管T25的电流的大小)，流过驱动晶体管T25的电流就用来用电流(electricity)充电保持电容器Cs和有机EL元件OLED的寄生电容Cel。

执行该充电操作导致有机EL元件OLED的阳极电势Vel随着时间上升。图10显示了在该充电操作期间、驱动晶体管T25的源极电势Vs随着时间的改变。

应该注意，驱动晶体管T25的源极电势Vs的上升在当驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs到达驱动晶体管T25的阈值电压Vth时的时间点结束。此时，阳极电势Vel满足Vel＝Vofs-Vth≤Vcat+Vthel的关系。该操作是用于驱动晶体管T25的阈值校正操作。此后，首先控制第一切换晶体管T23，以便被截止，并且随后控制第二采样晶体管T22，以便被截止。

以第一切换晶体管T23和第二采样晶体管T22的顺序执行截止控制，从而使得可能抑制驱动晶体管T25的栅极电势Vg的改变。

接下来，仅控制第一采样晶体管T21，以便被导通，从而开始也用作信号写入操作的迁移率校正操作(图6A到6G中的t5)。图11显示在此时间点的像素电路21中的工作状态。此时，驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs由表达式(2)表示：

Vgs＝{Cel/(Cel+Cs+Ctr)}·(Vsig-Vofs)+Vth  ...(2)

这里Cel是有机EL元件OLED的寄生电容，Ctr是驱动晶体管T25的寄生电容，而Cs是保持电容器Cs的电容。

在此情况下，寄生电容Cel大于寄生电容Cs和Ctr的每一个。因此，栅极-源极电压Vgs近似由(Vsig+Vth)给出。

在此状态下，控制第一切换晶体管T23，以便被导通(图6A到6G中的t6)。在此情况下，只要驱动晶体管T25的源极电势Vs不超过有机EL元件OLED的阈值电压Vthel和阴极电势Vcat的和(有机EL元件的漏电流的大小显著小于流过驱动晶体管T25的电流的大小)，流过驱动晶体管T25的电流就用来用电流充电保持电容器Cs和有机EL元件OLED的寄生电容Cel的每一个。

图12显示在此时间点像素电路21中的工作状态。应该注意，在此时间点，用于驱动晶体管T25的阈值校正操作已经完成。为此，流过驱动晶体管T25的电流具有反映迁移率μ的值。

具体地，流过具有大迁移率μ的驱动晶体管T25的电流量变大，因而驱动晶体管T25的源极电势快速上升。

另一方面，流过具有小迁移率μ的驱动晶体管T25的电流量变小，因而驱动晶体管T25的源极电势缓慢上升。

图13显示驱动晶体管T25的源极电压Vs与时间之间的关系。根据该结果，因为迁移率μ反映在栅极-源极电压Vgs中，所以驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs变小。因而，在预定的时间段过去后，驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs收敛为通过完美校正迁移率μ而获得的栅极-源极电压Vgs。

在完成也用作信号写入操作的迁移率校正操作后，控制第一采样晶体管T21，以便被截止。并且控制驱动晶体管T25的栅极电极为自由端。随着该操作，使得用于驱动晶体管T25的驱动电流Ids’流入有机EL元件OLED，使得有机EL元件OLED开始用对应于驱动电流的值的亮度发光。应该注意，驱动晶体管T25的源极电势Vs上升到对应于流过有机EL元件OLED的驱动电流的值的电压Vx(图6A到6G中的t7)。

图14显示在此时间点像素电路21中的工作状态。

应该注意，同样在这里陈述的像素电路21的情况下，有机EL元件OLED的I-V特性本身随着发光时间段变长而改变。也就是说，电压Vx也改变。

然而，在该电路配置的情况下，因为驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs保持恒定，所以流过有机EL元件OLED的电流值不变。

也就是说，即使当有机EL元件OLED的I-V特性随时间的变化而改变时，恒定的电流Ids’通常也继续流过驱动晶体管T25。结果，有机EL元件OLED的亮度可以保持恒定。

实际上，图5中示出的驱动电路21有效地对抗有机EL元件OLED的特性变化而运行。

然而，出于其它原因，存在亮度由于时间变化而改变的可能性。这种改变是构成像素电路21的薄膜晶体管T21到T25的每个阈值电压的改变。

图15A显示当正偏压连续地施加到薄膜晶体管的栅极电极时、薄膜晶体管的阈值电压具有的一般偏压特性的改变。此外，图15B显示当负偏压连续地施加到薄膜晶体管的栅极电极时、薄膜晶体管的阈值电压具有的一般偏压特性的改变。

如图15A所示，在薄膜晶体管中识别出其中薄膜晶体管的阈值电压Vth在连续施加正偏压的阶段中在正方向移动的特性。另一方面，如图15B所示，在薄膜晶体管中识别出其中薄膜晶体管的阈值电压Vth在连续施加负偏压的阶段中在负方向移动的特性。

在图5中示出的电路配置的情况下，在一帧中，正偏压和负偏压交替施加到薄膜晶体管T21到T24的每一个。因此，薄膜晶体管T21到T24的阈值电压Vth的每一个的变化不大。

然而，在通常向其施加正偏压的状态下，只驱动驱动晶体管T25。结果，在正方向只有驱动晶体管T25的阈值电压Vth改变大。具体地，当在驱动晶体管T25的形成中使用无定形硅工艺时，驱动晶体管T25的阈值电压Vth的变化量容易随着时间的流逝而变得非常大。

另一方面，在图5所示的像素电路21的情况下，在对驱动晶体管T25的阈值校正操作之前，驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs需要被控制为变得等于或大于阈值电压Vth。

这是因为当栅极-源极电压Vgs等于或小于阈值电压Vth时，使得只有漏电流作为通过驱动晶体管T25的电流流动，因而驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs几乎不从电压(Vofs-Vss)改变。然而，当阈值电压Vth以此方式变化大时，担心不能实现阈值校正的前提条件。结果，不可能正常地执行对驱动晶体管T25的阈值校正操作。

为了处理这种情况，期望驱动系统的应用使得如图16A到16G中的时间段t2所示，在不发光时段的开始阶段施加负偏压到驱动晶体管T25，从而尽可能地减少阈值电压的改变。应该注意，在图16A到16G中所示的时序图的情况下，对于该时间段t2，控制第二采样晶体管T22以便被导通，并且控制驱动晶体管T25的栅极电势Vg以便变得等于偏置电势Vofs，从而执行上述驱动系统中的操作。

然而，使用在图16A到16G中所示的时序图中示出的驱动系统，在黑显示的阶段以及在白显示阶段，反向偏压的值通常固定在相同的值。也就是说，在白显示的阶段在负方向中的阈值电压Vth的改变量等于在黑显示的阶段在负方向中的阈值电压Vth的改变量。另一方面，在白显示的阶段在正方向中的阈值电压Vth的改变量不同于在黑显示的阶段在正方向中的阈值电压Vth的改变量。为此，即使在图5所示的像素电路21的情况下，也存在原则上不能避免随着时间的流逝老化(burn-in)的产生的问题。

有鉴于此，因此希望提供其中像素电路的特性存在较少劣化的EL显示面板、包括该EL显示面板的电子装置、以及驱动该EL显示设备的方法。

为了获得上述期望，根据本发明的实施例，提供一种具有对应于有源矩阵驱动系统的像素结构的EL显示面板，包括：反向偏压电势生成部分，被配置来生成其中反映相应的一个像素的灰度值的反向偏压电势；以及电压施加部分，被配置来施加所述反向偏压电势到驱动晶体管的栅极电极，所述驱动晶体管组成适于用于不发光时间段的工作的像素电路。

这里，对应于高亮度的反向偏压电压优选地设置为大于对应于低亮度的反向偏压电压的电压。原因是因为在正方向的阈值电压的移动量随着亮度变大而变大，因而为了抵消这种情况，需要使得在负方向的阈值电压的移动量更大。

应该注意，反向偏压电势的施加可以通过专用线执行，或可以通过共享施加信号电势的信号线执行。在此情况下，当反向偏压电势的施加通过共享所述信号线执行时，反向偏压电势和所述信号电势不得不以时分方式提供到所述信号线。

此外，当发光时间段在一个帧时间段占据的长度的占空(duty)可切换时，反向偏压电势改变的宽度优选地设置为与发光时间段的占空成反比。也就是说，当发光时间段的占空长时(不发光时间段短)，优选地使得反向偏压电势改变的宽度大，而发光时间段的占空短时(不发光时间段长)，优选地使得反向偏压电势改变的宽度小。通过执行这种控制操作，可能相互平衡在正方向的阈值电压Vth的改变量和在正负方向的阈值电压Vth的改变量。

根据本发明的另一实施例，提供一种电子装置，包括：具有对应于有源矩阵驱动系统的像素结构的EL显示面板；反向偏压电势生成部分，被配置来生成其中反映相应的一个像素的灰度值的反向偏压电势；以及电压施加部分，被配置来施加所述反向偏压电势到驱动晶体管的栅极电极，所述驱动晶体管组成适于用于不发光时间段的操作的像素电路；系统控制部分，被配置来控制整个系统的操作；以及操纵输入部分，被配置来接收到系统控制部分的操纵输入。

根据本发明的另一实施例，提供一种驱动具有对应于有源矩阵驱动系统的像素结构的EL显示面板的方法，所述方法包括以下步骤：生成其中反映相应的一个像素的灰度值的反向偏压电势；并且施加所述反向偏压电势到驱动晶体管的栅极电极，所述驱动晶体管组成适于用于不发光时间段的操作的像素电路。

根据本发明，设置了其中反映相应的一个像素的灰度值的反向电势(根据结果为反向偏压电压)。因而，可以进行该设置，使得在正方向上一个帧内的阈值电压的改变量可以与在负方向上一个帧内的阈值电压的改变量抵消。也就是说，可以执行该控制，使得在驱动晶体管中不出现随时间的改变，或在驱动晶体管中出现的随时间的改变非常小。结果，可能实现其中几乎不出现由于像素的亮度而导致的非均匀性的EL显示面板。

附图说明

图1是说明在现有技术中的有机EL面板的配置的功能块的方块图；

图2是分块说明现有技术中的像素电路和驱动电路之间的连接关系的电路图；

图3是说明现有技术中的有机EL元件的I-V特性随时间的改变的图形表示；

图4是分块说明现有技术中的像素电路和驱动电路之间的另一连接关系的电路图；

图5是分块说明现有技术中的像素电路和驱动电路之间的另一连接关系的电路图；

图6A到6G是显示现有技术中图5中示出的像素电路的驱动操作的时序图；

图7到9是说明图5中示出的像素电路的操作状态的电路图；

图10是说明驱动晶体管的源极电势随时间的改变的图形表示；

图11和12是说明图5中示出的像素电路的操作状态的电路图；

图13是说明由于迁移率的差别导致的、驱动晶体管的源极电压随时间的改变的差别的图形表示；

图14是说明图5中示出的像素电路的操作状态的电路图；

图15A和15B分别是说明在正偏压的施加阶段中驱动晶体管的阈值电压随时间改变的现象的图形表示，以及说明在负偏压的施加阶段中驱动晶体管的阈值电压随时间改变的现象的图形表示；

图16A到16G是说明施加固定的反向偏压电压的驱动方法的时序图；

图17是显示有机EL显示面板的外观的结构的视图；

图18是显示根据本发明的第一实施例的有机EL显示面板的系统配置的方块图；

图19是说明图18所示的有机EL显示面板中的像素电路和每个驱动电路之间的连接关系的方块图；

图20是分块显示本发明的第一实施例中的像素电路的配置的电路图；

图21是显示本发明的第一实施例的有机EL显示面板中的水平选择器的配置的方块图；

图22A到22C每一个分别是显示根据信号电势生成的反向偏压电势和反向偏压电压的大小之间的关系的图；

图23A到23G是显示用于驱动图20所示的像素电路的操作的时序图；

图24和25是说明图20所示的像素电路中的操作状态的电路图；

图26A到26C每一个分别是显示对应于一帧时间段内的发光时间段的长度的占空的反向偏压电势的设置的图；

图27到31是说明图20所示的像素电路中的操作状态的电路图；

图32是显示根据本发明的第二实施例的有机EL显示面板的配置的方块图；

图33是显示图32所示的有机EL显示面板中的像素电路和每个驱动电路之间的连接关系的方块图；

图34是分块显示本发明的第二实施例中的像素电路的配置的电路图；

图35是显示本发明的第二实施例的有机EL显示面板中的水平选择器的配置的方块图；

图36A到36E是显示用于驱动图34所示的像素电路的操作的时序图；

图37到47是说明图34所示的像素电路中的操作状态的电路图；

图48是显示根据本发明的第三实施例的有机EL显示面板的配置的方块图；

图49是显示图48所示的有机EL显示面板中的像素电路和每个驱动电路之间的连接关系的方块图；

图50是分块显示本发明的第三实施例中的像素电路的配置的电路图；

图51是显示本发明的第三实施例的有机EL显示面板中的水平选择器的配置的方块图；

图52A到52E是显示用于驱动图50所示的像素电路的操作的时序图；

图53到58是说明图50所示的像素电路中的操作状态的电路图；

图59A到60B分别是说明当以两个阶段执行迁移率校正时的效果的图形表示；

图61是说明图50所示的像素电路中的操作状态的电路图；

图62是分块显示本发明的另一实施例的有机EL显示面板中的像素电路的配置的电路图；

图63是显示本发明的另一实施例的有机EL显示面板中的水平选择器的配置的方块图；

图64是显示根据本发明的另一实施例的有机EL显示面板中的水平选择器的配置的方块图；

图65A和65B分别是说明对应于第二实施例的、当以两个阶段执行迁移率校正时的驱动操作的图形表示；

图66A和66B分别是说明对应于该描述的、当以两个阶段执行迁移率校正时的驱动操作的图形表示；

图67是显示电子装置的概念配置的方块图；

图68是显示电子装置的产品的示例的透视图；

图69A和69B分别是显示当从前端观看时的电子装置的产品的另一示例的透视图，以及显示当从后端观看时的电子装置的产品的另一示例的透视图；

图70是显示电子装置的产品的另一示例的透视图；

图71A到71G分别是处于打开状态的电子装置的产品的另一示例的正视图、其处于打开状态的侧视图、其处于关闭状态的正视图、其处于关闭状态的左视图、其处于关闭状态的右视图、其处于关闭状态的顶视图、以及其处于关闭状态的仰视图；以及

图72是显示电子装置的产品的另一示例的透视图。

具体实施方式

下文中，将给出关于其中本发明的各实施例应用于有源矩阵驱动型有机EL显示面板的情况的描述。

应该注意，公知或已知的技术被应用到在本说明书中没有具体说明或描述的部分。此外，下面将描述的各实施例仅仅是本发明的说明，因而本发明绝不限于此。

(A)外观的结构

注意到，在本说明书中，不但通过利用相同的半导体工艺在同一基底上形成像素阵列部分和驱动电路的显示面板、而且在其上形成有像素阵列部分的基底上安装例如制造为专用定向IC的驱动电路的面板的每一个都称为有机EL显示面板。

图17显示了有机EL显示面板的外观的结构。

有机EL显示面板41具有这种结构，其中背面部分45粘贴到支撑基底43的像素阵列部分的形成区域。

支撑基底43由玻璃、塑料或任何其它合适的基底制成，并且具有有机EL层、保护膜等层压在支撑基底43的表面上的结构。玻璃、塑料或任何其它合适的透明体用作用于背面部分45的基底。应该注意，柔性印刷电路(FPC)板47布置在有机EL面板41中，通过该柔性印刷电路板47从外部将信号等输入支撑基底43/将信号等从支撑基底43输出到外部。

(B)第一实施例

(B-1)系统配置

下文中将详细描述有机EL显示面板41的第一实施例，其中可以使得反向电压根据信号电势Vsig可变。

图18显示第一实施例的有机EL显示面板41的系统配置。图18中示出的有机EL显示面板41包括：像素阵列部分51；用作像素阵列部分51的驱动电路的信号写入控制线驱动部分53、偏置信号线驱动部分55、电源馈送控制开关驱动部分57、初始化控制开关驱动部分59和水平选择器61；以及时序发生器63。

像素阵列部分51具有矩阵结构，其中各子像素分别布置在各信号线DTL和各写入控制线WSL之间的交叉位置。在此连接中，子像素是构成一个像素的像素结构的最小单元。例如，作为写入单元的一个像素包括由不同有机EL材料制成的、分别对应于三原色R(红色)、G(绿色)和B(蓝色)的三个子像素。

图19显示了分别对应于各子像素的像素电路71和驱动电路53、55、57、59和61的每个之间的连接关系。此外，图20显示了在第一实施例的有机EL显示面板41中的像素电路71的内部配置。应该注意，像素电路71与图5中所示的像素电路21相同，因为像素电路71包括五个N沟道薄膜晶体管T21、T22、T23、T24和T25、保持电容器Cs、以及有机EL元件OLED。

信号写入控制线驱动部分53是通过其控制N沟道薄膜晶体管T21(下文中称为“第一采样晶体管T21”)以便导通/截止的驱动电路。当控制第一采样晶体管T21以便导通时，相应的一个信号线DTL的信号电势(在本说明书中也称为“信号线电势”)被施加到驱动晶体管T25的栅极电极。

偏置信号线驱动部分55是通过其控制N沟道薄膜晶体管T22(下文中称为“第二采样晶体管T22”)以便导通/截止的驱动电路。当控制第二采样晶体管T22以便导通时，偏置电势Vofs被施加到驱动晶体管T25的栅极电极。

电源馈送控制开关驱动部分57是通过其控制N沟道薄膜晶体管T23(下文中称为“第一切换晶体管T23”)以便导通/截止的驱动电路。当控制第一切换晶体管T23以便导通时，高驱动电势(也就是说，电源电势Vcc)被施加到驱动晶体管T25的漏极电极。

初始化控制开关驱动部分59是通过其控制N沟道薄膜晶体管T24(下文中称为“第二切换晶体管T24”)以便导通/截止的驱动电路。当控制第二切换晶体管T24以便导通时，低驱动电势(也就是说，初始化电势Vss)被施加到驱动晶体管T25的源极电极。

这些驱动部分53、55、57和59的每个包括具有其数目对应于垂直分辨率的输出级的移位寄存器。因而，驱动部分53、55、57和59的每个根据从时序发生器63提供到其的时序信号，输出需要的驱动脉冲到相应的一个控制线。

水平选择器61是驱动电路，通过其以时分方式将对应于像素数据Din的信号电势Vsig或对应于该信号电势Vsig的反向偏压电势Vini施加到信号线DTL。

时序发生器63生成驱动写入控制线WSL、信号线DTL、电源馈送控制线VSSL和初始化控制线RSL所需的时序脉冲。

(B-2)水平选择器的配置

图21显示了作为第一实施例的有机EL显示设备中的关键设备的水平选择器61的电路配置。

水平选择器61包括可编程逻辑设备81、存储器83、移位寄存器91和101、锁存器电路93和103、D/A转换电路95和105、缓冲器电路91和107、以及选择器111。

在这些构成元件中，处于反向偏压电势系统(Vini系统)中的可编程逻辑设备81、移位寄存器101、锁存器103、D/A转换电路105和缓冲器电路107对应于权利要求所述的“反向偏压电势生成部分”。此外，选择器111对应于权利要求所述的“电压施加部分”。

可编程逻辑设备81是用于生成对应于反向偏压电势Vini的像素数据Din’(灰度值)的电路设备。

在第一实施例的情况下，当不发光时间段在多个水平扫描时间段上延伸时使用存储器83。因此，当对于一个水平扫描时间段执行从截止操作到用于不发光时间段的各种校正操作的全部操作时，也希望在水平选择器61中不安装存储器83。

可编程逻辑设备81在通过从存储器83读出像素数据Din来调整用于施加反向偏压电势Vini的时序、和用于施加信号电势Vsig的时序之间的时间差的同时操作。

这里，可编程逻辑设备81直接将从存储器83的相应区域读出的像素数据Din输出到信号电势系统(Vsig系统)。另一方面，可编程逻辑设备81将基于从存储器83的相应区域读出的像素数据Din生成的像素数据Din’(灰度值)输出到反向偏压电势系统(Vini系统)。

然而，希望如此生成的反向偏压电势Vini等于或小于有机EL元件OLED的阴极电势Vcat、阈值电压Vthel和驱动晶体管T25的阈值电压Vth的总和(Vcat+Vthel+Vth)。该希望是出于停止有机EL元件OLED的发光的目的。

此外，对于生成的反向偏压电势Vini希望反向偏压电压随着亮度的变高而变大。也就是说，希望反向偏压电势Vini随着有机EL元件OLED的发光亮度变高而变小。图22A到22C的每个是显示信号电势Vsig和与其对应的反向偏压电势Vini之间的对应关系的图。

图22A显示对应于黑显示(信号电势Vsig的最小值)的反向偏压电势Vini的生成的示例。图22B显示对于中间亮度显示(信号电势Vsig的中间值)的反向偏压电势Vini的生成的示例。此外，图22C显示对应于白显示(信号电势Vsig的最大值)的反向偏压电势Vini的生成的示例。

在第一实施例的情况下，根据表达式(3)，可编程逻辑设备81生成对应于反向偏压电势Vini的像素数据Din’：

Din’＝Dthel+Dcat-(αDin+β)  ...(3)

其中Dthel是对应于有机EL元件OLED的阈值电压Vthel的数值，Dcat是对应于阴极电势Vcat的数值，而α和β分别是系数。在此情况下，分别为系数α和β预先设置满足α＞0和β≥0的关系的值。

可编程逻辑设备81通过将输入或读出的像素数据Din替换到表达式(3)，分别计算对应于信号电势Vsig的反向偏压电势Vini的像素数据Din’。

结果，施加到相应的一个信号线DTL的反向偏压电势Vini满足表达式(4)：

Vini＝Vthel+Vcat-(αVsig+β)(α＞和β≥0)  ...(4)

当然，反向偏压电势Vini满足上面的条件，因为其小于电势(Vcat+Vthel+Vth)。此外，反向偏压电势Vini也满足随着信号电势Vsig变大反向偏压电势Vini变小的条件。

移位寄存器91和101分别是用于给出输出像素数据Din和Din’的时序的电路设备。

锁存器电路93和103分别是用于保持像素数据Din和Din’、以用于调整像素数据Din和Din’的输出时序的存储设备。

D/A转换电路95和105是用于将输入到其的数字信号转换为模拟信号的电路设备。顺便提及，负压电源用于Vini系统的D/A转换电路105。

缓冲器电路97和107分别是用于将来自D/A转换电路95和105的模拟信号转换为每个具有适于驱动像素电路的信号水平的模拟信号的电路设备。

选择器111是用于以时间顺序的方式、在一个水平扫描时间段内输出反向偏压电势Vini和信号电势Vsig的电路设备。

(B-3)驱动操作

图23A到23G是显示用于驱动图20所示的像素电路的操作的时序图。

首先，图24显示处于发光状态的像素电路71内的操作状态。此时，只有第一切换晶体管T23保持处于导通状态(图23A到23G中的t1)。另一方面，驱动晶体管T25工作在饱和区域，并且将具有取决于驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs的大小的驱动电流Ids提供到有机EL元件OLED。

接下来，将描述处于不发光状态的像素电路71的操作状态。在第一切换晶体管T23保持处于导通状态的同时，重新控制第一采样晶体管T21以便被导通，从而开始不发光状态(图23A到23G中的t2)。此时，施加反向偏压电势Vini到相应的一个信号线DTL。

通过执行该操作，控制驱动晶体管T25的栅极电势Vg以便变为反向偏压电势Vini。图25显示了在此时间点像素电路71内的操作状态。

此时，驱动晶体管T25的源极电势Vs通过保持电容器Cs的耦合操作降低。在源极电势Vs的这种改变期间，驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs变得等于或低于阈值电压Vth。结果，有机EL元件OLED的操作状态从发光状态切换到不发光状态。

应该注意，当耦合操作完成后驱动晶体管T25的源极电势Vs(有机EL元件OLED的阳极电势Vel)等于或小于有机EL元件OLED的阈值电压Vthel和阴极电势Vcat的和时，驱动晶体管T25的源极电势Vs保持原样

另一方面，当耦合操作完成后驱动晶体管T25的源极电势Vs等于或大于有机EL元件OLED的阈值电压Vthel和阴极电势Vcat的和时，由于聚集在有机EL元件OLED中的电荷的放电，驱动晶体管T25的源极电势Vs收敛于电势(Vthel+Vcat)。图25显示了其中当耦合操作完成后驱动晶体管T25的源极电势Vs收敛于电势(Vthel+Vcat)时的状态。

也就是说，施加电源电势Vcc到驱动晶体管T25的漏极电极，施加反向偏压电势Vini到驱动晶体管T25的栅极电极，并且施加电势(Vthel+Vcat)到驱动晶体管T25的源极电极。如此生成的状态意味着施加反向电压到驱动晶体管T25。

此外，如前所述，随后写入到像素电路71的信号电势Vsig的大小反映在这里所述的反向电势Vini中。也就是说，当随后写入到像素电路71的信号电势Vsig是黑显示电势时，反向偏压电压相应地变小，而当信号电势Vsig是白显示电势时，反向偏压电压相应地变大。

结果，在正方向上对发光时间段引起的阈值电压Vth的变化量可以用反向偏压电压校正，该反向偏压电压在同一帧内对不发光时间段施加到驱动晶体管T25的栅极电极。

应该注意，在像素电路71的情况下，可以使得一帧时间段内的发光时间的占空根据对第一切换晶体管T23的导通/截止控制可变。此外，假设即使当对这种发光时间段的长度的可变控制不是主动地执行时，一帧时间段内的发光时间的占空也取决于显示系统而不同。

当然，当一帧时间段内的发光时间的占空大时，在正方向上的阈值电压Vth的改变量相应地增加。因此，在此情况下，优选的是减小反向偏压电势Vini，从而施加更大的反向偏压电压到驱动晶体管T25的栅极电极。

另一方面，当发光时间的占空小时，阈值电压Vth的改变量相应地减小。因此，在此情况下，优选的是增加反向偏压电势Vini，从而施加更小的反向偏压电压到驱动晶体管T25的栅极电极。对应于发光时间的占空的反向偏压电势Vini之间的设置关系分别在图26A到26C中示例。在这些图的每一个中，实线指示当发光时间段短时反向电势Vini的生成的示例。此外，虚线指示当发光时间段长时反向电势Vini的生成的示例。

此后，控制第一采样晶体管T21和第一切换晶体管T23的每一个，以便被截止，并且第二采样晶体管T22和第二切换晶体管T24的每个的状态从截止状态切换到导通状态。通过执行该操作，开始阈值校正准备操作(图23A到23G中的t3)。

图27显示在此时间点像素电路71内的连接状态。在此情况下，控制驱动晶体管T25的栅极电势Vg和源极电势Vs，以便变得分别等于偏置电势Vofs和初始化电势Vss。也就是说，控制驱动晶体管T25的栅极-源极电势Vgs，以便变得等于电压(Vofs-Vss)。设置该电压(Vofs-Vss)为大于阈值电压Vth的值。结果，使得具有对应于电压(Vofs-Vss)的大小的驱动电流Ids’从电源电势线(处于Vcc)流入初始化电势线(处于Vss)。

然而，当使得驱动电流Ids’流过有机EL元件OLED时，该有机EL元件OLED发射具有与信号电势Vsig无关的亮度的光。为了处理该情况，为了保持有机EL元件OLED处于不发光状态的目的，设置偏置电势Vofs和初始化电势Vss两者。

也就是说，设置有机EL元件OLED的阳极电势Vel，以便变得小于有机EL元件OLED的阈值电压Vthel和阴极电势Vcat的和。应该注意，可以首先控制第二采样晶体管T22和第二切换晶体管T24的任何一个以便被导通。

接下来，仅控制第二切换晶体管T24，以便在第二采样晶体管T22保持处于导通状态的同时被截止(图23A到23G中的t4)。图28显示了在此时间点像素电路71内的操作状态。应该注意，在图28中，有机EL元件OLED以具有二极管和电容器的等价电路的形式显示。

在此情况下，只要维持(Vel≤Vcat+Vthel)的关系(有机EL元件OLED的漏电流显著小于流过驱动晶体管T25的电流)，流过驱动晶体管T25的电流就被用来用电流充电保持电容器Cs和有机EL元件OLED的寄生电容Cel。

通过执行该充电操作，阳极电势Vel随着时间上升。

应该注意，驱动晶体管T25的源极电势Vs的上升在当驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs到达驱动晶体管T25的阈值电压Vth时的时间点结束。此时，阳极电势Vel满足Vel＝Vofs-Vth≤Vcat+Vthel的关系。该操作是对驱动晶体管T25的阈值校正操作。此后，首先控制第一切换晶体管T23，以便被截止，并且随后控制第二采样晶体管T22，以便被截止。

以此顺序执行第一切换晶体管T23和第二采样晶体管T22的截止控制，从而使得可能抑制驱动晶体管T25的栅极电势Vg的改变。

接下来，仅重新控制第一采样晶体管T21，以便被导通，从而开始也用作信号写入操作的迁移率校正操作(图23A到23G中的t5)。图29显示在此时间点像素电路71内的操作状态。此时，驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs由表达式(5)表示：

Vgs＝{Cel/(Cel+Cs+Ctr)}·(Vsig-Vofs)+Vth  ...(5)

其中Cel是有机EL元件OLED的寄生电容，Ctr是驱动晶体管T25的寄生电容，而Cs是保持电容器Cs的电容。

在此情况下，寄生电容Cel大于寄生电容Cs和Ctr的每个。因此，栅极-源极电压Vgs近似地由(Vsig+Vth)给出。

在此状态下，重新控制第一切换晶体管T23，以便被导通(图23A到23G中的t6)。同样在此情况下，只要驱动晶体管T25的源极电势Vs没有超过有机EL元件OLED的阈值电压Vthel和阴极电势Vcat的和(有机EL元件OLED的漏电流的大小显著小于流过驱动晶体管T25的电流的大小)，流过驱动晶体管T25的电流就用来用电流充电保持电容器Cs和有机EL元件OLED的寄生电容Cel的每一个。

图30显示在此时间点像素电路71内的操作状态。应该注意，在此时间点，对驱动晶体管T25的阈值校正操作已经完成。为此，流过驱动晶体管T25的电流具有其中反映迁移率μ的值。

具体地，流过具有大迁移率μ的驱动晶体管T25的电流量变大，因而驱动晶体管T25的源极电势Vs快速地上升。

另一方面，流过具有小迁移率μ的驱动晶体管T25的电流量变小，因而驱动晶体管T25的源极电势Vs缓慢地上升。

结果，因为迁移率μ反映在其中，所以驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs降低。因而，在给定时间流逝后，驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs收敛于通过完美地校正迁移率μ而获得的栅极-源极电压Vgs。

在也用作信号写入操作的迁移率校正操作完成后，控制第一采样晶体管T21，以便被截止，并且控制驱动晶体管T25的栅极电极作为自由端。随着该操作，使得驱动晶体管T25的驱动电流Ids’流入有机EL元件OLED，使得有机EL元件OLED开始用对应于驱动电流的值的亮度发光。应该注意，驱动晶体管T25的源极电势Vs上升到对应于流过有机EL元件OLED的驱动电流的值的电压Vx(图23A到 23G中的t7)。

图31显示在此时间点像素电路71内的操作状态。

应该注意，同样，在此陈述的像素电路71的情况下，有机EL元件OLED的I-V特性本身随着发光时间段变长而改变。也就是说，电压Vx也改变。

然而，在此电路配置的情况下，因为驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs保持恒定，所以流过有机EL元件OLED的电流值不改变。

也就是说，即使当有机EL元件OLED的I-V特性随时间改变而改变时，恒定的电流Ids’通常也继续流过驱动晶体管T25。结果，有机EL元件OLED的亮度可以保持恒定。

(B-4)结论

如上所述，根据信号电势Vsig的大小设置反向偏压电压，这导致一帧时间段内在正方向上的阈值电压Vth的改变量、以及一帧时间段内在负方向上的阈值电压Vth的改变量可以相互均衡(equalize)。

结果，可能减小在驱动晶体管T25的阈值电压Vth中生成的改变，并且可能减小各像素的阈值电压Vth的分散。这意味着可能有效地抑制在各像素之间出现亮度差别的现象(老化现象)。结果，可能实现即使当使用时间变长时、也几乎不出现亮度的不均匀的有机EL显示面板。

此外，在该驱动系统的情况下，在阈值校正准备之前，不必使得驱动晶体管T25的源极电势Vs上升。为此，该驱动系统在有机EL显示面板的成本节约上也是有效的。

此外，在该驱动系统的情况下，将具有大的阈值电压Vth改变量的无定形硅系统工艺应用到有机EL显示面板的制造是有利的。

(C)第二实施例

(C-1)系统配置

在第二实施例中，现在将给出关于有机EL显示面板的描述，其中像素电路包括两个N沟道薄膜晶体管、保持电容器Cs和有机EL显示元件OLED。

图32显示有机EL显示面板41的系统配置。图32所示的有机EL显示面板41包括像素阵列部分121、操作为用于像素阵列部分121的驱动电路的信号写入控制线驱动部分123、电流供应线驱动部分125和水平选择器127、以及时序发生器129。

第二实施例的像素阵列部分121也具有矩阵结构，其中子像素布置在各信号线DTL和各写入控制线WSL之间的每个交叉位置。然而，第二实施例不同于第一实施例在于构成子像素(像素电路)的N沟道薄膜晶体管的数量是两个。

图33显示分别对应于各子像素的像素电路131和驱动电路123、125和127的每个之间的连接关系。此外，图34显示第二实施例的有机EL显示面板41中的像素电路131的内部配置。像素电路131包括两个N沟道薄膜晶体管T31和T32、保持电容器Cs和有机EL元件OLED。

这些构成元件中，薄膜晶体管T31(下文中称为“采样晶体管T31”)操作为用于控制将对应的一个信号线DTL的电势(第二实施例中的信号显示Vsig、反向偏压电势Vini或偏置信号电势Vofs)写入到薄膜晶体管T32的栅极电极的操作的开关。

薄膜晶体管T32(下文中称为“驱动晶体管T32”)操作为用于在其导通状态阶段提供驱动电流量到有机EL元件OLED的恒流源。

在第二实施例的情况下，信号写入控制线驱动部分123、电流供应线驱动部分125和水平选择器127用来驱动像素电路131。

信号写入控制线驱动部分123是通过其控制采样晶体管T31以便被导通/截止的驱动电路。当控制采样晶体管T31以便被导通时，对应的一个信号线DTL的电势被施加到驱动晶体管T32的栅极电极。

电流供应线驱动部分125是通过其用两种高电势Vcc和低电势Vss驱动对应的一个电流供应线DSL的驱动电路。在第二实施例的情况下，在一帧时间段内至少设置一次低电势时间段。

这些驱动电路123和125的每个包括具有其数目对应于垂直分辨率的输出级的移位寄存器。因而，驱动电路123和125的每个根据从时序发生器129提供到其的时序信号，输出需要的驱动脉冲到对应的一个控制线。

水平选择器127是驱动电路，在一个水平扫描时间段作为一个时段的情况下，通过水平选择器127将对应于像素数据Din的信号电势Vsig、对应于信号电势Vsig的反向偏压电势Vini、以及偏置信号电势Vofs的任一个输出到对应的一个信号线DTL。尽管输出信号电势Vsig、反向偏压电势Vini和偏置信号电势Vofs的顺序是任意设置的，但是在第二实施例中，以反向偏压电势Vini、偏置信号电势Vofs和信号电势Vsig的顺序输出。

时序发生器129是用于生成驱动写入控制线WSL和电流供应线DSL所需的时序脉冲的电路设备。

(C-2)水平选择器的配置

图35显示了作为第二实施例的有机EL显示面板41中的关键设备的水平选择器127的电路配置。水平选择器127在基本配置上与之前在第一实施例中描述的水平选择器61相同。因此，在图35中，对应于图21所示的各部分的那些部分分别用相同的参考标号表示。

水平选择器127包括可编程逻辑设备81、存储器83、移位寄存器91和101、锁存器电路93和103、D/A转换电路95和105、缓冲器电路97和107、以及选择器141。

在这些构成部分中，水平选择器127中新颖的构成部分只是选择器141。第二实施例中的选择器141不同于第一实施例中的选择器111在于：对于一个水平扫描时间段，反向偏压电势Vini、偏置信号电势Vofs和信号电势Vsig以时序方式在之前设置的时序处输出。应该注意，偏置信号电势Vofs是从外部电压源提供的固定电压。

(C-3)驱动操作

图36A到36E是显示图34所示的像素电路131的驱动操作的时序图。关于这一点，施加到对应的一个电流供应线DSL的两种电源电势的高电势(发光电势)用参考标号Vcc表示，而其低电势(不发光电势)用参考标号Vss表示。

注意到，图36A显示了提供到对应的一个写入控制线WSL的驱动脉冲的波形。这里，图36A到36E显示其中对于多个水平扫描时间段、分开执行阈值校正准备操作或阈值校正操作的示例。图36B显示了施加到对应的一个电流供应线DSL的驱动脉冲的波形。图36C显示施加到对应的一个信号线DTL的电势的波形。图36D显示驱动晶体管T32的栅极电势Vg的波形。此外，图36E显示驱动晶体管T32的源极电势Vs的波形。

首先，图37显示处于发光状态的像素电路131内的操作状态。此时，电流供应线DSL保持在高电势Vcc，并且控制采样晶体管T31以便保持在截止状态(图36A到36E中的t1)。

当然，在发光阶段中的驱动晶体管T32工作在饱和区域。因此，取决于栅极-源极电压Vgs确定的电流Ids从驱动晶体管T32提供到有机EL元件OLED。

接下来，将描述处于不发光状态的像素电路131的操作状态。在电流供应线DSL保持处于高电势Vcc的同时，重新控制采样晶体管T21以便被导通，从而开始不发光时间段(图36A到36E中的t2)。此时，施加反向偏压电势Vini到信号线DTL。

通过执行该操作，控制驱动晶体管T32的栅极电势Vg以便变为等于反向偏压电势Vini。图38显示了在此时间点像素电路131内的操作状态。

此时，驱动晶体管T32的源极电势Vs通过保持电容器Cs的耦合操作降低。在驱动晶体管T32的源极电势Vs的这种改变期间，驱动晶体管T32的栅极-源极电压Vgs变得等于或小于阈值电压Vth，这导致有机EL元件OLED的状态从发光状态切换到不发光状态。

同样在像素电路131的情况下，当在耦合操作完成后驱动晶体管T32的源极电势Vs(有机EL元件OLED的阳极电势Vel)等于或小于有机EL元件OLED的阈值电压Vthel和阴极电势Vcat的和时，驱动晶体管T32的源极电势Vs保持原样。

另一方面，当耦合操作完成后驱动晶体管T32的源极电势Vs等于或大于有机EL元件OLED的阈值电压Vthel和阴极电势Vcat的和时，由于聚集在有机EL元件OLED中的电荷的放电，驱动晶体管T32的源极电势Vs收敛于电势(Vthel+Vcat)。图38显示了其中驱动晶体管T32的源极电势Vs收敛于电势(Vthel+Vcat)时的状态。

也就是说，控制驱动晶体管T32以便设置在施加反向偏压电压的状态。当然，以这种方式控制这里所述的反向电压，使得随后将写入到驱动晶体管T32的栅极电极的信号电势Vsig的大小反映在反向电压中。例如，当随后将写入到驱动晶体管T32的栅极电极的信号电势Vsig是黑显示电势时，相应控制反向电压以便因此具有小的值，而当随后将写入到驱动晶体管T32的栅极电极的信号电势Vsig是白显示电势时，相应控制反向电压以便具有大于反向偏压电势的值。

结果，同样在第二实施例的像素电路131的情况下，在正方向上对发光时间段引起的阈值电压Vth的变化量可以用反向偏压电压校正，该反向偏压电压在同一帧内对不发光时间段施加到驱动晶体管T32的栅极。

当然，同样在此情况下，优选地、最佳地考虑到发光时间在一帧时间段中占据的占空等设置反向偏压电压的大小。

应该注意，在反向偏压电势Vini写入到驱动晶体管T32的栅极电极后，如图39所示，在信号线DTL的另一电势写入到驱动晶体管T32的栅极电极之前，控制采样晶体管T31以便被截止(图36A到36E中的t3)。结果，维持驱动晶体管T32的反向偏压状态。

在该反向偏压状态流逝给定时间段后，控制电流供应线DSL的电源电势，以便从高电势Vcc切换到低电势Vss。图40显示了在此时间点像素电路131中的操作状态。

为了正常执行之后将执行的阈值校正操作的目的，设置这里所述的低电势Vss为满足(Vofs-Vss)＞Vth的关系的电势。通过施加低电势Vss，电流供应线DSL的电势变得等于驱动晶体管T32的源极电势Vs。结果，有机EL元件OLED的阳极电势降低。

接下来，控制采样晶体管T31以便在信号线DTL的电势设置为偏置信号电势Vofs的时序导通(图36A到36E中的t5)。应该注意，电流供应线DSL保持在低电势Vss。图41显示了在此时间点像素电路131内的操作状态。

在此时，控制驱动晶体管T32的栅极电势Vg，以便设置为偏置信号电势Vofs。该操作是阈值校正准备操作。应该注意，为了避免栅极电势Vg的改变的目的，如图42所示，对于信号线DTL的电势设置为不同于偏置信号电势Vofs的信号电势Vsig或反向偏压电势Vini的每个时间段，控制采样晶体管T31以便被截止。

不久以后，执行阈值校正操作的时序将来临。对于施加偏置信号电势Vofs到信号线DTL的时间段，控制采样晶体管T31以便被导通，并且控制电流供应线DSL以便设置为高电势Vcc，从而执行阈值校正操作(图36A到36E中的t6)。图43显示了在此时间点像素电路131中的操作状态。

在驱动晶体管T32保持处于导通状态的同时施加高电势Vcc到电流供应线DSL，从而开始对驱动晶体管T32的阈值校正操作。随着该操作，在控制驱动晶体管T32的栅极电势Vg以便设置为偏置信号电势Vofs的同时，只有源极电势Vs开始上升。

应该注意，在第二实施例的情况下，对于一个水平扫描时间段，三个不同的电势(也就是说，反向偏压电势Vini、偏置信号电势Vofs和信号电势Vsig)分别出现在信号线DTL中。因此，当提供偏置信号电势Vofs的时间段结束时，连续地控制采样晶体管T31以便被再次截止直到下次提供偏置信号电势Vofs的时序(图36A到36E中的t7)。图44显示了在此时间点像素电路131中的操作状态。

应该注意，对于此时间段，驱动晶体管T32的栅极电极用作自由端。因此，通过在源极电势Vs的上升后执行自举操作，栅极电势Vg也随着源极电势Vs的上升而上升。

不久以后，当提供偏置信号电势Vofs到信号线DTL的时序来临时，控制采样晶体管T31以便被再次导通。通过执行该导通操作，使得驱动晶体管T32的栅极电势Vg降低到偏置信号电势Vofs。在此情况下，使得驱动晶体管T32的源极电势Vs降低对应于保持电容器Cs的耦合量的电势，并且重新开始从被降低后的状态上升(图36A到36E中的t8)。

当在重新开始上升后的阈值校正操作中，驱动晶体管T32的栅极-源极电压Vgs变得等于阈值电压Vth，驱动晶体管T32当然自动执行截止(cut-off)操作。然而，在图36A到36E所示的驱动操作的情况下，即使在第二轮的阈值校正操作结束后，阈值校正操作也没有完成。因而，在提供偏置信号电势Vofs的时间段结束后，连续地控制采样晶体管T31以便被再次截止直到下次提供偏置信号电势Vofs到驱动晶体管T32的栅极电极的时序(图36A到36E中的t9)。

此外，对于第三轮的阈值校正操作的时间段完成阈值校正操作，并且驱动晶体管T32自动执行截止操作(图36A到36E中的t10)。图45显示了在此时间点像素电路131中的操作状态。应该注意，驱动晶体管T32的源极电势Vs满足(Vs＝Vofs-Vth≤Vcat+Vthel)的关系。因此，不能控制有机EL元件OLED以便被导通操作，因而此时不发光。

紧接此后或跨过图36A到36E所示的时间段t11后，施加信号显示Vsig到驱动晶体管T32的栅极电极(图36A到36E中的t12)。图46显示了在此时间点像素电路131中的操作状态。

如前所述，信号电势Vsig是对应于对应的一个像素的灰度的电压。此时，控制驱动晶体管T32的栅极电势Vg，使得变得等于通过采样晶体管T31的信号显示Vsig。此外，由于从电流供应线DSL流到驱动晶体管T32的电流，驱动晶体管T32的源极电势Vs随着时间上升。

此时驱动晶体管T25的栅极-源极电压Vgs由表达式(6)给出：

Vgs＝{Cel/(Cel+Cs+Ctr)}·(Vsig-Vofs)+Vth  ...(6)

同样如之前在第一实施例中所述，有机EL元件OLED的寄生电容Cel大于保持电容器Cs的电容和驱动晶体管T32的寄生电容Ctr的每一个。因此，驱动晶体管T32的栅极-源极电压Vgs近似地收敛于电压(Vsig+Vth)。

该操作是也用于写入信号电势Vsig的操作的迁移率校正操作。如之前在第一实施例中所述，这里所述的栅极-源极电压Vgs具有其中反映驱动晶体管T32的迁移率μ的值。

在也用作写入操作的迁移率校正操作完成后，控制采样晶体管T31以便被截止，从而开始新的发光时间段(图36A到36E中的t13)。在此情况下，使得用于驱动晶体管T32的驱动电流Ids’流入有机EL元件OLED，从而开始对应于有机EL元件OLED中的驱动电流Ids’的值的发光。图47显示了在此时间点像素电路131中的操作状态。

(C-4)结论

如上所述，即使在每个像素电路包括两个N沟道薄膜晶体管的情况下，类似于第一实施例的情况，也可能实现这种驱动技术，使用该驱动技术在驱动晶体管T32中几乎不出现驱动晶体管T32的阈值电压Vth随时间的改变。

当然，同样在这里所述的像素电路的情况下，可以执行阈值校正操作和迁移率校正操作。因此，可能有效地抑制由于驱动晶体管T32的特性的分散导致的画面非均匀性的出现。

(D)第三实施例

(D-1)系统配置

在第三实施例中，现在将给出关于这种方法的描述，使用该方法可以进一步增强对于具有第二实施例中所述的像素电路131的有机EL显示面板41的迁移率校正操作的精度。

图48显示了有机EL显示面板41的系统配置。应该注意，在图48中，对应于图32中的那些部分的部分分别用相同的参考标号表示。

图48所示的有机EL显示面板41包括像素阵列部分121、操作为用于像素阵列部分121的驱动电路的信号写入控制线驱动部分153、电流供应线驱动部分155和水平选择器157、以及时序发生器129。

第三实施例的有机EL显示面板41中的像素阵列部分121具有与图32所示的第二实施例的有机EL显示面板41中的像素阵列部分121的配置相同的配置。也就是说，像素电路131包括采样晶体管T31、驱动晶体管T32、保持电容器Cs和有机EL元件OLED。

图49显示其每一个对应于子像素的像素电路131和驱动电路153、155和157之间的连接关系。此外，图50显示了提供到第三实施例的有机EL显示面板41中的像素电路131的、对应的一个信号线DTL的电势之间的关系。

信号写入控制线驱动部分153是通过其控制采样晶体管T31以便被导通/截止的驱动电路。当控制采样晶体管T31以便被导通时，对应的一个信号线DTL的电势被施加到驱动晶体管T32的栅极电极。

电流供应线驱动部分155是通过其用两种高电势Vcc和低电势Vss驱动对应的一个电流供应线的驱动电路。在第三实施例的情况下，在一帧时间段内至少设置一次低电势时间段。

这些驱动电路153和155的每个包括具有其数目对应于垂直分辨率的输出级的移位寄存器。因而，驱动电路153和155的每个根据从时序发生器159提供到其的时序信号，输出需要的驱动脉冲到对应的一个控制线。

水平选择器157是驱动电路，在一个水平扫描时间段作为一个时段的情况下，通过水平选择器157将对应于像素数据Din的信号电势Vsig、其中反映了信号电势Vsig的反向偏压电势Vini、第一偏置信号电势Vofs1和第二偏置信号电势Vofs2的任一个输出到对应的一个信号线DTL。

应该注意，第一偏置信号电势Vofs1对应于第二实施例的偏置信号电势Vofs。在第三实施例的情况下，第二偏置信号电势Vofs2以信号电势Vsig和第一偏置信号电势Vofs1之间的中间电势的形式给出。水平选择器157根据对应于信号电势Vsig的像素数据Din生成第二偏置信号电势Vofs2。

尽管输出信号电势Vsig、反向偏压电势Vini、第一偏置信号电势Vofs1和第二偏置信号电势Vofs2的顺序在第三实施例中是任意设置的，但是以反向偏压电势Vini、第一偏置信号电势Vofs1、第二偏置信号电势Vofs2和信号电势Vsig的顺序从水平选择器156输出所述反向偏压电势Vini、第一偏置信号电势Vofs1、第二偏置信号电势Vofs2和信号电势Vsig。

时序发生器159是用于生成驱动写入控制线WSL和电流供应线DSL所需的时序脉冲的电路设备。

(D-2)水平选择器的配置

图51显示了作为第三实施例的有机EL显示面板41中的关键设备的水平选择器157的电路配置。应该注意，水平选择器157在基本配置上与之前在第二实施例中描述的水平选择器127相同。因此，在图51中，对应于图35所示的各部分的那些部分分别用相同的参考标号表示。

水平选择器157包括可编程逻辑设备81、存储器83、移位寄存器91和101、锁存器电路93和103、D/A转换电路95和105、缓冲器电路97和107、以及选择器161。

在这些构成元件中，水平选择器157中新颖的构成部分只是选择器161。第三实施例中的选择器161不同于第二实施例中的选择器141在于：对于一个水平扫描时间段，反向偏压电势Vini、第一偏置信号电势Vofs1、第二偏置信号电势Vofs2和信号电势Vsig以时序方式在之前设置的时序处输出。

应该注意，第一偏置信号电势Vofs1对应于第二实施例中的偏置电势Vofs。另一方面，以信号电势Vsig的最大电势和第一偏置信号电势Vofs1之间的中间灰度电势的形式给出第二偏置信号电势Vofs2。在第三实施例中，第二偏置信号电势Vofs2以(Vsig-Vofs1)/2的形式调整。

(D-3)驱动操作

图52A到52E是显示第三实施例的有机EL显示面板41中的像素电路131的驱动操作的时序图。

首先，图53显示处于发光状态的像素电路131内的操作状态。此时，电流供应线DSL的电势设置在高电势Vcc，因而采样晶体管T31保持在截止状态(图52A到52E中的t1)。

此时，设置驱动晶体管T32以便工作在饱和区域。为此，流过有机EL元件OLED的电流Ids得到对应于驱动晶体管T32的栅极-源极电压Vgs的值。

接下来，将描述处于不发光时间段的操作状态。在施加反向偏压电势Vini到信号线DTL的同时，控制采样晶体管T31以便被导通，从而开始不发光时间段(图52A到52E中的t2)。图54显示在此时间点像素电路131内的操作状态。

此时，驱动晶体管T32的源极电势Vs通过保持电容器Cs的耦合操作降低。应该注意，在驱动晶体管T32的栅极-源极电压Vgs变得等于或小于其阈值电压Vth时的时间点，有机EL元件OLED截止。

关于这一点，当在耦合操作完成后驱动晶体管T32的源极电势Vs(有机EL元件OLED的阳极电势Vel)等于或小于有机EL元件OLED的阈值电压Vthel和阴极电势Vcat的和时，驱动晶体管T32的源极电势Vs保持原样。

另一方面，当耦合操作完成后驱动晶体管T32的源极电势Vs大于有机EL元件OLED的阈值电压Vthel和阴极电势Vcat的和时，由于聚集在有机EL元件OLED中的电荷的放电，驱动晶体管T32的源极电势Vs收敛于电势(Vthel+Vcat)。图54显示了其中驱动晶体管T32的源极电势Vs收敛于电势(Vthel+Vcat)时的状态。

关于这一点，施加高电势Vcc到驱动晶体管T32的漏极电极，并且施加反向偏压电势Vini到驱动晶体管T32的栅极电极。也就是说，施加反向偏压电压到驱动晶体管T32。应该注意，因为如前所述，在信号写入操作的阶段中，反向偏压电势Vini反映在信号电势Vsig中，所以反向偏压电势Vini操作以便抵消由施加信号电势Vsig造成的阈值电压Vth的改变。

之后，控制采样晶体管T31以便在信号线DTL的电势的切换之前被截止(图52A到52E中的t3)。应该注意，施加反向偏压电压的状态继续。

在该反向偏压状态过去给定时间段后，控制电流供应线DSL的电源电势，以便从高电势Vcc切换到低电势Vss(图52A到52E中的t4)。图55显示在此时间点像素电路131内的操作状态。

此时，反向偏压电势Vini和电流供应线DSL的电势(低电势Vss)之间的电势差变得等于驱动晶体管T32的栅极-源极电压Vgs。

这里，当反向偏压电势Vini小于电势(Vss+Vth)时，驱动晶体管T32保持在截止状态。

在第三实施例中，假设反向偏压电势Vini小于电势(Vss+Vth)。然而，不必假设反向偏压电势Vini小于电势(Vss+Vth)。

接下来，控制采样晶体管T31以便在信号线DTL的电势设置为第一偏置信号电势Vofs1的时序导通(图36A到36E中的t5)。通过执行该控制，驱动晶体管T32的栅极电势Vg转变为第一偏置信号电势Vofs1。

图56显示在此时间点像素电路131内的操作状态。

此时，驱动晶体管T32的栅极-源极电压Vgs由(Vofs1-Vss)给出。

设置在此时间点的栅极-源极电压Vgs为大于驱动晶体管T32的阈值电压Vth的值，以便确保阈值校正操作的执行。

不久以后，执行阈值校正操作的时序将来临。对于施加第一偏置信号电势Vofs1到信号线DTL的时间段，控制采样晶体管T31以便被导通，并且控制电流供应线DSL以便设置为高电势，从而执行阈值校正操作(图52A到52E中的t7)。图57显示了在此时间点像素电路131中的操作状态。

在驱动晶体管T32保持处于导通状态的同时施加高电势Vcc到电流供应线DSL，从而开始对驱动晶体管T32的阈值校正操作。随着该操作，在控制驱动晶体管T32的栅极电势Vg以便设置为第一偏置信号电势Vofs1的同时，只有源极电势Vs开始上升。

此时，只要驱动晶体管T32的源极电势Vs(有机EL元件OLED的阳极电势Vel)等于或小于电势(Vcat+Vthel)(只要有机EL元件OLED的漏电流显著小于流过驱动晶体管T32的电流)，流过驱动晶体管T32的电流就用来用电流充电保持电容器Cs和有机EL元件OLED的寄生电容Cel。

驱动晶体管T32的源极电势Vs开始随着时间上升。

给定的时间过去后，控制采样晶体管T31以便被截止。然而，在此时间点的驱动晶体管T32的栅极-源极电压Vgs大于驱动晶体管T32的阈值电压Vth。因此，使得从电流供应线DSL流入像素电路131的电流流动以便用电流来充电保持电容器Cs。

随着该操作，驱动晶体管T32的栅极电势Vg连同其源极电势Vs上升。应该注意，因为施加反向偏压电压到有机EL元件OLED，所以有机EL元件OLED不发光。

不久以后，当提供第一偏置信号电势Vofs1到信号线DTL的时序来临时，控制采样晶体管T31以便被再次导通。通过执行该导通操作，使得驱动晶体管T32的栅极电势Vg降低到第一偏置信号电势Vofs1。

通过重复地执行该操作，驱动晶体管T32的栅极-源极电压Vgs收敛于驱动晶体管T32的阈值电压Vth(图52A到52E中的t9和t11)。

应该注意，在此时间点，驱动晶体管T32的源极电势Vg满足等于或小于电势(Vcat+Vthel)的值。

在完成阈值校正操作后，控制采样晶体管T31以便被截止一次。

此后，在当设置信号线DTL的电势为第二偏置信号电势Vofs2时的时间点，控制采样晶体管T31以便被再次导通(图52A到52E中的t13)。即使在信号线DTL的电势从第二偏置信号电势Vofs2切换到信号电势Vsig后(图52A到52E中的t14)，采样晶体管T31的导通状态也继续。图58显示了在此时间点像素电路131中的操作状态。

对于该时间段t14，驱动晶体管T32的栅极电势Vg从第二偏置信号电势Vofs2改变为信号电势Vsig。在此情况下，因为继续从电流供应线DSL提供电流到驱动晶体管T32，所以驱动晶体管T32的源极电势Vs随着时间上升。

当然，当驱动晶体管T32的源极电势Vs不超过电势(Vcat+Vthel)时(有机EL元件OLED的漏电流显著小于流过驱动晶体管T32的电流)，流过驱动晶体管T32的电流就用来用电流充电保持电容器Cs和有机EL元件OLED的寄生电容Cel。

此时，因为对于驱动晶体管T32的阈值校正操作已经完成，所以流过驱动晶体管T32的电流具有其中反映迁移率μ的值。

现在，在这种迁移率校正系统的情况下，通常，在中间灰度显示阶段中的迁移率校正时间长于在白显示阶段中的迁移率校正时间。具体地，在第二实施例中的驱动系统的情况下，其中通过施加信号电势Vsig到驱动晶体管T32的栅极电极来执行迁移率校正，在白显示阶段中的迁移率校正时间和在中间灰度显示阶段中的迁移率校正时间之间的时间差大。结果，关于白显示像素的迁移率校正和关于中间灰度像素的迁移率校正不能在同一写入时间段内完成。

然而，如在第三实施例的情况下，在输入信号电势Vsig到驱动晶体管T32的栅极电极之前输入第二偏置信号电势Vofs2，这导致可以使得白显示阶段中的迁移率校正时间和中间灰度显示阶段中的迁移率校正时间的每一个都恒定。

下文中，将给出关于该操作的具体描述。图59A和59B显示了在白显示阶段中的迁移率校正时间，而图60A和60B显示了在中间灰度显示阶段中的迁移率校正时间(接近黑显示的示例)。

应该注意，图59A和59B分别显示了对应于第二实施例的迁移率校正操作，而图60A和60B分别显示了对应于第三实施例的迁移率校正操作。在这些图中，对应于第二实施例的迁移率校正时间由t1指示，而对应于第三实施例的迁移率校正时间由t1’指示。

首先，让我们考虑白显示阶段。如图59A和59B所示，可以使得在使用第二偏置信号电势Vofs2的情况下比不使用第二偏置信号电势Vofs2的情况下迁移率校正所需的时间长。

另一方面，让我们考虑中间灰度显示阶段。如图60A和60B所示，可以使得在使用第二偏置信号电势Vofs2的情况下比不使用第二偏置信号电势Vofs2的情况下迁移率校正所需的时间短。

也就是说，可以使得其校正时间本来足够短的白显示阶段中的校正时间长，而使得其校正时间本来足够长的中间灰度显示阶段中的校正时间短。这意味着可以将白显示阶段中的迁移率校正所需的时间和中间灰度显示阶段中的迁移率校正所需的时间统一为近似恒定，而不管显示灰度。

此外，在上述操作完成后，当控制采样晶体管T31以便被截止从而完成写入操作时，使得驱动电流流过有机EL元件OLED，从而开始发光时间段(图52A到52E中的t15)。图61显示了在此时间点像素电路131中的操作状态。

应该注意，驱动晶体管T32的栅极-源极电压Vgs是恒定的。因此，驱动晶体管T32使得恒定电流Ids’流过有机EL元件OLED。

应该注意，在使得恒定电流Ids’流过有机EL元件OLED时，有机EL元件OLED的阳极电势Vel继续上升到电压Vx。

(D-4)结论

如上所述，在第三实施例中所述的有机EL显示面板的情况下，除了第二实施例的效果外，还可实现以下效果。

也就是说，可以将白显示阶段中的迁移率校正所需的时间和中间灰度显示阶段中的迁移率校正所需的时间统一为近似恒定，而不管显示灰度。换句话说，可以统一对于全部像素电路的迁移率校正操作。这意味着各像素中的迁移率μ可以在预定时间段内恰好成比例地校正。结果，即使当进行有机EL显示面板的高清晰度和高速操作时，也可能实现在显示图像中几乎不出现非均匀性或条纹的驱动技术。

(E)其它实施例

(E-1)其它像素电路

在上述第一到第三实施例中，已经给出关于其中像素电路包括五个N沟道薄膜晶体管的情况(第一实施例)和其中像素电路包括两个N沟道薄膜晶体管的情况(第二和第三实施例)的描述。

然而，像素电路的配置绝不限于此。例如，如图62所示，本发明也能应用于其中像素电路171包括三个N沟道薄膜晶体管的情况。应该注意，在图62中，对应于图20和34的每一个中的那些部分的部分分别用相同的参考标号表示。

像素电路171是第一实施例中的像素电路71和第二实施例中的像素电路131之间的中间类型。此外，像素电路171的特征是由专用的薄膜晶体管T33控制施加偏置信号电势Vofs到驱动晶体管T32的栅极电极。也就是说，第二实施例的特征在于通过对应的一个信号线DTL施加的偏置信号电势Vofs独立地施加到驱动晶体管T32的栅极电极，如在第一实施例的情况下。应该注意，施加偏置信号电势Vofs的时序等与第二实施例中的时序等类似。

(E-2)生成反向偏压电势的方法

在第一实施例中，已经给出了根据基本预先设置的表达式(3)生成具有对应于像素数据Din(信号电势Vsig)的大小的像素数据Din’的情况的描述。

然而，其中可以使得发光时间段在一帧时间段中占据的占空根据显示内容或周围亮度可变的有机EL显示面板采用一种机制，该机制用于基于可变的占空信息适应性地切换应用于反向偏压电势Vini的生成的关系表达式或表。

图63显示了对应于该机制的水平选择器181的配置。应该注意，在图63中，对应于图21中的那些部分的部分分别用相同的参考标号表示。此外，图63显示了其中反向偏压电势生成特性切换部分185安装在可编程逻辑设备183中的配置。在此情况下，全部所需的是反向偏压电势生成特性切换部分185根据从外面提供的占空信息(给出一个参考时间段内的发光时间段的占空的信息)，执行用于将关系表达式(例如，系数的改变)或参考表切换到另一个的处理。

(E-3)第二偏置信号电势Vofs2的生成

在上述第三实施例中，已经给出了关于其中给出第二偏置信号电势Vofs2为固定值的情况的描述。然而，第二偏置信号电势Vofs2还可以以具有对应于像素数据Din(信号电势Vsig)的大小的像素数据Din”的形式生成。

图64显示了对应于该机制的水平选择器191的配置。应该注意，在图64中，对应于图21中的那些部分的部分分别用相同的参考标号表示。图64中所示的水平选择器191的新颖的构成部分是可编程逻辑设备193、第二偏置信号电势Vofs2系统的电路部分(移位寄存器201、锁存器电路203、D/A电路205和缓冲器电路207)和选择器211。

在这些构成部分中，新添加生成信号电势Vsig和第一偏置信号电势Vofs1之间的中间电势的功能到可编程逻辑设备193。例如，基于从存储器83读出的像素数据Din生成对应于(Vsig-Vofs1)/2的电势的像素数据Din”。

图65A和65B分别显示了对应于该设备系统的电势的改变，也就是说，在白显示阶段中的迁移率校正操作。此外，图66A和66B分别显示了对应于该设备系统的电势的改变，也就是说，在中间灰度显示阶段中的阈值校正操作(接近黑显示的示例)。

在图65A和65B和图66A和66B中，图65A和66A显示对应于第二实施例的迁移率校正操作，而图65B和66B显示对应于该描述的迁移率校正操作。关于这一点，对应于第二实施例的迁移率校正时间段由t1指示，而对应于该描述的迁移率校正时间段由t1’指示。

同样在该驱动系统的情况下，在白显示阶段中的迁移率校正时间可以通过使用第二偏置信号电势Vofs2来扩展。此外，在中间灰度显示阶段中的迁移率校正时间也可以通过使用第二偏置信号电势Vofs2来扩展。然而，在中间灰度阶段中的迁移率校正时间的扩展小于在灰度值大(信号电势Vsig大)的情况下的迁移率校正时间的扩展。

因此，采用该驱动系统可以压缩在白显示阶段中的迁移率校正时间和在中间灰度阶段中的迁移率校正时间之间的差。当该时间差足够小时，统一在白显示阶段中的迁移率校正所需的时间和在中间灰度显示阶段中的迁移率校正所需的时间的效果可以比第二实施例的情况进一步增强。结果，通过抑制由于迁移率校正的过度和不足所产生的图像质量的劣化，可以增强可视化的图像质量。

(E-4)反向偏压电势Vini的其它应用

在上述第一到第三实施例的每一个中，已经给出了关于其中通过对应的一个信号线DTL施加反向偏压电势Vini到驱动晶体管T25或T32的栅极电极的情况的描述，水平选择器驱动和控制所述对应的一个信号线DTL。

然而，还可以通过另一布线施加反向电势Vini到驱动晶体管的栅极电极。此外，在此情况下，反向偏压电势生成部分当然可以布置在水平选择器外。

(E-5)产品示例

(a)电子装置

目前已经依据有机EL显示面板的第一到第三实施例描述了本发明。然而，上述有机EL显示面板也以安装到各种电子装置的产品形式的形式分布。下文中，将描述安装有机EL显示面板到各种电子装置的示例。

图67显示了电子装置221的概念性配置的示例。电子装置221包括上述有机EL显示面板223、系统控制部分225和操纵输入部分227。在系统控制部分225中执行的处理内容取决于电子装置221的产品形式而不同。此外，操纵输入部分227是用于接收到系统控制部分225的操纵输入的设备。如开关或按钮的机械接口、图形接口等用作操纵输入部分227。

应该注意，电子装置221绝不限于特定领域中的装置，只要电子装置221加载有在其上显示在装置内生成的、或从外面输入到其的图像或视频画面数据的功能。

图68显示了其中另一电子装置是电视机的情况下的外观的示例。包括前面板233、滤光玻璃235等的显示屏237布置在电视接收机231的机壳的前表面。显示屏237部分对应于在第一到第三实施例的任一个中描述的有机EL显示面板。

此外，例如假设数字相机为这种电子装置221。图69A和69B显示了数字相机241的外观的示例。这里，图69A是在数字相机241的前表面端(在被摄体端)的外观的示例。此外，图69B是在数字相机241的后表面端(在拍摄者端)的外观的示例。

数字相机241包括保护盖243、图像捕获透镜245、显示屏247、控制开关249和快门按钮251。在这些构成元件中，显示屏247部分对应于在第一到第三实施例的任一个中描述的有机EL显示面板。

此外，例如假设摄像机为这种电子装置221。图70显示了摄像机261的外观的示例。

摄像机261包括图像捕获透镜265、用于图像捕获的开始/停止按钮267和显示屏269。这里，物体的图像通过提供在主体263的第一表面端上的图像捕获透镜265捕获。在这些构成元件中，显示屏269部分对应于在第一到第三实施例的任一个中描述的有机EL显示面板。

此外，例如假设移动终端设备为这种电子装置221。图71A到71G显示作为移动终端设备的移动电话的外观的示例。在图71A到71G中所示的移动电话是折叠型的。这里，图71A和71B显示了在机壳打开的状态下的外观的示例，而图71C和71G显示了在机壳折叠的状态下的外观的示例。

移动电话271包括上机壳273、下机壳275、连接部分(该示例中的铰链部分)277、显示屏279、副显示屏281、画面灯283和图像捕获透镜285。在这些构成元件中，显示屏279部分和副显示屏281的每一个对应于在第一到第三实施例的任一个中描述的有机EL显示面板。

此外，例如假设计算机为这种电子装置221。图72显示笔记本大小的个人计算机291的外观的示例。

笔记本大小的个人计算机291包括下机壳293、上机壳285、键盘297和显示屏299。在这些构成元件中，显示屏299部分对应于在第一到第三实施例的任一个中描述的有机EL显示面板。

此外，假设音频再现器、游戏机、电子书、电子词典等为这种电子装置221。

(E-6)其它显示设备的示例

在上述第一到第三实施例的每一个中，已经给出了关于本发明应用于有机EL显示面板的情况的描述。

然而，上述驱动技术也可以应用与其它EL显示设备。例如，上述驱动技术也可以应用于其中布置有LED(发光二极管)的显示设备，或其中每一个具有任何其它合适的二极管结构的发光元件布置在屏幕上的显示设备。例如，上述驱动技术也可以应用于无机EL显示面板。

(E-7)其它

可以在本发明的精神的范围内，对上述第一到第三实施例进行各种改变。此外，也可以进行基于本说明书中的描述而创建或相互结合的各种改变和应用示例。

相关申请的交叉引用

本发明包含涉及于2008年2月28日向日本专利局提交的日本专利申请JP 2008-047180的主题，在此通过引用并入其全部内容。

Claims (7)

1.一种具有对应于有源矩阵驱动系统的像素结构的电致发光EL显示面板，包括：

反向偏压电势生成部分，被配置来生成其中反映相应的一个像素的灰度值的反向偏压电势；以及

电压施加部分，被配置来施加所述反向偏压电势到驱动晶体管的栅极电极，所述驱动晶体管组成适于用于不发光时间段的操作的像素电路。

2.根据权利要求1所述的EL显示面板，其中所述反向偏压电势生成部分生成所述反向偏压电势，使得对应于高亮度的反向偏压电压大于对应于低亮度的反向偏压电压。

3.根据权利要求1所述的EL显示面板，其中所述电压施加部分以时分方式施加反向偏压电势或信号电势到信号线。

4.根据权利要求1所述的EL显示面板，其中当在一帧时间段中发光时间段占据的长度的占空可切换时，所述反向偏压电势生成部分设置反向偏压电势的改变的宽度，使得反向偏压电势的改变的宽度与发光时间段的占空成反比。

5.根据权利要求1所述的EL显示面板，其中所述反向偏压电压由下式给出：

Vini＝Vthel+Vcat-(αVsig+β)(α＞0和β≥0)

其中Vini是所述反向偏压电势，Vthel是EL发光元件的阈值电势，Vcat是所述EL发光元件的阴极电势，而Vsig是信号电势。

6.一种电子装置，包括：

具有对应于有源矩阵驱动系统的像素结构的EL显示面板，被配置来生成其中反映相应的一个像素的灰度值的反向偏压电势的反向偏压电势生成部分，以及被配置来施加所述反向偏压电势到驱动晶体管的栅极电极的电压施加部分，所述驱动晶体管组成适于用于不发光时间段的操作的像素电路；

系统控制部分，被配置来控制整个系统的操作；以及

操纵输入部分，被配置来接收到所述系统控制部分的操纵输入。

7.一种驱动具有对应于有源矩阵驱动系统的像素结构的EL显示面板的方法，所述方法包括以下步骤：

生成其中反映相应的一个像素的灰度值的反向偏压电势；以及

施加所述反向偏压电势到驱动晶体管的栅极电极，所述驱动晶体管组成适于用于不发光时间段的操作的像素电路。

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