CN101447400B - 芯片-晶圆接合装置及接合的方法 - Google Patents

芯片-晶圆接合装置及接合的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101447400B
CN101447400B CN2008101692593A CN200810169259A CN101447400B CN 101447400 B CN101447400 B CN 101447400B CN 2008101692593 A CN2008101692593 A CN 2008101692593A CN 200810169259 A CN200810169259 A CN 200810169259A CN 101447400 B CN101447400 B CN 101447400B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
chip
coupling device
cleaning
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008101692593A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101447400A (zh
Inventor
余振华
洪瑞斌
吴文进
汪青蓉
邱文智
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of CN101447400A publication Critical patent/CN101447400A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101447400B publication Critical patent/CN101447400B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
    • H01L2224/8301—Cleaning the layer connector, e.g. oxide removal step, desmearing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01094—Plutonium [Pu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/14—Surface bonding means and/or assembly means with shaping, scarifying, or cleaning joining surface only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种芯片-晶圆接合装置，包括清洁组件，用以清洗芯片；芯片-晶圆接合室，用以接受清洁组件的芯片，并将芯片接合到晶圆上。本发明还提供一种利用此接合装置的芯片-晶圆接合方法。本发明具有无氧环境，高接合率及/或其他芯片-晶圆接合程序的优点。

Description

芯片-晶圆接合装置及接合的方法
技术领域
本发明涉及一种半导体装置，尤其涉及一种芯片-晶圆接合装置及接合的方法。
背景技术
在半导体技术中，可将多种的芯片接合到半导体晶圆上(以下称为芯片-晶圆接合)，芯片-晶圆接合技术可达到立体封装、高封装密度及短连接线，并可增加可靠度及提高质量。芯片-晶圆接合技术可应用于影像感应器、存储元件、微电子系统等。当半导体技术持续增加IC密度及缩小IC尺寸时，在接合环境及效率上需要更严格的标准。然而，目前的芯片-晶圆接合装置具有氧气污染、接触不良、低产量及高成本等缺点。
发明内容
本发明为了解决上述技术问题而提供一种接合装置，包括清洁组件，用于清洗多个芯片，以及芯片-晶圆接合室，接受该清洁组件的所述多个芯片，并将所述多个芯片接合到晶圆。
在所述的接合装置中，该清洁组件执行至少一湿式或干式清洗。
在所述的接合装置中，该清洁组件充满气体，以清洗所述多个芯片，其中该气体从下列组成的族群中选择：甲酸蒸气、氢气、还原气体的远距电浆及上述组合。
在所述的接合装置中，该清洁组件还包括机械装置，用以移除多个微粒。
在所述的接合装置中，该清洁组件包括清洁室，用以清洗所述多个芯片。
在所述的接合装置中，该清洁组件包括芯片清洁通道，用以传送所述多个芯片通过该芯片清洁通道，并清洗位于该芯片清洁通道中的所述多个芯片。
在所述的接合装置中，还可包括气体供应装置，用以提供气体到该芯片-晶圆接合室中，并在该芯片-晶圆接合室中提供无氧空间。
在所述的接合装置中，该气体从下列组成的族群中选择：惰性气体、制程气体、混合甲酸蒸气及上述组合。
在所述的接合装置中，该芯片-晶圆接合室处于真空状态。
在所述的接合装置中，还可包括晶圆级接合室，以进行晶圆级接合程序。
在所述的接合装置中，该晶圆级接合程序包括在该晶圆及所述多个芯片间施行至少一个热接合及一个机械压力接合。
在所述的接合装置中，该晶圆级接合室对该晶圆施行清洗程序。
在所述的接合装置中，还可包括晶圆清洁室，对该晶圆施行清洗程序。
在所述的接合装置中，还可包括缓冲室，邻近该晶圆级接合室与该晶圆清洗室，用以在该晶圆级接合室、晶圆清洁室及芯片-晶圆接合室中传送该晶圆。
在所述的接合装置中，该晶圆级接合室在约100℃到500℃下施行晶圆级接合程序。
本发明还提供一种芯片-晶圆接合装置，包括清洁组件，用以清洗多个芯片；芯片-晶圆接合室，用于接合所述多个芯片到晶圆上；晶圆级接合室邻近该芯片-晶圆接合室，用以执行晶圆级接合程序使所述多个芯片接合到该晶圆上。
在所述的接合装置中，该清洁组件包括清洁室，以清洗所述多个芯片。
在所述的接合装置中，该清洁组件包括芯片清洁通道，用以传送所述多个芯片通过该芯片清洁通道，并清洗位于该芯片清洁通道中的所述多个芯片。
本发明还提供一种芯片-晶圆接合的方法，包括负载多个芯片到芯片-晶圆接合装置中，该芯片-晶圆接合装置包括清洁组件，用以清洗所述多个芯片；以及芯片-晶圆接合室，用以接受该清洁组件中的所述多个芯片，并将所述多个芯片接合到晶圆上；清洗所述多个芯片；以及接合所述多个芯片到晶圆上。
在所述的芯片-晶圆接合方法中，还可包括在该芯片-晶圆接合装置中的晶圆级接合室内，执行晶圆级接合程序，使所述多个芯片接合到该晶圆上。
本发明具有无氧环境，高接合率及/或其他芯片-晶圆接合程序的优点。
为了让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：
附图说明
图1为本发明芯片-晶圆接合系统的实施例示意图，其显示芯片-晶圆接合系统与清洁组件及晶圆级接合组件整合。
图2为本发明芯片-晶圆接合系统的另一个实施例示意图，其显示芯片-晶圆接合系统与嵌入式清洁组件整合。
图3a-图3b显示嵌入式清洁组件，其可设置于图1及图2的系统中。
图4a-图4b显示嵌入式芯片-晶圆接合组件，其可设置于图1及图2的系统中
图5为利用图1及图2的芯片-晶圆接合系统所进行的接合方法流程图。
其中，附图标记说明如下：
100～芯片-晶圆接合系统；105～芯片-晶圆接合系统；110～嵌入式清洁组件；110a～通道型清洁组件；110b～反应室型清洗组件；111～芯片缓冲载物台；112～芯片-晶圆接合组件；112a～嵌入式芯片-晶圆接合组件；112b～嵌入式芯片-晶圆接合组件；114～嵌入式晶圆级接合组件；116～芯片负载结构；118～晶圆负载结构；120～晶圆清洁室；122～缓冲室；124～晶圆；126～芯片；128～控制组件；130～运输装置；132～加热器；133～反应室；134～化学物质供应器；135～气体供应装置；136～小反应室(芯片-晶圆接合室)；138～透明材料层(或透明窗)；139～反应室(芯片-晶圆接合室)；140～晶圆载物台；142～接合手臂；500～芯片-晶圆接合方法；502、504、506、508、510、512～步骤。
具体实施方式
图1为本发明的一个实施例，其显示芯片-晶圆接合系统(或装置)100的方块图。芯片-晶圆接合系统100具有无氧环境，高接合率及/或其他芯片-晶圆接合程序的优点。
芯片-晶圆接合系统100包括嵌入式清洁组件110，用以清洗欲接合到晶圆的多个芯片。清洁组件110可施行干式及/或湿式清洗。在一个实施例中，清洁组件110可移除芯片接触区域上的氧化物，此接触区可与晶圆接合。此接触区通常为金属，如铜，当其曝露于氧气环境下时容易转变为氧化物。清洁组件110还可移除微粒及其他污染物。例如，清洁组件110可利用化学药剂及去离子水(DIW)施行湿式清洗。在另一个例子中，清洁组件110可利用化学气体及远距电浆施行干式清洗。清洁组件110可进行反应室型清洗或通道型清洗。在一个实施例中，清洁组件110包括反应室，可同时清洗一种或多种芯片。反应室型清洁组件可使用电浆、甲酸蒸气及/或还原气体，如氢气。在另一个实施例，清洁组件110包括通道，可使一种或多种芯片由芯片负载区传送到芯片缓冲区或芯片-晶圆接合组件中，并清洗此芯片。在通道式清洗组件中，包括运输装置，还可包括多种气体注入器。例如，此气体注入器包括清洗气体注入器及保护气体注入器。清洗气体注入器可注入清洗气体，如HCOOH。保护气体注入器可注入保护气体，如氮气及/或适合的惰性气体。
接合系统100包括芯片-晶圆接合组件112，可使一种或多种芯片接合到晶圆上。芯片-晶圆接合组件112包括接合室(chamber)可用来进行芯片与晶圆的接合。芯片-晶圆接合组件112可设置于邻近清洁组件110的位置上，使芯片更有效率地传送。芯片-晶圆接合组件112包括晶圆载物台以负载晶圆，使晶圆与多个芯片进行接合。在进行芯片-晶圆接合程序前，晶圆需进行定位及对准。芯片-晶圆接合组件112包括接合手臂，可进行举起、握住及对准芯片，并将芯片接合到位于芯片载物台上的晶圆。芯片-晶圆接合组件112还可包括对准装置，用以进行芯片及晶圆之间的对准，使芯片可准确地接合到晶圆上适当的位置。对准程序可包括course alignment及精细对准(finealignment)。在一个实施例中，对准装置可设置于接合手臂上。芯片与晶圆的接合包括各种情况，例如，可利用粘着剂将芯片接合到已切割的晶圆上。芯片-晶圆接合组件112可包括气体供应装置，其可以提供保护气体到芯片-晶圆接合室中保护芯片及晶圆。例如，可提供保护气体，如氮气或其他适合的惰性气体，以维持低氧环境。在另一个实施例中，芯片-晶圆接合组件112可提供其他气体，例如，制程气体(forming gas)及/或甲酸蒸气以移除或清洗污染物。此外，芯片-晶圆接合组件包括隔绝区(小反应室，small chamber)，隔绝区中含有芯片及晶圆并维持在低氧环境及/或清洁气体环境下。至少一部份的接合手臂可位于此小反应室中。小反应室可包括小型透明窗以进行良好的接合及对准。小反应室可增加气体供应的效率并降低成本。在一个实施例中，芯片-晶圆组件112可维持在真空环境下。芯片-晶圆接合室(或小反应室)可进行抽真空程序并维持在真空环境下，以获得低氧环境。例如，可将氧气浓度控制在30ppb以下。芯片-晶圆接合组件112也可包括加热器，可对晶圆加热以获得良好的接合。例如，加热器可使晶圆或芯片-晶圆室温度维持在约23℃到500℃之间。接合手臂也可对即将接合的芯片加热，使芯片的温度维持在约23℃到500℃之间。在另一个实施例中，接合手臂及加热器可将芯片及晶圆的温度维持在约500℃以上。
此外，为了在同一个系统内进行晶圆级接合程序，芯片-晶圆接合系统100包括嵌入式晶圆级接合组件114，其可与芯片-晶圆接合组件112结合以增加效率、降低污染或氧化以及其它工艺优点。晶圆级接合组件114可设置于邻近芯片-晶圆接合组件112的位置，以增加晶圆传送的效率。例如，晶圆级接合程序包括提供粘着剂至晶片-晶圆接合组件112中接合在一起的芯片及晶圆。粘着剂可填满芯片及晶圆间的区域，例如接合点(bonded contact)周围的缺口。在另一个例子中，晶圆级接合程序可对芯片及晶圆提供高温高压以加强接合强度。在另一个例子中，晶圆级接合组件114可包括加热器使芯片及晶圆的温度维持在约100℃到500℃之间。可依照不同的芯片、结构及其他因子，施加大于约8000kg的接合力道。由于高温接合会对晶圆级接合组件114中所有芯片作用，因此需良好地控制热预算(thermal budge)。在一个实施例中，晶圆级接合组件114包括晶圆级接合室以进行晶圆级接合程序。晶圆级接合室可在低氧环境下保护及/或进行移除氧化物。例如，可以惰性气体保护晶圆级接合组件，如氮气。在另一个实施例中，也可提供制程气体到晶圆级接合组件中以移除氧化物。在另一个实施例中，可将晶圆级接合组件维持于真空环境，以降低气体含量。
在一个实施例中，晶圆级接合组件114包括预先清洁室用以清洗晶圆。晶圆级接合组件114还可包括缓冲室以接受晶圆负载区的晶圆并将晶圆传送到预先清洁室、芯片-晶圆接合组件及晶圆级接合室。在另一个实施例中，可将预先清洁室及晶圆级接合室整合成单一操作室以增加效率。
芯片-晶圆接合系统100还可包括一个或多个负载结构以负载芯片及晶圆到接合系统100。在一个实施例中，芯片-晶圆接合系统100包括芯片负载结构116用以负载芯片至接合系统100，并接着进行芯片的清洗及芯片与晶圆的接合。在一个例子中，芯片负载结构116可设置于邻近清洁组件110的位置。芯片负载结构116负载芯片并将芯片传送到清洁组件110中以进行清洗程序。在另一个实施例中，接合系统100包括晶圆负载结构118以负载晶圆到接合系统100中。例如，晶圆负载结构118可设置于邻近晶圆级接合组件114的晶圆缓冲室的位置，以负载晶圆到晶圆缓冲室中。此晶圆可被传送到预先清洁室中进行清洗，并接着进行芯片-晶圆接合及晶圆级接合程序。
图2为本发明的另一个实施例，其显示芯片-晶圆接合系统105的方块图，包括嵌入式清洁组件。芯片-晶圆接合系统105包括嵌入式清洗组件110用以清洗芯片。清洁组件110可进行干式及/或湿式清洗。清洗组件110可移除氧化物的污染。清洗组件110可移除微粒及其他污染物。清洁组件110还可利用化学溶液或去离子水进行湿式清洗。在另一个实施例中，清洁组件110可进行化学气体及/或机械清洗。清洁组件110可进行反应室型清洗及/或通道型清洗。在一个例子中，清洁组件110包括反应室用以同时或分别清洗一个或多个芯片。反应室型清洁组件可利用电浆、甲酸蒸气及/或还原气体。在另一个例子中，清洁组件110包括通道结构，用以同时传送及清洗一个或多个芯片。
图3a显示本发明通道型清洁组件110a的一个实施例，图3a为剖面图。嵌入式通道型清洁组件110a包括运输装置130，例如，传送带或类似的装置，可用来传送一种或多种芯片126。通道型清洁组件110a还可包括加热器132，用以控制及维持运输装置130上的芯片126的温度。通道型清洁组件110a也可包括化学物质供应器134，可用以提供多种化学物质以清洗芯片。例如，化学物质供应器134可提供清洗用的化学物质，以“B”方向流动到芯片126。在另一个例子中，化学物质包括HCOOH以移除氧化物。化学物质可包含其他化学物质以移除气化物及其他污染物。化学物质供应器134也可提供以“A”方向流动的保护气体，用以保护芯片。保护气体包括氮及/或其他适合的惰性气体。
图3b显示本发明反应室型清洗组件110b的一个实施例，图3b为剖面图。嵌入式反应室型清洁组件110b包括加热器132用以对芯片载物台上的芯片126加热。芯片载物台可与加热器132整合于一体。反应室型清洗组件110b具有反应室133，将加热器132及芯片包围于其内。在一个例子中，反应室型清洗组件110b也可包括气体供应装置135，用以提供多种的化学物质以清洗芯片。化学物质可包含HCOOH以移除氧化物。在另一个例子中，气体供应装置135提供还原气体到反应室133中。还原气体包括制程气体的远距电浆及/或其他适合气体。
参照图2，清洁组件110还可包括芯片缓冲载物台111，用以在清洗后将芯片传送到芯片-晶圆接合组件，相关内容如下所述。芯片-晶圆接合组件的接合手臂可将芯片由芯片载物台111举起，并移到芯片-晶圆接合组件以进行后续的接合程序。
芯片-晶圆接合系统105可包括芯片负载装置116以负载芯片到接合系统中进行清洗及接合程序。在一个实施例中，芯片负载装置116可设置于邻接清洁组件110的位置，使负载的芯片可有效率的传送到清洁组件110中。
芯片-晶圆接合系统100可括芯片-晶圆接合组件112，用以接合一个或多个芯片126到晶圆124。晶圆124被放置于晶圆载物台上。芯片-晶圆接合组件112还包括接合手臂及对准装置以举起，握住，对准以及将芯片126接合到晶圆124上。芯片-晶圆接合组件112包括反应室用以实行芯片与晶圆的接合。芯片-晶圆接合组件112可设置于邻近清洁组件110的位置。在一个实施例中，芯片-晶圆接合组件112邻接芯片缓冲载物台111，在芯片清洗后，接合手臂可将芯片由芯片缓冲载物台上举起。
图4a显示本发明嵌入式芯片-晶圆接合组件112a的一个实施例，图4a为剖面示意图。芯片-晶圆接合组件112a包括小反应室136用以进行芯片及晶圆的接合程序。芯片-晶圆接合组件112a还可包括透明材料层(或透明窗)138，其设置于芯片-晶圆接合室136上，可作为透明窗以进行良好的对准及接合程序。芯片-晶圆接合组件112a包括晶圆载物台140，其设置于小反应室136内，可用以支持晶圆124。芯片-晶圆接合组件112a也可包括接合手臂142，其至少一部份位于小反应室136内。对准装置可设置于小反应室内，并与接合手臂整合于一体。因此，小反应室136具有较小的体积。可有效且低成本地移除及/或降低氧气浓度。例如，由于反应室136的体积较小，更可有效率地提供氮气及/或HCOOH。可对接合手臂及晶圆载物台加热并将温度维持在约23℃到500℃之间。
图4b显示本发明嵌入式芯片-晶圆接合组件112b的一个实施例，图4b为剖面示意图。芯片-晶圆接合组件112b包括反应室139，其与图4a的反应室136相比，具有较大的体积。反应室139内包括接合手臂142。芯片-晶圆接合组件112b可包括晶圆载物台140，其设置于芯片-晶圆接合室139内用以支持晶圆124。芯片-晶圆接合组件112b也可包括对准装置，其与接合手臂整合为一体并用以进行芯片的对准。
参照图2、图4a及图4b，对准装置与接合手臂整合于一体，使得芯片126可适当地接合到晶圆124上预定的位置。在一个实施例中，芯片可接合到已切割的晶圆上及/或与粘着剂接合。芯片-晶圆接合组件112可包括气体供应装置以提供保护气体到芯片-晶圆接合室中，用以保护芯片及晶圆避免遭受氧化物及其他污染物的污染。例如，保护气体包括氮气或其他适合的惰性气体。在一个实施例中，惰性气体的流率可为约500liter/min或更高。芯片-晶圆接合室112a或112b中的氧气浓度最好小于约30ppb。另外，有关于芯片-晶圆接合组件112a，惰性气体气流于反应室136中形成低氧环境。例如，氮气气流经由接合手臂142及透明窗138之间的空间流入并存在于芯片-晶圆接合室中。
在一个实施例中，芯片-晶圆接合组件112可另提供其他额外的气体，例如制程气体(forming gas)，如氢及/或甲酸蒸气以清洗或移除污染物。例如，在芯片-晶圆接合程序中，可提供HCOOH到芯片-晶圆接合室中，用以移除氧化物并降低接触电阻。在另一个实施例中，可使芯片-晶圆接合室112b维持真空状态以形成低氧环境。芯片-晶圆接合组件112也可包括加热器对晶圆加热，可获得良好的接合效果。例如，加热器可使晶圆的温度维持于约23℃到500℃之间。也可对接合手臂加热使芯片存在于类似的温度中。
芯片-晶圆接合系统105可额外包括嵌入式晶圆级接合组件114，其整合到芯片-晶圆接合组件112中。因此，可在同一个系统中进行晶圆级接合程序。晶圆级接合组件114包括反应室。晶圆级接合组件114被设置邻近芯片-晶圆接合组件112的位置。在一个实施例中，晶圆级接合程序包括提供粘着材料到接合的芯片及晶圆。例如，粘着材料可实质上填满晶圆及芯片间的空间，如接合点之间的缺口。在另一个实施例中，晶圆级接合程序包括提供高温及高压到接合的芯片及晶圆，以加强接合强度。例如，晶圆级接合组件114包括加热器及温度控制器，用以使晶圆级接合室内的温度维持在约100到约500℃。在另一个例子中，晶圆级接合组件114可提供接合力量到接合的晶圆及芯片上，以加强接合强度。依照不同的芯片及晶圆，此接合力量可大于约8000kg。此接合力量可为气压。
芯片-晶圆接合系统105也可包括晶圆清洁室(或晶圆预清洁室)120以清洗晶圆。晶圆清洁室120设置于邻近芯片-晶圆接合室的位置。
芯片-晶圆接合系统105也可包括缓冲室122，其设置于晶圆级接合组件114及晶圆清洁室120之间，用以在晶圆清洁室120、芯片-晶圆接合组件112及晶圆级接合组件114之间接受晶圆并传送晶圆。
芯片-晶圆接合系统100还可包括一个或多个负载结构，用以负载晶圆到芯片-晶圆接合系统105。在一个实施例中，芯片-晶圆接合系统105包括晶圆接合结构118，可负载晶圆到接合系统105中以进行行清洗及接合程序。例如，晶圆接合结构118设置于邻近晶圆缓冲室122的位置，以负载晶圆到晶圆缓冲室122。接着此晶圆由缓冲室122被传送到晶圆清洁室120以进行晶圆清洗程序，被传送到芯片-晶圆接合组件112以进行芯片-晶圆接合程序，以及被传送到晶圆级接合组件114以进行晶圆级接合程序。
芯片-晶圆接合系统105还可包括控制组件128，其与多种清洁、接合组件及接合系统105的反应室结合，并用于控制及调节清洁、接合组件及反应室。控制组件128包括软件及硬件。例如，控制组件128可包括存储元件储存或保存工艺参数、数据及工艺法。在一个实施例中，控制组件包括网内网路或网际网路结合，使参数、数据及/或工艺法可上传、下载到其他工具或与其共享。控制组件128也可分布于各种位置并通过电脑网络整合。在一个实施例中，控制组件128可与制造执行系统(MES)整合并与现存的制造控制程序相容。
图5显示方法500的流程，其利用图1的芯片-晶圆接合系统100或图2的芯片-晶圆接合系统105。方法500如下及图1-图4所述。芯片-晶圆接合方法500以步骤502开始，负载一个或多个半导体芯片到图1或图2的芯片-晶圆接合系统100、105。例如，将从晶圆切割出的多个芯片负载到芯片负载结构116。
方法500的步骤504，在清洁组件110中，对负载的芯片进行清洗程序。芯片清洗程序包括湿式清洗程序及/或干式清洗程序用以移除芯片的氧化物。芯片清洗程序可利用去离子水及HCOOH清洗芯片。芯片清洗程序可利用制程气体(氢气)以移除氧化物。在另一个实施例中，利用甲酸蒸气进行芯片清洗程序。芯片清洗程序可移除芯片上的微粒或其他污染物。在清洗后，可接着将清洗过的芯片置于芯片缓冲台111。
方法500的步骤506，在芯片-晶圆接合组件112中，将清洗过的芯片接合到晶圆上。在一个实施例中，接合手臂142从芯片缓冲台111或清洁室110中将芯片举起并传送到芯片-晶圆接合室112，在晶圆台140上对准芯片及晶圆，将芯片放置于晶圆上，并以机械力或热力将芯片接合到晶圆上。可使芯片-晶圆接合室维持在无氧环境下以减少任何的气化降解。例如，提供氮气到芯片-晶圆接合室以保护晶圆及芯片。芯片-晶圆接合室可降低或避免微粒的污染。接合程序在约23℃-500℃下进行。若需要将多个芯片接合到晶圆上，可重复上述步骤直到将所有芯片接合到晶圆上为止。
方法500的步骤508，在晶圆级接合组件114中，对接合的晶圆及芯片进行晶圆级接合程序。在步骤506中，将欲接合的芯片接合到晶圆上后，将接合芯片的晶圆传送到晶圆级接合组件114中以进行晶圆级接合程序。例如，将接合芯片的晶圆移到晶圆缓冲室122，并接着传送到晶圆级接合组件114中。在进行晶圆级接合程序时，可将晶圆级接合组件114加热到约100℃-500℃。晶圆级接合程序包括提供粘着剂到芯片及晶圆上以填满芯片及晶圆间的区域，例如，例如接合点(bonded contact)周围的缺口。晶圆级接合程序可包括对接合的晶圆及芯片提供高温及高压，以促进接合的强度及质量。晶圆级接合温度可为约100℃-500℃。依不同的芯片，晶圆级接合力量可大于约8000kg。接合力量可通过气压或其他适合的方法来提供。在晶圆级接合的过程中，晶圆级接合组件114被保护不受氧气污染及/或可移除氧化物。在一个实施例中，晶圆级接合组件114可提供氮气、其他惰性气体、制程气体及/或HCOOH蒸气以保护晶圆级接合程序。在另一个实施例中，可将晶圆级接合组件维持在真空环境下。接合的晶圆及芯片在移出芯片-晶圆接合系统后可额外进行封装及测试程序。
参照图5，方法500可包括晶圆处理程序以进行晶圆负载及清洗。其包括步骤510及512，接着将已清洗的晶圆使用于步骤506及508的芯片-晶圆接合程序。在步骤510中，将晶圆负载到芯片-晶圆接合系统100或105中。例如，晶圆可通过晶圆负载结构118负载到缓冲室122中。
晶圆处理程序的步骤512，包括在晶圆清洁室120中进行晶圆清洗程序。在一个实施例中，晶圆由缓冲室122被传送晶圆清洁室120并进行清洗。晶圆清洁程序类似于芯片清洗，可进行清洗及/或化学处理以移除晶圆上的氧化物。微粒及其他污染物也可被移除。在一个实施例中，可利用化学物质及去离子水来去除晶圆上的氧化物。在另一个实施例中，可利用化学气体及/或机械清洗进行干式清洗程序。接着将清洗后的晶圆传送到芯片-晶圆接合组件112以进行预先对准及芯片-晶圆接合，如步骤506所示。
上述系统及方法仅为本发明的实施例。本领域技术人员可在不影响本发明的精神下扩大、修改以及增加其他适合变化。例如，使用于芯片-晶圆接合的晶圆可为半导体晶圆或其他图案化基材，例如，晶硅薄膜电晶体液晶显示器(TFT LCD)或含微机电系统的图案化基材，或影像感应器。半导体晶圆可还包括多个图案化层，例如，掺杂区、浅沟槽绝缘区、多晶硅栅极、金属线及插塞。晶圆及芯片包括突出接点(或接触点)以进行接合。在一个实施例中，接触点包含铜。在另一个实施例中，接触点包括钖。上述接合系统与芯片清洁组件及芯片-晶圆接合组件整合于一体，且还提供低氧环境。可移除及避免晶圆及/或芯片接合区的氧化物污染，以提供良好的接合及降低接触电阻。
本发明提供整合芯片-晶圆接合系统及无氧接合环境。在此揭示下本领域技术人员可进行其他变化。例如，可使接合系统中的多个反应室维持在真空环境、惰性气体及/或化学气流中以移除氧化物及降低氧气含量。其他非关键性的反应室及组件，例如，晶圆缓冲及接合结构，则可置于大气环境中。在一个实施例中，接合手臂及芯片-晶圆接合室可维持于约500℃下。在另一个实施例中，接合手臂的温度可相同于芯片-晶圆接合室的温度。
本发明提供接合装置，其包括清洁组件用以清洗芯片，芯片-晶圆接合室用以接受清洁组件中的芯片，并将芯片接合到晶圆上。
在本发明中，清洁组件可进行至少一湿式或干式清洗。清洁组件可提供气体以清洗芯片，此气体从下列组成的族群中选择：甲酸蒸气、氢气、还原气体的远距电浆及上述组合。清洁组件可利用HCOOH清洗芯片。清洁组件还可包括机械装置以移除微粒。清洁组件可包括清洁室用以清洗芯片。清洁组件可包括芯片清洁通道以传送并清洗芯片。本发明的接合装置还包括气体供应装置以供应气体到芯片-晶圆接合室中，可在芯片-晶圆接室中形成低氧空间。芯片-晶圆接合室可包括对准装置，其设置于低氧空间的外侧。所提供的气体可包括惰性气体、制程气体、混合甲酸蒸气及上述组合。芯片-晶圆接合室可设置帮浦以提供真空环境。接合装置可还包括晶圆级接合室以进行晶圆级接合程序。晶圆级接合程序可包括提供粘着剂到晶圆及芯片上。晶圆级接合程序包括提供至少热接合及机械力接合到晶圆及芯片之间。晶圆级接合室可施行晶圆清洗程序。本发明的接合装置还包括晶圆清洁室以进行晶圆清洗程序。本发明的接合装置可还包括缓冲室，其邻近于晶圆级接合室及晶圆清洁室，用以传送晶圆通过晶圆级接合室、晶圆清洁室及芯片-晶圆接合室。晶圆级接合室可在约100℃到500℃下进行晶圆级接程序。
在另一个实施例中，本发明的接合装置包括清洁组件用以清洗多个芯片；芯片-晶圆接合室用以将多个芯片接合到晶圆上；以及晶圆级接合室设置于邻近于芯片-晶圆接合室的位置，用以进行晶圆级接合。在一个实施例中，清洁组件包括清洁室，用以清洗多个芯片。在另一个实施例中，清洁组件包括芯片清洗通道，用以传送并清洗多个芯片。
本发明还提供芯片-晶圆接合方法。本发明的方法包括负载多个芯片以进行芯片-晶圆接合；将多个芯片接合到晶圆上，其中芯片-晶圆接合装置包括清洁组件，用以清洗多个芯片；以及芯片-晶圆接合室，用以接受清洁组件的多个芯片，并将此多个芯片接合到晶圆上；清洗此多个芯片。本发明的芯片-晶圆接合方法还包括进行晶圆级接合，可在与芯片-晶圆装置整合的晶圆级接合室中将多个芯片接合晶圆上。
虽然本发明已以优选实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明，任何本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作出更动与改变，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书界定的范围为准。

Claims (19)

1.一种接合装置，包括：
清洁组件，用于清洗多个芯片，以及
芯片-晶圆接合室，接受该清洁组件的所述多个芯片，并将所述多个芯片接合到晶圆，其中芯片-晶圆接合室处于真空状态。
2.如权利要求1所述的接合装置，其中该清洁组件执行至少一湿式或干式清洗。
3.如权利要求1所述的接合装置，其中该清洁组件充满气体，以清洗所述多个芯片，其中该气体从下列组成的族群中选择：甲酸蒸气、氢气、还原气体的远距电浆及上述组合。
4.如权利要求1所述的接合装置，其中该清洁组件还包括：机械装置，用以移除所述多个芯片上的多个微粒。
5.如权利要求1所述的接合装置，其中该清洁组件包括：清洁室，用以清洗所述多个芯片。
6.如权利要求1所述的接合装置，其中该清洁组件包括：芯片清洁通道，用以传送所述多个芯片通过该芯片清洁通道，并清洗位于该芯片清洁通道中的所述多个芯片。
7.如权利要求1所述的接合装置，还可包括：气体供应装置，用以提供气体到该芯片-晶圆接合室中，并在该芯片-晶圆接合室中提供无氧空间。
8.如权利要求7所述的接合装置，其中该气体从下列组成的族群中选择：惰性气体、制程气体、混合甲酸蒸气及上述组合。
9.如权利要求1所述的接合装置，还可包括：晶圆级接合室，以进行晶圆级接合程序。
10.如权利要求9所述的接合装置，其中该晶圆级接合程序包括在该晶圆及所述多个芯片间施行至少热接合及机械压力接合。
11.如权利要求9所述的接合装置，其中该晶圆级接合室对该晶圆施行清洗程序。
12.如权利要求9所述的接合装置，还可包括：晶圆清洁室，对该晶圆施行清洗程序。
13.如权利要求12所述的接合装置，还可包括：缓冲室，邻近该晶圆级接合室与该晶圆清洗室，用以在该晶圆级接合室、晶圆清洁室及芯片-晶圆接合室中传送该晶圆。
14.如权利要求9所述的接合装置，其中该晶圆级接合室在100℃到500℃下施行晶圆级接合程序。
15.一种芯片-晶圆接合装置，包括：
清洁组件，用以清洗多个芯片；
芯片-晶圆接合室，用于接合所述多个芯片到晶圆上；
晶圆级接合室邻近该芯片-晶圆接合室，用以执行晶圆级接合程序使所述多个芯片接合到该晶圆上。
16.如权利要求15所述的接合装置，其中该清洁组件包括：清洁室，以清洗所述多个芯片。
17.如权利要求15所述的接合装置，其中该清洁组件包括：芯片清洁通道，用以传送所述多个芯片通过该芯片清洁通道，并清洗位于该芯片清洁通道中的所述多个芯片。
18.一种芯片-晶圆接合的方法，包括：
负载多个芯片到芯片-晶圆接合装置中，该芯片-晶圆接合装置包括：
清洁组件，用以清洗所述多个芯片；以及
芯片-晶圆接合室，处于真空状态，用以接受该清洁组件中的所述多个芯片，并将所述多个芯片接合到晶圆上；
清洗所述多个芯片；以及
接合所述多个芯片到晶圆上。
19.如权利要求18所述的芯片-晶圆接合方法，还可包括在该芯片-晶圆接合装置中的晶圆级接合室内，执行晶圆级接合程序使所述多个芯片接合到该晶圆上。
CN2008101692593A 2007-11-30 2008-10-10 芯片-晶圆接合装置及接合的方法 Active CN101447400B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US99140107P 2007-11-30 2007-11-30
US60/991,401 2007-11-30
US12/054,097 2008-03-24
US12/054,097 US8387674B2 (en) 2007-11-30 2008-03-24 Chip on wafer bonder

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101447400A CN101447400A (zh) 2009-06-03
CN101447400B true CN101447400B (zh) 2010-09-15

Family

ID=40676161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101692593A Active CN101447400B (zh) 2007-11-30 2008-10-10 芯片-晶圆接合装置及接合的方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8387674B2 (zh)
CN (1) CN101447400B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8387674B2 (en) 2007-11-30 2013-03-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Comany, Ltd. Chip on wafer bonder
US20090223628A1 (en) * 2008-03-07 2009-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus of composite substrate and manufacturing method of composite substrate with use of the manufacturing apparatus
CN102237285B (zh) * 2010-04-20 2016-05-18 台湾积体电路制造股份有限公司 晶片接合机
US10141413B2 (en) 2013-03-13 2018-11-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer strength by control of uniformity of edge bulk micro defects
US9064823B2 (en) * 2013-03-13 2015-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for qualifying a semiconductor wafer for subsequent processing
US9981457B2 (en) * 2013-09-18 2018-05-29 Semiconductor Emergy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus of stack
USD785057S1 (en) * 2014-05-21 2017-04-25 Brewer Science Inc. Bake plate
CN105543807B (zh) * 2015-12-15 2018-06-26 华中科技大学 一种变温薄膜沉积系统
CN106684178B (zh) * 2017-01-04 2018-06-08 浙江尚越新能源开发有限公司 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层的制备系统及方法
TWI668789B (zh) * 2017-02-03 2019-08-11 日商新川股份有限公司 接合裝置
JP7129793B2 (ja) * 2018-03-06 2022-09-02 シャープ株式会社 接合装置
US11205633B2 (en) 2019-01-09 2021-12-21 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of bonding of semiconductor elements to substrates, and related bonding systems
US11515286B2 (en) 2019-01-09 2022-11-29 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of bonding of semiconductor elements to substrates, and related bonding systems
CN110467151A (zh) * 2019-09-04 2019-11-19 烟台睿创微纳技术股份有限公司 一种mems晶圆封装设备及方法
US11848398B2 (en) * 2019-12-29 2023-12-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Flat bonding method of light emitting device and flat bonder for light emitting device

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3544790A (en) 1968-03-01 1970-12-01 Western Electric Co An electron beam masking arrangement
US3667830A (en) 1970-04-08 1972-06-06 Stromberg Datagraphix Inc Display system utilizing a selectively deformable light-reflecting element
US3971860A (en) 1973-05-07 1976-07-27 International Business Machines Corporation Method for making device for high resolution electron beam fabrication
US4213053A (en) 1978-11-13 1980-07-15 International Business Machines Corporation Electron beam system with character projection capability
US4264711A (en) 1979-12-10 1981-04-28 Burroughs Corporation Method of compensating for proximity effects in electron-beam lithography
US4463265A (en) 1982-06-17 1984-07-31 Hewlett-Packard Company Electron beam proximity effect correction by reverse field pattern exposure
DE3485291D1 (de) 1983-03-29 1992-01-09 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren fuer die herstellung mittels projektion einer integrierten schaltungsabbildung auf einer halbleiterplatte.
US4498010A (en) 1983-05-05 1985-02-05 The Perkin-Elmer Corporation Virtual addressing for E-beam lithography
US4761560A (en) 1984-01-25 1988-08-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Measurement of proximity effects in electron beam lithography
US4712013A (en) 1984-09-29 1987-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of forming a fine pattern with a charged particle beam
DE3583423D1 (de) 1984-10-09 1991-08-14 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zur erzeugung eines gewuenschten musters auf einem ziel mittels elektronenstrahlbelichtung desselben.
GB2180669A (en) 1985-09-20 1987-04-01 Phillips Electronic And Associ An electron emissive mask for an electron beam image projector, its manufacture, and the manufacture of a solid state device using such a mask
US4812962A (en) 1987-04-09 1989-03-14 Harris Corp. Area feature sorting mechanism for neighborhood-based proximity correction in lithography processing of integrated circuit patterns
US4816361A (en) 1987-11-27 1989-03-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Patterning optical and X-ray masks for integrated circuit fabrication
US5008553A (en) 1988-04-22 1991-04-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Electron beam lithography method and apparatus
JP2551632B2 (ja) 1988-07-11 1996-11-06 株式会社日立製作所 パターン形成方法および半導体装置製造方法
JP2680074B2 (ja) 1988-10-24 1997-11-19 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光を用いた半導体装置の製造方法
US5090609A (en) * 1989-04-28 1992-02-25 Hitachi, Ltd. Method of bonding metals, and method and apparatus for producing semiconductor integrated circuit device using said method of bonding metals
JPH03174716A (ja) 1989-08-07 1991-07-29 Hitachi Ltd 電子ビーム描画装置および描画方式
US5130213A (en) 1989-08-07 1992-07-14 At&T Bell Laboratories Device manufacture involving lithographic processing
US5057462A (en) 1989-09-27 1991-10-15 At&T Bell Laboratories Compensation of lithographic and etch proximity effects
JPH0744145B2 (ja) 1989-12-12 1995-05-15 株式会社東芝 電子ビーム露光方法及びその装置
US4998020A (en) 1990-03-28 1991-03-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electron beam exposure evaluation method
US5254438A (en) 1990-11-29 1993-10-19 Hewlett-Packard Company Single pass compensation for electron beam proximity effect
IL97022A0 (en) 1991-01-24 1992-03-29 Ibm Israel Partitioning method for e-beam lithography
JPH05326452A (ja) 1991-06-10 1993-12-10 Kawasaki Steel Corp プラズマ処理装置及び方法
JP3235144B2 (ja) 1991-08-02 2001-12-04 ソニー株式会社 量子箱列の作製方法
US5336892A (en) 1992-05-13 1994-08-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method and system for electron beam lithography
US6017658A (en) 1992-05-13 2000-01-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Lithographic mask and method for fabrication thereof
US5811022A (en) 1994-11-15 1998-09-22 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma reactor
US5532496A (en) 1994-12-14 1996-07-02 International Business Machines Corporation Proximity effect compensation in scattering-mask lithographic projection systems and apparatus therefore
US5561008A (en) 1995-01-27 1996-10-01 Lucent Technologies Inc. Process for device fabrication using projection lithography and an apparatus therefor
JP3257328B2 (ja) 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP3552344B2 (ja) 1995-07-05 2004-08-11 株式会社ニコン 荷電粒子線によるパターン転写方法および転写装置
JP3334441B2 (ja) 1995-08-01 2002-10-15 ソニー株式会社 フォトマスク描画用パターンデータ補正方法と補正装置
JPH09180978A (ja) 1995-12-27 1997-07-11 Nikon Corp 近接効果補正方法
JP2914264B2 (ja) 1996-01-16 1999-06-28 日本電気株式会社 電子ビーム描画方法
US5825040A (en) 1996-12-23 1998-10-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Bright beam method for super-resolution in e-beam lithography
US5847959A (en) 1997-01-28 1998-12-08 Etec Systems, Inc. Method and apparatus for run-time correction of proximity effects in pattern generation
US6110395A (en) 1997-08-26 2000-08-29 Trikon Technologies, Inc. Method and structure for controlling plasma uniformity
US5994009A (en) 1997-11-17 1999-11-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interlayer method utilizing CAD for process-induced proximity effect correction
US6475927B1 (en) * 1998-02-02 2002-11-05 Micron Technology, Inc. Method of forming a semiconductor device
JPH11251209A (ja) 1998-02-27 1999-09-17 Advantest Corp 電子ビーム露光装置用ブロックマスクの製作方法
JP3340387B2 (ja) 1998-05-29 2002-11-05 株式会社日立製作所 電子線描画装置
WO2000019514A1 (fr) 1998-09-28 2000-04-06 Hitachi, Ltd. Boitier de semiconducteur et procede correspondant de soudage de puce
US6126323C1 (en) 1999-01-15 2002-09-17 Satoshi Tange Headset assembly for a bicycle
US6373071B1 (en) 1999-06-30 2002-04-16 Applied Materials, Inc. Real-time prediction of proximity resist heating and correction of raster scan electron beam lithography
KR100338768B1 (ko) * 1999-10-25 2002-05-30 윤종용 산화막 제거방법 및 산화막 제거를 위한 반도체 제조 장치
JP2001126980A (ja) 1999-11-01 2001-05-11 Nikon Corp 蓄積エネルギー計算方法、プログラム記憶媒体、近接効果計算方法、マスク又はレチクルパターンの設計方法、及び半導体デバイスの製造方法
US20030155079A1 (en) 1999-11-15 2003-08-21 Andrew D. Bailey Plasma processing system with dynamic gas distribution control
US6361911B1 (en) 2000-04-17 2002-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Using a dummy frame pattern to improve CD control of VSB E-beam exposure system and the proximity effect of laser beam exposure system and Gaussian E-beam exposure system
US6472123B1 (en) 2000-05-15 2002-10-29 Micron Technology, Inc. Multiple pass write method and reticle
US6528934B1 (en) 2000-05-30 2003-03-04 Chunghwa Picture Tubes Ltd. Beam forming region for electron gun
US6531069B1 (en) 2000-06-22 2003-03-11 International Business Machines Corporation Reactive Ion Etching chamber design for flip chip interconnections
WO2002008487A1 (en) 2000-07-24 2002-01-31 The University Of Maryland, College Park Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation
US6596444B2 (en) 2000-12-15 2003-07-22 Dupont Photomasks, Inc. Photomask and method for correcting feature size errors on the same
TW570856B (en) * 2001-01-18 2004-01-11 Fujitsu Ltd Solder jointing system, solder jointing method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing system
US6777037B2 (en) 2001-02-21 2004-08-17 Hitachi, Ltd. Plasma processing method and apparatus
US6673199B1 (en) 2001-03-07 2004-01-06 Applied Materials, Inc. Shaping a plasma with a magnetic field to control etch rate uniformity
US6590344B2 (en) 2001-11-20 2003-07-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Selectively controllable gas feed zones for a plasma reactor
JP3734447B2 (ja) * 2002-01-18 2006-01-11 富士通株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
TW587139B (en) 2002-10-18 2004-05-11 Winbond Electronics Corp Gas distribution system and method for the plasma gas in the chamber
US6872507B2 (en) 2002-11-01 2005-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Radiation correction method for electron beam lithography
US7311784B2 (en) 2002-11-26 2007-12-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing device
US6962835B2 (en) * 2003-02-07 2005-11-08 Ziptronix, Inc. Method for room temperature metal direct bonding
JP4633425B2 (ja) 2004-09-17 2011-02-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR100663351B1 (ko) 2004-11-12 2007-01-02 삼성전자주식회사 플라즈마 처리장치
JP4747691B2 (ja) * 2005-06-24 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
JP4107316B2 (ja) * 2005-09-02 2008-06-25 株式会社日立プラントテクノロジー 基板貼合装置
US7897008B2 (en) 2006-10-27 2011-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for regional plasma control
US8387674B2 (en) 2007-11-30 2013-03-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Comany, Ltd. Chip on wafer bonder

Also Published As

Publication number Publication date
US8387674B2 (en) 2013-03-05
US9093447B2 (en) 2015-07-28
CN101447400A (zh) 2009-06-03
US20130157412A1 (en) 2013-06-20
US20090142903A1 (en) 2009-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101447400B (zh) 芯片-晶圆接合装置及接合的方法
EP2091071B1 (en) Process for bonding two substrates
CN101405842B (zh) 退火装置
CN103531492B (zh) 用于半导体晶圆的混合接合系统及方法
KR101770009B1 (ko) 기판 분리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 분리 장치, 로드 락 장치 및 기판 접합 장치
KR102274732B1 (ko) 기판 반송 장치
JP2005191259A (ja) 太陽電池モジュールの製造方法と太陽電池モジュールの製造装置
US11776933B2 (en) Methods of bonding semiconductor elements to a substrate, including use of a reducing gas, and related bonding machines
CN101667528A (zh) 用于三维ic互连的衬底对衬底键合装置和方法
CN101295657A (zh) 芯片焊接机的弯曲电路板的固定方法及芯片焊接机装置
US10071544B2 (en) Separation apparatus, separation system, and separation method
US9589801B2 (en) Methods for wafer bonding and for nucleating bonding nanophases using wet and steam pressurization
CN102197455A (zh) 高温板材搬运系统和方法
JP6263972B2 (ja) 基板搬送装置、ｅｆｅｍ及び半導体製造装置
CN108666232A (zh) 基板处理系统、基板翻转装置和方法
KR102082009B1 (ko) 아연 금속과 아연 과산화물의 반응성 결합으로 형성된 층상 결합 구조물
KR101619460B1 (ko) 적층형 반도체 패키지의 제조장치
CN102237285B (zh) 晶片接合机
TWI484160B (zh) 基板檢測裝置與方法
JP7431831B2 (ja) 半導体素子を基板にボンディングする方法、および関連ボンディングシステム
Dragoi et al. New challenges for 300 mm Si technology: 3D interconnects at wafer scale by aligned wafer bonding
KR102573092B1 (ko) 다이 본딩 방법
TWI846796B (zh) 將半導體元件接合至基板的方法及相關接合系統
US20240063169A1 (en) Bonding systems for bonding a semiconductor element to a substrate, and related methods
TAN InP to Si Bonding for Photonics Application

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant