JP4747691B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4747691B2 JP4747691B2 JP2005184754A JP2005184754A JP4747691B2 JP 4747691 B2 JP4747691 B2 JP 4747691B2 JP 2005184754 A JP2005184754 A JP 2005184754A JP 2005184754 A JP2005184754 A JP 2005184754A JP 4747691 B2 JP4747691 B2 JP 4747691B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- electrode
- semiconductor device
- storage container
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 109
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 28
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 21
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 21
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 12
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 47
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 31
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 24
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 16
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 11
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 8
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical group [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 238000004210 cathodic protection Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F13/00—Inhibiting corrosion of metals by anodic or cathodic protection
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F13/00—Inhibiting corrosion of metals by anodic or cathodic protection
- C23F13/02—Inhibiting corrosion of metals by anodic or cathodic protection cathodic; Selection of conditions, parameters or procedures for cathodic protection, e.g. of electrical conditions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76814—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics post-treatment or after-treatment, e.g. cleaning or removal of oxides on underlying conductors
Description
ここで、Rは気体定数(8.314 J/mol K)、Tは絶対温度、nは関与する電子数、FはFaraday定数(96500 C/mol)、aは金属イオンMn+の活量、E0は標準電極電位(a=1の溶液に金属を浸したときの平衝電位)である。金属の電位が平衝電位Eより大きい場合には、金属のイオン化反応が進行するため、理論上は腐食が発生し、上述の系においてもステンレスの電位が平衡電位Eよりも大きいものと考えられる。なお、aの値は、蟻酸液中の金属不純物許容濃度(10−6〜10−8程度、100〜1ppb相当)を使用して平衝電位Eの値を計算する。
金属製の貯留容器内に貯留されている腐食性の液体ソースの蒸気を処理容器内に供給す ることにより、被処理体上の金属酸化物を清浄化処理する工程と、
前記貯留容器内に浸漬された電極と当該貯留容器とを夫々正極側及び負極側に接続した 直流電源により前記貯留容器に防食電流を流す工程と、
前記清浄化処理する工程の後に、前記被処理体に金属を主成分とする薄膜を成膜する工 程と、を備え、
前記電極は、前記薄膜の主成分である金属と同一の金属を主成分とするものであること を特徴とする特徴とする。
他の発明は、被処理体に対して半導体装置を製造するための処理を行う方法において、 金属製の貯留容器内に貯留されている腐食性の液体ソースの蒸気を処理容器内に供給す ることにより、被処理体上の金属酸化物を清浄化処理する工程と、
前記貯留容器内に浸漬され、貯留容器を構成する金属よりはイオン化傾向が大きい金属 を主成分とする電極と貯留容器とのイオン化傾向の差を利用して両者の間に防食電流を流 す工程と、
前記清浄化処理する工程の後に、前記被処理体に金属を主成分とする薄膜を成膜する工 程と、を備え、
前記電極は、前記薄膜の主成分である金属と同一の金属を主成分とするものであること を特徴とする。
電極63は、貯留容器を構成する金属であるステンレスよりはイオン化傾向の小さい金属、即ちステンレスを構成するFe、Cr、Ni、Moなどの金属よりもイオン化傾向の小さい金属を主成分とすること、つまりその金属のみからなる電極、その金属の窒化物などの金属化合物あるいはその金属を含む合金からなる電極であることが好ましい。電極63の具体例としてチタンに白金めっき処理をしたものを挙げることができるが、黒鉛電極であってもよい。そして液体ソースの蒸気による処理が、次に述べるように配線金属の酸化物の清浄化処理であるならば、続くバリアメタル膜の成膜処理における当該バリアメタルと同一の金属とすれば、ウエハの金属汚染は避けられる。有望視されているバリアメタル膜の材質としてTa(タンタル)あるいはW(タングステン)があるが、これらの金属はステンレスを構成する金属よりはイオン化傾向が小さいと考えられる。従って電極63が蟻酸中に微量に溶出する懸念を抱くのであれば、バリアメタル膜の材質がTa系あるいはW系である場合、バリアメタル膜の材質と同一の材質を電極63に使用することが好ましいと考えられる。なおTa系、W系とは、Taなどの金属そのものからなる場合のみならず、その金属の窒化物などの化合物あるいは合金なども含む意味である。なお電極63としては、ステンレスの成分よりもイオン化傾向の小さいルテニウム(Ru)を用いることもできる。
HCOOH+Cu2O→2Cu+CO2+H2O ……(3)
こうして清浄化処理が行われる。図2(b)は、Cu配線71の銅酸化物72が還元されて銅酸化物が清浄化された状態を示している。
なお蟻酸による処理を終えたウエハWは、処理容器1から搬出され、次工程にてバリアメタル膜74bが成膜され(図2(c))、更に下層のCu配線71と上層のCu配線とを接続するための銅電極77が埋め込まれる(図2(d))。
2 載置台
3 ガスシャワーヘッド
W 半導体ウエハ
41、51 ガス供給路
42 原料ガス供給源
6 貯留容器
62 絶縁継手
63 電極
64 直流電源
81 電極
Claims (8)
- 被処理体に対して半導体装置を製造するための処理を行う方法において、
金属製の貯留容器内に貯留されている腐食性の液体ソースの蒸気を処理容器内に供給す ることにより、被処理体上の金属酸化物を清浄化処理する工程と、
前記貯留容器内に浸漬された電極と当該貯留容器とを夫々正極側及び負極側に接続した 直流電源により前記貯留容器に防食電流を流す工程と、
前記清浄化処理する工程の後に、前記被処理体に金属を主成分とする薄膜を成膜する工 程と、を備え、
前記電極は、前記薄膜の主成分である金属と同一の金属を主成分とするものであること を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記電極は、貯留容器を構成する金属よりはイオン化傾向の小さい金属を主成分とすることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記貯留容器を構成する金属はステンレスであり、
前記電極は、タンタル、タングステン、ルテニウムのいずれかを主成分とすることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 被処理体に対して半導体装置を製造するための処理を行う方法において、
金属製の貯留容器内に貯留されている腐食性の液体ソースの蒸気を処理容器内に供給す ることにより、被処理体上の金属酸化物を清浄化処理する工程と、
前記貯留容器内に浸漬され、貯留容器を構成する金属よりはイオン化傾向が大きい金属 を主成分とする電極と貯留容器とのイオン化傾向の差を利用して両者の間に防食電流を流 す工程と、
前記清浄化処理する工程の後に、前記被処理体に金属を主成分とする薄膜を成膜する工 程と、を備え、
前記電極は、前記薄膜の主成分である金属と同一の金属を主成分とするものであること を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 貯留容器を構成する金属はステンレスであり、
前記電極は、チタンを主成分とすることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造 方法。 - 前記金属酸化物は、銅酸化物であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 腐食性の液体ソースは、有機酸であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 有機酸は、被処理体における配線または電極の表面の金属酸化物を金属に還元するために供給されることを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005184754A JP4747691B2 (ja) | 2005-06-24 | 2005-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
US11/473,159 US7556711B2 (en) | 2005-06-24 | 2006-06-23 | Semiconductor device manufacturing apparatus and operating method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005184754A JP4747691B2 (ja) | 2005-06-24 | 2005-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007005602A JP2007005602A (ja) | 2007-01-11 |
JP4747691B2 true JP4747691B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=37565979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005184754A Expired - Fee Related JP4747691B2 (ja) | 2005-06-24 | 2005-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7556711B2 (ja) |
JP (1) | JP4747691B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8387674B2 (en) * | 2007-11-30 | 2013-03-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Comany, Ltd. | Chip on wafer bonder |
US8444868B2 (en) * | 2010-01-28 | 2013-05-21 | International Business Machines Corporation | Method for removing copper oxide layer |
CN101966510B (zh) * | 2010-09-28 | 2012-10-10 | 西安建筑科技大学 | 一种滴漏式液面降沉下拉或斜拉制备薄膜材料的设备 |
JP6404706B2 (ja) * | 2014-12-22 | 2018-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属汚染除去方法および金属汚染除去装置 |
WO2019058969A1 (ja) * | 2017-09-21 | 2019-03-28 | 株式会社Kokusai Electric | 貯留容器、気化器、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3661660A (en) * | 1968-02-21 | 1972-05-09 | Grace W R & Co | Method for ultrasonic etching of polymeric printing plates |
JPS62228494A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-10-07 | Becker Kk | 貯水タンクにおける防食電極の消耗検知装置 |
JPH0765200B2 (ja) * | 1987-03-26 | 1995-07-12 | 松下電器産業株式会社 | 給湯機の防食装置 |
JPH0243384A (ja) * | 1988-08-02 | 1990-02-13 | Permelec Electrode Ltd | 防食用電極 |
JP3067479B2 (ja) * | 1993-07-30 | 2000-07-17 | 信越半導体株式会社 | ウエーハの高平坦度エッチング方法および装置 |
DE19859466C2 (de) * | 1998-12-22 | 2002-04-25 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten |
JP2002371390A (ja) * | 2001-06-18 | 2002-12-26 | Nakabohtec Corrosion Protecting Co Ltd | コンクリート構造物への電気防食用電極の設置方法 |
JP3734447B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2006-01-11 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
JP4355836B2 (ja) * | 2002-02-18 | 2009-11-04 | 株式会社アルバック | Cu膜とCuバンプの接続方法、Cu膜とCuバンプの接続装置 |
DE10355087A1 (de) * | 2003-11-24 | 2005-06-09 | Basf Ag | Verfahren zur elektrochemischen Herstellung eines kristallinen porösen metallorganischen Gerüstmaterials |
-
2005
- 2005-06-24 JP JP2005184754A patent/JP4747691B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-23 US US11/473,159 patent/US7556711B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007005602A (ja) | 2007-01-11 |
US7556711B2 (en) | 2009-07-07 |
US20060289297A1 (en) | 2006-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW393671B (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
US7070687B2 (en) | Apparatus and method of surface treatment for electrolytic and electroless plating of metals in integrated circuit manufacturing | |
JP5343369B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体 | |
JP3892621B2 (ja) | 配線膜の形成方法 | |
JP2008091645A (ja) | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法及び記憶媒体 | |
JP4747691B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI292925B (en) | Method of barrier layer surface treatment to enable direct copper plating on barrier metal | |
US10002834B2 (en) | Method and apparatus for protecting metal interconnect from halogen based precursors | |
WO2009101805A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
TW201027668A (en) | Process for through silicon via filling | |
TW201043721A (en) | Method for forming cvd-ru film and method for manufacturing semiconductor devices | |
JPH11307481A (ja) | 電解めっき装置および電解めっき方法 | |
US10879114B1 (en) | Conductive fill | |
JPWO2008081748A1 (ja) | 半導体又は平面デイスプレイの製造装置に使用される構造部材とその製造方法 | |
JP2017050304A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4816052B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
US20030022493A1 (en) | Method for improved cu electroplating in integrated circuit fabrication | |
JP2007332422A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
US11410881B2 (en) | Impurity removal in doped ALD tantalum nitride | |
US20230282485A1 (en) | Electrolyte and Deposition of a Copper Barrier Layer in a Damascene Process | |
JP2011252218A (ja) | 電子部品の製造方法及び電解めっき装置 | |
JP2008226924A (ja) | 半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
JP3947100B2 (ja) | 多層膜処理装置及び多層膜処理方法 | |
JP4078873B2 (ja) | 電解研磨液、銅の電解研磨方法、及び半導体装置の製造方法 | |
EP4138115A1 (en) | Etching method and method for producing semiconductor elements |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080610 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100810 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110419 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110502 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4747691 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |