CN101447276B - 电子器件 - Google Patents

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Abstract

一种电子器件，所述电子器件包括：基板；线圈，所述线圈具有螺旋形状，并设置在所述基板上；以及导电图案，所述导电图案设置在所述线圈内部，并具有高于所述线圈的表面的光学反射率的光学反射率，所述导电图案分割成多片。

Description

电子器件
技术领域
本发明大体上涉及电子器件，更具体地，本发明涉及具有导电图案的电子器件。
背景技术
电感器或电容器用于相位匹配等。例如，诸如移动电话或无线LAN(局域网)之类的RF(射频)系统中存在小型化、低成本并且高性能的需求。为了满足上述需求，使用诸如集成无源器件(其中诸如电感器或电容器之类的无源器件集成在基板上)之类的电子器件。
在集成无源器件安装在封装或模块基板上的情况下，有效的是集成无源器件为了高性能而面朝下安装。柱形凸点(stud bump)(如金)、板形凸点(plated bump)或焊料凸点(solder bump)形成在衬垫上，以被连接到集成无源器件的外部，从而面朝下安装集成无源器件。柱形凸点利用引线接合器形成。焊料凸点利用植球机(ball mounter)形成。然后，利用倒装贴片机(flip chip bonder)将集成无源器件安装到封装或模块基板上。
日本专利申请公报No.2006-157738公开了一种使用基板上的螺旋形线圈作为电感器的集成电子器件。日本专利申请公报No.2007-67236和美国专利No.6,518,165均公开了一种电感器，其中螺旋形线圈在其纵向上彼此间隔布置。
当使用诸如引线接合器、植球机或倒装贴片机之类的联接器(bonder)时，预先在集成无源器件中形成定位用标记。在联接(bonding)的情况下，柱形凸点或焊料凸点参考定位用标记形成或倒装(flip-chip)安装。在联接器中，利用图像识别来识别定位用标记。因此，需要将定位用标记的尺寸和对比度确定为使得联接器被图像识别。因此需要定位用标记的尺寸大于给定尺寸，并且是具有较高的光学反射率的导电图案。另一方面，当定位用标记增大时，来自线圈的感应电流在定位用标记中产生，并且产生涡电流，影响电感器特性。
发明内容
本发明鉴于上述情况作出，并提供一种具有导电图案的电子器件，其中，所述导电图案可以被图像识别，并且导电图案对电感器特性的影响受到限制。
根据本发明的一方面，提供一种电子器件，所述电子器件包括：基板；线圈，所述线圈具有螺旋形状，并设置在所述基板上；以及导电图案，所述导电图案设置在所述线圈的内部，并具有比线圈的表面的光学反射率高的光学反射率，所述导电图案分割成多片(piece)。
利用上述结构，由于导电图案的光学反射率较高，因此可以图像识别。并且由于导电图案分割成多片，因此可以限制导电图案对电感器特性的影响。
根据本发明的另一方面，提供一种电子器件，所述电子器件包括：基板；线圈，所述线圈具有螺旋形状，并设置在所述基板上；以及导电图案，所述导电图案设置在从所述线圈的周围到所述线圈的中部的范围中，并具有比所述线圈的表面的光学反射率高的光学反射率，所述导电图案用作分割成多片的定位用标记。所述导电图案用于图像识别。
附图说明
图1示出了根据第一比较例的电感器器件的俯视图；
图2示出了根据第一实施例的电感器器件的俯视图；
图3示出了根据第一实施例的变型例的电感器器件的俯视图；
图4示出了根据第二比较例的电感器器件的俯视图；
图5示出了上述电感器器件的Q值；
图6示出了上述电感器器件的电感值；
图7示出了根据第二实施例的集成无源器件的俯视图；
图8A至图8C示出了根据第三实施例的导电图案；
图9A至图9D示出了根据第三实施例的导电图案；
图10A至10D示出了根据第四实施例的制造工序；
图11A至图11C示出了根据第四实施例的制造工序；以及
图12示出了根据第五实施例的电感器器件的俯视图。
具体实施例
为了便于更好地理解本发明，下面说明相关技术。
较大的定位用标记阻碍了集成无源器件的芯片面积减小。所以，定位用标记可以布置在电感器的线圈的内部。已经证实，如果定位用标记位于电感器线圈的内部，则电感器的电感和Q值(锐度)会减小。下面将给出解决这一问题的实施例和对第一实施例的描述。
图1至图4示出了用实验方法制造的电感器器件的俯视图。图1示出了根据第一比较例的电感器器件。图2示出了根据第一实施例的电感器器件。图3示出了根据第一实施例的变型例的电感器器件。图4示出了根据第二比较例的电感器器件。在图1至图4中，电感器器件具有相同的结构。下面参考图1描述制造的电感器器件。电感器器件具有电感器30和位于玻璃基板25上的衬垫40和42。电感器30具有螺旋形状的第一线圈10和第二线圈20。螺旋形状的第一线圈10设置在基板25上。第二线圈20设置在第一线圈10上。第一线圈10和第二线圈20相互隔开。在第一线圈10和第二线圈20之间形成有空间。即，空气填充在第一线圈10和第二线圈20之间。第一线圈10几乎与第二线圈20交迭。第一线圈10在它的最外周处与衬垫40连接，并具有单个螺旋。第二线圈20在它的最外周处与衬垫42连接，并具有1.5个螺旋。第一线圈10和第二线圈20在它们的最外周处通过连接部15相互连接。电感器30的外径D为480μm，内径d为300μm，线宽L为40μm，并且线间距S为10μm。
如图2所示，在根据第一实施例的电感器器件中，在电感器30的内径内部形成有用作定位用标记的导电图案50a。导电图案50a具有36个边长L1为15μm的正方形图案、8个边长L1为15μm并且边长L2为30μm的矩形图案，以及1个在它的中心处的最小宽度L1为15μm并且最大宽度L3为70μm的十字图案。正方形图案和矩形图案之间的间距为5μm。导电图案50a的外边长L4为150μm。
如图3所示，在根据第一实施例的变型例的电感器器件中，在电感器30的内径的内部形成有用作定位用标记的导电图案50b。导电图案50b具有4个边长L5为65μm的正方形图案和1个在它的中心处的最小宽度L7为25μm并且最大宽度L6为75μm的十字图案。每个正方形图案之间的间隔为50μm。导电图案50b的外边长L8为180μm。
如图4所示，在根据第一实施例的电感器器件中，在电感器30的内径的内部形成有用作定位用标记的导电图案50c。导电图案50c为边长L8为180μm的正方形图案。第一线圈10和第二线圈20由厚度约为10μm电镀铜(plated copper)制成。另一方面，导体图案50a至50c具有其中1000nm的金被层压在利用溅射方法形成的20nm钛上的结构。由于第一线圈10和第二线圈20利用电镀方法形成，因此第一线圈10和第二线圈20具有平坦度较大而光学反射率较小的表面。另一方面，由于导电图案50a至50c利用溅射方法形成并具有金表面，因此导电图案50a至50c具有较大的光学反射率。
图5示出了根据第一比较例、第一实施例、第一实施例的变型例和第二比较例的电感器的测量到的Q值。图6示出了上述电感器的测量到的电感值。在图5和图6中，所示出的关于电感器的点是其中一个电感器的测量结果。
如图5所示，第一比较例的Q值最大，第二比较例的Q值最小。第一实施例和其变型例的Q值介于第一比较例和第二比较例之间。如图6所示，第一比较例的电感值最大，第二比较例的电感值最小。第一实施例和其变型例的电感值基本上与第一比较例的相同。
根据第一比较例的电感器器件在电感器30中没有导电图案，从而具有基本的Q值和电感值。与之相反，由于在电感器30中形成有导电图案，从而根据第二比较例的电感器器件具有相对较小的Q值和电感值。这是因为电感器30中的导电图案50c的布置产生了涡流损耗。在第一实施例及其变型例中，导电图案50a和50b分割成多片。这抑制了在导电图案50a和50b中产生涡流。与第二比较例相比，进一步地改进了电感器30的Q值和电感值。
根据第一实施例，由于在第一线圈10和第二线圈20中形成导电图案50a或导电图案50b，因此可以减小导电图案50a或导电图案50b的芯片面积。因此，如果导电图案50a或导电图案50b分割成多片，则可以限制导电图案50a或导电图案50b对电感器特性的影响，如图5和图6所示。因此可以使用导电图案50a和50b整体用作定位用标记，这是由于导电图案50a和50b的光学反射率高于第一线圈10和第二线圈20的光学反射率。引线接合器、植球机或倒装贴片机的位置可以利用光学显微镜识别。当分割的图案的光学反射率较高时，该分割的图案被识别为一体图案。因此可以利用导电图案50a和50b作为用于图像识别的一体图案。
[第二实施例]
第二实施例是具有电感器和电容器的集成无源器件的示例。图7示出了根据第二实施例的集成无源器件的俯视图。如图7所示，设置有具有第一线圈111和第二线圈112的电感器110，和具有第一线圈121和第二线圈122的电感器120。电感器110中的第一线圈111和第二线圈112的内端部通过连接部165相互电连接。第一线圈111的外端部连接到引线151。第二线圈112的外端部通过连接部160电连接到引线152。电感器120中的第一线圈121和第二线圈122的内端部通过连接部175相互连接。第一线圈121的外端部连接到引线153。第二线圈122的外端部通过连接部170连接到引线154。引线151至154形成在基板102上，并分别连接到衬垫131至134。衬垫132利用引线157连接到衬垫133。具有下部电极141、电介质层142和上部电极143的电容器140连接在衬垫131和衬垫134之间。上部电极143利用上部引线156连接到引线151。如果衬垫131用作输入，衬垫134用作输出，并且衬垫132和衬垫133接地，则集成无源器件在衬垫131和衬垫134之间形成π型L-C-L电路。电感器110的外径D1为350μm，内径d1为200μm。电感器120的外径D2为400μm，内径d2为190μm。第一线圈111、121和第二线圈112、122的线宽为15μm，线间距为15μm。
如图7所示，在第二线圈112和122中形成有导电图案50。导电图案50具有21个边长L9为10μm的正方形图案，且外径为115μm。正方形图案之间的间隔S9为10μm。
已经制造了根据第二实施例的集成无源器件。电感器110的电感值在设计值的正负5％的精度下对应于电感器120的电感值。并且获得了较高的Q值。形成了柱形凸点，并且无源器件没有问题地利用导电图案50面朝下安装。因此证实了导电图案50可以用作用于图像识别的图案。
[第三实施例1
第三实施例是导电图案的示例。如图8A所示，导电图案50d可以具有其中布置正方形图案的样式。如图8B所示，导电图案50e可以具有其中布置菱形图案的样式。如图8C所示，导电图案50f可以具有其中布置椭圆形图案的样式。如图9A所示，导电图案50g可以具有其中布置三角形图案的样式。如图9B所示，导电图案50h可以具有其中双重布置分割的图案的样式。如图9C所示，导电图案50i可以具有其中分割的图案布置成两行的样式。如图9D所示，导电图案50j可以具有其中分割的图案布置成十字形状的样式。如果联接器等可以被图像识别，则导电图案可以具有任何形状。用于图像识别的光一般是可见光，并且可以是除了可见光之外的光，例如红外光。
[第四实施例]
第四实施例是在基板上形成电感器和电容器的制造方法的示例。如图10A所示，MIM(金属-绝缘体-金属)电容器的下部电极141和用作导电图案50的下部层的金属层180以及衬垫利用溅射方法或气相沉积方法形成。基板102可以由绝缘基板例如石英(包括合成石英)、玻璃(pyrex(注册商标)、tempax、铝硅酸盐、硼硅酸盐玻璃)和陶瓷，或由高阻抗硅基板制成。基板102可以由高阻抗Si基板、LiNbO3基板或LiTaO3基板制成。优选的是，金属层180由阻抗相对较低的金属例如Al、Au或Cu制成。金属层180可以是多层结构。金属层可以具有从基板102依次为Ti/Au/Ni/Au(20nm/500nm/20nm/500nm)的4层结构或依次为Ti/Cu/Ti(20nm/1000nm/20nm)的3层结构。
如图10B所示，电介质层142利用溅射方法或PECVD(等离子体增强化学气相沉积)方法形成在下部电极141上。电介质层142可以由SiO2、Si3N4、Al2O3或Ta2O5制成。例如，电介质层142是利用PECVD方法形成的厚度为195nm的SiO2薄膜。如图10C所示，形成用于电解电镀的种子层(seed layer)182。优选的是，种子层182由用于电解电镀的材料制成。例如，利用溅射方法形成Ti/Cu(20nm/500nm)作为种子层182。
如图10D所示，光刻胶200形成为在种子层182上具有用于电镀的开口。电解电镀在该开口中进行。这使得形成由Cu制成的厚度为10μm的电镀层184。
如图11A所示，光刻胶200被去除。利用电镀层184作为掩模去除种子层182。利用电镀层184和种子层182形成电感器110、上部电极143、衬垫等。电容器140由下部电极141、电介质层142和上部电极143制成。形成具有平的顶面的厚电介质层190，以覆盖电镀层184。厚电介质层190可以由聚酰亚胺、BCB(苯并环丁烯)等制成。厚电介质层190将要成为衬垫的给定区域被去除。
如图11B所示，在厚电介质层190上形成与种子层182具有相同厚度的种子层186。形成在种子层186上具有开口的光刻胶202。电解电镀在光刻胶202的开口中进行。这使得形成由Cu制成的厚度为10μm的电镀层188。在电镀层188上形成由Ni/Au制成的表面层189。
如图11C所示，去除光刻胶202。利用表面层189作为掩模去除种子层186。衬垫131和133和上部引线192由种子层186、电镀层188和表面层189制成。利用这些工序，制造出根据第四实施例的集成无源器件。与日本专利申请公报No.2006-157738类似，电感器110具有单层的螺旋形线圈。电感器110可以具有单层的螺旋形线圈。电感器可以是在纵向上相互间隔开并相互电连接的线圈。
根据第四实施例，如图10A所示，导电图案50与形成在基板102上的电容器140的下部电极141一起形成。即，导电图案50由与下部电极141相同的材料形成。因此可以简化制造工艺。优选的是，导电图案50的顶面是平坦的，以增大导电图案50的光学反射率。因此，优选的是，导电图案50利用溅射方法或气相沉积方法形成。
根据第一实施例和第二实施例的电感器器件可以利用日本专利申请公报No.2006-157738中公开的方法制造。在这种情况下，可以类似于第四实施例，导电图案与电容器的下部电极一起形成。
[第五实施例]
第五实施例是其中导电图案位于线圈外部的示例。图12示出了根据第五实施例的电感器器件的俯视图。如图12所示，不同于第一实施例的图2，导电图案50a形成在电感器30的外部。导电图案50a从电感器30的周围向外D/2形成到圆形11(直径为2D)内。这里，“D”是电感器30的直径。电感器30的磁场在电感器30的外部产生。电感器30的磁场延伸到电感器30的半径的距离。在导电图案50a从电感器30(第一线圈10和第二线圈20)的周围形成到电感器30的半径距离的情况下，有效的是将导电图案分割成多片。可以限制电感器30的Q值和电感值的减小。
优选的是，导电图案由具有至基板的高粘附度的高熔点金属制成，例如诸如Ti、Cr、Ni、Mo、Ta、W等的金属或至少包括Ti、Cr、Ni、Mo、Ta、W中的一种的合金。特别地，更优选的是，导电图案由Ti/Au/Ti、Ti/Cu/Ti、Cr、Ni/Au或Cu制成。在这种情况下，可以减小导电图案的高频阻抗。并可以改进和基板的粘附度。如果导电图案由与电容器的下部电极相同的材料制成，则可以改进电容器的下部电极和电介质层之间的粘附度。
本发明并不局限于具体公开的实施例，在不背离本发明的范围的情况下，可以作出各种改变和修改。
本发明基于2007年9月28日提交的日本专利申请No.2007-254661，这里通过引用结合该申请的全部公开。

Claims (8)

1.一种电子器件，所述电子器件包括：
基板；
线圈，所述线圈具有螺旋形状，并设置在所述基板上；以及
导电图案，所述导电图案设置在所述线圈内部，并具有高于所述线圈的表面的光学反射率的光学反射率，所述导电图案分割成多片。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述线圈构造有在纵向上相互间隔开并且相互电连接的多个线圈。
3.根据权利要求1所述的电子器件，其中分割成多片的所述导电图案用作定位用标记。
4.根据权利要求1所述的电子器件，其中分割成多片的所述导电图案用作图像识别的标记。
5.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述导电图案的每一片具有圆形、矩形、三角形、菱形和椭圆形中的一种形状。
6.根据权利要求1所述的电子器件，所述电子器件还包括设置在所述基板上的电容器，所述电容器包括下部电极、电介质层和上部电极，并且连接到所述线圈，
其中，所述导电图案由与所述电容器的所述下部电极相同的材料制成。
7.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述线圈由电镀层制成。
8.一种电子器件，所述电子器件包括：
基板；
线圈，所述线圈具有螺旋形状，并设置在所述基板上；以及
导电图案，所述导电图案设置在所述线圈的外部，并且从所述线圈的周围向外所述线圈的半径距离形成到半径为所述线圈的直径的圆形内，并具有高于所述线圈的表面的光学反射率的光学反射率，所述导电图案用作分割成多片的定位用标记，
其中，所述导电图案用于图像识别。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7927975B2 (en) 2009-02-04 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Semiconductor material manufacture
EP2461654A4 (en) * 2009-07-27 2015-05-20 Toyota Jidoshokki Kk WIRING SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE WIRING SUBSTRATE
FR2961345A1 (fr) * 2010-06-10 2011-12-16 St Microelectronics Tours Sas Circuit integre passif
CN103094695B (zh) * 2011-10-31 2016-05-04 深圳光启高等理工研究院 一种超材料的封装方法
JP2017063146A (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 トランス装置およびその製造方法
CN105679711A (zh) * 2016-01-15 2016-06-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 射频工艺中减小带电感器件的芯片面积的方法及应用
JP6593209B2 (ja) * 2016-02-05 2019-10-23 株式会社村田製作所 電子部品
JP6889399B2 (ja) * 2017-08-08 2021-06-18 大日本印刷株式会社 貫通電極基板
US11605492B2 (en) * 2017-11-13 2023-03-14 Tdk Corporation Coil component
JP7266996B2 (ja) 2018-11-20 2023-05-01 太陽誘電株式会社 インダクタ、フィルタおよびマルチプレクサ
KR102671967B1 (ko) * 2019-03-05 2024-06-05 삼성전기주식회사 코일 부품
JP6634184B1 (ja) * 2019-09-30 2020-01-22 株式会社フジクラ フレキシブルプリント配線板及びその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1476636A (zh) * 2001-10-15 2004-02-18 ���µ�����ҵ��ʽ���� 模块部件

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6133623Y2 (zh) * 1980-03-19 1986-10-01
JPH04228135A (ja) * 1990-12-26 1992-08-18 Sony Corp 磁界変調型光磁気ヘッドの組立方法
US5420757A (en) * 1993-02-11 1995-05-30 Indala Corporation Method of producing a radio frequency transponder with a molded environmentally sealed package
JP3177954B2 (ja) 1997-11-20 2001-06-18 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR20000011585A (ko) 1998-07-28 2000-02-25 윤덕용 반도체소자및그제조방법
JP2000058329A (ja) * 1998-08-17 2000-02-25 Fuji Elelctrochem Co Ltd 積層インダクタ並びにその整列測定装置および整列測定方法
JP2001044105A (ja) 1999-07-28 2001-02-16 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP4619551B2 (ja) * 2000-11-30 2011-01-26 株式会社トッパンＴｄｋレーベル 書き換え可能な情報表示部を有する非接触ｉｃカード
US6304232B1 (en) * 2000-02-24 2001-10-16 The Goodyear Tire & Rubber Company Circuit module
JP4223172B2 (ja) * 2000-05-15 2009-02-12 大日本印刷株式会社 アンテナシートおよび非接触式データキャリア
JP4641096B2 (ja) * 2000-12-07 2011-03-02 大日本印刷株式会社 非接触式データキャリア装置とブースターアンテナ部用配線部材
JP3792635B2 (ja) * 2001-12-14 2006-07-05 富士通株式会社 電子装置
JP2003296689A (ja) 2002-04-01 2003-10-17 Nippon Information System:Kk 非接触情報通信装置
JP3881949B2 (ja) * 2002-10-17 2007-02-14 東洋アルミニウム株式会社 アンテナ回路構成体およびそれを備えた機能カードならびにアンテナ回路構成体の製造方法
JP4367013B2 (ja) * 2002-10-28 2009-11-18 セイコーエプソン株式会社 非接触通信媒体
JP2005045161A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Toppan Forms Co Ltd アンテナシート
JP4762531B2 (ja) 2004-11-30 2011-08-31 太陽誘電株式会社 電子部品及びその製造方法
JP4707056B2 (ja) 2005-08-31 2011-06-22 富士通株式会社 集積型電子部品および集積型電子部品製造方法
JP2007173759A (ja) * 2005-11-25 2007-07-05 Seiko Epson Corp 高周波モジュール及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1476636A (zh) * 2001-10-15 2004-02-18 ���µ�����ҵ��ʽ���� 模块部件

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平8-255714A 1996.10.01

Also Published As

Publication number Publication date
JP5090117B2 (ja) 2012-12-05
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KR20090033115A (ko) 2009-04-01
US20090237894A1 (en) 2009-09-24
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