CN101398544B - 电光装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电光装置及电子设备。在液晶装置等的电光装置中，防止静电击穿，并谋求小型化。电光装置，具备：基板(10)，排列于基板上的像素区域的多个像素部(600)，配置于位于所述基板上的所述像素区域的周边的周边区域、对多个像素部供给信号的周边电路(7)，设置于周边区域的端子(102v)，和从端子向周边电路引绕、并具有低电阻部分(310)和其电阻比该低电阻部分高的高电阻部分(320)的引绕布线(300)。而且，高电阻部分的至少一部分(321)，与端子通过层间绝缘膜配置于互不相同的层并在周边区域之中的形成有端子的区域内引绕。

Description

电光装置及电子设备

技术领域

本发明涉及例如液晶装置等的电光装置、及具备该电光装置的例如投影机等的电子设备。

背景技术

在这种电光装置中，在基板上的像素区域形成多个像素部，并且在位于像素区域的周边的周边区域，组装有用于对多个像素部进行驱动的驱动电路、该电光装置的检验所用的检验电路等的周边电路。进而，在周边区域，设置用于从外部对周边电路供给各种信号或者向外部输出来自周边电路的输出信号的端子(例如参照专利文献1)。

在具有这样的端子的电光装置中，有可能在电光装置的组装时、检验时或者搬运时等在电光装置的周边产生静电，如果静电通过上述的端子施加于周边电路，则周边电路有可能劣化或被击穿(即，静电击穿)。因此，例如如专利文献1所公开地，为了防止周边电路的静电击穿，多在使这样的端子与周边电路互相电连接的布线上形成电阻元件。

【专利文献1】特开2007—79541号公报

可是，上述的电阻元件，例如，通过使布线的一部分由例如导电性的多晶硅等的电阻比较高的材料构成并使该一部分在周边区域中的端子与周边电路之间引绕形成。在该情况下，存在基板上的只是用于形成(即，引绕成为电阻元件的布线的一部分)电阻元件的面积就变得比较大，难以使电光装置小型化的技术性问题。

发明内容

本发明，鉴于例如上述的问题点而作出，目的在于提供防止静电击穿并适于小型化的电光装置、及具备这样的电光装置的电子设备。

本发明的电光装置，为了解决上述问题，具备：基板，排列于该基板上的像素区域的多个像素部，配置于位于所述基板上的所述像素区域的周边的周边区域、向所述多个像素部供给信号的周边电路，设置于所述周边区域的端子，和从该端子向所述周边电路引出、并具有低电阻部分和电阻比该低电阻部分高的高电阻部分的引绕布线；所述高电阻部分的至少一部分，与所述端子隔着层间绝缘膜配置于互不相同的层并在所述周边区域之中的形成有所述端子的区域内设置。

根据本发明的电光装置，在基板上的像素区域或者像素阵列区域(或，也称为“图像显示区域”)，多个像素部例如在纵向横向相互隔开间隔地矩阵状排列。在基板上的周边区域，配置例如选择电路(或者多路分配器)、扫描线驱动电路、检验电路等的周边电路。进而，在基板上的周边区域，例如与外部电路电连接的外部电路连接端子、输入或输出用于对该电光装置的正常与否进行检验的检验信号的检验用端子，例如沿基板的边缘排列多个。当电光装置的驱动时，对多个作为例如外部电路连接端子的端子，例如从外部电路供给包括图像信号、时钟信号、控制信号、电源信号等的各种信号，并且各种信号通过电连接于端子的引绕布线被供给于周边电路。而且，相应于各种信号的供给，由周边电路通过例如扫描线、数据线驱动像素部，以有源矩阵驱动方式进行像素区域中的图像显示工作。

在本发明中，引绕布线，具有低电阻部分和其电阻比该低电阻部分高的高电阻部分。即，引绕布线，包括：包括例如Al(铝)等形成的低电阻部分、与通过包括例如导电性的多晶硅等形成而电阻比低电阻部分高的高电阻部分。换言之，对于引绕布线的低电阻部分，通过高电阻部分附加电阻。因此，例如通过端子供给于引绕布线的信号，通过设置于引绕布线的中途的高电阻部分而供给于周边电路。从而，在电光装置的组装时、检验时或者搬运时，即使在电光装置的周边产生静电、并施加于引绕布线的情况下，通过高电阻部分，也能够抑制或者防止过量的电压施加于与引绕布线电连接的周边电路(更具体地，包括于周边电路的薄膜晶体管)。该结果，能够抑制或者防止由于施加于引绕布线的静电而静电击穿周边电路。换言之，由于引绕布线的高电阻部分，作为保护周边电路免于静电的静电保护电阻而起作用，能够使电光装置的静电耐压提高。

在本发明中，尤其是，引绕布线所具有的高电阻部分的至少一部分，与端子隔着层间绝缘膜被配置于互不相同的层并在周边区域之中的形成有端子的区域内设置。典型性地，高电阻部分的至少一部分，在基板上的叠层结构中，隔着层间绝缘膜配置得比端子靠下层侧，通过开孔于该层间绝缘膜的接触孔与端子电连接。进而，高电阻部分的至少一部分，在形成有端子的区域内引绕。即，高电阻部分的至少一部分，以在基板上俯视与端子重叠的方式引绕。也就是说，高电阻部分的至少一部分，在形成有端子的区域内引绕，以使得高电阻部分所具有的电阻值接近于预定的电阻值(典型性地，使得该至少一部分所具有的电阻值变大)。因而，为了使高电阻部分具有预定的电阻值，在基板上的周边区域之中除了形成有端子的区域以外的区域能够使引绕面积变小。从而，可以使基板上的周边区域相对于像素区域变窄，可以不用使像素区域变窄而缩小基板的尺寸(换言之，为收缩)。该结果，可以使该电光装置小型化。

如上所述，根据本发明的电光装置，能够抑制或者防止静电击穿周边电路，并能够使该电光装置小型化。而且，尤其是，如果为这样的构成，则在包括多个基板的母基板上形成有多个电光装置之后进行切割而成为独立的电光装置的通用性的制造工序中，在同一面积内能够形成更多的电光装置。在在同一母基板上排列几块、十几块或者几十块制造该电光装置的情况下，哪怕仅仅能够使基板的尺寸稍微变小例如零点几mm、几mm左右，也可以在同一母基板上多出一列、多列，或者多出一行、多行地形成该电光装置。因而，即使仅仅能够这样使基板的尺寸稍微变小，在实用上也极其有益，其效果可谓巨大。

在本发明的电光装置的一种方式中，所述端子，作为与外部电路电连接的外部电路连接端子而设置。

根据该方式，能够防止静电击穿与外部电路电连接的周边电路，并能够使与外部电路连接端子电连接的引绕布线的高电阻部分引绕于基板上的周边区域之中的除了形成有外部电路连接端子的区域以外的区域的面积变小。

在本发明的电光装置的其他的方式中，所述端子，作为输入或输出用于对该电光装置的正常与否进行检验的检验信号的检验用端子而设置。

根据该方式，能够防止静电击穿与检验用端子电连接的周边电路，并能够使与检验用端子电连接的引绕布线的高电阻部分引绕于基板上的周边区域之中的除了形成有检验用端子的区域以外的区域的面积变小。

本发明的电子设备为了解决上述问题，具备上述的本发明的电光装置(而且，也包括其各种方式)。

根据本发明的电子设备，因为具备上述的本发明的电光装置，所以能够实现可以小型化的投影型显示装置、电视机、便携电话机、电子笔记本、文字处理机、取景器型或监视器直视型的磁带录像机、工作站、可视电话机、POS终端、触摸面板等各种电子设备。并且，作为本发明的电子设备，也可以实现例如电子纸等的电泳装置，电子发射装置(Field EmissionDisplay及Conduction Electron-Emitter Display，场致发射显示器及传导电子发射显示器，采用了这些电泳装置、电子发射装置的显示装置。

本发明的作用及其他优点可从接下来进行说明的用于进行实施的具体实施方式加以明确。

附图说明

图1是表示第1实施方式中的液晶装置的整体构成的俯视图。

图2是图1的H—H’剖视图。

图3是表示第1实施方式中的液晶装置的电构成的框图。

图4是第1实施方式中的液晶装置的像素部的等效电路图。

图5是表示第1实施方式中的液晶装置的图像信号线的布局的俯视图。

图6是图5的A—A’剖视图。

图7是用于对在母基板上制造第1实施方式中的液晶装置进行说明的局部俯视图。

图8是表示通过图7的虚线A0所包围的一部分的构成的局部放大俯视图。

图9是表示以图8的虚线A1包围的一部分的构成的局部放大俯视图。

图10是图9的B—B’剖视图。

图11是表示作为应用了电光装置的电子设备之一例的投影机的构成的俯视图。

符号的说明

6a...数据线，7...多路分配器，9a...像素电极，10...TFT阵列基板，10a...图像显示区域，11a...扫描线，20...对向基板，21...对向电极，30...像素开关用TFT，50...液晶层，52a...密封区域，53...框缘遮光膜，90、91...引绕布线，102...外部电路连接端子，102v...图像信号端子，103、103i、103o、103y、103nc...检验用端子，104...扫描线驱动电路，160...检验电路，300...图像信号线，310...低电阻部，320...高电阻部，400...图像信号供给电路，600...像素部，810、820、830...检验用信号线，811...低电阻部，812...高电阻部

具体实施方式

在以下，参照附图对于本发明的实施方式进行说明。在以下的实施方式中，以作为本发明的电光装置之一例的TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置为例。

第1实施方式

参照图1～图10对于第1实施方式中的液晶装置进行说明。

首先，对于本实施方式中的液晶装置的整体，参照图1及图2进行说明。在此，图1是从对向基板侧所见的液晶装置的俯视图，图2是图1的H—H’剖视图。

在图1及图2中，本实施方式中的液晶装置100，具备相对配置的TFT阵列基板10和对向基板20。TFT阵列基板10，与对向基板20相比较形成为较大平面尺寸，以使得在对向基板20及TFT阵列基板10相对配置的状态下，俯视(即，在图1中)TFT阵列基板10的至少一边从相对应的对向基板20的一边伸出或者露出。

在TFT阵列基板10与对向基板20之间封入有液晶层50，TFT阵列基板10与对向基板20，通过设置于位于作为本发明中的“像素区域”之一例的图像显示区域10a的周围的密封区域52a的密封材料52相互粘接。由此，在TFT阵列基板10及对向基板20之间，在由密封材料52包围的图像显示区域10a中封入液晶层50。

密封材料52，由用于使两基板相贴合的例如紫外线固化树脂、热固化树脂等构成，在制造过程中涂敷于TFT阵列基板10上之后，通过紫外线照射、加热等使之固化。并且，在密封材料52中，散布用于使TFT阵列基板10与对向基板20的间隔(基板间间隙)成为预定值的玻璃纤维或者玻璃粉等的间隙材料。

在图1中，与配置有密封材料52的密封区域52a的内侧并行，限定图像显示区域10a的框缘区域的遮光性的框缘遮光膜53，设置于对向基板20侧。但是，这样的框缘遮光膜53的一部分或全部，也可以设置于TFT阵列基板10侧作为内置遮光膜。还有，在本实施方式中，存在限定图像显示区域10a的周边的周边区域。换言之，在本实施方式中，从TFT阵列基板10的中心看，将框缘遮光膜53以外限定为周边区域。

在周边区域之中的位于配置有密封材料52的密封区域52a的外侧的区域，沿TFT阵列基板10的从对向基板20伸出的一边设置有包括供给图像信号的图像信号端子等的外部电路连接端子102。即，在图1中沿TFT阵列基板10的下缘横向较长地延伸的伸出区域，排列有多个外部电路连接端子102。

在比沿该一边(即，TFT阵列基板10中的排列有多个外部电路连接端子102的一边)的密封区域52a靠内侧，由框缘遮光膜53覆盖地设置有多路分配器7。并且，扫描线驱动电路104，在沿相邻于该一边的2边的密封区域52a内侧，由框缘遮光膜53覆盖地设置。而且，检验电路160，在比沿相向于该一边的边的密封区域52a内侧，由框缘遮光膜53覆盖地设置。另外，与检验电路160电连接的检验用端子103，沿TFT阵列基板10的配置有扫描线驱动电路104的2边的双方，设置于比沿该2边的每边的密封区域52a靠外侧。即，在图1中沿TFT阵列基板10的右缘及左缘的各缘而纵向延伸的带状区域，排列有多个检验用端子103。

在TFT阵列基板10上，在相向于对向基板20的4个角部的区域，配置有用于对两基板间以上下导通材料107进行连接的上下导通端子106。由此，能够在TFT阵列基板10与对向基板20间取得电导通。在TFT阵列基板10上，形成有用于电连接外部电路连接端子102，与多路分配器7、扫描线驱动电路104、上下导通端子106等的引绕布线90；及用于电连接检验用端子，与检验电路160、扫描线驱动电路104等的引绕布线91。

在图2中，在TFT阵列基板10上，形成组装有作为驱动元件的像素开关用TFT、扫描线、数据线等的布线的叠层结构。在图像显示区域10a中，在像素开关用TFT、扫描线、数据线等的布线的上层设置有像素电极9a。在像素电极9a上，形成有取向膜。另一方面，在对向基板20中的与TFT阵列基板10的对向面上，形成有遮光膜23。在遮光膜23上，与多个像素电极9a相对向地形成有由ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)等的透明材料构成的对向电极21。在对向电极21上，形成有取向膜。液晶层50，例如由一种或混合了多种类型的向列液晶的液晶构成，在这一对取向膜间，取预定的取向状态。

还有，分别在对向基板20的投影光进行入射之侧及TFT阵列基板10的出射光进行出射之侧，例如，相应于TN(扭曲向列)模式、STN(超TN)模式、D—STN(双STN)模式等的工作模式、常白模式/常黑模式的类别，以预定的方向配置偏振膜、相位差膜、偏振板等。

接下来，对于本实施方式中的液晶装置的电构成，参照图3及图4进行说明。在此，图3是表示本实施方式中的液晶装置的电构成的框图。图4是本实施方式中的液晶装置的像素部的等效电路图。

在图3中，液晶装置100，在TFT阵列基板10上，具备多路分配器7、扫描线驱动电路104及检验电路160。TFT阵列基板10上的外部电路连接端子102之中的图像信号端子102v电连接作为外部电路的图像信号供给电路400。

在TFT阵列基板10上的图像显示区域10a，1088行的扫描线11a延伸于行方向(即，X方向)而设置，并且，每8条线分组化的1984(＝248×8)列的数据线6a延伸于列方向(即，Y方向)、且与各扫描线11a保持互相电绝缘地设置。还有，扫描线11a及数据线6a并非分别限定为1088条及1984条。构成1个分组的数据线，虽然在本实施方式中为“8”，但是只要是“2”以上即可。

像素部600，对应于1088条扫描线11a与1984条数据线6a的交叉处，分别排列。从而，在本实施方式中，像素部600，以纵向1088行×横向1984列，按预定的像素间距排列成矩阵状。

如图4所示，像素部600，具备像素开关用TFT30、液晶元件72及存储电容70。

像素开关用TFT30，其源电连接于数据线6a，其栅电连接于扫描线11a，其漏电连接于后述的液晶元件72的像素电极9a。像素开关用TFT30，通过从扫描线驱动电路104所供给的扫描信号而转换导通截止。

液晶元件72，包括：像素电极9a、对向电极21以及夹持于像素电极9a及对向电极21之间的液晶。在液晶元件72中，通过数据线6a及像素电极9a写入于液晶的预定电位的数据信号，在其与对向电极21之间保持一定期间。液晶，由于施加的电压电位其分子集合的取向、秩序发生变化，从而对光进行调制，可以进行灰度等级显示。如果是常白模式，则相应于以各像素为单位所施加的电压相对于入射光的透射率减少，如果是常黑模式，则相应于以各像素为单位所施加的电压相对于入射光的透射率增加，作为整体具有相应于图像信号的对比度的光从液晶装置100进行出射。

存储电容70，与形成于像素电极9a与对向电极之间的液晶电容并联地附加，为了防止所保持的图像信号发生泄漏。

如以上的像素部600，因为在图像显示区域10a中排列成矩阵状，所以可以进行有源矩阵驱动。

再在图3中，在本实施方式中，为了对构成1个分组的8列数据线6a进行区别，从右起按顺序分别称为a、b、c、d、e、f、g、h序列。详细而言，所谓a序列为第1、9、17、...1977列的数据线6a，所谓b序列为第2、10、18、...1978列的数据线6a，所谓c序列为第3、11、19、...1979列的数据线6a，所谓d序列为第4、12、20、...1980列的数据线6a，所谓e序列为第5、13、21、...1981列的数据线6a，所谓f序列为第6、14、22、...1982列的数据线6a，所谓g序列为第7、15、23、...1983列的数据线6a，所谓h序列为第8、16、24、...1984列的数据线6a。

扫描线驱动电路104，具有移位寄存器，对第1、2、3、...1088行的扫描线11a供给扫描信号G1、G2、G3、...G1088。详细而言，扫描线驱动电路104，在1帧期间顺序选择第1、2、3、...1088行的扫描线11a，并使对选中的扫描线供给的扫描信号为相当于选择电压的高电位，使对此以外的扫描线供给的扫描信号为相当于非选择电压的低电位。

图像信号供给电路400，与TFT阵列基板10分体构成，当显示工作时其通过图像信号端子102v与TFT阵列基板10相连接。图像信号供给电路400，相对于对应于通过扫描线驱动电路104所选中的扫描线11a、与属于各个分组的8列的数据线6a之中的通过多路分配器7所选择的数据线6a的像素电极9a，输出相应于包括该像素电极9a的像素的灰度等级的电压的图像信号。从图像信号供给电路400供给于图像信号端子102v的图像信号，通过包括于引绕布线90(参照图1)的图像信号线300向多路分配器7供给。在本实施方式中，详细后述，图像信号线300具有低电阻部310、和比低电阻部310高电阻的高电阻部320，能够减少或者防止静电击穿多路分配器7的情况。

另一方面，当检验时，代替图像信号供给电路400，图像信号端子102v，连接检验用图像信号供给电路，供给配合检验工作的检验用图像信号。

还有，在本实施方式中，如上所述，因为数据线6a的列数为“1984”，它们按每8列分组化，所以图像信号端子102v的个数为“248”。

多路分配器7，包括设置于每条数据线6a的TFT71。在此，TFT71为n沟道型，各漏连接于数据线6a的一端。对应于属于同一分组的数据线6a的8个TFT71的源，与对应于该分组的图像信号线300共用连接。

即，因为第m(而且，m为1以上248以下的整数)个分组，包括：a序列的第(8m-7)列、b序列的第(8m-6)列、c序列的第(8m-5)列、d序列的第(8m-4)列、e序列的第(8m-3)列、f序列的第(8m-2)列、g序列的第(8m-1)列及h序列的第(8m)列的数据线6a，所以共用连接对应于此8列的数据线6a的TFT71的源，供给图像信号VID(m)。在对应于第(8m-7)列的数据线6a的TFT71的栅，通过控制信号线700而供给控制信号Sel1，同样地在对应于第(8m-6)列、第(8m-5)列、第(8m-4)列、第(8m-3)列、第(8m-2)列、第(8m-1)列及第(8m)列的数据线6a的TFT71的栅，通过包括于引绕布线90(参照图1)的控制信号线700而供给控制信号Sel2、Sel3、Sel4、Sel5、Sel6、Sel7及Sel8。控制信号Sel1、Sel2、...、Sel8，从未图示的作为外部电路的定时控制电路通过外部电路连接端子102之中的控制信号端子102s供给于控制信号线700。在本实施方式中，控制信号线700，详情后述，与图像信号线300基本相同，具有低电阻部710、和比低电阻部710高电阻的高电阻部720，能够减少或者防止静电击穿多路分配器7的情况。

在图3中，检验电路160，包括：控制电路162、及设置于每条数据线6a的TFT64。

控制电路162，包括移位寄存器。当检验时，从设置于外部的检验控制电路(图示省略)通过检验用端子103(参照图1)之中的检验用端子103i、及包括于引绕布线91(参照图1)的检验用信号线810，对控制电路162，供给转移起始脉冲DX、时钟信号CLX、反相时钟信号CLXB、转移方向控制信号信号DIRX、电源电位VDD。控制电路162，在检验时，使转移起始脉冲DX，随着转移方向控制信号信号DIRX以及时钟信号CLX及反相时钟信号CLXB依次进行移位，对应于后述的TFT164的各分组输出转移脉冲X1、X2、...、X248。在本实施方式中，检验用信号线810，详情后述于，具有低电阻部811、和比低电阻部811高电阻的高电阻部812，能够减少或者防止静电击穿检验电路160(更具体而言是包括于控制电路162的TFT)的情况。

TFT164，为n沟道型的TFT，各源连接于数据线6a的另一端(即，作为与数据线6a中的连接有多路分配器7的一端相反侧的另一端)。对应于属于同一分组的数据线6a的8个TFT164的栅被共用连接，从控制电路162供给对应于该分组的转移脉冲Xm。

即，在对应于构成第m个分组的第(8m-7)列、第(8m-6)列、第(8m-5)列、第(8m-4)列、第(8m-3)列、第(8m-2)列、第(8m-1)列及第(8m)列的数据线6a的TFT164的栅，共用地供给由控制电路162输出的转移脉冲Xm。

在从第1到第248分组中对应于a序列的数据线6a的TFT164的漏，共用连接于作为与构成分组的数据线6a的条数相同的条数的8条检验用信号线820之中的作为检验信号Cx1而读出的检验用信号线820。同样地，在各分组中，对应于b、c、d、e、f、g及h序列的数据线6a的TFT164的漏，共用连接于8条检验用信号线820之中的作为检验信号Cx2、Cx3、Cx4、Cx5、Cx6、Cx7及Cx8而读出的检验用信号线820。检验用信号线820，包括于引绕布线91(参照图1)，电连接于检验用端子103(参照图1)之中的检验用端子103o。在本实施方式中，检验用信号线820，详情后述，与检验用信号线810基本相同，具有低电阻部821、和比低电阻部821高电阻的高电阻部822，能够减少或者防止静电击穿检验电路160(更具体而言是TFT164)的情况。

通过上述的检验电路160，在检验时，例如，在数据线6a的每个组从控制电路162输出转移脉冲X1、X2、...、X120，通过使对应于各组的TFT164成为导通状态，将预先供给预定电压的检验用图像信号的数据线6a的电位，输出于8条检验用信号线820。然后，通过由电连接于8条检验用信号线820的外部的判定单元对8条检验用信号线820是否为预定的电位进行判定，进行对多路分配器7、各数据线6a的正常与否进行判定的检验。还有，这样的检验，在下文中说明，但是以在母基板上已形成有TFT阵列基板10之侧上的各种构成要件的状态(即，在母基板按液晶装置100分割之前)进行。

检验用端子103(参照图1)之中的检验用端子103y，是在检验时用于将从扫描线驱动电路104输出的检验用的输出信号、作为检验信号YEP读出的检验用端子，通过包括于引绕布线91(参照图1)的检验用信号线830而与扫描线驱动电路104(更具体而言是扫描线驱动电路104所具有的移位寄存器的最末级的输出线)电连接。在检验时，通过探测检验用端子103y，能够对扫描线驱动电路104进行检验。在本实施方式中，检验用信号线830，详情后述，具有低电阻部831和比低电阻部831高电阻的高电阻部832，能够减少或者防止静电击穿扫描线驱动电路104(更具体而言是包括于扫描线驱动电路104的TFT)的情况。

还有，检验用端子103(参照图1)之中的检验用端子103nc，是未使用端子。检验用端子103nc，与检验用端子103i同样地，通过检验用信号线810与控制电路162电连接。

在此，关于如上述构成的液晶装置的工作，参照图3进行说明。

扫描线驱动电路104，贯穿某1帧(第n帧)期间使扫描信号G1、G2、...、G1088在每个水平期间依次排他性地成为高电位(即，选择电压)。

在此，在1水平期间中，从定时控制电路所供给的控制信号Sel1、Sel2、...、Sel8，以该顺序排他性地变成高电位，与该供给相配合图像信号供给电路400，供给图像信号VID1、VID2、VID3、...、VID248。

详细地，图像信号供给电路400，在第i行的扫描信号Gi变成高电位的期间中，当控制信号Sel1变成高电位时，使图像信号VID1、VID2、VID3、...、VID248，对应于第1、2、3、...、248组一齐进行输出，该图像信号相对于对向电极电位LCCOM仅高或低相应于对应于第i行的扫描线11a与a序列的数据线6a的交叉处的像素的灰度等级的电压。此时，因为仅控制信号Sel1为高电位，所以选择a序列的数据线6a(即，仅对应于a序列的数据线6a的TFT71变得导通)的结果是图像信号VID1、VID2、VID3、...、VID248，分别被供给于a序列(第1、9、17、...、1977列)的数据线6a。另一方面，如果扫描信号Gi为高电位，则在位于第i行的像素的全部中，像素开关用TFT30变成导通状态，所以供给于a序列的数据线6a的图像信号VID1、VID2、VID3、...、VID248，分别被施加于i行1列、i行9列、i行17列、...、i行1977列的像素电极9a。

接下来，图像信号供给电路400，当控制信号Sel2变成高电位时，这次使相应于对应于第i行的扫描线11a与b序列的数据线6a的交叉处的像素的灰度等级的电压的图像信号VID1、VID2、VID3、...、VID248，对应于第1、2、3、...、248组一齐进行输出。此时，因为仅控制信号Sel2为高电位，所以选择b序列的数据线6a的结果是图像信号VID1、VID2、VID3、...、VID248，分别被供给于b序列(第2、10、18、...、1978列)的数据线6a，分别被施加于i行2列、i行10列、i行18列、...、i行1978列的像素电极9a。

同样地，图像信号供给电路400，在第i行的扫描信号Gi变成高电位的期间中，当控制信号Sel3变成高电位时，使相应于对应于第i行的扫描线11a与c序列的数据线6a的交叉处的像素的；当控制信号Sel4变成高电位时，使相应于对应于第i行的扫描线11a与d序列的数据线6a的交叉处的像素的；当控制信号Sel5变成高电位时，使相应于对应于第i行的扫描线11a与e序列的数据线6a的交叉处的像素的；当控制信号Sel6变成高电位时，使相应于对应于第i行的扫描线11a与f序列的数据线6a的交叉处的像素的；当控制信号Sel7变成高电位时，使相应于对应于第i行的扫描线11a与g序列的数据线6a的交叉处的像素的；当控制信号Sel8变成高电位时，使相应于对应于第i行的扫描线11a与h序列的数据线6a的交叉处的像素的灰度等级的电压的图像信号VID1、VID2、VID3、...、VID248，分别对应于第1、2、3、...、248组一齐进行输出。由此，相应于第i行的各像素的灰度等级的图像信号VID1、VID2、VID3、...、VID248，供给于c序列(第3、11、19、...、1979列)的数据线6a，分别被施加于i行3列、i行11列、i行19列、...、i行1979列的像素电极9a；接着，供给于d序列(第4、12、20、...、1980列)的数据线6a，分别被施加于i行4列、i行12列、i行20列、...、i行1980列的像素电极9a；接着，供给于e序列(第5、13、21、...、1981列)的数据线6a，分别被施加于i行5列、i行13列、i行21列、...、i行1981列的像素电极9a；接着，供给于f序列(第6、14、22、...、1982列)的数据线6a，分别被施加于i行6列、i行14列、i行22列、...、i行1982列的像素电极9a；接着，供给于g序列(第7、15、23、...、1983列)的数据线6a，分别被施加于i行7列、i行15列、i行23列、...、i行1983列的像素电极9a；接着，供给于h序列(第8、16、24、...、1984列)的数据线6a，分别被施加于i行8列、i行16列、i行24列、...、i行1984列的像素电极9a。

由此，对于第i行的像素，完成写入相应于灰度等级的图像信号的电压的工作。还有，施加于像素电极9a的电压，即使扫描信号Gi变成低电位，也由液晶电容保持直至下一个第(n+1)帧的写入。

接下来，关于本实施方式中的液晶装置中的与外部电路连接端子电连接的引绕布线的具体的构成，参照图3还有图5及图6进行说明。还有，在此，主要对于与外部电路连接端子102之中的图像信号端子102v电连接的包括于引绕布线90的图像信号线300进行说明。包括于引绕布线90的其他布线(例如上述的控制信号线700等)，也与图像信号线300基本同样地构成。

在此，图5是表示图像信号线的布局的俯视图。图6是图5的A—A’剖视图。还有，在图5中，特将图像信号线的布局之中的作为本发明的特征性的构成的高阻抗部的布局进行放大表示。

如图3及图5所示，在本实施方式中，多条图像信号线300，分别具有低电阻部310及高电阻部320。还有，低电阻部310为本发明中的“低电阻部分”之一例，高电阻部320为本发明中的“高电阻部分”之一例。

在图3及图5中，低电阻部310，作为图像信号线300中的除后述的高电阻部320以外的部分而形成。

在图5及图6中，低电阻部310，包括布线层310a与布线层310b，其中，布线层310a与由铝膜构成的图像信号端子102v由同一膜形成，布线层310b与中继层910由同一膜形成，中继层910由隔着层间绝缘膜42与图像信号端子102v形成于下层侧的铝膜构成。布线层310a与布线层310b，通过开孔于层间绝缘膜42的接触孔81而互相电连接。即，低电阻部310，作为由互相电连接的2层布线层310a及310b构成的双重布线而形成。低电阻部310，形成于TFT阵列基板10上的周边区域之中的并未形成图像信号端子102v的区域。即，低电阻部310，以从TFT阵列基板10上俯视，不与图像信号端子102v重叠地设置。

还有，在此，所谓“同一膜”，是指成膜于制造工序中的同一时机的膜，是同一种类的膜。并且，所谓“是同一膜”，并非要求至作为一张膜相连续，基本上，只要是同一膜之中的相互分割的膜部分则足矣。

图像信号端子102v，由配置于层间绝缘膜42上的铝膜构成，形成为从开口于配置于该铝膜的上层侧的层间绝缘膜43的开口部1510露出。

还有，控制信号端子102s、检验用端子103i、103o、103nc及103y，与图像信号端子102v基本同样地构成。即，控制信号端子102s、检验用端子103i、103o、103nc及103y的各自，由配置于层间绝缘膜42上的铝膜构成，形成为从开口于配置于该铝膜的上层侧的层间绝缘膜43的开口部露出。

另一方面，高电阻部320，包括：由隔着层间绝缘膜41配置于比中继层910靠下的下层侧(换言之，在TFT阵列基板10上的基底绝缘膜12上)的导电性多晶硅膜。高电阻部320，与低电阻部310，通过开孔于层间绝缘膜41的接触孔82(参照图5)而电连接。并且，高电阻部320，与图像信号端子102v，通过接触孔83、84及中继层910而电连接。更详细而言，高电阻部320，与中继层910，通过开孔于层间绝缘膜41的接触孔84而电连接。进而，中继层910，与图像信号端子102v，通过开孔于层间绝缘膜42的接触孔83而电连接。换言之，中继层910，与高电阻部320和图像信号端子102v进行电中继连接。

还有，在形成有图像信号端子102v的区域内的一部分，设置有与高电阻部320由同一膜构成的虚设膜920，虚设膜920，与中继层910，通过开孔于层间绝缘膜41的接触接触孔85而电连接。

因而，由导电性多晶硅膜构成的高电阻部320，其电阻值变得比作为由铝膜构成的双重布线的低电阻部310高。即，相对于图像信号线300的低电阻部310，通过高电阻部320附加电阻。因而，通过图像信号端子102v供给于图像信号线300的信号，通过设置于图像信号线300的中途的高电阻部320供给于多路分配器7。从而，即使在当液晶装置100组装时、检验时或者搬运时等，在在液晶装置100的周边产生静电、并施加于图像信号线300的情况下，通过高电阻部320，也能够抑制或者防止对与图像信号线300电连接的多路分配器7(更具体而言是对包括于多路分配器7的TFT71)施加过量的电压。该结果，能够抑制或者防止由于施加于图像信号线300的静电而使多路分配器7被静电击穿。换言之，图像信号线300的高电阻部320，通过作为保护多路分配器7免受静电的静电保护电阻而起作用，能够使液晶装置100的静电耐压提高。

在图5中，在本实施方式中，尤其是，图像信号线300所具有的高电阻部320的一部分，在周边区域之中的形成有图像信号端子102v的区域内引绕。即，高电阻部320之中的引绕部分321，在周边区域之中的形成有图像信号端子102v的区域内引绕。高电阻部320的引绕部分321设置为，在TFT阵列基板10上俯视，与图像信号端子102v相重叠。也就是说，高电阻部320之中引绕部分321，在形成有图像信号端子102v的区域内引绕，以使得高电阻部320具有的电阻值接近于预定的电阻值(也就是说，使得该引绕部分321所具有的电阻值变大)。因而，因为高电阻部320具有预定的电阻值，所以能够使TFT阵列基板10上的周边区域之中的除了形成有图像信号端子102v的区域以外的区域中的引绕面积变小。即，能够使高电阻部320中的、形成于周边区域之中的除了形成有图像信号端子102v的区域以外的区域的引绕部分322变小(换言之，能够减小引绕部分322的布局面积)。从而，可以使TFT阵列基板10上的周边区域相对于图像显示区域10a变窄，可以不使图像显示区域10a狭窄而减小TFT阵列基板10(换言之，为收缩)。该结果是，可以使该液晶装置100小型化。

还有，参照图3，上述的控制信号线700，与上述的图像信号线300基本同样地构成。即，多条控制信号线700，分别具有低电阻部710和高电阻部720。低电阻部710，作为通过开孔于层间绝缘膜42的接触孔互相电连接与布线层310a由同一膜形成的布线层、和与布线层310b由同一膜形成的布线层的双重布线而形成。另一方面，高电阻部720，与高电阻部320由同一膜构成。高电阻部720，与低电阻部710及控制信号端子102s电连接。在此，在本实施方式中，尤其是，控制信号线700所具有的高电阻部720的一部分，在周边区域之中的形成有控制信号端102s的区域内引绕。从而，可以使TFT阵列基板10上的周边区域相对于图像显示区域10a变窄，可以不使图像显示区域10a狭窄而减小TFT阵列基板10。

接下来，对于本实施方式的液晶装置中的、与检验用端子电连接的引绕布线的具体的构成，参照图3还有图7～图10进行说明。还有，在此，主要对于检验用端子103之中的与检验用端子103i电连接的包括于引绕布线91的检验用信号线810进行说明。包括于引绕布线91的其他布线(上述的检验用信号线820及830)，也与检验用信号线810基本同样地构成。

在此，首先，对于本实施方式中的液晶装置的检验用端子的配置，参照图7及图8进行说明。在此，图7是用于对在母基板上制造本实施方式中的液晶装置进行说明的局部俯视图。图8是表示通过图7的虚线A0所包围的一部分的构成的局部放大俯视图。

如图7所示，本实施方式中的液晶装置100，采取在制造过程中，在母基板S上一下子形成多个的方式。即，在母基板S之上，纵向横向分别排列成矩阵状地形成有液晶装置100，在各液晶装置100中，分别形成如参照图1～图4进行了说明的各种构成要件(像素开关用TFT30、扫描线11a、数据线6a等，或者扫描线驱动电路104、多路分配器7、检验电路160等)。

顺便，图7中所示的母基板S，包括多块图1及图2所示的TFT阵列基板10。即，在图7所示的母基板S上，形成TFT阵列基板10之侧中的各种构成要件，与此不同，在未图示于图7的玻璃基板之上，形成对向电极21、取向膜等，形成多块对向基板20，个别地截断各对向基板20。然后，使对向基板20个别地对向于形成于母基板S的TFT阵列基板10的各自，对于一对TFT阵列基板10及对向基板20，在通过密封材料52个别地相贴合之后，在TFT阵列基板10及对向基板20间封入液晶。之后，通过将母基板S进行截断，制造如图1及图2所示的各个单独的液晶装置100。

在此，如图7及图8所示，在母基板S上沿TFT阵列基板10的外周而设置有切割区域Ct。而且，通过相对于切割区域Ct实施刻模或者划线来截断母基板S。

在图8中，多个检验用端子103(即，检验用端子103i、103o、103nc及103y)，在TFT阵列基板10上的周边区域之中的比密封区域52a靠外的外侧，沿TFT阵列基板10的一边排列。因为检验用端子103，如参照图1如上述地分别排列于TFT阵列基板10中的图像显示区域10a的两侧，所以分别形成于在母基板S中互相相邻的TFT阵列基板10的检验用端子103，夹持切割区域Ct相邻。

还有，在图8中，配置于左侧的TFT阵列基板10中的图像显示区域10a之侧的8个检验用端子103、与配置于右侧的TFT阵列基板10中的图像显示区域10a之左侧的8个检验用端子103，夹持切割区域Ct相邻。

接着，对于本实施方式中的液晶装置的检验用信号线810的具体的构成，参照图3还有图9及图10进行说明。在此，图9是表示以图8的虚线A1包围的一部分的构成的局部放大俯视图，图10是图9的B—B’剖视图。

如图3、图9及图10所示，在本实施方式中，检验用信号线810，具有低电阻部811及高电阻部812。还有，在图9及图10中，将电连接于左侧的TFT阵列基板10上的检验用端子103i的高电阻812部示为高电阻部812-1，并将电连接于右侧的TFT阵列基板10的检验用端子103i的高电阻812部示为高电阻部812-2。

还有，低电阻部811为本发明中的“低电阻部分”之一例，高电阻部812为本发明中的“高电阻部分”之一例。

在图3及图9中，低电阻部811，作为检验用信号线810中的后述的高电阻部812以外的部分而形成。

在图9及图10中，低电阻部811，包括布线层811a与布线层811b，其中，布线层811a与由铝膜构成的检验用端子103由i同一膜形成，布线层310b与中继层913由同一膜形成，中继层913由和检验用端子103隔着层间绝缘膜42形成于下层侧的铝膜构成。布线层811a与布线层811b，通过开孔于层间绝缘膜42的接触孔81b而互相电连接。即，低电阻部811，作为由互相电连接的2个布线层811a及811b构成的双重布线而形成。低电阻部811，形成于TFT阵列基板10上的周边区域之中的未形成检验用端子103i的区域。即，低电阻部811，以在TFT阵列基板10上俯视不与检验用端子103i重叠的方式设置。

检验用端子103i，由配置于层间绝缘膜42上的铝膜构成，形成为从开口于配置于该铝膜的上层侧的层间绝缘膜43的开口部1530露出。

另一方面，高电阻部812(即，高电阻部812-1及812-2)包括：隔着层间绝缘膜41配置于比中继层913靠下的下层侧(换言之，在TFT阵列基板10上的基底绝缘膜12上)的导电性多晶硅膜。高电阻部812，与低电阻部811，通过开孔于层间绝缘膜41的接触孔82b(参照图9)而电连接。并且，高电阻部812，与检验用端子103i，通过接触孔83b、84b及中继层913而电连接。更详细而言，高电阻部812，与中继层913，通过开孔于层间绝缘膜41的接触孔84b而电连接。进而，中继层913，与检验用端子103i，通过开孔于层间绝缘膜42的接触接触孔83b而电连接。换言之，中继层913，与高电阻部812和检验用端子103i进行电中继连接。

还有，在形成有检验用端子103i的区域内的一部分，设置与高电阻部812由同一膜构成的虚设膜923。虚设膜923，与中继层913，通过开孔于层间绝缘膜41的接触孔85b而电连接。

因而，由导电性多晶硅膜构成的高电阻部812，其电阻值变得比作为由铝膜构成的双重布线的低电阻部811高。即，相对于检验用信号线810低电阻部811，通过高电阻部812附加电阻。因而，例如，即使在对于形成于母基板S的多个液晶装置100进行检验时等，在液晶装置100的周边产生静电、并施加于检验用信号线810的情况下，通过高电阻部812，也能够抑制或者防止对与检验用信号线810电连接的检验电路160(更具体地，在包括于控制电路162的TFT)施加过量的电压。该结果是，能够抑制或者防止由于施加于检验用信号线810的静电而静电击穿检验电路。

在此，如图9所示，在本实施方式中，检验用信号线810，其一部分形成于切割区域Ct，当母基板S被按每个TFT阵列基板10分割时，在其中途被切割。因而，能够防止在通过切断母基板S而制造个别的液晶装置100之后施加于检验用端子103i的静电，通过检验用信号线810施加于检验电路160。

在图9中，在本实施方式中尤其是，检验用信号线810所具有的高电阻部812的一部分，在周边区域之中的形成有检验用端子103i的区域内引绕。更详细而言，在图9中，如果着眼于电连接于左侧的TFT阵列基板10上的检验用端子103i的检验用信号线810，则检验用信号线810所具有的高电阻部812-1的一部分，在形成有电连接了该高电阻部812-1的检验用端子103i的区域内引绕，并且高电阻部812-1的另一部分，在右侧的TFT阵列基板10上的形成有检验用端子103i(换言之，是未电连接该高电阻部812-1的检验用端子103i，也就是说电连接高电阻部812-2的检验用端子103)的区域内引绕。即，高电阻部812-1，其一部分812-1a与电连接该高电阻部812-1的检验用端子103i重叠地形成，并且另外的一部分812-1b形成为，使得形成有电连接了该高电阻部812-1的检验用端子103i的TFT阵列基板10与形成于在母基板S上互相相邻的TFT阵列基板10上的检验用端子103i相重叠。换言之，高电阻部812-1，具有分别形成于在母基板S上互相相邻的TFT阵列基板10并通过切割区域Ct分别与互相相邻的2个检验用端子103i重叠引绕的部分。也就是说，高电阻部820-1，其一部分812-1a及另外一部分812-1b在形成有检验用端子103i区域内引绕，以使得高电阻部820-1所具有的电阻值接近于预定的电阻值。因而，因为高电阻部820-1具有预定的电阻值，所以能够使引绕于TFT阵列基板10上的周边区域之中的除了形成有检验用端子103i的区域以外的区域的面积变小。从而，可以使TFT阵列基板10上的周边区域相对于图像显示区域10a变窄，可以不使图像显示区域10a狭窄而缩小TFT阵列基板10(若换言之，则收缩)。该结果是，可以使该液晶装置100小型化。

如上所述，根据本实施方式中的液晶装置100，能够抑制或者防止静电击穿多路分配器7、扫描线驱动电路104及检验电路160，并能够使该液晶装置100小型化。

电子设备

接下来，对于将作为上述的电光装置的液晶装置应用于各种电子设备的情况进行说明。在此，对于将液晶装置用作光阀的投影机进行说明。在此，图11是表示投影机的构成例的俯视图。

如图11所示，在投影机1100内部，设置由卤素灯等的白色光源构成的灯单元1102。从该灯单元1102所射出的投影光，通过配置于光导1104内的4片镜体1106及2片分色镜1108而分离成RGB的3原色，入射于作为与各原色相对应的光阀的液晶面板1110R、1110B及1110G。

液晶面板1110R、1110B及1110G的构成，与上述的液晶装置相同，以从图像信号处理电路供给的R、G、B的原色信号分别驱动。然后，由这些液晶面板所调制了的光，从3个方向入射于分色棱镜1112。在该分色棱镜1112中，R及B光折射90度，另一方面G光则直行。从而，合成各色的图像的结果是，通过投影透镜1114，在屏幕等投影彩色图像。

在此，着眼由各液晶面板1110R、1110B及1110G所产生的显示像，液晶面板1110G所产生的显示像，必须相对于由液晶面板1110R、1110B所产生的显示像左右反转。

还有，因为通过分色镜1108，对应于R、G、B的各原色的光入射于液晶面板1110R、1110B及1110G，所以不必设置滤色器。

还有，除了参照图11进行了说明的电子设备之外，还可举出可移动型的个人计算机、便携电话机、液晶电视机、取景器型、监视器直视型的磁带录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子笔记本、计算器、文字处理机、工作站、可视电话机、POS终端、具备有触摸面板的装置等。而且，不用说当然可以应用于这些各种电子设备中。

并且，本发明除了以上述的实施方式进行了说明的液晶装置以外，也可以应用于在硅基板上形成元件的反射型液晶装置(LCOS)、等离子体显示器(PDP)、场致发射型显示器(FED，SED)、有机EL显示器、数字微镜器件(DMD)、电泳装置等。

本发明，并不限于上述的实施方式，在不违反从技术方案及专利说明书整体所读取的发明的要旨或思想的范围内可以适当改变，伴随其改变的电光装置、及具备有该电光装置的电子设备也包括于本发明的技术性范围内。

Claims (4)

1.一种电光装置，其特征在于，具备：

基板，

排列于该基板上的像素区域的多个像素部，

配置于位于所述基板上的所述像素区域的周边的周边区域、向所述多个像素部供给信号的周边电路，

设置于所述周边区域的端子，和

从该端子向所述周边电路引出、并具有低电阻部分和电阻比该低电阻部分高的高电阻部分的引绕布线；

所述高电阻部分具有俯视与所述端子相重叠的引线部分，其中所述高电阻部分通过形成于所述高电阻部分与所述端子之间的中继层连接于所述端子，在形成于所述端子与所述中继层之间的第一绝缘膜形成有第一系列的接触孔，在形成于所述高电阻部分与所述中继层之间的第二绝缘膜形成有第二系列的接触孔；

在俯视与所述端子相重叠的区域中，设置与所述高电阻部分在同一层形成的虚设膜，所述虚设膜与所述高电阻部分由同一膜构成，并经由所述第二系列的接触孔与所述中继层电连接。

2.按照权利要求1所述的电光装置，其特征在于：

所述端子，作为与外部电路电连接的外部电路连接端子而设置。

3.按照权利要求1所述的电光装置，其特征在于：

所述端子，作为输入或输出用于对该电光装置的正常与否进行检验的检验信号的检验用端子而设置。

4.一种电子设备，其特征在于：

具备如权利要求1～3中的任何一项所述的电光装置。

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