CN101377624A - 曝光装置及曝光方法 - Google Patents

曝光装置及曝光方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101377624A
CN101377624A CNA2008101101502A CN200810110150A CN101377624A CN 101377624 A CN101377624 A CN 101377624A CN A2008101101502 A CNA2008101101502 A CN A2008101101502A CN 200810110150 A CN200810110150 A CN 200810110150A CN 101377624 A CN101377624 A CN 101377624A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
collimating marks
exposed
mask
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008101101502A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101377624B (zh
Inventor
佐藤仁
山贺胜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Orc Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Orc Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Orc Manufacturing Co Ltd filed Critical Orc Manufacturing Co Ltd
Publication of CN101377624A publication Critical patent/CN101377624A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101377624B publication Critical patent/CN101377624B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/708—Mark formation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
    • H05K1/0269—Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393—Flexible materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09918—Optically detected marks used for aligning tool relative to the PCB, e.g. for mounting of components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502—Patterning and lithography
    • H05K2203/0505—Double exposure of the same photosensitive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0548—Masks
    • H05K2203/0557—Non-printed masks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0548—Masks
    • H05K2203/056—Using an artwork, i.e. a photomask for exposing photosensitive layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15—Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1545—Continuous processing, i.e. involving rolls moving a band-like or solid carrier along a continuous production path
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0008—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits for aligning or positioning of tools relative to the circuit board
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H05K3/064—Photoresists

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

本发明提供一种不会产生垃圾或者尘埃，可以高精度地将掩膜的电路图案曝光在被曝光体上的曝光装置。曝光装置(100)具有使送出被曝光体(T)的供给盘旋转的供给盘旋转部(61)、引导由该供给盘旋转部旋转而从供给盘送出的被曝光体的导向辊(63)、为了沿着曝光台搬送来自导向辊的被曝光体而设置在该曝光台两侧的第一搬送辊(64)以及第二搬送辊(66)、配置在导向辊和第一搬送辊之间，在被曝光体上描绘用于与电路图案掩膜(M)进行对位的校准标记(AM)的校准标记描绘部(30)。

Description

曝光装置及曝光方法
技术领域
本发明涉及将胶卷状的带从供给侧搬送至曝光部，并将在该曝光部被曝光的带搬送至卷绕侧的曝光装置以及曝光方法。
背景技术
移动电话或者移动设备等各种小型电子设备中使用的电路基板(印刷电路基板)的电路基础材料的机体轻薄且短小，所以一般使用高精度的薄膜状的带(以下称为“带”)。
这种带的材料的厚度具有从0.1mm左右到0.06mm薄型化的倾向。甚至最近经常使用厚度为0.05mm以下、宽度为100～250mm、且长度为700m的薄而宽的带状且非常长的带。由于是很长的带，所以通常卷绕成卷状来进行处理。
在用这样的卷状带制造电路基板之际，若卷状带被一块一块地送入曝光部的途中产生松弛或者带被倾斜地送入曝光部，则会产生各种各样的问题。作为解决这些问题的曝光装置，如专利文献1所公开的那样，已知有准确地控制带，使带以水平的状态传送的胶卷状带用曝光装置。
专利文献1所公开的带具有扣链齿和与之捏合的贯通孔，通过使该扣链齿旋转，向曝光台送出带。另外，该贯通孔还可以用来校准掩膜和带。并不是所有的带都具有贯通孔，所以不得不给这样的带形成特别的贯通孔。另外，贯通孔与扣链齿进行捏合之际，具有变形或者受挤压的情况，而变形或者受挤压的贯通孔无法正确地进行校准。
于是，在专利文献2中公开的为了制造电路基板而搬送带的薄膜曝光装置，具有用于在带上穿孔校准孔的校准穿孔机构，以便能够控制掩膜和带的校准。然后在曝光台上，对以一块为间隔搬送的带的校准结束后，将掩膜的图案曝光在带上。
但是，在专利文献2所公开的薄膜曝光装置中，由于在曝光台附近穿孔校准孔，所以穿孔之际容易产生带的切断面或垃圾，并附着在带的曝光面上，导致生产曝光不合格产品。另外，随着校准穿孔机构的移动，产生尘埃等，有时会通过静电附着在带上，所以具有曝光后的图案的对比度降低的问题。
【专利文献1】特开平04-299332号公报
【专利文献2】特开平06-045406号公报
发明内容
于是本发明鉴于上述问题而成，其目的在于提供一种曝光装置以及曝光方法，其不会产生垃圾或者尘埃，可以高精度地在带上曝光掩膜的电路图案。
作为解决上述课题的手段，根据本发明第一观点的曝光装置具有使送出被曝光体的供给盘旋转的供给盘旋转部、引导由该供给盘旋转部旋转而从供给盘送出的被曝光体的导向辊、配置在导向辊和曝光台之间，在被曝光体上描绘用于与电路图案掩膜进行对位的校准标记的校准标记描绘部。
根据第一观点，在曝光装置上没有设置用于在被曝光体上穿孔校准孔的校准穿孔机构，可以在曝光前夕在被曝光体上描绘校准标记。由于描绘校准标记，所以不会产生垃圾或者尘埃。
根据第二观点的曝光装置，校准标记描绘部采用紫外光来描绘校准标记。
根据上述构成，用紫外光在被曝光体上进行描绘，所以即使在显影前也能够确认潜像。
根据第三观点的曝光装置，校准标记描绘部具有用于照射紫外光的照射部和描绘有校准标记的校准标记用掩膜，通过该校准标记用掩膜在被曝光体上描绘校准标记。
通过使用校准标记用掩膜，能够在被曝光体上描绘更准确的校准标记。
根据第四观点的曝光装置，校准标记描绘部具有用于照射紫外光的照射部和内装于该照射部的可交换的光学部件，通过该内装的光学部件在被曝光体上描绘校准标记。
根据上述构成，没有设置校准标记用掩膜，而是在照射部设置适于描绘校准标记的光学部件，由此能够在被曝光体上描绘更准确的校准标记。
根据第五观点的曝光装置，在上述第三观点以及第四观点的基础上，上述照射部配置有紫外光LED、或者配置有传输来自水银灯或激光光源的紫外光的光纤。
根据上述构成，可以在照射部上配置紫外光LED，也可以用光纤导入来自水银灯等的紫外光。可以根据照射光量或者照射时间，适当选择一种光源。
根据第六观点的曝光装置，校准标记描绘部具有检测被曝光体的宽度方向位置的宽度位置检测部；根据宽度位置检测部的检测结果，使导向辊在被曝光体的宽度方向移动，然后校准标记描绘部描绘校准标记。
通过上述构成，根据被曝光体的宽度方向的检测结果，使导向辊在被曝光体的宽度方向移动，来调整被曝光体的位置。因此，校准标记描绘部可以在被曝光体的准确位置上描绘校准标记。
根据第七观点的曝光装置，在第三观点的基础上，校准标记描绘部具有检测被曝光体的宽度方向位置的宽度位置检测部；根据宽度位置检测部的检测结果，使校准标记用掩膜在被曝光体的宽度方向移动，然后校准标记描绘部描绘校准标记。
通过上述构成，根据被曝光体的宽度方向的检测结果，使校准标记用掩膜相对于被曝光体移动至适当的位置。因此，校准标记描绘部可以在被曝光体的准确位置上描绘校准标记。
根据第八观点的曝光装置，在第七观点的基础上，校准标记用掩膜具有第一校准标记用掩膜和第二校准标记用掩膜，根据宽度位置检测部的检测结果，分别使第一校准标记用掩膜和第二校准标记用掩膜移动。
根据上述构成，即使在被曝光体倾斜的情况，也可以分别使第一校准标记用掩膜和第二校准标记用掩膜移动不同的量，来调整被曝光体的倾斜量。
根据第九观点的曝光装置，在第七观点的基础上，校准标记用掩膜能够与被曝光体平行地进行旋转，且能够在宽度方向移动，校准标记用掩膜根据宽度位置检测部的检测结果进行移动及旋转。
根据上述构成，即使在被曝光体倾斜的情况，也可以通过校准标记用掩膜的旋转，来调整被曝光体的倾斜量。
根据第十观点的曝光装置，在第四观点的基础上，校准标记描绘部具有检测被曝光体的宽度方向位置的宽度位置检测部；根据宽度位置检测部的检测结果，使照射部在被曝光体的宽度方向移动，然后照射部描绘校准标记。
通过上述构成，根据被曝光体的宽度方向的检测结果，使照射部相对于被曝光体移动至适当的位置。因此，校准标记描绘部可以在被曝光体的准确位置上描绘校准标记。
根据第十一观点的曝光方法，包括检测被曝光体的宽度方向位置的宽度检测工序；判断被曝光体是否进入所定位置的第一判断工序；在第一判断工序中，若被曝光体没有进入所定位置，则使向曝光台方向输送被曝光体的导向辊在宽度方向移动的辊移动工序；若被曝光体进入所定位置，则在被曝光体上描绘校准标记的校准标记描绘工序；校准标记描绘工序之后，观察被曝光体的校准标记和电路图案的观察工序。
根据上述构成，检测被曝光体的宽度方向的位置，若被曝光体没有进入所定位置，则能够使导向辊移动来调整被曝光体的宽度方向位置，能够在被曝光体的适当的位置描绘校准标记。
根据第十二观点的曝光方法，在第十一观点的基础上，进一步具有通过辊移动工序使导向辊在宽度方向移动后，判断被曝光体是否进入所定位置的第二判断工序；在第二判断工序中，若被曝光体没有进入所定位置，则移动描绘有校准标记的校准标记用掩膜或者照射紫外光的照射部的移动工序。
根据上述构成，即使移动导向辊，被曝光体在宽度方向的位置也没有被调整的情况下，通过移动校准标记用掩膜或者照射部，能够在被曝光体的确切位置上描绘校准标记。
根据第十三观点的曝光方法，在第十一观点或者第十二观点的基础上，在观察工序后以及在被曝光体上曝光了电路图案掩膜的图案后，导向辊再送入一块被曝光体。
根据上述构成，能够使校准标记的描绘工序与电路图案掩膜的图案的曝光工序同步。
本发明所述曝光装置不会产生垃圾或者尘埃，可以高精度地形成校准标记，所以即使掩膜图案重叠，也能够进行良好的曝光。
附图说明
图1是表示本发明实施例所述曝光装置100的概略图。
图2是表示本发明实施例所述带搬送系统60的概略立体图。
图3是表示本发明实施例所述校准标记描绘装置30以及校准相机40的概略立体图。
图4a是校准标记描绘装置30的控制框图。
图4b是表示从带T的所定位置偏离的状态的图。
图5是表示校准标记描绘装置30的动作的流程图。
图6是表示实施例所述校准标记描绘装置30的变形例1的图。
图7是表示实施例所述校准标记描绘装置30的变形例2的图。
图8是表示校准标记AM以及掩膜标记MM的例子的图。
符号说明
10　　　水银灯               12　椭圆反射镜
14　　　反射镜               16　复眼微透镜板
18　　　聚光透镜             20　投影光学系统
30　　　描绘装置             31　端面检测器
33，133 光掩膜          　　 35  紫外线光源
40　　　校准相机             41　图像处理相机
49      描绘控制部           50　曝光台
60　　　带搬送系统          61  供给盘旋转部
62　　　供给侧第一导向辊    63  供给侧第二导向辊
64　　　第一搬送辊          64a 吸附孔
66　　　第二搬送辊          66a 吸附孔
67　　　卷绕侧第一导向辊     68  卷绕侧第二导向辊
69　　　卷绕盘旋转部        80  供给盘
81　　　凸缘部              90  卷绕盘
100　　 投影曝光装置        137 掩膜马达
233     LED框架             237 框架马达
351     交换棱镜            353 标记图案滤色镜
355     筒                  D1  供给侧松弛吸收部
D2      卷绕侧松弛吸收部     M   掩膜
AM      校准标记             BM  铬标记
MM      掩膜标记             T   胶卷状带
具体实施方式
<曝光装置的构成>
作为实施本发明的形态，以投影曝光装置为例进行说明。
图1是显示本发明实施例所述投影曝光装置100的概略图。本发明所述投影曝光装置100搬送薄膜状带(以下简称为带)T，在该带T上曝光描绘在光掩膜M上的电路图案。
带T由作为电路基板使用的挠性基板或者薄膜状带的材料构成。例如，该带T由带宽为160mm、带的全长为200m的薄而宽的部件构成，且该带T被卷绕在供给盘旋转部61上。作为该带T具有在该带T的左右两边缘侧形成有贯通孔(未图示)的带或者没有贯通孔的带。另外，在带T的表面事先涂布适用于后述水银灯10的光致抗蚀剂。
投影曝光装置100向垂直方向设置的曝光台50以一块为单位间歇性地搬送带T。该投影曝光装置100在以一块为单位搬送的带T上，隔着光掩膜M的电路图案一块一块地曝光来自水银灯10的光。
投影曝光装置100具有水银灯10、反射镜14、复眼微透镜板16、聚光透镜18、光掩膜M、投影光学系统20。水银灯10照射含有365nm波长的紫外线的光。除了水银灯10以外，还可以使用紫外线激光或者紫外线LED。另外，以覆盖该水银灯10的后面的方式设置有椭圆反射镜12。反射镜14向着光掩膜M反射从水银灯10照射的光。另外，在图1中，该椭圆反射镜12采用了从下往上的光路，但也可以采用从上往下的光路。
复眼微透镜板16是将多个正透镜单元以其中心轴线沿着光轴延伸的方式纵横紧密排列而成。因此，入射至复眼微透镜板16的光束被多个透镜单元波面分割，在其后侧焦点面(即射出面附近)上形成与透镜单元相同数的光源构成的二次光源。即，在复眼微透镜板16的后侧焦点面上形成实质上的面光源。换句话说，复眼微透镜板16起到均匀调整来自反射镜14的光的照度分布的作用。
经由聚光透镜18的光束重叠照射在形成有电路图案的光掩膜M上。通过曝光光照明并透过光掩膜M的光束向着投影光学系统20。在光掩膜M的电路图案周围形成有掩膜标记MM(参考图8)，用于带T和光掩膜M的对位。
光掩膜M被保持于未图示的掩膜台上，可以在相对于投影光学系统20的光轴垂直的方向进行移动。投影光学系统20可以适用仅由透镜系统构成的折射型、组合反射镜而构成的反射型、组合透镜和反射镜而成的反射折射型等。投影光学系统20可以适用放大光学系统、等倍率光学系统或者缩小光学系统中的任意一种。
在投影光学系统20的焦点位置上设置有曝光台50。曝光台50通过真空吸附吸附保持带T，可以通过未图示的曝光台驱动电路在X轴方向、Y轴方向、Z轴方向以及θ方向上进行移动。通过未图示的焦点检测装置，检测带T的聚焦点位置，曝光台50还可以在Z轴方向移动。由此，经投影光学系统20射出的光束在带T上成像。即，光掩膜M的电路图案在带T上成像，通过涂布在带T上的光致抗蚀剂，在带T上复写电路图案。
该曝光台50的表面设置成与后述第一搬送辊64和第二搬送辊66之间的带T平行。另外，曝光台50形成有用于真空吸附带T的吸附孔，以一块为单位真空吸附并保持带T。在带T被吸附于曝光台50表面的状态，通过校准相机40校准光掩膜M和带T，在带T上曝光光掩膜M的电路图案。另外，由于曝光台50的表面沿着Z方向垂直，所以一旦解除对带T的真空吸附，带T通过自重而从曝光台50的表面脱离。因此，无需在曝光台50表面设置用于送风压缩空气的压缩空气系统。
投影曝光装置100具有设置在图1左侧的带搬送系统60，其用于向曝光台50传送带T。另外，投影曝光装置100具有校准标记描绘装置30和校准相机40，校准标记描绘装置30在带T的所定位置描绘校准标记，校准相机40设置在投影光学系统20和曝光台50之间。
<带搬送系统的构成>
图2是显示本发明实施例所述带搬送系统60的概略立体图。
该带搬送系统60具有供给盘旋转部61、用于引导搬送来的带T的供给侧第一导向辊62和供给侧第二导向辊63，该供给盘旋转部61安装在卷绕有带T的供给盘80中央的盘孔上，来使供给盘80旋转。另外，投影曝光装置100具有第一搬送辊64、第二搬送辊66、卷绕侧第一导向辊67、卷绕侧第二导向辊68、以及卷绕盘旋转部69。第一搬送辊64和第二搬送辊66设置在曝光台50的上下位置，用于搬送带T。卷绕盘旋转部69使卷绕带T的卷绕盘90旋转。进一步，投影曝光装置100具有用于吸收搬送过程中带T的松弛的供给侧松弛吸收部D1以及卷绕侧松弛吸收部D2。
供给盘旋转部61是用于轴支撑卷绕有作为电路基板材料的带T的线筒状供给盘80来送出带T的部件，由可安装供给盘80的盘孔的金属轴构成。该金属轴由未图示的驱动马达驱动旋转。
另外，例如供给盘80由卷绕部分的直径为750mm的盘构成，在其左右边缘具有凸缘部81。卷绕在该供给盘80上的带T通过第一搬送辊64被拉紧，由此与供给盘旋转部61一同旋转，并传送至供给侧第一导向辊62。
供给侧第一导向辊62是为了使卷绕在供给盘80上的带T向着供给侧松弛吸收部D1传送而设置的辅助辊，以轴部为中心可自由旋转的方式设置。该供给侧第一导向辊62设置在比供给盘旋转部61低的位置，从供给盘旋转部61向着斜下方传送的带T通过自重从供给侧第一导向辊62向着大致垂直下方下垂的方式设置。
供给侧松弛吸收部D1例如是通过自重松弛成U字状并施加张力的装置，以使从供给盘旋转部61送出的带T在供给盘旋转部61和供给侧第一导向辊62之间、以及供给侧第二导向辊63和第一搬送辊64之间被搬送之际，不会产生过度的负荷或者松弛。
供给侧第二导向辊63是具有带位置调整机构的辊，该带位置调整机构将带T从供给侧松弛吸收部D1向第一搬送辊64传送的同时，能够使带T在宽度方向(箭头ar)移动。该供给侧第二导向辊63具有第二导向辊马达63M以及未图示的轴承等。
第二导向辊马达63M使供给侧第二导向辊63旋转的同时能够使其沿着箭头ar的轴方向(带T的宽度方向)移动，由此能够调整带T在宽度方向的位置。另外，第二导向辊马达63M能够正转及反转来调整供给侧第二导向辊63和后述第一搬送辊6之间的带T的张力。至少该供给侧第二导向辊63的辊表面由具有缓冲性的软质树脂形成，来吸收微震。
如上所述构成的供给侧第二导向辊63通过旋转第二导向辊马达63M，使带T的位置在Y方向移动来调整至适当位置，由此在校准标记描绘装置30描绘校准标记之际可以准确地进行对位。
另外，图2所示供给侧第二导向辊63采用了由第二导向辊马达63M直接旋转支撑轴的结构，但也可以采用通过其他马达或者直线滑动机构等使供给侧第二导向辊63整体在轴方向上进行运动的结构。
第一搬送辊64是将带T从供给侧第二导向辊63向曝光台50搬送的辊，通过搬送辊马达64M间歇性地旋转驱动该第一搬送辊64，由此以一块为单位搬送带T。在该第一搬送辊64上具有将带T吸附在第一搬送辊64的辊表面上的吸附孔64a，同时连接有用于通过吸附孔64a吸附带T的未图示的真空装置。由此，通过第一搬送辊64的旋转而搬送的带T不会产生空转。
并且，该第一搬送辊64设置于在z方向上比供给侧第二导向辊63更下方的位置，同时为了使带T与曝光台50的表面平行，第一搬送辊64设置在曝光台50的正上方。该第一搬送辊64与供给侧第二导向辊63相同，至少辊表面由具有缓冲性的软质树脂形成，来吸收微震。
第二搬送辊66设置在曝光台50的搬送方向的下游侧，是将在该曝光台50上曝光的带T搬送至卷绕侧的辊，设置在第一搬送辊64以及曝光台50的正下方。该第二搬送辊66采用与第一搬送辊64相同的结构，在该第二搬送辊66上具有将带T吸附在第二搬送辊66的辊表面上的吸附孔66a。
卷绕侧第一导向辊67设置在第二搬送辊66的搬送方向的下游侧，是将带T传送至卷绕侧松弛吸收部D2的辊。卷绕侧第一导向辊67采用与供给侧第二导向辊63相同的结构，具有用于调整该带的位置的第一导向辊马达67M等。
卷绕侧第二导向辊68是为了引导卷绕在卷绕盘90上的带T向着该卷绕盘90传送而设置的辅助辊，采用与供给侧第一导向辊62相同的结构。卷绕侧第二导向辊68以从卷绕侧松弛吸收部D2搬送来的带T从该卷绕侧第二导向辊68向斜上方传送的方式设置。
卷绕盘旋转部69用于支撑卷绕盘90，在曝光台50上曝光的带T被卷绕在该卷绕盘90上，卷绕盘旋转部69可以安装有卷绕盘90的轴筒部的轴部为中心自由旋转，并由驱动马达(未图示)驱动。
<校准标记描绘装置以及校准相机的构成>
如图2所示，校准标记描绘装置30设置在供给侧第二导向辊63和第一搬送辊64之间。图3为校准标记描绘装置30的放大图。另外，校准标记描绘装置30也可以设置在第一搬送辊64和曝光台50之间。
图3是表示本发明实施例所述校准标记描绘装置30以及校准相机40的概略立体图。
校准标记描绘装置30具有观察带T的端面的端面检测器31a，31b、校准标记用光掩膜33a，33b、紫外线光源35a，35b，35c，35d。进一步具有用于控制它们的描绘控制部49(参考图4)。
端面检测器31由单线阵CCD或者双线阵CCD或者CMOS相机构成，接收来自带T的反射光或者透射光。该图像信号传送至描绘控制部49并进行图像处理，来检测带T的端面。端面检测器31为了检测带T在传送方向的倾斜度，至少在传送方向上隔一定间隔地具有第一端面传感器31a和第二端面传感器31b。这些传感器被定位以后固定在未图示的框架等上。另外，如果相机具有在宽度方向上能够观察整个带T的视角，且通过这样的相机等能够测定带T的端面位置以及倾斜度，则也可以代替端面检测器31来使用。
校准标记用光掩膜33是在石英玻璃板上用铬等制作了校准标记图案(铬标记BM)的光掩膜。石英玻璃的热膨胀系数小且紫外线的透过率高，所以作为掩膜材料非常优秀，另外，铬与石英玻璃的粘着性优良，铬对紫外线的屏蔽效果优良，同时随时间的变化少，所以非常适用。校准标记用光掩膜33能够在Y方向上移动，且包括具有两个铬标记BM的第一校准标记用光掩膜33a和具有两个铬标记BM的第二校准标记用光掩膜33b，以便容易进行控制。
紫外线光源35可以使用照射能够感光涂布在带T上的光致抗蚀剂的紫外线的LED(UVLED)。也可以使用来自水银灯10且通过光纤引导的光。还可以使用来自另行设置的UV激光光源且通过光纤引导的光。紫外线光源35由与铬标记BM的个数一致的四个UVLED35a、35b、35c以及35d构成。
基于来自端面检测器31的信号得知的带T的位置，从紫外线光源35照射紫外线，在涂布于带T表面上的光致抗蚀剂上，描绘已描绘于校准标记用光掩膜33上的校准标记图。描绘在带T上的校准标记AM是显影之前的标记，一般称为潜像。即，通过校准标记图曝光在带T上的光致抗蚀剂上，所曝光的部位发出与光致抗蚀剂的颜色不同的颜色，所以能够作为校准标记AM进行识别。另外，校准标记AM只要与形成在光掩膜M上的掩膜标记MM的个数相吻合即可，但在一个电路图案的周围至少要有两个以上。假设在形成了六个校准标记AM之际，或者重新设置校准标记用光掩膜33，或者将带T的传送量设置成一块的约一半来描绘校准标记AM。
校准相机40由双线阵CCD或者CMOS相机构成，由四个图像处理相机41a、41b、41c以及41d构成。校准相机40可以在带T和投影光学系统20之间移动，在曝光掩膜的电路图案之际，四个图像处理相机41从带T和投影光学系统20之间隐退，在观察校准标记AM之际，再返回到带T和投影光学系统20之间。
在图像处理相机41a、41b、41c以及41d的前端部分别设置有棱镜43a、43b、43c以及43d。因此，校准标记AM的反射光在棱镜43上被反射并导入到图像处理相机41中，进一步光掩膜M(参考图1)的掩膜标记MM(参考图8)被棱镜43反射并导入到图像处理相机41中。即，在图像处理相机41上可以同时观察带T上的校准标记AM和光掩膜M的掩膜标记MM。
<校准标记描绘装置的控制>
图4a是校准标记描绘装置30的控制框图。图4b表示带T从所定位置偏离的状态的图。
描绘控制部49与端面检测器31的第一端面传感器31a和第二端面传感器31b连接。另外，描绘控制部49与第一校准标记用光掩膜33a和第二校准标记用光掩膜33b和分别使其在Y方向移动的第一掩膜马达37a和第二掩膜马达37b连接。进一步，描绘控制部49与紫外线光源35和第二导向辊马达63M连接。
描绘控制部49一旦接收来自第一端面传感器31a以及第二端面传感器31b的图像信号，则计算出带T的端面从所定值偏离了多少。
如图4b所示，第一端面传感器31a和第二端面传感器31b在X方向上仅距离LL。而且，可以从各自的图像信号求出从带T原本应该存在的位置(点线所示位置)向Y方向分别偏离了距离W1以及距离W2。
另外，如图4b所示，第一端面传感器31a输出显示带T从所定位置向Y方向偏离距离W1的图像信号，第二端面传感器31b输出显示带T从所定位置向Y方向偏离距离W2的图像信号。即，在θ很小时，sinθ与θ近似，所以可以得知带T倾斜
Figure A200810110150D00161
如图4b所示，当带T从所定位置偏离的情况，描绘控制部49给第二导向辊马达63M发送驱动信号，使供给侧第二导向辊63向箭头ar的方向(Y方向)移动。与此同时，带T也向着箭头ar的方向移动，使带T移动至所定位置。但是，由于带T很长，即使移动供给侧第二导向辊63，有时带T也无法移动到所定位置。此时，描绘控制部49给第一掩膜马达37a和第二掩膜马达37b发送驱动信号，使第一校准标记用光掩膜33a和第二校准标记用光掩膜33b向箭头br方向移动。
即使使供给侧第二导向辊63移动，来使带T移动至所定位置，有时带T也会保持倾斜的状态。此时，由于第一校准标记用光掩膜33a和第二校准标记用光掩膜33b在带T的传送方向上是独立的部件，所以可以进行对应。即，只要使第一校准标记用光掩膜33a的移動量和第二校准标记用光掩膜33b的移動量在箭头br方向上不同，则既使带T保持倾斜，也能够使铬标记BM移动至带T的所定位置。
另外，相比于供给侧第二导向辊63的移动量，在带T从所定
Figure A200810110150D0016102816QIETU
偏离的情况，第一校准标记用光掩膜33a和第二校准标记用光掩膜33b的移动量更小，所以第一以及第二掩膜马达37a，37b也可以是压电式(piezo)电机变换驱动装置。
带T和铬标记BM之间的相对对位结束后，描绘控制部49使紫外线光源35照射紫外线。通过校准标记图曝光在带T上的光致抗蚀剂上，曝光部位成为潜像，能够作为校准标记AM进行识别。
图5是表示校准标记描绘装置30的动作的流程图。上述校准标记描绘装置30的控制动作如以下所示步骤。
步骤S12：描绘控制部49接收来自第一端面传感器31a和第二端面传感器31b的图像信号，检测带T在宽度方向的偏离W1以及倾斜度θ。
步骤S14：判断带T在宽度方向的偏离W1以及倾斜度θ是否在距离所定位置的一定距离范围内。如果带T在宽度方向的偏离W1以及倾斜度θ在一定距离范围内，则进入步骤S28，如果带T在宽度方向的偏离W1以及倾斜度θ没有在一定距离范围内，则进入步骤S16。
步骤S16：给第二导向辊马达63M发送驱动信号，使供给侧第二导向辊63在带T的宽度方向移动。另外，给第二导向辊马达63M发送的驱动量取决于供给侧第二导向辊63与第一搬送辊64在传送方向的距离以及与第一搬送辊64在Y方向的相对位置。
步骤S18：重新从第一端面传感器31a和第二端面传感器31b接收图像信号，检测带T在宽度方向的偏离W1以及倾斜度θ。这是为了确认由供给侧第二导向辊63的移动引起的带T的移動量。
步骤S20：判断带T在宽度方向的偏离W1以及倾斜度θ是否在距离所定位置的一定距离范围内。带T在宽度方向的偏离W1以及倾斜度θ在一定距离范围内，则进入步骤S28，带T在宽度方向的偏离W1以及倾斜度θ没有在一定距离范围内，则进入步骤S22。
步骤S22：使第一校准标记用光掩膜33a以及第二校准标记用光掩膜33b移动。即，即使供给侧第二导向辊63移动了所定量，带T也没有进入所定位置的一定距离内，所以不使带T移动而使铬标记BM移动，来使校准标记AM相对于带T描绘在所定位置上。
步骤S24：再次从第一端面传感器31a和第二端面传感器31b接收图像信号，检测带T在宽度方向的偏离W1以及倾斜度θ。
步骤S26：判断带T在宽度方向的偏离W1以及倾斜度θ是否进入距离所定位置的一定距离范围内。如果带T在宽度方向的偏离W1以及倾斜度θ在一定距离范围内，则进入步骤S28，如果带T在宽度方向的偏离W1以及倾斜度θ没有在一定距离范围内，则进入步骤S38。
步骤S38：在上述一系列动作中，带T在宽度方向的偏离W1以及倾斜度θ没有进入一定距离范围，从一开始重新操作，或者作为出错进行处理。
步骤S28：紫外线光源35照射第一校准标记用光掩膜33a以及第二校准标记用光掩膜33b。
步骤S30：确认隔着投影光学系统20光掩膜M的电路图案的曝光是否结束。如果电路图案的曝光还没有结束，则待机到曝光结束为止。
在步骤S30中，由于电路图案的曝光已结束，所以给各辊马达发送驱动信号，使其再传送一块带T。从校准标记描绘装置30到曝光台50的过程中，没有带T的松弛吸收部，即带T没有松弛，以所定的张力使其拉紧。因此，有必要互相协调校准标记描绘装置30的动作和电路图案的曝光，来传送带T。
步骤S34：作为下一个工序，进入通过校准相机40同时观察光掩膜M的掩膜标记MM和带T上的校准标记AM的工序。
在以上的说明中，若带T没有被送入至所定位置，则在最初使供给侧第二导向辊63移动，来使带T在宽度方向的偏离减少，进一步，带T还没有进入距离所定位置的一定距离内，则使第一校准标记用光掩膜33
a以及第二校准标记用光掩膜33b移动。代替该控制动作，也可以不使供给侧第二导向辊63移动，而仅使第一校准标记用光掩膜33a以及第二校准标记用光掩膜33b移动也可。但是有必要将带T经由第一搬送辊64送入至曝光台50的适当位置，所以优选尽可能在上游侧的供给侧第二导向辊63使带T在宽度方向的位置偏离W1以及倾斜度θ减小。
带搬送系统60通过第一搬送辊64以及第二搬送辊66能够调整在曝光台50中带T在上下方向的传送量，且通过供给侧第二导向辊63以及卷绕侧第一导向辊67，能够调整在曝光台50中的带T的倾斜方向。因此，在曝光台50中的带T的位置偏离变小，从校准标记AM和掩膜标记MM的对位结果看，光掩膜M的移动量减少，可以提高生产量的同时，还可以高精度地与掩膜进行对位。
<变形例1>》
接着，参考图6，说明本实施例所述校准标记描绘装置30的变形例。另外，在变形例1中，省略对具有图4所示实施例的校准标记描绘装置30相同功能的部件的说明。
图6是表示实施例所述校准标记描绘装置30的变形例1的图。
在变形例1所述校准标记描绘装置30中，校准标记用光掩膜133在一张石英玻璃板上用铬等形成了四个校准标记图案(铬标记BM)。变形例1所述校准标记用光掩膜133可以在Y方向上移动，进一步，设置有在维持与带T平行的状态下能够旋转的机构，且与使该机构移动的掩膜马达137连接。
如图4b所示，具有从带T原本应该存在的位置，带T向Y方向偏离或者带T倾斜的情况。于是，通过使具有四个铬标记BM的校准标记用光掩膜133旋转或者在Y方向上移动，即是在带T倾斜的状态，也可以使四个铬标记BM移动至带T的所定位置。四个铬标记BM被描绘在石英玻璃板上，所以它们之间的相互位置关系不会变动。因此，能够将校准标记以正确的位置关系描绘在带T上。
<变形例2>》
接着，参考图7a、图7b说明本实施例所述校准标记描绘装置30的变形例。另外，在变形例2中，省略了对具有图4所示实施例的校准标记描绘装置30相同功能的部件的说明。
图7a、图7b是表示实施例所述校准标记描绘装置30的变形例2的图。
如图7a所示，变形例2所述校准标记描绘装置30不具有校准标记用光掩膜，而具有有两个UVLED35a和35c的第一LED框架233a以及有两个UVLED35b和35d的第二LED框架233b。第一LED框架233a和第二LED框架233b分别与使其在Y方向上移动的第一框架马达237a和第二框架马达237b连接。而且，第一LED框架233a以及第二LED框架233b可以在Y方向上移动。
图7b是第二LED框架233b的剖面图。两个UVLED35b以及35d插入至铅笔状的筒355中，在该筒355中具有棱镜或者滤色镜等光学部件。该光学部件的交换棱镜351可以进行交换，根据形成在带T上的校准标记AM的大小，可以变更来自UVLED35b等的聚光面积。另外，作为滤色镜，可以设置校准标记AM用的标记图案滤色镜353。标记图案滤色镜353也可以进行交换，可以根据形成在带T上的校准标记AM的形状进行变更。另外，第一LED框架233a也具有相同的构成。
变形例2所述校准标记描绘装置30不具有校准标记用光掩膜，而是通过交换能够使形成在铅笔状筒355上的校准标记AM的大小变化的棱镜351或者能够使校准标记AM的形状变化的标记图案滤色镜353，可以简单地变更校准标记AM。
<校准标记和掩膜标记>
图8是表示校准标记AM以及掩膜标记MM的例子的图。
图8的最上段是图4等所示校准标记用光掩膜33或者图7所示标记图案滤色镜353上形成的铬标记BM的例子。而且，图8中的左侧是中央的圆形部成为遮光部的第一铬标记BM1，中央是环状区域以外的区域成为遮光部的第二铬标记BM2，右侧是十字部成为遮光部的第3铬标记BM3。
图8的上数第二段是描绘在带T上的校准标记AM的例子。相对于第一铬标记BM1，第一校准标记AM1被描绘在带T上，相对于第二铬标记BM2，第二校准标记AM2被描绘在带T上，相对于第3铬标记BM3，第3校准标记AM3被描绘在带T上。
图8的上数第三段是描绘在电路图案用的光掩膜M上的掩膜标记AM的例子。与第一校准标记AM1成对的标记是左侧的掩膜标记MM1，与第二校准标记AM2成对的标记是中央的掩膜标记MM2，与第3校准标记AM3成对的标记是右侧的掩膜标记MM3。
校准相机40具有上述图3所示棱镜43，图像处理相机41可以同时观察带T上的校准标记AM和光掩膜M的掩膜标记MM。因此，图像处理相机41摄取的图像如图8的最下段所示。
【产业上的可利用性】
本发明并不限于上述实施例，例如即使是接触式曝光方式或者接近式曝光方式的装置，在该技术思想范围内，也可以进行种种改造和变更，本发明可延伸至这些改造和变更后的发明。例如，该曝光装置100对没有形成贯通孔或者校准标记的带的效果特别大，但即使是已经形成有校准标记或者校准用穿孔的情况，在需要另行描绘校准标记时均有效。

Claims (13)

1.一种曝光装置，将具有所定宽度的胶卷状的被曝光体送入曝光台上，将电路图案掩膜的图案曝光在被曝光体上，其特征在于，包括：
供给盘旋转部，使送出上述被曝光体的供给盘旋转；
导向辊，引导从上述供给盘送出的上述被曝光体，该被曝光体由上述供给盘旋转部旋转而被送出，
校准标记描绘部，配置在上述导向辊和上述曝光台之间，在上述被曝光体上描绘用于与上述电路图案掩膜进行对位的校准标记。
2.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，上述校准标记描绘部使用紫外光描绘校准标记。
3.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，上述校准标记描绘部具有照射紫外光的照射部和描绘有上述校准标记的校准标记用掩膜，通过该校准标记用掩膜在上述被曝光体上描绘上述校准标记。
4.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，上述校准标记描绘部具有照射紫外光的照射部和内装于该照射部的可交换的光学部件，通过该内装的光学部件在上述被曝光体上描绘上述校准标记。
5.如权利要求3或4所述的曝光装置，其特征在于，上述照射部配置有紫外光LED、或者配置有传输来自水银灯或激光光源的紫外光的光纤。
6.如权利要求1至4中任意一项所述的曝光装置，其特征在于，
上述校准标记描绘部具有检测上述被曝光体的宽度方向位置的宽度位置检测部；
根据上述宽度位置检测部的检测结果，使上述导向辊向上述被曝光体的宽度方向移动，然后上述校准标记描绘部描绘上述校准标记。
7.如权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，上述校准标记描绘部具有检测上述被曝光体的宽度方向位置的宽度位置检测部；
根据上述宽度位置检测部的检测结果，使上述校准标记用掩膜向上述被曝光体的宽度方向移动，然后上述校准标记描绘部描绘上述校准标记。
8.如权利要求7所述的曝光装置，其特征在于，上述校准标记用掩膜具有第一校准标记用掩膜和第二校准标记用掩膜，
根据上述宽度位置检测部的检测结果，分别使上述第一校准标记用掩膜和第二校准标记用掩膜移动。
9.如权利要求7所述的曝光装置，其特征在于，上述校准标记用掩膜能够与上述被曝光体平行地进行旋转，且能够在上述宽度方向移动，其根据上述宽度位置检测部的检测结果而进行移动及旋转。
10.如权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，上述校准标记描绘部具有检测上述被曝光体的宽度方向位置的宽度位置检测部；
根据上述宽度位置检测部的检测结果，使上述照射部向上述被曝光体的宽度方向移动，然后上述照射部描绘上述校准标记。
11.一种曝光方法，将具有所定宽度的胶卷状的被曝光体送入曝光台上，将电路图案掩膜的图案曝光在被曝光体上，其特征在于，包括：
宽度检测工序，检测上述被曝光体的宽度方向的位置；
第一判断工序，判断上述被曝光体是否进入所定位置；
辊移动工序，在上述第一判断工序中，若被曝光体没有进入所定位置，则使向上述曝光台方向输送上述被曝光体的导向辊向上述宽度方向移动；
校准标记描绘工序，若上述被曝光体进入所定位置，则在上述被曝光体上描绘校准标记；
观察工序，上述校准标记描绘工序之后，观察上述被曝光体的校准标记和上述电路图案。
12.如权利要求11所述的曝光方法，其特征在于，包括：
第二判断工序，通过上述辊移动工序使上述导向辊移动至上述宽度方向后，判断上述被曝光体是否进入所定位置；
移动工序，在上述第二判断工序中，若被曝光体没有进入所定位置，则移动描绘有上述校准标记的校准标记用掩膜或者照射紫外光的照射部。
13.如权利要求11或12所述的曝光方法，其特征在于，在上述观察工序后以及在上述被曝光体上曝光了电路图案掩膜的图案后，上述导向辊再送入一块上述被曝光体。
CN2008101101502A 2007-08-27 2008-06-13 曝光装置及曝光方法 Active CN101377624B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007219250A JP5144992B2 (ja) 2007-08-27 2007-08-27 露光装置
JP2007-219250 2007-08-27
JP2007219250 2007-08-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101377624A true CN101377624A (zh) 2009-03-04
CN101377624B CN101377624B (zh) 2012-06-06

Family

ID=40406912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101101502A Active CN101377624B (zh) 2007-08-27 2008-06-13 曝光装置及曝光方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7969553B2 (zh)
JP (1) JP5144992B2 (zh)
CN (1) CN101377624B (zh)
TW (1) TWI417684B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102759864A (zh) * 2011-04-22 2012-10-31 东友精细化工有限公司 用于防止图案膜上的图案弯曲的控制装置
CN102834780A (zh) * 2010-04-08 2012-12-19 株式会社V技术 曝光方法及曝光装置
CN103270454A (zh) * 2010-09-06 2013-08-28 株式会社V技术 薄膜曝光装置以及薄膜曝光方法
CN104931870A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 日本电产理德股份有限公司 柔性基板检测装置
CN107077080A (zh) * 2015-01-15 2017-08-18 株式会社村田制作所 曝光装置
CN113341657A (zh) * 2020-03-03 2021-09-03 株式会社斯库林集团 描画装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101460897B (zh) * 2006-06-07 2013-03-27 株式会社V技术 曝光方法以及曝光装置
US7961299B2 (en) * 2007-11-08 2011-06-14 Orc Manufacturing Co., Ltd. Transfer device
EP2095946A1 (en) * 2008-02-27 2009-09-02 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO A system for patterning flexible foils
JP5180624B2 (ja) * 2008-03-10 2013-04-10 東レエンジニアリング株式会社 帯状ワークの露光方法および露光装置
JP5424271B2 (ja) * 2010-11-08 2014-02-26 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置
FR2975940A1 (fr) * 2011-05-31 2012-12-07 Forest Line Capdenac Procede de controle du jeu entre bandes deposees par une tete de drapage et sous-ensemble de tete de drapage a dispositif de controle embarque.
CN102649376B (zh) * 2011-06-21 2014-04-02 北京京东方光电科技有限公司 一种打标方法及设备
KR20130020404A (ko) * 2011-08-19 2013-02-27 삼성전자주식회사 정렬계를　이용한 계측 시스템 및 위치 계측 방법
KR102345439B1 (ko) * 2015-01-15 2021-12-30 삼성디스플레이 주식회사 롤투롤 노광 시스템
JP6298108B2 (ja) * 2016-07-08 2018-03-20 キヤノントッキ株式会社 アライメントマークの検出方法、アライメント方法及び蒸着方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2790469B2 (ja) * 1988-11-24 1998-08-27 ウシオ電機株式会社 フィルム露光装置
JP2892079B2 (ja) * 1990-02-21 1999-05-17 ウシオ電機株式会社 フィルム露光装置
JP2782608B2 (ja) * 1990-03-30 1998-08-06 ウシオ電機株式会社 フィルム露光装置
US5198857A (en) * 1990-03-30 1993-03-30 Ushio Denski Kabushiki Kaisha Film exposure apparatus and method of exposure using the same
JP2880314B2 (ja) * 1991-03-26 1999-04-05 ウシオ電機株式会社 フィルム搬送機構およびこのフィルム搬送機構を具えた露光装置
JP2880317B2 (ja) 1991-03-28 1999-04-05 ウシオ電機株式会社 フィルム露光方法
JPH0645406A (ja) 1992-07-22 1994-02-18 Ushio Inc フィルム露光装置
JP2789539B2 (ja) * 1992-02-27 1998-08-20 ウシオ電機株式会社 フィルム搬送機構およびこのフィルム搬送機構を具えたフィルム露光装置
JP3239323B2 (ja) * 1993-08-04 2001-12-17 富士写真フイルム株式会社 感光材料処理装置
KR0179855B1 (ko) * 1995-11-02 1999-03-20 문정환 마킹장치가 구비된 얼라이너
JPH09274520A (ja) * 1996-04-04 1997-10-21 Ushio Inc 帯状ワークの搬送・位置決め方法および装置
JPH09274530A (ja) * 1996-04-05 1997-10-21 Nec Corp 頭部回転検出型入力装置
JP3307295B2 (ja) * 1997-09-29 2002-07-24 ウシオ電機株式会社 帯状ワークの搬送・位置決め方法および装置
JP2000056481A (ja) * 1998-08-11 2000-02-25 Nippon Seiko Kk 露光装置の位置合せ方法
JP3417313B2 (ja) * 1998-09-28 2003-06-16 ウシオ電機株式会社 帯状ワークの露光装置
US6529274B1 (en) * 1999-05-11 2003-03-04 Micron Technology, Inc. System for processing semiconductor products
JP3678144B2 (ja) * 2000-12-22 2005-08-03 ウシオ電機株式会社 フィルム回路基板の周辺露光装置
CN1847985A (zh) * 2005-04-15 2006-10-18 陈花明 印刷电路板曝光机
JP2007114357A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Mejiro Precision:Kk 投影露光装置
JP2007127942A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Mejiro Precision:Kk 投影露光装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102834780A (zh) * 2010-04-08 2012-12-19 株式会社V技术 曝光方法及曝光装置
CN103270454A (zh) * 2010-09-06 2013-08-28 株式会社V技术 薄膜曝光装置以及薄膜曝光方法
TWI550367B (zh) * 2010-09-06 2016-09-21 V科技股份有限公司 膜片曝光裝置以及膜片曝光方法
CN103270454B (zh) * 2010-09-06 2017-02-15 株式会社V技术 薄膜曝光装置以及薄膜曝光方法
CN102759864A (zh) * 2011-04-22 2012-10-31 东友精细化工有限公司 用于防止图案膜上的图案弯曲的控制装置
CN104931870A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 日本电产理德股份有限公司 柔性基板检测装置
CN104931870B (zh) * 2014-03-20 2019-11-12 日本电产理德股份有限公司 柔性基板检测装置
CN107077080A (zh) * 2015-01-15 2017-08-18 株式会社村田制作所 曝光装置
CN107077080B (zh) * 2015-01-15 2019-04-26 株式会社村田制作所 曝光装置
CN113341657A (zh) * 2020-03-03 2021-09-03 株式会社斯库林集团 描画装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7969553B2 (en) 2011-06-28
CN101377624B (zh) 2012-06-06
JP5144992B2 (ja) 2013-02-13
TW200910028A (en) 2009-03-01
US20090059195A1 (en) 2009-03-05
JP2009053383A (ja) 2009-03-12
TWI417684B (zh) 2013-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101377624B (zh) 曝光装置及曝光方法
JP6927348B2 (ja) パターン形成方法
KR101956973B1 (ko) 기판 처리 장치, 디바이스 제조 방법, 주사 노광 방법
CN101546133B (zh) 曝光装置及曝光方法
JPH08167549A (ja) 露光装置
US20080055578A1 (en) Roll printer with decomposed raster scan and X-Y distortion correction
TWI698662B (zh) 圖案描繪裝置及圖案描繪方法
TWI598696B (zh) 光罩單元、基板處理裝置及光罩單元製造方法、以及基板處理方法
WO2021251090A1 (ja) 露光用の光源装置、照明装置、露光装置、及び露光方法
JP2011119594A (ja) 近接露光装置及び近接露光方法
CN104428715A (zh) 衬底处理装置及器件制造方法
KR102352984B1 (ko) 다이렉트 노광 장치
WO2014097859A1 (ja) 基板処理装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法
JP2004354909A (ja) 投影露光装置および投影露光方法
JP6424053B2 (ja) ダイレクト露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant