TWI417684B - Exposure apparatus and exposure method - Google Patents

Exposure apparatus and exposure method Download PDF

Info

Publication number
TWI417684B
TWI417684B TW097120734A TW97120734A TWI417684B TW I417684 B TWI417684 B TW I417684B TW 097120734 A TW097120734 A TW 097120734A TW 97120734 A TW97120734 A TW 97120734A TW I417684 B TWI417684 B TW I417684B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
exposed
calibration mark
tape
exposure
guide roller
Prior art date
Application number
TW097120734A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200910028A (en
Original Assignee
Orc Mfg Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Orc Mfg Co Ltd filed Critical Orc Mfg Co Ltd
Publication of TW200910028A publication Critical patent/TW200910028A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI417684B publication Critical patent/TWI417684B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • G03F9/708Mark formation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0266Marks, test patterns or identification means
    • H05K1/0269Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0082Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393Flexible materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09818Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09918Optically detected marks used for aligning tool relative to the PCB, e.g. for mounting of components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502Patterning and lithography
    • H05K2203/0505Double exposure of the same photosensitive layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0548Masks
    • H05K2203/0557Non-printed masks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0548Masks
    • H05K2203/056Using an artwork, i.e. a photomask for exposing photosensitive layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1545Continuous processing, i.e. involving rolls moving a band-like or solid carrier along a continuous production path
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0008Apparatus or processes for manufacturing printed circuits for aligning or positioning of tools relative to the circuit board
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061Etching masks
    • H05K3/064Photoresists

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

曝光裝置及曝光方法
本發明有關於將膠捲狀的帶從供給側搬送至曝光部,並將在該曝光部被曝光的帶搬送至捲繞側的曝光裝置以及曝光方法。
移動電話或者移動設備等各種小型電子設備中使用的電路基板(印刷電路基板)的電路基礎材料的機體輕薄且短小,所以一般使用高精度的薄膜狀的帶(以下稱為“帶”)。
這種帶的材料的厚度具有從0.1mm左右到0.06mm薄型化的傾向。甚至最近經常使用厚度為0.05mm以下、寬度為100~250mm、且長度為700m的薄而寬的帶狀且非常長的帶。由於是很長的帶,所以通常捲繞成卷狀來進行處理。
在用這樣的卷狀帶製造電路基板之際,若卷狀帶被一塊一塊地送入曝光部的途中產生鬆弛或者帶被傾斜地送入曝光部,則會產生各種各樣的問題。作為解決這些問題的曝光裝置,如專利文獻1所公開的那樣,已知有準確地控制帶,使帶以水平的狀態傳送的膠捲狀帶用曝光裝置。
專利文獻1所公開的帶具有扣鏈齒和與之捏合的貫通孔,通過使該扣鏈齒旋轉,向曝光台送出帶。另外,該貫通孔還可以用來校準掩膜和帶。並不是所有的帶都具有貫通孔,所以不得不給這樣的帶形成特別的貫通孔。另外,貫通孔與扣鏈齒進行捏合之際,具有變形或者受擠壓的情 況,而變形或者受擠壓的貫通孔無法正確地進行校準。
於是,在專利文獻2中公開的為了製造電路基板而搬送帶的薄膜曝光裝置,具有用於在帶上穿孔校準孔的校準穿孔機構,以便能夠控制掩膜和帶的校準。然後在曝光臺上,對以一塊為間隔搬送的帶的校準結束後,將掩膜的圖案曝光在帶上。
但是,在專利文獻2所公開的薄膜曝光裝置中,由於在曝光台附近穿孔校準孔,所以穿孔之際容易產生帶的切斷面或垃圾,並附著在帶的曝光面上,導致生產曝光不合格產品。另外,隨著校準穿孔機構的移動,產生塵埃等,有時會通過靜電附著在帶上,所以具有曝光後的圖案的對比度降低的問題。
【專利文獻1】特開平04-299332號公報
【專利文獻2】特開平06-045406號公報
於是本發明鑒於上述問題而成,其目的在於提供一種曝光裝置以及曝光方法,其不會產生垃圾或者塵埃,可以高精度地在帶上曝光掩膜的電路圖案。
作為解決上述課題的手段,根據本發明第一形態的曝光裝置具有使送出被曝光體的供給盤旋轉的供給盤旋轉部、引導由該供給盤旋轉部旋轉而從供給盤送出的被曝光體的導向輥、配置在導向輥和曝光台之間,在被曝光體上描繪用於與電路圖案掩膜進行對位元的校準標記的校準標 記描繪部。
根據第一形態,在曝光裝置上沒有設置用於在被曝光體上穿孔校準孔的校準穿孔機構,可以在曝光前夕在被曝光體上描繪校準標記。由於描繪校準標記,所以不會產生垃圾或者塵埃。
根據第二形態的曝光裝置,校準標記描繪部採用紫外光來描繪校準標記。
根據上述構成,用紫外光在被曝光體上進行描繪,所以即使在顯影前也能夠確認潛像。
根據第三形態的曝光裝置,校準標記描繪部具有用於照射紫外光的照射部和描繪有校準標記的校準標記用掩膜,通過該校準標記用掩膜在被曝光體上描繪校準標記。
通過使用校準標記用掩膜,能夠在被曝光體上描繪更準確的校準標記。
根據第四形態的曝光裝置,校準標記描繪部具有用於照射紫外光的照射部和內裝於該照射部的可交換的光學部件,通過該內裝的光學部件在被曝光體上描繪校準標記。
根據上述構成,沒有設置校準標記用掩膜,而是在照射部設置適於描繪校準標記的光學部件,由此能夠在被曝光體上描繪更準確的校準標記。
根據第五形態的曝光裝置,在上述第三形態以及第四形態的基礎上,上述照射部配置有紫外光LED、或者配置有傳輸來自水銀燈或鐳射光源的紫外光的光纖。
根據上述構成,可以在照射部上配置紫外光LED,也 可以用光纖導入來自水銀燈等的紫外光。可以根據照射光量或者照射時間,適當選擇一種光源。
根據第六形態的曝光裝置,校準標記描繪部具有檢測被曝光體的寬度方向位置的寬度位置檢測部;根據寬度位置檢測部的檢測結果,使導向輥在被曝光體的寬度方向移動,然後校準標記描繪部描繪校準標記。
通過上述構成,根據被曝光體的寬度方向的檢測結果,使導向輥在被曝光體的寬度方向移動,來調整被曝光體的位置。因此,校準標記描繪部可以在被曝光體的準確位置上描繪校準標記。
根據第七形態的曝光裝置,在第三形態的基礎上,校準標記描繪部具有檢測被曝光體的寬度方向位置的寬度位置檢測部;根據寬度位置檢測部的檢測結果,使校準標記用掩膜在被曝光體的寬度方向移動,然後校準標記描繪部描繪校準標記。
通過上述構成,根據被曝光體的寬度方向的檢測結果,使校準標記用掩膜相對於被曝光體移動至適當的位置。因此,校準標記描繪部可以在被曝光體的準確位置上描繪校準標記。
根據第八形態的曝光裝置,在第七形態的基礎上,校準標記用掩膜具有第一校準標記用掩膜和第二校準標記用掩膜,根據寬度位置檢測部的檢測結果,分別使第一校準標記用掩膜和第二校準標記用掩膜移動。
根據上述構成,即使在被曝光體傾斜的情況,也可以 分別使第一校準標記用掩膜和第二校準標記用掩膜移動不同的量,來調整被曝光體的傾斜量。
根據第九形態的曝光裝置,在第七形態的基礎上,校準標記用掩膜能夠與被曝光體平行地進行旋轉,且能夠在寬度方向移動,校準標記用掩膜根據寬度位置檢測部的檢測結果進行移動及旋轉。
根據上述構成,即使在被曝光體傾斜的情況,也可以通過校準標記用掩膜的旋轉,來調整被曝光體的傾斜量。
根據第十形態的曝光裝置,在第四形態的基礎上,校準標記描繪部具有檢測被曝光體的寬度方向位置的寬度位置檢測部;根據寬度位置檢測部的檢測結果,使照射部在被曝光體的寬度方向移動,然後照射部描繪校準標記。
通過上述構成,根據被曝光體的寬度方向的檢測結果,使照射部相對於被曝光體移動至適當的位置。因此,校準標記描繪部可以在被曝光體的準確位置上描繪校準標記。
根據第十一形態的曝光方法,包括檢測被曝光體的寬度方向位置的寬度檢測工序;判斷被曝光體是否進入所定位置的第一判斷工序;在第一判斷工序中,若被曝光體沒有進入所定位置,則使向曝光台方向輸送被曝光體的導向輥在寬度方向移動的輥移動工序;若被曝光體進入所定位置,則在被曝光體上描繪校準標記的校準標記描繪工序;校準標記描繪工序之後,觀察被曝光體的校準標記和電路圖案的觀察工序。
根據上述構成,檢測被曝光體的寬度方向的位置,若被曝光體沒有進入所定位置,則能夠使導向輥移動來調整被曝光體的寬度方向位置,能夠在被曝光體的適當的位置描繪校準標記。
根據第十二形態的曝光方法,在第十一形態的基礎上,進一步具有通過輥移動工序使導向輥在寬度方向移動後,判斷被曝光體是否進入所定位置的第二判斷工序;在第二判斷工序中,若被曝光體沒有進入所定位置,則移動描繪有校準標記的校準標記用掩膜或者照射紫外光的照射部的移動工序。
根據上述構成,即使移動導向輥,被曝光體在寬度方向的位置也沒有被調整的情況下,通過移動校準標記用掩膜或者照射部,能夠在被曝光體的確切位置上描繪校準標記。
根據第十三形態的曝光方法,在第十一形態或者第十二形態的基礎上,在觀察工序後以及在被曝光體上曝光了電路圖案掩膜的圖案後,導向輥再送入一塊被曝光體。
根據上述構成,能夠使校準標記的描繪工序與電路圖案掩膜的圖案的曝光工序同步。
本發明所述曝光裝置不會產生垃圾或者塵埃,可以高精度地形成校準標記,所以即使掩膜圖案重疊,也能夠進行良好的曝光。
<曝光裝置的構成>
作為實施本發明的形態,以投影曝光裝置為例進行說明。
圖1是顯示本發明實施例所述投影曝光裝置100的概略圖。本發明所述投影曝光裝置100搬送薄膜狀帶(以下簡稱為帶)T,在該帶T上曝光描繪在光掩膜M上的電路圖案。
帶T由作為電路基板使用的撓性基板或者薄膜狀帶的材料構成。例如,該帶T由帶寬為160mm、帶的全長為200m的薄而寬的部件構成,且該帶T被捲繞在供給盤旋轉部61上。作為該帶T具有在該帶T的左右兩邊緣側形成有貫通孔(未圖示)的帶或者沒有貫通孔的帶。另外,在帶T的表面事先塗布適用於後述水銀燈10的光致抗蝕劑。
投影曝光裝置100向垂直方向設置的曝光台50以一塊為單位間歇性地搬送帶T。該投影曝光裝置100在以一塊為單位搬送的帶T上,隔著光掩膜M的電路圖案一塊一塊地曝光來自水銀燈10的光。
投影曝光裝置100具有水銀燈10、反射鏡14、複眼微透鏡板16、聚光透鏡18、光掩膜M、投影光學系統20。水銀燈10照射含有365nm波長的紫外線的光。除了水銀燈10以外,還可以使用紫外線鐳射或者紫外線LED。另外,以覆蓋該水銀燈10的後面的方式設置有橢圓反射鏡12。反射鏡14向著光掩膜M反射從水銀燈10照射的光。另外,在圖1中,該橢圓反射鏡12採用了從下往上的光路,但也可以採用從上往下的光路。
複眼微透鏡板16是將多個正透鏡單元以其中心軸線沿著光軸延伸的方式縱橫緊密排列而成。因此,入射至複眼微透鏡板16的光束被多個透鏡單元波面分割,在其後側焦點面(即射出面附近)上形成與透鏡單元相同數的光源構成的二次光源。即,在複眼微透鏡板16的後側焦點面上形成實質上的面光源。換句話說,複眼微透鏡板16起到均勻調整來自反射鏡14的光的照度分佈的作用。
經由聚光透鏡18的光束重疊照射在形成有電路圖案的光掩膜M上。通過曝光光照明並透過光掩膜M的光束向著投影光學系統20。在光掩膜M的電路圖案周圍形成有掩膜標記MM(參考圖8),用於帶T和光掩膜M的對位。
光掩膜M被保持於未圖示的掩膜臺上,可以在相對於投影光學系統20的光軸垂直的方向進行移動。投影光學系統20可以適用僅由透鏡系統構成的折射型、組合反射鏡而構成的反射型、組合透鏡和反射鏡而成的反射折射型等。投影光學系統20可以適用放大光學系統、等倍率光學系統或者縮小光學系統中的任意一種。
在投影光學系統20的焦點位置上設置有曝光台50。曝光台50通過真空吸附吸附保持帶T,可以通過未圖示的曝光台驅動電路在X軸方向、Y軸方向、Z軸方向以及θ方向上進行移動。通過未圖示的焦點檢測裝置,檢測帶T的聚焦點位置,曝光台50還可以在Z軸方向移動。由此,經投影光學系統20射出的光束在帶T上成像。即,光掩膜M的電路圖案在帶T上成像,通過塗布在帶T上的光致抗蝕 劑,在帶T上複寫電路圖案。
該曝光台50的表面設置成與後述第一搬送輥64和第二搬送輥66之間的帶T平行。另外,曝光台50形成有用於真空吸附帶T的吸附孔,以一塊為單位真空吸附並保持帶T。在帶T被吸附於曝光台50表面的狀態,通過校準相機40校準光掩膜M和帶T,在帶T上曝光光掩膜M的電路圖案。另外,由於曝光台50的表面沿著Z方向垂直,所以一旦解除對帶T的真空吸附,帶T通過自重而從曝光台50的表面脫離。因此,無需在曝光台50表面設置用於送風壓縮空氣的壓縮空氣系統。
投影曝光裝置100具有設置在圖1左側的帶搬送系統60,其用於向曝光台50傳送帶T。另外,投影曝光裝置100具有校準標記描繪裝置30和校準相機40,校準標記描繪裝置30在帶T的所定位置描繪校準標記,校準相機40設置在投影光學系統20和曝光台50之間。
<帶搬送系統的構成>
圖2是顯示本發明實施例所述帶搬送系統60的概略立體圖。
該帶搬送系統60具有供給盤旋轉部61、用於引導搬送來的帶T的供給側第一導向輥62和供給側第二導向輥63,該供給盤旋轉部61安裝在捲繞有帶T的供給盤80中央的盤孔上,來使供給盤80旋轉。另外,投影曝光裝置100具有第一搬送輥64、第二搬送輥66、捲繞側第一導向輥67、捲繞側第二導向輥68、以及捲繞盤旋轉部69。第 一搬送輥64和第二搬送輥66設置在曝光台50的上下位置,用於搬送帶T。捲繞盤旋轉部69使捲繞帶T的捲繞盤90旋轉。進一步,投影曝光裝置100具有用於吸收搬送過程中帶T的鬆弛的供給側鬆弛吸收部D1以及捲繞側鬆弛吸收部D2。
供給盤旋轉部61是用於軸支撐捲繞有作為電路基板材料的帶T的線筒狀供給盤80來送出帶T的部件,由可安裝供給盤80的盤孔的金屬軸構成。該金屬軸由未圖示的驅動馬達驅動旋轉。
另外,例如供給盤80由捲繞部分的直徑為750mm的盤構成,在其左右邊緣具有凸緣部81。捲繞在該供給盤80上的帶T通過第一搬送輥64被拉緊,由此與供給盤旋轉部61一同旋轉,並傳送至供給側第一導向輥62。
供給側第一導向輥62是為了使捲繞在供給盤80上的帶T向著供給側鬆弛吸收部D1傳送而設置的輔助輥,以軸部為中心可自由旋轉的方式設置。該供給側第一導向輥62設置在比供給盤旋轉部61低的位置,從供給盤旋轉部61向著斜下方傳送的帶T通過自重從供給側第一導向輥62向著大致垂直下方下垂的方式設置。
供給側鬆弛吸收部D1例如是通過自重鬆弛成U字狀並施加張力的裝置,以使從供給盤旋轉部61送出的帶T在供給盤旋轉部61和供給側第一導向輥62之間、以及供給側第二導向輥63和第一搬送輥64之間被搬送之際,不會產生過度的負荷或者鬆弛。
供給側第二導向輥63是具有帶位置調整機構的輥,該帶位置調整機構將帶T從供給側鬆弛吸收部D1向第一搬送輥64傳送的同時,能夠使帶T在寬度方向(箭頭ar)移動。該供給側第二導向輥63具有第二導向輥馬達63M以及未圖示的軸承等。
第二導向輥馬達63M使供給側第二導向輥63旋轉的同時能夠使其沿著箭頭ar的軸方向(帶T的寬度方向)移動,由此能夠調整帶T在寬度方向的位置。另外,第二導向輥馬達63M能夠正轉及反轉來調整供給側第二導向輥63和後述第一搬送輥6之間的帶T的張力。至少該供給側第二導向輥63的輥表面由具有緩衝性的軟質樹脂形成,來吸收微震。
如上所述構成的供給側第二導向輥63通過旋轉第二導向輥馬達63M,使帶T的位置在Y方向移動來調整至適當位置,由此在校準標記描繪裝置30描繪校準標記之際可以準確地進行對位。
另外,圖2所示供給側第二導向輥63採用了由第二導向輥馬達63M直接旋轉支撐軸的結構,但也可以採用通過其他馬達或者直線滑動機構等使供給側第二導向輥63整體在軸方向上進行運動的結構。
第一搬送輥64是將帶T從供給側第二導向輥63向曝光台50搬送的輥,通過搬送輥馬達64M間歇性地旋轉驅動該第一搬送輥64,由此以一塊為單位搬送帶T。在該第一搬送輥64上具有將帶T吸附在第一搬送輥64的輥表面上 的吸附孔64a,同時連接有用於通過吸附孔64a吸附帶T的未圖示的真空裝置。由此,通過第一搬送輥64的旋轉而搬送的帶T不會產生空轉。
並且,該第一搬送輥64設置於在z方向上比供給側第二導向輥63更下方的位置,同時為了使帶T與曝光台50的表面平行,第一搬送輥64設置在曝光台50的正上方。該第一搬送輥64與供給側第二導向輥63相同,至少輥表面由具有緩衝性的軟質樹脂形成,來吸收微震。
第二搬送輥66設置在曝光台50的搬送方向的下游側,是將在該曝光台50上曝光的帶T搬送至捲繞側的輥,設置在第一搬送輥64以及曝光台50的正下方。該第二搬送輥66採用與第一搬送輥64相同的結構,在該第二搬送輥66上具有將帶T吸附在第二搬送輥66的輥表面上的吸附孔66a。
捲繞側第一導向輥67設置在第二搬送輥66的搬送方向的下游側,是將帶T傳送至捲繞側鬆弛吸收部D2的輥。捲繞側第一導向輥67採用與供給側第二導向輥63相同的結構,具有用於調整該帶的位置的第一導向輥馬達67M等。
捲繞側第二導向輥68是為了引導捲繞在捲繞盤90上的帶T向著該捲繞盤90傳送而設置的輔助輥,採用與供給側第一導向輥62相同的結構。捲繞側第二導向輥68以從捲繞側鬆弛吸收部D2搬送來的帶T從該捲繞側第二導向輥68向斜上方傳送的方式設置。
捲繞盤旋轉部69用於支撐捲繞盤90,在曝光台50上 曝光的帶T被捲繞在該捲繞盤90上,捲繞盤旋轉部69可以安裝有捲繞盤90的軸筒部的軸部為中心自由旋轉,並由驅動馬達(未圖示)驅動。
<校準標記描繪裝置以及校準相機的構成>
如圖2所示,校準標記描繪裝置30設置在供給側第二導向輥63和第一搬送輥64之間。圖3為校準標記描繪裝置30的放大圖。另外,校準標記描繪裝置30也可以設置在第一搬送輥64和曝光台50之間。
圖3是表示本發明實施例所述校準標記描繪裝置30以及校準相機40的概略立體圖。
校準標記描繪裝置30具有觀察帶T的端面的端面檢測器31a,31b、校準標記用光掩膜33a,33b、紫外線光源35a,35b,35c,35d。進一步具有用於控制它們的描繪控制部49(參考圖4)。
端面檢測器31由單線陣CCD或者雙線陣CCD或者CMOS相機構成,接收來自帶T的反射光或者透射光。該圖像信號傳送至描繪控制部49並進行圖像處理,來檢測帶T的端面。端面檢測器31為了檢測帶T在傳送方向的傾斜度,至少在傳送方向上隔一定間隔地具有第一端面感測器31a和第二端面感測器31b。這些感測器被定位以後固定在未圖示的框架等上。另外,如果相機具有在寬度方向上能夠觀察整個帶T的視角,且通過這樣的相機等能夠測定帶T的端面位置以及傾斜度,則也可以代替端面檢測器31來使用。
校準標記用光掩膜33是在石英玻璃板上用鉻等製作了校準標記圖案(鉻標記BM)的光掩膜。石英玻璃的熱膨脹係數小且紫外線的透過率高,所以作為掩膜材料非常優秀,另外,鉻與石英玻璃的粘著性優良,鉻對紫外線的遮罩效果優良,同時隨時間的變化少,所以非常適用。校準標記用光掩膜33能夠在Y方向上移動,且包括具有兩個鉻標記BM的第一校準標記用光掩膜33a和具有兩個鉻標記BM的第二校準標記用光掩膜33b,以便容易進行控制。
紫外線光源35可以使用照射能夠感光塗布在帶T上的光致抗蝕劑的紫外線的LED (UVLED)。也可以使用來自水銀燈10且通過光纖引導的光。還可以使用來自另行設置的UV鐳射光源且通過光纖引導的光。紫外線光源35由與鉻標記BM的個數一致的四個UVLED35a、35b、35c以及35d構成。
基於來自端面檢測器31的信號得知的帶T的位置,從紫外線光源35照射紫外線,在塗布於帶T表面上的光致抗蝕劑上,描繪已描繪於校準標記用光掩膜33上的校準標記圖。描繪在帶T上的校準標記AM是顯影之前的標記,一般稱為潛像。即,通過校準標記圖曝光在帶T上的光致抗蝕劑上,所曝光的部位發出與光致抗蝕劑的顏色不同的顏色,所以能夠作為校準標記AM進行識別。另外,校準標記AM只要與形成在光掩膜M上的掩膜標記MM的個數相吻合即可,但在一個電路圖案的周圍至少要有兩個以上。假設在形成了六個校準標記AM之際,或者重新設置校準標記用 光掩膜33,或者將帶T的傳送量設置成一塊的約一半來描繪校準標記AM。
校準相機40由雙線陣CCD或者CMOS相機構成,由四個圖像處理相機41a、41b、41c以及41d構成。校準相機40可以在帶T和投影光學系統20之間移動,在曝光掩膜的電路圖案之際,四個圖像處理相機41從帶T和投影光學系統20之間隱退,在觀察校準標記AM之際,再返回到帶T和投影光學系統20之間。
在圖像處理相機41a、41b、41c以及41d的前端部分別設置有棱鏡43a、43b、43c以及43d。因此,校準標記AM的反射光在棱鏡43上被反射並導入到圖像處理相機41中,進一步光掩膜M(參考圖1)的掩膜標記MM(參考圖8)被棱鏡43反射並導入到圖像處理相機41中。即,在圖像處理相機41上可以同時觀察帶T上的校準標記AM和光掩膜M的掩膜標記MM。
<校準標記描繪裝置的控制>
圖4(a)是校準標記描繪裝置30的控制框圖。圖4(b)表示帶T從所定位置偏離的狀態的圖。
描繪控制部49與端面檢測器31的第一端面感測器31a和第二端面感測器31b連接。另外,描繪控制部49與第一校準標記用光掩膜33a和第二校準標記用光掩膜33b和分別使其在Y方向移動的第一掩膜馬達37a和第二掩膜馬達37b連接。進一步,描繪控制部49與紫外線光源35和第二導向輥馬達63M連接。
描繪控制部49一旦接收來自第一端面感測器31a以及第二端面感測器31b的圖像信號,則計算出帶T的端面從所定值偏離了多少。
如圖4(b)所示,第一端面感測器31a和第二端面感測器31b在X方向上僅距離LL。而且,可以從各自的圖像信號求出從帶T原本應該存在的位置(點線所示位置)向Y方向分別偏離了距離W1以及距離W2。
另外,如圖4(b)所示,第一端面感測器31a輸出顯示帶T從所定位置向Y方向偏離距離W1的圖像信號,第二端面感測器31b輸出顯示帶T從所定位置向Y方向偏離距離W2的圖像信號。即,在θ很小時,sinθ與θ近似,所以可以得知帶T傾斜θ≒(W2—W1)/LL。
如圖4(b)所示,當帶T從所定位置偏離的情況,描繪控制部49給第二導向輥馬達63M發送驅動信號,使供給側第二導向輥63向箭頭ar的方向(Y方向)移動。與此同時,帶T也向著箭頭ar的方向移動,使帶T移動至所定位置。但是,由於帶T很長,即使移動供給側第二導向輥63,有時帶T也無法移動到所定位置。此時,描繪控制部49給第一掩膜馬達37a和第二掩膜馬達37b發送驅動信號,使第一校準標記用光掩膜33a和第二校準標記用光掩膜33b向箭頭br方向移動。
即使使供給側第二導向輥63移動,來使帶T移動至所定位置,有時帶T也會保持傾斜的狀態。此時,由於第一校準標記用光掩膜33a和第二校準標記用光掩膜33b在帶 T的傳送方向上是獨立的部件,所以可以進行對應。即,只要使第一校準標記用光掩膜33a的移動量和第二校準標記用光掩膜33b的移動量在箭頭br方向上不同,則既使帶T保持傾斜,也能夠使鉻標記BM移動至帶T的所定位置。
另外,相比於供給側第二導向輥63的移動量,在帶T從所定值偏離的情況,第一校準標記用光掩膜33a和第二校準標記用光掩膜33b的移動量更小,所以第一以及第二掩膜馬達37a,37b也可以是壓電式(piezo)電機變換驅動裝置。
帶T和鉻標記BM之間的相對對位結束後,描繪控制部49使紫外線光源35照射紫外線。通過校準標記圖曝光在帶T上的光致抗蝕劑上,曝光部位成為潛像,能夠作為校準標記AM進行識別。
圖5是表示校準標記描繪裝置30的動作的流程圖。上述校準標記描繪裝置30的控制動作如以下所示步驟。
步驟S12:描繪控制部49接收來自第一端面感測器31a和第二端面感測器31b的圖像信號,檢測帶T在寬度方向的偏離W1以及傾斜度θ。
步驟S14:判斷帶T在寬度方向的偏離W1以及傾斜度θ是否在距離所定位置的一定距離範圍內。如果帶T在寬度方向的偏離W1以及傾斜度θ在一定距離範圍內,則進入步驟S28,如果帶T在寬度方向的偏離W1以及傾斜度θ沒有在一定距離範圍內,則進入步驟S16。
步驟S16:給第二導向輥馬達63M發送驅動信號,使 供給側第二導向輥63在帶T的寬度方向移動。另外,給第二導向輥馬達63M發送的驅動量取決於供給側第二導向輥63與第一搬送輥64在傳送方向的距離以及與第一搬送輥64在Y方向的相對位置。
步驟S18:重新從第一端面感測器31a和第二端面感測器31b接收圖像信號,檢測帶T在寬度方向的偏離W1以及傾斜度θ。這是為了確認由供給側第二導向輥63的移動引起的帶T的移動量。
步驟S20:判斷帶T在寬度方向的偏離W1以及傾斜度θ是否在距離所定位置的一定距離範圍內。帶T在寬度方向的偏離W1以及傾斜度θ在一定距離範圍內,則進入步驟S28,帶T在寬度方向的偏離W1以及傾斜度θ沒有在一定距離範圍內,則進入步驟S22。
步驟S22:使第一校準標記用光掩膜33a以及第二校準標記用光掩膜33b移動。即,即使供給側第二導向輥63移動了所定量,帶T也沒有進入所定位置的一定距離內,所以不使帶T移動而使鉻標記BM移動,來使校準標記AM相對於帶T描繪在所定位置上。
步驟S24:再次從第一端面感測器31a和第二端面感測器31b接收圖像信號,檢測帶T在寬度方向的偏離W1以及傾斜度θ。
步驟S26:判斷帶T在寬度方向的偏離W1以及傾斜度θ是否進入距離所定位置的一定距離範圍內。如果帶T在寬度方向的偏離W1以及傾斜度θ在一定距離範圍內,則進 入步驟S28,如果帶T在寬度方向的偏離W1以及傾斜度θ沒有在一定距離範圍內,則進入步驟S38。
步驟S38:在上述一系列動作中,帶T在寬度方向的偏離W1以及傾斜度θ沒有進入一定距離範圍,從一開始重新操作,或者作為出錯進行處理。
步驟S28:紫外線光源35照射第一校準標記用光掩膜33a以及第二校準標記用光掩膜33b。
步驟S30:確認隔著投影光學系統20光掩膜M的電路圖案的曝光是否結束。如果電路圖案的曝光還沒有結束,則待機到曝光結束為止。
在步驟S30中,由於電路圖案的曝光已結束,所以給各輥馬達發送驅動信號,使其再傳送一塊帶T。從校準標記描繪裝置30到曝光台50的過程中,沒有帶T的鬆弛吸收部,即帶T沒有鬆弛,以所定的張力使其拉緊。因此,有必要互相協調校準標記描繪裝置30的動作和電路圖案的曝光,來傳送帶T。
步驟S34:作為下一個工序,進入通過校準相機40同時觀察光掩膜M的掩膜標記MM和帶T上的校準標記AM的工序。
在以上的說明中,若帶T沒有被送入至所定位置,則在最初使供給側第二導向輥63移動,來使帶T在寬度方向的偏離減少,進一步,帶T還沒有進入距離所定位置的一定距離內,則使第一校準標記用光掩膜33a以及第二校準標記用光掩膜33b移動。代替該控制動作,也可以不使供 給側第二導向輥63移動,而僅使第一校準標記用光掩膜33a以及第二校準標記用光掩膜33b移動也可。但是有必要將帶T經由第一搬送輥64送入至曝光台50的適當位置,所以優選盡可能在上游側的供給側第二導向輥63使帶T在寬度方向的位置偏離W1以及傾斜度θ減小。
帶搬送系統60通過第一搬送輥64以及第二搬送輥66能夠調整在曝光台50中帶T在上下方向的傳送量,且通過供給側第二導向輥63以及捲繞側第一導向輥67,能夠調整在曝光台50中的帶T的傾斜方向。因此,在曝光台50中的帶T的位置偏離變小,從校準標記AM和掩膜標記MM的對位元結果看,光掩膜M的移動量減少,可以提高生產量的同時,還可以高精度地與掩膜進行對位。
<變形例1>
接著,參考圖6,說明本實施例所述校準標記描繪裝置30的變形例。另外,在變形例1中,省略對具有圖4所示實施例的校準標記描繪裝置30相同功能的部件的說明。
圖6是表示實施例所述校準標記描繪裝置30的變形例1的圖。
在變形例1所述校準標記描繪裝置30中,校準標記用光掩膜133在一張石英玻璃板上用鉻等形成了四個校準標記圖案(鉻標記BM)。變形例1所述校準標記用光掩膜133可以在Y方向上移動,進一步,設置有在維持與帶T平行的狀態下能夠旋轉的機構,且與使該機構移動的掩膜馬達137連接。
如圖4(b)所示,具有從帶T原本應該存在的位置,帶T向Y方向偏離或者帶T傾斜的情況。於是,通過使具有四個鉻標記BM的校準標記用光掩膜133旋轉或者在Y方向上移動,即是在帶T傾斜的狀態,也可以使四個鉻標記BM移動至帶T的所定位置。四個鉻標記BM被描繪在石英玻璃板上,所以它們之間的相互位置關係不會變動。因此,能夠將校準標記以正確的位置關係描繪在帶T上。
<變形例2>
接著,參考圖7(a)、圖7(b)說明本實施例所述校準標記描繪裝置30的變形例。另外,在變形例2中,省略了對具有圖4所示實施例的校準標記描繪裝置30相同功能的部件的說明。
圖7(a)、圖7(b)是表示實施例所述校準標記描繪裝置30的變形例2的圖。
如圖7(a)所示,變形例2所述校準標記描繪裝置30不具有校準標記用光掩膜,而具有有兩個UVLED35a和35c的第一LED框架233a以及有兩個UVLED35b和35d的第二LED框架233b。第一LED框架233a和第二LED框架233b分別與使其在Y方向上移動的第一框架馬達237a和第二框架馬達237b連接。而且,第一LED框架233a以及第二LED框架233b可以在Y方向上移動。
圖7(b)是第二LED框架233b的剖面圖。兩個UVLED35b以及35d插入至鉛筆狀的筒355中,在該筒355中具有棱鏡或者濾色鏡等光學部件。該光學部件的交換棱鏡351可 以進行交換,根據形成在帶T上的校準標記AM的大小,可以變更來自UVLED35b等的聚光面積。另外,作為濾色鏡,可以設置校準標記AM用的標記圖案濾色鏡353。標記圖案濾色鏡353也可以進行交換,可以根據形成在帶T上的校準標記AM的形狀進行變更。另外,第一LED框架233a也具有相同的構成。
變形例2所述校準標記描繪裝置30不具有校準標記用光掩膜,而是通過交換能夠使形成在鉛筆狀筒355上的校準標記AM的大小變化的棱鏡351或者能夠使校準標記AM的形狀變化的標記圖案濾色鏡353,可以簡單地變更校準標記AM。
<校準標記和掩膜標記>
圖8是表示校準標記AM以及掩膜標記MM的例子的圖。
圖8的最上段是圖4等所示校準標記用光掩膜33或者圖7所示標記圖案濾色鏡353上形成的鉻標記BM的例子。 而且,圖8中的左側是中央的圓形部成為遮光部的第一鉻標記BM1,中央是環狀區域以外的區域成為遮光部的第二鉻標記BM2,右側是十字部成為遮光部的第3鉻標記BM3。
圖8的上數第二段是描繪在帶T上的校準標記AM的例子。相對於第一鉻標記BM1,第一校準標記AM1被描繪在帶T上,相對於第二鉻標記BM2,第二校準標記AM2被描繪在帶T上,相對於第3鉻標記BM3,第3校準標記AM3被描繪在帶T上。
圖8的上數第三段是描繪在電路圖案用的光掩膜M上 的掩膜標記AM的例子。與第一校準標記AM1成對的標記是左側的掩膜標記MM1,與第二校準標記AM2成對的標記是中央的掩膜標記MM2,與第3校準標記AM3成對的標記是右側的掩膜標記MM3。
校準相機40具有上述圖3所示棱鏡43,圖像處理相機41可以同時觀察帶T上的校準標記AM和光掩膜M的掩膜標記MM。因此,圖像處理相機41攝取的圖像如圖8的最下段所示。
【產業上的可利用性】
本發明並不限於上述實施例,例如即使是接觸式曝光方式或者接近式曝光方式的裝置,在該技術思想範圍內,也可以進行種種改造和變更,本發明可延伸至這些改造和變更後的發明。例如,該曝光裝置100對沒有形成貫通孔或者校準標記的帶的效果特別大,但即使是已經形成有校準標記或者校準用穿孔的情況,在需要另行描繪校準標記時均有效。
10‧‧‧水銀燈
12‧‧‧橢圓反射鏡
14‧‧‧反射鏡
16‧‧‧複眼微透鏡板
18‧‧‧聚光透鏡
20‧‧‧投影光學系統
30‧‧‧描繪裝置
31‧‧‧端面檢測器
33,133‧‧‧光掩膜
35‧‧‧紫外線光源
40‧‧‧校準相機
41‧‧‧圖像處理相機
49‧‧‧描繪控制部
50‧‧‧曝光台
60‧‧‧帶搬送系統
61‧‧‧供給盤旋轉部
62‧‧‧供給側第一導向輥
63‧‧‧供給側第二導向輥
64‧‧‧第一搬送輥
64a‧‧‧吸附孔
66‧‧‧第二搬送輥
66a‧‧‧吸附孔
67‧‧‧捲繞側第一導向輥
68‧‧‧捲繞側第二導向輥
69‧‧‧捲繞盤旋轉部
80‧‧‧供給盤
81‧‧‧凸緣部
90‧‧‧捲繞盤
100‧‧‧投影曝光裝置
137‧‧‧掩膜馬達
233‧‧‧LED框架
237‧‧‧框架馬達
351‧‧‧交換棱鏡
353‧‧‧標記圖案濾色鏡
355‧‧‧筒
D1‧‧‧供給側鬆弛吸收部
D2‧‧‧捲繞側鬆弛吸收部
M‧‧‧掩膜
AM‧‧‧校準標記
BM‧‧‧鉻標記
MM‧‧‧掩膜標記
T‧‧‧膠捲狀帶
圖1是表示本發明實施例所述曝光裝置100的概略圖。
圖2是表示本發明實施例所述帶搬送系統60的概略立體圖。
圖3是表示本發明實施例所述校準標記描繪裝置30以及校準相機40的概略立體圖。
圖4(a)是校準標記描繪裝置30的控制框圖。
圖4(b)是表示從帶T的所定位置偏離的狀態的圖。
圖5是表示校準標記描繪裝置30的動作的流程圖。
圖6是表示實施例所述校準標記描繪裝置30的變形例1的圖。
圖7(a)、圖7(b)是表示實施例所述校準標記描繪裝置30的變形例2的圖。
圖8是表示校準標記AM以及掩膜標記MM的例子的圖。
10‧‧‧水銀燈
12‧‧‧橢圓反射鏡
14‧‧‧反射鏡
16‧‧‧複眼微透鏡板
18‧‧‧聚光透鏡
20‧‧‧投影光學系統
30‧‧‧描繪裝置
40‧‧‧校準相機
50‧‧‧曝光台
60‧‧‧帶搬送系統
61‧‧‧供給盤旋轉部
62‧‧‧供給側第一導向輥
63‧‧‧供給側第二導向輥
64‧‧‧第一搬送輥
66‧‧‧第二搬送輥
67‧‧‧捲繞側第一導向輥
68‧‧‧捲繞側第二導向輥
69‧‧‧捲繞盤旋轉部
80‧‧‧供給盤
90‧‧‧捲繞盤
100‧‧‧投影曝光裝置
D1‧‧‧供給側鬆弛吸收部
D2‧‧‧捲繞側鬆弛吸收部
M‧‧‧掩膜
T‧‧‧膠捲狀帶

Claims (6)

  1. 一種曝光裝置,將具有所定寬度的膠捲狀的被曝光體送入曝光臺上,將電路圖案掩膜的圖案曝光在被曝光體上,其特徵在於包括:供給盤旋轉部,使送出上述被曝光體的供給盤旋轉;導向輥,引導從上述供給盤送出的上述被曝光體,該被曝光體由上述供給盤旋轉部旋轉而被送出;及校準標記描繪部,配置在上述導向輥和上述曝光台之間,在上述被曝光體上描繪用於與上述電路圖案掩膜進行對位元的校準標記;其中上述校準標記描繪部具有照射紫外光的照射部和內裝於該照射部的可交換的光學部件,通過該內裝的光學部件在上述被曝光體上描繪上述校準標記。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的曝光裝置,其中上述照射部配置有紫外光LED、或者配置有傳輸來自水銀燈或鐳射光源的紫外光的光纖。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的曝光裝置,其中上述校準標記描繪部具有檢測上述被曝光體的寬度方向位置的寬度位置檢測部;根據上述寬度位置檢測部的檢測結果,使上述導向輥向上述被曝光體的寬度方向移動,然後上述校準標記描繪部描繪上述校準標記。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的曝光裝置,其中上述 校準標記描繪部具有檢測上述被曝光體的寬度方向位置的寬度位置檢測部;根據上述寬度位置檢測部的檢測結果,使上述照射部向上述被曝光體的寬度方向移動,然後上述照射部描繪上述校準標記。
  5. 一種曝光方法,將具有所定寬度的膠捲狀的被曝光體送入曝光臺上,將電路圖案掩膜的圖案曝光在被曝光體上,其特徵在於包括:寬度檢測工序,檢測上述被曝光體的寬度方向的位置;第一判斷工序,判斷上述被曝光體是否進入所定位置;輥移動工序,在上述第一判斷工序中,若被曝光體沒有進入所定位置,則使向上述曝光台方向輸送上述被曝光體的導向輥向上述寬度方向移動;校準標記描繪工序,若上述被曝光體進入所定位置,則在上述被曝光體上描繪校準標記;觀察工序,上述校準標記描繪工序之後,觀察上述被曝光體的校準標記和上述電路圖案;第二判斷工序,通過上述輥移動工序使上述導向輥移動至上述寬度方向後,判斷上述被曝光體是否進入所定位置;及移動工序,在上述第二判斷工序中,若被曝光體沒有進入所定位置,則移動描繪有上述校準標記的校準標記用掩膜或者照射紫外光的照射部。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的曝光方法,其中在上述觀察工序後以及在上述被曝光體上曝光了電路圖案掩膜的圖案後,上述導向輥再送入一塊上述被曝光體。
TW097120734A 2007-08-27 2008-06-04 Exposure apparatus and exposure method TWI417684B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007219250A JP5144992B2 (ja) 2007-08-27 2007-08-27 露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200910028A TW200910028A (en) 2009-03-01
TWI417684B true TWI417684B (zh) 2013-12-01

Family

ID=40406912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097120734A TWI417684B (zh) 2007-08-27 2008-06-04 Exposure apparatus and exposure method

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7969553B2 (zh)
JP (1) JP5144992B2 (zh)
CN (1) CN101377624B (zh)
TW (1) TWI417684B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101460897B (zh) * 2006-06-07 2013-03-27 株式会社V技术 曝光方法以及曝光装置
US7961299B2 (en) * 2007-11-08 2011-06-14 Orc Manufacturing Co., Ltd. Transfer device
EP2095946A1 (en) * 2008-02-27 2009-09-02 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO A system for patterning flexible foils
JP5180624B2 (ja) * 2008-03-10 2013-04-10 東レエンジニアリング株式会社 帯状ワークの露光方法および露光装置
JP5382456B2 (ja) * 2010-04-08 2014-01-08 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置
JP5477862B2 (ja) * 2010-09-06 2014-04-23 株式会社ブイ・テクノロジー フィルム露光装置及びフィルム露光方法
JP5424271B2 (ja) * 2010-11-08 2014-02-26 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置
FR2975940A1 (fr) * 2011-05-31 2012-12-07 Forest Line Capdenac Procede de controle du jeu entre bandes deposees par une tete de drapage et sous-ensemble de tete de drapage a dispositif de controle embarque.
CN102649376B (zh) 2011-06-21 2014-04-02 北京京东方光电科技有限公司 一种打标方法及设备
KR20130020404A (ko) * 2011-08-19 2013-02-27 삼성전자주식회사 정렬계를 이용한 계측 시스템 및 위치 계측 방법
JP6338085B2 (ja) * 2014-03-20 2018-06-06 日本電産リード株式会社 可撓性基板検査装置
CN107077080B (zh) * 2015-01-15 2019-04-26 株式会社村田制作所 曝光装置
KR102345439B1 (ko) * 2015-01-15 2021-12-30 삼성디스플레이 주식회사 롤투롤 노광 시스템
JP6298108B2 (ja) * 2016-07-08 2018-03-20 キヤノントッキ株式会社 アライメントマークの検出方法、アライメント方法及び蒸着方法
JP7441076B2 (ja) * 2020-03-03 2024-02-29 株式会社Screenホールディングス 描画装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5585879A (en) * 1993-08-04 1996-12-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosensitive material processing apparatus
JP2000056481A (ja) * 1998-08-11 2000-02-25 Nippon Seiko Kk 露光装置の位置合せ方法
JP2007127942A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Mejiro Precision:Kk 投影露光装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2790469B2 (ja) * 1988-11-24 1998-08-27 ウシオ電機株式会社 フィルム露光装置
JP2892079B2 (ja) * 1990-02-21 1999-05-17 ウシオ電機株式会社 フィルム露光装置
JP2782608B2 (ja) * 1990-03-30 1998-08-06 ウシオ電機株式会社 フィルム露光装置
US5198857A (en) * 1990-03-30 1993-03-30 Ushio Denski Kabushiki Kaisha Film exposure apparatus and method of exposure using the same
JP2880314B2 (ja) * 1991-03-26 1999-04-05 ウシオ電機株式会社 フィルム搬送機構およびこのフィルム搬送機構を具えた露光装置
JP2880317B2 (ja) 1991-03-28 1999-04-05 ウシオ電機株式会社 フィルム露光方法
JPH0645406A (ja) 1992-07-22 1994-02-18 Ushio Inc フィルム露光装置
JP2789539B2 (ja) * 1992-02-27 1998-08-20 ウシオ電機株式会社 フィルム搬送機構およびこのフィルム搬送機構を具えたフィルム露光装置
KR0179855B1 (ko) * 1995-11-02 1999-03-20 문정환 마킹장치가 구비된 얼라이너
JPH09274520A (ja) * 1996-04-04 1997-10-21 Ushio Inc 帯状ワークの搬送・位置決め方法および装置
JPH09274530A (ja) * 1996-04-05 1997-10-21 Nec Corp 頭部回転検出型入力装置
JP3307295B2 (ja) * 1997-09-29 2002-07-24 ウシオ電機株式会社 帯状ワークの搬送・位置決め方法および装置
JP3417313B2 (ja) * 1998-09-28 2003-06-16 ウシオ電機株式会社 帯状ワークの露光装置
US6529274B1 (en) * 1999-05-11 2003-03-04 Micron Technology, Inc. System for processing semiconductor products
JP3678144B2 (ja) * 2000-12-22 2005-08-03 ウシオ電機株式会社 フィルム回路基板の周辺露光装置
CN1847985A (zh) * 2005-04-15 2006-10-18 陈花明 印刷电路板曝光机
JP2007114357A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Mejiro Precision:Kk 投影露光装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5585879A (en) * 1993-08-04 1996-12-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosensitive material processing apparatus
JP2000056481A (ja) * 1998-08-11 2000-02-25 Nippon Seiko Kk 露光装置の位置合せ方法
JP2007127942A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Mejiro Precision:Kk 投影露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5144992B2 (ja) 2013-02-13
US20090059195A1 (en) 2009-03-05
CN101377624A (zh) 2009-03-04
US7969553B2 (en) 2011-06-28
TW200910028A (en) 2009-03-01
JP2009053383A (ja) 2009-03-12
CN101377624B (zh) 2012-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI417684B (zh) Exposure apparatus and exposure method
JP5117243B2 (ja) 露光装置
TWI518468B (zh) 曝光裝置
JP2006098726A (ja) アライメント部の校正方法と、アライメント校正可能な描画装置と、搬送装置
TW201727387A (zh) 基板處理裝置、元件製造系統、以及元件製造方法
TWI481971B (zh) 曝光方法及曝光裝置
WO2007049640A1 (ja) 露光方法及び露光装置
JP4845746B2 (ja) 搬送装置
TWI386763B (zh) Projection exposure device
JP6723831B2 (ja) 露光装置
KR102352984B1 (ko) 다이렉트 노광 장치
TWI512388B (zh) 光罩、使用該光罩之雷射退火裝置及曝光裝置
JP5282941B2 (ja) 近接露光装置
JP2004354909A (ja) 投影露光装置および投影露光方法
JPH05323621A (ja) フィルム露光装置におけるフィルムとレチクルの位置合わせ方法
JP2015034846A (ja) 縦型フィルム露光装置
JP2002006507A (ja) フィルム回路基板の周辺露光装置
TW201342506A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2815762B2 (ja) フィルム露光装置におけるフィルムとレチクルの位置合わせ方法
JP5499398B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP6424053B2 (ja) ダイレクト露光装置
JP2880317B2 (ja) フィルム露光方法
JPH04156464A (ja) ウシオ電機株式会社
JP2891769B2 (ja) フィルム露光装置
JP2801685B2 (ja) 露光装置における投影位置調整方法