CN101359537A - 电容元件和电容元件的制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 140
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title abstract description 36
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 160
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 127
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 97
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 77
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 71
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 50
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 50
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 36
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 36
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 33
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 30
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 21
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 19
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 18
- 229910002855 Sn-Pd Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 14
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 8
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 49
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 37
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 31
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 10
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RCTYPNKXASFOBE-UHFFFAOYSA-M chloromercury Chemical compound [Hg]Cl RCTYPNKXASFOBE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 210000000981 epithelium Anatomy 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- -1 polyethylene pyrroles Polymers 0.000 description 3
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 3
- KVCGISUBCHHTDD-UHFFFAOYSA-M sodium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound [Na+].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 KVCGISUBCHHTDD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- NRYGNLJQFASBEF-UHFFFAOYSA-N thiophene-2,3-diol Chemical compound OC=1C=CSC=1O NRYGNLJQFASBEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
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- H—ELECTRICITY
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
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Abstract
本发明提供一种电容元件和电容元件的制造方法。该电容元件具有多孔板状的电介质(14)、分别在交替地配置在电介质上的属于第一组的孔(15a3)内和属于第二组的孔(15b3)内形成的柱状电极(16a)、(16b)、分别在第一和第二组的孔内的柱状电极的顶端上形成的封堵各孔的由有机绝缘体层构成的绝缘体层(18a)、(18b)、分别设置在电介质的一个主面(14a)和另一个主面(14b)上并与柱状电极的基端b相连接的引出电极(12a)、(12b)。按照这种结构，由于耐电压提高，可以提供每单位体积的CV积比现有的电解电容器大且无极性的电容元件。
Description
技术领域
本发明涉及每单位体积的静电电容和耐电压的乘积(CV积)比以往的电解电容器大的电容元件和电容元件的制造方法。
背景技术
将作为一种阀金属(Valve metal)氧化物的Al2O3用作电介质皮膜的电解电容器迄今为止得到了广泛应用。电解电容器由电介质(电介体)皮膜和电解液成分的组合构成并具有极性。而且，通过使Al2O3皮膜的表面变得粗糙等来谋求面积的扩大，但目前已达到大电容化的极限。另外，由于具有极性，存在着用途受到限定的课题。
为解决这些课题并实现大电容化，提出了以下方案。具体地说，在专利文献1中，提出了如下一种方法，即：将如图35的平面图所示的设有多个孔5的多孔基板4用作掩模、如图36的剖视图所示通过薄膜成膜处理或蚀刻在电容器基板1的面状电极2的表面形成使多个柱状体2a有规则地排列的第一电极6a、然后如图37的剖视图所示用MOCVD(有机金属化学气相淀积)法在该第一电极6a的表面使介电常数100以上的电介质材料成膜而形成电介质薄膜8、进一步在该电介质薄膜8的表面形成第二电极6b，由此获得电容器结构体。
专利文献1：日本特开2003-249417号公报
发明内容
但是，在如上所述的背景技术的电容元件结构体的制造方法中，由于用多孔基板4作为掩模形成柱状体2a，很容易发生电极材料附着在上述多孔基板4上和该多孔基板4的孔5的内壁上或因上述多孔基板4本身的蚀刻而引起的孔5的扩大等。因此，存在着很难以均匀的截面形状得到所需长度尺寸的柱状体2a的课题。
另外，由于用MOCVD法在竖立着上述柱状体2a的结构的第一电极6a的表面使介电常数100以上的电介质材料成膜而形成电介质薄膜8，当上述柱状体2a的高度较高时，在上述第一电极6a的表面内的面对原料气的气流易于接触到原料气体的部位和难于接触到原料气体的部位，所生成的电介质薄膜8很容易产生膜厚差。因此，存在着很难稳定地得到每单位体积的静电电容和耐电压的乘积(CV积)大的电容器的课题。
本发明是鉴于以上课题而开发的，其目的是提供一种每单位体积的CV积比以往的电解电容器大的电容元件。其目的还在于提供一种无极性的电容元件。
本发明的另一个目的是提供一种能够稳定地生产大电容、无极性的电容元件的制造方法。
为达到上述目的，本发明的电容元件，(1)具有由第一阀金属氧化物构成并交替地配置多个在厚度方向上贯通的属于第一组的孔和属于第二组的孔的多孔板状的电介质(电介体)、分别在属于上述第一组的多个孔内形成且基端在上述电介质的一个主面上露出的第一柱状电极、分别在属于上述第二组的多个孔内形成且基端在上述电介质的另一个主面上露出的第二柱状电极。并且，具有分别设置成在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上封堵该孔、在属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上封堵该孔的绝缘体层。而且，还具有设置成在上述电介质的一个主面上与上述第一柱状电极的基端连接的第一引出电极、设置成在上述电介质的另一个主面上与上述第二柱状电极的基端连接的第二引出电极。
因此，即使增大电压也能抑制绝缘性的降低，CV积提高，同时没有像电解电容器那样的极性。由此可见，由于耐电压提高，可以提供每单位体积的CV积比以往的电解电容器大、且无极性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的主要方式之一，(2)除上述(1)以外，并且，上述绝缘体层是使导电性高分子热分解(热解)而形成的层。因此，即使是属于第一组的孔的内部和属于第二组的孔的内部这样的难于充填绝缘性树脂的部位，也能稳定地得到绝缘性。
另外，本发明的电容元件的主要方式之一，(3)除上述第二课题解决手段以外，并且，在上述第一引出电极和上述第二引出电极之间进行了电压施加。按照这种方式，将对置电极间的短路部分烧断。因此，可以提供减低了漏电流的电容元件。
另外，本发明的电容元件的另一个主要方式之一，(4)除上述第一课题解决手段以外，并且，上述绝缘体层由TiO2膜构成。TiO2膜与构成电介质层的第一阀金属氧化物(例如Al2O3)相比，介电常数高。因此，当使绝缘层的厚度薄到有助于增大电容元件的电容的程度时，可以得到电容更高的电容元件。
另外，本发明的电容元件的另一个主要方式之一，(5)除上述第一课题解决手段以外，并且，上述绝缘体层由SiO2膜构成。因此，可以提供具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的另一个主要方式之一，(6)除上述第一课题解决手段以外，并且，上述绝缘体层由绝缘性树脂层构成。因此，可以提供具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的另一个主要方式之一，(7)除上述第一课题解决手段以外，并且，上述绝缘体层由第二阀金属氧化物构成。因此，可以提供具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的另一个主要方式之一，(8)除上述第一课题解决手段以外，并且，上述绝缘体层由空气层构成。因此，可以提供频率阻抗特性中的谐振频率高的高频特性良好的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法，(9)具有在第一阀金属的箔片的一个主面上按预定的配置通过印压(indentation)而在多个部位上形成微小凹部的工序、对该阀金属箔片进行阳极氧化、分别在形成有上述微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部浅的属于第二组的凹部来形成多孔板状的电介质的工序。并且，具有在上述电介质的属于第一组的凹部的内面和属于第二组的凹部的内面通过非电解电镀形成种子(seed)层、同时在上述电介质的一个主面上形成第一引出电极的工序、通过蚀刻将上述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序。并且，具有在属于上述第一组的孔内的上述晶粒层种子层上通过电解电镀留下上述电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极的工序、通过蚀刻将上述电介质的属于第二组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第二组的多个孔的工序。并且，具有分别在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上和属于上述第二组的孔内的上述第一引出电极上通过电解聚合形成导电性高分子层使其将上述孔封堵的工序、在属于上述第二组的孔内的上述晶粒层种子层上通过电解电镀形成第二柱状电极、同时在上述电介质的另一个主面上形成第二引出电极的工序。并且，具有使上述导电性高分子层热分解而绝缘化后形成绝缘体层的工序、通过施加电压将上述第一柱状电极的顶端与上述第二引出电极之间和上述第二柱状电极的顶端与上述第一引出电极之间的短路部位烧断的工序。因此，可以稳定地生产结构为分别将第一柱状电极容纳在由第一阀金属氧化物构成的多孔板状的电介质的属于第一组的孔内、将第二柱状电极容纳在属于第二组的孔内、同时分别设置绝缘体层使其将绝缘性最容易降低的属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上封堵并将绝缘性最容易降低的属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上封堵的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法，(10)具有在第1第一阀金属的箔片的一个主面上按预定的配置在通过印压而在多个部位上形成微小凹部的工序、对该阀金属箔片进行阳极氧化、并分别在形成有上述微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第1第一组的凹部、在形成有上述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第1第一组的凹部浅的属于第2第二组的凹部来形成多孔板状的电介质的工序、通过蚀刻将上述电介质的属于第1第一组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第1第一组的多个孔的工序、在上述电介质的形成有属于上述第2第二组的凹部的一个主面上形成第1第一供电电极的工序、在属于上述第1第一组的孔内通过电解电镀留下上述电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第1第一柱状电极的工序、分别在属于上述第1第一组的孔内的上述第1第一柱状电极的顶端上形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序、通过蚀刻将上述电介质的一个主面上的上述第1第一供电电极和属于上述第2第二组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第2第二组的多个孔的工序、在上述电介质的另一个主面上形成第2第二引出电极的工序、在属于上述第2第二组的孔内的上述第2第二引出电极上通过电解电镀留下上述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第2第二柱状电极的工序、分别在属于上述第2第二组的孔内的上述第2第二柱状电极的顶端上形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序、在上述电介质的一个主面上形成与上述第1第一柱状电极的基端连接的第1第一引出电极的工序。因此，可以稳定地生产结构为分别将第1第一柱状电极容纳在由第1第一阀金属氧化物构成的多孔板状的电介质的属于第1第一组的孔内、将第2第二柱状电极容纳在属于第2第二组的孔内、同时在上述第1第一柱状电极的顶端和上述第2第二引出电极之间设置绝缘体层使其将绝缘性最容易降低的属于上述第1第一组的孔封堵、并在上述第2第二柱状电极的顶端和上述第1第一引出电极之间设置绝缘体层使其将绝缘性最容易降低的属于上述第2第二组的孔封堵的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法的主要方式之一，(11)除上述第十课题解决手段以外，并且，在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在分别将上述第一供电电极和上述第二引出电极作为供电层而形成有导电性高分子膜后，通过热分解而绝缘化。因此，能以简便的制造工艺稳定地生产具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法的另一个主要方式之一，(12)除上述第十课题解决手段以外，并且，在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在分别将上述第一供电电极和上述第二引出电极作为供电层而形成有TiO2电淀积膜后，通过热处理而绝缘化。因此，能以简便的制造工艺稳定地生产电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法的另一个主要方式之一，(13)除上述第十课题解决手段以外，并且，在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，分别将上述第一供电电极和上述第二引出电极作为供电层而对SiO2层进行电解电镀。因此，能以简便的制造工艺稳定地生产具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法的另一个主要方式之一，(14)除上述第十课题解决手段以外，并且，在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在分别将上述第一供电电极和上述第二引出电极作为供电层而形成有Sn-Pd镀层后，在上述Sn-Pd镀层上湿式淀积SiO2层。因此，能以较简便的制造工艺稳定地生产具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法，(15)具有在第一阀金属的箔片的一个主面上按预定的配置通过印压而在多个部位上形成微小凹部的工序、对该阀金属箔片进行阳极氧化、并分别在形成有上述微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部浅的属于第二组的凹部来形成多孔板状的电介质的工序、通过蚀刻将上述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序、在上述电介质的形成有属于上述第二组的凹部的一个主面上形成第一供电电极的工序、在属于上述第一组的孔内的上述第一供电电极上通过电解电镀留下上述电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极的工序、通过蚀刻将上述第一供电电极和上述电介质的属于第二组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第二组的多个孔的工序、分别在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上和属于上述第二组的多个孔内形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序、在上述电介质的另一个主面上形成第二引出电极的工序、在属于上述第二组的孔内的上述第二引出电极上通过电解电镀留下上述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电极的工序、分别在属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序、在上述电介质的一个主面上形成与上述第一柱状电极的基端连接的第一引出电极的工序。因此，可以稳定地生产结构为分别将第一柱状电极容纳在由第一阀金属氧化物构成的多孔板状的电介质的属于第一组的孔内、将第二柱状电极容纳在属于第二组的孔内、同时分别设置绝缘体层使其将绝缘性最容易降低的属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上封堵并将绝缘性最容易降低的属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上封堵的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法的主要方式之一，(16)除上述第一5课题解决手段以外，并且，在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上和属于上述第二组的多个孔内分别埋入了绝缘性树脂后，将属于上述第二组的多个孔内的绝缘性树脂除去，在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上分别埋入绝缘性树脂。因此，能以简便的制造工艺稳定地生产具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法的另一个主要方式之一，(17)除上述第一5课题解决手段以外，并且，在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在上述电介质的上述第一柱状电极的顶端侧的上述另一个主面上形成有绝缘性树脂膜后，除属于上述第一组的孔内以外将上述另一个主面上的绝缘性树脂膜除去，在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在上述电介质的上述第二柱状电极的顶端侧的上述另一个主面上形成有绝缘性树脂膜后，除属于上述第二组的孔内以外将上述另一个主面上的绝缘性树脂膜除去。因此，能以较简便的制造工艺稳定地生产具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法，(18)具有在第一阀金属的箔片的一个主面上按预定的配置通过印压而在多个部位上形成微小凹部的工序、对该阀金属箔片进行阳极氧化、并分别在形成有上述微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部浅的属于第二组的凹部来形成多孔板状的电介质的工序、通过蚀刻将上述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序、在上述电介质的形成有属于上述第二组的凹部的一个主面上形成第一供电电极的工序、在属于上述第一组的孔内的上述第一供电电极上通过电解电镀留下上述电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极的工序、通过蚀刻将上述电介质的属于第二组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第二组的多个孔的工序、在上述电介质的上述第一柱状电极的顶端侧的上述另一个主面上形成第二阀金属层的工序、除属于上述第一组的孔内以外将上述另一个主面上的第二阀金属层除去的工序、通过将上述第一供电电极作为供电层并对上述第二阀金属层进行阳极氧化而分别在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上和属于上述第二组的多个孔内形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序、通过蚀刻将上述第一供电电极除去的工序、在上述电介质的另一个主面上形成第二引出电极的工序、在属于上述第二组的孔内的上述第二引出电极上通过电解电镀留下上述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电极的工序、在上述电介质的上述第二柱状电极的顶端侧的上述一个主面上形成第二阀金属层的工序、除属于上述第二组的孔内以外将上述一个主面上的第二阀金属层除去的工序、分别在属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序、通过将上述第二引出电极作为供电层并对上述第二阀金属层进行阳极氧化而在上述电介质的一个主面上形成与上述第一柱状电极的基端连接的第一引出电极的工序。因此，可以稳定地生产结构为分别将第一柱状电极容纳在由第一阀金属氧化物构成的多孔板状的电介质的属于第一组的孔内、将第二柱状电极容纳在属于第二组的孔内、同时分别设置绝缘体层使其将绝缘性最容易降低的属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上封堵并将绝缘性最容易降低的属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上封堵的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法，(19)具有在第一阀金属的箔片的一个主面上按预定的配置在通过印压而在多个部位上形成微小凹部的工序、对该阀金属箔片进行阳极氧化、并分别在形成有上述微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部浅的属于第二组的凹部来形成多孔板状的电介质的工序、通过蚀刻将上述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序、在上述电介质的形成有属于上述第二组的凹部的一个主面上形成第一供电电极的工序、在属于上述第一组的孔内的上述第一供电电极上通过电解电镀留下上述电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极的工序、通过蚀刻将上述第一供电电极和上述电介质的属于第二组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第二组的多个孔的工序、在上述电介质的另一个主面上通过溅射在与上述第一柱状电极的顶端之间隔着空气层形成第二引出电极的工序、在属于上述第二组的孔内的上述第二引出电极上通过电解电镀留下上述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电极的工序、在上述电介质的一个主面上通过溅射在与上述第二柱状电极的顶端之间隔着空气层形成与上述第一柱状电极的基端连接的第一引出电极的工序。因此，可以分别将第一柱状电极容纳在由第一阀金属氧化物构成的多孔板状的电介质的属于第一组的孔内、将第二柱状电极容纳在属于第二组的孔内，同时省略了在上述第一柱状电极的顶端上和上述第二柱状电极的顶端上分别设置绝缘体层的工序，因而能以简便的制造工艺稳定地生产电容元件。
其他的本发明的上述和其他目的、特征、优点，从以下的详细说明和附图将看得很清楚。
附图说明
图1是表示本发明的电容元件的第一实施方式的内部结构的剖视图。
图2是表示上述第一实施方式的电容元件的变形例的剖视图。
图3是表示本发明的电容元件的制造方法的第一实施方式的一例的制造工序的顺序的图。
图4是表示上述第一实施方式的一例的各工序的图。
图5是表示上述第一实施方式的一例的各工序的图。
图6是表示上述第一实施方式的一例的各工序的图。
图7是表示上述第一实施方式的另一例的制造工序的顺序的图。
图8是表示本发明的电容元件的制造方法的第二实施方式的制造工序的顺序的图。
图9是表示上述第二实施方式的各工序的图。
图10是表示上述第二实施方式的各工序的图。
图11是表示上述第二实施方式的一例的制造工序的顺序的图。
图12是表示上述第二实施方式的一例的绝缘体层形成工序的图。
图13是表示本发明的电容元件的制造方法的第三实施方式的一例的制造工序的顺序的图。
图14是表示上述第三实施方式的一例的绝缘体层形成工序的图。
图15是表示本发明的电容元件的制造方法的第四实施方式的一例的制造工序的顺序的图。
图16是表示本发明的电容元件的制造方法的第五实施方式的一例的制造工序的顺序的图。
图17是表示上述第五实施方式的一例的绝缘体层形成工序的图。
图18是表示本发明的电容元件的制造方法的第六实施方式的一例的制造工序的顺序的图。
图19是表示上述第六实施方式的一例的各工序的图。
图20是表示上述第六实施方式的一例的各工序的图。
图21是表示上述第六实施方式的一例的制造工序的顺序的图。
图22是表示上述第六实施方式的一例的绝缘体层形成工序的图。
图23是表示本发明的电容元件的制造方法的第七实施方式的一例的制造工序的顺序的图。
图24是表示上述第七实施方式的一例的绝缘体层形成工序的图。
图25是表示本发明的电容元件的制造方法的第八实施方式的一例的制造工序的顺序的图。
图26是表示上述第八实施方式的一例的各工序的图。
图27是表示上述第八实施方式的一例的各工序的图。
图28是表示上述第八实施方式的一例的各工序的图。
图29是表示本发明的电容元件的制造方法的第九实施方式的一例的制造工序的顺序的图。
图30是表示上述第九实施方式的一例的各工序的图。
图31是表示上述第九实施方式的一例的各工序的图。
图32是表示采用了本发明的电容元件的电容器的第一实施方式的内部结构的剖视图。
图33是表示采用了本发明的电容元件的电容器的第二实施方式的内部结构的剖视图。
图34是表示采用了本发明的电容元件的电容器埋入多层配线基板的实施方式的内部结构的剖视图。
图35是表示背景技术的电容元件的制造方法的图。
图36是表示背景技术的电容元件的制造方法的图。
图37是表示背景技术的电容元件的内部结构的剖视图。
具体实施方式
以下，参照图1和图2说明本发明的电容元件的第一实施方式。图1是用于说明第一实施方式的电容元件10的内部结构的放大剖视图，图1(A)是A-A线的横截面图，图1(B)是B-B线的纵截面图。图2是表示上述第一实施方式的电容元件10的变形例的内部结构的横截面图。
如图1所示，第一实施方式的电容元件10具有：由第一阀金属氧化物构成的多孔板状的电介质14；分别在交替地配置在上述电介质14上的属于第一组的孔15a3内和属于第二组的孔15b3内形成的柱状电极16a、16b；分别在属于上述第一组的孔15a3内的上述柱状电极16a的顶端t上和属于上述第二组的孔15b3内的上述柱状电极16b的顶端t上形成的由有机绝缘体层构成的绝缘体层18a、18b；以及分别设置在上述电介质14的一个和另一个主面14a、14b上并分别与上述柱状电极16a、16b连接的引出电极12a、12b。
上述柱状电极16a、16b由在属于第一组的孔15a3内形成的第一柱状电极16a和在属于第二组的孔15b3内形成的第二柱状电极16b构成。属于上述第一组的孔15a3、属于第二组的孔15b3的配置如图1(A)所示，其结构为，当以特定的孔为中心时，属于同一组的孔仅在将周围6等分中的隔着上述特定的孔而彼此相对的2个方向上邻接、其他4个方向由属于另一组的孔包围。而且，在图1(A)所示的B-B线的纵截面上，属于第一组的孔15a3和属于第二组的孔15b3沿横向交替地排列。换句话说，上述交替的排列，在向上的方向邻接的列和向下的方向邻接的列上，呈直线状地连续反复。在这种情况下，对磁场的对称性良好，因此是等效串联电感(ESL)低的适合于高频电路的用途的电容元件。
更具体地说，本实施方式的电容元件10具有：交替地配置了多个在厚度方向上贯通的属于第一组的孔15a3和属于第二组的孔15b3的由第一阀金属氧化物构成的多孔板状的电介质14；分别在属于上述第一组的多个孔15a3内形成且基端b在上述电介质14的一个主面上露出的第一柱状电极16a；分别在属于上述第二组的多个孔15b3内形成且基端b在上述电介质14的另一个主面上露出的第二柱状电极16b。并且，还具有：分别设置成在属于上述第一组的孔15a3内将上述第一柱状电极16a的顶端t上封堵、并在属于上述第二组的孔15b3内将上述第二柱状电极16b的顶端t上封堵的由有机绝缘体层构成的绝缘体层18a、18b；设置在上述电介质14的一个主面14a上并与上述第一柱状电极16a的基端b连接的第一引出电极12a；设置在上述电介质14的另一个主面14b上并与上述第二柱状电极16b的基端b连接的第二引出电极12b。
此外，上述电介质14中的属于第一组的孔15a和属于第二组的孔15b的排列，并不限定于上述，也可以例如如下述图2(C)～图2(E)所示，可以是各种变形例。
在图2(C)中示出横截面的电容元件10′，其A′-A′线的纵截面，与前面的图1(B)一样，属于第一组的孔15a3′和属于第二组的孔15b3′沿横向交替地排列。而且，上述交替的排列，在向上的方向邻接的列和向下的方向邻接的列上，呈折线状地连续反复。在这种情况下，与上述的电容元件10相比，存在着磁场的定向性稍有降低、ESL要增加一些的倾向。
另外，在图2(D)中示出横截面的电容元件10”，其A”-A”线的纵截面，与前面的图1(B)一样，属于第一组的孔15a3”和属于第二组的孔15b3”沿横向交替地排列。而且，上述交替的排列，分别在向上的方向和向下的方向每隔一列呈折线状地反复。在这种情况下，与上述的电容元件10相比，第一柱状电极的数目和第二柱状电极的数目不同，因此耐电流(耐脉动)性稍有降低。而且，ESL与上述相比也存在着增加的倾向。
并且，在图2(E)中示出横截面的电容元件10”’，其A”’-A”’线的纵截面，与前面的图1(B)一样，属于第一组的孔15a3”’和属于第二组的孔15b3”’沿横向交替地排列。而且，上述交替的排列，分别在向上的方向和向下的方向每隔一列呈直线状地反复。在这种情况下，与上述电容元件10”同样地，与上述的电容元件10相比，第一柱状电极的数目和第二柱状电极的数目不同，因此耐电流(耐脉动)性稍有降低。而且，ESL与上述相比也存在着增加的倾向。
另外，本实施方式的电容元件10除上述结构以外，并且，上述有机绝缘体层是使导电性高分子层17a、17b热分解而形成的层。
另外，本实施方式的电容元件10除上述结构以外，并且，在上述第一引出电极12a和上述第二引出电极12b之间进行了施加电压，将上述第一柱状电极16a的顶端t与上述第二引出电极12b之间和上述第二柱状电极16b的顶端t与上述第一引出电极12a之间的短路部位烧断。
以下，参照图3～图6说明本发明的电容元件的制造方法的第一实施方式。图3是表示本实施方式的电容元件10的制造方法的制造工艺的一例的概要的流程图。另外，图4～图6是用于说明该制造工艺的各工序的与上述图1(B)对应的纵截面图，其顺序为图4(a)～(e)、图5(f)～(i)、图6(j)～(m)。此外，对图3中的各工序标记的符号与图4～图6的括号内的符号相对应。
首先，本实施方式的电容元件的制造方法的概要如图3中的一例所示，a：准备第一阀金属的箔片，b、(d)：在该箔片的一个主面上例如通过印压而形成微小凹部。然后，c、e：例如通过阳极氧化在上述箔片的一个主面上形成具有深度不同的属于第一组的凹部和属于第二组的凹部的电介质。接着，f：在该凹部的内面上，例如通过非电解电镀形成种子层。接着，g：例如通过化学蚀刻将属于上述第一组的凹部的底部除去而形成属于第一组的孔。接着，h：例如通过电解电镀，在属于第一组的孔内留下上述电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极，同时在多孔板状的电介质一个主面上形成第一引出电极。接着，i：例如通过化学蚀刻将属于上述第二组的凹部的底部除去而形成属于第二组的孔。接着，j：例如通过电解聚合形成导电性高分子层，使其封堵属于上述第一组的孔和属于第二组的孔。接着，k：例如通过电解电镀，在属于上述第二组的孔内，留下上述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电极，同时在多孔板状的电介质另一个主面上形成第二引出电极。接着，l：例如通过热分解，使上述导电性高分子层绝缘化。接着，m：例如通过施加电压将对置电极间的短路部分烧断。
更具体地说，首先，如图4(a)所示，准备例如由Al等的第一阀金属构成的箔片13。
然后，如图4(b)所示，将该第一阀金属箔片13放置在支承体11上，并进行将在一个主面上按预定的配置在多个部位形成有微小突起11a1的压模11a按压在上述箔片13的一个主面13a上的所谓印压，在上述箔片13的一个主面13a上按预定的配置在多个部位上形成微小凹部15a1。
接着，如图4(c)所示，对上述第一阀金属的箔片13进行阳极氧化，在形成有上述微小凹部15a1的部位形成属于第一组的凹部15a2。另外，在形成有上述微小凹部15a1的多个部位之间，根据需要如图4(d)所示与上述同样地进行将在一个主面上按预定的配置在多个部位形成有微小突起11b1的压模11b按压在上述箔片13的一个主面13a上的所谓印压，在上述箔片13的一个主面13a上按预定的配置在多个部位上形成微小凹部15b1。对箔片13再进行一次阳极氧化。
由此，如图4(e)所示，分别在形成有上述微小凹部15a1的部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部15a2、以及在形成有上述微小凹部15a1的多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部15a2浅的属于第二组的凹部15b2，从而形成多孔板状的电介质14。
接着，如图5(f)所示，通过非电解电镀在上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的内面和属于第二组的凹部15b2的内面形成种子层S，同时在上述电介质14的一个主面14a上形成第一引出电极12a。
接着，如图5(g)所示，通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部除去而形成在上述电介质14的另一个主面14b侧开口的属于第一组的多个孔15a3。
接着，如图5(h)所示，在上述电介质14的属于第一组的孔15a3内的上述种子层S上，通过电解电镀留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成基端b与上述第一引出电极12a连接的第一柱状电极16a。这时，上述柱状电极16a的长度，最好是其顶端t没有达到上述电介质14的另一个主面14b的长度。
接着，如图5(i)所示，通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第二组的凹部15b2的底部除去而形成在上述电介质14的另一个主面14b侧开口的属于第二组的多个孔15b3。
接着，如图6(j)所示，分别在上述电介质14的属于第一组的孔15a3内的上述柱状电极16a的顶端t上和属于上述第二组的多个孔15b3内的第一引出电极12a上通过电解聚合形成导电性高分子层17a、17b，使其分别将上述孔15a3、15b3封堵。
接着，如图6(k)所示，在上述电介质14的属于第二组的孔15b3的内面的上述种子层S上通过电解电镀形成第二柱状电极16b，同时在上述电介质14的另一个主面14b上形成第二引出电极12b。
接着，将通过上述工序得到的电介质14加热到例如300℃，如图6(l)所示，使上述导电性高分子层17a、17b热分解而绝缘化后形成由有机绝缘体层构成的绝缘体层18a、18b。作为上述热分解前的上述导电性高分子层17a、17b整体的漏电流的电阻值例如为0.8mΩ。而作为上述热分解后的上述由有机绝缘体层构成的绝缘体层18a、18b整体的漏电流的电阻值例如为50kΩ。
接着，通过施加电压，将上述第一柱状电极16a的顶端t与上述第二引出电极12b之间和上述第二柱状电极16b的顶端t与上述第一引出电极12a之间的短路部位烧断，如图6(m)所示，得到本实施方式的电容元件10。
其次，上述第一阀金属的箔片13的优选的实施方式如下。即，作为上述第一阀金属，最好是Al，但并不限定于此，例如也可以是Ta、Nb、Ti、Hf、W、V的单体或其合金，作为上述第一阀金属的箔片13，可以由1片箔片制成1个电容元件，也可以由1片箔片制成多个电容元件。当由1片箔片制成1个电容元件时，最好是例如长10mm×宽10mm～长1mm×宽1mm、厚20μm～500μm。而当由1片箔片制成多个电容元件时，最好是例如长500mm×宽500mm～长10mm×宽10mm、厚20μm～500μm。
另外，上述印压的优选实施方式如下。即，作为上述印压，当例如用Al箔片作为第一阀金属的箔片13时，最好是用例如以形成二维三角点阵状的三角点阵的突起的点阵常数70nm形成有多个微小突起的SiC制的压模在该Al箔片的表面进行按压，但并不限定于此，例如也可以用具有单一的微小突起的例如圆锥状的压模按预定的配置反复进行多次按压。
另外，上述阳极氧化的优选实施方式如下。即，作为上述阳极氧化，最好是例如在阳极氧化浴(0.3M的H2SO4、温度10℃)中在使氧化电压稳定在25V的条件下进行，使属于上述第一组的凹部15a2分别达到预定的深度。
接着，上述电介质层d的优选实施方式如下。即，作为上述电介质层d，最好是通过对上述第一阀金属的箔片13进行阳极氧化而形成为多孔板状。与上述电介质14同样地，最好是上述第一阀金属的氧化物，例如最好是作为Al的氧化物的Al2O3。在这种情况下，该电介质层d的介电常数约为10。另外，不限定性于此，例如也可以是上述其他的阀金属、例如Ta、Nb、Ti、Hf、W、V的氧化物。
接着，上述电介质14的优选实施方式如下。即，作为上述电介质14，最好是通过对上述第一阀金属的箔片13进行阳极氧化而形成为多孔板状。作为上述电介质，最好是上述第一阀金属的氧化物，例如，最好是作为Al的氧化物的Al2O3，但并不限定于此，也可以是上述其他的阀金属、例如Ta、Nb、Ti、Hf、W、V的氧化物。
接着，上述种子层S的优选实施方式如下。即，作为上述种子层S，最好是Cu，但并不限定于此，例如也可以是Sn、Ag、Au、Zn、Cr、Pt、Ni的单体或其合金。上述种子层S，最好是从上述多孔板状的电介质14的一个主面14a侧通过非电解电镀在属于上述第一组的凹部15a2和属于上述第二组的凹部15b2的各自的内面上形成。而且，其厚度最好为1nm～10nm。
另外，在上述电介质14的另一个主面14b侧进行的蚀刻的优选方式如下。即，作为上述蚀刻，最好是将上述电介质14的另一个主面14b侧浸渍在HgCl2溶液中，进行化学蚀刻。
接着，上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的优选方式如下。即，作为上述柱状电极16a、16b，与上述引出电极12a、12b同样地，最好是Cu，但并不限定于此，例如也可以是Sn、Ag、Au、Zn、Cr、Pt、Ni的单体或其合金。另外，上述柱状电极16a、16b，最好是通过电解电镀在上述属于第一组和第二组的孔15a3、15b3的上述种子层S上形成。上述柱状电极16a、16b的直径为几nm～几百nm即可。而且，上述柱状电极16a、16b的高度没有特别的限制，几nm～几μm即可，几十nm～几μm更为理想。
接着，上述第一引出电极12a和第二引出电极12b的优选方式如下。即，作为上述引出电极12a、12b，最好是Cu，但并不限定于此，例如也可以是Sn、Ag、Au、Zn、Cr、Pt、Ni的单体或其合金。上述引出电极12a、12b，最好是用电解电镀、非电解电镀、或真空蒸镀等方法形成为面状，使其分别覆盖上述电介质14的一个主面14a和另一个主面14b，其厚度最好为1μm～100μm。
接着，上述导电性高分子层17a、17b的优选方式如下。即，作为上述导电性高分子层17a、17b，最好是在由单体和电介质构成的水溶液中对上述电介质14供电并通过电解聚合形成为分别将属于上述第一组的孔15a3和属于第二组的孔15b3封堵。
作为上述单体，例如，最好是吡咯(浓度0.2mol/l)，但并不限定于此，例如，最好是聚苯胺、聚乙烯二氧噻吩(polyethlene dihydroxythiophene)、三嗪二硫吩、聚(噻吩并吡咯)等。
另外，作为上述电解质，例如最好是p-磺酸钠(PTS)的水溶液(浓度0.3mol/l)。
另外，上述导电性高分子层17a、17b的厚度，例如最好为100nm～10μm。
另外，在上述第二柱状电极16b和上述第二引出电极12b的形成中，并不限定为上述电解电镀法，例如也可以是非电解电镀法，或也可以是真空蒸镀法。
另外，上述有机绝缘体层18a、18b的优选方式如下。即，最好是通过将形成有上述导电性高分子层17a、17b的电介质14例如在空气中升温到上述导电性高分子层17a、17b中的上述单体的分解温度(在吡咯的情况下约为300℃)并例如保持1小时，使上述导电性高分子层17a、17b热分解而成为绝缘体。
接着，上述绝缘体层18的优选方式如下。即，作为上述绝缘体层18，最好是使导电性高分子层热分解后得到的有机绝缘体、对TiO2电淀积膜进行热处理而得到的TiO2膜、SiO2电淀积膜、在Sn-Pd镀层上进行湿式淀积后的SiO2层、绝缘性树脂层等，另外，也可以是第二阀金属的氧化物层或空气层。
另外，上述电压施加的优选方式如下。即，作为上述电压施加，最好是，在第一引出电极12a和上述第二引出电极12b之间例如施加25V的电压，例如使电流流过在上述有机绝缘体层18a、18b中残存的上述种子层等的短路部分，由此将该短路部分烧断，从而减低漏电流。
(实施例1)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200μm的Al制的箔片13，并用直径10nm的SiC制的压模11a在多个部位进行印压，在该箔片13的一个主面上以形成二维三角点阵状的三角点阵的突起的点阵常数105nm而形成微小凹部。
然后，将该箔片13的上述一个主面浸渍在阳极氧化浴(0.3M的H2SO4、温度10℃)中，在使氧化电压为25V的固定的条件下进行阳极氧化，形成具有各自的内径为30nm而深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。接着，在上述属于第一和第二组的凹部15a2、15b2的内面，通过非电解电镀形成种子层S。接着，通过使用HgCl2溶液的化学蚀刻，将属于上述第一组的凹部15a2的底部除去而形成属于上述第一组的孔15a3。接着，对属于上述第一组的孔15a3的内面的种子层S供电，通过Cu电解电镀，在属于第一组的孔15a3内留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一柱状电极16a，同时在多孔板状的电介质14的一个主面14a上形成第一引出电极12a。接着，与上述同样地通过化学蚀刻将上述电介质14的属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，在作为单体的吡咯(浓度0.2mol/l)和作为电解质的p-甲苯磺酸钠(PTS)的水溶液(浓度0.3mol/l)中，再次供电，通过电解聚合形成将属于上述第一和第二组的孔封堵的由聚乙烯吡咯(Poly pyrrol)构成的导电性高分子层17a、17b。接着，再次通过Cu电解电镀，在属于上述第二组的孔15b3的内部形成第二柱状电极16b，并且在多孔板状的电介质14的另一个主面14b上形成第二引出电极12b。接着，在大气中升温到聚乙烯吡咯的分解温度即300℃，保持1小时，使上述由聚乙烯吡咯构成的导电性高分子层17a、17b热分解而失去导电性，从而分别形成厚3μm的有机绝缘体层18a、18b。接着，在第一引出电极12a和上述第二引出电极12b之间施加例如25V的(交流/直流)电压，将在上述有机绝缘体层18a、18b中残存的例如种子层S等的对置电极间的短路部分烧断，从而得到漏电流降低了的长1.5mm、宽1.5mm、厚0.2mm的电容元件10。此外，在上述电容元件10中，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b，各自的直径为30nm，上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的间距为70nm，上述第一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼此相对的长度尺寸为100μm。
对所得到的电容元件10，用AGILENT公司生产的LCR计-4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计R8340测定了耐电压，结果是具有静电电容为0.25mF、耐电压为30V的初始特性，与以往的同尺寸的电解电容器的静电电容为47μF、耐电压为4V相比，CV积增大。
此外，本发明的电容元件的制造方法的第一实施方式，并不限定于前面示出的一例，例如也可以有如下的变形。
图7是表示本发明的电容元件的制造方法的第一实施方式的制造工艺的另一例的概要的流程图。
具体地说，前面的一例，在l：例如通过热分解，使上述导电性高分子层绝缘化的工序后，设有m：例如通过施加电压将对置电极间的短路部分烧断的工序，而在本变形例中，是l’：也可以例如通过在高温下施加电压，在使上述导电性高分子层绝缘化的同时将短路部分烧断。此外，本实施方式的电容元件的制造方法，全部由湿式工艺构成，因而可以提供价格低的电容元件。
另外，还具有通过烧端控制漏电流的特征。
以下，说明本发明的电容元件的第二实施方式。本实施方式的电容元件120的绝缘体层，与前面的第一实施方式同样地，例如由通过使导电性高分子层热分解而绝缘化后得到的有机绝缘体层构成，因此省略其说明。
以下，参照图8～图12说明本发明的电容元件的制造方法的第二实施方式。图8是表示本实施方式的电容元件120的制造方法的制造工艺的一例的概要的流程图。而图9和图10是用于说明该制造工艺的各工序的与上述图1(B)对应的纵截面图，接续前面的第一实施方式的图4(a)～(e)，其顺序为图9(g2)～(i2)、图10(k21)～(f22)。此外，对图8中的各工序标记的符号与图9和图10的括号内的符号相对应。
本实施方式的电容元件的制造方法的概要，如图8所示，a：准备第一阀金属的箔片13，b、(d)：在该箔片13的一个主面上例如通过印压形成微小凹部15a1、(15b1)。然后，c、e：通过例如阳极氧化在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g2：通过例如化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f21：例如通过非电解电镀，在上述电介质14的一个主面14a上形成第一供电电极12a’。接着，h2：例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一柱状电极16a。接着，j21：在属于上述第一组的孔15a3内形成将第一柱状电极16a的顶端t封堵的绝缘体层128a。接着，i2：例如通过化学蚀刻将上述第一供电电极12a’和属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，k21：例如通过非电解电镀在上述电介质14的另一个主面14b上形成第二引出电极12b。接着，k22：在属于上述第二组的孔15b3内，留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。接着，j22；在属于上述第二组的孔15b3内形成将第二柱状电极16b的顶端t上封堵的绝缘体层128b。接着，f22：在上述电介质14的一个主面14a上形成与第一柱状电极16a的基端部b连接的第一引出电极12a。
以下，说明本实施方式的电容元件120的制造方法与前面的第一实施方式的电容元件10的制造方法的不同点。在前面的实施方式中，在属于第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上和属于第二组的孔15b3的底部统一形成绝缘层18，但在本实施方式中，在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层128a和属于第二组的孔15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层128b。此外，本实施方式的电容元件的制造方法，全部由湿式工艺构成，因而可以提供价格低的电容元件。
以下，在图11和图12中示出本实施方式的电容元件120的制造方法的一例。图11是表示本实施方式的制造工艺的一例的概要的流程图。而图12是用于说明该制造工艺的绝缘体层128的形成工序的纵截面图，此外，对图11中的各工序标记的符号与图12的括号内的符号相对应。
具体地说，本实施方式的j21：在第一柱状电极16a的顶端t上形成绝缘体层128a的工序，是在j211：将上述第一供电电极12a’作为供电层例如通过电解聚合在上述第一柱状电极16a的顶端t上形成有导电性高分子层127a后、进行j212：例如通过热分解使上述导电性高分子层127a绝缘化而形成绝缘体层128a。同样地，本实施方式的j22：在第二柱状电极16b的顶端t上形成绝缘体层128b的工序，是在j221：将上述第二引出电极12b作为供电层例如通过电解聚合在上述第二柱状电极16b的顶端t上形成有导电性高分子层127b后、进行j222：使上述导电性高分子层127b绝缘化而形成绝缘体层128b。
以下，说明上述第一供电电极12a’的优选实施方式。即，作为上述第一供电电极12a’的材料，可以使用从金属(例如，Cu、Ni、Cr、Ag、Au、Pd、Fe、Sn、Pt、Ir、Rh、Ru、Al)选择出的至少一种。而且，上述第一供电电极12a’的厚度最好为几十nm～几μm。另外，作为上述第一供电电极12a’的形成方法，除非电解电镀以外，还可以用PVD、CVD等。
(实施例2)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200μm的Al制的箔片13，与前面的第一实施例同样地，形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。
然后，通过使用HgCl2溶液的化学蚀刻，将属于第一组的凹部15a2的底部除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，通过非电解电镀在一个主面14a上形成由Ni构成的第一供电电极12a’。接着，对上述第一供电电极12a’供电，通过Cu电解电镀，在属于第一组的孔15a3内，留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一柱状电极16a。接着，在属于上述第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上形成将该孔15a3封堵的由电淀积聚酰亚胺树脂构成的导电性高分子层127a，并在300℃下进行1小时热处理，通过热分解使其失去导电性，形成有厚3μm的由有机绝缘体构成的绝缘体层128a。接着，通过使用HgCl2溶液的化学蚀刻将上述第一供电电极12a’和属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，通过非电解电镀在上述电介质14的另一个主面14b上形成由Ni构成的第二引出电极12b。接着，在属于上述第二组的孔15b3内，将上述第一供电电极12a’作为供电层，通过Cu电解电镀，留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。接着，在属于上述第二组的孔15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上形成将该孔15b3封堵的由电淀积聚酰亚胺树脂构成的导电性高分子层127b，并进行热处理而通过热分解使其失去导电性，形成有厚3μm的由有机绝缘体层构成的绝缘体层128b。接着，通过Cu电解电镀，在上述电介质14的一个主面14a上形成第一引出电极12a，使其与上述第一柱状电极16a的基端b连接，从而得到了电容元件120。此外，在上述电容元件120中，与上述实施例1的电容元件10同样，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b，各自的直径为30nm，上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的间距为70nm，上述第一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼此相对的长度尺寸为100μm。
对所得到的电容元件120，用AGILENT公司生产的LCR计-4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计R8340测定了耐电压，结果与上述实施例1相同，具有静电电容为0.25mF、耐电压为30V的初始特性。
以下，说明本发明的电容元件的第三实施方式。本实施方式的电容元件130，在上述绝缘体层由TiO2膜构成这一点上，与前面的第一和第二实施方式的电容元件不同。其他结构与前面的第一实施方式相同，因此省略其说明，此外，本实施方式的电容元件具有绝缘性优良的特征。
以下，参照图13和图14说明本发明的电容元件的制造方法的第三实施方式。图13是表示本实施方式的电容元件130的制造方法的制造工艺的一例的概要的流程图。而图14是用于说明该制造工艺的绝缘体层形成工序的纵剖视图。此外，对图13中的各工序标记的符号与图14的括号内的符号相对应。
本实施方式的电容元件130的制造方法的概要，如图13所示，a：准备第一阀金属的箔片13，b、(d)：在该箔片13的一个主面上例如通过印压形成微小凹部15a1、(15b1)。然后，c、e：例如通过阳极氧化，在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g3：例如通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f31：例如通过非电解电镀，在上述电介质14的上述一个主面14a上形成第一供电电极12a’。接着，h3：例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一柱状电极16a。接着，作为与前面第二实施方式的前者的绝缘层形成工序j21对应的工序，j311：在属于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电极16a的顶端t上例如通过电解电镀形成使其将上述孔15a3封堵的TiO2电淀积膜137a后，j312：例如通过热处理使上述TiO2电淀积膜137a绝缘化而形成由TiO2膜构成的绝缘体层138a。接着，i3：例如通过化学蚀刻将上述第一供电电极12a’和属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，k31：例如通过非电解电镀，在上述电介质14的另一个主面14b上形成第二引出电极12b。接着，k32：在属于上述第二组的孔15b3内，留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。接着，作为与前面第二实施方式的后者的绝缘层形成工序j22对应的工序，j321：在属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t上形成使其将上述孔15b3封堵的TiO2电淀积膜137b后，j322：使上述TiO2电淀积膜137b绝缘化而形成由TiO2膜构成的绝缘体层138b。接着，f32：在上述电介质14的一个主面14a上形成与上述第一柱状电极16a的基端部b连接的第一引出电极12a。
本实施方式的电容元件的制造方法，与前面第二实施方式同样，在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层138a和属于第二组的孔15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层138b。
以下，说明上述TiO2电淀积膜的优选实施方式。即，作为上述TiO2电淀积膜，可以使用通过在氯化钛溶液中进行电解电镀处理而得到的钛氧化物膜。上述TiO2电淀积膜的厚度最好为几十nm～几μm左右。
接着，说明上述TiO2层的优选实施方式。即，作为上述TiO2层，厚度最好为几十nm～几μm左右。此外，在本实施方式的电容元件的制造方法中，具有绝缘膜易于形成的特征。
接着，说明上述热处理的优选实施方式。即，作为上述热处理，最好是在氧介质气氛中在例如450℃下进行30分钟左右的热处理。
(实施例3)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200μm的Al制的箔片13，与前面的第一实施例同样，形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。
然后，与上述实施例2同样，形成有属于第一组的孔15a3、第一供电电极12a’、第一柱状电极16a。接着，通过在氯化钛溶液中进行电解电镀处理，在属于上述第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上形成使其将该孔15a3封堵的电淀积TiO2层137a，并在450℃下进行30分钟热处理，形成有由TiO2构成的厚度为7.5μm的绝缘体层138a。接着，与上述实施例2同样，形成有属于第二组的孔15b3、第二引出电极12b、第二柱状电极16b。接着，与上述同样，形成有由TiO2构成的厚度为7.5μm的绝缘体层138b。接着，通过Cu电解电镀，在上述电介质14的一个主面14a上形成第一引出电极12a，使其与上述第一柱状电极16a的基端b连接，从而得到了电容元件130。此外，在上述电容元件130中，与上述实施例1的电容元件10同样，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b，各自的直径为30nm，上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的间距为70nm，上述第一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼此相对的长度尺寸为100μm。
对所得到的电容元件130，用AGILENT公司生产的LCR计-4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计R8340测定了耐电压，结果与上述实施例1同样，具有静电电容为0.25mF、耐电压为30V的初始特性。
以下，说明本发明的电容元件的第四实施方式。本实施方式的电容元件140，在上述绝缘体层由SiO2膜构成这一点上，与前面的第一～第三实施方式的电容元件不同。其他结构与前面的第一实施方式相同，因此省略其说明，此外，本实施方式的电容元件140具有热稳定性优良的特征。
以下，参照图15说明本发明的电容元件140的制造方法的第四实施方式。图15是表示本实施方式的电容元件140的制造方法的制造工艺的一例的概要的流程图。
本实施方式的电容元件140的制造方法的概要，如图15所示，a：准备第一阀金属的箔片13，b、(d)：在该箔片13的一个主面13a上例如通过印压形成微小凹部15a1、(15b1)。然后，c、e：例如通过阳极氧化，在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g4：例如通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f41：例如通过非电解电镀，在上述电介质14的上述一个主面14a上形成第一供电电极12a’。接着，h4：例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一柱状电极16a。接着，作为与前面第二实施方式的前者的绝缘层形成工序j21对应的工序，j41：在属于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电极16a的顶端t上例如通过电解电镀形成使其将上述孔15a3封堵的由SiO2层构成的绝缘体层148a。接着，i4：例如通过化学蚀刻将上述第一供电电极12a’和属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，k41：例如通过非电解电镀，在上述电介质14的另一个主面14b上形成第二引出电极12b。接着，k42：在属于上述第二组的孔15b3内，留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。接着，作为与前面第二实施方式的后者的绝缘层形成工序j22对应的工序，j42：在属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t上形成使其将孔15b3封堵的由SiO2层构成的绝缘体层148b。接着，f42：在上述电介质14的一个主面14a上形成与上述第一柱状电极16a的基端部b连接的第一引出电极12a。
本实施方式的电容元件140的制造方法，与前面的第二实施方式同样，在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层148a和属于第二组的孔15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层148b。
以下，说明上述SiO2层的优选实施方式。即，作为上述SiO2层，可以使用通过在氟硅酸铵溶液中进行电解电镀处理得到的硅氧化物膜。上述SiO2层的厚度最好为几十nm～几μm。另外，本实施方式的电容元件的制造方法，具有工艺简便的特征。
(实施例4)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200μm的Al制的箔片13，与前面的第一实施例同样，形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。
然后，与上述实施例2同样地，形成有属于第一组的孔15a3、第一供电电极12a’、第一柱状电极16a。接着，通过在氟硅酸铵溶液中进行电解电镀处理，在属于上述第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上形成使其将该孔15a3封堵的由SiO2膜构成的厚度为1.5μm的绝缘体层148a。接着，与上述实施例2同样，形成有属于第二组的孔15b3、第二引出电极12b、第二柱状电极16b。接着，与上述同样地形成有由SiO2膜构成的厚度为1.5μm的绝缘体层148b，接着，通过Cu电解电镀，在上述电介质14的一个主面14a上形成第一引出电极12a，使其与上述第一柱状电极16a的基端b连接，从而得到了电容元件140。此外，在上述电容元件140中，与上述实施例1的电容元件10同样，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b各自的直径为30nm，上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的间距为70nm，上述第一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼此相对的长度尺寸为100μm。
对所得到的电容元件140，用AGILENT公司生产的LCR计-4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计R8340测定了耐电压，结果与上述实施例1同样，具有静电电容为0.25mF、耐电压为30V的初始特性。
以下，说明本发明的电容元件的第五实施方式。本实施方式的电容元件150，在上述绝缘体层由SiO2膜构成这一点上，与前面第四实施方式的电容元件相同。其他结构与前面第一实施方式的电容元件10相同，因此将其说明省略，此外，本实施方式的电容元件150，与前面第四实施方式的电容元件140同样，具有热稳定性优良的特征。
以下，参照图16和图17说明本发明的电容元件的制造方法的第五实施方式。图16是表示本实施方式的电容元件150的制造方法的制造工艺的一例的概要的流程图。而图17是用于说明该制造工艺的绝缘体层形成工序的纵截面图。此外，对图16中的各工序标记的符号与图17的括号内的符号相对应。
本实施方式的电容元件150的制造方法的概要，如图16所示，a：准备第一阀金属的箔片13，b、(d)：在该箔片13的一个主面13a上例如通过印压形成微小凹部15a1、(15b1)。然后，c、e：例如通过阳极氧化在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g5：例如通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f51：例如通过非电解电镀，在上述电介质14的上述一个主面14a上形成第一供电电极12a’。接着，h5：例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一柱状电极16a。接着，作为与前面第二实施方式的前者的绝缘层形成工序j21对应的工序，j511：在属于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电极16a的顶端t上例如通过电解电镀形成有使其将上述孔15a3封堵的Sn-Pd镀层157a后，j512：在上述Sn-Pd镀层157a上通过湿式淀积形成将上述孔15a3封堵的由SiO2层构成的绝缘体层158a。接着，i5：例如通过化学蚀刻将上述第一供电电极12a’和属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，k51：例如通过非电解电镀，在上述电介质14的另一个主面14b上形成第二引出电极12b。接着，k52：在属于上述第二组的孔15b3内，留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。接着，作为与前面第二实施方式的后者的绝缘层形成工序j22对应的工序，j521：在属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t上形成使其将孔15b3封堵的由Sn-Pd镀层157b后，j522：在上述Sn-Pd镀层157b上通过湿式淀积形成将上述孔15b3封堵的由SiO2层构成的绝缘体层158b。接着，f52：在上述电介质14的一个主面14a上形成与上述第一柱状电极16a的基端部b连接的第一引出电极12a。
本实施方式的电容元件150的制造方法，与前面第二实施方式同样，在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层158a和属于第二组的孔15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层158b。
以下，说明上述Sn-Pd镀层的优选实施方式。即，作为上述Sn-Pd镀层，分别通过在SnCl2溶液、PdCl2溶液中进行电解电镀处理而得到。上述镀层的厚度最好为几十nm～几μm。
接着，说明上述SiO2层的湿式淀积的优选实施方式。即，作为上述SiO2层的湿式淀积，可以使用通过在氟硅酸铵溶液中进行非电解电镀处理得到的硅氧化物膜。厚度最好为几十nm～几μm。另外，本实施方式的电容元件的制造方法，具有工艺简便的特征。而且，上述SiO2层的湿式淀积，并不限定于上述非电解电镀处理，例如，也可以用料浆涂敷(slurry-build)法等形成SiO2层。
(实施例5)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200μm的Al制的箔片13，与前面的第一实施例同样，形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。
然后，与上述实施例2同样，形成有属于第一组的孔15a3、第一供电电极12a’、第一柱状电极16a。接着，通过分别在SnCl2溶液、PdCl2溶液中进行电解电镀处理，在属于上述第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上形成使其将该孔15a3封堵的Sn-Pd镀层157a。接着，通过在氟硅酸铵溶液中进行非电解电镀处理，在上述Sn-Pd镀层上形成将该孔15a3封堵的由SiO2层构成的厚度为1.5μm的绝缘体层158a。接着，与上述实施例2同样，形成有属于第二组的孔15b3、第二引出电极12b、第二柱状电极16b。接着，与上述同样，在上述Sn-Pd镀层157b上形成将该孔15b33封堵的由SiO2层构成的厚度为1.5μm的绝缘体层158b。接着，通过Cu电解电镀，在上述电介质14的一个主面14a上形成第一引出电极12a，使其与上述第一柱状电极16a的基端b连接，从而得到了电容元件150。此外，在上述电容元件150中，与上述实施例1的电容元件10同样，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b，各自的直径为30nm，上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的间距为70nm，上述第一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼此相对的长度尺寸为100μm。
以下，说明本发明的电容元件的第六实施方式。本实施方式的电容元件160，在上述绝缘体层由绝缘性树脂层构成这一点上，与前面的第一～第五实施方式的电容元件不同。其他结构与前面的第一实施方式相同，因此将其说明省略。
以下，参照图18～图20说明本发明的电容元件的制造方法的第六实施方式。图18是表示本实施方式的电容元件160的制造方法的制造工艺的一例的概要的流程图。而图19和图20是用于说明该制造工艺的各工序与上述图1(B)对应的纵截面图，接续前面第一实施方式的图4(a)～(e)，其顺序为图19(g6)～(i61)、图20(k61)～(f62)。此外，对图18中的各工序标记的符号与图19和图20的括号内的符号相对应。
本实施方式的电容元件160的制造方法的概要，如图18所示，a：准备第一阀金属的箔片13，b、(d)：在该箔片13的一个主面13a上例如通过印压形成微小凹部15a1、(15b1)。然后，c、e：例如通过阳极氧化，在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g6：例如通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f61：例如通过非电解电镀，在上述电介质14的上述一个主面14a上形成第一供电电极12a’。接着，h6：例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一柱状电极16a。接着，i6：例如通过化学蚀刻将上述第一供电电极12a’和属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，j61：在属于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电极16a的顶端t上形成将上述孔15a3封堵的绝缘体层168a。接着，k61：例如通过非电解电镀，在上述电介质14的另一个主面14b上形成第二引出电极12b。接着，k62：在属于上述第二组的孔15b3内的上述第二引出电极12b上，留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。j62：在属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t上形成将孔15b3封堵的绝缘体层168b。接着，f62：在上述电介质14的一个主面14a上形成与上述第一柱状电极16a的基端部b连接的第一引出电极12a。
本实施方式的电容元件160的制造方法，与前面的第二实施方式同样，在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层168a和属于第二组的孔15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层168b。
以下，在图21和图22中示出本实施方式的电容元件160的制造方法的一例。图21是表示本实施方式的制造工艺的一例的概要的流程图。而图22是用于说明该制造工艺的绝缘体层形成工序的纵截面图。
具体地说，本实施方式的j61：在上述第一柱状电极16a的顶端t上形成绝缘体层168a的工序，首先，例如在容器内在将上述电介质14浸渍在树脂溶液中的状态下使上述容器减压，j611：在属于上述第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上和属于第二组的孔15b3内埋入绝缘性树脂的溶液167a，使其将孔15b3封堵。接着，例如从上述电介质14的一个主面14a侧进行减压抽吸，j612：将属于上述第二组的孔15b3内的树脂溶液167a除去。之后，例如在大气中在150℃下进行30分钟热处理，使有选择地仅留在属于上述第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上的树脂溶液167a固化而形成绝缘体层168a。
以下，说明上述绝缘性树脂的优选实施方式，即，作为上述绝缘性树脂，最好是聚酰亚胺树脂或环氧树脂等。上述绝缘性树脂的厚度最好为几十nm～几μm。此外，当使用聚酰亚胺树脂作为绝缘性树脂层时，具有绝缘击穿电位达到400000V/m这样的的特征。而当使用环氧树脂作为绝缘性树脂层时，具有吸湿性低、回流焊接耐热试验的耐久性高的特征。
(实施例6)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200μm的Al制的箔片13，与前面的第一实施例同样，形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。
然后，通过使用HgCl2溶液的化学蚀刻，将属于第一组的凹部15a2的底部除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，通过非电解电镀在一个主面14a上形成由Ni构成的第一供电电极12a’。接着，对上述第一供电电极12a’供电，通过Cu电解电镀，在属于第一组的孔15a3内，留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一柱状电极16a。接着，通过使用HgCl2溶液的化学蚀刻将上述第一供电电极12a’和属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，在将上述电介质14放在存有聚酰亚胺树脂溶液的容器(chamber)中之后，使上述容器减压，充填聚酰亚胺树脂的溶液，使其将属于上述第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上和属于第一组的孔15a3封堵。接着，通过从上述电介质14的一个主面14a侧进行减压抽吸将属于上述第二组的孔15b3内的树脂溶液除去后，在大气中在150℃下进行30分钟热处理，使有选择地仅留在属于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电极16a的顶端t上的树脂溶液167a固化，形成有厚75nm的由绝缘性树脂构成的绝缘体层168a。接着，通过非电解电镀在上述电介质14的另一个主面14b上形成由Ni构成的第二引出电极12b。接着，在属于上述第二组的孔15b3内，将上述第二引出电极12b作为供电层，通过Cu电解电镀留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。接着，与上述同样充填聚酰亚胺树脂的溶液167b，与上述同样地在属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t上将该孔15b3封堵，并与上述同样地进行热处理，形成有将属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t上封堵的厚75nm的由绝缘性树脂构成的绝缘体层168b。接着，通过Cu电解电镀，在上述电介质14的一个主面14a上形成第一引出电极12a，使其与上述第一柱状电极16a的基端b连接，从而得到了电容元件160。此外，在上述电容元件160中，与上述实施例1的电容元件10同样地，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b，各自的直径为30nm，上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的间距为70nm，上述第一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼此相对的长度尺寸为100μm。
对所得到的电容元件160，用AGILENT公司生产的LCR计-4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计R8340测定了耐电压，结果与上述实施例1相同，具有静电电容为0.25mF、耐电压为30V的初始特性。
以下，说明本发明的电容元件的第七实施方式。本实施方式的电容元件170，在上述绝缘体层由绝缘性树脂层构成这一点上，与前面的第六实施方式的电容元件相同，因此省略其说明。
以下，参照图23和图24说明本发明的电容元件的制造方法的第七实施方式。图23是表示本实施方式的电容元件170的制造方法的制造工艺的一例的概要的流程图。而图24是用于说明该制造工艺的绝缘体层形成工序的纵截面图。此外，对图23中的各工序标记的符号与图24的括号内的符号相对应。
本实施方式的电容元件170的制造方法的概要，如图23所示，a：准备第一阀金属的箔片13，b、(d)：在该箔片13的一个主面13a上例如通过印压形成微小凹部15a1、(15b1)。然后，c、e：例如通过阳极氧化，在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g7：例如通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f71：例如通过非电解电镀，在上述电介质14的上述一个主面14a上形成第一供电电极12a’。接着，h7：例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一柱状电极16a。接着，i7：例如通过化学蚀刻将上述第一供电电极12a’和属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，作为与前面第六实施方式的前者的绝缘层形成工序j61对应的工序，j711：在属于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电极16a的顶端t侧的另一个主面14b上形成有绝缘性树脂膜177a后，j712：除属于上述第一组的孔15a3内以外将另一个主面14b上的绝缘性树脂膜177a除去，从而在属于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电极16a的顶端t上形成将上述孔15a3封堵的绝缘体层178a。接着，k71：例如通过非电解电镀，在上述电介质14的另一个主面14b上形成第二引出电极12b。接着，k72：在属于上述第二组的孔15b3内，留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。接着，作为与前面第六实施方式的后者的绝缘层形成工序j62对应的工序，j721：在属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t上形成将孔15b3封堵的绝缘性树脂膜177b后，j722：除属于上述第二组的孔15b3内以外将一个主面14a上的绝缘性树脂膜177b除去，从而在属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t上形成将上述孔15b3封堵的绝缘体层178b。接着，f72：在上述电介质14的一个主面14a上形成与上述第一柱状电极16a的基端部b连接的第一引出电极12a。
本实施方式的电容元件170的制造方法，与前面的第二实施方式同样，在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层178a和属于第二组的孔15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层178b。
以下，说明上述绝缘性树脂膜的优选实施方式，即，作为上述绝缘性树脂膜的材料，最好是聚酰亚胺树脂或环氧树脂等。上述绝缘性树脂膜的厚度最好为几十nm～几μm左右。上述绝缘性树脂膜的形成方法，可以用旋转涂敷法或喷涂法等众所周知的涂敷方法。
(实施例7)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200μm的Al制的箔片13，与前面的第一实施例同样，形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。
然后，与上述第六实施例同样，形成有属于第一组的孔15a3、第一柱状电极16a和属于第二组的孔15b3。接着，用旋转涂敷法在上述电介质14的另一个主面14b上涂敷聚酰亚胺树脂的溶液，通过充填聚酰亚胺树脂的溶液，形成有绝缘性树脂膜177a，使其将在属于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电极16a的顶端t上和属于上述第一组的孔15a3的另一个主面14b侧封堵。接着，通过光刻法将属于上述第二组的孔15b3内和另一个主面14b上的绝缘性树脂膜177a除去后，在大气中在150℃下进行30分钟热处理，使有选择地仅留在属于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电极16a的顶端t上的绝缘性树脂膜177a固化，形成有厚75nm的由绝缘性树脂构成的绝缘体层178a。接着，通过非电解电镀在上述电介质14的另一个主面14b上形成由Ni构成的第二引出电极12b。接着，在属于上述第二组的孔15b3内将上述引出电极12b作为供电层通过Cu电解电镀留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。接着，与上述同样地涂敷聚酰亚胺树脂的溶液，形成有绝缘性树脂膜177b，与上述同样地在属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t上将该孔15b3封堵。接着，通过深腐蚀将上述一个主面14a上的绝缘性树脂膜177b除去后，与上述同样地进行热处理，形成有将属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t上封堵的厚75nm的由绝缘性树脂构成的绝缘体层178b。接着，通过Cu电解电镀，在上述电介质14的一个主面14a上形成第一引出电极12a，使其与上述第一柱状电极16a的基端b连接，从而得到了电容元件170。此外，在上述电容元件170中，与上述实施例1的电容元件10同样地，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b，各自的直径为30nm，上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的间距为70nm，上述第一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼此相对的长度尺寸为100μm。
对所得到的电容元件170，用AGILENT公司生产的LCR计-4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计R8340测定了耐电压，结果与上述实施例1相同，具有静电电容为0.25mF、耐电压为30V的初始特性。
以下，说明本发明的电容元件的第八实施方式。本实施方式的电容元件180，在上述绝缘体层由第二阀金属氧化物构成这一点上，与前面的第一～第七实施方式的电容元件不同。其他结构与前面的第一实施方式相同，因此省略其说明。此外，本实施方式的电容元件180，当绝缘体层与电介质层为同物质时，具有绝缘体层与电介质层的亲合性高的特征。
以下，参照图25～图28说明本发明的电容元件的制造方法的第八实施方式。图25是表示本实施方式的电容元件180的制造方法的制造工艺的一例的概要的流程图。而图26～图28是用于说明该制造工艺的各工序的与上述图1(B)对应的纵剖视图，接续前面第一实施方式的图4(a)～(e)工序，其顺序为图26(g8)～(j811)、图27(j812)～(k82)、图28(j821)～(f82)。此外，对图25中的各工序标记的符号与图26～图28的括号内的符号相对应。
本实施方式的电容元件180的制造方法的概要，如图25所示，a：准备第一阀金属的箔片13，b、(d)：在该箔片13的一个主面13a上例如通过印压形成微小凹部15a1、(15b1)。然后，c、e：例如通过阳极氧化在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g8：例如通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f81：例如通过非电解电镀，在上述电介质14的上述一个主面14a上形成第一供电电极12a’。接着，h8：例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一柱状电极16a。接着，i81：例如通过化学蚀刻将属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，j811：在属于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电极16a的顶端t侧的另一个主面14b上形成第二阀金属层187a。接着，j812：除属于上述第一组的孔15a3内以外将另一个主面14b上的第二阀金属层187a除去。接着，j813：将上述第一供电电极12a’作为供电层对上述第二阀金属层187a进行阳极氧化，形成由第二阀金属氧化物构成的绝缘体层188a。接着，i82：例如通过化学蚀刻将上述第一供电电极12a’除去。接着，k81：例如通过非电解电镀，在上述电介质14的另一个主面14b上形成第二引出电极12b。接着，k82：在属于上述第二组的孔15b3内的第二引出电极12b上，留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。j821：在属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t侧的一个主面14a上形成第二阀金属层187b。接着，j822：除属于上述第二组的孔15b3内以外将一个主面14a上的第二阀金属层187b除去。接着，j823：将第二引出电极12b作为供电层对第二阀金属层187b进行阳极氧化，形成由第二阀金属氧化物构成的绝缘体层188b。接着，f82：在上述电介质14的一个主面14a上形成与上述第一柱状电极16a的基端部b连接的第一引出电极12a。
本实施方式的电容元件180的制造方法，与前面的第二实施方式同样，在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层188a和属于第二组的孔15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层188b。
以下，说明上述第二阀金属的优选实施方式。即作为上述第二阀金属，可以使用Al、Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Zn、W、Sb等。而且，由上述第二阀金属氧化物构成的绝缘体层的厚度最好为几nm～几百nm。另外，上述第二阀金属也可以与上述第一阀金属相同。
(实施例8)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200μm的Al制的箔片13，与前面的第一实施例同样，形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。
然后，通过使用HgCl2溶液的化学蚀刻，将属于第一组的凹部15a2的底部除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，通过非电解电镀，在一个主面14a上形成由Ni构成的第一供电电极12a’。接着，对上述第一供电电极12a’供电，通过Cu电解电镀，在属于第一组的孔15a3内，留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一柱状电极16a。接着，通过使用HgCl2溶液的化学蚀刻将属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，在上述电介质14的另一个主面14b侧溅射Al，在属于上述第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上形成由Al构成的第二阀金属层187a。接着，通过蚀刻，除属于上述第一组的孔15a3内以外将另一个主面14b上的第二阀金属层187a除去。接着，将上述第一供电电极12a’作为供电层对上述第二阀金属层187a进行阳极氧化，形成由上述第二阀金属氧化物(Al2O3)构成的厚3μm的绝缘体层188a。接着，通过化学蚀刻将上述第一供电电极12a’除去。接着，通过非电解电镀，在上述电介质14的另一个主面14b上形成由Ni构成的第二引出电极12b。接着，在属于上述第二组的孔15b3内，将上述引出电极12b作为供电层，通过Cu电解电镀，留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。接着，与上述同样，形成有将属于第二组的孔15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上封堵的由第二阀金属氧化物(Al2O3)构成的厚度3μm的绝缘体层188b。接着，通过Cu电解电镀，在上述电介质14的一个主面14a上形成第一引出电极12a，以使其与上述第一柱状电极16a的基端b连接，从而得到了电容元件180。此外，在上述电容元件180中，与上述实施例1的电容元件10同样，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b，各自的直径为30nm，上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的间距为70nm，上述第一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼此相对的长度尺寸为100μm。
对所得到的电容元件180，用AGILENT公司生产的LCR计-4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计R8340测定耐电压，其结果与上述实施例1相同，具有静电电容为0.25mF、耐电压为30V的初始特性。
以下，说明本发明的电容元件的第九实施方式。本实施方式的电容元件190，在上述绝缘体层由空气层构成这一点上，与前面第一～第八实施方式的电容元件不同。其他结构与前面第一实施方式相同，因此省略其说明。此外，本实施方式的电容元件190具有漏电流小的特征。
以下，参照图29～图31说明本发明的电容元件的制造方法的第九实施方式。图29是表示本实施方式的电容元件190的制造方法的制造工艺的一例的概要的流程图。而图30和图31是用于说明该制造工艺的各工序的与上述图1(B)对应的纵截面图，接续前面第一实施方式的图4(a)～(e)工序，其顺序为图30(g9)～(i9)、图31(k91)～(f92)。此外，对图29中的各工序标记的符号与图30和图31的括号内的符号相对应。
本实施方式的电容元件190的制造方法的概要，如图29所示，a：准备第一阀金属的箔片13，b、(d)：在该箔片13的一个主面13a上例如通过印压形成微小凹部15a1、(15b1)。然后，c、e：例如通过阳极氧化，在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g9：例如通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f91：例如通过非电解电镀，在上述电介质14的上述一个主面14a上形成第一供电电极12a’。接着，h9：例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一柱状电极16a。接着，i9：例如通过化学蚀刻将第一供电电极12a’和属于第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，k91：在上述电介质14的另一个主面14b上，例如通过溅射在与上述第一柱状电极16a的顶端t之间隔着由空气层构成的绝缘体层198a形成第二引出电极12b。接着，k92：在属于上述第二组的孔15b3内的第二引出电极12b上，留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。接着，f92：在上述电介质14的一个主面14a上，在与第二柱状电极16b的顶端t之间隔着由空气层构成的绝缘体层198b形成与第一柱状电极16a的基端部b连接的第一引出电极12a。
本实施方式的电容元件190的制造方法，与前面第二实施方式同样，在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层198a和属于第二组的孔15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层198b。
以下，说明上述空气层的优选实施方式。即，上述空气层的厚度尺寸，最好为几十nm～几μm。另外，本实施方式的电容元件190的制造方法，具有工艺简便的特征。
(实施例9)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200μm的Al制的箔片13，与前面第一实施例同样，形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。
然后，与上述第六实施例同样，形成有属于第一组的孔15a3、第一柱状电极16a和属于第二组的孔15b3。接着，在上述电介质14的另一个主面14b上，通过Ni溅射，在与上述第一柱状电极16a的顶端t之间隔着由间隙尺寸为8.5μm的空气层构成的绝缘体层198a而形成第二引出电极12b。接着，在属于上述第二组的孔15b3内，将上述引出电极12b作为供电层，通过Cu电解电镀形成第二柱状电极16b。接着，与上述同样地，在上述电介质14的一个主面14a上，通过Ni溅射，在与属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t之间隔着由间隙尺寸为8.5μm的空气层构成的绝缘体层198b形成与上述第一柱状电极16a的基端部b连接的第一引出电极12a，从而得到了电容元件190。此外，在上述电容元件190中，与上述实施例1的电容元件10同样，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b，各自的直径为30nm，上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的间距为70nm，上述第一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼此相对的长度尺寸为100μm。
对所得到的电容元件190，用AGILENT公司生产的LCR计-4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计R8340测定了耐电压，结果与上述实施例1相同，具有静电电容为0.25mF、耐电压为30V的初始特性。
在上述第二～第九实施方式的电容元件的制造方法中，如上所述，都是在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔内的第一柱状电极的顶端上的绝缘体层和属于第二组的孔内的第二柱状电极的顶端t上的绝缘体层。
因此，并不限定上述的各实施方式，例如，可以由材质各不相同的绝缘体层构成第一柱状电极的顶端上的绝缘体层和第二柱状电极的顶端上的绝缘体层。另外，当第一柱状电极的长度与第二柱状电极的长度不同时，也可以形成厚度各不相同的绝缘替层。
以下，用图32说明采用了本发明的电容元件的电容器的第一实施方式。图32是将上述第一实施方式的电容元件10作为电容单元CU的电容器20。该电容器20将例如由导电性的金属板构成的端子部29a、29b分别与第一引出电极12a及第二引出电极12b连接，并且具有包覆上述电容单元CU的封装树脂。
上述端子部29a、29b，最好是铜、磷青铜、各种不锈钢、Ni42-Fe合金等。另外，图中虽然省略，但上述引出电极12a、12b和上述端子部29a、29b的连接，最好是电阻焊或扩散接合、利用碳膏之类的导电性粘接剂的粘接等。
以下，用图33说明采用了本发明的电容元件的电容器的第二实施方式。图33是将上述第一实施方式的电容元件10作为电容单元CU1、CU2、CU3的电容器30。该电容器30将端子部39a、39b分别与各电容单元CU1、CU2、CU3并联连接，具有大的静电电容。
以下，用图34说明采用了本发明的电容元件的电容器埋入多层配线基板的实施方式。图34是将上述第一实施方式的电容元件10作为电容单元的电容器埋入多层配线基板40。
上述电容器埋入多层配线基板40，在其底部埋入电容单元CU，并将第一引出电极12a与上述电容器埋入多层配线基板的内部导体连接。而且，使第二引出电极12b与其他端子电极一起在上述多层配线基板的底面露出。
按照本发明，适合于利用了小型且大电容的电容器的轻便、薄型的各种小型电子设备的用途。
Claims (19)
1.一种电容元件，其特征在于，包括：
由第一阀金属氧化物构成并交替地配置有多个在厚度方向上贯通的属于第一组的孔和属于第二组的孔的多孔板状的电介质；
分别在属于上述第一组的多个孔内形成且基端在上述电介质的一个主面上露出的第一柱状电极；
分别在属于上述第二组的多个孔内形成且基端在上述电介质的另一个主面上露出的第二柱状电极；
分别被设置成在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上封堵该孔、在属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上封堵该孔的绝缘体层；
被设置成在上述电介质的一个主面上与上述第一柱状电极的基端连接的第一引出电极；以及
被设置成在上述电介质的另一个主面上与上述第二柱状电极的基端连接的第二引出电极。
2.根据权利要求1所述的电容元件，其特征在于：
上述绝缘体层是使导电性高分子热分解而形成的层。
3.根据权利要求2所述的电容元件，其特征在于：
在上述第一引出电极和上述第二引出电极之间施加有电压。
4.根据权利要求1所述的电容元件，其特征在于：
上述绝缘体层由TiO2膜构成。
5.根据权利要求1所述的电容元件，其特征在于：
上述绝缘体层由SiO2膜构成。
6.根据权利要求1所述的电容元件，其特征在于：
上述绝缘体层由绝缘性树脂层构成。
7.根据权利要求1所述的电容元件，其特征在于：
上述绝缘体层由第二阀金属氧化物构成。
8.根据权利要求1所述的电容元件，其特征在于：
上述绝缘体层由空气层构成。
9.一种电容元件的制造方法，其特征在于，包括：
在第一阀金属的箔片的一个主面上按预定的配置通过印压而在多个部位上形成微小凹部的工序；
对该阀金属箔片进行阳极氧化，分别在形成有上述微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部浅的属于第二组的凹部，从而形成多孔板状的电介质的工序；
通过非电解电镀在上述电介质的属于第一组的凹部的内面和属于上述第二组的凹部的内面形成种子层，并且在上述电介质的一个主面上形成第一引出电极的工序；
通过蚀刻将上述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序；
在属于上述第一组的孔内的上述种子层上通过电解电镀留下上述电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极的工序；
通过蚀刻将上述电介质的属于第二组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第二组的多个孔的工序；
分别在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上和属于上述第二组的孔内的上述第一引出电极上通过电解聚合而形成导电性高分子层以使其将上述孔封堵的工序；
在属于上述第二组的孔的内面的上述种子层上通过电解电镀而形成第二柱状电极，并且在上述电介质的另一个主面上形成第二引出电极的工序；
使上述导电性高分子层热分解而绝缘化后形成绝缘体层的工序；以及
通过施加电压而将上述第一柱状电极的顶端与上述第二引出电极之间和上述第二柱状电极的顶端与上述第一引出电极之间的短路部位烧断的工序。
10.一种电容元件的制造方法，其特征在于，包括：
在第一阀金属箔片的一个主面上按预定的配置通过印压而在多个部位上形成微小凹部的工序；
对该阀金属箔片进行阳极氧化，并分别在形成有上述微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部浅的属于第二组的凹部，从而形成多孔板状的电介质的工序；
通过蚀刻将上述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序；
在上述电介质的形成有属于上述第二组的凹部的一个主面上形成第一供电电极的工序；
在属于上述第一组的孔内通过电解电镀留下上述电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极的工序；
分别在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序；
通过蚀刻将上述电介质的一个主面上的上述第一供电电极和属于上述第二组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第二组的多个孔的工序；
在上述电介质的另一个主面上形成第二引出电极的工序；
在属于上述第二组的孔内的上述第二引出电极上通过电解电镀留下上述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电极的工序；
分别在属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序；以及
在上述电介质的一个主面上与上述第一柱状电极的基端连接而形成第一引出电极的工序。
11.根据权利要求10所述的电容元件的制造方法，其特征在于：
在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在分别将上述第一供电电极和上述第二引出电极作为供电层而形成导电性高分子膜之后，通过热分解而进行绝缘化。
12.根据权利要求10所述的电容元件的制造方法，其特征在于：
在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在分别将上述第一供电电极和上述第二引出电极作为供电层而形成TiO2电淀积膜之后，通过热处理而进行绝缘化。
13.根据权利要求10所述的电容元件的制造方法，其特征在于：
在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，分别将上述第一供电电极和上述第二引出电极作为供电层而对SiO2层进行电解电镀。
14.根据权利要求10所述的电容元件的制造方法，其特征在于：
在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在分别将上述第一供电电极和上述第二引出电极作为供电层而形成Sn-Pd镀层之后，在该Sn-Pd镀层上湿式淀积SiO2层。
15.一种电容元件的制造方法，其特征在于，包括：
在第一阀金属箔片的一个主面上按预定的配置通过印压而在多个部位上形成微小凹部的工序；
对该阀金属箔片进行阳极氧化，并分别在形成有上述微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部浅的属于第二组的凹部，从而形成多孔板状的电介质的工序；
通过蚀刻将上述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序；
在上述电介质的形成有属于上述第二组的凹部的一个主面上形成第一供电电极的工序；
在属于上述第一组的孔内的上述供电电极上通过电解电镀留下上述电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极的工序；
通过蚀刻将上述第一供电电极和上述电介质的属于第二组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第二组的多个孔的工序；
分别在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上和属于上述第二组的多个孔内形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序；
在上述电介质的另一个主面上形成第二引出电极的工序；
在属于上述第二组的孔内的上述第二引出电极上通过电解电镀留下上述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电极的工序；
分别在属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序；以及
在上述电介质的一个主面上与上述第一柱状电极的基端连接而形成第一引出电极的工序。
16.根据权利要求15所述的电容元件的制造方法，其特征在于：
在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上和属于上述第二组的多个孔内分别埋入绝缘性树脂之后，将属于上述第二组的孔内的绝缘性树脂除去；
在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上分别埋入绝缘性树脂。
17.根据权利要求15所述的电容元件的制造方法，其特征在于：
在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在上述电介质的上述第一柱状电极的顶端侧的上述另一个主面上形成绝缘性树脂膜之后，将除了属于上述第一组的孔内之外的上述另一个主面上的绝缘性树脂膜除去；
在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在上述电介质的上述第二柱状电极的顶端侧的上述另一个主面上形成绝缘性树脂膜之后，将除了属于上述第二组的孔内之外的上述另一个主面上的绝缘性树脂膜除去。
18.一种电容元件的制造方法，其特征在于，包括：
在第一阀金属的箔片的一个主面上按预定的配置通过印压而在多个部位上形成微小凹部的工序；
对该阀金属箔片进行阳极氧化，分别在形成有上述微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部浅的属于第二组的凹部，从而形成多孔板状的电介质的工序；
通过蚀刻将上述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序；
在上述电介质的形成有属于上述第二组的凹部的一个主面上形成第一供电电极的工序；
在属于上述第一组的孔内的上述供电电极上通过电解电镀留下上述电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极的工序；
通过蚀刻将上述电介质的属于第二组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第二组的多个孔的工序；
在上述电介质的上述第一柱状电极的顶端侧的上述另一个主面上形成第二阀金属层的工序；
将除了属于上述第一组的孔内之外的上述另一个主面上的第二阀金属层除去的工序；
通过将上述第一供电电极作为供电层并对上述第二阀金属层进行阳极氧化而分别在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上和属于上述第二组的多个孔内形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序；
通过蚀刻将上述第一供电电极除去的工序；
在上述电介质的另一个主面上形成第二引出电极的工序；
在属于上述第二组的孔内的上述第二引出电极上通过电解电镀留下上述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电极的工序；
在上述电介质的上述第二柱状电极的顶端侧的上述一个主面上形成第二阀金属层的工序；
将除了属于上述第二组的孔内之外的上述一个主面上的第二阀金属层除去的工序；
分别在属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序；以及
通过将上述第二引出电极作为供电层并对上述第二阀金属层进行阳极氧化而在上述电介质的一个主面上与上述第一柱状电极的基端连接而形成第一引出电极的工序。
19.一种电容元件的制造方法，其特征在于，包括：
在第一阀金属的箔片的一个主面上按预定的配置通过印压而在多个部位上形成微小凹部的工序；
对该阀金属箔片进行阳极氧化，分别在形成有上述微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部浅的属于第二组的凹部，从而形成多孔板状的电介质的工序；
通过蚀刻将上述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序；
在上述电介质的形成有属于上述第二组的凹部的一个主面上形成第一供电电极的工序；
在属于上述第一组的孔内的上述第一供电电极上通过电解电镀留下上述电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极的工序；
通过蚀刻将上述第一供电电极和上述电介质的属于第二组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第二组的多个孔的工序；
在上述电介质的另一个主面上通过溅射在与上述第一柱状电极的顶端之间隔着空气层而形成第二引出电极的工序；
在属于上述第二组的孔内的上述第二引出电极上通过电解电镀留下上述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电极的工序；以及
在上述电介质的一个主面上，通过溅射在与上述第二柱状电极的顶端之间隔着空气层而形成与上述第一柱状电极的基端连接的第一引出电极的工序。
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| JP2007197039 | 2007-07-30 | ||
| JP2007-197039 | 2007-07-30 | ||
| JP2007197039 | 2007-07-30 | ||
| JP2007-329326 | 2007-12-20 | ||
| JP2007329326 | 2007-12-20 | ||
| JP2007329326A JP4956405B2 (ja) | 2007-07-30 | 2007-12-20 | コンデンサ素子及びコンデンサ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101359537A true CN101359537A (zh) | 2009-02-04 |
| CN101359537B CN101359537B (zh) | 2012-06-20 |
Family
ID=40331955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200810144047XA Active CN101359537B (zh) | 2007-07-30 | 2008-07-25 | 电容元件和电容元件的制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4956405B2 (zh) |
| CN (1) | CN101359537B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN107045972A (zh) * | 2010-12-09 | 2017-08-15 | 德塞拉股份有限公司 | 高密度三维集成电容器 |
| CN107492446A (zh) * | 2016-06-09 | 2017-12-19 | 普因特工程有限公司 | 三维电容器 |
| CN112635195A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-09 | 广州天极电子科技有限公司 | 一种电容器及其制造方法 |
| CN113764193A (zh) * | 2021-09-30 | 2021-12-07 | 电子科技大学长三角研究院(湖州) | 一种固态电容器及其制作方法 |
| CN115039190A (zh) * | 2020-03-24 | 2022-09-09 | 株式会社村田制作所 | 电容器 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8742541B2 (en) | 2010-12-09 | 2014-06-03 | Tessera, Inc. | High density three-dimensional integrated capacitors |
| JP5665618B2 (ja) * | 2011-03-17 | 2015-02-04 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ構成用ユニット及びコンデンサ |
| JP5665617B2 (ja) * | 2011-03-17 | 2015-02-04 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ構成用ユニット及びコンデンサ |
| JP2013201318A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Taiyo Yuden Co Ltd | ポーラスコンデンサ |
| JP5931594B2 (ja) * | 2012-06-07 | 2016-06-08 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ |
| JP6043548B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2016-12-14 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ |
| JP6343529B2 (ja) * | 2014-09-11 | 2018-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品、回路モジュール及び電子機器 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5577127A (en) * | 1978-12-06 | 1980-06-10 | Murata Manufacturing Co | Grain boundary insulating semiconductor porcelain capacitor |
| JP2718353B2 (ja) * | 1993-07-29 | 1998-02-25 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2000114482A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | キャパシタ、その製造方法及び半導体装置 |
| JP3610293B2 (ja) * | 1999-09-22 | 2005-01-12 | キヤノン株式会社 | 細孔を有する構造体及び前記細孔を有する構造体を用いたデバイス |
| JP2001205600A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-07-31 | Canon Inc | 微細構造体及びその製造方法 |
| JP2002198495A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2002299555A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Seiko Epson Corp | 集積回路およびその製造方法 |
| JP3878439B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2007-02-07 | シャープ株式会社 | 多孔質層及びデバイス、並びにその製造方法 |
| JP2003257800A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Murata Mfg Co Ltd | コンデンサの選別方法および選別装置 |
| JP4506134B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2010-07-21 | 凸版印刷株式会社 | コンデンサ及びその製造方法ならびにコンデンサを内蔵したインターポーザーもしくはプリント配線板 |
-
2007
- 2007-12-20 JP JP2007329326A patent/JP4956405B2/ja active Active
-
2008
- 2008-07-25 CN CN200810144047XA patent/CN101359537B/zh active Active
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| US11004930B2 (en) | 2010-12-09 | 2021-05-11 | Tessera, Inc. | High density three-dimensional integrated capacitors |
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| CN115039190A (zh) * | 2020-03-24 | 2022-09-09 | 株式会社村田制作所 | 电容器 |
| CN115039190B (zh) * | 2020-03-24 | 2023-08-25 | 株式会社村田制作所 | 电容器 |
| CN112635195A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-09 | 广州天极电子科技有限公司 | 一种电容器及其制造方法 |
| CN112635195B (zh) * | 2020-12-15 | 2022-07-19 | 广州天极电子科技有限公司 | 一种电容器及其制造方法 |
| CN113764193A (zh) * | 2021-09-30 | 2021-12-07 | 电子科技大学长三角研究院(湖州) | 一种固态电容器及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101359537B (zh) | 2012-06-20 |
| JP2009054980A (ja) | 2009-03-12 |
| JP4956405B2 (ja) | 2012-06-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |