CN112635195B - 一种电容器及其制造方法 - Google Patents
一种电容器及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112635195B CN112635195B CN202011473346.5A CN202011473346A CN112635195B CN 112635195 B CN112635195 B CN 112635195B CN 202011473346 A CN202011473346 A CN 202011473346A CN 112635195 B CN112635195 B CN 112635195B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dielectric substrate
- electrode
- blind
- electrodes
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 254
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 60
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 35
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 14
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 13
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 27
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 18
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
本发明提供了一种高面积比容的电容器及其制造方法。所述电容器包括介质基板、第一电极和第二电极，所述介质基板的上表面上开设有向所述介质基板的下表面延伸的第一盲孔，所述介质基板的下表面上开设有向所述上表面延伸的第二盲孔，所述第一盲孔和第二盲孔不连通，所述第一电极填充在所述第一盲孔中且自所述上表面露出，所述第二电极填充在所述第二盲孔中且自所述下表面露出。本发明实施例提供的电容器，通过在介质基板中形成三维柱状电极，可以增大电极的比表面积，得到高面积比容的电容器。
Description
技术领域
本发明属于电子元器件技术领域，具体涉及一种电容器及其制造方法。
背景技术
电容器是电子电路中应用最广泛的电子元器件之一，最简单的电容器就是由两面电极和中间绝缘介质层所组成。电容器的应用也极为广泛，从日常使用的手机、电脑到军用器械等所有电子产品上几乎都存在电容器。但是随着科技技术的发展要求电容器越来越微型化，在减小电容器面积的同时也会降低器件的电容量，因此要想获得更大容量的电容，就需要从电容器件的结构上进行改进。电极结构技术是实现电容器小型化但保留高面积比容特性的关键。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提供一种高面积比容的电容器及其制造方法。
本发明实施例一方面提供一种电容器，其包括介质基板、第一电极和第二电极，所述介质基板的上表面上开设有向所述介质基板的下表面延伸的第一盲孔，所述介质基板的下表面上开设有向所述上表面延伸的第二盲孔，所述第一盲孔和第二盲孔不连通，所述第一电极填充在所述第一盲孔中且自所述上表面露出，所述第二电极填充在所述第二盲孔中且自所述下表面露出。
作为上述实施例的进一步改进，所述第一电极和第二电极均呈柱状，所述第一电极和第二电极的侧表面相对且间隔有所述介质基板，所述电容器包括多个第一电极和多个第二电极，所述介质基板上开设多个第一盲孔和多个第二盲孔，每个第一盲孔中填充有一第一电极，每个第二盲孔中填充有一第二电极，所述第一盲孔与所述介质基板的厚度之比以及第二盲孔的深度与所述介质基板的厚度之比均为0.3-0.95:1。
作为上述实施例的进一步改进，所述多个第一盲孔和多个第二盲孔在所述介质基板中交错设置。
作为上述实施例的进一步改进，所述多个第一盲孔被分为多个第一盲孔组，每个第一盲孔组包括一个或多个第一盲孔，在所述电容器的横截面上，相邻所述第一盲孔组被所述多个第二盲孔分隔开；或者在所述电容器的横截面上，至少部分第一电极被多个第二电极环绕。
作为上述实施例的进一步改进，所述第一盲孔和/或第二盲孔的横截面为多边形，所述第一电极和/或第二电极相应地为多棱柱形状，每个第一电极的一个或多个边与一个或多个第二电极的对应边平行相对，优选地，所述第一盲孔和/或第二盲孔的横截面为三角形、四边形、五边形、六边形、七边形或八边形，所述第一电极和/或第二电极相应地为三棱柱、四棱柱、五棱柱、六棱柱、七棱柱或者八棱柱；或者所述第一盲孔和第二盲孔的横截面呈正六边形，且在所述电容器的横截面上，所述第一盲孔和第二盲孔的横截面呈蜂窝状排列。
作为上述实施例的进一步改进，所述多个第一电极互不连接或者部分或全部第一电极通过覆盖在所述介质基板的上表面上的导电金属材料电连接，所述多个第二电极互不连接或者部分或全部第二电极通过覆盖在所述介质基板的下表面上的导电金属材料电连接。
作为上述实施例的进一步改进，所述介质基板由绝缘材料制成，所述绝缘材料可以是光敏玻璃、SrTiO3、AlN、SiC陶瓷或单晶材料，所述第一电极和第二电极包括TiW、Cu、Ni、Au、Pt、Al、TiN中的一种或多种材料。
作为上述实施例的进一步改进，所述第一电极和第二电极均包括电极主体及外包层，所述电极主体呈柱状，由铜制成，所述外包层包覆在所述电极主体的侧壁和底面，覆盖在所述第一盲孔或第二盲孔的内壁上。
作为上述实施例的进一步改进，所述第一电极凸出于所述介质基板的上表面，所述第二电极凸出于所述介质基板的下表面，所述第一电极伸出所述介质基板的上表面的高度以及所述第二电极伸出所述介质基板的下表面的高度为1-100微米。
本发明实施例另一方面还提供一种电容器的制造方法，其包括如下步骤：
S2：提供介质基板，在所述介质基板的上表面上开设有向所述介质基板的下表面延伸的第一盲孔，所述介质基板的下表面上开设有向所述上表面延伸的第二盲孔，所述第一盲孔和第二盲孔不连通；
S4：在所述第一盲孔和第二盲孔中分别填充导电金属材料，在所述介质基板上形成第一电极和第二电极，所述第一电极自所述介质基板的上表面露出，所述第二电极自所述介质基板的下表面露出。
作为上述实施例的进一步改进，在步骤S2中，在所述介质基板的上表面上开设多个第一盲孔，所述多个第一盲孔间隔设置，在所述介质基板的下表面上开设多个第二盲孔，所述多个第二盲孔间隔设置；
在步骤S4中，在所述多个第一盲孔和多个第二盲孔中分别填充导电金属材料，在所述介质基板上形成多个第一电极和多个第二电极；
在步骤S4之后，还包括步骤S6：对所述介质基板进行切割，得到多个电容器，每个电容器包括多个第一电极和多个第二电极。
作为上述实施例的进一步改进，步骤S2进一步包括如下子步骤：
S21：在介质基板的上表面和下表面分别涂布光刻胶，然后通过曝光、显影，使介质基板的上表面和下表面形成空白区域交错排列的第一掩模结构；
S23：对介质基板进行刻蚀，在介质基板上对应于第一掩模结构的空白区域的位置形成所述第一盲孔和第二盲孔。
作为上述实施例的进一步改进，步骤S2进一步包括如下子步骤：
S21：在介质基板的上表面和下表面分别涂布光刻胶，然后通过曝光、显影，使介质基板的上表面和下表面形成空白区域交错排列的第一掩模结构；
S22：对介质基板进行热处理，使介质基板的上、下表面的第一掩模结构陶瓷化；
S23：将热处理后的介质基板放入腐蚀溶液中进行湿法刻蚀，在介质基板上对应于第一掩模结构的空白区域的位置形成所述第一盲孔和第二盲孔。
作为上述实施例的进一步改进，所述介质基板由光敏玻璃制成，在步骤S21中，通过曝光、显影，使介质基板的上表面和下表面形成空白区域交错排列的第一掩模结构后，还对所述介质基板再一次进行曝光，使介质基板上对应于第一掩模结构的空白区域的位置被曝光。
作为上述实施例的进一步改进，步骤S4进一步包括如下子步骤：
S41：对所述介质基板通过磁控溅射的方式溅射导电金属材料，使所述第一盲孔和第二盲孔中填充导电金属材料，作为电镀种子层；
S42：对所述介质基板采用电镀的方式电镀导电金属材料，使所述第一盲孔和第二盲孔中进一步填充导电金属材料，形成所述第一电极和第二电极。
作为上述实施例的进一步改进，在步骤S2中，在所述介质基板的上表面上开设多个第一盲孔，在所述介质基板的下表面上开设多个第二盲孔；
在步骤S4中，在所述介质基板的上表面、下表面上及所述第一盲孔和第二盲孔中填充导电金属材料，从而在所述介质基板上形成多个第一电极和多个第二电极；
在步骤S4之后，还包括步骤S6：去除所述介质基板的上表面和下表面上所覆盖的部分导电金属材料，形成切割通道，沿所述切割通道对所述介质基板进行切割，得到多个电容器，每个电容器包括多个第一电极和多个第二电极。
作为上述实施例的进一步改进，在步骤S4中，通过磁控溅射和/或电镀的方式，使所述第一盲孔和第二盲孔中填充导电金属材料，同时所述介质基板的上表面、下表面上也覆盖有导电金属材料；
步骤S6进一步包括如下子步骤：
S61：在导电金属材料的外表面上涂布光刻胶，然后通过曝光、显影，使导电金属材料的外表面上形成第二掩模结构，所述第二掩模结构遮蔽所述第一电极和第二电极；
S62：将介质基板放入腐蚀溶液中进行湿法刻蚀，使所述介质基板的上表面和下表面上所覆盖的部分导电金属材料被腐蚀去除，形成所述切割通道；
S63：沿所述切割通道对所述介质基板进行切割，得到多个电容器。
作为上述实施例的进一步改进，所述介质基板上开设多个第一盲孔和多个第二盲孔，所述多个第一盲孔和多个第二盲孔在所述介质基板上交错设置，所述第一盲孔与所述介质基板的厚度之比以及第二盲孔的深度与所述介质基板的厚度之比均为0.3-0.95:1；所述第一电极凸出于所述介质基板的上表面，所述第二电极凸出于所述介质基板的下表面，所述第一电极伸出所述介质基板的上表面的高度以及所述第二电极伸出所述介质基板的下表面的高度为1-100微米；所述第一盲孔和/或第二盲孔的横截面为多边形，所述第一电极和/或第二电极相应地为多棱柱形状，每个第一电极的一个或多个边与一个或多个第二电极的对应边平行相对，优选地，所述第一盲孔和/或第二盲孔的横截面为三角形、四边形、五边形、六边形、七边形或八边形，所述第一电极和/或第二电极相应地为三棱柱、四棱柱、五棱柱、六棱柱、七棱柱或者八棱柱；或者所述第一盲孔和第二盲孔的横截面呈正六边形，且在所述电容器的横截面上，所述第一盲孔和第二盲孔的横截面呈蜂窝状排列；所述多个第一电极互不连接或者部分或全部第一电极通过覆盖在所述介质基板的上表面上的导电金属材料电连接，所述多个第二电极互不连接或者部分或全部第二电极通过覆盖在所述介质基板的下表面上的导电金属材料电连接。
作为上述实施例的进一步改进，所述介质基板由绝缘材料制成，所述绝缘材料可以是光敏玻璃、SrTiO3、AlN、SiC陶瓷或单晶材料，所述导电金属材料包括TiW、Cu、Ni、Au、Pt、Al、TiN中的一种或多种材料。
本发明实施例提供的电容器，通过在介质基板中形成三维柱状电极，可以增大电极的比表面积，得到高面积比容的电容器。本发明实施例提供的电容器的制备方法，制备过程简单，容易实现，便于大规模批量生产。
附图说明
通过附图中所示的本发明优选实施例更具体说明，本发明上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分，且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1为本发明实施例中电容器的结构示意图。
图2为本发明另一实施例的电容器的结构示意图。
图3为介质基板的结构示意图。
图4和图5为本发明实施例中电容器的第一盲孔和第二盲孔排布示意图。
图6为本发明实施例中电容器的制造方法流程图。
图7为本发明另一实施例中电容器的制造方法流程图。
图8为本发明实施例的电容器的制造方法示意图。
图9为图8所示方法中使用的掩蔽层模板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明技术方案作进一步的详细描述，以使本领域的技术人员可以更好的理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
请参考图1至图9，本发明实施例提供一种电容器，其包括介质基板1、第一电极2和第二电极3，第一电极2可以是正电极，第二电极3相应地为负电极。介质基板1的上表面上开设有向介质基板1的下表面延伸的第一盲孔11，介质基板1的下表面上开设有向上表面延伸的第二盲孔12，也即第一盲孔11和第二盲孔12的开口端分别位于上表面和下表面上，且第一盲孔11和第二盲孔12沿介质基板1的厚度方向相向延伸。第一电极2填充在第一盲孔11中且自介质基板1的上表面露出，第二电极3填充在第二盲孔12中且自介质基板1的下表面露出。所指从介质基板1的上表面/下表面露出，既可以是凸出于介质基板1的上表面/下表面，也可以是与介质基板1的上表面/下表面齐平，甚至可以是相对于介质基板1的上表面/下表面凹陷，只要第一电极2/第二电极3顶面未被覆盖，可以与外部电路电连接即可。介质基板1的上表面和下表面基本平行，第一电极2和第二电极3的轴向基本垂直于介质基板1的上表面和下表面。第一盲孔11和第二盲孔12不连通，从而使第一电极2和第二电极3不导通。与现有的电容器相比，本发明实施例的电容器，通过在介质基板1中形成三维柱状电极，并以第一电极2和第二电极3之间相隔的介质基板1作为电容介质，可以增大电极的比表面积，充分利用三维空间进行储能以获得更高的能量和功率密度，从而得到高面积比容的电容器。
在优选实施例中，第一电极2和第二电极3均呈柱状，且第一电极2和第二电极3的侧表面相对且间隔有介质基板1。通过如此设置，可以使电容器具有较高的面积比容。在其他实施例中，第一电极2和第二电极3也可以呈管状，其可以对应地插入第一盲孔11和第二盲孔12中。
在优选实施例中，电容器包括多个第一电极2和多个第二电极3，介质基板1的上表面上开设多个第一盲孔11，介质基板1的下表面上开设有多个第二盲孔12，每个第一盲孔11中填充有一第一电极2，每个第二盲孔12中填充有一第二电极3。第一电极2和第二电极3可以通过分别在第一盲孔11和第二盲孔12中填充导电金属材料形成，也可以将成型好的柱状第一电极2和柱状第二电极3插入第一盲孔11和第二盲孔12中并固定。通过在介质基板1中形成三维柱状电极阵列，可以使电容器具有较高的面积比容。第一盲孔11与介质基板1的厚度之比以及第二盲孔12的深度与介质基板1的厚度之比均为0.3-0.95:1，优选地为0.7-0.9:1，通过这样设置，使得第一电极2和第二电极3在介质基板1的厚度方向上有较多的重叠区域，从而使电容器具有较高的面积比容。在另一些实施例中，电容器也可以只包括一个第一电极2和一个第二电极3。
请参考图2，在优选实施例中，多个第一盲孔11和多个第二盲孔12在介质基板1上交错设置，这样可以使第一盲孔11和第二盲孔12具有较深的深度，相应地第一电极2和第二电极3在介质基板1中就具有较长的长度，从而获得更高的能量和功率密度。此处所指第一盲孔11和第二盲孔12在介质基板1中交错设置，是指在垂直于第一盲孔11和第二盲孔12的平面内，第一盲孔11和第二盲孔12的投影不重叠，这样可以在第一盲孔11和第二盲孔12之间的介质基板1即形成为介于第一电极2和第二电极3之间的电容介质。
请参考图4和图5，在优选实施例中，多个第一盲孔11被分为多个第一盲孔组，每个第一盲孔组包括一个或多个第一盲孔11，在电容器的横截面上，相邻第一盲孔组被多个第二盲孔12分隔开。请参考图5a，每个第一盲孔被分为一个第一盲孔组，图5b中第一盲孔11被分为五个第一盲孔组，每个第一盲孔组包括十一个相邻的第一盲孔11，图5c中第一盲孔11被分为十五个第一盲孔组，每个第一盲孔组包括三个或四个相邻的第一盲孔11，这些第一盲孔组均被多个第二盲孔12分隔开。在另一实施例中，在电容器的横截面上，至少部分第一电极2被多个第二电极3环绕。所指电容器的横截面，是指沿平行于介质基板1的上表面的方向横向截断该电容器所得表面。由于第一盲孔11和第二盲孔12分别对应第一电极2和第二电极3，因此在图5所示的实施例中，每个第一电极2被2-6个第二电极3所环绕。
请参考图4和图5，在优选实施例中，第一盲孔11和/或第二盲孔12的横截面为多边形，第一电极2和/或第二电极3相应地为多棱柱形状。每个第一电极2的一个或多个边与一个或多个第二电极2的对应边平行相对，也即每个第一电极2至少有一个边与对应的第二电极2的对应边平行且相对设置，在有些实施例中，则至少有部分第一电极2有多个边(例如N个)分别与相同数量(N个)第二电极2的对应边平行且相对设置。通过将第一电极2和/或第二电极3设为多棱柱形状，可以增加电极的有效比表面积，提高电容器的面积比容。在进一步的优选实施例中，第一盲孔11和/或第二盲孔12的横截面为三角形、四边形、五边形、六边形、七边形或八边形，例如正三角形、正方形、正五边形、正六边形、正七边形或正八边形。第一电极2和/或第二电极3相应地为三棱柱、四棱柱、五棱柱、六棱柱、七棱柱或者八棱柱。在优选实施例中，第一盲孔11和第二盲孔12的横截面呈正六边形，且在电容器的横截面上，第一盲孔11和第二盲孔12的横截面呈蜂窝状排列。
请参考图1，在一些优选实施例中，多个第一电极2互不连接，也即多个第一电极2独立地嵌于介质基板1中，互相不连通。请参考图2，在另一些实施例中，部分或全部第一电极2通过覆盖在介质基板1的上表面上的导电金属材料6电连接。类似地，在一些实施例中，多个第二电极3也可以互不连接。在另一些实施例中，部分或全部第二电极3通过覆盖在介质基板1的下表面上的导电金属材料6电连接。
在优选实施例中，介质基板1由绝缘材料制成，该绝缘材料可以是光敏玻璃，也可以是钛酸锶SrTiO3、氮化铝AlN、碳化硅SiC的陶瓷或单晶材料。光敏玻璃在特定波长的光(例如紫外光)照射下会析出晶体，析晶区域在酸腐蚀之后可以形成孔洞或凹槽结构。光敏玻璃可以是德国肖特集团的
II光敏玻璃。与硅基衬底相比，光敏玻璃具有优良的高频特性：玻璃材料是一种绝缘体材料，介电常数只有硅材料的1/3左右，损耗因子比硅材料低2-3个数量级，使得衬底损耗和寄生效应大大减小，适合高频信号的传输。而且当介质基板1采用光敏玻璃这类的透明材料时，该电容器还可应用于光电系统集成领域。此外，光敏玻璃具有良好的气密性和耐腐蚀性，使得该电容器在MEMS封装领域有巨大的潜力。在优选实施例中，第一电极2和第二电极3包括钨化钛TiW、铜Cu、镍Ni、金Au、铂Pt、铝Al、氮化钛TiN中的一种或多种材料。
请参考图2，在进一步的优选实施例中，第一电极2和第二电极3均包括电极主体51及外包层52，电极主体52呈柱状，由Cu制成，外包层52包覆在电极主体51的侧壁和底面，覆盖在第一盲孔11或第二盲孔12的内壁上，在本实施例中，该外包层52为TiW。
请参考图1和图2，在优选实施例中，第一电极2凸出于介质基板1的上表面，第二电极3凸出于介质基板1的下表面，第一电极2伸出介质基板1的上表面的高度以及第二电极3伸出介质基板1的下表面的高度为1-100微米，以便于第一电极2和第二电极3可以和外部器件电连接。
请参考图6至图9，本发明实施例还提供一种电容器的制造方法，其包括如下步骤：
S2：提供介质基板1，在介质基板1的上表面上开设向介质基板1的下表面延伸的第一盲孔11，在介质基板1的下表面上开设向上表面延伸的第二盲孔12，第一盲孔11和第二盲孔12不连通；形成第一盲孔11和第二盲孔12的方法可选用激光加工、干法刻蚀、湿法刻蚀、反应离子刻蚀等方法；介质基板1由绝缘材料制成，该绝缘材料可以是光敏玻璃，也可以是SrTiO3、AlN、SiC的陶瓷或单晶材料；
S4：在第一盲孔11和第二盲孔12中分别填充导电金属材料，从而在介质基板1上形成第一电极2和第二电极3，第一电极2自介质基板1的上表面露出，第二电极3自介质基板1的下表面露出。导电金属材料可以是钨化钛TiW、铜Cu、镍Ni、金Au、铂Pt、铝Al、氮化钛TiN中的一种或多种。
请参考图7，在优选实施例中，在步骤S2中，在介质基板1的上表面上开设多个第一盲孔11，多个第一盲孔11间隔设置，在介质基板1的下表面上开设多个第二盲孔12，多个第二盲孔12间隔设置，以及间隔预设距离；
在步骤S4中，在多个第一盲孔11和多个第二盲孔12中分别填充导电金属材料，从而在介质基板1上形成多个第一电极2和多个第二电极3；
在步骤S4之后，还包括步骤S6：对介质基板1进行切割，得到多个电容器，每个电容器包括多个第一电极2和多个第二电极3。
具体来说，在本实施例中，可以在介质基板1划分多个区域，每个区域形成多个第一盲孔11和多个第二盲孔12，填充导电金属材料后，按区域切割介质基板1，每个区域形成一个电容器。通过这种方式，可以实现电容器的批量化生产，且每个电容器上形成三维柱状电极阵列，从而使电容器具有较高的面积比容。
在优选实施例中，步骤S2进一步包括如下子步骤：
S21：在介质基板1的上表面和下表面分别涂布光刻胶4，然后通过曝光、显影，使介质基板1的上表面和下表面形成空白区域交错排列的第一掩模结构，也即介质基板1的上表面上的第一掩模结构的空白区域与介质基板1的下表面上的第一掩模结构的空白区域互不重叠；
S23：对介质基板1进行刻蚀，在介质基板1上对应于第一掩模结构的空白区域的位置形成第一盲孔11和第二盲孔12，形成第一盲孔11和第二盲孔12的方法可选用激光加工、干法刻蚀、湿法刻蚀、反应离子刻蚀等方法。
在另一优选实施例中，步骤S2进一步包括如下子步骤：
S21：在介质基板的上表面和下表面分别涂布光刻胶4，然后通过曝光、显影，使介质基板1的上表面和下表面上形成空白区域交错排列的第一掩模结构，也即介质基板1的上表面上的第一掩模结构的空白区域与介质基板1的下表面上的第一掩模结构的空白区域互不重叠；
S22：对介质基板1进行热处理，使介质基板1的上、下表面的第一掩模结构陶瓷化；
S23：将热处理后的介质基板1放入腐蚀溶液中进行湿法刻蚀，在介质基板1的上表面和下表面上对应于第一掩模结构的空白区域的位置分别形成第一盲孔11和第二盲孔12。腐蚀溶液可选用氢氟酸HF、硝酸、盐酸其中的一种或几种。
在进一步的优选实施例中，介质基板1由光敏玻璃制成，在步骤S21中，通过曝光、显影，使介质基板1的上表面和下表面形成空白区域交错排列的第一掩模结构后，还对介质基板1再一次进行曝光，使介质基板1上对应于第一掩模结构的空白区域的位置被曝光。再次曝光时，可在310-320nm的紫外灯下曝光，并根据盲孔的深度需求选择不同的曝光时间。由于介质基板1采用光敏玻璃制成，因此曝光时，介质基板1上对应于第一掩模结构的空白区域的位置会析出晶体，以便于在随后进行的湿法刻蚀步骤中，该区域的介质基板1材料会被腐蚀溶液腐蚀掉，形成第一盲孔11和第二盲孔12。
在优选实施例中，步骤S4进一步包括如下子步骤：
S41：对介质基板1通过磁控溅射的方式溅射导电金属材料，使第一盲孔11和第二盲孔12中填充导电金属材料，作为电镀种子层；具体来说，先溅射钨化钛，再溅射铜，以便于后续进行电镀；
S42：对介质基板1采用电镀的方式电镀导电金属材料，使第一盲孔11和第二盲孔12中进一步填充导电金属材料，形成第一电极2和第二电极3，在本实施例中，对介质基板1采用电镀的方式电镀铜。
在优选实施例中，在步骤S2中，在介质基板1的上表面上开设多个第一盲孔11，在介质基板1的下表面上开设多个第二盲孔12；
在步骤S4中，在介质基板1的上表面、下表面上及第一盲孔11和第二盲孔12中填充导电金属材料，从而在介质基板1上形成多个第一电极2和多个第二电极3；
在步骤S4之后，还包括步骤S6：去除介质基板1的上表面和下表面上所覆盖的部分导电金属材料，形成切割通道，沿切割通道对介质基板1进行切割，得到多个电容器，每个电容器包括多个第一电极2和多个第二电极3。
具体来说，在本实施例中，可以在介质基板1划分多个区域，每个区域形成多个第一盲孔11和多个第二盲孔12。由于采用磁控溅射、电镀等方式在第一盲孔11和第二盲孔12中填充导电金属材料时，会同时在介质基板1的上表面、下表面上也覆盖导电金属材料。因此，在切割介质基板1前，先去除介质基板1的上表面和下表面上拟切割路线的导电金属材料，形成切割通道，然后再进行切割，每个区域形成一个电容器。通过这种方式，可以实现电容器的批量化生产，且每个电容器上形成三维柱状电极阵列，从而使电容器具有较高的面积比容。
在进一步的优选实施例中，在步骤S4中，通过磁控溅射和/或电镀的方式，使第一盲孔11和第二盲孔12中填充导电金属材料，同时介质基板1的上表面、下表面上也覆盖有导电金属材料。在本实施例中，先对介质基板1采用磁控溅射方式溅射钨化钛，然后再通过磁控溅射方式溅射铜，再通过电镀的方式电镀铜，磁控溅射和电镀的过程中，也会在介质基板1的上表面、下表面上覆盖钨化钛和铜。在本实施例中，为了切割介质基板1，步骤S6进一步包括如下子步骤：
S61：在导电金属材料的外表面上涂布光刻胶，然后通过曝光、显影，使导电金属材料的外表面上形成第二掩模结构，第二掩模结构遮蔽第一电极和第二电极；
S62：将介质基板1放入腐蚀溶液中进行湿法刻蚀，使介质基板1的上表面和下表面上所覆盖的部分导电金属材料(也即对应于第二掩模结构的空白区域位置的导电金属材料)被腐蚀去除，形成切割通道；湿法刻蚀时先后使用铜腐蚀液和钨化钛腐蚀液进行腐蚀；
S63：利用切割机沿切割通道对介质基板1进行切割，得到多个电容器。
在优选实施例中，介质基板1上开设多个第一盲孔11和多个第二盲孔12，多个第一盲孔11和多个第二盲孔12在上表面和下表面上交错设置，第一盲孔11与介质基板1的厚度之比以及第二盲孔12的深度与介质基板1的厚度之比均为0.3-0.95:1。第一电极2凸出于介质基板1的上表面，第二电极3凸出于介质基板1的下表面，第一电极2伸出介质基板1的上表面的高度以及第二电极3伸出介质基板1的下表面的高度为1-100微米。第一盲孔11和/或第二盲孔12的横截面为多边形，第一电极2和/或第二电极3相应地为多棱柱形状，优选地，第一盲孔11和/或第二盲孔12的横截面为三角形、四边形、五边形、六边形、七边形或八边形，第一电极2和/或第二电极3相应地为三棱柱、四棱柱、五棱柱、六棱柱、七棱柱或者八棱柱。第一盲孔11和第二盲孔12的横截面呈正六边形，且在电容器的横截面上，第一盲孔11和第二盲孔12的横截面呈蜂窝状排列。多个第一电极2互不连接或者部分或全部第一电极2通过覆盖在介质基板1的上表面上的导电金属材料电连接，多个第二电极3互不连接或者部分或全部第二电极3通过覆盖在介质基板1的下表面上的导电金属材料电连接。关于电容器结构的详细描述与上述电容器的各优选实施例一致，此处不再赘述。
请参考图8和图9，以下通过两个具体实施例来介绍电容器的制造方法。
具体实施例一
一种高面积比容的电容器制备方法，包括以下步骤：
(1)介质基板1选取光敏玻璃，用作电容器的衬底和介质材料；对光敏玻璃进行清洗。
(2)在洁净的光敏玻璃正、反两面分别旋涂一层均匀的光刻胶4，然后通过在交错排列的掩蔽层模板下曝光并显影，在光敏玻璃的上下两面都得到交错排列的掩模结构。请参考图9a，该掩蔽层模板中设置有多个呈矩阵形式排列的区域，每个区域对应于一个电容器的位置，每个区域中形成有多个镂空的孔洞，用于对光刻胶进行曝光。曝光过程采用掩模光刻机，以接触式曝光的方式得到六边形结构，光敏玻璃最终在显影液中得到两面交错排列的六边形掩模结构，光敏玻璃再进行一次紫外光下的曝光，使得光敏玻璃未被光刻胶保护部分析出晶体。
(3)将步骤(2)中的光敏玻璃放进马弗炉中热处理，进而使得光敏玻璃上两面交错排列的六边形掩模结构陶瓷化。
(4)将步骤(3)中的光敏玻璃放入腐蚀溶液中进行湿法刻蚀，在光敏玻璃上刻蚀多个盲孔，形成盲孔阵列，单个盲孔的横截面为六边形结构，最后对刻蚀后的光敏玻璃进行清洗、烘干。
(5)将步骤(4)中具有盲孔列阵的光敏玻璃放入磁控溅射机中，采用溅射沉积的方法，双面皆溅射TiW、Cu。
(6)将步骤(5)中溅射后的光敏玻璃通过电镀Cu将正反面盲孔阵列填满Cu。
(7)将步骤(6)中填充满Cu后的光敏玻璃正反面分别再次旋涂一层均匀的光刻胶4，请参考图9b，通过在交错排列的掩蔽层模板下曝光并显影，在光敏玻璃的Cu层上重新得到切割通道的掩模结构。在该制程中使用的掩蔽层模板，与步骤(2)中所使用的掩蔽层模板不同，该掩蔽层模板对应于电容器的位置未被镂空，而是在对应于电容器之间的空隙的位置进行镂空，从而使对应于电容器之间的空隙下方的光刻胶在曝光显影后被去除，以便在下面的湿法刻蚀制程中，在电容器之间形成切割通道。
(8)将步骤(7)中的光敏玻璃进行湿法刻蚀，先后分别使用铜腐蚀液和钨化钛腐蚀液进行腐蚀，得到整片电容结构，相邻电容器之间形成切割通道。
(9)将步骤(8)中的整片电容结构利用切割机在切割通道上切割分块，按照预设不同的尺寸切割得到不同储能大小的电容器，单个电容器的上表面金属阵列为正电极，下表面金属阵列为负电极。
图9给出了本发明所述的交替排列的方形掩蔽层模板结构示意图，交替排列的方形掩蔽层模板上包括若干个六边形结构，有效增大了电容器的比表面积。
具体实施例二
一种高面积比容的电容器制备方法，包括以下步骤：
(1)选用SiC衬底作为电容器的衬底和介质材料(即介质基板1)；对SiC衬底进行清洗。
(2)在洁净的SiC衬底正、反两面分别旋涂一层均匀的光刻胶，然后通过在交错排列的掩蔽层模板下曝光并显影，在SiC衬底的上下两面都得到交错排列的掩模结构，曝光过程采用掩模光刻机，以接触式曝光的方式得到六边形结构；SiC衬底最终在显影液中得到两面的交错排列的六边形掩模结构。
(3)将步骤(2)中的带有光刻胶保护的SiC衬底进行反应离子刻蚀以获得盲孔阵列，单个盲孔的横截面为六边形结构，最后对刻蚀后的SiC衬底进行清洗、烘干。
(4)将步骤(3)中具有盲孔列阵的SiC衬底放入磁控溅射机中，采用溅射沉积的方法，双面皆溅射TiW、Cu。
(5)将步骤(4)中溅射后的SiC衬底通过电镀Cu将正反面盲孔阵列填满Cu。
(6)将步骤(5)中填充满Cu后的SiC衬底正反面分别再次旋涂一层均匀的光刻胶，通过在交错排列的掩蔽层模板下曝光并显影，在SiC衬底的Cu层上重新得到切割通道的掩模结构。
(7)将步骤(6)中的SiC衬底进行湿法刻蚀，先后分别使用铜腐蚀液和钨化钛腐蚀液进行腐蚀，得到整片电容结构，相邻电容之间形成切割通道。
(8)将步骤(7)中的整片电容结构利用切割机在切割通道上切割分块，按照预设不同的尺寸切割得到不同储能大小的电容器，单个电容器的上表面金属阵列为正电极，下表面金属阵列为负电极。
本发明实施例提供的电容器，通过在介质基板中形成三维柱状电极，可以增大电极的比表面积，得到高面积比容的电容器。本发明实施例提供的电容器的制备方法，制备过程简单，容易实现，便于大规模批量生产。
在本说明书的描述中，参考术语“优选实施例”、“再一实施例”、“其他实施例”或“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (18)
1.一种电容器，其包括介质基板、第一电极和第二电极，其特征在于，所述介质基板的上表面上开设有向所述介质基板的下表面延伸的第一盲孔，所述介质基板的下表面上开设有向所述上表面延伸的第二盲孔，所述第一盲孔和第二盲孔不连通，所述第一电极填充在所述第一盲孔中且自所述上表面露出，所述第二电极填充在所述第二盲孔中且自所述下表面露出；
所述第一盲孔的深度与所述介质基板的厚度之比以及第二盲孔的深度与所述介质基板的厚度之比均为0.3-0.95:1；
所述介质基板上开设多个第一盲孔和多个第二盲孔，所述多个第一盲孔被分为多个第一盲孔组，每个第一盲孔组包括一个或多个第一盲孔，在所述电容器的横截面上，相邻所述第一盲孔组被所述多个第二盲孔分隔开；或者在所述电容器的横截面上，至少部分第一电极被多个第二电极环绕。
2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电极和第二电极均呈柱状，所述第一电极和第二电极的侧表面相对且间隔有所述介质基板，所述电容器包括多个第一电极和多个第二电极，所述介质基板上开设多个第一盲孔和多个第二盲孔，每个第一盲孔中填充有一第一电极，每个第二盲孔中填充有一第二电极。
3.如权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述多个第一盲孔和多个第二盲孔在所述介质基板中交错设置。
4.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一盲孔和/或第二盲孔的横截面为多边形，所述第一电极和/或第二电极相应地为多棱柱形状，每个第一电极的一个或多个边与一个或多个第二电极的对应边平行相对，所述第一盲孔和/或第二盲孔的横截面为三角形、四边形、五边形、六边形、七边形或八边形，所述第一电极和/或第二电极相应地为三棱柱、四棱柱、五棱柱、六棱柱、七棱柱或者八棱柱；或者在所述电容器的横截面上，至少部分第一电极被多个第二电极环绕；或者所述第一盲孔和第二盲孔的横截面呈正六边形，且在所述电容器的横截面上，所述第一盲孔和第二盲孔的横截面呈蜂窝状排列。
5.如权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述多个第一电极互不连接或者部分或全部第一电极通过覆盖在所述介质基板的上表面上的导电金属材料电连接，所述多个第二电极互不连接或者部分或全部第二电极通过覆盖在所述介质基板的下表面上的导电金属材料电连接。
6.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述介质基板由绝缘材料制成，所述绝缘材料是光敏玻璃、SrTiO3、AlN、或SiC陶瓷，所述第一电极和第二电极包括TiW、Cu、Ni、Au、Pt、Al、TiN中的一种或多种材料。
7.如权利要求6所述的电容器，其特征在于，所述第一电极和第二电极均包括电极主体及外包层，所述电极主体呈柱状，由Cu制成，所述外包层包覆在所述电极主体的侧壁和底面，覆盖在所述第一盲孔或第二盲孔的内壁上。
8.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电极凸出于所述介质基板的上表面，所述第二电极凸出于所述介质基板的下表面，所述第一电极伸出所述介质基板的上表面的高度以及所述第二电极伸出所述介质基板的下表面的高度为1-100微米。
9.一种电容器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
S2：提供介质基板，在所述介质基板的上表面上开设有向所述介质基板的下表面延伸的第一盲孔，所述介质基板的下表面上开设有向所述上表面延伸的第二盲孔，所述第一盲孔和第二盲孔不连通；
S4：在所述第一盲孔和第二盲孔中分别填充导电金属材料，在所述介质基板上形成第一电极和第二电极，所述第一电极自所述介质基板的上表面露出，所述第二电极自所述介质基板的下表面露出；
所述第一盲孔与所述介质基板的厚度之比以及第二盲孔的深度与所述介质基板的厚度之比均为0.3-0.95:1。
10.如权利要求9所述的电容器的制造方法，其特征在于，在步骤S2中，在所述介质基板的上表面上开设多个第一盲孔，所述多个第一盲孔间隔设置，在所述介质基板的下表面上开设多个第二盲孔，所述多个第二盲孔间隔设置；
在步骤S4中，在所述多个第一盲孔和多个第二盲孔中分别填充导电金属材料，在所述介质基板上形成多个第一电极和多个第二电极；
在步骤S4之后，还包括步骤S6：对所述介质基板进行切割，得到多个电容器，每个电容器包括多个第一电极和多个第二电极。
11.如权利要求9所述的电容器的制造方法，其特征在于，步骤S2进一步包括如下子步骤：
S21：在介质基板的上表面和下表面分别涂布光刻胶，然后通过曝光、显影，使介质基板的上表面和下表面形成空白区域交错排列的第一掩模结构；
S23：对介质基板进行刻蚀，在介质基板上对应于第一掩模结构的空白区域的位置形成所述第一盲孔和第二盲孔。
12.如权利要求9所述的电容器的制造方法，其特征在于，步骤S2进一步包括如下子步骤：
S21：在介质基板的上表面和下表面分别涂布光刻胶，然后通过曝光、显影，使介质基板的上表面和下表面形成空白区域交错排列的第一掩模结构；
S22：对介质基板进行热处理，使介质基板的上、下表面的第一掩模结构陶瓷化；
S23：将热处理后的介质基板放入腐蚀溶液中进行湿法刻蚀，在介质基板上对应于第一掩模结构的空白区域的位置形成所述第一盲孔和第二盲孔。
13.如权利要求12所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述介质基板由光敏玻璃制成，在步骤S21中，通过曝光、显影，使介质基板的上表面和下表面形成空白区域交错排列的第一掩模结构后，还对所述介质基板再一次进行曝光，使介质基板上对应于第一掩模结构的空白区域的位置被曝光。
14.如权利要求9所述的电容器的制造方法，其特征在于，步骤S4进一步包括如下子步骤：
S41：对所述介质基板通过磁控溅射的方式溅射导电金属材料，使所述第一盲孔和第二盲孔中填充导电金属材料，作为电镀种子层；
S42：对所述介质基板采用电镀的方式电镀导电金属材料，使所述第一盲孔和第二盲孔中进一步填充导电金属材料，形成所述第一电极和第二电极。
15.如权利要求9所述的电容器的制造方法，其特征在于，在步骤S2中，在所述介质基板的上表面上开设多个第一盲孔，在所述介质基板的下表面上开设多个第二盲孔；
在步骤S4中，在所述介质基板的上表面、下表面上及所述第一盲孔和第二盲孔中填充导电金属材料，从而在所述介质基板上形成多个第一电极和多个第二电极；
在步骤S4之后，还包括步骤S6：去除所述介质基板的上表面和下表面上所覆盖的部分导电金属材料，形成切割通道，沿所述切割通道对所述介质基板进行切割，得到多个电容器，每个电容器包括多个第一电极和多个第二电极。
16.如权利要求15所述的电容器的制造方法，其特征在于，在步骤S4中，通过磁控溅射和/或电镀的方式，使所述第一盲孔和第二盲孔中填充导电金属材料，同时所述介质基板的上表面、下表面上也覆盖有导电金属材料；
步骤S6进一步包括如下子步骤：
S61：在导电金属材料的外表面上涂布光刻胶，然后通过曝光、显影，使导电金属材料的外表面上形成第二掩模结构，所述第二掩模结构遮蔽所述第一电极和第二电极；
S62：将介质基板放入腐蚀溶液中进行湿法刻蚀，使所述介质基板的上表面和下表面上所覆盖的部分导电金属材料被腐蚀去除，形成所述切割通道；
S63：沿所述切割通道对所述介质基板进行切割，得到多个电容器。
17.如权利要求9所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述介质基板上开设多个第一盲孔和多个第二盲孔，所述多个第一盲孔和多个第二盲孔在所述介质基板上交错设置，所述第一电极凸出于所述介质基板的上表面，所述第二电极凸出于所述介质基板的下表面，所述第一电极伸出所述介质基板的上表面的高度以及所述第二电极伸出所述介质基板的下表面的高度为1-100微米；所述第一盲孔和/或第二盲孔的横截面为多边形，所述第一电极和/或第二电极相应地为多棱柱形状，每个第一电极的一个或多个边与一个或多个第二电极的对应边平行相对，所述第一盲孔和/或第二盲孔的横截面为三角形、四边形、五边形、六边形、七边形或八边形，所述第一电极和/或第二电极相应地为三棱柱、四棱柱、五棱柱、六棱柱、七棱柱或者八棱柱；或者所述第一盲孔和第二盲孔的横截面呈正六边形，且在所述电容器的横截面上，所述第一盲孔和第二盲孔的横截面呈蜂窝状排列；所述多个第一电极互不连接或者部分或全部第一电极通过覆盖在所述介质基板的上表面上的导电金属材料电连接，所述多个第二电极互不连接或者部分或全部第二电极通过覆盖在所述介质基板的下表面上的导电金属材料电连接。
18.如权利要求9所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述介质基板由绝缘材料制成，所述绝缘材料是光敏玻璃、SrTiO3、AlN、或SiC陶瓷，所述导电金属材料包括TiW、Cu、Ni、Au、Pt、Al、TiN中的一种或多种材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011473346.5A CN112635195B (zh) | 2020-12-15 | 2020-12-15 | 一种电容器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011473346.5A CN112635195B (zh) | 2020-12-15 | 2020-12-15 | 一种电容器及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112635195A CN112635195A (zh) | 2021-04-09 |
| CN112635195B true CN112635195B (zh) | 2022-07-19 |
Family
ID=75312813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011473346.5A Active CN112635195B (zh) | 2020-12-15 | 2020-12-15 | 一种电容器及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112635195B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115206676B (zh) * | 2022-07-20 | 2023-09-08 | 广州天极电子科技股份有限公司 | 一种玻璃芯片电容器及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003249417A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Tdk Corp | コンデンサ構造体およびその製造方法 |
| CN101325127A (zh) * | 2007-06-14 | 2008-12-17 | 太阳诱电株式会社 | 电容器及其制造方法 |
| CN101359537A (zh) * | 2007-07-30 | 2009-02-04 | 太阳诱电株式会社 | 电容元件和电容元件的制造方法 |
| CN101399116A (zh) * | 2007-09-27 | 2009-04-01 | 太阳诱电株式会社 | 电容器及其制造方法 |
| CN103854859A (zh) * | 2012-12-05 | 2014-06-11 | 太阳诱电株式会社 | 电容器 |
| CN104733492A (zh) * | 2013-12-23 | 2015-06-24 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种有机发光显示装置及其制备方法 |
-
2020
- 2020-12-15 CN CN202011473346.5A patent/CN112635195B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003249417A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Tdk Corp | コンデンサ構造体およびその製造方法 |
| CN101325127A (zh) * | 2007-06-14 | 2008-12-17 | 太阳诱电株式会社 | 电容器及其制造方法 |
| CN101359537A (zh) * | 2007-07-30 | 2009-02-04 | 太阳诱电株式会社 | 电容元件和电容元件的制造方法 |
| CN101399116A (zh) * | 2007-09-27 | 2009-04-01 | 太阳诱电株式会社 | 电容器及其制造方法 |
| CN103854859A (zh) * | 2012-12-05 | 2014-06-11 | 太阳诱电株式会社 | 电容器 |
| CN104733492A (zh) * | 2013-12-23 | 2015-06-24 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种有机发光显示装置及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112635195A (zh) | 2021-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7089067B2 (ja) | ３次元メモリデバイスおよびその形成方法 | |
| TWI479523B (zh) | 製作用於電互連之組件的方法 | |
| CN1113401C (zh) | 集成电路中的电容器及其制造方法 | |
| JP2020536402A (ja) | 低挿入損失ｒｆ伝送線路 | |
| JP2021507576A (ja) | 接続伝送線路共振ｒｆフィルタ | |
| KR101519760B1 (ko) | 금속 배선의 형성 방법 및 이에 의해 제조된 금속 배선 기판 | |
| US11197372B2 (en) | Capacitor having through hole structure and manufacturing method therefor | |
| KR100438160B1 (ko) | 인덕터와 캐패시터를 갖는 소자 및 그의 제작방법 | |
| JP2022509276A (ja) | ３次元メモリデバイスにおける階段構造の形成 | |
| CN112635195B (zh) | 一种电容器及其制造方法 | |
| US6368514B1 (en) | Method and apparatus for batch processed capacitors using masking techniques | |
| CN215007934U (zh) | 一种电容器 | |
| JP2003249417A (ja) | コンデンサ構造体およびその製造方法 | |
| JP4425707B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| TWI738712B (zh) | 貫通電極基板及其製造方法 | |
| JP6344671B1 (ja) | 貫通電極基板及びその製造方法 | |
| CN216625704U (zh) | 可调谐的mems及其传感器 | |
| CN111987075A (zh) | 三维电容器结构及其制作方法 | |
| CN112331659B (zh) | 半导体器件制备方法、半导体器件及三维存储器 | |
| CN114583424B (zh) | 悬置带线滤波器及其制备方法 | |
| JP6259023B2 (ja) | 電極系デバイス用のａｌｄ処理のためのマスキング方法 | |
| US20200118995A1 (en) | Semiconductor structure, capacitor structure thereof and manufacturing method of the same | |
| US20210257141A1 (en) | Chip inductor and emthod for manufacturing same | |
| CN111863770A (zh) | 三维电容器结构及其制作方法 | |
| JP2018061063A (ja) | 貫通電極基板及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 511453 No.6, Changli Road, Dongyong Town, Nansha District, Guangzhou City, Guangdong Province Patentee after: Guangzhou Tianji Electronic Technology Co.,Ltd. Address before: 511453 No.5, 7th Street, Changli Road, Dongyong Town, Nansha District, Guangzhou City, Guangdong Province Patentee before: AURORA TECHNOLOGIES Co.,Ltd. |