CN101356630A - 处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种处理装置，在能够抽真空的处理容器内对被处理体进行规定的处理，特别是进行HfO、HfSiO、ZrO、ZrSiO、PZT、BST等的high－k电介质膜的成膜，在暴露于处理容器内的处理气氛中的处理容器的构成部件的表面、例如在处理容器内壁面形成由SAM(Self assembled monolayer)构成的膜附着防止层。由此可以防止在构成部件的表面堆积难以通过干洗除去的无用膜，可以大幅度降低处理装置的清洗频率。

Description

处理装置
技术领域
本发明涉及对半导体晶片等被处理体实施成膜处理等规定的处理的处理装置。
背景技术
一般地，在半导体集成电路的制造工序中，对作为被处理体的半导体晶片，反复实施成膜处理、氧化扩散处理、退火处理、改良处理、蚀刻处理等各种热处理，形成所希望的集成电路。例如，在成膜处理中，在铝制的筒状的处理容器内，使用设有铝化合物制的载置台的成膜装置。在处理时，通过内置的电阻加热器对载置台进行加热，使载置在载置台上的半导体晶片维持在规定的温度，与此同时，从设置在载置台上方的喷淋头供给规定的工艺气体即成膜气体。由此，在晶片表面上形成金属膜、绝缘膜等薄膜(例如参照日本专利公开公报JP2004-193396A)。
在成膜处理中，不仅在晶片表面堆积有所希望的薄膜，而且在暴露于处理气氛的处理装置的各种构成部件上、具体而言，在处理容器内壁面、以及配置于处理容器内的各种内部构造物(例如夹紧环等的位于晶片附近的部件、或者喷淋头)上也不可避免地堆积有无用的薄膜。当这样的无用薄膜脱落时会产生颗粒，成为处理的成品率降低的原因，因此，利用腐蚀性的干洗气体例如ClF3或者NF3，在其脱落前，定期(例如每处理25个晶片时)除去这样无用的薄膜。
但是，对于最近提出的膜或者由该膜成膜时生成的反应副生成物构成的膜，与上述干洗气体不发生反应，或者即使发生反应，由于反应生成物的蒸气压较高，利用上述干蚀气体也不能除去，或非常难以除去。作为这样膜的示例，有作为栅绝缘膜的具有良好的电特性的高电介质薄膜(high-k电介质膜)，具体而言，有HfO、HfSiO、ZrO、ZrSiO、PZT、BST等。
在日本专利公开公报JP2004-288900A中公开有形成上述难以干洗的薄膜的成膜装置中的处理容器内的清洗方法。在这里，在露出处理容器内的表面例如处理容器的内壁面上可装卸地安装有石英制的保护罩。在对规定个数的晶片进行成膜处理之后，将保护罩部件从处理容器内取出，通过使用强力的清洗液的晶片清洗除去附着在保护罩部件上的薄膜。
但是，在上述方法中，在每次进行清洗处理时，需要进行将处理容器内开放在空气中来对保护罩进行装卸的麻烦的作业，因此，需要长时间停止装置的运行。从而，生产能力大幅度降低，并且维修成本大幅度增加。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而提出的，其目的在于提供一种能够防止在暴露于处理容器内的处理气氛中的部件的表面上堆积无用膜，由此，能够大幅度降低清洗处理的频率。
本发明基于本发明者研究结果得到如下认识，即，通过在部件的整个表面形成ZnO膜等选择外延成膜方法等所使用的自组装单分子膜(Self Assembled Monolayer，SAM)，能够抑制在该部件的表面上堆积无用的薄膜。
根据本发明，提供一种处理装置，在可抽成真空的处理容器内对被处理体实施规定的处理，其特征在于：具有用于构成上述处理装置并且暴露于上述处理容器内的处理气氛中的构成部件，在该构成部件的表面上形成有由SAM构成的膜附着防止层。
根据本发明，通过由SAM构成的膜附着防止层可以抑制无用膜的堆积，因此，可以大幅度减少清洗频率，从而使装置的生产能力提高，还可以大幅度削减装置本身的维修成本。
由SAM构成的膜附着防止层可以设置在暴露于处理容器内的气氛中的任意的构成部件上。SAM可以容易地在氧化硅以及石英上形成。由SAM构成的膜附着防止可以较好地设置于石英制的构成部件上。作为石英制的构成部件例如具有石英制的处理容器、石英制的晶舟、由石英管组合构成的喷淋头、石英制的升降销等，但并不限定于此。
由SAM构成的膜附着防止层，即使在由构成部件本身难以形成SAM的材料构成的情况下，通过由容易形成SAM的材料构成的涂层(例如氧化硅膜)或罩(例如保护罩部件)覆盖该构成部件的表面，并在该涂层或罩上形成SAM，由此，结果可以防止在该构成部件上附着无用膜。例如，在载置被处理体的陶瓷制的载置台或金属制的处理容器的表面上形成SAM时，可以使用这种方法。另外，SAM可以通过对金属表面进行氢终端处理，而直接形成在金属表面上。
SAM可以源自OTS(Octadecyltrichlorosilane：十八烷基三氯硅烷)、DTS(Dococyltrichlorsilane：二十二烷基三氯硅烷)以及APTS(3-aminoproyltriethoxysilane：3-氨基丙基三乙氧基硅烷)的任何一个，但并不限定于此。
本发明尤其可以适用于形成难以进行干洗的上述膜的成膜装置，可以防止由反应生成物或反应副生成物构成的无用膜的堆积。
附图说明
图1为表示本发明涉及的处理装置的第一实施方式的概略截面图。
图2为表示图1所示的处理装置的处理容器内的概略平面图。
图3为用于说明SAM的作用的说明图。
图4为表示SAM的结构式的一个示例的图。
图5为表示SAM形成方法的流程图。
图6为表示本发明涉及的处理装置的第二实施方式的概略截面图。
图7为表示本发明涉及的处理装置的第三实施方式的概略截面图。
具体实施方式
以下，根据附图对本发明涉及的处理装置的实施方式进行详细说明。
第一实施方式
如图1和图2所示，单片式处理装置2具有由铝合金制成的处理容器4。处理容器4的上端具有开口，该开口上通过O形环等的密封部件8可装卸地气密地安装有由铝合金制成的顶盖6。在处理容器4的中央部为了划分出用于搬出搬入作为被处理体的半导体晶片W的搬出搬入室10，而设有向下方突出的圆筒状部分。在处理容器4内的中央部设有由陶瓷材料或者铝合金制成的载置台12，半导体晶片W被载置保持在载置台12的上面。在位于图1所示的位置的载置台12与顶盖6之间，形成有处理容器4内的处理空间S。在载置台12内埋入有加热单元例如电阻加热器14，可以对晶片W进行加热。在载置台12的周边部安装有截面呈L字形的环状石英制的引导环13。
在载置台12的背面的中心部连接有向下方伸出的由例如陶瓷材料或铝合金制成的支柱16，用于支撑载置台12。支柱16的下部贯通处理容器4的底壁，支柱16的下端与未图示的升降机构连接，可以使载置台12与支柱16一起升降。包围支柱16的周围的可伸缩的波纹管18连接在支柱16和处理容器4的底壁的支柱贯通部分上，由此，可以在维持处理容器4内的气密性的状态下容许载置台12升降移动。通过使载置台12升降，可以使载置台12相对于后述的升降销26相对地上下移动。波纹管18通过轴承部20与支柱16连接，为了既维持处理容器4内的气密性又容许该支柱16的旋转，在轴承部20设有磁性流体密封件22。
在划分有搬出搬入室10的处理容器4的侧壁上设有在搬出搬入晶片W时进行开闭的闸阀24。从划分有搬出搬入室10的处理容器4的底壁竖起有三根(图1中仅记述两个)石英制的升降销26。在载置台12上设有用于使升降销26穿过的销孔28。如果使载置台12位于下降的位置(在图1中以虚线表示)，则载置在载置台12上面的晶片W离开载置台12，被支撑在升降销26的上端，在这种状态下，通过打开的闸阀24而进入到搬出搬入室10的未图示的搬送臂可以接受晶片W。在搬入晶片W时，通过与上述相反的动作，可以将晶片W载置在载置台12上。
在处理空间S的两侧，设有用于将需要的气体导入处理空间S的气体供给单元30。具体而言，该气体供给单元30具有沿处理空间S的宽度方向延伸的由石英管制成的气体喷射管32。在气体喷射管32上设有多个气体喷射孔34。被控制流量地流过从处理容器4的外部连接在气体喷射管32上的气体流路36内的气体从气体喷射孔34沿水平方向喷出。
在划分处理空间S的处理容器4的底壁的两侧形成有在处理空间S的宽度方向延伸的排气槽38。排气槽38与排气口40连通，而且排气口40与具有图中未示的真空泵和压力控制阀的排气装置连接，能够对处理容器4内进行抽真空。
在处理空间S内，沿着划分有处理空间S的处理容器4以及顶盖6的内面，设有保护罩42。具体而言，该保护罩42由覆盖处理容器4的底壁上面的石英制的底板44，以及覆盖处理容器4的侧壁内面以及顶盖6的下面的石英制的盖状体46构成。在将处理容器4本身看作外部容器部件的情况下，可以将保护罩42看作内部容器部件。通过将顶盖6从处理容器4上拆下，可以将底板44以及盖状体46从处理容器4上拆下。另外，“石英”大致分为熔融石英与合成石英(通过火焰加水分解法制造的石英)，进一步地，熔融石英根据其制法分为氢氧熔融石英和电熔融石英，但是作为后述SAM的形成对象的石英优选高纯度杂质合成石英或者电熔融石英。
另外，在面向搬出搬入室10的处理容器4的壁的内面，即在侧壁内面以及底壁上面也设有石英制的保护罩48。而且，在载置台12的整个表面、排气槽38的整个内面以及支柱16的整个表面也分别通过石英制的保护罩50、保护罩51以及保护罩52进行覆盖。
在例示的实施方式中，在覆盖石英制的内部构造物以及非石英制的内部构造物的全部保护罩上，在石英的表面上形成由SAM构成的膜附着防止层54。具体而言，在保护罩部件42(底板44以及盖状体46)、引导环13、升降销26、气体喷射管32、保护罩部件48、50、51、52上形成有膜附着防止层54(54A、54B、54C、54D、54E、54F、54G、54H)。另外，这里所例举的部件仅是示例，在暴露于处理容器4的处理气氛中的任意石英制的部件上，都可以设置由SAM构成的膜附着防止层。由SAM构成的各膜附着防止层的厚度优选3～10nm。另外，膜附着防止层并不是一定在一个部件的整个表面上设置，尤其可以只设置在无用膜的堆积成为问题的部分。
下面，对于利用处理装置2进行的处理，以成膜处理为例进行说明。首先，在使载置台12下降的状态下，利用可以屈伸以及上下移动的未图示的搬送臂通过开放的闸阀24将未处理的半导体晶片W搬入到搬出搬入室10内，放置在升降销26上。
然后，使搬送臂退出搬出搬入室10，关闭闸阀24，气密地封闭处理容器4。接着，使载置台12上升，将升降销26上的晶片W放置在载置台12上。然后，通过电阻加热器14将晶片W升温到规定的工艺温度，并且，从气体喷射管32的各气体喷射孔34供给成膜用气体，与此同时，借助各排气槽38对处理容器4内进行抽真空，维持在规定的工艺压力。在成膜工艺中使载置台12旋转而使晶片W旋转，在晶片W的表面上堆积膜厚均一的薄膜。
在成膜工艺期间，通过由SAM构成的膜附着防止层54防止对暴露于处理气氛中的各部件的表面的无用膜的堆积。可以使清洗处理次数大幅度减少，使生产能力提高，并且可以大幅度减少装置的维修成本。这样的膜附着防止效果，不仅在如SiO2膜那样的绝缘膜、金属膜、金属氮化膜、金属氧化膜等可以利用ClF3或NF3等的清洗气体比较容易除去的膜的成膜时，而且可以在利用上述的清洗气体难以除去的HfO、HfSiO、ZrO、ZrSiO、PZT、BST等的高电介质薄膜的成膜时获得。
以下，参照图3和图4对SAM进行说明，SAM的制法以及功能例如在下述4个文献中有记载。
文献1：“Selective-area atomic layer epitaxy growth of ZnO feature onsoft lithogra phypatterned substrates”Applied Physics Letters Vol.79pp.1709-1711(2001)，(Yan el al.)
文献2：“Templated Site-Selective Deposition of Titanium Dioxide onSelf-Assembled Monolayers”Chemistry of Materials Letters Vol.14pp.1236-1241(2002)，(Masuda et al.)
文献3：“In Situ Time-Resolved X-ray Reflectivity Study ofSelf-Assembly from Solution”Langmuir pp.5980-5983(1998)，(A.G.Richteret al.)
文献4：“Journal of Vacuum Science and Technology B”Vol.21pp.1773-1776(2003)，(Kang et al.)
在文献1中记载有，在硅基板的SiO2膜所选择的区域上形成源自DTS(Docosyltrichlorosilane)的SAM(DTS-SAM)，在该硅基板上通过ALE法(Atomic Layer Epitaxy，原子成长法)形成ZnO膜(厚度～60nm)，由此，在形成有SAM的区域不形成ZnO膜，只在没有SAM的SiO2膜上形成ZnO膜。
在文献2中记载有，在硅基板的SiO2膜所选择的区域上形成源自APTS(3-aminoproyltriethoxysilane)的SAM(APTS-SAM)之后，将该硅基板浸入在添加了将H3BO3作为杂质除去剂的(NH4)2TiF6水溶液中，形成TiO2膜。这种情况下，也在形成有SAM的区域上不形成TiO2膜，而仅在没有SAM的SiO2膜上形成TiO2膜。
在文献3中记载有，源自OTS(Octadecyltrichlorosilane)的SAM(OTS-SAM)的形成方法。
在文献4中记载有，在硅基板的SiO2膜所选择的区域上形成OTS-SAM，在该硅基板上通过MOCVD法(Metal Organic Chemical VaporDeposition有机金属化学气相成长法)形成TiO2膜(厚度～60nm)，在这种情况下，在形成有SAM的区域不形成TiO2膜，只在没有SAM的SiO2膜上形成TiO2膜。
总而言之，在上述文献1、2、4中，如图3(A)所示，在形成于硅基板Si的表面的SiO2膜(石英)56上局部地存在SAM58的情况下，如果对这样的硅基板Si实施成膜处理，则如图3(B)所示，在SAM58上不形成薄膜，只在暴露的SiO2膜(石英)56上堆积薄膜(ZnO或TiO2)60。因此，通过在石英部件的表面上形成SAM，可以防止在该石英部件的表面上堆积无用的膜。
下面，参照图5对SAM的形成方法的一个示例进行具体说明。在这里，利用与文献3所记载的方法类似的方法，形成OTS-SAM。首先，将石英制部件、即应形成膜附着防止层的目标物体在SPM药液(H2SO4∶30％H2O2＝70∶30)中浸泡规定的时间、例如1个小时，除去附着在目标物体的表面的碳(S1)。
然后，利用纯水冲洗该目标物体，充分地除去残留的SPM药液(S2)。接着，在室温下浸泡在APM药液(NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5)中规定的时间、例如30分钟，除去附着在目标物体表面的颗粒(S3)。接着，利用纯水冲洗该目标物体，除去残留的APM药液(S4)。然后在室温下将目标物体浸泡在DHF药液(HF∶H2O＝1∶50)中规定的时间、例如2分钟，使石英表面的分子结构以Si-O-H为终端(S5)。然后，利用纯水冲洗目标物体，除去残留的DHF药液(S6)。
接着，利用干氮气充分除去目标物体表面的水分，然后将目标物体运送到干燥环境(含水量较少的空气气氛)中。在干燥环境下将目标物体浸泡在预先利用庚烷稀释的OTS溶液中规定时间、例如2～4天左右(S7)。另外，OTS溶液通过在干燥环境下利用庚烷(Aldrich，99％，anhydrous)将OTS(99％)稀释至OTS浓度为30％而预先制成。通过上述浸泡处理，OTS的CH3-[CH2]17-Si-Cl3中的Cl与Si-O-H的H置换，在石英制的目标物体的整个表面形成源自OTS的SAM。
然后，利用丙酮等有机溶剂从目标物体上除去没有与石英结合的OTS(S8)。执行该工序S8的原因，是由于当该目标物体暴露在氧化剂中利用水的ALD(Atomic Layered Deposition)的工艺环境下时，由于没有与石英结合的OTS与水结合，而可能产生颗粒。如果执行了残留的OTS溶液的除去，则干燥目标物体(S9)，结束SAM形成处理。
当形成利用保护罩覆盖了表面的构成部件时，可以将形成有SAM的保护罩部件安装在该构成部件上，也可以在将保护罩部件安装在构成部件的主体上之后，对该组装体实施SAM形成处理。此时，优选通过使保护罩部件暴露于气化或雾状的SAM的前驱物质中，来形成SAM。另外，SAM的形成方法并不限定于上述的利用OTS的方法，也可以利用DTS、APTS等其它的前驱物质来形成SAM。此外，在图1所示的装置中，对于面对处理容器4内的空间的所有部件，形成由SAM构成的膜附着防止层54A～54H，但是也可以只在一部分部件上形成膜附着防止层。
基于本发明形成膜附着防止层的部件可以较好地适用于用于实施任意成膜方法，例如CVD(Chemical Vapor Deposition)法、原子层成膜法(Atomic Layer Deposition：ALD)、等离子体CVD法、物理气相成长法(Physical Vapor Deposition)、溅射成膜法的成膜装置。在用于实施利用微波的等离子体CVD法的成膜装置中，有时使用由微波透射性的石英板构成的顶板、将形成有气体喷射孔的石英管组合成环状或格子状而构成的喷淋头，但是，也可以在这些石英制部件的表面上设置上述的由SAM构成的膜附着防止层。另外，基于本发明形成膜附着防止层的部件不仅限定于成膜处理装置，也可以用于等离子体蚀刻处理装置、氧化扩散处理装置、改质处理装置等的任意处理装置中，在这种情况下，可以防止处理的副生成物的堆积。另外，本发明的处理装置所处理的被处理体并不限定于半导体晶片，也可以是玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等其它种类的基板。
第二实施方式
在上述第一实施方式中，在石英制部件的表面形成SAM，但是并不限定于此，也可以在石英以外的材料、例如由铝合金或不锈钢等金属或者陶瓷构成的部件的表面上形成由SAM构成的膜附着防止层。另外，在金属制部件或者陶瓷部件的表面上形成SAM时，可以利用以下方法。
(1)利用活性氢使金属表面形成氢终端(通过H形成终端)。氢终端例如可通过以下处理条件下的等离子体处理来实施。
氢流量：10～2000sccm
压力：大气压～1Torr
温度：室温～300度
等离子体输出：500～2000W
等离子体可以是RE等离子体，也可以是微波等离子体。
实施了氢终端后，通过执行上述的步骤S7～S9，可以在金属表面上形成SAM。
(2)在金属部件或陶瓷部件的表面上形成SiO2膜。作为SiO2膜的成膜方法可以利用任意的公知的方法，例如CVD法、溅射法、溶胶-凝胶法、涂敷法。在形成SiO2膜之后，执行上述的步骤S1～S6，或者执行上述方法(1)的等离子体处理，由此，使SiO2膜表面形成H终端。然后，通过执行上述的步骤S7～S9，可以在金属部件或者陶瓷部件的表面上形成SAM。
图6表示在由石英以外的材料构成的部件表面设置有SAM的本发明的第二实施方式涉及的处理装置。在图6中，对于与图1所示的构成要素相同的构成要素赋予相同的符号，并省略重复说明。处理装置62具有铝合金制的处理容器64。在处理容器64的顶部设有铝合金制的喷淋头部66，能够向处理容器64内供给必要的气体。在处理容器64内，设有通过从圆柱形的支柱68的上端部延伸的多根支撑销70支撑的由薄陶瓷板构成的载置台72，在该载置台72上载置晶片W。
在载置台72的下方设有借助O形环等密封部件74气密地安装在处理容器62的底壁开口部的由石英板构成的透过窗76。在透过窗76的下方可旋转地设有作为加热单元的多个加热灯78。加热灯78对载置台72的背面进行加热，而间接加热晶片W。在载置台72的下方设有构成升降销机构80的一部分的石英制的升降销82。使升降销82上升的推举棒84贯通处理容器62的底壁。如果使驱动器86动作，则使推举棒84以及与其相连的升降销82升降。包围推举棒84周围的波纹管88容许推举棒84升降，并维持处理容器62内的气密性。
为了按压晶片W的周边部而将晶片W固定在载置台72上，在载置台72的周边附近设有由陶瓷材料构成的环状夹紧环90。夹紧环90与升降销82连接，与升降销82一体地上下移动。在载置台72的周围设置形成有多个气体孔92的由铝合金构成的整流板94。通过设置于整流板94下方的排气口96可以将处理容器64内的气氛抽真空。支撑载置台72的由陶瓷材料构成的环状的连接(attachment)部件98在支撑于圆筒状的支撑部件91的状态下进行设置。
在处理容器64的内壁面形成由SAM构成的膜附着防止层100A。另外，在喷淋头部66、整流板94、连接部件98、夹紧环90、载置台72以及升降销82的表面，也分别形成由SAM构成的膜附着防止层100B、100C、100D、100E、100F、100G。在第二实施方式中，也与第一实施方式同样，可以防止在部件表面堆积无用膜。
第三实施方式
上述第一以及第二实施方式涉及的处理装置是一块一块处理半导体晶片的所谓的单片式处理装置，但是并不限定于此，也可以是一次处理多块晶片的所谓的批量式处理装置。图7表示本发明第三实施方式的批量式处理装置。批量式处理装置110具有由石英构成的圆筒形处理容器112。在处理容器112的上端设有排气口114。处理容器112的下端开口，该下端开口利用由不锈钢制成的盖116通过O形环等密封部件118关闭。
在处理容器112内设有用于多层支撑晶片W的石英制的晶舟120。晶舟120借助石英制的保温筒124设置在旋转台122上。从旋转台122向下方延伸的旋转轴贯通盖116，并且该旋转轴与盖116之间被密封。盖116能够通过架晶舟升降机126升降，由此，盖116上搭载的晶舟120可以在处理容器112内进行装载或卸载。
另外，为了向处理容器112内供给必要的气体，石英制的气体喷嘴128贯通处理容器112的下部侧壁。为了对晶片W进行加热，在处理容器112的周围设有筒状的隔热材料130以及安装在其上的加热器132。在该第三实施方式的处理装置中，也分别在石英制的处理容器112的内壁面、石英制的晶舟120的表面、石英制的保温筒124的表面、石英制的气体喷嘴的表面、不锈钢制的盖部116的内侧表面等上形成由SAM构成的膜附着防止层134。但是，在图7中，为了简化附图，只记载有处理容器112的内壁面和盖部116的内侧表面上的膜附着防止层134。在这种情况下，也与第一以及第二实施方式同样，可以防止在部件表面上堆积无用膜。
另外，虽然在上述第一至第三实施方式的说明中没有叙述，但有时会在用于向处理容器内导入气体的气体导入管或者用于排出处理容器内气体的排气管的内侧实施玻璃涂层，但是，也可以在玻璃涂层的表面形成由上述SAM构成的膜附着防止层。

Claims (14)

1.一种处理装置，在能够抽真空的处理容器内对被处理体实施规定的处理，其特征在于：
具有构成所述处理装置并暴露于所述处理容器内的处理气氛的构成部件，在该构成部件的表面形成有由自组装单分子膜(SAM)构成的膜附着防止层。
2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述构成部件至少其表面由石英构成，在该石英的表面直接形成有所述膜附着防止层。
3.如权利要求2所述的处理装置，其特征在于：
所述构成部件整体由石英构成。
4.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述构成部件具有由石英以外的材料构成的主体部分和用于覆盖所述主体部分的表面的石英制的保护罩，在所述保护罩的表面形成有所述膜附着防止层。
5.如权利要求4所述的处理装置，其特征在于：
所述保护罩相对于所述主体部分能够装卸。
6.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述构成部件具有由石英以外的材料构成的主体部分和覆盖所述主体部分的涂层，在所述涂层装置的表面形成有所述膜附着防止层。
7.如权利要求6所述的处理装置，其特征在于：
所述涂层是SiO2膜。
8.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述构成部件是所述处理容器。
9.如权利要求8所述的处理装置，其特征在于：
所述处理容器为石英制，所述膜附着防止层直接形成在石英上。
10.如权利要求8所述的处理装置，其特征在于：
所述处理容器由石英以外的材料构成，在覆盖所述处理容器的内壁面的石英制的保护罩的表面形成有所述膜附着防止层。
11.如权利要求8所述的处理装置，其特征在于：
所述处理容器由石英以外的材料构成，在所述处理容器的内壁面涂敷有SiO2膜，在所述SiO2膜上形成有所述膜附着防止层。
12.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述SAM源自OTS(十八烷基三氯硅烷)、DTS(二十二烷基三氯硅烷)以及APTS(3-氨基丙基三乙氧基硅烷)的任何一个。
13.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述规定的处理为成膜处理或溅射处理。
14.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述规定的处理为形成高电介质膜、绝缘膜、金属膜、金属氮化物膜以及金属氧化物膜的任何一种的成膜处理。
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