CN103014658A - 设计加热平板作升降动作以进行硅薄膜镀膜 - Google Patents

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戴嘉男
刘幼海
刘吉人
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Jifu New Energy Technology Shanghai Co Ltd
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Abstract

本发明主要目的是设计加热平板作升降动作以进行硅薄膜镀膜。本发明加热平板的加热方式是用microheater进行加热,可让加热平板本身为均匀加热,加热平板下有一组线性马达轴承架设于腔体下,利用Port与马达之间紧密结合而成,当加热平板欲作升降时,可以由电脑界面将马达开启并作升降。其方式是当TCO玻璃与金属平板一起放入Carrier内,并传送到PECVD腔体后,其加热平板利用马达控制轴承作升降,玻璃接触加热平板,可让玻璃均匀升温,随后要制程时,加热平板可作上升动作,使玻璃与电极产生适当的间距作制程,当完成制程后,加热平板作下降动作,并让Carrier可以传出,此发明兼顾玻璃加热均匀不易翘曲与适当间距制程,可得均匀的硅薄膜,提高太阳能硅薄膜发电效率。

Description

设计加热平板作升降动作以进行硅薄膜镀膜
技术领域
    本方法是将薄膜太阳能中的技术核心PECVD的传片技术,是当TCO玻璃传入到PECVD腔体内部后,利用加热平板作升降动作,其升降动作可以将加热平板直接接触玻璃及carrier,可以将玻璃加热更均匀,此外,此升降平板可以将玻璃顶升,使玻璃其可以靠近showerhead,当showerhead将气体扩散出来后,其加热平板可以控制玻璃与电极之间的间距,进行镀膜,此加热平板除了可以将玻璃加热更加均匀之外,也可以控制间距作均匀的薄膜,可以提高太阳能硅薄膜的均匀性及效率。
背景技术
    业界对于薄膜太阳能电池中已有许多的研究,在制作核心PECVD时也有特殊的设计方式,主要是卧式以及直立式为主,当中在业界与学术界常使用的机台模组,是以卧式的设计居多,而使用卧式PECVD常会有加热不均或者是玻璃有翘曲的情况居多。故本发明是将TCO玻璃先放置于一金属平板上,并一起放入到Carrier内,当Carrier将玻璃传入到PECVD腔体内部时,其加热平板则会开始上升,并接触玻璃与金属平板,此动作除了让TCO玻璃有辐射加热外,也可以利用加热平板产生传导加热,使其TCO玻璃均匀。此外,加热平板在加热完玻璃之后,其加热平板因为可以作升降功能,可以将玻璃顶升,使其玻璃可以靠近Showerhead及电极,由于玻璃在镀膜时,除了需要气体流量、制程压力、RF产生电浆外,也需要控制其玻璃与电极的间距,此间距可以让玻璃产生均匀的电浆,故此发明加热平板可以改善卧式PECVD在制程中发生玻璃加热不均且翘曲的问题外,也可以产生均匀的电浆来制程硅薄膜,故可以提高太阳能硅薄膜镀膜的均匀性及效率。
发明内容
    本发明主要目的是设计加热平板作升降动作以进行硅薄膜镀膜。其PECVD腔体内部设有传动轮轴及真空Pump,且也有Showerhead气流孔及RF电极,此外也有最重要的是本发明加热平板,其加热平板的加热方式是用micro heater进行加热,故可以让加热平板本身为均匀加热,此外这个加热平板下有一组线性马达轴承,这个马达是架设于腔体下,利用其Port与马达之间紧密结合而成,当加热平板欲作升降时,可以由电脑界面将马达开启并作升降。其方式主要是当TCO玻璃与金属平板一起放入Carrier内,并传送到PECVD腔体后,其加热平板利用马达控制轴承作升降,由于玻璃与金属平板一起接触到加热平板,此时加热的方式有传导热及辐射热两种,可以让玻璃均匀升温,且不易有玻璃翘曲的可能,随后当要开始制程时,其加热平板可以再作上升动作,使其玻璃与电极产生一适当的间距,此间距可依制程需要来做改变,而当RF power supply开启的时后,这个间距就可以得到均匀电浆,并可进行制程,当完成制程后,其加热平板则是透过线性马达轴承作下降动作,并让Carrier可以顺利传出,此发明兼顾着玻璃加热均匀不易翘曲外,也有让玻璃与电极产生适当的间距,以便进行电浆制程,故可以达到均匀的硅薄膜,并提高整体太阳能硅薄膜发电效率。
实施方式
    兹将本发明配合附图,详细说明如下所示:请参阅第一图,为本发明设计加热平板作升降动作以进行硅薄膜镀膜,由图中可知,其加热平板1需放置于PECVD腔体内部,且与线性马达轴承2是连接一起,在线性马达轴承内部则有Micro heater 4可以作加热此平板的动作,而在加热平板的两侧则是有弹簧轴承3,此弹簧轴承可以在电脑界面控制下,将加热平板上升,因此这个加热平板有其下面功能,可以利用轴承内部的micro heater将加热平板均匀加热,可以把玻璃及金属平板作均匀的加热,此外其加热平板的弹簧轴承可以将加热平板作顶升动作,故可以让加热平板与电极之间有一适当间距,以便进行制程。
   请参阅第二图,此为本发明设计加热平板作升降动作以进行硅薄膜镀膜,由图中得知,TCO玻璃10先放置于金属平板上9,接着由滚轮5传片至PECVD腔体内部后,其加热平板1内的micro heater 4就会开始加热,让玻璃可以均匀加热,此方式可以让玻璃作均匀加热,并且可以让玻璃不易翘曲,随后待玻璃加热完毕后,其加热平板开始顶升玻璃,其顶升的方式则是弹簧轴承3开始作动,让加热平板开始上升,并且顶升玻璃之后,让玻璃与showerhead 11有一洽当的间距,随后Pump 7抽气情况下,让气体从气流孔12,开始通气,并由showerhead扩散至腔体内部,并在蝶阀8作动下,开始进行控压,并且由RF Power supply 13开启电浆,并进行制程,待制程结束后,Pump抽至底压,接着Slit valve 6开启将玻璃传出,即完成制程,本发明的加热平板,其可以透过micro heater作加热平板的加热,可以让玻璃作传导热以及辐射热,让玻璃达到均温的效果,此外,也可以藉由加热平板的顶升作用,让玻璃与showerhead间距达到适当距离,可以依制程需求来调整间距,并能够得到均匀的电浆,此为本发明的最主要目的,并能够得到均匀的硅薄膜,以提高太阳能硅薄膜的发电效率。
以上说明,对本发明而言只是说明性的,非限制性的,本领域普通技术人员理解,在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下,可作出许多修正、变化或等效,但都将落入本发明的保护范围之内。
附图说明:下面是结合附图和实施例对本发明进一步说明,第一图是本发明之加热平板示意图,第二图是本发明之PECVD制程示意图, 主要元件符号说明:1 …加热平板2 …线性马达轴承3…弹簧轴承4 …Micro heater5 …滚轮6…Slit valve7…抽气Pump8…蝶阀9…金属平板10…TCO玻璃11…Showerhead12…气流孔13…RF power supply。

Claims (5)

1.一种设计加热平板作升降动作以进行硅薄膜镀膜,其PECVD腔体内部设有传动轮轴及真空Pump,且也有Showerhead气流孔及RF电极,此外也有最重要的是本发明加热平板,其加热平板的加热方式是用micro heater进行加热,故可以让加热平板本身为均匀加热,此外这个加热平板下有一组线性马达轴承,这个马达是架设于腔体下,利用其Port与马达之间紧密结合而成,当加热平板欲作升降时,可以由电脑界面将马达开启并作升降,其方式主要是当TCO玻璃与金属平板一起放入Carrier内,并传送到PECVD腔体后,其加热平板利用马达控制轴承作升降,由于玻璃与金属平板一起接触到加热平板,此时加热的方式有传导热及辐射热两种,可以让玻璃均匀升温,且不易有玻璃翘曲的可能,随后当要开始制程时,其加热平板可以再作上升动作,使其玻璃与电极产生一适当的间距,此间距可依制程需要来做改变,而当RF power supply开启的时后,这个间距就可以得到均匀电浆,并可进行制程,当完成制程后,其加热平板则是透过线性马达轴承作下降动作,并让Carrier可以顺利传出,此发明兼顾着玻璃加热均匀不易翘曲外,也有让玻璃与电极产生适当的间距,以便进行电浆制程,故可以达到均匀的硅薄膜,并提高整体太阳能硅薄膜发电效率。
2.根据权利要求1所述的一种计加热平板作升降动作以进行硅薄膜镀膜,其加热平板内设有线性马达轴承,此线性马达轴承与腔体port是紧闭一起,故不会造成腔体在抽真空时有漏气的可能,并可以达到腔体内部真空值。
3.  根据权利要求1所述的一种计加热平板作升降动作以进行硅薄膜镀膜,其加热平板内部所设计的线性马达轴承,其内部有一组micro heater,其可以针对加热平板进行加热,且其micro heater是为传导热,故加热平板在加热恰当时间后,其温度为均匀,故可以当玻璃与金属平板加热时,可以让玻璃达到均匀的加热,以便能够进行制程。
4.  根据权利要求1所述的计加热平板作升降动作以进行硅薄膜镀膜,其加热平板两侧设有弹簧轴承,其弹簧轴承可以透过电脑界面作升降的动作,此升降动作主要是要让加热平板作升降,可以将玻璃顶升到离电极有一适当的间距,可以依制程需求来作调整,并可以当RF power supply开启时得到均匀的电浆,以便进行硅薄膜镀膜。
5.  根据权利要求1所述的计加热平板作升降动作以进行硅薄膜镀膜,其玻璃在加热平板顶升后,其加热平板与金属平板及玻璃接触,故玻璃不会有翘曲状况,且在镀膜时,因有一固定间距,故气流孔流入气体到showerhead后,扩散到腔体内部,此时固定的间距可以让RF power supply开启电浆,并且可以得到均匀电浆进行镀膜,完成后,此加热平板可以作下降动作,并让玻璃可以传出到出口端破真空,来完成制程,本发明的设计,可以让玻璃有一均匀的加热,且可以有一恰当的电极间距,故能够得到均匀的硅薄膜,并且可以提高太阳能硅薄膜电池的发电效率。
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WO2007116940A1 (ja) * 2006-04-05 2007-10-18 Tokyo Electron Limited 処理装置
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