CN105261670B - 晶体硅电池的低压扩散工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种晶体硅电池的低压扩散工艺，包括以下步骤：(1)扩散前高温氧化；(2)低压扩散：采用分步扩散法制备PN结；(3)退火：改变内部压强以便于去除杂质。该低压扩散工艺能提高扩散片间均匀性，降低炉口温区温度，即提高扩散管各温区温度一致性、解决扩散炉炉口方阻大幅度波动问题、提高真空泵使用寿命、降低扩散工序生产成本。

Description

晶体硅电池的低压扩散工艺
技术领域
本发明属于晶体硅电池的制备工艺中的扩散加工领域，具体涉及一种能够提高低压扩散炉扩散片间均匀性和电池性能稳定性的扩散工艺。
背景技术
在晶体硅电池产业化方面，通常采用高温扩散法制备PN结，而产业化制备片间、片内均匀性好的高方阻发射极是提高电池转换效率和电性能稳定性的重要途径，不仅可从整体上提高扩散工艺优化空间，而且可降低电池效率分档数量。随着高方阻浆料不断开发成功过，提高发射极的方块电阻值大小、掺杂浓度纵向分布一致性及片间均匀性已成为提高电池产业化竞争力的重要手段。
目前主要以常压高温扩散方式制备PN结，但常压下气体分子自由程较小，各区域硅片接触磷源几率差距较大，无法保证片内及片间均匀性及PN结纵向掺杂浓度的一致性，从而影响PN结深度和电性能的一致性。
初期低压扩散技术主要用于半导体芯片产业，目前国际知名Centrotherm和SEMCO等公司陆续推出针对晶体硅电池的低压扩散炉。根据流体力学理论分析，压强越小，气体分子自由程越大，而且气流场稳定性越好，这样扩散管内各位置硅片及其各区域接触气体分子几率一致性越好，即利于提高片内、片间均匀性。
采用三氯氧磷(POCl3)为液态源，利用真空泵抽真空，在低气压条件下进行高温扩散制备PN结，方阻值大小、掺杂纵向浓度分布一致性和片内、片间均匀性是低压扩散炉扩散特性最主要表征手段。传统低压扩散工艺，由于磷源固定从尾部送气，依靠大氮携带通过整个炉管到达炉口，管口通过真空泵抽真空达到低气压状态，不可避免的导致磷源浓度一端浓度高、另一端浓度低的现象，即炉口磷源分布偏低，这样易造成导致片间扩散方阻大小不均匀。由于扩散磷源流量和低气压值大小直接决定炉口、炉尾磷源浓度差大小，可通过降低气压改善炉口和炉尾磷源浓度差。但是气压值越小，对真空泵要求越苛刻，会降低真空泵的使用寿命。若单纯采用温度补偿方式解决整管片间扩散方阻大小均匀性问题，由于磷源浓度较低，管口温度通常比管尾高20℃以上，从炉尾到炉口温度呈现梯度式分布导致了炉管内热量的扰动，很难提高片间扩散掺杂纵向浓度分布一致性，使得硅片内掺杂均匀性受到严重制约，不利于电池后续工艺的改进。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种提高扩散片间均匀性，降低炉口温区温度，即提高扩散管各温区温度一致性、解决扩散炉炉口方阻大幅度波动问题、提高真空泵使用寿命、降低扩散工序生产成本的低压扩散工艺。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
一种晶体硅电池的低压扩散工艺，包括以下步骤：
(1)扩散前高温氧化：高温氧化硅片，在硅片表面预生长一层纳米级厚度的SiO2；
(2)低压扩散：采用分步扩散法制备PN结，具体扩散步骤如下：
(2.1)低压预扩散，工艺参数为：炉内压强为50mbar～100mbar，扩散温度为750℃～780℃；扩散时间为100sec～200sec；大氮流量为10000ml/min～15000ml/min；小氮流量为500ml/min～700ml/min；氧气流量为500ml/min～2000ml/min；
(2.2)升温推进，工艺参数为：升压至1000mbar，温度升至800℃～820℃，推进时间为300sec～600sec，大氮流量为1000ml/min～10000ml/min，小氮流量0ml/min，氧气流量0ml/min；
(2.3)低压扩散，工艺参数为：抽低压至250mbar～600mbar后开始低压扩散，扩散温度为800℃～820℃；扩散时间为300sec～600sec，大氮流量为2000ml/min～3000ml/min；氧气流量为100ml/min～300ml/min；小氮流量为100ml/min～200ml/min；
(3)退火：进行退火以修复晶格并排除杂质。
上述的晶体硅电池的低压扩散工艺，优选的，所述步骤(1)中，在恒温恒压条件下进行高温氧化，工艺参数为：压强为50mbar～120mbar；氧化温度为760℃～780℃；氧化时间为120sec～240sec；大氮流量为10000ml/min～15000ml/min；氧气流量为500ml/min～1000ml/min。
上述的晶体硅电池的低压扩散工艺，优选的，所述步骤(3)的工艺参数为：退火温度550℃～700℃，退火时间为600sec～3000sec，退火过程中，炉内压强从1000mbar降至300mbar，再从300mbar升为1000mbar。
上述的晶体硅电池的低压扩散工艺，优选的，所述步骤(2)中，所述氧气为干氧。
上述的晶体硅电池的低压扩散工艺，优选的，所述硅片的片间距为1.0～2.0mm，扩散后所得硅片的方阻值为90～150Ω/□，扩散后硅片的片间方阻不均匀度为3％以内，扩散管炉口和炉尾温区温度差值不超过10℃；
上述的晶体硅电池的低压扩散工艺，优选的，所述硅片为P型多晶硅片，所述P型多晶硅片的电阻率为1Ω·cm～3Ω·cm，厚度为100μm～200μm。
上述小氮即为携源氮气，大氮即为氮气，干氧即为干燥的氧气。
下面结合原理及优点对本发明作进一步说明：
1、本发明的低压扩散工艺，利用两步扩散方式，通过调节扩散各反应气体流量和气压值调节气流量，达到提高片间扩散方阻值均匀性和纵向掺杂浓度分布一致性的目的。展开来说，本发明工艺中两步扩散步骤分为两步进行：第一步，低压预扩散，气流量较大(主要是大氮)，气压值较低，扩散磷源主要集中在管口，在管口区域硅片表面生成一层浓度相对较多的非活性磷源；第二步，升温推进，促进磷源的分解和PN结向硅内的推进，第三步，低压扩散，气流量较小，气压值相对较大，气体流速相对较慢，扩散磷源主要集中在炉尾和炉中间区域，炉口相对较少，与第一步的预扩散形成了很好的补偿，从而达到了平衡各温区温度、提高片间扩散方阻值均匀性和纵向掺杂浓度分布一致性的目的。同时也降低了扩散工序生产成本，且降低了对真空泵性能要求，利于提高其寿命。
2、扩散前抽成低气压进行高温氧化，可提高氧气和各位置硅片接触几率，达到降低氧气流量目的。扩散前在硅片表面生长一薄层SiO2,薄层对P原子的推进有一定的阻挡调控作用，从而达到提高扩散方阻均匀性的目的，同时可以阻止扩散磷源在表面形成死层目的。
3、扩散后退火，可达到终止PN结继续推进和激活扩散掺杂磷原子的目的，同时起到晶格修复、退火吸杂排杂作用，对于扩散掺杂PN结质量的提高起到积极作用。
4、本发明的高均匀性低压扩散工艺，基于低压扩散炉，对原有低压扩散工艺进行大幅度变革，打破了传统低压扩散工艺磷源在炉口与炉尾的差异化分布带来的弊端，通过前后两次扩散实现磷源分布的补偿，从而在扩散炉各温区温度一致的条件下达到了提高片间扩散方阻值均匀性和纵向掺杂浓度分布一致性的目的。本发明扩散工艺是通过实际扩散实验演示出来的，通过重复实验初步取得一定成果。在不改变原低压扩散硅片间距的情况下，相比常规低压扩散工艺，小氮流量减少10％，扩散工艺时间减少10min，方块电阻控制在120Ω/□左右，片间不均匀度可达到2.5％以内。和常规低压扩散片间方阻不均匀度(计算方法：不均匀度＝(最大值-最小值)/(最大值+最小值)×100％)对比结果如表1和表2所示：
表1：常规低压扩散工艺片间方阻特性表
表2：本发明的低压扩散工艺片间方阻特性表征
炉口 位置2 位置3 位置4 位置5 炉尾 不均匀
方阻 方阻 方阻 方阻 方阻 方阻 度(％)
1 119 115 118 119 118 116 1.7％
2 122 118 119 118 116 120 2.5％
3 120 117 115 116 119 119 2.1％
可见，和传统低压扩散工艺相比，本工艺可有效提高扩散片间均匀性，解决扩散炉炉口方阻大幅度波动问题，而且可有效降低炉口温区温度，即提高扩散管各温区温度一致性，在电性能角度提高扩散掺杂PN结纵向浓度分布一致性，有利于提高电池性能稳定性。本发明的扩散工艺应用于常规低压扩散炉，与设备匹配性好，可大幅度提高量产电池性能稳定性，即降低电池分选等级，而且可以降低对扩散真空泵功率要求，提高真空泵使用寿命，利于实现高性价比产业化生产。可最大限度提高扩散炉产能和电池性能稳定性，以降低扩散工序生产成本，达到提高产业化电池性价比的目的。
5、本发明低压扩散工艺制备的方块电阻值大，扩散形成的PN结深较浅，整管磷源分布均匀，不需要通过温度补偿方式降低炉口方阻值，扩散掺杂纵向浓度分布一致性好。这样前表面不易形成扩散掺杂非活性死层，光生载流子复合速率小。而且扩散片间均匀性好，即扩散PN结电性能均匀度高，按照常规工艺清洗后镀SiNx减反射膜，再印刷高方阻浆料烧结形成电池，降低后续电池制备工艺优化难度。
总之，本发明的低压扩散工艺采用浅结高方阻工艺技术路线，适用于低压扩散炉。对原有低压扩散工艺进行革命性的改进，打破了传统低压扩散工艺磷源在炉口与炉尾的差异化分布带来的弊端，通过前后两次扩散实现磷源分布的补偿，整个扩散工艺保证在扩散炉各温区温度一致的条件下完成，避免了扩散炉温区间的横向热扰动。该扩散工艺可提高每管扩散片间方阻值均匀性，降低各温区温度差，从而提高方阻值和扩散掺杂纵向浓度分布一致性，利于产业化生产电池制备工艺改进和电池成品率的提高；相比常规低压扩散工艺，该整体扩散过程气压值相对较高，有利于降低对真空泵性能要求，即可提高其使用寿命，降低扩散炉维护成本，且气流量相对用量更少，降低了扩散工序生产成本，该扩散工艺从整体上提高了电池产业化生产性价比。
具体实施方式
以下结合具体优选的实施例对本发明作进一步描述，但并不因此而限制本发明的保护范围。
以下实施例和对比例中所采用的扩散炉选用中国电子科技集团公司第48研究所的低压扩散炉，有五个加热器，分为五个温区。
实施例1：
一种本发明的低压扩散工艺，包括以下步骤：
(1)扩散前高温氧化：炉口关闭后，抽气至设定低压并高温氧化，在硅片表面预生长纳米级厚度SiO2；
具体的四步工艺步骤如表3所示：
表3：扩散前四步工艺参数表
(2)低压扩散：采用分步扩散方式，达到降低各温区温度差、提高片间扩散方阻值均匀性和纵向掺杂浓度分布一致性、降低扩散工序生产成本和降低对真空泵性能要求的目的。
具体扩散步骤如下：
第一步为低压预扩散，气流量较大，气压值较低，扩散磷源主要集中在管口，在管口区域硅片表面生成一层浓度相对较多的非活性磷源；扩散温度维持在较低水平，反应速率很慢，实现预扩散。
第二步升温扩散，促进磷源的分解和向硅内的扩散，同时增加表面磷源浓度。
第三步低压扩散，起到增加p-n结深度和优化表面掺杂浓度的作用。气流量较小，气压值相对较大，气体流速相对较慢，扩散磷源主要集中在炉尾和炉中间区域，炉口相对较少，从而达到了各温区温度设定一致、提高片间扩散方阻值均匀性和纵向掺杂浓度分布一致性的目的。同时也降低了扩散工序生产成本，且降低了对真空泵性能要求，利于提高其寿命。
三步的扩散工艺参数如表4：
表4：三步扩散工艺参数表
(3)退火：改变内部压强以便于除去杂质。
退火过程时间较长，扩散后设定退火温度不变，退火过程中多次改变内部压强，具体退火工艺参数如表5所示：
表5：退火工艺参数表
采用上述高均匀性低压扩散工艺制备多晶硅片PN结，通过重复实验的扩散方阻特性见上述表2，经后续相同工艺制备10000片多晶硅电池，和产线常规低压扩散电池平均电性能对比如表6：
表6本发明低压扩散工艺、传统低压扩散工艺制备的电池平均电性能对比表
按照电池效率进行分档，具体分档结果(各档比例)如表7所示：
表7本发明低压扩散工艺、传统低压扩散工艺制备的电池效率分档结果对比表
以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例。凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应该指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下的改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种晶体硅电池的低压扩散工艺，包括以下步骤：
（1）扩散前高温氧化：高温氧化硅片，在硅片表面预生长一层纳米级厚度的SiO2；
（2）低压扩散：采用分步扩散法制备PN结，具体扩散步骤如下：
（2.1）低压预扩散，工艺参数为：炉内压强为50mbar～100mbar，扩散温度为750℃～780℃；扩散时间为100sec～200sec；大氮流量为10000ml/min～15000ml/min；小氮流量为500ml/min～700ml/min；氧气流量为500ml/min～2000ml/min；
（2.2）升温推进，工艺参数为：升压至1000mbar，温度升至800℃～820℃，推进时间为300sec～600sec，大氮流量为1000ml/min～10000ml/min，小氮流量0ml/min，氧气流量0ml/min；
（2.3）低压扩散，工艺参数为：抽低压至250mbar～600mbar后开始低压扩散，扩散温度为800℃～820℃；扩散时间为300sec～600sec，大氮流量为2000ml/min～3000ml/min；氧气流量为100ml/min～300ml/min；小氮流量为100ml/min～200ml/min；
（3）退火：进行退火以修复晶格并排除杂质；所述步骤（3）的工艺参数为：退火温度550℃～700℃，退火时间为600sec～3000sec，退火过程中，炉内压强从1000mbar降至300mbar，再从300mbar 升为1000mbar。
2.根据权利要求1所述的晶体硅电池的低压扩散工艺，其特征在于，所述步骤（1）中，在恒温恒压条件下进行高温氧化，工艺参数为：压强为50mbar～120mbar；氧化温度为760℃～780℃；氧化时间为120 sec～240sec；大氮流量为10000 ml/min～15000ml/min；氧气流量为500 ml/min～1000 ml/min。
3.根据权利要求1或2所述的晶体硅电池的低压扩散工艺，其特征在于，所述步骤（2）中，所述氧气为干氧。
4.根据权利要求1或2所述的晶体硅电池的低压扩散工艺，其特征在于，所述硅片的片间距为1.0～2.0mm，扩散后所得硅片的方阻值为90～150Ω/□，扩散后硅片的片间方阻不均匀度为3%以内，扩散管炉口和炉尾温区温度差值不超过10℃。
5.如权利要求1或2所述的晶体硅电池的低压扩散工艺，其特征在于，所述硅片为P型多晶硅片，所述P型多晶硅片的电阻率为1Ω·cm～3Ω·cm，厚度为100μm～200μm。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105780127B (zh) * 2016-04-05 2018-08-07 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法
CN106206267A (zh) * 2016-07-26 2016-12-07 润峰电力有限公司 一种晶体硅片高方阻扩散方法
CN106206847B (zh) * 2016-08-10 2017-12-19 横店集团东磁股份有限公司 一种基于低压扩散炉的超低浓度POCl3高温扩散方法
CN106449874B (zh) * 2016-09-30 2017-10-27 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种密舟多晶硅太阳能电池的扩散工艺
CN106449382A (zh) * 2016-12-26 2017-02-22 株洲中车时代电气股份有限公司 一种改善igbt磷扩散均匀性的方法
CN109308996B (zh) * 2017-07-26 2021-02-05 天津环鑫科技发展有限公司 一种硅片一次负压扩散工艺
CN107437573A (zh) * 2017-07-28 2017-12-05 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池硅片的扩散方法、管式扩散炉、太阳能电池
CN107507887B (zh) * 2017-08-25 2019-09-20 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种控制掺杂曲线一致性的方法
CN109427928B (zh) * 2017-09-04 2021-06-01 通威太阳能（成都）有限公司 太阳能电池片无氧退火工艺
CN109427920A (zh) * 2017-09-04 2019-03-05 通威太阳能（成都）有限公司 一种perc无网结印刷单晶太阳能电池片的制备方法
CN107681022A (zh) * 2017-09-29 2018-02-09 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 一种晶体硅小绒面结构低压氧化工艺
CN107946402B (zh) * 2017-10-09 2020-08-04 东莞南玻光伏科技有限公司 太阳能电池片扩散方法
CN107785458A (zh) * 2017-10-16 2018-03-09 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺
CN108110088B (zh) * 2017-12-21 2020-11-10 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 太阳能电池的低压扩散工艺及利用其制备得到的太阳能电池
CN108321255B (zh) * 2018-02-28 2020-04-24 无锡尚德太阳能电力有限公司 应用于多晶黑硅太阳能电池的低压扩散工艺
CN108598216B (zh) * 2018-04-25 2019-07-26 通威太阳能（合肥）有限公司 一种提高光电转换效率的变温变压扩散工艺
CN108648996A (zh) * 2018-05-03 2018-10-12 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种降低浮栅方块电阻的方法
CN109103081A (zh) * 2018-07-02 2018-12-28 浙江启鑫新能源科技股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺
CN109285766B (zh) * 2018-09-27 2020-09-04 嘉兴金瑞光伏科技有限公司 低压扩散炉低压扩散工艺
CN109873042B (zh) * 2019-03-28 2020-09-25 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 一种适用于选择发射极太阳能电池扩散工艺
CN110993722A (zh) * 2019-10-12 2020-04-10 开封大学 一种晶体硅太阳电池的硼扩散背钝化工艺
CN110931597A (zh) * 2019-11-12 2020-03-27 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种降低perc太阳能电池电致衰减的扩散工艺
CN110828584A (zh) * 2019-11-14 2020-02-21 通威太阳能（成都）有限公司 一种p型局部背表面场钝化双面太阳电池及其制备工艺
CN111293191A (zh) * 2020-02-20 2020-06-16 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种太阳能电池的硼扩散方法及太阳能电池的制造方法
CN111524797A (zh) * 2020-04-26 2020-08-11 泰州中来光电科技有限公司 一种选择性发射极的制备方法
CN113284794B (zh) * 2021-02-25 2023-03-24 宁夏隆基乐叶科技有限公司 一种硅基底的掺杂方法、太阳能电池及其制作方法
CN113193082A (zh) * 2021-04-29 2021-07-30 常州顺风太阳能科技有限公司 一种TOPCon太阳能电池的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103618019A (zh) * 2013-08-13 2014-03-05 苏州盛康光伏科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池片扩散方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2959351B1 (fr) * 2010-04-26 2013-11-08 Photowatt Int Procede de preparation d’une structure de type n+pp+ ou de type p+nn+ sur plaques de silicium

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103618019A (zh) * 2013-08-13 2014-03-05 苏州盛康光伏科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池片扩散方法

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