CN109285766B - 低压扩散炉低压扩散工艺 - Google Patents
低压扩散炉低压扩散工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109285766B CN109285766B CN201811131609.7A CN201811131609A CN109285766B CN 109285766 B CN109285766 B CN 109285766B CN 201811131609 A CN201811131609 A CN 201811131609A CN 109285766 B CN109285766 B CN 109285766B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- continuously introducing
- low
- pressure
- temperature
- furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 79
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 228
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 111
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 44
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 14
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1864—Annealing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种低压扩散炉低压扩散工艺，包括以下步骤。步骤S1：将已制绒的待处理硅片匀速推入低压扩散炉，在持续通入大氮的同时将低压扩散炉内的第一至第五温度区域升温至第一预定温度。步骤S2：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空。步骤S3：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入大氮。步骤S4：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空。本发明公开的低压扩散炉低压扩散工艺，其有益效果在于，通过巧妙设置恒压、扩散、升降温等工段，提高待处理硅片的加工质量和加工效率，同时减少废片比例。
Description
技术领域
本发明属于硅片制备技术领域，具体涉及一种低压扩散炉低压扩散工艺。
背景技术
在制备硅晶片时，原料硅片需经历上料、水洗、下料、甩干等一系列工序。值得注意的是，为确保硅晶片制备精度和制备质量，原料硅片从上料开始，需严格根据各工序的工艺参数等相关规定执行。然而，在生产实践中发现，现有的常压扩散工艺存在缺陷，例如存在废片比例较高、光电转换效率待改善等。
发明内容
本发明针对现有技术的状况，克服上述缺陷，提供一种低压扩散炉低压扩散工艺。
本发明采用以下技术方案，所述低压扩散炉低压扩散工艺包括以下步骤：
步骤S1：将已制绒的待处理硅片匀速推入低压扩散炉，在持续通入大氮的同时将低压扩散炉内的第一至第五温度区域升温至第一预定温度；
步骤S2：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；
步骤S3：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入大氮；
步骤S4：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；
步骤S5：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气和大氮；
步骤S6：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气、大氮和小氮；
步骤S7：将低压扩散炉的第一至第五温度区域升温至第二预定温度的同时持续通入氧气、大氮和小氮；
步骤S8：维持第一至第五温度区域在第二预定温度的同时持续通入大氮；
步骤S9：将低压扩散炉的第一至第五温度区域降温至第三预定温度的同时持续通入氧气和大氮；
步骤S10：将低压扩散炉的第一至第五温度区域升温至第四预定温度的同时持续通入大氮；
步骤S11：将低压扩散炉的第一至第五温度区域降温至第三预定温度的同时持续通入大氮，同时将待处理硅片匀速推出低压扩散炉。
根据上述技术方案，上述第一预定温度为：第一至第五温度区域依次是815℃、800℃、800℃、800℃、800℃；
上述第二预定温度为：第一至第五温度区域依次是915℃、868℃、908℃、908℃、849℃；
上述第三预定温度为：第一至第五温度区域依次是790℃、790℃、790℃、790℃、790℃；
上述第四预定温度为：第一至第五温度区域依次是800℃、800℃、800℃、800℃、800℃。
根据上述技术方案，步骤S1中，持续通入大氮的流量为5000sscm；
步骤S3中，持续通入大氮的流量为2000sscm；
步骤S5中，持续通入氧气的流量为500sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm；
步骤S6中，持续通入氧气的流量为300sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm，持续通入小氮的流量为120sscm；
步骤S7中，持续通入氧气的流量为300sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm，持续通入小氮的流量为120sscm；
步骤S8中，持续通入大氮的流量为1400sscm；
步骤S10中，持续通入大氮的流量为19000sscm；
步骤S11中，持续通入大氮的流量为6000sscm。
根据上述技术方案，步骤S1中，持续通入大氮的时间为940s；
步骤S2中，抽取真空的时间为400s；
步骤S3中，持续通入大氮的时间为400s；
步骤S4中，抽取真空的时间为100s；
步骤S5中，持续通入氧气和大氮的时间为100s；
步骤S7中持续通入氧气、大氮和小氮的时间为300s；
步骤S8中，持续通入大氮的时间为600s；
步骤S10中，持续通入大氮的时间为250s；
步骤S11中，持续通入大氮的时间为940s。
根据上述技术方案，步骤S1中，炉内压强为1030mbar；
步骤S2中，炉内压强为120mbar；
步骤S3中，炉内压强为120mbar；
步骤S4中，炉内压强为120mbar；
步骤S5中，炉内压强为120mbar；
步骤S6中，炉内压强为120mbar；
步骤S7中，炉内压强为120mbar；
步骤S8中，炉内压强为120mbar；
步骤S10中，炉内压强为1030mbar；
步骤S11中，炉内压强为1030mbar。
根据上述技术方案，在步骤S1之前，还进一步包括步骤S0：
步骤S0：向低压扩散炉持续通入大氮，以净化低压扩散炉内的含杂气体。
根据上述技术方案，步骤S0中，持续通入大氮的流量为11000sscm
步骤S0中，持续通入大氮的时间为50s；
步骤S0中，炉内压强为1030mbar。
根据上述技术方案，步骤S9中，持续通入氧气和大氮分为两个阶段：
第一阶段：持续通入氧气的流量为800sscm，持续通入大氮的流量为1100sscm；
第一阶段：持续通入氧气和大氮的时间为400s；
第二阶段：持续通入氧气的流量为950sscm，持续通入大氮的流量为1100sscm；
第二阶段：持续通入氧气和大氮的时间为700s。
根据上述技术方案，步骤S9的第一阶段中，炉内压强为100mbar；
步骤S9的第二阶段中，炉内压强为500mbar。
本发明公开的低压扩散炉低压扩散工艺，其有益效果在于，通过巧妙设置恒压、扩散、升降温等工段，提高待处理硅片的加工质量和加工效率，同时减少废片比例。
具体实施方式
本发明公开了一种低压扩散炉低压扩散工艺，下面结合优选实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。
优选地，所述低压扩散炉低压扩散工艺包括以下步骤：
步骤S1：将已制绒的待处理硅片匀速推入低压扩散炉，在持续通入大氮的同时将低压扩散炉内的第一至第五温度区域升温至第一预定温度；
步骤S2：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；
步骤S3：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入大氮；
步骤S4：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；
步骤S5：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气和大氮；
步骤S6：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气、大氮和小氮；
步骤S7：将低压扩散炉的第一至第五温度区域升温至第二预定温度的同时持续通入氧气、大氮和小氮；
步骤S8：维持第一至第五温度区域在第二预定温度的同时持续通入大氮；
步骤S9：将低压扩散炉的第一至第五温度区域降温至第三预定温度的同时持续通入氧气和大氮；
步骤S10：将低压扩散炉的第一至第五温度区域升温至第四预定温度的同时持续通入大氮；
步骤S11：将低压扩散炉的第一至第五温度区域降温至第三预定温度的同时持续通入大氮，同时将待处理硅片匀速推出低压扩散炉。
其中，上述第一预定温度为：第一至第五温度区域依次是815℃、800℃、800℃、800℃、800℃。
其中，上述第二预定温度为：第一至第五温度区域依次是915℃、868℃、908℃、908℃、849℃。
其中，上述第三预定温度为：第一至第五温度区域依次是790℃、790℃、790℃、790℃、790℃。
其中，上述第四预定温度为：第一至第五温度区域依次是800℃、800℃、800℃、800℃、800℃。
进一步地，在步骤S1之前，还进一步包括步骤S0：
步骤S0：向低压扩散炉持续通入大氮，以净化低压扩散炉内的含杂气体。
其中，步骤S0中，持续通入大氮的流量为11000sscm。
其中，步骤S0中，持续通入大氮的时间为50s。
其中，步骤S0中，炉内压强为1030mbar。
其中，步骤S1中，持续通入大氮的流量为5000sscm。
其中，步骤S1中，持续通入大氮的时间为940s。
其中，步骤S1中，炉内压强为1030mbar。
其中，步骤S2中，抽取真空的时间为400s。
其中，步骤S2中，炉内压强为120mbar。
其中，步骤S3中，持续通入大氮的流量为2000sscm。
其中，步骤S3中，持续通入大氮的时间为400s。
其中，步骤S3中，炉内压强为120mbar。
其中，步骤S4中，抽取真空的时间为100s。
其中，步骤S4中，炉内压强为120mbar。
其中，步骤S5中，持续通入氧气的流量为500sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm。
其中，步骤S5中，持续通入氧气和大氮的时间为100s。
其中，步骤S5中，炉内压强为120mbar。
其中，步骤S6中，持续通入氧气的流量为300sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm，持续通入小氮的流量为120sscm。
其中，步骤S6中，炉内压强为120mbar。
其中，步骤S7中，持续通入氧气的流量为300sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm，持续通入小氮的流量为120sscm。
其中，步骤S7中持续通入氧气、大氮和小氮的时间为300s。
其中，步骤S7中，炉内压强为120mbar。
其中，步骤S8中，持续通入大氮的流量为1400sscm。
其中，步骤S8中，持续通入大氮的时间为600s。
其中，步骤S8中，炉内压强为120mbar。
进一步地，步骤S9中，持续通入氧气和大氮分为两个阶段：
第一阶段：持续通入氧气的流量为800sscm，持续通入大氮的流量为1100sscm；
第一阶段：持续通入氧气和大氮的时间为400s；
第二阶段：持续通入氧气的流量为950sscm，持续通入大氮的流量为1100sscm；
第二阶段：持续通入氧气和大氮的时间为700s。
其中，步骤S9的第一阶段中，炉内压强为100mbar。
其中，步骤S9的第二阶段中，炉内压强为500mbar。
其中，步骤S10中，持续通入大氮的流量为19000sscm。
其中，步骤S10中，持续通入大氮的时间为250s。
其中，步骤S10中，炉内压强为1030mbar。
其中，步骤S11中，持续通入大氮的流量为6000sscm。
其中，步骤S11中，持续通入大氮的时间为940s。
其中，步骤S11中，炉内压强为1030mbar。
进一步地，在步骤S3和步骤S4之间，还包括检漏步骤，上述检漏步骤用于检查低压扩散炉是否存在泄露现象。
其中，检漏步骤中，炉内压强为1030mbar。
值得一提的是，本发明专利申请涉及的“大氮”定位为纯氮气，本发明专利申请涉及的“小氮”定位为携带磷源氮气，本发明专利申请涉及的“氧气”为干氧气。
对于本领域的技术人员而言，依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：将已制绒的待处理硅片匀速推入低压扩散炉，在持续通入大氮的同时将低压扩散炉内的第一至第五温度区域升温至第一预定温度；
步骤S2：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；
步骤S3：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入大氮；
步骤S4：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时将低压扩散炉抽空至真空；
步骤S5：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气和大氮；
步骤S6：维持第一至第五温度区域在第一预定温度的同时持续通入氧气、大氮和小氮；
步骤S7：将低压扩散炉的第一至第五温度区域升温至第二预定温度的同时持续通入氧气、大氮和小氮；
步骤S8：维持第一至第五温度区域在第二预定温度的同时持续通入大氮；
步骤S9：将低压扩散炉的第一至第五温度区域降温至第三预定温度的同时持续通入氧气和大氮；
步骤S10：将低压扩散炉的第一至第五温度区域升温至第四预定温度的同时持续通入大氮；
步骤S11：将低压扩散炉的第一至第五温度区域降温至第三预定温度的同时持续通入大氮，同时将待处理硅片匀速推出低压扩散炉；
上述第一预定温度为：第一至第五温度区域依次是815℃、800℃、800℃、800℃、800℃；
上述第二预定温度为：第一至第五温度区域依次是915℃、868℃、908℃、908℃、849℃。
2.根据权利要求1所述的低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于：
上述第三预定温度为：第一至第五温度区域依次是790℃、790℃、790℃、790℃、790℃；
上述第四预定温度为：第一至第五温度区域依次是800℃、800℃、800℃、800℃、800℃。
3.根据权利要求1或者2中任一权利要求所述的低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于：
步骤S1中，持续通入大氮的流量为5000sscm；
步骤S3中，持续通入大氮的流量为2000sscm；
步骤S5中，持续通入氧气的流量为500sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm；
步骤S6中，持续通入氧气的流量为300sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm，持续通入小氮的流量为120sscm；
步骤S7中，持续通入氧气的流量为300sscm，持续通入大氮的流量为1400sscm，持续通入小氮的流量为120sscm；
步骤S8中，持续通入大氮的流量为1400sscm；
步骤S10中，持续通入大氮的流量为19000sscm；
步骤S11中，持续通入大氮的流量为6000sscm。
4.根据权利要求1或者2中任一权利要求所述的低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于：
步骤S1中，持续通入大氮的时间为940s；
步骤S2中，抽取真空的时间为400s；
步骤S3中，持续通入大氮的时间为400s；
步骤S4中，抽取真空的时间为100s；
步骤S5中，持续通入氧气和大氮的时间为100s；
步骤S7中持续通入氧气、大氮和小氮的时间为300s；
步骤S8中，持续通入大氮的时间为600s；
步骤S10中，持续通入大氮的时间为250s；
步骤S11中，持续通入大氮的时间为940s。
5.根据权利要求1或者2中任一权利要求所述的低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于：
步骤S1中，炉内压强为1030mbar；
步骤S2中，炉内压强为120mbar；
步骤S3中，炉内压强为120mbar；
步骤S4中，炉内压强为120mbar；
步骤S5中，炉内压强为120mbar；
步骤S6中，炉内压强为120mbar；
步骤S7中，炉内压强为120mbar；
步骤S8中，炉内压强为120mbar；
步骤S10中，炉内压强为1030mbar；
步骤S11中，炉内压强为1030mbar。
6.根据权利要求1或者2中任一权利要求所述的低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于，在步骤S1之前，还进一步包括步骤S0：
步骤S0：向低压扩散炉持续通入大氮，以净化低压扩散炉内的含杂气体。
7.根据权利要求6所述的低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于：
步骤S0中，持续通入大氮的流量为11000sscm
步骤S0中，持续通入大氮的时间为50s；
步骤S0中，炉内压强为1030mbar。
8.根据权利要求1或者2中任一权利要求所述的低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于，步骤S9中，持续通入氧气和大氮分为两个阶段：
第一阶段：持续通入氧气的流量为800sscm，持续通入大氮的流量为1100sscm；
第一阶段：持续通入氧气和大氮的时间为400s；
第二阶段：持续通入氧气的流量为950sscm，持续通入大氮的流量为1100sscm；
第二阶段：持续通入氧气和大氮的时间为700s。
9.根据权利要求8所述的低压扩散炉低压扩散工艺，其特征在于：
步骤S9的第一阶段中，炉内压强为100mbar；
步骤S9的第二阶段中，炉内压强为500mbar。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811131609.7A CN109285766B (zh) | 2018-09-27 | 2018-09-27 | 低压扩散炉低压扩散工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811131609.7A CN109285766B (zh) | 2018-09-27 | 2018-09-27 | 低压扩散炉低压扩散工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109285766A CN109285766A (zh) | 2019-01-29 |
| CN109285766B true CN109285766B (zh) | 2020-09-04 |
Family
ID=65182477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811131609.7A Expired - Fee Related CN109285766B (zh) | 2018-09-27 | 2018-09-27 | 低压扩散炉低压扩散工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109285766B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109873042B (zh) * | 2019-03-28 | 2020-09-25 | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 | 一种适用于选择发射极太阳能电池扩散工艺 |
| CN110211872B (zh) * | 2019-05-30 | 2021-05-04 | 通威太阳能（合肥）有限公司 | 一种可改善低压扩散炉超温现象的扩散工艺调试方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI418047B (zh) * | 2009-01-07 | 2013-12-01 | Ind Tech Res Inst | Ｉｂ－iiiａ－ｖｉａ2化合物半導體薄膜之製造裝置 |
| CN102306686B (zh) * | 2011-09-30 | 2013-07-31 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 一种晶体硅太阳电池一步选择性扩散方法及所用网版 |
| CN103227245B (zh) * | 2013-05-13 | 2015-12-09 | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 | 一种p型准单晶硅太能阳电池pn结的制造方法 |
| CN105261670B (zh) * | 2015-08-31 | 2017-06-16 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 晶体硅电池的低压扩散工艺 |
| CN105304753A (zh) * | 2015-09-25 | 2016-02-03 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | N型电池硼扩散工艺 |
| CN108110088B (zh) * | 2017-12-21 | 2020-11-10 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池的低压扩散工艺及利用其制备得到的太阳能电池 |
-
2018
- 2018-09-27 CN CN201811131609.7A patent/CN109285766B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109285766A (zh) | 2019-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103618019B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池片扩散方法 | |
| CN109285766B (zh) | 低压扩散炉低压扩散工艺 | |
| WO2008078518A1 (ja) | 半導体層製造方法および半導体層製造装置ならびにこれらを用いて製造される半導体デバイス | |
| TW201363B (zh) | ||
| CN103469173A (zh) | 空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜 | |
| CN102969229A (zh) | 一种重掺磷单晶硅晶圆片高致密性二氧化硅背封工艺 | |
| CN106185850A (zh) | 电子级砷化氢、磷化氢及其混合物气体钢瓶的钝化处理工艺 | |
| CN109559966B (zh) | 加快工艺腔室复机的清洗方法 | |
| CN102217031A (zh) | 基底处理方法、基底和用于实施该方法的处理装置 | |
| CN105070782A (zh) | 一种太阳能电池硅片生产过程中的低压扩散工艺 | |
| CN102992286B (zh) | 高纯磷化锌的制备方法 | |
| CN105695924A (zh) | 一种含氮奥氏体不锈钢的制备方法 | |
| CN116895715B (zh) | 一种太阳能电池硼扩散控制方法、设备及系统 | |
| CN104599993A (zh) | 一种检测硅衬底质量的方法 | |
| CN112490326A (zh) | 一种perc单晶电池用硅片的退火方法及perc单晶电池用硅片与应用 | |
| CN205953497U (zh) | 电子级砷化氢、磷化氢及其混合气体钢瓶的钝化处理装置 | |
| CN106064807B (zh) | 电子级砷化氢、磷化氢及其混合气体钢瓶的钝化处理装置 | |
| CN114420541A (zh) | 一种单片式晶圆的高温湿法清洗方法 | |
| CN107546117B (zh) | 一种扩散方阻异常硅片的处理工艺 | |
| RU2376675C1 (ru) | Способ первичного отжига для обработки карбид-кремниевой трубы | |
| CN111128757A (zh) | 一种集成电路密封腔体内部水汽和氢气含量的控制方法 | |
| CN107099761B (zh) | 一种薄壁铝合金零件的热处理方法 | |
| CN111360004B (zh) | 一种离子刻蚀机反应腔清洗方法 | |
| CN110137307A (zh) | 一种低压环境下的高均匀性浅结扩散工艺 | |
| KR100582587B1 (ko) | 인산을 정제 및 제조하는 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200904 Termination date: 20210927 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |