CN105304753A - N型电池硼扩散工艺 - Google Patents

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杨晓生
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Abstract

本发明公开了一种N型电池硼扩散工艺，包括以下步骤：（1）抽气：将清洗制绒后的硅片置于扩散炉炉管内，抽气至管内呈负压状态；（2）硼扩散沉积：将温度升至硼扩散沉积温度设定值后，通入氮气、硼源和氧气进行硼扩散沉积；（3）推阱：停止硼源和干氧的通入，继续通入氮气，将温度升至推阱温度设定值进行推阱；（4）取样：升压降温，取样，完成扩散过程。本发明的N型电池硼扩散工艺，能得到结深浅、方块电阻值为75Ω/□～85Ω/□和方阻均匀性较好的硼扩散pn结。

Description

N型电池硼扩散工艺
技术领域
本发明属于晶体硅太阳能电池制造领域，尤其涉及一种N型电池硼扩散工艺。
背景技术
扩散炉在在太阳能光伏行业中主要用于太阳能电池pn结的制备，通过在高温条件下对半导体晶圆进行掺杂，即将元素磷、硼扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，形成不同的电特性区域。目前传统的太阳能生产线主要采用P型硅片，通过磷扩散制备n型层，从而形成pn结，构成太阳电池的主体结构。
随着太阳能电池光电转换效率的要求越来越高，扩散工艺正向两方面发展。一是对磷扩散工艺进行改进，使P型太阳电池向浅结高方阻方向发展；二是对硼扩散工艺的探索，由于P型电池效率进一步提升的局限性，市场上已开始瞄向N型电池，未来以N型硅片为主的高效电池将极有可能成为光伏市场的主导产品。N型电池的制备需要对N型硅片进行硼掺杂工艺，以制备p型掺杂层，从而形成pn结。采用硼扩散制结是N型电池制备的关键步骤，然而N型电池pn结的制备化学反应比较复杂，不易控制，所以对扩散工艺的优化较困难。因此，如何提供一种在N型硅片制备合格的p+层的硼扩散工艺已成为N型电池制备亟待解决的关键问题之一。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种能得到结深浅、方块电阻值为75Ω/□～85Ω/□和方阻均匀性较好的硼扩散pn结的N型电池硼扩散工艺。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
一种N型电池硼扩散工艺，包括以下步骤：
（1）抽气：将清洗制绒后的硅片置于扩散炉炉管内，并抽气至管内呈负压状态；
（2）硼扩散沉积：将温度升至硼扩散沉积温度设定值后，通入氮气、硼源和氧气进行硼扩散沉积；
（3）推阱：停止硼源和氧气的通入，继续通入氮气，将温度升至推阱温度设定值进行推阱；
（4）取样：升压降温，取样，完成扩散过程。
上述的N型电池硼扩散工艺，优选的，所述步骤（1）中，抽气至管内压力为180mbar～220mbar。
上述的N型电池硼扩散工艺，优选的，所述步骤（2）中，所述硼扩散沉积温度设定值为840℃～860℃，沉积时间为5min～7min。
上述的N型电池硼扩散工艺，优选的，所述步骤（3）中，所述推阱温度设定值为910℃～930℃，所述推阱的时间为8min～10min。
上述的N型电池硼扩散工艺，优选的，所述步骤（2）中，所述硼源为BBr3，所述氮气流量为2000sccm～3000sccm，所述硼源流量为600sccm～800sccm，所述氧气流量为1000sccm～1200sccm。
上述的N型电池硼扩散工艺，优选的，所述步骤（3）中，通入氮气的流量为2000sccm～3000sccm。
上述的N型电池硼扩散工艺，优选的，在步骤（1）和步骤（2）之间，还包括扩散前氧化。
上述的N型电池硼扩散工艺，优选的，所述扩散前氧化的工艺参数为：氧化温度800℃～820℃，氧化时间500s～600s，氮气流量2000sccm～3000sccm，氧气流量1000sccm～1200sccm。
上述的N型电池硼扩散工艺，优选的，在步骤（3）和步骤（4）之间，还包括扩散后氧化。
上述的N型电池硼扩散工艺，优选的，所述扩散后氧化的工艺参数为：氧化温度910℃～930℃，氧化时间400s～500s，氮气流量2000sccm～3000sccm，氧气流量1000sccm～1200sccm。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
1、本发明的N型电池硼扩散工艺，在负压状态下对N型硅片进行硼扩散，扩散形成的pn结结深0.26μm～0.3μm左右，方块电阻75Ω/□～85Ω/□左右，方阻均匀性6%以内，完全符合太阳电池pn结结深与掺杂的要求，对应制备的N型单晶太阳电池效率>19%。
附图说明
图1为本发明实施例的N型电池硼扩散工艺流程图。
具体实施方式
以下结合说明书附图和具体优选的实施例对本发明作进一步描述，但并不因此而限制本发明的保护范围。
实施例1：
一种本发明的N型电池硼扩散工艺，如图1所示，包括以下步骤：
（1）清洗制绒：将N型单晶硅片进行清洗制绒处理，先通过清洗去除硅片表面机械损伤层，接着制备金字塔绒面，硅片表面损伤层单面去除6μm，所制备的金字塔绒面尺寸为3~4μm。
（2）放样：将清洗制绒的硅片置于扩散炉的炉管中，硅片垂直于石英舟放置，每管放入400片，完成样片的插片进管过程。
（3）加热抽真空：通入氮气，升温并抽气，通入氮气流量为5000sccm，抽气至180mbar，形成管内负压状态。
（4）扩散前氧化：待温度升至810℃时，氮气流量调整为2000sccm，通入干氧（干燥的氧气）进行扩散前氧化，干氧流量为1200sccm，氧化时间为600s。
（5）硼扩散：将温度升至840℃，温度稳定后，通入硼源BBr3，进行硼扩散沉积，氮气流量调整为2000sccm，硼源流量为600sccm，氧气流量调整为1000sccm，沉积7min。
（6）恒温推阱：停止硼源和干氧的通入，氮气流量调整为3000sccm，升温至910℃，待温度稳定后，进行恒温推阱，恒温推阱时间为10min；
（7）扩散后氧化：恒温推阱结束后，将氮气流量调整为2000sccm，并通入流量为1000sccm的干氧，进行扩散后氧化，氧化时间为500s；
（8）取样：通入氮气升压，并降温，待气压升至大气压且温度降为常温后取样，完成硼扩散。
通过测试发现，本实施例在N型单晶硅片上得到了较好的硼扩散pn结，结深在0.28μm左右，方块电阻80Ω/□左右，方阻均匀性5%以内，完全符合太阳电池pn结结深与掺杂的要求，将本实施例经硼扩散后的N型单晶硅片制备得到N型单晶太阳电池，所得的太阳电池效率19.158%（Voc=644.4mV，Isc=9.098A，FF=79.51）。
实施例2：
一种本发明的N型电池硼扩散工艺，如图1所示，包括以下步骤：
（1）清洗制绒：将N型单晶硅片进行清洗制绒处理，先通过清洗去除硅片表面机械损伤层，接着制备金字塔绒面，硅片表面损伤层单面去除8μm，所制备的金字塔绒面尺寸为4~6μm。
（2）放样：将清洗制绒的硅片置于扩散炉的炉管中，硅片垂直于石英舟放置，每管放入400片，完成样片的插片进管过程。
（3）加热抽真空：通入氮气，升温并抽气，通入氮气流量为5000sccm，抽气至200mbar，形成管内负压状态。
（4）扩散前氧化：待温度升至820℃时，氮气流量调整为2000sccm，通入干氧（干燥的氧气）进行扩散前氧化，氧气流量为1000sccm，氧化时间为500s。
（5）硼扩散：将温度升至860℃，温度稳定后，通入硼源BBr3，进行硼扩散沉积，氮气流量调整为3000sccm，硼源流量为800sccm，干氧流量调整为1200sccm，沉积6min。
（6）恒温推阱：停止硼源和干氧的通入，氮气流量调整为3000sccm，升温至930℃，待温度稳定后，进行恒温推阱，恒温推阱时间为8min；
（7）扩散后氧化：恒温推阱结束后，将氮气流量调整为3000sccm，并通入流量为1200sccm的干氧，进行扩散后氧化，氧化时间为400s；
（8）取样：通入氮气升压，并降温，待气压升至大气压且温度降为常温后取样，完成硼扩散。
通过测试发现，本实施例在N型单晶硅片上得到了较好的硼扩散pn结，结深在0.3μm左右，方块电阻78Ω/□左右，方阻均匀性4%以内，完全符合太阳电池pn结结深与掺杂的要求，将本实施例经硼扩散后的N型单晶硅片制备得到N型单晶太阳电池，所得的太阳电池效率为19.246%（Voc=644.3mV，Isc=9.056A，FF=80.274）。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例。凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应该指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下的改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种N型电池硼扩散工艺，包括以下步骤：
（1）抽气：将清洗制绒后的硅片置于扩散炉炉管内，并抽气至管内呈负压状态；
（2）硼扩散沉积：将温度升至硼扩散沉积温度设定值后，通入氮气、硼源和氧气进行硼扩散沉积；
（3）推阱：停止硼源和氧气的通入，继续通入氮气，将温度升至推阱温度设定值进行推阱；
（4）取样：升压降温，取样，完成扩散过程。
2.根据权利要求1所述的N型电池硼扩散工艺，其特征在于，所述步骤（1）中，抽气至管内压力为180mbar～220mbar。
3.根据权利要求2所述的N型电池硼扩散工艺，其特征在于，所述步骤（2）中，所述硼扩散沉积温度设定值为840℃～860℃，沉积时间为5min～7min。
4.根据权利要求3所述的N型电池硼扩散工艺，其特征在于，所述步骤（3）中，所述推阱温度设定值为910℃～930℃，所述推阱的时间为8min～10min。
5.根据权利要求1～4任一项所述的N型电池硼扩散工艺，其特征在于，所述步骤（2）中，所述硼源为BBr3，所述氮气流量为2000sccm～3000sccm，所述硼源流量为600sccm～800sccm，所述氧气流量为1000sccm～1200sccm。
6.根据权利要求1～4任一项所述的N型电池硼扩散工艺，其特征在于，所述步骤（3）中，通入氮气的流量为2000sccm～3000sccm。
7.根据权利要求1～4任一项所述的N型电池硼扩散工艺，其特征在于，在步骤（1）和步骤（2）之间，还包括扩散前氧化。
8.根据权利要求7述的N型电池硼扩散工艺，其特征在于，所述扩散前氧化的工艺参数为：氧化温度800℃～820℃，氧化时间500s～600s，氮气流量2000sccm～3000sccm，氧气流量1000sccm～1200sccm。
9.根据权利要求1～4任一项所述的N型电池硼扩散工艺，其特征在于，在步骤（3）和步骤（4）之间，还包括扩散后氧化。
10.根据权利要求9述的N型电池硼扩散工艺，其特征在于，所述扩散后氧化的工艺参数为：氧化温度910℃～930℃，氧化时间400s～500s，氮气流量2000sccm～3000sccm，氧气流量1000sccm～1200sccm。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108054088A (zh) * 2017-12-15 2018-05-18 浙江晶科能源有限公司 N型硅片硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法
CN109285766A (zh) * 2018-09-27 2019-01-29 嘉兴金瑞光伏科技有限公司 低压扩散炉低压扩散工艺
CN109545893A (zh) * 2018-11-16 2019-03-29 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 一种n型太阳能电池多步硼扩散工艺
CN109755114A (zh) * 2017-11-01 2019-05-14 天津环鑫科技发展有限公司 一种双向tvs芯片玻钝前双面扩散工艺
CN109755118A (zh) * 2017-11-01 2019-05-14 天津环鑫科技发展有限公司 一种frgpp芯片玻钝前多重扩散工艺
CN110459638A (zh) * 2019-06-05 2019-11-15 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法
CN110518091A (zh) * 2019-08-12 2019-11-29 阜宁苏民绿色能源科技有限公司 一种硼扩后氧工艺
CN111739794A (zh) * 2020-06-30 2020-10-02 浙江晶科能源有限公司 硼扩散方法、太阳能电池及其制作方法
CN109755111B (zh) * 2017-11-01 2021-04-20 天津环鑫科技发展有限公司 一种采用印刷工艺制作双向tvs芯片的方法
CN113594299A (zh) * 2021-07-27 2021-11-02 普乐新能源科技(徐州)有限公司 一种n型硅片p++结构的制作工艺
CN113948374A (zh) * 2021-08-26 2022-01-18 普乐新能源科技(徐州)有限公司 一种n型电池硼扩se结构的制作方法
CN114203840A (zh) * 2021-11-15 2022-03-18 一道新能源科技(衢州)有限公司 一种改善硼掺杂对绒面金字塔损伤的方法及装置
CN116845142A (zh) * 2023-08-31 2023-10-03 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 一种硼扩工艺及光伏电池

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102769069A (zh) * 2012-07-16 2012-11-07 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法
WO2013173867A1 (en) * 2012-05-21 2013-11-28 Newsouth Innovations Pty Limited Advanced hydrogenation of silicon solar cells
CN103632934A (zh) * 2013-11-29 2014-03-12 英利集团有限公司 N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013173867A1 (en) * 2012-05-21 2013-11-28 Newsouth Innovations Pty Limited Advanced hydrogenation of silicon solar cells
CN102769069A (zh) * 2012-07-16 2012-11-07 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法
CN103632934A (zh) * 2013-11-29 2014-03-12 英利集团有限公司 N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109755111B (zh) * 2017-11-01 2021-04-20 天津环鑫科技发展有限公司 一种采用印刷工艺制作双向tvs芯片的方法
CN109755118A (zh) * 2017-11-01 2019-05-14 天津环鑫科技发展有限公司 一种frgpp芯片玻钝前多重扩散工艺
CN109755114A (zh) * 2017-11-01 2019-05-14 天津环鑫科技发展有限公司 一种双向tvs芯片玻钝前双面扩散工艺
CN109755114B (zh) * 2017-11-01 2022-03-18 天津环鑫科技发展有限公司 一种双向tvs芯片玻钝前双面扩散工艺
CN108054088A (zh) * 2017-12-15 2018-05-18 浙江晶科能源有限公司 N型硅片硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法
CN109285766A (zh) * 2018-09-27 2019-01-29 嘉兴金瑞光伏科技有限公司 低压扩散炉低压扩散工艺
CN109545893A (zh) * 2018-11-16 2019-03-29 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 一种n型太阳能电池多步硼扩散工艺
CN110459638A (zh) * 2019-06-05 2019-11-15 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法
CN110518091A (zh) * 2019-08-12 2019-11-29 阜宁苏民绿色能源科技有限公司 一种硼扩后氧工艺
CN111739794A (zh) * 2020-06-30 2020-10-02 浙江晶科能源有限公司 硼扩散方法、太阳能电池及其制作方法
CN111739794B (zh) * 2020-06-30 2024-01-30 浙江晶科能源有限公司 硼扩散方法、太阳能电池及其制作方法
CN113594299A (zh) * 2021-07-27 2021-11-02 普乐新能源科技(徐州)有限公司 一种n型硅片p++结构的制作工艺
CN113594299B (zh) * 2021-07-27 2024-01-26 普乐新能源科技(泰兴)有限公司 一种n型硅片p++结构的制作工艺
CN113948374A (zh) * 2021-08-26 2022-01-18 普乐新能源科技(徐州)有限公司 一种n型电池硼扩se结构的制作方法
CN114203840A (zh) * 2021-11-15 2022-03-18 一道新能源科技(衢州)有限公司 一种改善硼掺杂对绒面金字塔损伤的方法及装置
CN116845142A (zh) * 2023-08-31 2023-10-03 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 一种硼扩工艺及光伏电池

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