CN107293617A - 一种高效低成本太阳能电池扩散工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高效低成本太阳能电池扩散工艺，本发明在常压扩散炉石英管中使用密舟装载硅片，在进舟升温之后，通入氧气进行前氧化过程，然后升温之后，进行一次推结、一次沉积、二次沉积以及二次推结之后，升温进行高温推结，升温推结之后，经由后氧过程，最后降温吸杂处理之后，出舟完成本发明的扩散工艺。本发明能够增加扩散产能、降低工艺气体成本、提高扩散方阻的均匀性和重复性，优化了表面掺杂浓度和结深，改善蓝光响应，并减少硅片内部缺陷，提高了太阳能电池转换效率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池生产加工技术领域，具体涉及一种高效低成本太阳能电池扩散工艺。
背景技术
随着常规能源日益紧缺和环境问题的日益突出，以环保和可再生为特质的新能源越来越得到各国的重视。新能源：又称非常规能源，是指传统能源之外的各种能源形式。目前开发利用或正在积极研究、有待推广的能源，如太阳能、地热能、风能、海洋能、生物质能和核聚变能等。其中太阳能以其具有无污染、清洁安全、普遍、可再生、可持续性等特点越来越被人们所关注。
太阳能电池是一种利用光电效应或光化学效应把光能转化为电能的装置，又被称为太阳能芯片或光电池。根据使用材料和技术不同，太阳能电池主要分为两大类，一类是晶体硅太阳能电池，一类是薄膜太阳能电池。目前无论是从全球太阳能电池产品结构来看，还是从太阳能电池产量最大的中国来看，晶硅电池均占据着绝对的优势。
晶硅太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置，是利用光电转换原理使太阳的辐射光通过半导体物质转变为电能的一种器件，这种光电转换过程通常叫做“光生伏特效应”，因此，太阳能电池又称为“光伏电池”。其主要制作工艺流程包括：制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷和烧结等。其中扩散制作PN结是晶硅太阳电池的核心，PN结的质量则直接决定着太阳能电池的转换效率。
随着光伏上网电价下调成为定局，光伏企业更加关注度电成本，降成本、增效率已经成为行业主流。然而，现有的主流扩散工艺普遍存在着时间长、成本高，且随着浆料接触改善扩散方阻提升导致扩散方阻的均匀性和重复性不理想，发射极中非活性磷较高，发射极饱和电流密度比较大，硅片内部缺陷率高，太阳电池的转换效率较低等问题。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种高效低成本太阳能电池扩散工艺，提高太阳能电池转换效率。
本发明的技术方案为：一种高效低成本太阳能电池扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将制绒的硅片装入密舟中，并将密舟推入内部温度为750～780℃的扩散炉石英管中，并通入大氮，保持10～20min；
(2)升温至780～820℃，并保持通入大氮，同时通入O2，保持5～10min；
(3)保持恒温780～800℃，并保持通入大氮，同时通入携带PoCl3N2的小氮，以及O2，保持5～10min；
(4)将温度升高至820～840℃，并保持通入大氮，待恒温后，同时通入携带PoCl3N2的小氮，以及O2，保持5～10min；
(5)将温度升高至840～870℃，保持通入大氮，停止通入小氮，同时通入O2，保持10～30min；
(6)将温度降低至750～780℃，保持通入大氮，停止通入氧气，进行退火吸杂；
(7)在温度750～780℃，并且保持通入大氮的环境下，将装有硅片的密舟从扩散炉中拉出。
本发明在常压扩散炉石英管中使用密舟装载硅片，本发明在进舟升温之后，通入氧气进行前氧化过程，然后升温之后，进行一次推结、一次沉积、二次沉积以及二次推结之后，升温进行高温推结，升温推结之后，经由后氧过程，最后降温吸杂处理之后，出舟完成本发明的扩散工艺。
本发明增设了前氧化步骤，使得在P沉积前，在硅片表面形成一层SiO2，作为P扩散的掩蔽层，可有效在降低硅片表面杂质浓度的同时提高扩散的均匀性。
本发明在步骤(5)中采用了高温推结，保证了扩散结深以及对硅片表面的低浓度掺杂。本发明还通过后氧工艺，利用SiO2界面位移及分凝原理有效了降低了硅片表面的杂质浓度减少了表面复合，最后使用了退火吸杂工艺，有效增加了硅片少子寿命。
作为优选，所述步骤(1)中所述密舟中硅片之间的间距为2.04～2.38mm。
作为优选，每个密舟中放置的硅片数量为800～1200片。
作为优选，每个密舟中放置的硅片数量为1000片。
作为优选，所述步骤(1)～(7)中大氮的流量均为10～12L/min。
作为优选，所述步骤(2)中O2的流量为500～2000sccm。
作为优选，所述步骤(3)中小氮的流量为800～1400sccm，O2的流量为300sccm～600sccm。
作为优选，所述步骤(4)中小氮的流量为800～1400sccm，O2的流量为300sccm～600sccm。
作为优选，所述步骤(5)中O2的流量为300sccm～500sccm。
与现有技术相比，本发明的有益效果体现在：
本发明常压扩散产能提升了75％，制作的电池片转换效率较现有扩散工艺提升0.05～0.1％，本发明使得电池片组件功率较现有扩散工艺提升0.5～1W，本发明通过组合衔接和优化多种扩散步骤，并给出了目前行业内多晶硅太阳电池扩散温度时间和气体流量等参数的最优化窗口值。本发明适用产品多，经验证在黑硅、单晶(普通&PERC)以及多晶上均有效率提升。因此本发明能够增加扩散产能、降低工艺气体成本、提高扩散方阻的均匀性和重复性，优化了表面掺杂浓度和结深，改善蓝光响应，并减少硅片内部缺陷，提高了太阳能电池转换效率。
附图说明
图1为本发明中A组(1000舟)扩散工艺与B组(500舟)扩散工艺的ECV对比图。
图2为本发明中A组(1000舟)扩散工艺与B组(500舟)扩散工艺电性能对比图。
图3为本发明中A组(1000舟)扩散工艺与B组(500舟)扩散工艺组件功率对比图。
图4为本发明中A组(1000舟)扩散工艺与B组(500舟)扩散工艺的IQE对比图。
图5为本发明的工艺流程图。
具体实施方式
实施例1
将P型多晶原始硅片进行表面酸制绒、清洗并吹干分别后装入两个扩散石英舟中，其中一个石英舟中放置500片硅片(编号为A组)，另外一个石英舟中放置1000片硅片(编号为B组)，然后将A组和B组石英舟分别放到扩散炉悬臂桨的舟托上进行扩散工艺。500舟采用间距2.76mm石英舟采用旧工艺(无前后氧，以及高温推结及吸杂)。1000舟采用间距2.38mm石英舟采用新工艺即氧气进行前氧化过程，然后升温之后，进行一次推结、一次沉积、二次沉积以及二次推结之后，升温进行高温推结，升温推结之后，经由后氧过程，最后降温吸杂处理之后，出舟完成本发明的扩散工艺。扩散工艺完成后，将硅片从石英舟中取出，对硅片的性能进行测试，测试指标如下：
(a)方阻性能测试
分别测量扩散方块电阻，方阻标准控制为90Ω/□。表1所示为两种扩散工艺方阻片内均匀性及管内均匀性对比(测试方式为25片25点)，由表1可知，B组的新工艺方阻片内及管内均匀性均优于目前的A组工艺。
表一：A组扩散工艺与B组扩散工艺方阻实验数据
(b)ECV曲线
将两种工艺扩散得到的硅片去PSG后，测试ECV曲线，测试结果见图1。从图1可看出，采用B组(1000舟)工艺的表面浓度较A组(500舟)工艺低，一方面由于扩散通源前一步通入氧气会使结深较不通氧气的浅，且表面形成了掩蔽层使得去PSG后的表面浓度也更小，不易在表面形成死层；另一方面采用后氧工艺使得PSG界面位移，硅片内许多杂质在扩散后聚集到硅表面，在去PSG时被洗去。
(c)电性能
分别使用B组(1000舟)工艺和A组(500舟)工艺各量产10W片，对比两种工艺电性能，见表2。如表2所示，从电性能看B组(1000舟)工艺较A组(500舟)工艺的Eff提升0.08％，Voc和Isc也较偏高。从电性能看B组(1000舟)工艺电性能更为收敛，B组(1000舟)的方阻均匀性更好，且表面浓度较低，减少表面复合从而使电性能提升。
表2：1000舟扩散工艺与500舟工艺扩散电性能数据
(d)工艺组件功率
对比两种工艺组件功率(组件采用72片组件对比两种工艺主流档位的电池片)。结果(如下图3所示)显示使用B组(1000舟)工艺组件功率较A组(500舟)工艺组件各档位平均提升0.5W。
(e)IQE测试
测试两种工艺电池片的IQE(见图4)，对比发现B组(1000舟)工艺在短波响应方面较A组(500舟)工艺好，可见B组(1000密舟)工艺采用前后氧，以及高温推结工艺，优化了表面掺杂浓度和结深，从而改善了蓝光响应。
Claims (9)
1.一种高效低成本太阳能电池扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将制绒的硅片装入密舟中，并将密舟推入内部温度为750~780℃的扩散炉石英管中，并通入大氮，保持10~20 min；
（2）升温至780~820℃，并保持通入大氮，同时通入O2，保持5~10min；
（3）保持恒温780~800℃，并保持通入大氮，同时通入携带PoCl3N2的小氮，以及O2，保持5~10 min；
（4）将温度升高至820~840℃，并保持通入大氮，待恒温后，同时通入携带PoCl3N2的小氮，以及O2，保持5~10 min；
（5）将温度升高至840~870℃，保持通入大氮，停止通入小氮，同时通入O2，保持10~30min；
（6）将温度降低至750~780℃，保持通入大氮，停止通入氧气，进行退火吸杂；
（7）在温度750~780℃，并且保持通入大氮的环境下，将装有硅片的密舟从扩散炉中拉出。
2.如权利要求1所述的高效低成本太阳能电池扩散工艺，其特征在于，所述步骤（1）中所述密舟中硅片之间的间距为2.04~2.38mm。
3.如权利要求1或2所述的高效低成本太阳能电池扩散工艺，其特征在于，每个密舟中放置的硅片数量为800~1200片。
4.如权利要求3所述的高效低成本太阳能电池扩散工艺，其特征在于，每个密舟中放置的硅片数量为1000片。
5.如权利要求1所述的高效低成本太阳能电池扩散工艺，其特征在于，所述步骤（1）~（7）中大氮的流量均为10~12L/min。
6.如权利要求5所述的高效低成本太阳能电池扩散工艺，其特征在于，所述步骤（2）中O2的流量为500~2000sccm。
7.如权利要求6所述的高效低成本太阳能电池扩散工艺，其特征在于，所述步骤（3）中小氮的流量为800~1400sccm，O2的流量为300sccm~600sccm。
8.如权利要求7所述的高效低成本太阳能电池扩散工艺，其特征在于，所述步骤（4）中小氮的流量为800~1400sccm，O2的流量为300sccm~600sccm。
9.如权利要求8所述的高效低成本太阳能电池扩散工艺，其特征在于，所述步骤（5）中O2的流量为300sccm~500sccm。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108004564A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-05-08 | 中国矿业大学 | 基于黑硅pn结的半导体光电极光解水反应装置及制备方法 |
| CN108054088A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-18 | 浙江晶科能源有限公司 | N型硅片硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法 |
| CN110943141A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 | 硅片的扩散方法、太阳能电池及其制备方法 |
| CN111312864A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-06-19 | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 | 一种变温浅结高方阻低压扩散工艺 |
| CN114122190A (zh) * | 2021-10-14 | 2022-03-01 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 常压扩散设备实现单晶perc热氧工艺的改造方法 |
| CN114497283A (zh) * | 2022-02-07 | 2022-05-13 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片 |
| CN114823965A (zh) * | 2021-01-29 | 2022-07-29 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 单晶硅片氧化吸杂工艺、太阳能电池片制备工艺及硅片 |
| CN115148846A (zh) * | 2021-03-29 | 2022-10-04 | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 | 异质结电池的制备方法及异质结电池 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61184888A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-18 | Toshiba Corp | 太陽電池の製造方法 |
| CN105304750A (zh) * | 2015-09-17 | 2016-02-03 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 两次连续沉积升温扩散工艺 |
| CN106449874A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-02-22 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种密舟多晶硅太阳能电池的扩散工艺 |
-
2017
- 2017-07-04 CN CN201710536712.9A patent/CN107293617A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61184888A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-18 | Toshiba Corp | 太陽電池の製造方法 |
| CN105304750A (zh) * | 2015-09-17 | 2016-02-03 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 两次连续沉积升温扩散工艺 |
| CN106449874A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-02-22 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种密舟多晶硅太阳能电池的扩散工艺 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108004564A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-05-08 | 中国矿业大学 | 基于黑硅pn结的半导体光电极光解水反应装置及制备方法 |
| CN108054088A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-18 | 浙江晶科能源有限公司 | N型硅片硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法 |
| CN110943141A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 | 硅片的扩散方法、太阳能电池及其制备方法 |
| CN111312864A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-06-19 | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 | 一种变温浅结高方阻低压扩散工艺 |
| CN114823965A (zh) * | 2021-01-29 | 2022-07-29 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 单晶硅片氧化吸杂工艺、太阳能电池片制备工艺及硅片 |
| CN115148846A (zh) * | 2021-03-29 | 2022-10-04 | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 | 异质结电池的制备方法及异质结电池 |
| CN114122190A (zh) * | 2021-10-14 | 2022-03-01 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 常压扩散设备实现单晶perc热氧工艺的改造方法 |
| CN114122190B (zh) * | 2021-10-14 | 2023-12-26 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 常压扩散设备实现单晶perc热氧工艺的改造方法 |
| CN114497283A (zh) * | 2022-02-07 | 2022-05-13 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片 |
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