CN102509745A - 一种晶体硅太阳能电池扩散节能减排工艺 - Google Patents
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Abstract
一种晶体硅太阳能电池扩散节能减排工艺。本发明提供一种降低太阳能电池扩散成本的工艺,包括如下步骤:(1)将制绒后的硅片放于扩散炉中,炉内各温区温度升至750-770℃,炉内环境为均匀的氮气气氛,氮气流量10slm;(2)待温度稳定后,同时通入携源气体三氯氧磷,流量为850-950sccm,及干氧,流量为350sccm,且保证炉内气体环境均匀,扩散20分钟;(3)停止通携源气体三氯氧磷,同步均匀提升炉内各区温度,升温至830℃,扩散20分钟;(4)通入氮气降温,完成扩散过程。本发明从工艺角度可以降低表面掺杂浓度,更好的保证结区的完整性,减少表面电子空穴对的复合,从而对转换效率有一定的提升。
Description
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池扩散工艺,具体涉及一种晶体硅太阳能电池扩散节能减排工艺。
技术背景
太阳能电池是一种将光能直接转化为电能的器件,由于其清洁、无污染,取之不尽用之不竭,受到越来越多的关注,市场竞争也越来越剧烈,如何降低太阳能电池的成本,提高太阳能电池的转换效率已成为各光伏企业研究的重点。
三氯氧磷,一种工业化工原料,为无色透明液体,有剧毒。常规太阳能电池扩散使用三氯氧磷作为扩散源,太阳能电池扩散是核心,硅太阳能电池的表面掺杂浓度决定了太阳能电池的转换效率。影响表面掺杂浓度的有扩散温度、扩散时间、携源气体流量,通常采用调整扩散温度来调整表面掺杂浓度,得到想要的方块电阻。然而,采用这一方式调整方块电阻,对小幅度调整方块电阻非常适用,对硅片单片方块电阻均匀性无法调整,对三氯氧磷的使用量较大,不利于成本控制。
发明内容
本发明目的是提供一种降低太阳能电池扩散成本的工艺,使用该工艺能够有效的减少扩散三氯氧磷的使用量,从而降低表面掺杂浓度,有效提高太阳能电池的转换效率。
本发明采用的技术方案是提供一种降低太阳能电池扩散成本的工艺,包括如下步骤:
(1)将制绒后的硅片放于扩散炉中,炉内各温区温度升至750-770℃,炉内环境为均匀的氮气气氛,氮气流量10slm;
(2)待温度稳定后,同时通入携源气体三氯氧磷,流量为850-950sccm,及干氧,流量为350sccm,且保证炉内气体环境均匀,扩散20分钟;
(3)停止通携源气体三氯氧磷,同步均匀提升炉内各区温度,升温至830℃,扩散20分钟;
(4)通入氮气降温,完成扩散过程。
本发明与现有技术相比具有下列优点:
本发明可以有效的节省三氯氧磷的使用量,从而节约扩散成本,减少废气排放量;本发明从工艺角度可以降低表面掺杂浓度,更好的保证结区的完整性,减少表面电子空穴对的复合,从而对转换效率有一定的提升。本发明无须增添任何设备安装,工艺时间与常规工艺时间相同,重复性强,可推广使用。
具体实施方式
本发明采用的技术方案是提供一种降低太阳能电池扩散成本的工艺,包括如下步骤:
(1)将制绒后的硅片放于扩散炉中,炉内各温区温度升至750-770℃,炉内环境为均匀的氮气气氛,氮气流量10slm;
(2)待温度稳定后,同时通入携源气体三氯氧磷,流量为850-950sccm,及干氧,流量为350sccm,且保证炉内气体环境均匀,扩散20分钟;
(3)停止通携源气体三氯氧磷,同步均匀提升炉内各区温度,升温至830℃,扩散20分钟;
(4)通入氮气降温,完成扩散过程。
上述技术方案中,携源气体三氯氧磷的流量为850-950sccm,传统工艺中携源气体三氯氧磷流量为1000-1500sccm,本发明技术方案与传统工艺相比节约三氯氧磷流量为50-650sccm。
实施例1
将常规单晶125电池片进行制绒后按如下步骤进行扩散:(1)将制绒后的硅片放于扩散炉中,炉内各温区温度升至760℃,炉内环境为均匀的氮气气氛,氮气流量10slm;(2)待温度稳定后,同时通入携源气体三氯氧磷,流量为920sccm,及干氧,流量为350sccm,且保证炉内气体环境均匀,扩散20分钟;(3)停止通携源气体三氯氧磷,同步均匀提升炉内各区温度,升温至830℃,扩散20分钟;(4)通入氮气降温,完成扩散过程。
从实验片中等间接取10片抽测方块电阻,五点测其方块电阻,结果如下:
在AM1.5、光强1000W,温度25℃条件下测得电性能
Uoc(开路电压) | Isc(短路电流) | Rs(串联电阻) | Rsh(并联电阻) | FF(填充因子) | NCell(转换效率) |
0.630 | 5.710 | 0.005 | 41.064 | 78.598 | 18.246% |
实施例2
将常规单晶125电池片进行制绒后按如下步骤进行扩散:(1)将制绒后的硅片放于扩散炉中,炉内各温区温度升至770℃,炉内环境为均匀的氮气气氛,氮气流量10slm;(2)待温度稳定后,同时通入携源气体三氯氧磷,流量为850sccm,及干氧,流量为350sccm,且保证炉内气体环境均匀,扩散20分钟;(3)停止通携源气体三氯氧磷,同步均匀提升炉内各区温度,升温至830℃,扩散20分钟;(4)通入氮气降温,完成扩散过程。
从实验片中等间接取10片抽测方块电阻,五点测其方块电阻,结果如下:
在AM1.5、光强1000W,温度25℃条件下测得电性能
Uoc(开路电压) | Isc(短路电流) | Rs(串联电阻) | Rsh(并联电阻) | FF(填充因子) | NCell(转换效率) |
0.629 | 5.690 | 0.004 | 40.045 | 77.43 | 18.19% |
实施例3
将常规单晶125电池片进行制绒后按如下步骤进行扩散:(1)将制绒后的硅片放于扩散炉中,炉内各温区温度升至750℃,炉内环境为均匀的氮气气氛,氮气流量10slm;(2)待温度稳定后,同时通入携源气体三氯氧磷,流量为950sccm,及干氧,流量为350sccm,且保证炉内气体环境均匀,扩散20分钟;(3)停止通携源气体三氯氧磷,同步均匀提升炉内各区温度,升温至830℃,扩散20分钟;(4)通入氮气降温,完成扩散过程。
从实验片中等间接取10片抽测方块电阻,五点测其方块电阻,结果如下:
在AM1.5、光强1000W,温度25℃条件下测得电性能
Uoc(开路电压) | Isc(短路电流) | Rs(串联电阻) | Rsh(并联电阻) | FF(填充因子) | NCell(转换效率) |
0.631 | 5.690 | 0.0049 | 40.044 | 79.598 | 18.221% |
对比例
将常规单晶125电池片进行制绒后使用传统工艺扩散,从实验片中等间接取10片抽测方块电阻,五点测其方块电阻,结果如下:
在AM1.5、光强1000W,温度25℃条件下测得电性能
Uoc(开路电压) | Isc(短路电流) | Rs(串联电阻) | Rsh(并联电阻) | FF(填充因子) | NCell(转换效率) |
0.629 | 5.686 | 0.005 | 39.574 | 78.646 | 18.165% |
从上述实施例和对比例可以看出,本发明技术方案所得到的扩散后方块电阻明显高于对比例,实施例方块电阻58-70Ω,对比例方块电阻58-60Ω,实施例方块电阻明显高于对比例,转换效率也高于对比例。
可见,采用本发明的扩散工艺可以减少三氯氧磷的使用量,提高方块电阻,降低表面掺杂浓度,一定程度上能够提升转换效率。
Claims (2)
1.一种降低太阳能电池扩散成本的工艺,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将制绒后的硅片放于扩散炉中,炉内各温区温度升至750-770℃,炉内环境为均匀的氮气气氛,氮气流量10slm;
(2)待温度稳定后,同时通入携源气体三氯氧磷,流量为850-950sccm,及干氧,流量为350sccm,且保证炉内气体环境均匀,扩散20分钟;
(3)停止通携源气体三氯氧磷,同步均匀提升炉内各区温度,升温至830℃,扩散20分钟;
(4)通入氮气降温,完成扩散过程。
2.根据权利要求1所述的一种降低太阳能电池扩散成本的工艺,其特征在于:步骤(2)中携源气体三氯氧磷流量为920sccm。
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CN2011103293570A CN102509745A (zh) | 2011-10-26 | 2011-10-26 | 一种晶体硅太阳能电池扩散节能减排工艺 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102403203A (zh) * | 2011-11-18 | 2012-04-04 | 浙江正国太阳能科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池选择性发射极的磷扩散方法 |
CN102810598A (zh) * | 2012-07-31 | 2012-12-05 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 太阳能电池扩散退火工艺 |
CN113363336A (zh) * | 2021-01-04 | 2021-09-07 | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) | 一种制绒后晶硅片的处理方法及异质结电池的制备方法 |
Citations (2)
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CN101419997A (zh) * | 2008-11-28 | 2009-04-29 | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 | 晶体硅太阳电池pn结的制备方法 |
CN101916799A (zh) * | 2010-07-22 | 2010-12-15 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法 |
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2011
- 2011-10-26 CN CN2011103293570A patent/CN102509745A/zh active Pending
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