CN107785458A - 一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，该扩散工艺是在扩散炉中对晶体硅进行掺杂处理，包括如下流程：充气—恒压—放舟—升温过程—恒温过程—氧化—预扩散—升温分布—第一次恒温分布—扩散—第二次恒温分布—降温—再次充气—取舟，本发明的扩散工艺，它不仅能很好的解决扩散的分布不均匀度，还可以更好的做出低表面浓度深结，做出较高的方阻，有效的改善修复表面损伤，提升电性能。
Description
技术领域
本发明属于涉及电池的生产制造，具体涉及一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，属于光伏领域。
背景技术
在目前太阳能电池制造行业中，扩散被称为电池片的心脏，目最常用的就是管式扩散炉对硅片进行掺杂，形成PN结，而PN结的好坏，直接影响电池片整体的光电转化效率；因此研究管式的扩散炉管工艺是光伏行业提升晶体硅太阳能电池转换效率的重心，但是就目前常压的管扩散炉因为其结构性和密封性问题会导致一些无法避免的缺陷：1，炉管结构上磷源是通过氮气从炉管尾部吹扫携带进炉口位置，气体分布浓度不均匀；2，电池片是从炉口位置送进炉管，炉口温度与炉尾温度会存在较大的差异；3，由于常规炉管路口或多或少会有一点漏气现象会导致炉口位置均匀性稳定性都较差；4，温度变化时不同温区升温或降温都有不同步的现象，导致各个温区方阻差异；上述情况最终影响扩散工艺之后晶体硅内部掺杂的不均匀，目前行业内低压扩散炉的逐渐兴起，可更好的形成均匀的气体分布，整体方阻可以做的相对较高；此外目前市场上很多浆料都是适配低表面掺杂浓度的，正电极网版也在向密栅方向发展，可合理适配地表面浓度深结高方阻工艺，因此此项研究具有较大前景。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，本发明旨在配合目前主流的密栅线和新银浆，针对以上现有技术存在的缺点，利用低压扩散炉提供一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，它不仅能很好的解决扩散的分布不均匀度，还可以更好的做出低表面浓度深结，做出较高的方阻，有效的改善修复表面损伤，提升电性能。
本发明解决以上技术问题的技术方案是：
一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，该扩散工艺是在扩散炉中对晶体硅进行掺杂处理，包括如下流程：充气—恒压—放舟—升温过程—恒温过程—氧化—预扩散—升温分布—第一次恒温分布—扩散—第二次恒温分布—降温—再次充气—取舟，其中：
(1)充气
向扩散炉石英舟内充气，充气时间为60s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(2)恒压
保持炉内恒压，恒压时间为20s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(3)放舟
将硅片放入石英舟，控制放舟时间为600s，炉内温度为750～780℃，小氮流和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(4)升温过程
升温时间为400s，炉内温度为780～800℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；
(5)恒温过程
恒温时间为400s，炉内温度为780～800℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；
(6)氧化
保持上述温度，通入干氧、小氮及大氮，进行推进；
氧化时间为500s，炉内温度780～800℃，小氮流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min，干氧流量为440～560ml/min；
(7)预扩散
扩散时间为400s，炉内温度为780～800℃，小氮流量为100～150ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min，干氧流量为440～560ml/min；
(8)升温分布
升温分布时间为350s，炉内温度为820～840℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；
(9)第一次恒温分布
恒温分布时间为350s，炉内温度为820～840℃，小氮流量为0ml/min；干氧流量为440～560ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；
(10)扩散
扩散时间为300s，炉内温度为820～840℃，小氮流量为100～150ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min，，干氧流量为440～560ml/min；
(11)第二次恒温分布
恒温分布时间为1200s，炉内温度为840～860℃，小氮流量为0ml/min，干氧流量为440～560ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；
(12)降温
降温时间为2400s，炉内温度为700～750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/mi，大氮流量为大氮流量为1800～3000ml/min；
(13)再次充气
充气时间为60s，炉内温度为700～750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为大氮流量为1800～3000ml/min；
(14)取舟
将硅片从石英舟内取出，取舟时间为600s，炉内温度为700～750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min。
本发明进一步限定的技术方案为：
进一步，前述实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺中，该扩散工艺是在扩散炉中对晶体硅进行掺杂处理，包括如下流程：充气—恒压—放舟—升温过程—恒温过程—氧化—预扩散—升温分布—第一次恒温分布—扩散—第二次恒温分布—降温—再次充气—取舟，其中：
(1)充气
向扩散炉石英舟内充气，充气时间为60s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(2)恒压
保持炉内恒压，恒压时间为20s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(3)放舟
将硅片放入石英舟，控制放舟时间为600s，炉内温度为750℃，小氮流和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(4)升温过程
升温时间为400s，炉内温度为780℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为2500ml/min；
(5)恒温过程
恒温时间为400s，炉内温度为780℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为2500ml/min；
(6)氧化
保持上述温度，通入干氧、小氮及大氮，进行推进；
氧化时间为500s，炉内温度780℃，小氮流量为0ml/min，大氮流量为2500ml/min，干氧流量为500ml/min；
(7)预扩散
扩散时间为400s，炉内温度为780℃，小氮流量为100ml/min，大氮流量为2500ml/min，干氧流量为500ml/min；
(8)升温分布
升温分布时间为350s，炉内温度为830℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为2500ml/min；
(9)第一次恒温分布
恒温分布时间为350s，炉内温度为830℃，小氮流量为0ml/min；干氧流量为500ml/min，大氮流量为2500ml/min；
(10)扩散
扩散时间为300s，炉内温度为830℃，小氮流量为100ml/min，大氮流量为2500ml/min，干氧流量为500ml/min；
(11)第二次恒温分布
恒温分布时间为1200s，炉内温度为85℃，小氮流量为0ml/min，干氧流量为500ml/min，大氮流量为2500ml/min；
(12)降温
降温时间为2400s，炉内温度为700℃，小氮流量和干氧流量为0ml/mi，大氮流量为大氮流量为3000ml/min；
(13)再次充气
充气时间为60s，炉内温度为700℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为大氮流量为3000ml/min；
(14)取舟
将硅片从石英舟内取出，取舟时间为600s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min。
前述实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺中，步骤(4)—(13)设定的炉内压力为100～150Pa。
前述实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺中，步骤(4)—(13)设定的炉内压力为130Pa。
前述实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺中，步骤(3)和步骤(14)炉内压力为常压。
本发明的有益效果是：
本发明主要利用的是在面临常压扩散炉无法解决的技术问题的时候，利用低压扩散解决并提供一种新的扩散工艺模式，它不仅能很好的解决扩散的分布不均匀度，还可以更好的做出低表面浓度深结，更有可能做出较高的方阻，本发明采用的技术方案为利用低压扩散炉一方改善整体均匀性，另一方面可较好的实现低表面浓度深结，利用一次低温预扩散和一次高温扩散模式，降低扩散浓度，延长分布时间，可确保源充分均匀的掺杂并且得到激活，表面损伤能得到更好的修复。
本工艺主要是利用一次低温沉积高温推进再进行一次恒温沉积在进行一次高温推进的方式来达到低表面浓度深结的效果，此外由于两次高温推进会表面杂质造成损伤，长时间的降温退火会有效的改善修复表面损伤，提升电性能。
本发明工艺在其他条件相同的情况下改变利用低压扩散进行扩散工艺改变，效率有接近0.2％的增益，此外该发明的气体耗量为常压扩散的五分之一到十分之一，生产成本上降低和效率提升不可估量。
具体实施方式
实施例1
本实施例提供一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，该扩散工艺是在扩散炉中对晶体硅进行掺杂处理，包括如下流程：充气—恒压—放舟—升温过程—恒温过程—氧化—预扩散—升温分布—第一次恒温分布—扩散—第二次恒温分布—降温—再次充气—取舟，其中：
(1)充气
向扩散炉石英舟内充气，充气时间为60s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(2)恒压
保持炉内恒压，恒压时间为20s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(3)放舟
将硅片放入石英舟，控制放舟时间为600s，炉内温度为750℃，小氮流和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(4)升温过程
升温时间为400s，炉内温度为780℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为2500ml/min；
(5)恒温过程
恒温时间为400s，炉内温度为780℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为2500ml/min；
(6)氧化
保持上述温度，通入干氧、小氮及大氮，进行推进；
氧化时间为500s，炉内温度780℃，小氮流量为0ml/min，大氮流量为2500ml/min，干氧流量为500ml/min；
(7)预扩散
扩散时间为400s，炉内温度为780℃，小氮流量为100ml/min，大氮流量为2500ml/min，干氧流量为500ml/min；
(8)升温分布
升温分布时间为350s，炉内温度为830℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为2500ml/min；
(9)第一次恒温分布
恒温分布时间为350s，炉内温度为830℃，小氮流量为0ml/min；干氧流量为500ml/min，大氮流量为2500ml/min；
(10)扩散
扩散时间为300s，炉内温度为830℃，小氮流量为100ml/min，大氮流量为2500ml/min，干氧流量为500ml/min；
(11)第二次恒温分布
恒温分布时间为1200s，炉内温度为85℃，小氮流量为0ml/min，干氧流量为500ml/min，大氮流量为2500ml/min；
(12)降温
降温时间为2400s，炉内温度为700℃，小氮流量和干氧流量为0ml/mi，大氮流量为大氮流量为3000ml/min；
(13)再次充气
充气时间为60s，炉内温度为700℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为大氮流量为3000ml/min；
(14)取舟
将硅片从石英舟内取出，取舟时间为600s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min。
在本实施例中步骤(4)—(13)设定的炉内压力为130Pa；步骤(3)和步骤(14)炉内压力为常压。
实施例2
本实施例提供一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，该扩散工艺是在扩散炉中对晶体硅进行掺杂处理，包括如下流程：充气—恒压—放舟—升温过程—恒温过程—氧化—预扩散—升温分布—第一次恒温分布—扩散—第二次恒温分布—降温—再次充气—取舟，其中：
(1)充气
向扩散炉石英舟内充气，充气时间为60s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(2)恒压
保持炉内恒压，恒压时间为20s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(3)放舟
将硅片放入石英舟，控制放舟时间为600s，炉内温度为780℃，小氮流和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(4)升温过程
升温时间为400s，炉内温度为800℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800ml/min；
(5)恒温过程
恒温时间为400s，炉内温度为800℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800ml/min；
(6)氧化
保持上述温度，通入干氧、小氮及大氮，进行推进；
氧化时间为500s，炉内温度800℃，小氮流量为0ml/min，大氮流量为1800ml/min，干氧流量为440ml/min；
(7)预扩散
扩散时间为400s，炉内温度为800℃，小氮流量为150ml/min，大氮流量为3000ml/min，干氧流量为440ml/min；
(8)升温分布
升温分布时间为350s，炉内温度为820℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800ml/min；
(9)第一次恒温分布
恒温分布时间为350s，炉内温度为820℃，小氮流量为0ml/min；干氧流量为440ml/min，大氮流量为1800ml/min；
(10)扩散
扩散时间为300s，炉内温度为820℃，小氮流量为150ml/min，大氮流量为1800，干氧流量为440ml/min；
(11)第二次恒温分布
恒温分布时间为1200s，炉内温度为840℃，小氮流量为0ml/min，干氧流量为440ml/min，大氮流量为1800ml/min；
(12)降温
降温时间为2400s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/mi，大氮流量为大氮流量为1800ml/min；
(13)再次充气
充气时间为60s，炉内温度为50℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为大氮流量为1800ml/min；
(14)取舟
将硅片从石英舟内取出，取舟时间为600s，炉内温度为700℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800ml/min。
在本实施例中，步骤(4)—(13)设定的炉内压力为100Pa，步骤(3)和步骤(14)炉内压力为常压。
实施例3
本实施例提供一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，该扩散工艺是在扩散炉中对晶体硅进行掺杂处理，包括如下流程：充气—恒压—放舟—升温过程—恒温过程—氧化—预扩散—升温分布—第一次恒温分布—扩散—第二次恒温分布—降温—再次充气—取舟，其中：
(1)充气
向扩散炉石英舟内充气，充气时间为60s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(2)恒压
保持炉内恒压，恒压时间为20s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(3)放舟
将硅片放入石英舟，控制放舟时间为600s，炉内温度为770℃，小氮流和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(4)升温过程
升温时间为400s，炉内温度为790℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(5)恒温过程
恒温时间为400s，炉内温度为790℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(6)氧化
保持上述温度，通入干氧、小氮及大氮，进行推进；
氧化时间为500s，炉内温度790℃，小氮流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min，干氧流量为560ml/min；
(7)预扩散
扩散时间为400s，炉内温度为790℃，小氮流量为120ml/min，大氮流量为1800ml/min，干氧流量为560ml/min；
(8)升温分布
升温分布时间为350s，炉内温度为840℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(9)第一次恒温分布
恒温分布时间为350s，炉内温度为840℃，小氮流量为0ml/min；干氧流量为560ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(10)扩散
扩散时间为300s，炉内温度为840℃，小氮流量为130ml/min，大氮流量为3000ml/min，，干氧流量为560ml/min；
(11)第二次恒温分布
恒温分布时间为1200s，炉内温度为860℃，小氮流量为0ml/min，干氧流量为560ml/min，大氮流量为3000ml/min；
(12)降温
降温时间为2400s，炉内温度为730℃，小氮流量和干氧流量为0ml/mi，大氮流量为大氮流量为2500ml/min；
(13)再次充气
充气时间为60s，炉内温度为720℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为大氮流量为2500ml/min；
(14)取舟
将硅片从石英舟内取出，取舟时间为600s，炉内温度为720℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为2500ml/min。
在本实施例中，步骤(4)—(13)设定的炉内压力为150Pa，步骤(3)和步骤(14)炉内压力为常压。
在其它条件相同的情况下改变利用低压扩散进行扩散工艺，使用本发明工艺于普通扩散工艺进行对比，对比数据如表1所示：
表1 本发明工艺与普通扩散工艺对比
| Uoc | Isc | Rs | Rsh | Ff | Eff | Num | |
| 本发明扩散工艺 | 0.6347 | 9.013 | 0.00168 | 200 | 79.74 | 18.746％ | 14037 |
| 普通扩散工艺 | 0.6323 | 8.960 | 0.00167 | 182 | 79.68 | 18.551％ | 15607 |
| 差值 | 0.0024 | ‐0.053 | 0.00001 | 17 | 0.06 | 0.195％ | ‐1570 |
由表1可见，在其他条件相同的情况下改变利用低压扩散进行扩散工艺，效率有接近0.2％的增益，此外该发明的气体耗量为常压扩散的五分之一到十分之一，生产成本上降低和效率提升不可估量。
此外，本实施例1-3中使用的扩散炉选用中国电子科技集团公司第48研究所的卧式低压改造扩散炉，该扩散炉内有五个加热器，分为五个温区，可控制管内压力平衡，具体工艺参数如表2所示：
表2本发明扩散炉的工艺参数
由表2可见，扩散炉分为五个温区，可控制管内压力平衡，各个温区温度需要根据实际情况进行上下调节，气体流量也可以根据实际情况进行调节，方便操作，适用性强，增加了工艺的可调性，提高工作效率。
本发明主要利用的是在面临常压扩散炉无法解决的技术问题的时候，利用低压扩散解决并提供一种新的扩散工艺模式，它不仅能很好的解决扩散的分布不均匀度，还可以更好的做出低表面浓度深结，更有可能做出较高的方阻。
除上述实施例外，本发明还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本发明要求的保护范围。
Claims (5)
1.一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，其特征在于，该扩散工艺是在扩散炉中对晶体硅进行掺杂处理，包括如下流程：充气—恒压—放舟—升温过程—恒温过程—氧化—预扩散—升温分布—第一次恒温分布—扩散—第二次恒温分布—降温—再次充气—取舟，其中：
（1）充气
向扩散炉石英舟内充气，充气时间为60s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
（2）恒压
保持炉内恒压，恒压时间为20s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000 ml/min；
（3）放舟
将硅片放入石英舟，控制放舟时间为600s，炉内温度为750～780℃，小氮流和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
（4）升温过程
升温时间为400s，炉内温度为780～800℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；
（5）恒温过程
恒温时间为400s，炉内温度为780～800℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；
（6）氧化
保持上述温度，通入干氧、小氮及大氮，进行推进；
氧化时间为500s，炉内温度780～800℃，小氮流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min，干氧流量为440～560ml/min；
（7）预扩散
扩散时间为400s，炉内温度为780～800℃，小氮流量为100～150ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min，干氧流量为440～560ml/min；
（8）升温分布
升温分布时间为350s，炉内温度为820～840℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；
（9）第一次恒温分布
恒温分布时间为350s，炉内温度为820～840℃，小氮流量为0ml/min；干氧流量为440～560ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；
（10）扩散
扩散时间为300s，炉内温度为820～840℃，小氮流量为100～150ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min，，干氧流量为440 ～ 560ml/min；
（11）第二次恒温分布
恒温分布时间为1200s，炉内温度为840～860℃，小氮流量为0ml/min，干氧流量为440～560ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min；
（12）降温
降温时间为2400s，炉内温度为700～750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/mi，大氮流量为大氮流量为1800～3000ml/min；
（13）再次充气
充气时间为60s，炉内温度为700～750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为大氮流量为1800～3000ml/min；
（14）取舟
将硅片从石英舟内取出，取舟时间为600s，炉内温度为700～750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为1800～3000ml/min。
2.根据权利要求1所述的实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，其特征在于，该扩散工艺是在扩散炉中对晶体硅进行掺杂处理，包括如下流程：充气—恒压—放舟—升温过程—恒温过程—氧化—预扩散—升温分布—第一次恒温分布—扩散—第二次恒温分布—降温—再次充气—取舟，其中：
（1）充气
向扩散炉石英舟内充气，充气时间为60s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
（2）恒压
保持炉内恒压，恒压时间为20s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000 ml/min；
（3）放舟
将硅片放入石英舟，控制放舟时间为600s，炉内温度为750℃，小氮流和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min；
（4）升温过程
升温时间为400s，炉内温度为780℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为2500ml/min；
（5）恒温过程
恒温时间为400s，炉内温度为780℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为2500ml/min；
（6）氧化
保持上述温度，通入干氧、小氮及大氮，进行推进；
氧化时间为500s，炉内温度780℃，小氮流量为0ml/min，大氮流量为2500ml/min，干氧流量为500ml/min；
（7）预扩散
扩散时间为400s，炉内温度为780℃，小氮流量为100ml/min，大氮流量为2500ml/min，干氧流量为500ml/min；
（8）升温分布
升温分布时间为350s，炉内温度为830℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为2500ml/min；
（9）第一次恒温分布
恒温分布时间为350s，炉内温度为830℃，小氮流量为0ml/min；干氧流量为500ml/min，大氮流量为2500ml/min；
（10）扩散
扩散时间为300s，炉内温度为830℃，小氮流量为100ml/min，大氮流量为2500ml/min，干氧流量为500ml/min；
（11）第二次恒温分布
恒温分布时间为1200s，炉内温度为85℃，小氮流量为0ml/min，干氧流量为500ml/min，大氮流量为2500ml/min；
（12）降温
降温时间为2400s，炉内温度为700℃，小氮流量和干氧流量为0ml/mi，大氮流量为大氮流量为3000ml/min；
（13）再次充气
充气时间为60s，炉内温度为700℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为大氮流量为3000ml/min；
（14）取舟
将硅片从石英舟内取出，取舟时间为600s，炉内温度为750℃，小氮流量和干氧流量为0ml/min，大氮流量为3000ml/min。
3.根据权利要求1或2所述的实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，其特征在于：步骤（4）—（13）设定的炉内压力为100～150Pa。
4.根据权利要求1或2所述的实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，其特征在于：步骤（4）—（13）设定的炉内压力为130Pa。
5.根据权利要求1或2所述的实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，其特征在于：所述步骤（3）和步骤（14）炉内压力为常压。
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